半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司

半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司
半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司

半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司

半导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件,一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制,因此半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。

半导体激光器工作原理是:

通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种:电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS(砷化镓)、InAS(砷化铟)、Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶(PbS、CdS、ZhO等)作为工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶(GaAS、InAs、InSb等)作为工作物质,以其它激光器发出的激光作光泵激励。

目前在半导体激光器件中,性能较好、应用较广的是:具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体激光器。

半导体激光器公司排名_半导体激光器公司有哪些?国内半导体激光器/组件生厂商(排名不计先后):国内做的很多,中科院半导体所、中航光电、nLight、BWT、西安炬光、北京海特、大族天成、大族锐波、江苏天元、武汉锐科、昆山华辰光电、深圳创鑫激光、苏州长光华芯光电技术有限公司、江苏华芯半导体、中科院苏州纳米所。下面介绍几家半导体激光器公司

半导体激光器公司——海特光电有限责任公司

海特光电有限责任公司是由中国节能环保集团公司和中国科学院半导体研究所在光电子器件国家工程研究中心的基础上合资组建的高新技术企业。公司成立于1999

年8月,注册资本金为1亿元人民币。

海特光电有限责任公司专著于半导体激光器器件和应用产品研发、生产和销售,作为国内半导体激光器市场最早的开拓者,拥有从器件结构设计-外延生长-管芯工艺-器件封装-光纤耦合等全系列完整的半导体激光器工艺与生产链,具有完全的自主研发和批量生产能力,是国内外享有盛誉的半导体激光器及应用产品的研发和制造商。

半导体激光器公司——北京凯普林光电科技有限公司

北京凯普林光电科技有限公司是坐落于中关村丰台科技园区内的一家高新技术企业。2003年3月注册成立。作为中国最具实力的半导体激光器件提供商,凯普林光电

经过9年的发展在半导体激光行业取得了骄人的成绩,产品线覆盖可见光到近红外波段,功率范围几毫瓦至百瓦,高集成度的半导体激光器件及系统,提供多种可选择的封装形式,可附加半导体制冷器、指示光、光敏探测器、光纤开关等功能,同时还能为用户定制特殊规格的激光器组件或提供OEM服务。

半导体激光器公司——北京吉泰基业科技有限公司

北京吉泰基业科技有限公司是一家集研发、生产和销售于一体的高技术公司。公司从事大功率激光二极管驱动源、泵浦腔及光纤耦合激光二极管的研发、生产和销售,现有产品分三大类。公司除了可提供标准产品外,还可以根据用户要求进行非标产品的研制和生产。公司依靠一支高水平的管理、研发、营销团队,不断为社会提供优质的产品和一流的服务。

半导体激光器公司——西安华科光电有限公司

西安华科光电有限公司主要从事工业级半导体激光器(包括绿光激光器、红光激光器、红外线激光器等)、激光标线仪、激光瞄具及激光仪器部件的设计、生产、销售及生产。仪器用高精度激光器年生产能力达到240余万支;仪器控制电路板年生产能力600余万块;激光仪器年生产能力40余万台;激光器专用光学玻璃透镜年生产能力500余万片。

半导体激光器公司——西安炬光科技有限公司

西安炬光科技有限公司是一家由数名归国留学人员团队、中国科学院西安光学精密机械研究所与国家发改委、财政部委托国投高科技有限公司共同投资的高科技企业,

专业从事高功率半导体激光器研发、技术咨询、技术转让、技术服务、生产、销售与应用。

炬光科技拥有高功率半导体激光器封装结构设计-封装工艺-测试表征-光学整形和耦合-系统集成完整的半导体激光器生产线,年产半导体激光器十万件,可为客户提供高功率、长寿命、大批量、OEM设计的不同功率、不同波段、不同封装形式的高功率半导体激光器及其系统,使公司成为了国内外享有盛誉的半导体激光器及应用产品的研发和制造厂商。

半导体激光器公司——西安欧益光电科技有限公司

西安欧益光电科技有限公司是一家从事红外激光应用与发展的专业高科技公司,公司位于西安市国家级经济技术开发区草滩生态产业园。公司拥有一支高效、专业的技术、生产、销售及管理团队,具有5年光电产品研发生产经验,致力于红外半导体激光器产品规模化生产及其在夜视照明领域的应用开发。西安欧益光电科技有限公司面向社会各行业提供全线高科技、高品质的红外半导体激光器产品,同时率先针对安防行业推出具有技术先进性的高品质激光红外灯产品。

半导体激光器公司——浙江合波光学科技有限公司

浙江合波光学科技有限公司(IOL)是一家致力于打造光电行业领先品牌,为工业激光、光通信、光传感和激光投影等产业提供专业激光模组解决方案的创新型高科技企业。公司主要产品有光纤激光器、全固态激光模组、光纤耦合激光模块,单纤双向器件、其他通讯用光电器件、模块等。公司自主研发生产的高稳定性绿光激光产品和光纤耦合激光产品已达国际一流水平。

半导体激光器公司——山东浪潮华光光电子股份有限公司

山东浪潮华光光电子股份有限公司(简称“浪潮华光”),成立于1999年,现由浪潮集团控股。

浪潮华光是国内最早引进生产型MOCVD设备,专业从事化合物半导体外延片及光电子器件研发与生产的高新技术企业。浪潮华光拥有完整的产业链,是国内同行业唯一同时具有全色域LED、民用LD外延材料制备、管芯生产、器件封装及应用产品一条龙生产技术的企业,是国内规模最大的激光二极管芯片生产企业,在国内光电子行业处于领先地位。主要产品有:半导体高亮度发光二极管(LED)和民用激光二极管(LD)外延片、芯片、器件和应用产品。

半导体激光器公司——中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所1956年筹建于北京,1962年迁至石家庄。经过五十多年的发展历程,它已由建所初期单一的半导体技术研究,发展成为覆盖整个微电子、光电子、MEMS及小整机系统研制开发的、规模较大的、拥有国家重点实验室的综合性半导体研究所。

激光器事业部是十三所从事半导体光电器件、光电模块及组件研制与生产最早的专业部。近几十年来,先后为多项国家重点工程提供配套元件及组件。我部拥有完整的半导体激光器生产线,包括3英寸圆片加工工艺、MOCVD外延设备、封装工艺线和全面检测设备,已形成从材料外延、半导体激光器芯片到各种封装形式的国产高功率半导体激光器系列产品。我部提供的产品和技术主要有:大功率半导体激光器、脉冲半导体激光器、大功率红外发光管、高功率光纤耦合模块、固体激光器模

块、光纤激光器等。目前,我部产品已应用于航空航天等国家重点工程领域,尤其是TO封装半导体激光器、半导体激光器泵浦模块、塑封脉冲半导体激光器等,已广泛应用于激光加工、激光医疗、激光测量及激光演示等领域。

半导体激光器公司——德国DILAS半导体激光有限公司

德国DILAS半导体激光有限公司是半导体激光器技术的领导者和规模最大的高功率半导体激光器公司。德国DILAS总部坐落于德国美因兹工业园区,距德国法兰克福机场西20公里。德国DILAS半导体激光有限公司在美国图森和中国南京建立了分公司,各分公司集研发、生产、销售和售后服务为一体。德国DILAS生产高功率半导体激光器器件和系统,功率高、寿命长、波长全、式样多。基于非常丰富的半导体激光应用经验,DILAS能够为客户提供光纤耦合,直接光束输出等全面的激光器解决方案。

半导体激光器公司——nLight Corporation

nLight Corporation于2000 年在美国成立,总部设在美国华盛顿州温哥华市,是世界领先的半导体激光器和光纤解决方案的提供商,通过技术创新和最佳制造工艺,推动高功率半导体激光器和光纤新的应用领域,通过优化组件和OEM子系统为工业、医疗、国防和消费电子类客户提供独有的竞争优势。具有从外延生长到封装的综合生产能力,能够为客户提供高功率、长寿命、大批量、EM 设计的不同功率、不同波段、不同封装形式的高功率半导体激光器及其系统。同时,nLight专有的DND技术可以为客户提供最先进的高掺杂光纤。

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2019年晶圆代工行业华虹半导体分析报告

2019年晶圆代工行业华虹半导体分析报告 2019年7月

目录 一、全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业 (5) 二、Fabless长期增长属性更强,下半年产业景气度上行压力仍存.. 9 1、Fabless长期增长属性更强,公司受产业周期影响相对较小 (9) 2、行业周期底部已过,然下半年产业景气度上行压力仍存 (12) 三、专注特色工艺,定位细分市场 (17) 1、嵌入式非易失性存储器:下游需求稳步增长 (18) (1)工艺不断改善,有望持续受益智能卡市场的稳步增长 (18) (2)MCU:持续受益物联网的应用以及汽车电动化与智能化的逐步渗透 (23) 2、功率分立器件:快速增长趋势有望继续保持 (33) 3、模拟与电源管理:汽车电子产品占比有望逐步提高 (41) 四、折旧与研发占比相对平稳,毛利率改善助推利润率稳步提升 . 45 1、Foundry市场格局:公司全球排名第十 (45) 2、收入(供给端):产能稳步增长,利用率处相对低点,ASP 逐季攀升 .. 46 3、收入(需求端-按制程):专注特色工艺,加权平均制程较高 (48) 4、收入(需求端-按下游应用):公司来源于消费电子的收入占比较高 (49) 5、收入(需求端-按地域):本土收入占比最高 (50) 6、盈利能力:折旧与研发占比相对平稳,毛利率改善助推利润率稳步提升 (52) 7、无锡项目有望于4Q量产,收入占比有望逐步提升 (55) 五、盈利预测 (56) 六、主要风险 (58)

1、中美贸易格局改变的风险 (58) 2、全球宏观经济不及预期的风险 (58) 3、公司无锡项目折旧政策的不确定性风险 (59) 4、无锡项目获得政府补助不及预期的风险 (59)

高功率半导体激光器

光机电信息 Sep.2008 钛蓝宝石激光器反射镜 新加坡EdmoundOptics公司拥有一系列用于超快激光系统的钛蓝宝石激光反射镜。钛蓝宝石激光反射镜可以使激光脉冲保持平坦的群速度色散曲线,中心波长为800nm,在700~900nm范围内曲线都可以保持平坦。 反射镜的直径在12.7~25.4mm之间,厚度为 6.35mm,表面质量为10-5,表面精度为1/10波长。 镜子的强度很高,对于脉冲长度为150fs的激光脉冲或100kW/cm2的连续激光,镜子可以承受高达 0.5J/cm2的激光能量。对于730~900nm波长的偏振 光s和p偏振光,反射镜都可以做到100%的有效反射。 这些反射镜加工精细,平行度优于5arcmin.,通光口径达到85%,直径公差为+0.0/-0.2mm,厚度公差为±0.2mm。入射光角度设计为45°,用于超快激光光束的转向。 www.edmoundoptics.com 高功率半导体激光器 德国LIMO公司发布了一种高功率半导体激光 器-LIMO50-L28x28-DL795-EX473。该激光器可以形成28mm×28mm×80mm的均匀光场,输出功率达到了50W,中心波长为794.8nm±0.2nm,波长稳定性极高,光谱宽度只有0.7nm。 该激光器可靠性高,经济实用。采用热电致冷或自来水冷却的方式。结构紧凑的激光头外形尺寸为445mm×110mm×66mm,非常适用于便携式测量仪器。 www.limo.de 平顶光束生成器 StockerYale公司的平顶光束生成器是一种光束 整形模块,它可以把高斯光束转化为聚焦、准直或发散成平顶能量分布的光束,即使经过较长距离也可以保持光束能量和强度的高度均匀。 StockerYale公司的平顶光束生成器适用于紫 外、可见光以及近红外波段的激光器,易于与 StockerYale公司的Lasiris或其它类型的激光器相集 成。 www.stockeryale.com 485nm皮秒脉冲二极管激光器 德国PicoQuant公司对外发布了其485nm波长的皮秒脉冲二极管激光头。该激光头可应用于生物 名企名品 AdvancedManufacturers&Products 64

2017年中国十大半导体公司排名

2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声,接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商,专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年,现为日月光集团成员之一,于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主,主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年,2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略,崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展,合作共赢之理念,先后被评定为国家重点高新技术企业,中国电子百强企业,集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位,中国驰名商标,中国出口产品质量示范企业等,拥有国内唯一的高密度集成电路国家工

程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司,是中国半导体第一大封装生产基地,国内著名的晶体管和集成电路制造商,产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技,在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月,2008年5月在深交所上市,主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件,虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售,目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来,歌尔保持高速成长,年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年,前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂,2004年完成股份制改造,2007年4月在深圳证券交易所上市,股票简称“中环股份”,代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业,公司注册资本482,829,608元,总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业,是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司,证券代码:600703)是具有国际影响力的全色系

大功率半导体激光器件最新发展现状分析

大功率半导体激光器件最新发展现状分析 1 引言 半导体激光器由于具有体积小、重量轻、效率高等众多优点,诞生伊始一直是激光领域的关注焦点,广泛应用于工业、军事、医疗、通信等众多领域。但是由于自身量子阱波导结构的限制,半导体激光器的输出光束质量与固体激光器、CO2激光器等传统激光器相比较差,阻碍了其应用领域的拓展。近年来,随着半导体材料外延生长技术、半导体激光波导结构优化技术、腔面钝化技术、高稳定性封装技术、高效散热技术的飞速发展,特别是在直接半导体激光工业加工应用以及大功率光纤激光器抽运需求的推动下,具有大功率、高光束质量的半导体激光器飞速发展,为获得高质量、高性能的直接半导体激光加工设备以及高性能大功率光纤激光抽运源提供了光源基础。 2 大功率半导体激光器件最新进展 作为半导体激光系统集成的基本单元,不同结构与种类的半导体激光器件的性能提升直接推动了半导体激光器系统的发展,其中最为主要的是半导体激光器件输出光束发散角的降低以及输出功率的不断增加。 2.1 大功率半导体激光器件远场发散角控制 根据光束质量的定义,以激光光束的光参数乘积(BPP)作为光束质量的衡量指标,激光光束的远场发散角与BPP成正比,因此半导体激光器高功率输出条件下远场发散角控制直接决定器件的光束质量。从整体上看,半导体激光器波导结构导致其远场光束严重不对称。快轴方向可认为是基模输出,光束质量好,但发散角大,快轴发散角的压缩可有效降低快轴准直镜的孔径要求。慢轴方向为多模输出,光束质量差,该方向发散角的减小直接提高器件光束质量,是高光束半导体激光器研究领域关注的焦点。 在快轴发散角控制方面,如何兼顾快轴发散角和电光效率的问题一直是该领域研究热点,尽管多家研究机构相续获得快轴发散角仅为3o,甚至1o的器件,但是基于功率、光电效率及制备成本考虑,短期内难以推广实用。2010年初,德国费迪南德-伯恩研究所(Ferdinand-Braun-Inst itu te)的P. Crump等通过采用大光腔、低限制因子的方法获得了30o快轴发散角(95%能量范围),光电转换效率为55%,基本达到实用化器件标准。而目前商用高功率半导体激光器件的快轴发散角也由原来的80o左右(95%能量范围)降低到50o以下,大幅度降低了对快轴准直镜的数值孔径要求。 在慢轴发散角控制方面,最近研究表明,除器件自身结构外,驱动电流密度与热效应共同影响半导体激光器慢轴发散角的大小,即长腔长单元器件的慢轴发散角最易控制,而在阵列器件中,随着填充因子的增大,发光单元之间热串扰的加剧会导致慢轴发散角的增大。2009年,瑞士Bookham公司制备获得的5 mm腔长,9XX nm波段10 W商用器件,成功将慢轴发散角(95%能量范围)由原来的10o~12o降低到7o左右;同年,德国Osram公司、美国相干公司制备阵列器件慢轴发散角(95%能量范围)也达7o水平。 2.2 半导体激光标准厘米阵列发展现状 标准厘米阵列是为了获得高功率输出而在慢轴方向尺度为1 cm的衬底上横向并联集成多个半导体激光单元器件而获得的半导体激光器件,长期以来一直是大功率半导体激光器中最常用的高功率器件形式。伴随着高质量、低缺陷半导体材料外延生长技术及腔面钝化技术的提高,现有CM Bar的腔长由原来的0.6~1.0 mm增大到2.0~5.0mm,使得CM Bar输出功率大幅度提高。2008年初,美国光谱物理公司Hanxuan Li等制备的5 mm腔长,填充因子为83%的半导体激光阵列,利用双面微通道热沉冷却,在中心波长分别为808 nm,940 nm,980 nm处获得800 W/bar,1010W/bar,950 W/bar的当前实验室最高CM Bar连续功率输出水平。此外,德国的JENOPTIK公司、瑞士的Oclaro公司等多家半导体激光供应商也相续制备获得千瓦级半导体激光阵列,其中Oclaro公司的J. Müller等更是明确指出,在现有技术

半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司

半导体激光器公司排名,国内半导体激光器公司 半导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件,一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制,因此半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检测仪器等领域得到了广泛的应用。 半导体激光器工作原理是: 通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种:电注入式、电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS(砷化镓)、InAS(砷化铟)、Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶(PbS、CdS、ZhO等)作为工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶(GaAS、InAs、InSb等)作为工作物质,以其它激光器发出的激光作光泵激励。

目前在半导体激光器件中,性能较好、应用较广的是:具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体激光器。 半导体激光器公司排名_半导体激光器公司有哪些?国内半导体激光器/组件生厂商(排名不计先后):国内做的很多,中科院半导体所、中航光电、nLight、BWT、西安炬光、北京海特、大族天成、大族锐波、江苏天元、武汉锐科、昆山华辰光电、深圳创鑫激光、苏州长光华芯光电技术有限公司、江苏华芯半导体、中科院苏州纳米所。下面介绍几家半导体激光器公司 半导体激光器公司——海特光电有限责任公司 海特光电有限责任公司是由中国节能环保集团公司和中国科学院半导体研究所在光电子器件国家工程研究中心的基础上合资组建的高新技术企业。公司成立于1999 年8月,注册资本金为1亿元人民币。 海特光电有限责任公司专著于半导体激光器器件和应用产品研发、生产和销售,作为国内半导体激光器市场最早的开拓者,拥有从器件结构设计-外延生长-管芯工艺-器件封装-光纤耦合等全系列完整的半导体激光器工艺与生产链,具有完全的自主研发和批量生产能力,是国内外享有盛誉的半导体激光器及应用产品的研发和制造商。 半导体激光器公司——北京凯普林光电科技有限公司 北京凯普林光电科技有限公司是坐落于中关村丰台科技园区内的一家高新技术企业。2003年3月注册成立。作为中国最具实力的半导体激光器件提供商,凯普林光电

晶圆代工厂排名

2010年全球十大晶圆代工厂 新公司是做晶圆代工的,作为新知识补充或者纪念新工作,就爱Top10特别整理了一下2010年全球十大晶圆代工厂,也算帮助大家了解一下高科技时代很重要的一个组成部分。 IC Inghts 2010年全球前十大晶圆代工排名出炉,台积电继续稳居第一,联电依然排行第二,合并特许半导体后的全球晶圆(Globalfoundries)挤入第三,但营收与联电才差4亿多美元,三星屈居第十。 IC Insights指出,三星多年以来一直希望成为晶圆代工领域的重要企业,虽然去年获得了苹果、高通和赛灵思等重要客户,仍仅位居全球第十大晶圆代工厂。但三星今年有新的晶圆厂计划,近期还传出三星将跨入模拟晶圆代工,未来三星排名仍有机会攀升。

以下是2010年的前十大晶圆代工具体排名: Top1 台积电,收入133.07亿美元,同比增长48% 台湾集成电路制造股份有限公司 (LSE:TMSD),简称台积电或台积,英文简写“TSMC”,为世界上最大的独立半导体晶圆代工企业,与联华电子并称“晶圆双雄”。本部以及主要营业皆设于台湾新竹市新竹科学工业园区。台积公司目前总产能已达全年430万片晶圆,其营收约占全球晶圆代工市场的百分之六十。 Top2 台联电,收入 39.65亿美元,同比增长41% UMC---联华电子公司,简称台联电。是世界著名的半导体承包制造商。该公司利用先进的工艺技术专为主要的半导体应用方案生产各种集成电路(IC)。联华电子拥有先进的承包生产技术,可以支持先进的片上系统(SOC)设计,其中包括0.13 微米 (micron)铜互连、嵌入式 DRAM、以及混合信号/RFCMOS。 Top3 Globalfoundries,收入35.1亿美元,同比增长219% GlobalFoundries是从美国AMD公司分拆出的半导体晶圆代工公司,成立于2009年3月2日,母公司分别为AMD及阿布达比的Advanced Technology Investment Company(ATIC),其中ATIC占公司股权65.8%,两公司均享有均等投票权。2010年1月13日,GlobalFoundries收购了新加坡特许半导体。 公司除会生产AMD产品外,也会为其它公司(如ARM、Broadcom、NVIDIA、高通公司、意法半导体、德州仪器等)担当晶圆代工。现时投产中的晶圆厂为德国德

半导体激光器的发展与运用

半导体激光器的发展与运用 0 引言激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子 阱 (单、多量子阱)等多种形式, 制作方法从扩散法发展到液相外延(LP日、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE 以及它们的各种结合型等多种工艺[5].半导体激光器的应用范围十分广泛,而且由于它的体积小,结构简单,输入能量低,寿命长,易于调制和价格低等优点, 使它已经成为当今光电子科学的核心技术,受到了世界各国的高度 重视。 1 半导体激光器的历史 半导体激光器又称激光二极管(LD)。随着半导体物理的发展,人们早在20 世纪50 年代就设想发明半导体激光器。 20 世纪60 年代初期的半导体激光器是同质结型激光器, 是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。在1962 年7 月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯(KeyeS和奎斯特(Quist、报告了砷化镓材料的光发射现象。 半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器,它是由两种不同带隙的半导体材料薄层,如GaAs,GaAIAs所组成的激光器。单异质结注人型激光器(SHLD,它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP 一N 结的P 区之内,以此来降低阀值电流密度的激光

器。 1970 年,人们又发明了激光波长为9 000? 在室温下连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼铝砷)激光器. 在半导体激光器件中,目前比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs 二极管激光器. 从20 世纪70 年代末开始, 半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器;另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下, 高功率半导体激光器(连续输出功率在100W 以上,脉冲输出功率在5W 以上, 均可称之谓高功率半导体激光器)在20 世纪90 年代取得了突破性进展,其标志是半导体激光器的输出功率显著增加,国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化,国内样品器件输出 已达到600W另外,还有高功率无铝激光器、红外半导体激光器和量子级联激光器等等。其中,可调谐半导体激光器是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长,可以很方便地对输出 光束进行调制。 20 世纪90 年代末,面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展。 目前,垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络,为了满足21 世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要,半导体激光器的发展趋势主要是向高速宽带LD大功率LD短波长LD盆子线和量子点激光器、中红外LD

半导体产业介绍

半导体整个生态链 主要分为:前端设计(design),后端制造(mfg)、封装测试(package),最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段,环环相扣,最终将芯片集成到产品里,销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类,一类是IDM (Integrated Design and Manufacture),包含设计、制造、封测全流程,如Intel、TI、Samsung这类公司;另外一类是Fabless,只负责设计,芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry,如华为海思、展讯、高通、MTK(台湾联发科)等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”,从承接客户需求开始,到规格、系统架构设计、方案设计,再到Coding、UT/IT/ST(软件测试UT:unit testing 单元测试IT: integration testing 集成测试ST:system testing 系统测试),提交网表(netlist或称连线表,是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式)做Floorplan,最终输出GDS(Graphics Dispaly System)交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同,负责前端设计的工程师要提前差不多半年,开始熟悉工艺库,尝试不同的Floorplan设计,才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”,拿到GDS以后,像台积电,就是Foundry 厂商,开始光刻流程,一层层mask光刻,最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”,台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die,外面没有任何包装。从晶圆图片,就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西,上面横七竖八的划了很多线,切出了很多小方块,那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的,需要外面加封装,用金线把芯片和PCB板连接起来,这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大,华为麒麟系列芯片一直与台积电合作,如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类: 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture):指不仅设计和销售微芯片,也运营自己的晶圆生产线。Intel,SAMSUNG(三星),东芝,ST(意法半导体),Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless:公司自己开发和销售半导体器件,但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如:Altera(FPL),爱特(FPL),博通(网路器件),CirrusLogicCrystal(音频,视频芯片),莱迪思(FPL),英伟达(FPL),

大功率半导体激光器的发展介绍

大功率半导体激光器的发展介绍 激光打标机、激光切割机、激光焊接机等等激光设备中激光器起着举足轻重的地位,在激光器的发展历程中,半导体激光器的发展尤为重要,材料加工用激光器主要要满足高功率和高光束质量,所以为了提高大功率半导体激光器的输出功率,可以将十几个或几十个单管激光器芯片集成封装、形成激光器巴条,将多个巴条堆叠起来可形成激光器二维叠阵,激光器叠阵的光功率可以达到千瓦级甚至更高。但是随着半导体激光器条数的增加,其光束质量将会下降。

另外,半导体激光器结构的特殊性决定了其快、慢轴光束质量不一致:快轴的光束质量接近衍射极限,而慢轴的光束质量却比较差,这使得半导体激光器在工业应用中受到了很大的限制。要实现高质量、宽范围的激光加工,激光器必须同时满足高功率和高光束质

量。因此,现在发达国家均将研究开发新型高功率、高光束质量的大功率半导体激光器作为一个重要研究方向,以满足要求更高激光功率密度的激光材料加工应用的需求。 大功率半导体激光器的关键技术包括半导体激光芯片外延生长技术、半导体激光芯片的封装和光学准直、激光光束整形技术和激光器集成技术。 (1)半导体激光芯片外延生长技术 大功率半导体激光器的发展与其外延芯片结构的研究设计紧密相关。近年来,美、德等国家在此方面投入巨大,并取得了重大进展,处于世界领先地位。首先,应变量子阱结构的采用,提高了大功率半导体激光器的光电性能,降低了器件的阈值电流密度,并扩展了GaAs基材料系的发射波长覆盖范围。其次,采用无铝有源区提高了激光芯片端面光学灾变损伤光功率密度,从而提高了器件的输出功率,并增加了器件的使用寿命。再者,采用宽波导大光腔结构增加了光束近场模式的尺寸,减小了输出光功率密度,从而增加了输出功率,并延长了器件寿命。目前,商品化的半导体激光芯片的电光转换效率已达到60%,实验室中的电光转换效率已超过70%,预计在不久的将来,半导体激光器芯片的电光转换效率能达到85%以上。 (2)半导体激光芯片的封装和光学准直 激光芯片的冷却和封装是制造大功率半导体激光器的重要环节,由于大功率半导体激光器的输出功率高、发光面积小,其工作时产生的热量密度很高,这对芯片的封装结构和工艺提出了更高要求。目前,国际上多采用铜热沉、主动冷却方式、硬钎焊技术来实现大功率半导体激光器阵列的封装,根据封装结构的不同,又可分为微通道热沉封装和传导热沉封装。

半导体激光器的最新进展及应用现状

半导体激光器的最新进展及应用现状 发表时间:2018-11-11T11:02:03.827Z 来源:《电力设备》2018年第18期作者:黄志焕[导读] 摘要:随着半导体技术的发展,半导体激光器所涉及的领域也在不断扩展,其应用领域的范围已覆盖光电子学的很多方面,半导体激光器已成为光电子学的核心器件之一。 (天津环鑫科技发展有限公司 300384) 摘要:随着半导体技术的发展,半导体激光器所涉及的领域也在不断扩展,其应用领域的范围已覆盖光电子学的很多方面,半导体激光器已成为光电子学的核心器件之一。由于半导体激光器具有体积小、寿命长、电光转换效率高、调制速度快、波长范围宽和易于集成等优点,在光互连、光通信、光存储等方面具有广泛的应用。 关键词:半导体激光器;最新进展;应用现状 1半导体激光器研究的意义半导体激光器的研究是我国光电技术研究的重要内容,是国家重点提出并且一直在努力寻求新的突破的领域。就当前半导体激光器研究的意义来看,对国家的发展具有重要的现实意义。与此同时,半导体激光器在各行各业的应用都十分广泛,并且呈现出以每年20%以上的增长速度,比如,军师领域的激光雷达、制导以及医疗、通讯、光盘等都开始应用半导体激光器。其涉及领域之广,扩展速度之快,应用价值之强,是被广泛认可的。近年来,随着信息科技的不断发展,人们对半导体激光器的性能要求越来越高,传统的半导体激光器在具体的实践应用当中已经表现出明显的不足之处。因此进行半导体激光器的研究,不短提升半导体激光器的现代化水平,具有重要的现实意义。 2半导体行业半导体器件是电子电路中必不可少的组成成分。半导体是人们为了生产生活需要,将两物质按照电学性质进行分类时确定的一个名称。它的导电性介于导体和绝缘体之间。半导体导电性能全是由其原子结构决定的。以元素半导体硅和锗为例,其原子序列分别是14和32,它们两个最外层电子数都是4。半导体具有自由电子和空穴两种载流子。而半导体的性质不同于导体和绝缘体,就是因为半导体拥有的载流子数目不同而载流子是能够运动的荷电粒子。电子和空穴都是载流子,它们相互运动即可产生电流。硅和锗是最为典型的元素半导体。 根据构成物质元素的不同,半导体可分为元素半导体和化合物导体,元素半导体由一种元素构成,化合物半导体由多种元素构成。而根据掺杂类型的不同,半导体可分为本征半导体、N型半导体和P型半导体;如果按照原子结构的排列规则不同,又可分为单晶半导体、多晶半导体和非晶态半导体。半导体行业具有技术密集、资金密集,高风险高回报和知识密集等特点。进入2010年以来,国家大力支持半导体行业的发展,2011年11月,国家税务总局和财政部联合发布了《关于退还集成电路企业采购设备增值税期末留纸税额》;2012年4月政府部门又发布了《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》;而于2014年,工信部又发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》。近几年,我国半导体行业发展速度超快,半导体产业逐渐呈现向大陆地区转移的新趋势,为我国各行业的发展带来设备国产化的发展机遇。而且政府政策大力支持半岛体行业的发展,大基金入场将会加速产业转型升级,成熟化发展。半导体具有掺杂特性、热敏性和光敏性三大特点。 3激光器顾名思义,激光器是一种能发射激光的装置。1954年,人们制成了第一台微波量子放大器;1958年A.L.肖洛和C.H.汤斯把微波量子放大器的原理推广到光频范围;1960年T.H.梅曼等人制成了第一台红宝石激光器;1961年A.贾文等人制成了第一台氦氖激光器。1962年R.N.霍耳等人制成了第一台半导体激光器;之后,激光器的种类就越来越多。一般而言,按工作介质分类,激光器可分为固体激光器、气体激光器、染料激光器和半导体激光器4大类。激光器的组成一般由3个重要部分构成,即工作物质、激励抽运系统、谐振腔。其中激光工作物质是一种激光增益的媒介,其原子或分子的能级差决定了激光的波长与频率。激光抽运系统是指为使激光器持续工作给予能量的源头,它实现并维持了工作物质的粒子数反转。光学谐振腔是激光生成的容器,有多种多样的设计方式是激光器设计的核心。 4激光器系统功能 4.1逻辑控制 系统通过操作面板实现逻辑控制,主要控制功能有3个。(1)内时钟工作:通过RS-422通信接口,向电源控制单元发射出光指令,工作频率可1-20Hz切换,同时通过LED反馈激光器工作状态。(2)外时钟工作:利用外部开关切换至外时钟,利用DSP外部中断接口检测外时钟。(3)自检功能:通过按压自检开关,触发激光器发射激光。 4.2高精度时序控制 激光器输出能量的大小和稳定性与激光电源的高精度时序是密不可分的,必须确保电源控制系统输出时钟的精度及稳定性。为实现μs级高精度控制逻辑,采用DSP控制芯片内置的PLL模块完成高精度时序控制,锁相环独有的负反馈和倍频技术可以提供高精度、稳定的频率,DSP 输入时钟30MHz,倍频到150MHz,时钟周期可达6.67ns。通过精确的技术方法,按照设计的延时产生所需的各路时钟,可以满足高精度的时序配置要求。 4.3恒流源驱动控制 激光器电源控制系统接收到激光发射的信号后,DSP输出12位数字信号,通过DAC1230芯片,将数字信号转换成相应的模拟参考电压信号。恒流源电路中的采样电阻R将通过泵浦模块的电流转换成相应的电压,经过F放大电路后,与参考电压进行比较,产生功率驱动信号,此信号控制功率管的开关。同时可通过DSP改变参考电压的大小,实现恒流源电流的调节。激光电源控制系统还可通RS-422通信接口,远程设置恒流源的电流和脉宽。 4.4温度控制系统 温度是影响激光器泵浦模块输出波长和泵浦效率的重要因素,故对泵浦模块进行控温是必不可少的。半导体激光器一般采用半导体热电致冷器进行控温,该制冷器具有无机械运动、无噪声、无污染、体积小、可靠性高、寿命长、制冷迅速、冷量调节范围宽及冷热转换快等特点。测温元件采用电流输出型温度传感器AD590,特点是工作直流电压较宽,一般为4-30V,输出电流为223μA(-50℃)-423μA(+150℃),灵敏度为1μA/℃。

目前中国大陆晶圆厂分布

目前中国大陆晶圆厂分布、产能及生产项目(8寸12寸,最全) Date: 2018-06-05 中国大陆正在成为全球半导体产业扩张宝地。继大陆最大晶圆代工厂中芯国际近一个月接连在上海、深圳建12寸厂后,晶圆代工厂联电16日也宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运。

从上表中可以看出,中芯国际扩张可谓明显。那么,中芯国际启动此次大幅扩张策略的信心来自哪里呢?首先,中芯国际是国内芯片制造业的领头羊。其次,中芯国际股价大幅上扬。再次,中芯国际2020年有望进入全球代工前三。最后,中芯国际的产能扩充效果明显。因此,现阶段对中芯国际而言,可能扩充产能是提高销售额的有效方法之一,销售额的提升将有利于中芯国际的折旧能力提高,可以使其负担更大的投资。” 台积电(TSMC)是晶圆代工产业的2015年销售业绩龙头,去年销售额达到了264亿美元;从12英寸计,目前台积电的月产能约是100万片,但是依然供不应求,产能相当吃紧。台积电在南京市建设的12寸生产线,产能规划为2万片/月,预计于2018年量产16纳米制程,但是理论上来说,这样的产能扩充,似乎还不能满足大陆客户日益增长的市场需求,据称后续产能可能会扩到4万片。 联电晶圆代工厂,于11月16日宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运(加入中国大陆现有12寸晶圆厂之列),这是首座两岸合资12寸晶圆厂。 英特尔、三星与SK 海力士大厂早已在中国插旗,并将主力放在存储产业。特别的是英特尔大连12 寸晶圆厂在2010 年完工当时,厂房规划用以生产65 纳米制程CPU ,但在产能利用率低落下,2015 年10 月英特尔宣布与大连市政府合作,投资55 亿美元转型生产3D-NANDFlash 并在今年7 月底重新宣告投产。中国本土厂商现有12 寸厂的为中芯国际与华力微,两者分别在上海都有厂房,中芯在北京还有B1、B2 两座晶圆厂,其中 B2 厂制程已至28纳米。 5月联电宣布与福建晋华集成电路签署技术合作协定,协助晋华集成开发DRAM 相关制程技术,在泉州市建立12 寸晶圆厂,从事利基型DRAM 代工,早在台积电之前,走“联电模式”在中国建厂的还有力晶,力晶与合肥市政府合作,成立晶合集成在当地打造12 寸晶圆厂,从事最高90 纳米面板驱动代工服务。 今年6月份GlobalFoundries公司与重庆政府签署了合作协议,联合建设一座12英寸晶圆厂,但是现在这个合作恐怕要黄了,GF公司只原意二手设备升级晶圆厂,但要占51%的股份,重庆政府认为他们的二手设备不值这么多,导致合作搁浅。 长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。 士兰集成作为国内第一条民营8寸线落户杭州下沙,淮安德科玛则是图像传感器芯片项目,将填补我国自主产权CIS的空白。

全球10大半导体厂商排名及简介

[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介 全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm) 1.美国英特尔(Intel)公司,以生产CPU芯片闻名于世! 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年,初期主要生产家用电子产品,如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场,逐渐发展成为全球五大电 子公司之一,产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由 于经济方面的原因,三星公司进行了大规模的战略重组。1978年,三星半 导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体,1983年起随着成功发展 了64K DRAM超大规模集成电路,从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品,逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产 品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城,是一家全球性的 半导体公司,是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商, 是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有:数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程 逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬,家喻户晓。在日本之外,东芝拥 有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络,仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员,他们遍及全球各地,从事着从科研到采购、生产、销售以及市 场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络,制造品种繁多的产品,包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式 计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体 能力的发展,推动着电子工业的进步;同时也提供了更多的就业机会,进 一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年,是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者,TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始,TSMC即持续提供客户最先进的技术;2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆,全年营 收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

半导体激光器的发展与应用

题目:半导体激光器的发展与应用学院:理 专业:光 姓名:刘

半导体激光器的发展与应用 摘要:激光技术自1960年面世以来便得到了飞速发展,作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷,这其中发展最为迅速,应用作为广泛的便是半导体激光器。半导体激光器的独特性能及优点,使其获得了广泛应用。本文就简要回顾半导体激光器的发展历程,着重介绍半导体激光器在日常生活与军用等各个领域中的应用。 关键词:激光技术、半导体激光器、军事应用、医学应用

引言 激光技术最早于1960年面世,是一种因刺激产生辐射而强化的光。激光被广泛应用是因为它具有单色性好、方向性强、亮度高等特性。激光技术的原理是:当光或电流的能量撞击某些晶体或原子等易受激发的物质,使其原子的电子达到受激发的高能量状态,当这些电子要回复到平静的低能量状态时,原子就会射出光子,以放出多余的能量;而接着,这些被放出的光子又会撞击其它原子,激发更多的原子产生光子,引发一连串的“连锁反应”,并且都朝同一个方前进,形成强烈而且集中朝向某个方向的光。这种光就叫做激光。激光几乎是一种单色光波,频率范围极窄,又可在一个狭小的方向内集中高能量,因此利用聚焦后的激光束可以对各种材料进行打孔。激光因为拥有这种特性,所以拥有广泛的应用。 激光技术的核心是激光器,世界上第一台激光器是1960年由T.H.梅曼等人制成的第红宝石激光器,激光器的种类很多,可按工作物质、激励方式、运转方式、工作波长等不同方法分类。但各种激光器的基本工作原理均相同,产生激光的必不可少的条件是粒子数反转和增益大过损耗,所以装置中必不可少的组成部分有激励(或抽运)源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。 半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明,使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器。在1962年7月美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯(Keyes)和奎斯特(Quist)报告了砷化镓材料的光发射现象,通用电气研究实验室工程师哈尔(Hall)与其他研究人员一道研制出世界上第一台半导体激光器。 半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器,由于物质结构上的差异,产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。自1962年世界上第一只半导体激光器是问世以来,经过几十年来的研究,半导体激光器得到了惊人的发展,它的波长从红外、红光到蓝绿光,被盖范围逐渐扩大,各项性能参数也有了很大的提高!半导体激光器具有体积小、效率高等优点,因此可广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。

2010年全球十大晶圆代工厂

2010年全球十大晶圆代工厂【就爱Top10-十大经典收藏】 发布:托普坦| 发布时间: 2011年2月12日 新公司是做晶圆代工的,作为新知识补充或者纪念新工作,就爱Top10特别整理了一下2010年全球十大晶圆代工厂,也算帮助大家了解一下高科技时代很重要的一个组成部分。 IC Inghts 2010年全球前十大晶圆代工排名出炉,台积电继续稳居第一,联电依然排行第二,合并特许半导体后的全球晶圆(Globalfoundries)挤入第三,但营收与联电才差4亿多美元,三星屈居第十。 IC Insights指出,三星多年以来一直希望成为晶圆代工领域的重要企业,虽然去年获得了苹果、高通和赛灵思等重要客户,仍仅位居全球第十大晶圆代工厂。但三星今年有新的晶圆厂计划,近期还传出三星将跨入模拟晶圆代工,未来三星排名仍有机会攀升。 以下是2010年的前十大晶圆代工具体排名: Top1 台积电,收入133.07亿美元,同比增长48% 台湾集成电路制造股份有限公司(LSE:TMSD),简称台积电或台积,英文简写“TSMC”,为世界上最大的独立半导体晶圆代工企业,与联华电子并称“晶圆双雄”。本部以及主要营业皆设于台湾新竹市新竹科学工业园区。台积公司目前总产能已达全年430万片晶圆,其营收约占全球晶圆代工市场的百分之六十。 Top2 台联电,收入39.65亿美元,同比增长41% UMC---联华电子公司,简称台联电。是世界著名的半导体承包制造商。该公司利用先进的工艺技术专为主要的半导体应用方案生产各种集成电路(IC)。联华电子拥有先进的承包生产技术,可以支持先进的片上系统(SOC)设计,其中包括0.13 微米(micron)铜互连、嵌入式DRAM、以及混合信号/RFCMOS。 Top3 Globalfoundries,收入35.1亿美元,同比增长219% GlobalFoundries是从美国AMD公司分拆出的半导体晶圆代工公司,成立于2009年3月2日,母公司分别为AMD及阿布达比的Advanced Technology Investment Company(ATIC),其中ATIC占公司股权65.8%,两公司均享有均等投票权。 2010年1月13日,GlobalFoundries收购了新加坡特许半导体。 公司除会生产AMD产品外,也会为其它公司(如ARM、Broadcom、NVIDIA、高通公司、意法半导体、德州仪器等)担当晶圆代工。现时投产中的晶圆厂为德国德累斯顿的一厂(Fab 1,即原AMD的Fab 36和Fab 38),而位于美国纽约州的二厂于2009年7月24日动工,预计于2012年投产。

半导体激光器的研究进展

半导体激光器的研究进展 摘要:本文主要述写了半导体激光器的发展历史和发展现状。以及对单晶光纤激光器进行了重点描述,因其在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,近年来成为新型固体激光源研究的热点。 一、引言。 激光是20 世纪以来继原子能、电子计算机、半导体之后人类的又一重大发明。半导体激光科学与技术以半导体激光器件为核心,涵盖研究光的受激辐射放大的规律、产生方法、器件技术、调控手段和应用技术,所需知识综合了几何光学、物理光学、半导体电子学、热力学等学科。 半导体激光历经五十余年发展,作为一个世界前沿的研究方向,伴随着国际科技进步突飞猛进的发展,也受益于各类关联技术、材料与工艺等的突破性进步。半导体激光的进步在国际范围内受到了高度的关注和重视,不仅在基础科学领域不断研究深化,科学技术水平不断提升,而且在应用领域上不断拓展和创新,应用技术和装备层出不穷,应用水平同样取得较大幅度的提升,在世界各国的国民经济发展中,特别是信息、工业、医疗和国防等领域得到了重要应用。 本文对半导体激光器的发展历史和现状进行了综述,同时因单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,本文也将对其做重点描述。 二、大功率半导体激光器的发展历程。 1962 年,美国科学家宣布成功研制出了第一代半导体激光器———GaAs同质结构注入型半导体激光器。由于该结构的激光器受激发射的阈值电流密度非常高,需要5 × 104~1 ×105 A /cm2,因此它只能在液氮制冷下才能以低频脉冲状态工作。从此开始,半导体激光器的研制与开发利用成为人们关注的焦点。1963 年,美国的Kroemer和前苏联科学院的Alferov 提出把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间,构成异质结构,以期在窄带隙半导体中产生高效率的辐射复合。随着异质结材料的生长工艺,如气相外延( VPE) 、液相外延( LPE) 等的发展,1967年,IMB 公司的Woodall 成功地利用LPE 在GaAs上生长了AlGaAs。在1968—1970 年期间,美国贝尔实验室的Panish,Hayashi 和Sμmski成功研究了AlGaAs /GaAs单异质结激光器,室温阈值电流密度为8.6 × 103 A /cm2,比同质结激光器降低了一个数量级。

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