电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
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2020年电子科技大学成都大学最新排名,附 全国排名和地区排名 2020年电子科技大学成都大学最新排名,附全国排名和地区排名 更新：2019-12-25 08:38:28 高考填报志愿的时候很多学生很关注大学的排名，本文小编为了方便大家查询各个大学排名，特地整理了最新的2020年电子科技大学成都大学全国排名和地区排名，本排名是根据是根据2019年校友会发布的最新中国高校排名整理，不作为官方数据。 一、电子科技大学成都大学最新排名榜单品牌校友会榜单年份2019院校名称电子科技大学成都大学全国排名20所在省市四川分省排名3院校类型理工排名评分97.83排名星级5院校层次中国一流独立学院二、电子科技大学成都大学简介电子科技大学成都大学是国家教育部批准成立的独立学院（教发函[2004]21号），是由电子科技大学与成都国腾实业集团合作创办，是采用新模式新机制举办的以本科层次为主的普通高等学校。 学院创建于2001年，坐落在享有“天府之国”美誉的成都，位于国家级高新技术产业开发区——成都市高新西区，现有本、学生17000余名，占地1100亩。学院现设有系（分院）11个，本、专科专业66个，是国家国际软件人才培训基地、国家软件产业基地人才培训中心。
指导思想 坚持教育以育人为本，以学生为主体；坚持办学以人才为本，以教师为主体；坚持以质量求生存，以特色谋发展；坚持以专业建设为龙头，以队伍建设为保障，以人才培养为根本，不断提高办学水平和人才培养质量，推动学院又好又快发展。 办学定位 办学类型定位：应用型。 办学层次定位：以本科教育为主，适度开展专科教育，积极创造条件逐步发展高学历教育。 学科发展定位：以工学和管理学为主，以电子信息和计算机类专业为核心，理、工、经、管、文、艺术、设计和航空等多学科门类专业交叉协调发展。 人才培养定位：培养有系统理论基础和工程实践能力，具备可持续发展潜力和创新精神的高素质应用型科技人才和技术领军人才。 服务面向定位：立足成都，辐射全国，服务区域经济及国民经济建设。 办学理念 秉承“厚德笃学、求实创新”的院训精神，坚持“一个宗旨，三个面向，四类专业”的办学理念，即：坚持“以学生为本，以学院发展为重”的办学宗旨；坚持办学“面向行业，面向社会，面向未来”；坚持在传承电子科技大学电子信息人才培养优势的基础上，办好电子信息和计算机类核心专业，经济管理与人文类专业，游戏、动画与艺术设计类专业和航空航天类专业。在办学中不断推进教育创新和管理创新，实施培养目标多元化，培养模式多样化。
微电子器件_刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子科技大学微固考研复试经验
今年考上了电子科大，微固专业，作为回报，我简单说一下吧。 我初试分数不高，外校考生，初试分数340+，而今年线是340，可以说希望不 大。但是既然过线，就要努力试试吧。 我比较走运，其实大多数考到340+的，很容易在复试时被淘汰。不过，既然 上了分数线，就别太灰心。电子科大是一个非常公平的学校，你是人才，他们一定会招你，你把总分搞上去，还有机会，他们的复试公平公正。如果你有一些竞赛获奖那就更好了，或者你的专业知识非常扎实。 个人建议在复试前联系一下导师，发个简历什么的，让老师对你有个大致的了 解，如果能征得老师同意，提前见一面，那就更好了。 复试流程第一项是导师考察，这个，同学一定要重视，尽管不计入分数，但是， 至关重要，如果老师很喜欢你，那么，你在复试时会有一定优势的，一定要重视。 然后就是笔试了，笔试电路分析，这两年题不难，按照指定书目看一下，做做 课后题，有时间可以到网上买复试题，淘宝上好像就有，一共四本。有本科试题，研究生复试试题，某学院电分初试题等等。 接下来就是面试了。面试会随机分成几组，你提前不会知道那几个老师面试你， 老师也不会提前知道他会面试到谁，所以，你面试不一定有你报的导师。学生被领到一个屋子里，里面有五个老师。进去后，先是英语面试。自己提前准备一下英文自我介绍。但不一定会问到。我比较幸运，被问到这个了。这个每个人情况不同，问题是老师随口问的，每个学生不同。简单的有自我介绍，你为什么选择电子科大，你的爱好，等等。还有人被问到你喜欢哪个季节，为什么等等。难的可能会问点专业性的，这个几率不大，如果被问到了，自认倒霉吧。英语面试也就五分钟左右。然后专业面试。面试的问题也很随机，可能难，也可能很基础。如果你初试考的数模电，那么复试也重视一下数模电。复习的科目主要就是数模
模拟电路期末试题,电子科大成都学院
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试 模拟电路基础课程考试题 A 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验 0 分，期末 60 分 一（14分）、问答题 1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。 2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。 4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？ 7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（8分）、电路如图1所示，已知β= 100，V BE = 0.7V，V A = ∞，r be = 5.6kΩ。 1．求输入电阻R i； 2．求小信号源电压增益A vs = v o/v s； 3．求输出电阻R o。 图1
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 三（8分）、在下图所示的分压式电路中，设三极管的电流放大系数为 ，三极管b、e之间的等效电阻为r be=3.5kΩ，电路中Vcc、V s、R1、R2、R C、R L，R E，R s均为已知， 1）试估算该电路的静态工作点，写出I BQ，I CQ，U CEQ的表达式。 2）画出中频段的交流小信号等效电路。 3）根据微变等效电路写出电压放大倍数A v及输入电阻Ri 和输出电阻Ro的表达式。 4）写出输出电压vo与提供的输入电压vs之间 （1）的比值，即A VS的表达式。 图2
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
电子科技大学成都学院C语言期末考试
说明： ●班级为单位，三人一组，每个题目最多被选两次。 ●每组成员应各有分工（课程设计报告里体现）。 ●课程设计报告（纸质版及电子版）每人提交一份。同题目报告雷同率不得超 过30%。程序源代码由组长上传至网络学堂。 ●课程设计报告(纸质版)提交时间：第十八周上课时间。 ●源代码及课程设计报告电子版上传时间：截止到十八周周五。 共七个题目（任选一个） 题目一、学生成绩管理系统设计 设计任务： （1）. 学生基本信息及成绩所选科目成绩的录入。 （2）. 基本信息的查询（分系、班级；分科目）与修改。 （3） . 对每系或每班各科成绩进行分析（即求单科平均成绩、及格率和优秀率）；（4）. 对所开课程的成绩分析（求其平均成绩，最高分和最低分）； （5）. 对学生考试成绩进行排名； 题目二、学生通讯录程序设计 [问题描述] 具有数据插入、修改、删除、显示、查询和统计功能的电话簿管理程序。 设计任务： （1）人数不定，数据使用文件存放。 （2）记录每位同学的学号、姓名、性别、工作单位、电话号码和E-mail地址建立单独的条目，存入数据文件。 （3）可对记录中的姓名和电话号码等进行修改。 （4）可增加或删除记录 （5）可显示所有保存的记录 （6）加入统计功能，可以统计男女同学或总人数。 （7）加入查询功能，通过姓名、学号或电话号码查询到同学的条目。 （8）在开始画面加入简单的菜单便于选择功能。 （9）文件格式：学号姓名性别工作单位电话号码E-mail
[问题描述] 设计一个具有数据插入、修改、删除、显示和查询功能的图书管理程序。 设计任务： (1)用户登录功能； (2)设计程序运行界面； (3)能用菜单选择各功能。 说明： (1) 数据包括：书名、作者、书号、出版社、出版日期和单价； (2) 可对图书信息修改； (3) 可增加或删除图书信息； (4) 可显示所有保存的图书信息； (5) 可按书名、作者、书号或出版社进行图书信息的查询。 题目四：学生学籍管理系统设计 设计任务： (1) 采用链表，数据使用文件存放； (2) 每个条目要求包含学生姓名，学号，籍贯，出生年月,民族等项目。 (3) 加入创建学生条目,修改条目，统计(包括总人数,各个分项目统计，如籍贯，出生年月等)，条件查询等功能。 (4) 开始画面加入简单的菜单便于选择各种功能。 题目五：年历显示设计 设计任务： （1）输入一个年份，输出是在屏幕上显示该年的日历。假定输入的年份在1950-2050年之间。 （2）输入年月，输出该月的日历。 （3）输入年月日，输出距今天还有多少天，星期几，是否是公历节日。
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件
2014电子科技大学考研真题_832微电子器件 一、填空题（共48分，每空1.5分） 1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的 （）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。 2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流 为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。 3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。同时，禁带宽带越 （）的半导体材料，其热稳定性越好。（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。（填“大”或“小”） 5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理 意义为（），因此τb/τB可以表示（ ）。 6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。 栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。（第二个空填“大”或“小”， 第三个空填“强”或“弱”） 7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（），该结构（）单向导电性。（从以下选项中选择） A 电子阻挡层 B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层 E 具有 F 不具有 8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是
（）特性曲 线的斜率。在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。 9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。 10、如果以SiGe来制作BJT的发射区，Si来制作BJT的基区，则与全部采用Si 材料的双极型晶体管相比，其共基极电流放大系数α将（）。（填“增大”、“减小”或“不变”） 11、根据恒场等比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩小K倍时，其阈值电压变为之前的（），总电容变为之前的（），最高工作频率变为之前的（）。12、研究发现硅-二氧化硅系统中，存在四种形式的电荷或能量状态，包括Na+、K+等可动离子、（）、（）以及二氧化硅层中的电离陷阱电荷，通常它们都带正电，因此（）型MOSFET的衬底表面更容易反型。 13、PMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。当|VBS|增加时，PMOS 的阈值电压绝对值将（），该效应叫做（）。（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”） 二、简答与作图题(共57分) 1、如图所示，一块掺杂浓度为ND的无限长均匀N型半导体材料，在x的负半轴有一束光稳定地照射在半导体表面，产生体密度为G0的电子-空穴对。（9分） （1）写出该半导体材料在x正半轴的少子扩散方程。（只考虑少子在x方向的运动）（2）如果要通过上述扩散方程求解x正半轴的少子分布，应该采用什么样的边界条件？（3）如果该半导体材料在x正半轴的长度缩短为W（W远小于少子扩散长度），又应该采用什么样的边界条件求解？ 2、下图是一个通过扩散工艺制作的PN结，由于横向扩散，在PN结终止的地方会形成弯曲的结面。发现该PN结的雪崩击穿电压远小于平行平面结击穿电压的理论计算值，造成该现象的原因是什么？如果要提高该结构的击穿电压，对扩散工艺的时间应该做怎样的调整？为什么？（9分）。 3、请画出PNP缓变基区晶体管工作在放大区的能带图和少子分布图，并标注出必要的物理量（10分）。
电子科技大学成都学院 大二上学期英语期末复习资料
Unit 1 lesson 1\2\3\4\6 Unit 2 lesson 1\2\5\6 这学期课程范围 Final Test Section 1 Listening comprehension (20 points) 书上原题三段，CET-4模拟对话 Section 2 Reading comprehension (30 points/3 passages) 书上原题两段，CET-4模拟一段 Section 3 Vocabulary, structure and grammar (25 points) Section 4 Cloze (or matching, 10 points) 取自课文 Section 5 Composition (15 points) 期末要交一个，书面的project 截止日期，下周结束前(字数不限，根据内容质量打分) English for Science and Engineering Review Essentials Unit 1 Lesson 1 Language points (words, expressions and sentence patterns) R & D equipment scientific research substantial funding sponsor defense exploration act process professorships conduct federal agency
private-sector applied science research findings scientific circles at firsthand specialize in… bring prestige to… be involved in… be judged on… not just… but also… It … that … (emphatic sentence) I believe…; I think…; I suppose…; I guess…;I feel…; In my opinion, ...; In my view, …; As I see it, …; From my point of view, …; As far as I am concerned, …Grammatical highlights: Relative clauses (Page 76; Page 3 Exercise e & f) Input (Reading Page 2 Exercise b)
微电子器件刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ηη====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
电子科技大学成都学院介绍,专业,评价
电子科技大学成都学院是由国家教育部批准建立的独立学院，是采用新模式新机制举办的以本科层次为主的普通高等学校。位于四川省，成都市。是其办学主体，作为合作者提供办学硬件设施。现有系（分院）10个，本、专业40余个。 学院创建于2001年，坐落在享有“”美誉的成都，位于国家级高新技术产业开发区——成都市高新西区，占地1159亩，规划面积1500亩。现有本科、专科学生近17000名。学院学科门类配套，专业设置适应社会需求，现有系（分院）10个，本、专科专业40余个。学院是国家首批示范性电子科技大学软件学院本科教学基地、国家国际软件人才培训基地、人才培训中心、国家863 IC设计产业化基地和软件孵化器人才培养中心。MOTOROLA成都软件中心、Intel、、迈普、国腾等众多知名紧邻学院，依靠校企联合实验室和人才实践基地，以及面向行业“走出去、请进来”的立体组合式项目实践，使得学院培养的兼有扎实功底和强劲实践创新能力，具备可持续发展潜力的受到社会欢迎，2003年8月，学院被 四川省委、省政府授予“四川省人才开发先进单位”。 学院依托电子科技大学电子信息人才培养积淀和独具优势的科研教学实力，借助广泛开展的国际合作，包括与、、、和、MOTOROLA公司、IBM公司、CISCO 公司等企业建立的项目合作关系，致力于培养在工程实践领域具备突出攻坚能力、专业技能及管理能力的产业急需的高质量人才。 学院以培养知识技能型的特色人才为目标，以软件、、、等电子信息技术为核心，通过与四川航空公司等其它领域国内外企业合作，创办特色专业，工、管、文和艺术类学科协调发展，立足成都、辐射西部，努力成为国内知名的培养知识技能型人才的综合性大学。[1] 学校地址：四川省成都市高新西区百叶路1号邮编：611731 学院现有8个实验教学中心，共54类94间各类实验室，实验室总面积11546平方米。8个实验教学中心分别是：电子信息基础实验教学中心、应用电子工程技术实验教学中心、经济管理实验教学中心、计算机实验教学中心、图形艺术实验教学中心、航空工程实验教学中心、文理实验教学中心、公共基础实验教学中心。其中电子信息基础实验教学中心和应用电子工程技术实验教学中心是省级实验教学示范中心建设项目。 学院广泛开展合作办学，大力推进对外交流。全院有学生实习基地总数28个，各类合作企业135家；与国外合作院校达到15所，共涵盖11个国家和地区。学院先后与英国剑桥大学、东安格利亚大学、斯坦福厦大学，比利时鲁汶联合工程学院，德国德累斯顿工业大学，香港城市大学，马来西亚英迪国际大学，澳大利亚拉筹伯大学，澳大利亚维多利亚大学，新西兰国立理工学院，新西兰奥克兰商学院，微软、MOTOROLA、IBM、SAP、育碧、暴雪、阿里巴巴等国内外院校和百余家企业建立了稳定的交流与合作关系。 院系，专业： 航空分院 飞行器动力工程,航空服务专业,航空机电设备维修专业
√增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向
增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向 （作者：Xie Meng-xian，电子科技大学微固学院) （1）集成电路发展状况： 作为微电子技术的主体——集成电路，它的发展已经经历了若干个重要阶段，从小规模、中规模，到大规模、乃至超大规模、特大规模等。微电子技术的这种长足的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继续不断缩短沟道长度的话，将会受到若干因素的限制，这一方面是由于加工工艺能力的问题，另一方面是由于器件物理效应（例如短沟道效应、DIBL效应、热电子等）的问题。因此，在进一步发展微电子技术过程中，再单只依靠缩短沟道长度就很不现实、甚至也可能了，则必须采用新的材料、开发新的工艺和构建新的器件结构，才能突破因缩短沟道所带来的这些限制。 实际上，从集成电路的发展趋势来看，大体上可以划分为三大阶段： ①K时代（Kbit，KHz）：微细加工的时代（不断缩短有效尺寸）～“微米时代”； ②M时代（Mbit，MHz）：结构革命的时代（不断改进器件和电路结构）～“亚微米时代”； ③G时代（Gbit，GHz）：材料革命的时代（不断开发新材料、新技术）～“10纳米时代”。 现在已经开始进入G时代，因此，在不断开发新技术的同时，特别值得注意的是新材料的开发；不仅要开发新型的半导体材料（例如宽禁带半导体、窄禁带半导体、大极性半导体等），而且也要开发各种新型的辅助材料（例如高K、低K介质材料，Cu电极材料，新型表面钝化材料等）。器件和电路研究者应该多加注意新材料的开发应用；而新材料研究者应该多加注意往器件和电路的应用上下功夫。 在新的材料和工艺技术方面现在比较受到重视的是高介电常数（高K）材料和Cu互连技术。当沟道长度缩短到一定水平时，为了保持栅极的控制能力，就必须减小栅极氧化层厚度（一般，选取栅氧化层厚度约为沟道长度的1/50），而这在工艺实施上会遇到很大的困难（例如过薄的氧化层会出现针孔等缺陷）；因此就采用了高介电常数的介质材料（高K材料）来代替栅极氧化物，以减轻制作极薄氧化层技术上的难度。另外，沟道长度缩短带来芯片面积的减小，这相应限制了金属连线的尺寸，将产生一定的引线电阻，这就会影响到器件和电路的频率、速度；因此就采用了电导率较高一些的Cu来代替Al作为连线材料，以进一步改善器件和电路的信号延迟性能。可见，实际上所有这些高K材料和Cu互连等新技术的采用都是不得已而为之的，并不是从半导体材料和器件结构本身来考虑的。 显然，为了适应器件和电路性能的提高，最好的办法是另辟途径，应该考虑如何进一步发挥半导体材料和器件结构的潜力，并从而采用其他更有效的技术措施来推动集成电路的发展。现在已经充分认识到的一种有效的技术措施就是着眼于半导体载流子迁移率的提高（迁移率增强技术）。 （2）迁移率增强技术： 迁移率（μ）是标志载流子在电场作用下运动快慢的一个重要物理量，它的大小直接影响到半导体器件和电路的工作频率与速度。 对于双极型晶体管而言，高的载流子迁移率可以缩短载流子渡越基区的时间，使特征频率（f T）提高，能够很好的改善器件的频率、速度和噪音等性能。 对于场效应晶体管而言，提高载流子迁移率则具有更加重要的意义。因为MOSFET的最大输出电流——饱和漏极电流I DS可表示为：
整理[专业课]微电子专业考研重点院校推荐
一、北京大学 北京大学微电子学系是国家大力支持的重点学科点。 北京大学微电子学系，又称微电子学研究所（院），有着源远流长的学术传统。1956年，由著名物理学家黄昆院士在北大物理系领导创建了我国第一个半导体专业机构，之后在我国著名微电子专家王阳元院士的带领下，北京大学微电子学系发展成为我国培养高水平微电子人才的一个重要基地，是国家的重点学科点。 二、清华大学 清华大学微电子所是全国微电子学领域首个重点学科点。 清华大学微电子学研究所成立于1980年9月，第一任所长由全国著名半导体物理学家、中科院院士李志坚担任。该所是国家重点支持的北方微电子研究开发基地的主要组成单位，是高素质微纳电子科技人才的培养基地，1988年被定为全国微电子学领域第一个重点学科点。 三、中科院 中科院和微电子领域关系最密切的研究所有3个：微电子所、半导体所和微系统所，这3个所的师资、资金实力在国内同行中处于领先水平。 四、电子科技大学 电子科技大学位于具有“天府之国”美誉的成都，是“211”和“985”名校之一，在2006年中国高校国际学术会议排名中名列第四，被誉为“我国电子类院校的排头兵”。其微电子与固体电子学院拥有一支以中科院院士陈星弼领衔的包括16名博士生导师、27名教授在内的雄厚师资力量，与国内外相关公司、高校和研究机构有着广泛的合作关系。 五、东南大学 东南大学的微电子研究比较特殊，既有以射频闻名的射光所，又有在MEMS方向颇具实力的微电子所。射光所下属于在无线电系，而微电子所则下属于电子工程系。两个研究所各有所长，优势互补。 六、西安电子科技大学 西安电子科技大学微电子学院是国家集成电路人才培养基地。 西安电子科技大学微电子学院是在原微电子研究所及技术物理学院微电子系的基础上组建而成，是科技部资助的5个国家集成电路人才培养基地之一。 七、天津大学
电子科大成都学院2011年数学实验复习题
2011年数学实验复习题 一、选择题 1、三阶幻方又称为九宫图，提取三阶幻方矩阵对角元并构造对角阵用( C ) (A) diag(magic(3)); (B) diag(magic); (C) diag(diag(magic(3))); (D) diag(diag(magic))。 2、data=rand(1000,2);x=data(:,1);y=data(:,2);II=find(y
2011年电子科大微电子器件考研试题
电子科技大学 2011年攻读硕士学位研究生入学试题 832微电子器件 一、填空题（共64分） 1、当发射区掺杂浓度太高时，发射效率变（ ）这是由于（）和 （）。2、在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）基区宽度，（） 基区掺杂浓度。3、在PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这种电流的原因是存储在（）区中的（）电荷。这个电荷的消失有以下两条途径：（）和（）。 4、薄基区二极管是指PN 结的一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二 极管中，少子浓度的分布近似为（）分布。5、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的宽度越（），内建电场的最大值越（），内建电场V bi 就越（），反向饱和电流I 0越（），势垒电容C T 越（），雪崩击穿电压越（）。 6、厄尔利效应是指当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（）， 从而使集电极电流（）。7、在高频下，晶体管基区渡越时间t b 对基区输运系数?*有三个作用，它们是：（）、（）和（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。 8、对于长沟道MOSFET ，当沟道长度增加一倍时，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变时，其下列参数发生什么变化：V T （）、I Dat （）、R on （）、g m （）。 9、由于栅氧化层中通常带（）电，这使得N 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）， P 沟道MOSFET 的阈值电压绝对值变（）。10、在快恢复二极管制造中，通常会掺入金杂质，金是作为（）。在N 型半导体中，是（）对处在（）的（）的俘获作用决定器件开关速度。 11、小电流时a 会（），这是此时发射极电流中（ ）的比例增大；大电流时a 会（），这是由于（）和（）。 12、相对于PN 结的N 区而言，在P 区外加电压V ，则分别在P 区和N 区的耗尽区与中性区的界面处，少子浓度与外加电压的关系： =?)(n p p χ= )(p n n χ13、长沟道MOSFET 漏极电流饱和是由于（ ），短沟道MOSFET 漏极电流饱和
电子科技大学成都学院信号与系统期末复习提纲
信号与系统期末复习提纲 第一章绪论 1、理解信号所占时间范围分类（p4）:左边、右边、因果、逆因果、时限、无时限 2、掌握常见信号的基本运算（反转、时移、尺度变换） 3、重点掌握常见连续时间信号的定义（() u t,门信号Agτ(t-t0) , sin Sa() t t t =,单位冲激信 号δ(t)） 4、重点掌握δ(t)函数的计算；掌握单位冲激信号δ()t的微分特性 5、掌握系统基本特性P21（线性，时不变、零输入响应、零状态响应）（p16:例1.1.8）课后习题1.9 1.10 第二章连续时间信号和LTI连续时间系统的时域分析 1、掌握零输入响应和零状态响应的特点和求解方法 2、掌握s(t)和h(t)的定义和之间的关系 3、掌握简单卷积的计算以及卷积的性质P35 P44 2.1(5)(7) 第三章连续时间信号与LTI连续时间系统的频域分析 1、了解傅里叶级数（FS） 2、掌握傅里叶变换FT的定义、性质、以及常见傅里叶变换对 3、掌握系统频率响应H(w)的定义及求解方法 4、掌握理想滤波器的概念（低通、高通、带通、带阻） 5、掌握时域采样定理 （P86 例3.3.10） P90 3.2 P91 3.8 (3)(4) 3.10 (1)(2) 3.13 第四章连续时间信号与LTI连续时间系统的复频域分析 1、掌握双边拉普拉斯变换的定义，收敛域及性质，掌握常见拉普拉斯变换对 2、掌握拉普拉斯反变换 3、掌握单边拉普拉斯变换的特性 4、掌握系统函数H(S)的定义及求解方法 5、掌握利用拉普拉斯变换求解系统响应 6、掌握连续时间系统的模拟 7、掌握连续时间系统因果性和稳定性的判定 （P112 例4.2.3）（P119 例4.3.2）（P121 例4.3.4）（P125 例4.3.10） P144 4.8(d) 4.10（1），4.17，4.20 第五章LTI离散时间系统的时域分析 1、掌握常见离散时间信号：δ[]n[] u n无时限指数序列n a
微电子工程学复习题
第一章： 1、电子器件微型化和大规模集成的含义是什么？其具有怎样的实际意义。 答：电子器件微型化主要是指器件的最小尺寸，也就是特征尺寸变小了。大规模集成是指在单个芯片上所继承的电子器件数量越来越多。 电子器件微型化和大规模集成的意义： 1）提高速度和降低功耗只有提高集成度，才能减少电子系统内部的连线和最大限度地减少封装管壳对速度的影响。提高速度和提高集成度是统一的，前者必须通过后者来实现。同时采用低功耗、高速度的电路结构（器件结构） 2）提高成品率与可靠性大规模集成电路内部包含的大量元件都已彼此极其紧密地集成在一块小晶片上，因此不像中、小规模集成电路组成的电子系统那样，由于元件与元件，或电路与电路之间装配不紧密，互连线长且暴露在外，易受外界各种杂散信号的干扰，所以说大规模集成电路提高了系统可靠性。 为了提高为电子器件的成品率，需要在少增加电路芯片面积的前提下尽可能容纳更多的电子元件，也就是采取提高元件密度的集成方法。 3）低成本大规模集成电路制造成本和价格比中、小规模集成电路大幅度下降是因为集成度和劳动生产率的不断提高。 综上所述，大规模和超大规模集成电路的微型化、低成本、高可靠和高频高速四大特点，正是电子设备长期追求的技术指标和经济指标，而这四大特点中后三个特点皆源于微型化的特点。因此这四大特点是统一的、不可分割的。 2、超大规模集成电路面临哪些挑战？ 答：首先是大直径的硅材料, 随着集成电路技术的发展，硅单晶直拉生产技术，在单晶尺寸、金属杂质含量、掺杂元素和氧分布的均匀性及结晶缺陷等方面得到了不断的改进。目前，通常使用的硅单晶抛光片的直径已达到300mm，400mm硅单晶片的制造也已经开始。如何控制400mm晶体中点缺陷将是面临的重大挑战。 其次是光刻技术：在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术，成为首先需要解决的问题；同时，由于光刻尺寸要小于光源波长，使得移相和光学邻近效应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技术。 最后是器件工艺。当器件的沟道长度缩小到0.1um时，已开始逼近传统的半导体物理的极限。随之而来的是栅氧化层不断减薄，SiO2作为传统的栅氧化层已经难以保证器件的性能。同时随着半导体器件工艺的特征尺寸不断地缩小，芯片内部的多层内连线工艺也逐渐成为半导体工艺发展的挑战。 3、阐述微电子学概念及其重要性。 答：微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、子系统及系统的电子学分支。 微电子学作为电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学。 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的，故实用性极强。微电子学中所实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统。 微电子学是信息领域的重要基础学科，在信息领域中，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息载体的科学，构成了信息科学的基石。其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。 微电子科学技术是信息技术中的关键之所在，其发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
2015年电子科技大学成都考研真题832微电子器件
电子科技大学 2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：832 微电子器件 注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。 一、填空题（共45分，每空1分） 1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合 曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。 2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（）只存在于正向偏 压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。 3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正 向导通压降更（）。 4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（） 的数目。电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。 5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动 加强，因而载流子的平均自由程（）。 6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区； 双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。 7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（） 电容的乘积。 8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。双 极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。（第三、四个空填“大”或“小”） 9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS； I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO （填“>”、“<”或“=”） 10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏 压（）零。（填“>”、“<”或“=”）