半导体物理学基础知识_图文(精)
1半导体中的电子状态
1.2半导体中电子状态和能带
1.3半导体中电子的运动有效质量
1半导体中E与K的关系
2半导体中电子的平均速度
3半导体中电子的加速度
1.4半导体的导电机构空穴
1硅和锗的导带结构
对于硅，由公式讨论后可得：
I.磁感应沿【1 1 1】方向，当改变B（磁感应强度）时，只能观察到一个吸收峰
II.磁感应沿【1 1 0】方向，有两个吸收峰
III.磁感应沿【1 0 0】方向，有两个吸收峰
IV磁感应沿任意方向时，有三个吸收峰
2硅和锗的价带结构
重空穴比轻空穴有较强的各向异性。
2半导体中杂质和缺陷能级
缺陷分为点缺陷，线缺陷，面缺陷(层错等
1.替位式杂质间隙式杂质
2.施主杂质：能级为E(D,被施主杂质束缚的电子的能量状态比导带底E(C低ΔE(D,施主能级位于离导带底近的禁带中。
3. 受主杂质：能级为E(A,被受主杂质束缚的电子的能量状态比价带E(V高ΔE(A,受主能级位于离价带顶近的禁带中。
4.杂质的补偿作用
5.深能级杂质：
⑴非3，5族杂质在硅，锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，离价带顶也较远，称为深能级。
⑵这些深能级杂质能产生多次电离。
6.点缺陷：弗仑克耳缺陷：间隙原子和空位成对出现。
肖特基缺陷：只在晶体内部形成空位而无间隙原子。
空位表现出受主作用，间隙原子表现出施主作用。
3半导体中载流子的分布统计
电子从价带跃迁到导带，称为本征激发。
一、状态密度
状态密度g(E是在能带中能量E附近每单位间隔内的量子态数。
首先要知道量子态，每个量子态智能容纳一个电子。
导带底附近单位能量间隔内的量子态数目，随电子的能量按抛物线关系增大，即电子能量越高，状态密度越大。
二、费米能级和载流子的统计分布
在T=0K时，费米能级E(f可看作是量子态是否被电子占据的一个界限。
附图：
随着温度的升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，占据高于费米能级的量子态的概率上升。
2波尔兹曼分布函数
在E-E(f>>K(0T时，服从波尔兹曼分布（是费米能级的一种简化形式）。
附：导带中电子浓度公式空穴浓度公式
载流子浓度乘积，对于一定的半导体材料，只与温度有关。
三、本征半导体的载流子浓度
附：本征载流子浓度公式
一定的半导体材料，本征载流子浓度随温度升高；在同一温度，禁带宽度E(g 越大，本征载流子浓度就越小。
四、杂质半导体的载流子浓度
附：电离得施主浓度，受主浓度
可以看出，对于施主杂质，当费米能级远在施主能级下时，可以认为几乎都电离，反之可以认为几乎没有电离，当重合时，施主杂质有1/3电离，2/3没有电离。同理，费米能级在受主杂质能级之上时，完全电离，反之；
N型半导体的载流子浓度
附：电中性条件
各个温度的情况：
①低温弱电离区：大部分施主杂质能级被电子占据，只有少量的被激发，称为
弱电离。此时导带中的电子完全有电离施主杂质提供。
附低温弱电路区的费米能级表达式
低温弱电离区E(f与T的关系
②中间电离区
有1/3电离。
③强电离区
温度升高至大部分杂质都电离，当施主杂质全部电离时，电子浓度等于施主杂质浓度，载流子浓度与温度无关。载流子浓度保持等于这一浓度的温度范围称为饱和区。
④过渡区
半导体处于饱和区与完全本征激发之间。
⑤高温本征激发区
此时费米能级接近禁带中线，载流子浓度随温度升高而迅速升高。
附：电子浓度与温度曲线
六、简并半导体
附：简并的条件
简并是杂质没有充分电离。
4半导体导电性
一、载流子的漂移运动迁移率
迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度。
半导体的导电作用是电子和空穴到点作用之和。
附半导体导电率公式
二、载流子的散射
主要由于周期性势场的破坏。
①电离杂质散射：由于杂质电离之后带电…散射概率与杂质浓度成正比，与温
度成反比。
②晶格振动的散射
六、电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
I.电阻率和杂质浓度
随浓度增加而下降，但不是直线。因为：1 杂质在室温下不能完全电离2迁移率随浓度增加而显著下降。
II.电阻率随温度变化
AB段：温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由本征激发提供，随温度升高而升高，故电阻率下降。
BC段：杂质完全电离，本征激发不充分，晶格振动散射称为主要矛盾；
CD段：本征激发很快增加，本征载流子产生远远大于迁移率减小对电阻率的影响。附图
5非平衡载流子
一、用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法称为非平衡载流子的光注入。
光注入必然导致半导体导电率增大
二、非平衡载流子的复合率：在单位时间单位体积内净复合消失的电子空穴对数。
四、复合理论
复合过程分为两种：直接复合：电子在导带和价带之间的之间跃迁。
间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心（由杂质和缺陷提供））进行复合。
根据位置分为：体内复合表面复合
发出能量：发射光子发射声子：引起晶格振动能量赋予其他载流子（俄歇复合）
五、陷阱效应
杂质能级积累非平衡载流子的作用
把显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱，相应的杂质和缺陷称为陷阱中心。
虽然杂质俘获多数载流子的概率比俘获少数载流子的概率大得多，而且杂质
能级的位置也有利于陷阱作用，但是不能形成多数载流子陷阱，通常的都
少数载流子的陷阱作用。
杂质能级与平衡时费米能级重合时最有利于陷阱作用。对于再低的能级，平衡时被电子填满，不能形成陷阱。费米能级之上时，随E(f的升高，电子被激发到导带的概率迅速增加。因此，对于电子陷阱，费米能级之上，越接近E(f陷阱效应越显著。
电子落入陷阱后，基本上不能直接与空穴复合，需要先激发到导带，才能通过复合中性复合。因此陷阱大大增加了从非平衡态回复到平衡态的弛豫时间。
6P—-N结
一、pn结及其能带图
Pn结能带图附
解释:按照费米能级的意义，电子将从费米能级高的n区流向费米能级低的p区，空穴相反。由于pn结空间电荷区中存在内建电场的结果，随着从n区指向p区的内建电场不断增强，电子势能由n到p 不断升高，空穴势能有Ndao p不断降低。
从图中看出，电子要从势能低的n区到势能高的p区，必须克服这一势垒，故空间电荷区也叫势垒区。
二、Pn结的电流电压特性
①外加电压
外加正向偏压（即p区接电源正极，n负极），在势垒区产生了与内建电场相反的电场，减弱了势垒区中的电场强度，空间电荷相应减少。故势垒区的宽度减小，势垒高度下降。
势垒区电场减弱使得扩散大于漂移，在p区的边缘有少数的电子聚集，并扩散进入p区与空穴复合，这一区域称为扩散区。
外加反向电压，势垒区变宽，势垒高度增加。N和p区的少数载流子相当于被抽取，形成反偏电压下的电子扩散电流和空穴扩散电流。因为少子浓度低，而扩散长度基本不变，所以反偏时少子浓度梯度也低。当反偏电压很大时，边界处可认为少子浓度为零，此时少子浓度梯度不再随电压变化，扩散电流也不随电压变化。
三、pn结电容
势垒电容扩散电容
单边突变结的势垒宽度随轻掺杂一边的杂质浓度增大而下降，势垒区几乎在轻掺杂一侧，能带弯曲主要发生于这一区域。
四、pn结击穿
雪崩击穿隧道击穿（齐纳击穿）热点击穿
①雪崩击穿：反向偏压，由p区扩散到势垒区的电子电流和n区扩散到势垒区的空穴电流。
②隧道击穿：强电场下，大量电子从价带穿过禁带进入到导带所引起的击穿。
工程造价基础知识
造价基础知识 1.基本建设工程预算都有哪几种？ 按照国家规定；基本建设工程预算是随同建设程序分阶段进行的。由于各阶段的预算制基础和工作深度不同，基本建设工程预算可以人为两类，即：一是概算；二是预算。概算有可行性研究投资估算和初步设计概算两种，预算又有施工图设计预算和施工预算之分，基本建设工程预算是上述估算、概算和预算的总称。 2.什么叫工程项目？工程项目综合概、预算书都包括哪些内容？如果编制？ 工程项目又称单项工程，是指具有独立存在意义的一个完整工程，它由许多单位工程组成的综合体。 工程项目综合概、预算书是确定工程项目（如生产车间、独立公用事业或独立建筑物）全部建设费用文件。整个建设工程有多少工程项目，就应编到多少工程项目的综合概、预算书。 工程项目综合概、预算书包括的内容有建筑、安装工程费、设备购置费及其他费用。 上述各项费用是根据各单位工程概、预算书及其他工程和费用概算书汇编而成。如果一个建设项目只有一个单项工程，则汇编时，与这个单项工程有关的其他工程和费用，即可有直接汇入工程项目综合概、预算书。 3.什么是建设项目？建设项目总概预算书的作用是什么？如何编制？ 建设项目：一般指具有设计任务书和总体设计，经济上实行独立核算，行政上具有独立组织形式的基本建设单位，如：在工业建设中，一般以一个工厂为一个建设项目，在民用建设中，一般以一个学校，一个医院等为一个建设项目，一个建设项目中可以有几个单位工程。 建设项目总概、预算书是设计文件的重要组成部分，它是确定一个建设项目（工厂或学校等）从筹建到竣工验收过程的全部建设费用的文件。 建设项目总概、预算书是由各生产车间独立公用事业及独立建筑物的综合概、预算书，以及其它工程费用概、预算书汇编组成的。 4.基本建设工程造价由哪几部分费用组成？ 基本建设工程全部造价，由建筑工程费、设备购置费、安装工程、其他工程费用四个部分组成。 5.什么叫建筑、安装工程费？ 建筑及设备安装工程费，是建设项目中用于主要生产，辅助生产，生活福利建筑和类设备安装工程施工所需要的全部费用。它是建设项目总造价的重要组成部分。 6.什么叫建筑、安装工程概算定额？ 建筑、安装工程概算定额是国家或其授权机关规定完成一定计量单位的建筑中设备安装扩大结构或扩大分项工程所需要的人工、材料和施工机械台班耗量，以货币形式表示的标准。建筑安装工程概算指标是在建筑或设备安装工程概算定额的基础上，以主体项目为主，合并相关部分进行综合，扩大而成，因此，也叫扩大定额。 7.建筑、安装工程概算定额在工程建设中，都有哪些作用？ （1）建筑、安装工程概算定额是设计单位进行设计方案技术经济比较的依据，也是编制初步设计概算和修正概算的依据； （2）建筑、安装工程概算定额，也可作为建设、施工单位编制主要材料计划的依据。 8.什么叫可行性研究？研究的目的是什么？ 可行性研究是随着科学技术进步和经济管理科学发而逐步兴起，并日趋完善的综合性科学，所谓可行就是办任何事都有成功与不成功两种可能性，能成功者谓可和，不能成功者就不可行。可行性研究就是在行动以前，对要办的事进行调查其可行与不可行，即：可行则行，不可行则止。 基本建设可行性研究，是基本建设前期工作的重要内容，也是按基本建设程序办事的重要步骤，其目的就是要使建设项目决策正确，避免或减少因决策失误而造成投资浪费。
半导体物理学试题库完整
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）
半导体物理学练习题(刘恩科)
第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。 解：K状态电子的速度为： （1）同理，－K状态电子的速度则为： （2）从一维情况容易看出： （3）同理 有： （4） （5） 将式（3）（4）（5）代入式（2）后得： （6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成： 式中，a为晶格常数。试求： （1）能带的宽度； （2）能带底部和顶部电子的有效质量。 解：（1）由E(k)关 系 （1）
（2） 令得： 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极小值。 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极大值。 根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。 故：能带宽度 （3）能带底部和顶部电子的有效质量： 习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求： （1）能带宽度； （2）能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性？ 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11简述有效质量与能带结构的关系？ 12对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 13从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？ 17有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等？彼此有何联系？ 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰？ 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝ 0.97， ＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计： （1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径 解：（1）利用下式求得和。
半导体物理学(第7版)第三章习题和答案
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。 3 22 23 3*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c ）（） （单位体积内的量子态数） （) (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si ? 系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则：令） （关系为 ）（半导体的、证明： 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E ?? ? ? ）方向有四个， 锗在（旋转椭球，个方向，有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在
工程造价基础知识有哪些
工程造价基础知识有哪些 1.工程量 计算工程量时多是以体积、面积、长度、个数为计量单位的，这四种类型的计算公式在高中时就学到了。其它的计算规则是需要用专业书籍学习的。学习就是这样的，没有一下子就能学成的，最主要的是先要入门，再学会融汇贯通，就容易一点了，多看书看定额是有好处的。 来源：https://www.360docs.net/doc/0b12736250.html,/6875665.html 2.建设项、固定资产投资、基本预备费、国外建筑安装工程费用、动态投资 1、建设项目总投资包括固定资产投资(又叫工程造价)和流动资产投资(又叫流动资金)。 2、固定资产投资包括:设备工器具购置费(设备购置费、工器具及生产家具购置费)、建筑安装工程费(直接费、间接费、利润、税金)、工程建设其他费(土地使用费、与项目建设有关的费用、与未来企业生产经营有关的费用)、预备费(基本预备费、涨价预备费)、建设期贷款利息、固定资产投资方向调节税。 3、基本预备费=(设备工器具购置费+建筑安装工程费+工程建设其他费)*基本预备费率 4、固定资产投资方向调节税=(设备工器具购置费+建筑安装工程费+工程建设其他费+预备费)*费率。更新改造项目依实际完成的投资额为计税依据-按投资项目的单位工程年度计划投资预缴 5、静态投资包括:设备工器具购置费、建筑安装工程费、工程建设其他费、基本预备费 6、动态投资包括:涨价预备费、建设期贷款利息、固定资产投资方向调节税 7、流动资金=流动资产-流动负债 8、建筑安装工程税金是指应计入建筑安装工程费用的营业税、城乡维护建设税、教育费附加 9、世界银行工程造价构成:项目直接成本(土地征购费、场外设施费、场地费用、服务性建设费用)、项目间接成本(项目管理费、开工试车费、业主的行政费用、生产前费用、运费和保险费、地方税)、应急费(未明确项目的准备---肯定发生、不可预见准备金---不一定发生)建设成本上涨费 10、国外建筑安装工程费用的构成与我国大致相同，其中计算基本一致的是(直接费---而开办费、管理费、利润税金不同) 来源：https://www.360docs.net/doc/0b12736250.html,/35979.html 3.非标设备的原价、测定安装工程质量、人工费、材料预算价格、机械台班单价 1、非标设备的原价的计价方法一般有:成本估算法、系列设备插入估价法、分部组合估价法、定额估价法 2、非标设备的原价一般由以下几个部分:材料费+加工费+辅助材料费+专用工具费+废品损失费+外购配套件费+包装费+利润+税金(主要是指增值税=当期销项税额-当期进项税额)+非标设备设计费(其中外购配套件费不计取利润) 3、设备运杂费的构成:运费和装卸费+包装费+设备供销部门手续费+采购及仓库保管费 4、工器具及生产家具购置费=设备购置费*定额费率 5、为测定安装工程质量，对单台
工程造价基础知识_知识点汇总_!!!复习要点
1.单项选择题（共60题，每题1分。每题的备选项中，仅有1个最符合题意） 2.多项选择题（共20题，每题2分。每题的备选项中，有2个或2个以上符合题意，至 少有1个错项。错选，本题不得分；少选，所选的每个选项得0.5分） 选项有A、B、C、D、E共五项。 第一章建设工程造价管理相关法规与制度 §1.1 增建设工程造价管理相关法律法规 一.建筑法——《中华人民共和国建筑法》 1.建筑许可 1按照国务院规定的权限和程序批准开工报告的建筑工程，不再领取施工许可证； 2申请施工许可证应具备的条件： a)已办理建筑工程用地批准手续； b)在城市规划区里的建筑工程，已取得规划许可证； c)需要拆迁的，其拆迁进度符合施工要求； d)已经确定建筑施工单位； e)有满足施工需要的施工图纸及技术资料； f)有保证工程质量和安全的具体措施； g)建设资金已经落实； h)法律、行政法规规定的其他条件。 3施工许可证的有效期限：建设单位应自领取许可证之日起3个月内开工，延期以两次为限，每次不超过3个月。既不开工又不申请延期或延期超时的，许可证自动废止。 4在建工程因故中止施工的，建设单位应自中止施工之日起1个月内，向发证机关报告，并做好维护管理工作。 5批准开工的建筑工程因故不能按期开工超过6个月的，应重新办理开工报告批准手续。 2.建筑工程承发包 1联合承包：联合承包的各方对承包合同承担连带责任，并应按资质等级低的单位的业务许可范围承揽工程；将共同投标协议连同投标文件一并提交； 2除总承包合同已约定的分包外，须经建设单位认可； 3但禁止承包单位将其承包的全部建筑工程转包给他人，或将其承包的全部建筑工程肢解以后以分包的名义全部转包给他人；禁止分包单位将其承包的工程再分包；
半导体物理学题库20121229
1．固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。 2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半 导体称 N 型半导体。 3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载 流子将做 漂移 运动。 5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非 简并条件； 为弱简并条件； 简并条件。 6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指： ； 7．施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ， 在材料中形成 电中心； 8．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ，本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与 和 有关，而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？ 13．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不 变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 14．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 15． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 17．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。
半导体物理学第七版 完整课后题答案
第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)与价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1==π (1)禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064 30382324 30)(2320212102 2 20 202 02022210 1202==-==<-===-== >=+== =-+ηηηηηηηη因此：取极大值处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 3222* 83)2(1m dk E d m k k C nC ===η
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3)()()4(6 )3(25104300222* 11-===?=-=-=?=-==ηηηηη所以：准动量的定义： 2、 晶格常数为0、25nm 的一维晶格,当外加102V/m,107 V/m 的电场时,试分别计 算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=?η s a t s a t 13719282 1911027.810106.1) 0(1027.810106.1) 0(----?=??--= ??=??-- =?π πηη 补充题1 分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先 画出各晶面内原子的位置与分布图) Si 在(100),(110)与(111)面上的原子分布如图1所示: (a)(100)晶面 (b)(110)晶面
工程造价基础知识教材
工程造价基础知识教材 目录 1 工程造价相关法规与制度 工程造价管理及其基本内容 1.1.1 工程造价管理的概念 1.1.2 工程造价管理的内容 1.1.3 我国工程造价管理体制 1.1.4 工程造价管理的组织 造价员管理制度与造价工程师执业资格制度 1.2.1 造价员管理制度 1.2.2 造价工程师执业资格制度 工程造价咨询及其管理制度 工程造价管理相关法律、法规 1.4.1 概述 1.4.2 建筑法 1.4.3 其他相关法规 2 建设项目管理 项目管理的概念 2.1.1 项目的定义 2.1.2 项目的广义性 2.1.3 现代项目管理的特点 2.1.4 成功的项目管理 2.1.5 项目取得成功的前提 建设项目管理的概念、内容、程序 2.2.1 建设项目管理的概念与特点 2.2.2 建设项目分类 2.2.3 建设项目的组成 2.2.4 建设项目程序 2.2.5 建设项目管理的基本目标 2.2.6 建设项目管理的类型和任务 建设项目的成本管理内容、控制理论与方法 2.3.1 基本概念 2.3.2 积极的成本计划 2.3.3 项目成本计划的精度 2.3.4 成本计划的过程 2.3.5 成本计划的内容和表达方式 2.3.6 建设项目成本计划的编制 2.3.7 建设项目成本控制 建设项目风险管理的基本知识 2.4.1 风险和风险量的基本概念 2.4.2 建设项目的风险类型 2.4.3 风险管理的工作流程 3建设工程合同管理 3.1合同法律基本制度
3.1.1合同法的概述 3.1.2合同的订立 3.1.3合同的效力 3.1.4合同的履行 3.1.5合同的变更、转让 3.1.6合同的终止 3.1.7违约责任 3.1.8合同争议的解决 3.2建设工程合同类型及选择 3.2.1建设工程合同的类型 3.2.2建设工程施工合同类型的选择 3.3建设工程施工合同与造价咨询合同 3.3.1建设工程施工合同文本的主要条款 3.3.2建设工程造价咨询合同的主要条款 3.4建设工程分包合同 3.4.1分包合同的订立与履行 3.4.2分包合同的主要内容 4工程造价的构成 4.1我国建设工程造价的概念和构成 4.1.1建设工程项目投资的构成和工程造价的构成 4.1.2设备及工、器具购置费用的构成 4.2建筑安装工程费的构成 4.2.1我国现行建筑安装工程费用项目组成 4.2.2直接费 4.2.3间接费 4.2.4利润 4.2.5税金 4.3工程建设其他费用组成 4.3.1土地使用费 4.3.2与项目建设有关的其他费用 4.3.3与未来企业生产经营有关的其他费用 4.4预备费、建设期贷款利息、固定资产投资方向调节税4.4.1预备费 4.4.2建设期贷款利息 4.4.3固定资产投资方向调节税 5工程造价计价方法和依据 建设工程造价计价方法和特点 建设工程造价依据分类、作用与特点 5.2.1工程定额计价方法的性质 5.2.2工程定额的作用与特点 5.2.3建设工程的分类 人工、材料、机械台班定额消耗量的确定方法 5.3.1施工过程 5.3.2工作时间分类
半导体物理学 (第七版) 习题答案
半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0； 并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk
半导体物理学(刘恩科)第七版 完整课后题答案
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E c =0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求： 为电子惯性质量，nm a a k 314.0,1== π （1）禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值 处，所以又因为得价带： 取极小值处，所以：在又因为：得：由导带： 04 32 2 2*8 3)2(1 m dk E d m k k C nC ===
s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以：准动量的定义： 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别 计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19 282 1911027.810 10 6.1)0(102 7.810106.1) 0(----?=??-- =??=??-- = ?π π 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面
工程造价基础知识练习题及答案
基础知识辅导1 1．企业在竞争中处于强势地位，具有高收益与成长，应选择（）投资战略类型。 A．积极投资B．根据需要增加投资C．有选择的投资D．为维持增长率投资 答案： A 2．勘察设计费属于建设项目中的（）。 A．预备费B．建安工程费D．工程建设其他费用 答案： D 3．某项目中建筑安装工程费用为560万元，设备工器具购置费工为330万元，工程建设其他费用为133万元，基本预备费为102万元，涨价预备费55万元，建设期贷款利息为59万元（没有固定资产投资方向调节税），则静态投资为（）万元。 A．1023 B．1125 C．1180 D．1239 答案： B 【参考解析】：建设项目静态投资包括建筑工程安装费用，设备和工、器具购置费，工程建设其他费用，基本预备费。故只能选B. 4．某工程网络计划有三条独立的路线A-D．B-E．C-F，其中B-E为关键线路， TFA=TFD-2d，TFc=TFF=4d，承发包双方已签订施工合同，合同履行过程中，因业主原因使B工作延误4d，因施工方案原因使D工作延误8d，因不可抗力使D．E．F工作延误10d，则承包人就上述事件可向业主提出的工期索赔的总天数为（）。 A．42 B．24 C．14 D．4 答案： C 【参考解析】：此题为2004年度全国造价工程师执业资格考试试题。首先应做出判断：只有业主原因和不可抗力引起的延误才可以提出工期索赔。经过各个工序的延误可以发现，关键路线依然是B-E．一共延误了14d，所以工期索赔总天数为14D．5．某装修公司采购一批花岗石，运至施工现场，已知该花岗石出厂价为1000元/㎡由花岗石生产厂家业务员在施工现场推销并签订合同，包装费4元/㎡，运杂费30/㎡，当地供销部门手续费率为1%，当地造价管理部门规定材料采购及保管的费率为1%，该花岗石的预算价格为（）元/㎡. A．1054.44 B．1034 C．1054.68 D．1044.34 答案： A 【参考解析】：该题为2004年考题，虽然在206号文件中对材料费的构成有新的规定，但由于教材没有变动，所以在考试当中除第一章第三节按照206号文件考核之外，其余章节的内容均按照教材中的要求考核。此题依然适用教材中的公式2．5．1～2．5．10．材料原价=材料出厂价=1000元供销部门手续费=材料原价×1%=10（元）材料预算价格=（材料原价+供销部门手续费+包装费+运杂费）× （1+采购及保管费率）=（1000+10+ 4+30）× （1+1%）=1054．44（元/平方米） 6．某建设项目投产后的年销售收入为1．2亿元，与其同类的企业百元销售收入流动资金占用额为18．60元，则该项目的流动资金估算额为（）万元。 A．3600 B．2660 C．1860 D．2232 答案： D 7．采用工程竣工调价系数时，在（）基础上调整价差。 A．定额价格B．估算价格C．结算价格D．实际价格 答案： A 8．工人在夜间施工导致的施工降效费用应属于（）。
半导体物理学第七版完整答案修订版
半导体物理学第七版完 整答案修订版 IBMT standardization office【IBMT5AB-IBMT08-IBMT2C-ZZT18】
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k) 分别为： E C （K ）=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子 自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：t k h qE f ??== 得qE k t -?=? 补充题1 分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提 示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：
（a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面 （c ）(111)晶面 补充题2 一维晶体的电子能带可写为)2cos 81 cos 8 7()22ka ka ma k E +-= （， 式中a 为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢k 状态时的速度； （4）能带底部电子的有效质量* n m ； （5）能带顶部空穴的有效质量*p m 解：（1）由 0)(=dk k dE 得 a n k π = （n=0，?1，?2…） 进一步分析a n k π ) 12(+= ，E （k ）有极大值， a n k π 2=时，E （k ）有极小值
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案 半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关
6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大，变小 ; B、变小，变大; C、变小，变小; D、变大，变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为：( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载
半导体物理学第7版习题及答案
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块n 型硅样品，寿命是1us ，无光照时电阻率是10cm 。今用光照射该样品，光被半导体均 匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022cm -3s-1 ,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子 的贡献占多大比例？ 4. 一块半导体材料的寿命=10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后， s cm p U s cm p U p 31710 10010 313/10U 100,/10613 ==?= ====?-??-τ τμτ得：解：根据？求：已知：τ τ τ ττ g p g p dt p d g Ae t p g p dt p d L L t L =?∴=+?-∴=?+=?+?-=?∴-. 00 )2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。 解：均匀吸收，无浓度cm s pq nq q p q n pq np cm q p q n cm g n p g p p n p n p n p n L /06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101 :1010100 .19 16191600'000316622=+=???+???+=?+?++=+=Ω=+==?==?=?=+?-----μμμμμμσμμρττ光照后光照前光照达到稳定态后% 2606.38.006.3500106.1109. ,.. 32.0119 161 0' '==???=?∴?>?Ω==-σσ ρp u p p p p cm 的贡献主要是所以少子对电导的贡献献 少数载流子对电导的贡
工程造价基础知识知识汇总
工程造价基础知识知识汇总
工程造价基础知识知识汇总 问题1工程造价基础知识 回答：直接费就是定额计价，只包含人工费、材料费、机械费综合单价法就是清单计价，包含人工费、材料费、机械费、管理费、利润等直接费=人工费+材料费+机械费综合单价=直接费+取费工程造价=综合单价*工程量+税金；定额计价是按直接费进行取费，然后进行汇总工程造价的。清单计价是按清单工程量进行组价，包括利润、管理费的综合单价。 来源：https://www.360docs.net/doc/0b12736250.html,/6804200.html 问题2学习工程造价基础知识 回答：1.识图识图是学习的基础 2.房屋建筑学3.施工技术（非常重要） 4.造价概论和计量计价（这个主要是看书和算量，算量不难，难在识图和熟悉算量的规则） 5.熟悉定额（工作多了，自然就熟悉了） 6.软件（CAD和算量软件） 来源：https://www.360docs.net/doc/0b12736250.html,/1387782.html
问题3综合单价法即清单计价？ 回答：综合单价法就是清单计价，包含人工费、材料费、机械费、管理费、利润等 来源：https://www.360docs.net/doc/0b12736250.html,/7348639.html 问题4工程造价师需要什么基础知识 按照国家规定；基本建设工程预算是随同建设程序分阶段进行的。由于各阶段的预算制基础和工作深度不同，基本建设工程预算可以人为两类，即：一是概算；二是预算。概算有可行性研究投资估算和初步设计概算两种，预算又有施工图设计预算和施工预算之分，基本建设工程预算是上述估算、概算和预算的总称。 2.什么叫工程项
目？工程项目综合概、预算书都包括哪些内容？如果编制？工程项目又称单项工程，是指具有独立存在意义的一个完整工程，它由许多单位工程组成的综合体。工程项目综合概、预算书是确定工程项目（如生产车间、独立公用事业或独立建筑物）全部建设费用文件。整个建设工程有多少工程项目，就应编到多少工程项目的综合概、预算书。工程项目综合概、预算书包括的内容有建筑、安装工程费、设备购置费及其他费用。上述各项费用是根据各单位工程概、预算书及其他工程和费用概算书汇编而成。如果一个建设项目只有一个单项工程，则汇编时，与这个单项工程有关的其他工程和费用，即可有直接汇入工程项目综合概、预算书。 3.什么是建设项目？建设项目总概预算书的作用是什么？如何编制？建设项目：一般指具有设计任务书和总体设计，经济上实行独立核算，行政上具有独立组织形式的基本建设单位，如：在工业建设中，一般以一个工厂为一个建设项目，在民用建设中，一般以一个学校，一个医院等为一个建设项目，一个建设项目中可以有几个单位工程。建设项目总概、预算书是设计文件的重要组成部分，它是确定一
半导体物理学期末复习试题及答案一
一、半导体物理学期末复习试题及答案一 1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ）,施主杂质电离后向半 导体提供（ C ）,本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能 级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接
8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用, 若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ）,当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子 态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 （ A ）,CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
工程造价基础知识书籍有哪些
工程造价基础知识书籍有哪些 想从事造价工作首先应该做到认真、负责，有耐性，也要有一些必备的书籍。下面为您精心推荐了工程造价基础知识书籍，希望对您有所帮助。 工程造价知识书籍 1、《工程造价基础与相关知识》 2、《工程造价计价与计量》(分土建和安装) 该两本书是针对要考证时必须学习的教材，另外需要自己针对所学的专业在网上搜寻一些历年考试真题以供练习。 再有必不可少的就是工具书了，包括你们那边地方施行的预算定额(或消耗量定额)、工程量清单计价规范、费用定额等。此类是在考试时必须要使用的。 工程造价基础知识 基本建设工程预算都有哪几种? 按照国家规定;基本建设工程预算是随同建设程序分阶段进行的。由于各阶段的预算制基础和工作深度不同，基本建设工程预算可以人为两类，即：一是概算;二是预算。概算有可行性研究投资估算和初步设计概算两种，预算又有施工图设计预算和施工预算之分，基本建设工程预算是上述估算、概算和预算的总称。 什么叫工程项目?工程项目综合概、预算书都包括哪些内容?如果编制? 工程项目又称单项工程，是指具有独立存在意义的一个完整工程，它由许多单位工程组成的综合体。 工程项目综合概、预算书是确定工程项目(如生产车间、独立公用事业或独立建筑物)全部建设费用文件。整个建
设工程有多少工程项目，就应编到多少工程项目的综合概、预算书。 工程项目综合概、预算书包括的内容有建筑、安装工程费、设备购置费及其他费用。 上述各项费用是根据各单位工程概、预算书及其他工程和费用概算书汇编而成。如果一个建设项目只有一个单项工程，则汇编时，与这个单项工程有关的其他工程和费用，即可有直接汇入工程项目综合概、预算书。 什么是建设项目?建设项目总概预算书的作用是什么?如何编制? 建设项目：一般指具有设计任务书和总体设计，经济上实行独立核算，行政上具有独立组织形式的基本建设单位，如：在工业建设中，一般以一个工厂为一个建设项目，在民用建设中，一般以一个学校，一个医院等为一个建设项目，一个建设项目中可以有几个单位工程。 建设项目总概、预算书是设计文件的重要组成部分，它是确定一个建设项目(工厂或学校等)从筹建到竣工验收过程的全部建设费用的文件。 建设项目总概、预算书是由各生产车间独立公用事业及独立建筑物的综合概、预算书，以及其它工程费用概、预算书汇编组成的。 基本建设工程造价由哪几部分费用组成? 基本建设工程全部造价，由建筑工程费、设备购置费、安装工程、其他工程费用四个部分组成。 什么叫建筑、安装工程费? 建筑及设备安装工程费，是建设项目中用于主要生产，辅助生产，生活福利建筑和类设备安装工程施工所需要的全部