模拟电子技术基本概念复习题及答案
模电基本概念复习题
一、判断下列说法是否正确
1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。√×
2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P。×
3、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。×
4、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。×
5、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于
各输入电流之代数和。√
6、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。√
7、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。×
8、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。×
9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。√
10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。√
11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。×
12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。×
13、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫
无变化。×
14、共集电极电路没有电压和电流放大作用。√
15、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。√
16、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。×
17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。×
18、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。×
19、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。×
20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。×
21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共射放大电路的输入电阻最小。×
22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，共基放大电路的输出电阻最小。×
23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。√
24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。×
25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件，是电流控制器件，沟道越宽电流越大。
×
26、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中，若
V小于零，则i D＝0。×
GS
27、若增强型N沟道MOS管的v GS大于开启电压V T，则输入电阻会明显变小。×
28、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零。√
29、耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用。√
30、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏
相结合的偏置方式。√
31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。×
32、增强型MOS管采用自给偏压时，漏极电流i D必为零。√
33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电
路，其电压放大倍数为10000。×
34、集成运放部第一级是差动放大电路，因此它有两个输入端。√
35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。√
36、集成运放部是直接耦合的多级放大电路。√
37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。√
38、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。×
39、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模输入交流通路中，
长尾电阻R e一概可视为短路。×
40、用电流源代替R e后电路的差模电压放大倍数增加。×
41、带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性围，不论是双端输出还是单端输出，
其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。
√
42、集成运放的输入失调电压V IO是两输入端电位之差。×
43、反馈量仅仅决定于输出量。√
44、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压串联负反馈。√
45、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。×
46、稳定输出电压，提高输入电阻应引入电压并联负反馈。×
47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。√
48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。×
49、共集放大电路A u<1，电路不可能有反馈。×
50、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激。×
51、负反馈能扩大放大电路的通频带，因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管。×
52、负反馈可以抑制一切干扰。×
53、在深度负反馈条件下，A f＝1÷F与原来的A无关，所以可以任选管子。×
54、在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。×
55、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路已不再适用。
√
56、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流
功率。√
57、输入信号越大，非线性失真也越大。交越失真属于非线性失真，因此，大信号时更为
严重。×
58、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真。√
59、功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作
用。×
60、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管时）才能组成复合管。×
61、复合管的类型取决于第一个管子的类型。√
62、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。√
63、只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。×
64、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡。×
65、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏，故在任何情况下放大器均不采用正反馈。×
66、在电压比较器中，其输出只有两种状态。√
67、在电压比较器中，集成运放一直处于非线性工作状态。×
68、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是
工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。√
69、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。×
70、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使性能得到改善。×
71、放大电路的级数越多，引入的反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。×
72、一个理想对称的差分放大电路，能放大差模输入信号，也能放大共模输入信号。×
73、负反馈放大电路不可能产生自激振荡。×
74、正反馈放大电路有可能产生自激振荡。√
75、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路，就一定能产生正弦波振荡。√
76、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。×
77、对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就有可能自行起振。×
78、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用带通有源滤波器。√
79、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。√
80、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流。√
81、滤波是将交流变为直流。×
82、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有一只整流管断开，输出电压平均值变为原来的
一半。√
二、选择题
1、关于理想运算放大器错误的叙述是( A )。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位
C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大
2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是（A）。
A．反相输入端为虚地；B．输入电阻大；
C．电流并联负反馈；D．电压串联负反馈。
3、欲将方波转换为三角波，应选用（ D ）。
A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路
C．求和运算电路D．积分运算电路
4、当温度下降高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A．增大B．不变C．减少
5、P型半导体主要靠（ B ）导电
A．正电荷B．空穴C．自由电子D．负电荷
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A．温度B．掺杂工艺的类型
C．杂质浓度D．晶体中的缺陷
7、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A．变窄B．基本不变C．变宽D．不定
8、外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A ）。
A．增大B．减小C．不变
9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A）。
A．大B．小C．相等
10、对于稳压二极管，它正常工作时是处于（B ）状态。
A．正向导通B．反向击穿C．截止D．随外加电压变化而变化11、根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B＝－6.3V，V E＝－7V，V C＝－4V，可以判
定此晶体管是 管，处于 。（ D ）
A ． NPN 管，饱和区
B ． PNP 管， 放大区
C ． PNP 管，截止区
D ． NPN 管， 放大区
12、 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，
那么它的β约为 （ C ）。
A ．83
B ．91
C ．100
13、 一个晶体管的极限参数为P CM =100mW ，I CM =20mA ，U (BR)CEO =15V ，则下列( A ）
是正常工作状态。
A ．U CE =3V ，I C =10mA
B ．U CE =2V ，I
C =40mA
C ．U CE =6V ，I C =20mA
D ．U C
E =16V ，I C =30mA
14、 测得放大电路中三极管的各极电位如图所示，则该三极管为( C ）。
A ．NPN ，硅管
B ．PNP ，硅管
C ．NPN ，锗管
D ．PNP ，锗管
15、 在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是（ B ）。
A ． 共射电路的R i 最大
B ． 共集电路的A V 最小
C ． 共基电路的A V 最小
D ． 共射电路的R o 最小
16、 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为2KHz ，20mV 的正弦电
压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 （ A ）。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．频率失真
D ．交越失真
17、 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz 、5mV 的正弦电
压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是（ A ）。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
D ．频率失真
18、图2所示共射放大电路，设静态时I CQ =2mA ，晶体管饱和管压降U CES =0.6V ，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A ．饱和；底部
B ．饱和；顶部
C ．截止；底部
D ．截止；顶部 19、 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时I CQ =2mA ，晶体管参数：β=100，
200bb r '=Ω
，正弦交流输入电压i u t =ω，则交流输出u o 为（ A ）。
A
．o )u t ωπ=+ B
．o )u t ω=
C．
o 42sin()
u tωπ
=+D．
o 42sin()
u tω
=
20、当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极的偏置电压满足关系式（ C ）。
A．U B>U E ；U B>U C B．U B
C．U C>U B>U E D．V C
21、测得某三极管各极电流为Ｉ1＝2.4 mA，Ｉ2＝0.6mA，Ｉ3＝－3 mA（电流方向流入为
正）。则各电极分别是（C）。
A．①－e，②－b，③－c B．①－b，②－c，③－e
C．①－c，②－b，③－e D．其它情况
22、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件
下对同一个电路测了四组数据。其中错误的一组是（ D ）。
A．I C =0.5mA，U i=10mV，U o =0.37V B．I C =1.0mA, U i =10mV，U o=0.62V
C．I C=1.5mA, U i =10mV，U o =0.96V D．I C =2mA, U i =10mV，U o =0.45V
23、某一工作在放大状态的电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，输入电压为
15mV时,输出电压为6.5V（以上均为直流电压）。它们的电压放大倍数为( C ）。
A．700 B．100 C．－100 D．433
24、如图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压u0波形不失真，则应
（ B ）。
A．R C增大B．R B增大C．R B减小D．β增大
25、共射电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生（C ）。
A．交越失真B．饱和失真C．截止失真D．不能确定的失真
26、带射极电阻R e的共射放大电路，在R e上并联交流旁路电容C e后，其电压放大倍数将
（B）。
A．减小；B．增大；C．不变；D．变为零。
27、放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3k? 的负载电阻后输出电压降为3V，
这说明放大电路的输出电阻为（ C ）。
A．10k? B．2 k? C．1 k? D．0.5 k?
28、为了使高阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入
（ C ）。
A．共射电路B．共基电路C．共集电路D．共集-共基串联电路
29、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有阻
的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的（ B ）。
A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小30、对于基本共射放大电路的特点，其错误的结论是( A ）。
A．输出电压与输入电压相位相同B．输入电阻，输出电阻适中
C．电压放大倍数大于1 D．电流放大倍数大于1
31、设图所示的的放大电路处于正常放大状态，各电容都足够大。则该电路的输入电阻为
（D）。
A．Ri=Re||[rbe+(Rb1+ Rb2)]B．Ri=Re||rbe
C．Ri=Re||{[rbe+(Rb1+ Rb2)] /(1+β)}D．Ri=Re||[rbe/(1+β)]
32、由两只β值相同且远大于1的NPN管组成的复合管，其复合管的β值约为（C ）。
A．β B．2β C．β2D．1+β
33、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时，图所示的abcd接法中，
___b____是正确的。
34、对于单管共射放大电路，当f＝f L时，v o滞后v i（ C ）。
A．90°B．45°C．135°D．180°
35、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。
A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体极间电容和分布电容的存在
C．半导体的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适
36、下列对场效应管的描述中，不正确的是（C ）。
A．场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；
B．场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；
C．场效应管工作时多子、少子均参与导电；
D．场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
37、V GS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为（ C ）。
A．结型管B．增强型MOSFET C．耗尽型MOSEFT管D．BJT
38、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。
A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区
39、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（C ）决定。
A．管子类型B．g m C．偏置电路D．U GS
40、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频
响应（ B ）。
A．差B．好C．差不多
41、集成放大电路采用直接耦合的原因是( C )。
A ．便于设计B．放大交流信号
C．不易制作大容量电容 D ．克服零点漂移
42、图电路中，I＝1mA，则I C3＝（A ）。
A．1mA；B．0.5mA；C．0.3mA
K越大，表明电路（ C ）。
43、共模抑制比CMR
A．放大倍数越稳定；B．交流放大倍数越大；
C．抑制温漂能力越强；D．输入信号中的差模成分越大。
44、放大电路产生零点漂移的主要原因是（ A ）。
A．环境温度变化引起参数变化B．增益太大
C．采取了直接耦合方式D．外界干扰
45、集成运放的互补输出级采用（），输入级采用（ B ）。
A．共基接法B．共集接法C．共射接法D．差分接法
46、集成运放中间级的作用是（ C ）。
A．提高共模抑制比B．提高输入电阻
C．提高放大倍数D．提供过载保护
47、差动放大电路的主要特点是( A ) 。
A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；
B 既放大差模信号，又放大共模信号
C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；
48、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（ D ）。
A．增加一倍B．为双端输入时的一半C．不变D．不确定
49、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是( A ) ，而提高共模抑制比。
A．抑制共模信号B．抑制差模信号
C．放大共模信号D．既抑制共模信号又抑制差模信号
50、双端输入，双端输出，差分式放大电路如图。已知：静态时,V C1＝V C2＝10V，v O＝v C1
－v C2＝0，求：
（1）设|Ａvd|=100,ＡVC=0，Ｖi1＝10mV，Ｖi2＝5mV. 则|V o|为（ D ）。
A．125mV B．200mV C．250mV D．500mV
（2）设Ａvd＝－10，Ｖi1＝0.1V，Ｖi2＝－0.1V，则V C1为（A）,V C2为（C ）A．9V B．10V C．11V D．12V
（3）为提高电路的ＫCMR，Ｒe可用（B）代替。
A．大电容B．电流源C．电压源D．断开
51、某差动放大电路如图，选择正确答案
（1）静态时，要使V o= 0，应调整元件是（A ）
A．R w B．R c C．R e D．R b
（2）差模放大时，开关S从1转至2，V o值变化是（ C ）
A．增大B．减小C．基本不变
（3）共模放大时，开关S从2转至1，实测共模放大倍数|Ａvc|值的变化是（B ）A．增大B．减小C．基本不变
52、为增大电压放大倍数，集成运放中间级多采用( A ) 。
A．共射放大电路；B．共集放大电路；C．共基放大电路
53、欲将正弦电压移相+90°，应选用（ C ）。
A．反相比例运算电路 B ．同相比例运算电路
C ．积分电路D．求和电路
54、多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是（B ）。
A．各级电路的参数很分散B．回路增益AF大
C．闭环增益大D．放大器的级数少
55、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（D ）。
A．电压放大倍数高B．输出电流小
C．输出电阻增大D．带负载能力强
56、 在串联负反馈电路中，信号源的阻（ B ），负反馈的效果越好。
A ．越大，
B ．越小，
C ．越恒定，
D ．越适当
57、 某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ A ）。
A ．电流串联负反馈
B ．电压并联负反馈
C ．电流并联负反馈
D ．电压串联负反馈
58、 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的是负反馈。
A 电路稳定性变差
B 输出量增大
C 净输入量增大
D 净输入量减小
59、 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ B ）。
A ． 输入信号所包含的干扰和噪声； B. 反馈环的干扰和噪声；
C. 反馈环外的干扰和噪声；
D. 输出信号中的干扰和噪声。
60、 欲将电流信号转换成与之成比例的电压信号，应在放大电路中引入（ B ）。
A ． 电压串联负反馈
B ． 电压并联负反馈
C ． 电流串联负反馈
D ． 电流并联负反馈
61、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。
A ．电压
B ．电流
C ．串联
62、某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10K ui F =Ω，开环输入电阻
i 5.0K R '=Ω，可推算出其闭环输入电阻if R '=（ A ）。
A ．500K Ω；
B ．50K Ω；
C ．50Ω；
D ．5Ω 63、 功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是（ C ）。
A ．都使输出电压大于输入电压
B ．都使输出电流大于输入电流
C ．都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
64、 在OCL 乙类互补对称功放中，若最大输出功率为1W ，则电路中每管的最大管耗为
（ C ）。
A ．1W
B ．0.5W
C ．0.2W
65、 与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
A ．不用输出变压器
B ．不用输出端大电容
C ．效率高
D ．无交越失真
66、 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大
倍数必须满足（ D ）才能起振。
A ． A V = 1
B ． A V = 3
C ． A V ＜ 3
D ． A V ＞3
67、 信号频率f = f 0时，RC 串并联网络呈( B )。
A．容性B．阻性C．感性
68、在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，（ C ）。
A．φA=-1800，φF=+1800 B．φA=+1800，φF=+1800 C．φA=00，φF=00
69、当我们只想要放大频率为10kHz以上的信号时，应采用（B）滤波器。
A．低通B．高通C．带阻D．带通
70、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电压是半波整流电
路输出电压的（ B ）倍。
A．1 B．2 C．1.5 D．0.5
71、桥式整流电路若变压器二次电压为
2V
u tω
=，则每个整流管所承受的最大反向电压为（A）。
A．B．C．20V D。
72、单相桥式整流、电容滤波电路中，已知变压器副边电路的有效值为U2＝10V，R L C>4T/2
（T为电网电压的周期），测得输出电压平均值U O
（A V）
可能的数值为：
A．14V B．12V C．9V D．4.5V
（1）正常情况下U O
（A V）
≈（B ）；
（2）电容虚焊时U O
（A V）
≈（9 ）；
（3）负载开路时U O
（A V）
≈（ A ）；
（4）一只整流管和电容同时开路时U O
（A V）
≈（D ）；
73、单相桥式整流电路中，若有一只二极管接反，则（ C ）。
A．输出电压约为2U D B．变为半波直流C．整流管将因电流过大而烧坏。
三、填空题(答案附后)
1、频率失真是由于放大电路的不够宽引起的，非线性失真是由于放大器件的
特性引起的。
2、工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短，虚断。理想集成运算
放大器的放大倍数A v＝，输入电阻r i＝，输出电阻r o＝。
3、比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
4、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_________。负反馈
5、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
6、本征半导体是，其载流子是和，两种载流子的浓度。
7、当PN结外加正向电压时，P区接电源极，N区接电源极。
8、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
9、PN结的P区接电源的正极，N区接负极称PN结为。
10、二极管的正向电阻，反向电阻，故二极管最主要的特性是。
11、硅二极管导通后，其管压降是基本不变的，典型值为伏；其门坎电压U th约
为伏。
12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要。
13、二极管最主要的特性是_ __，它的两个主要参数是反映正向特性的_和反
映反向特性的_ 。
14、三极管能起放大作用的部条件是：发射区掺杂浓度，基区掺杂浓度比发射区
掺杂浓度，基区宽度。
15、BJT的输出特性上可划分为三个区分别、、。
16、当温度升高时，双极型三管的β将，反向饱和电流I CEO 。
17、当温度升高时，双极性三极管的正向结压降V BE。
18、BJT工作在放大区的外部条件是：。
19、BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为：发射结，集电结。
20、测得某电路中NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_ _区。
21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的
类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
A管；B管；C管。
22、放大电路中动态工作点在负载线上移动。
23、双极型三极管是控制型控制器件。
24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处
于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。
A管；B管；C管。
25、图(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们
的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。
26、在模拟电子电路测试中，常用信号作为标准信号使用。
27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，
组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强。
28、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中，放大电路的输入电阻最
小，放大电路的输出电阻最小。
29、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选
用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。
30、共发射极电路又可称为，共集电极电路又可称为，共基极电路又可
称为。（A电压跟随器；B反相电压放大器；C电流跟随器）
31、某PNP三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为失真，原
因是Q点，可以使I B来消除。
32、交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示，负载上获得的最大
不失真输出电压的峰峰值是V。
33、多级放大电路中，后一级的电阻是前一级的负载。
34、在多级放大器中，上一级的输出电阻可作为下一级的。
35、多级放大电路常用的耦合方式有、、耦合。
36、当信号频率等于放大电路的f L或f H时, 放大倍数的值为中频时的倍。
37、对于单极共射放大电路，当f＝f L时，v o与v i相位关系是，当f＝f H
时，v o 与v i 相位关系是 。
38、
某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 39、 一个放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知中频放大倍数|A vm |=_______, f L 为
_______，f H 为________，当信号频率为f L 或f H 时,实际的电压增益为 ________。
40、 电路如图所示(用(a)增大,(b)减小,(c)不变或基本不变填空)
（1）若将电路中Ce 由100μF ,改为10μF,则|A vm |将_______，f L 将________，f H 将
________ ，中频相移将 _________。（2）若将一个6800pF 的电容错焊到管子b ，c 两极
之间，则|A vm |将______， f L 将_______， f H 将________。（3）若换一个f T 较低的晶体管,
则|A vm |将_______，f L 将_______，f H 将_______。
41、
场效应管是一种利用 效应来控制电流大小的半导体器件。 42、
场效应管是 控制性器件，只依靠 导电。 43、
场效应管的漏极特性上的三个区域分别为 、 、 。 44、 图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是________沟道
________MOSEET 管。
45、 RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时，下限截止频率f L 将 ，放大电
路通频带BW 将 。
46、
影响单级共射极放大电路的低频响应的主要因素是 。 47、 集成运放部电路中，偏置电路由 电路构成；输入级由 电路构
成。
48、
共模抑制比K CMR = ，电路的K CMR 越大，表明电路 的能力越强。 49、 集成运放部电路主要有由 、 、 、 、
这几个部分组成。
50、
差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压 。 51、
在长尾式差动电路中，长尾R e 的主要作用是 。 52、 差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的 作用和对共模输入信号的 作
用。
53、
串联负反馈只在信号源阻 时，其反馈效果才显著。 54、 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入的反馈类型
为。
55、欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入的反馈类型
为。
56、在输入量不变的情况下，若引入反馈后输出量，则说明引入的反馈是负反
馈。
57、在放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入________；若要稳定放大倍数，应引
入________；希望展宽频带，可以引入________；如要改变输入或输出电阻，可以引入________；为了抑制温漂，可以引入________。（a.直流负反馈，b.交流负反馈，c.直流负反馈和交流负反馈）
58、如希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可引入________；如希望取得较强的反
馈作用而信号源阻很大，则宜引入________；如希望负载变化时输出电流稳定，则应引入________；如希望负载变化时输出电压稳定，则应引入________。（a.电压负反馈，b.
电流负反馈，c.串联负反馈，d.并联负反馈）
59、为了增大放大电路输出电阻，应在放大电路中引入反馈。
60、电流负反馈的反馈信号与输出成比例；一反馈放大电路的开环增益为1000，
反馈系数为0.099，则其闭环增益为。
61、负反馈放大电路的自激条件是，其实质是放大电路在中频段的负反馈
在高或低频段变成了。
62、乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。
63、在OCL乙类互补对称功放电路中，静态工作点Q设置在输出特性的区。
64、OCL乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是，该放大器的理想效
率为，每个管子所承受的最大电压为。
65、在一阶RC高通电路的相频特性中当f＝f L时，相角Φ= 。
66、正弦波振荡电路通常由放大电路，，和四
部分组成。
67、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大
倍数要略大于才能起振。
68、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为、相位平衡条件
为。
69、为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号，在电子系统中常选用滤波电路
来滤除；而滤波电路能够有效抑制高频干扰信号。
70、电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的
输出状态发生跃变，滞回比较器的输出状态发生次跃变。
71、小功率直流稳压电源由变压、_ _、_ __、四
部分电路组成。
72、三端稳压器7815的稳压值为。
73、电容滤波电源电路一般适用于场合。
74、构成串联反馈式稳压电路的基本单元，除了调整管、基准电压产生电路外，还有
电路和环节。
填空题答案
1．通频带、非线性
2．虚短，虚断；∞；∞；0
3．反相
4．负反馈
5．自由电子；空穴；
6．纯净半导体；自由电子；空穴；相等
7．正；负
8．大于
9．正偏
10．小；大；单向导电性
11．0．7；0．5
12．小
13．单向导电性；最大整流电流；最高反相工作电压
14．高；低；薄
15．放大、饱和、截止
16．增大；增大
17．降低
18．发射结正偏、集电结反偏
19．正偏；正偏
20．饱和
21．A管 NPN、1-e,2-b,3-c；B管 PNP,1-c,2-b,3-e；C管 PNP，1-c，2-e，3-b
22．交流
23．电流；电流
24．A 放大；B 截止C 饱和
25．NPN ；PNP ；硅；锗；50；20
26．正弦交流
27．共射和共集；共射；共集
28．共基；共集
29．共射或共基；共集；共集；共基
30．B ；A ；C
31．饱和；高；减小
32．3
33．输入
34．信号源阻
35．阻容、变压器、直接
36．0．707
37．v o 滞后v i 135度；v o 滞后v i 225度
38．H L ωω-
39．100；100Hz ；100kHz
40．不变；增大；不变；不变；不变；不变；减小；基本不变；不变；减小
41．电场
42．电压控制电流型；一种载流子
43．可变电阻区、饱和区(放大区)、截止区
44．N ；耗尽型
45．增大；减小
46．耦合电容和旁路电容
47．电流源；差分放大；
48．ud
uc A A ；抑制共模信号
49．输入级、中间级、输出级、偏置电路
50．之差
51．抑制共模信号
52．放大；抑制
53．小
54．电压串联负反馈
55．电流并联
56．减小
57．a ；b ；b ；b ；a
58．c ；d ；b ；a
59．电流负反馈
60．电流；10
61．1AF =-；正反馈
62．交越
63．截止
64．180度；78.5%；2V CC
65．45度
66．放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节 67．3
68．AF=1；0A F ??+=
69．带阻；低通
70．1；1
71．变压、整流、滤波、稳压
72．+15V
73．小电流负载
74．采样；比较