半导体激光治疗仪应用注意事项

一、照射方式：

1、接触性照射：在皮肤没有破损的情况下，探头可以直接贴在皮肤上进行照

射。

2、非接触性照射：皮肤有破损的情况下，探头距离皮肤2-3cm进行照射。

3、照射时将衣服掀开，这样能够达到最佳治疗效果，尤其是深色衣服对光的

吸收很强。对皮肤色素深或有毛发的部位进行照射时，功率不宜过大。

4、照射时间：进行点状照射时，每点照射5分钟左右就可以，根据情况也可

延长至8-10分钟。进行面照射时，一般照射10-15分钟就可以。

5、照射功率：头颈部照射，输出功率一般在200-350mw之间;躯干及四肢部位

照射，复合头一般在450-500mw之间，单头一般在350-450mw之间，腔内照射一般在250-350mw。（结合病人的具体情况，功率做适当调整）

二、禁忌：

1、勿将激光探头直射眼睛。

2、勿照射孕妇腰腹部。

3、对光过敏及有出血性疾病者禁用。

4、月经期勿在盆腔部位照射。

5、新生儿、婴儿禁用。

6、结核病员禁用。

三、请保持机器表面整洁干净！！

南京亿高医疗设备有限公司

南京亿高售后服务部

半导体激光治疗仪调查报告

半导体激光治疗仪调查报告一、产品的基本情况 1.1医疗器械国内外基本情况医疗器械的发展对一个国家的医疗事业的发展有这至关重要的作用，现代医学对疾病的预防和治疗在很大程度上依赖于先进的医疗设备的诊断，在发达国家，医疗设备与器械产业和制药业的产值大体相当。而在我国，前者产值只是后者的1/5，这种比例的严重失调预示着医疗设备与器械产业在我国还有巨大的发展空间。医疗器械已经成为医药保健品类商品中第二大进出口商品。数据显示，2005年中国医疗器械出口继续快速增长，出口额高达36.79亿美元，同比增长32.48%；进口额为37.86亿美元，同比增长15.32%。医药卫生体制改革的深入和社区医院的发展需要购臵新的仪器和设备，中国医疗器械市场潜力巨大。在我国，由于庞大的消费群体和政府的积极支持，我国医疗器械市场发展空间极为广阔，主要表现在几个方面：①经济发展加速，人民生活水平提高，人口逐步老龄化，医疗服务需求升级，促进了医疗消费的增长和医疗器械的需求；②医院信息化引发了医疗器械需求增长；③国家政策变化带动医疗器械需求增长；④加入WTO后，我国医疗器械出口的外向度加大，加入国际市场的空间更为广阔；⑤医疗卫生事业的发展将促进医疗器械消费的增加，我国现有医疗机构总数达17.5万家，其中县级以上的医院只有1.3万家，医疗仪器设备的水

平较差，亟待提高，这给我国医疗器械产业提供了广阔的发展空间。福建医疗器械产业占全国比重较低，基础较为薄弱，但由于医疗器械的生产往往集中在沿海经济较为发达地区，福建的地理位臵优越，发展医疗器械产业难度较小。同时，福建在其中的医用器械产业有实力较强的企业存在，比如目前HIA聚集如锐珂、艾尔孚等医疗器械生产企业，具备一定基础，但HIA在医疗器械研发上基础薄弱，对该产业缺乏相应的行业规划与政策。 1.2半导体激光治疗仪基本情况本报告所调研的是半导体激光治疗仪，当然首先让我们了解一下什么是半导体激光治疗仪。要了解半导体激光治疗仪，首先我们就得从它的基本原理说起。激光是20世纪60年代初产生的一项重大技术，被视为20世纪四大发明之一（激光、半导体、原子能和计算机）。上世纪90年代初，俄罗斯首先将低强度激光应用于医学治疗，俄罗斯宇航员将激光能量导入仪带上太空作为辅助治疗和保健的一种重要工具，全世界医学界为之震惊，并将其称为“生命之光”。近年来，欧、美、日等国科学家已经将低强度激光疗法转移到民间，作为保健、医疗、抗衰老的重要推广项目，并得到各国激光医学应用协会的肯定，低强度激光疗法被称为“21世纪的绿色疗法”。1960年第一台红宝石激光器问世；1961年红宝石视网膜激光凝固机在眼科开始使用； 1963年激光手术开始应用于肿瘤； 1970年激光开始应用于治疗高血压等内科疾病； 1973年奥地利用激光代替针灸做实验； 1975年第一台激光

大功率半导体激光器件最新发展现状分析

大功率半导体激光器件最新发展现状分析 1 引言半导体激光器由于具有体积小、重量轻、效率高等众多优点，诞生伊始一直是激光领域的关注焦点，广泛应用于工业、军事、医疗、通信等众多领域。但是由于自身量子阱波导结构的限制，半导体激光器的输出光束质量与固体激光器、CO2激光器等传统激光器相比较差，阻碍了其应用领域的拓展。近年来，随着半导体材料外延生长技术、半导体激光波导结构优化技术、腔面钝化技术、高稳定性封装技术、高效散热技术的飞速发展，特别是在直接半导体激光工业加工应用以及大功率光纤激光器抽运需求的推动下，具有大功率、高光束质量的半导体激光器飞速发展，为获得高质量、高性能的直接半导体激光加工设备以及高性能大功率光纤激光抽运源提供了光源基础。 2 大功率半导体激光器件最新进展作为半导体激光系统集成的基本单元，不同结构与种类的半导体激光器件的性能提升直接推动了半导体激光器系统的发展，其中最为主要的是半导体激光器件输出光束发散角的降低以及输出功率的不断增加。 2.1 大功率半导体激光器件远场发散角控制根据光束质量的定义，以激光光束的光参数乘积（BPP）作为光束质量的衡量指标，激光光束的远场发散角与BPP成正比，因此半导体激光器高功率输出条件下远场发散角控制直接决定器件的光束质量。从整体上看，半导体激光器波导结构导致其远场光束严重不对称。快轴方向可认为是基模输出，光束质量好，但发散角大，快轴发散角的压缩可有效降低快轴准直镜的孔径要求。慢轴方向为多模输出，光束质量差，该方向发散角的减小直接提高器件光束质量，是高光束半导体激光器研究领域关注的焦点。在快轴发散角控制方面，如何兼顾快轴发散角和电光效率的问题一直是该领域研究热点，尽管多家研究机构相续获得快轴发散角仅为3o，甚至1o的器件，但是基于功率、光电效率及制备成本考虑，短期内难以推广实用。2010年初，德国费迪南德-伯恩研究所(Ferdinand-Braun-Inst itu te)的P. Crump等通过采用大光腔、低限制因子的方法获得了30o快轴发散角（95%能量范围），光电转换效率为55%，基本达到实用化器件标准。而目前商用高功率半导体激光器件的快轴发散角也由原来的80o左右（95%能量范围）降低到50o以下，大幅度降低了对快轴准直镜的数值孔径要求。在慢轴发散角控制方面，最近研究表明，除器件自身结构外，驱动电流密度与热效应共同影响半导体激光器慢轴发散角的大小，即长腔长单元器件的慢轴发散角最易控制，而在阵列器件中，随着填充因子的增大，发光单元之间热串扰的加剧会导致慢轴发散角的增大。2009年，瑞士Bookham公司制备获得的5 mm腔长，9XX nm波段10 W商用器件，成功将慢轴发散角（95%能量范围）由原来的10o～12o降低到7o左右；同年，德国Osram公司、美国相干公司制备阵列器件慢轴发散角（95%能量范围）也达7o水平。 2.2 半导体激光标准厘米阵列发展现状标准厘米阵列是为了获得高功率输出而在慢轴方向尺度为1 cm的衬底上横向并联集成多个半导体激光单元器件而获得的半导体激光器件，长期以来一直是大功率半导体激光器中最常用的高功率器件形式。伴随着高质量、低缺陷半导体材料外延生长技术及腔面钝化技术的提高，现有CM Bar的腔长由原来的0.6～1.0 mm增大到2.0～5.0mm，使得CM Bar输出功率大幅度提高。2008年初，美国光谱物理公司Hanxuan Li等制备的5 mm腔长，填充因子为83%的半导体激光阵列，利用双面微通道热沉冷却，在中心波长分别为808 nm，940 nm，980 nm处获得800 W/bar，1010W/bar，950 W/bar的当前实验室最高CM Bar连续功率输出水平。此外，德国的JENOPTIK公司、瑞士的Oclaro公司等多家半导体激光供应商也相续制备获得千瓦级半导体激光阵列，其中Oclaro公司的J. Müller等更是明确指出，在现有技术

半导体激光器的发展与运用

半导体激光器的发展与运用 0 引言激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱（单、多量子阱）等多种形式, 制作方法从扩散法发展到液相外延（LP日、气相外延（VPE）、分子束外延（MBE）、金属有机化合物气相淀积（MOCVD）、化学束外延（CBE 以及它们的各种结合型等多种工艺[5].半导体激光器的应用范围十分广泛，而且由于它的体积小，结构简单,输入能量低,寿命长,易于调制和价格低等优点, 使它已经成为当今光电子科学的核心技术,受到了世界各国的高度重视。 1 半导体激光器的历史半导体激光器又称激光二极管（LD）。随着半导体物理的发展,人们早在20 世纪50 年代就设想发明半导体激光器。 20 世纪60 年代初期的半导体激光器是同质结型激光器, 是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。在1962 年7 月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（KeyeS和奎斯特（Quist、报告了砷化镓材料的光发射现象。半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器,它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,GaAIAs所组成的激光器。单异质结注人型激光器（SHLD，它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP 一N 结的P 区之内,以此来降低阀值电流密度的激光

器。 1970 年,人们又发明了激光波长为9 000? 在室温下连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs（砷化稼一稼铝砷）激光器. 在半导体激光器件中,目前比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs 二极管激光器. 从20 世纪70 年代末开始, 半导体激光器明显向着两个方向发展,一类是以传递信息为目的的信息型激光器;另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下, 高功率半导体激光器（连续输出功率在100W 以上,脉冲输出功率在5W 以上, 均可称之谓高功率半导体激光器）在20 世纪90 年代取得了突破性进展,其标志是半导体激光器的输出功率显著增加,国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化,国内样品器件输出已达到600W另外，还有高功率无铝激光器、红外半导体激光器和量子级联激光器等等。其中,可调谐半导体激光器是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长,可以很方便地对输出光束进行调制。 20 世纪90 年代末,面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展。目前,垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络,为了满足21 世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要,半导体激光器的发展趋势主要是向高速宽带LD大功率LD短波长LD盆子线和量子点激光器、中红外LD

半导体激光器驱动电路设计(精)

第9卷第21期 2009年11月1671 1819(2009)21 6532 04 科学技术与工程 ScienceTechnologyandEngineering 2009 Sci Tech Engng 9 No 21 Nov.2009 Vol 通信技术半导体激光器驱动电路设计何成林 (中国空空导弹研究院,洛阳471009) 摘要半导体激光驱动电路是激光引信的重要组成部分。根据半导体激光器特点,指出设计驱动电路时应当注意的问题,并设计了一款低功耗、小体积的驱动电路。通过仿真和试验证明该电路能够满足设计需求,对类似电路设计有很好的借鉴作用。关键词激光引信半导体激光器窄脉冲中图法分类号 TN242; 文献标志码 A 激光引信大部分采用主动探测式引信,主要由发射系统和接收系统组成。发射系统产生一定频率和能量的激光向弹轴周围辐射红外激光能量,而接收系统接收处理探测目标漫反射返回的激光信号,而后通过信号处理系统,最终给出满足最佳引爆输出信号。由此可见,激光引信的探测识别性能很大程度上取决于激光发射系统的总体性能,即发射激光脉冲质量。而光脉冲质量取决于激光器脉冲驱动电路的质量。因此,半导体激光器驱动电路设计是激光引信探测中十分重要的关键技术。图1 驱动电路模型放电,从而达到驱动激光器的目的。由于激光引信为达到一定的探测性能,通常会要求激光脉冲脉宽窄,上升沿快,一般都是十几纳秒甚至几纳秒的时间。因此在选择开关器件时要求器件开关速度快。同时,由于激光器阈值电流、工作电流大 [1] 1 脉冲半导体激光器驱动电路模型分析激光器驱动电路一般由时序产生电路、激励脉冲产生电路、开关器件和充电元件几个部分组成,如图1。图1中,时序产生电路生成驱动所需时序信号,一般为周期信号。脉冲产生电路以时序信号为输入条件。根据其上升或下降沿生成能够打开开关器件的正激励脉冲或负激励脉冲。开关器件大体有三种选择:双极型高频大功率晶体管、晶体闸流管电路和场效应管。当激励脉冲到来时,开关器件导通,

半导体激光器的发展与应用

题目：半导体激光器的发展与应用学院：理专业：光姓名：刘

半导体激光器的发展与应用摘要：激光技术自1960年面世以来便得到了飞速发展，作为激光技术中最关键的器件激光器的种类层出不穷，这其中发展最为迅速，应用作为广泛的便是半导体激光器。半导体激光器的独特性能及优点，使其获得了广泛应用。本文就简要回顾半导体激光器的发展历程，着重介绍半导体激光器在日常生活与军用等各个领域中的应用。关键词：激光技术、半导体激光器、军事应用、医学应用

引言激光技术最早于1960年面世，是一种因刺激产生辐射而强化的光。激光被广泛应用是因为它具有单色性好、方向性强、亮度高等特性。激光技术的原理是：当光或电流的能量撞击某些晶体或原子等易受激发的物质，使其原子的电子达到受激发的高能量状态，当这些电子要回复到平静的低能量状态时，原子就会射出光子，以放出多余的能量；而接着，这些被放出的光子又会撞击其它原子，激发更多的原子产生光子，引发一连串的“连锁反应”，并且都朝同一个方前进，形成强烈而且集中朝向某个方向的光。这种光就叫做激光。激光几乎是一种单色光波，频率范围极窄，又可在一个狭小的方向内集中高能量，因此利用聚焦后的激光束可以对各种材料进行打孔。激光因为拥有这种特性，所以拥有广泛的应用。激光技术的核心是激光器，世界上第一台激光器是1960年由T.H.梅曼等人制成的第红宝石激光器，激光器的种类很多，可按工作物质、激励方式、运转方式、工作波长等不同方法分类。但各种激光器的基本工作原理均相同，产生激光的必不可少的条件是粒子数反转和增益大过损耗，所以装置中必不可少的组成部分有激励（或抽运）源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器。在1962年7月美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）与其他研究人员一道研制出世界上第一台半导体激光器。半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特殊。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。自1962年世界上第一只半导体激光器是问世以来，经过几十年来的研究，半导体激光器得到了惊人的发展，它的波长从红外、红光到蓝绿光，被盖范围逐渐扩大，各项性能参数也有了很大的提高！半导体激光器具有体积小、效率高等优点，因此可广泛应用于激光通信、印刷制版、光信息处理等方面。

系列表式半导体激光治疗仪使用说明

Registration Certificate No.: Su Shi Yao Jian Xie (Zhun) Zi 2007 No. 2240695 HA系列表式半导体激光治疗仪（商品名：HA系列激光心脑血管治疗仪）使用说明书 ★目录★ 注意事项产品概述适用范围主要技术参数产品构成显示屏参数设置调整范围调整时间自动激光输出设置手动激光输出设置标记说明使用方法日常维护和安全注意事项存储及运输条件产品清单特别提示为了使您能正确安全有效地使用本产品，在使用前请详细阅读本说明书。 ★注意事项★ HA表式激光心脑血管治疗仪（以后简称治疗仪）属3A类激光产品，在使用本产品之前请仔细阅读说明书，了解产品的使用功能及禁忌症，确保安全有效使用。 1、绝对禁止激光器直射眼睛，激光对视网膜的刺激会对眼睛造成伤害。 2、本产品可能会干扰心脏起博器的正常工作，装有心脏起博器的人群不宜使用。 3、光敏感和体质虚弱人群，应采用小功率并缩短使用时间，每次不超过15分钟，每天早晚两次为宜。 4、下列情形严禁使用：妊娠、癌症，患有出血性疾病者。 ★产品概述★ HA系列表式半导体激光治疗仪采用波长650nm的低强度弱激光通过桡动脉照射血液，使血液动力学和血脂、血糖代谢得到改善，从而提高红细胞的携氧能力和变形能力，降低血液粘稠度，降低血脂，降低血糖，调节血压，达到治疗“三高”症及心脑血管疾病的目的。 ★适用范围★ ★适用于高脂血症、高粘血症、高血压、糖尿病。 ★有高脂血症、高粘血症引起的冠心病、脑梗塞康复期等心脑血管疾病的辅助治疗。 ★主要技术参数★ 激光波长650nm

大功率半导体激光器驱动器的研究与设计

收稿日期:2003-03-18. 基金项目:教育部高等学校骨干教师资助计划项目(教技司2000962号)1 光电器件大功率半导体激光器驱动器的研究与设计邓　军,单江东,张　娜,田小建 (吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130023) 摘　要:　介绍了大功率半导体激光器恒流源的设计方法。该恒流源采用功率M OSFET 作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流。实际应用表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到1×10-5。关键词:　半导体激光器;恒流源;驱动电路;功率M OSFET 中图分类号:　T N245　文献标识码:　A 文章编号:　1001-5868(2003)05-0319-02 R esearch and Design of H igh 2pow er Semiconductor Laser Diode Driver DE NGJun ,SH AN Jiang 2dong ,ZH ANG Na ,TI AN X iao 2jian (School of E lectronic Science and E ngineering ,Jilin U niversity ,Ch angchun 130023,CHN ) Abstract :　The design of constant 2current supply power for a high 2power semiconductor laser diode is desribed.This constant 2current power supply uses a power M OSFET as the current control device ,and which uses the principle of negative feedback to adjust and stabilize the output current.The practical application indicates that the constant 2current power supply is safe and reliable to the laser diode ,with the short term stability of output current up to 1×10-5. K ey w ords :　semiconductor laser diode ;constant 2current power supply ;drive circuit ;power M OSFET 1　引言半导体激光器不仅具有一般激光器高单色性、高相干性、高方向性和准直性的特点,还具有尺寸小、重量轻、低电压驱动、直接调制等优良特性,因而被越来越广泛地用于国防、科研、医疗、光通信等领域。然而,由于半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件,对于电冲击的承受能力很差,微小的电流将导致光功率输出的极大变化和器件参数(如激射波长,噪声性能,模式跳动)的变化,这些变化直接危及器件的安全使用,因而在实际应用中对驱动电源的性能和安全保护有着很高的要求[1]。我们在恒流源的设计过程中,着重考虑了对激光器进行安全有效的保护,如限流问题,防止浪涌冲击问题,延时软启动问题等[2]。 2　驱动器的系统组成与工作原理恒流源的系统组成框图如图1所示,整体设计方案采用深度负反馈控制原理,直接提供驱动电流电平的有效控制,由此获得最低的电流偏差和最高的激光器输出稳定性[3] 。图1　系统方框图整个恒流源由电压基准电路、电压电流转换电路、保护电路、末级电路和显示电路组成。在这里,我们采用2.5V 的电压基准,该电压基准产生一个稳定的基准电压,并经过适当地放大后送入运放的《半导体光电》2003年第24卷第5期邓　军等:　大功率半导体激光器驱动器的研究与设计

半导体激光器的发展及其应用

浅谈半导体激光器及其应用摘要：近十几年来半导体激光器发展迅速,已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的一些特点，使得它目前在各个领域中应用非常广泛，受到世界各国的高度重视。本文简述了半导体激光器的概念及其工作原理和发展历史,介绍了半导体激光器的重要特征,列出了半导体激光器当前的各种应用,对半导体激光器的发展趋势进行了预测。关键词：半导体激光器、激光媒质、载流子、单异质结、pn结。自1962年世界上第一台半导体激光器发明问世以来,半导体激光器发生了巨大的变化,极大地推动了其他科学技术的发展,被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一。近十几年来,半导体激光器的发展更为迅速,已成为世界上发展最快的一门激光技术。半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域,已成为当今光电子科学的核心技术。由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制以及价格较低廉等优点,使得它目前在光电子领域中应用非常广泛,已受到世界各国的高度重视。一、半导体激光器半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的Pn 结或Pin 结为工作物质的一种小型化激光器。半导体激光工作物质有几十种,目前已制成激光器的半导体材料有砷化镓、砷化铟、锑化铟、硫化镉、碲化镉、硒化铅、碲化铅、铝镓砷、铟磷砷等。半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式、光泵式和高能电子束激励式。绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入,即给Pn 结加正向电压,以使在结平面区域产生受激发射,也就是说是个正向偏置的二极管。因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。对半导体来说,由于电子是在各能带之间进行跃迁,而不是在分立的能级之间跃迁,所以跃迁能量不是个确定值, 这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上。它们所发出的波长在0.3～34μm之间。其波长范围决定于所用材料的能带间隙,最常见的是AlGaAs双异质结激光器,其输出波长为750～890nm。半导体激光器制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE), 气相外延法(VPE),分子束外延法(MBE),MOCVD 方法(金属有机化合物汽相淀积),化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺。半导体激光器最大的缺点是:激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差。但随着科学技术的迅速发展, 半导体激光器的研究正向纵深方向推进,半导体激光器的性能在不断地提高。以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展, 发挥更大的作用。二、半导体激光器的工作原理半导体激光器是一种相干辐射光源,要使它能产生激光,必须具备三个基本条件: 1、增益条件:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布,在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带,因此在半导体中要实现粒子数反转,必须在两个能带区域之间,处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多,这靠给同质结或异质结加正向偏压,向有源层内注入必要的载流子来实现, 将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。 2、要实际获得相干受激辐射,必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡,激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的,通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜,而出光面镀上减反膜。对F—p 腔(法布里—珀罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与p-n结平面相垂直的自然解理面构成F-p腔。 3、为了形成稳定振荡,激光媒质必须能提供足够大的增益,以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔

半导体激光综合治疗仪操作规程

Surgilas半导体激光综合治疗仪操作规程 ■环境要求半导体激光综合治疗仪的供电电源应带有可靠接地线的三眼插座。电源电压要求220V，50HZ。使用环境中应避免强光照射。 ■操作步骤 1）使用前的准备：将总电源线连接到电源插座上，连接好光纤和手柄，接好远程安全联锁开关，准备好激光安全防护眼镜； 2）将钥匙开关旋至“ON”位置，电源指示灯亮，系统风扇运转，液晶屏点亮，并出现“SurgiLas”字样，系统自检完毕后进入主界面，机器处于待机状态； 3）当系统启动后处于“待机”状态时，待机按钮显示为黄色，此时激光器电源系统关闭，脚踏开关不能控制。在待机状态下，可以点击“设置”按钮，进入参数设置菜单，参数设定后按确认键回到主界面； 4）点击“准备”按钮，准备按钮的颜色变为绿色，同时发出“嘀”的一声警告，激光器进入操作状态，使用脚踏开关即能够控制激光器的发射； 5）激光器在操作状态下“打印”按钮被激活。治疗结束后点击“打印”按钮，打印机立刻打印出治疗的基本参数。屏幕弹出打印完毕后点击“关闭”，窗口关闭，系统会自动切换到待机状态； 6）使用完毕后将钥匙开关旋至“OFF”位置。最后断开光纤和电源。

■常见问题及排除 1）开机无反应：查看电源连接情况；查看安全开关是否被按下。 2）激光无输出：查看光纤连接状况与光纤性能状况。 3）问题无法立即排除的，联系设备科进行维修。 ■注意事项与使用禁忌 1）如果不选择“打印”而直接回到“待机”状态，将会使当前操作结果清零，以后不能再打印出来。 2）光纤严禁弯折。 3）禁止采用光学仪器直接观察激光束，禁止将激光束对着人眼睛启动输出。 4）请勿在心脏和孕妇腹部使用。 5）严禁癌症患者使用。 6）佩戴心脏起搏器者严禁使用。 ■日常维护保养 1）使用完毕后，应将光纤、手柄等清洗干净，消毒后备用。 2）激光治疗仪、光纤、手柄、脚踏及所有附件应保持清洁干燥，置于手术间固定的位置。做好使用登记工作。 3）激光治疗仪应由专业人员定期检查和维护，以保证其性能参数始终符合国家标准。

半导体激光器驱动电源的控制系统

半导体激光器驱动电源的控制系统使用单片机对激光器驱动电源的程序化控制，不仅能够有效地实现上述功能，而且可提高整机的自动化程度。同时为激光器驱动电源性能的提高和扩展提供了有利条件。 1 总体结构框图本系统原理，主要实现电流源驱动及保护、光功率反馈控制、恒温控制、错误报警及键盘显示等功能，整个系统由单片机控制。本系统中选用了C8051F单片机。C8051F单片机是完全集成的混合信号系统级芯片(SOC)，他在一个芯片内集成了构成一个单片机数据采集或控制系统所需要的几乎所有模拟和数字外设及其他功能部件，如本系统中用到的ADC和DAC。这些外设部件的高度集成为设计小体积、低功耗、高可靠性、高性能的单片机应用系统提供了方便，也大大降低了系统的成本。光功率及温度采样模拟信号经放大后由单片机内部A/D 转换为数字信号，进行运算处理，反馈控制信号经内部D/A转换后再分别送往激光器电流源电路和温控电路，形成光功率和温度的闭环控制。光功率设定从键盘输入，并由LED数码管显示激光功率和电流等数据。 2 半导体激光器电源控制系统设计目前，凡是高精密的恒流源，大多数都使用了集成运算放大器。其基本原理是通过负反作用，使加到比较放大器两个输入端的电压相等，从而保持输出电流恒定。并且影响恒流源输出电流稳定性的因素可归纳为两部分：一是构成恒流源的内部因素，包括：基准电压、采样电阻、放大器增益(包括调整环节)、零点漂移和噪声电压;二是恒流源所处的外部因素，包括：输入电源电压、负载电阻和环境温度的变化。 2.1 慢启动电路半导体激光器往往会因为接在同一电网上的多种电器的突然开启或者关闭而受到损坏，这主要是由于开关的闭合和开启的瞬间会产生一个很大的冲击电流，就是该电流致使半导体激光器损坏，介于这种情况，必须加以克服。因此，驱动电源的输入应该设计成慢启动电路，以防损坏，：左边输入端接稳压后的直流电压，右边为输出端。整个电路的结构可看作是在射级输出器上添加了两个Ⅱ型滤波网络，分别由L1，C1，C2和L2，C6，C7组成。电容C5构成的C型滤波网络及一个时间延迟网络。慢启动输入电压V在开关和闭合的瞬间产生大量的高频成分，经过图中的两个Ⅱ型网络滤出大部分的高频分量，直流以及低频分量则可以顺利地经过。到达电阻R和C组成的时间延迟网络，C2和C4并联是为了减少电解电容对高频分量的电感效应。 2.2 恒流源电路的设计为了使半导体激光器稳定工作，对流过激光器的电流要求非常严格，供电电路必须是低噪声的稳定恒流源驱动，具体电路。使用单片机对激光器驱动电源的程序化控制，不仅能够有效地实现上述功能，而且可提高整机的自动化程度。同时为激光器驱动电源性能的提高和扩展提供了有利条件。 1 总体结构框图本系统原理，主要实现电流源驱动及保护、光功率反馈控制、恒温控制、错误报警及键盘显示等功能，整个系统由单片机控制。本系统中选用了C8051F单片机。C8051F单片机是完全集成的混合信号系统级芯片(SOC)，他在一个芯片内集成了构成一个单片机数据采集或控制系统所需要的几乎所有模拟和数字外设及其他功能部件，如本系统中用到的ADC和DAC。

益脉迪半导体激光治疗仪

益脉迪半导体激光治疗仪—百科名片益脉迪半导体激光治疗仪是一款通过国家食品药品监督管理局湖北医疗器械质量监督检验中心的检验、正式获得准字号批文的二类医疗器械。它是根据现代激光医学及临床实践而研制开发的家用型便携式激光治疗仪。首创实现了腕部桡动脉、内关穴、大陵穴、神门穴和鼻腔等多个部位同时照射，使得疗效更确切，使用更方便、更人性化。经多家医院临床试验，已取得良好的治疗效果。益脉迪半导体激光治疗仪由国家级“高新技术企业”武汉海纳川科技有限公司（同行业国家首个国家级“高新技术企业”）荣誉研发出品。产品通过了ROHS认证、欧盟CE认证，出口销售证书号：2012第028号。医疗技术概述激光是20世纪60年代初产生的一项重大技术，被视为20世纪四大发明之一（激光、半导体、原子能和计算机）。上世纪90年代初，俄罗斯首先将低强度激光应用于医学治疗，俄罗斯宇航员将激光能量导入仪带上太空作为辅助治疗和保健的一种重要工具，全世界医学界为之震惊，并将其称为“生命之光”。近年来，欧、美、日等国科学家已经将低强度激光疗法转移到民间，作为保健、医疗、抗衰老的重要推广项目，并得到各国激光医学应用协会的肯定，低强度激光疗法被称为“21世纪的绿色疗法”。激光活血首先，半导体激光照射能够调节血液中某些酶的活性，促进ATP的生成，一方面可以保证红细胞有足够能量以维持其框架结构和变形能力，另一方面可以抑制血小板聚集和纤维蛋白原的搭桥作用，降低血液粘度，大大改善血液流变学指标，使得人体血液循环趋于顺畅。其次，由于红细胞变形能力增强，变形表面积增加，与氧结合能力加强，使得血液中溶解氧和结合氧均大为增加，血氧饱和度和氧分压大大提高，携带丰富氧气的血液经过循环，可以迅速改善肌体细胞缺血缺氧状况，有利于心脑血管健康。

半导体激光治疗仪(精)

半导体激光治疗仪半导体激光治疗仪采用波长为650nm的低强度激光照射鼻腔，通过光化学效应，使血液动力学和血脂、血糖代谢得到改善，从而提高红细胞的携氧能力和变形能力，降低血液黏稠度，降低血脂、降低血压，改善血糖，达到治疗"三高"症及心脑血管疾病的目的。同样，通过鼻腔照射时，还可同时对急性鼻炎、慢性鼻炎、鼻窦炎等起到良好的治疗效果。该治疗仪的最大特点是，使用安全可靠，操作简便易学，疗效显著，而且对人体是一种无创、无副作用的绿色疗法。不仅适用于医疗单位，也是普通家庭理想的家用理疗保健仪器。一、基本内容半导体激光治疗仪的低强度激光照射血液可以引发人体一系列的生化反应，通过活血和净血两方面作用改善和恢复血液的生理功能。 1、激光活血首先，激光照射能够调节血液中某些酶的活性，促进ATP的生成，一方面可以保证红细胞有足够能量以维持其框架结构和变形能力，另一方面可以抑制血小板聚集和纤维蛋白原的搭桥作用，降低血液粘度，大大改善血液流变学指标，使得人体血液循环趋于顺畅。其次，由于红细胞变形能力增强，变形表面积增加，与氧结合能力加强，使得血液中溶解氧和结合氧均大为增加，血氧饱和度和氧分压大大提高，携带丰富氧气的血液经过循环，可以迅速改善肌体细胞缺血缺氧状况，有利于心脑血管健康。 2、激光净血激光照射可以通过减少血液中的分子物质MMS（具有神经毒性作用）使血液得到净化，从而改善神经系统的机能。激光照射可以提高红血球内SOD（超氧化歧化酶）的水平及活力，有助于清除人体内过多的自由基，从而起到避免氧化对组织细胞的毒害和损伤作用。激光照射血液对人体免疫系统具有多种调节作用，可改善人体的免疫功能，提高人体的防病、抗病能力。二、治疗机理鼻腔对弱激光的吸收采用波长为650nm的低强度激光，是单色红光，因为红色激光最易被人体血液吸收（650nm的低强度激光只是X光等高能电离辐射能量的几十万分之一，不会对人体造成任何伤害）通过鼻腔照射，对该部位的多种生物组织产生刺激作用，首先是对毛细血管网中的血液作用，向血管中注入单色低能量光量子，迅速激活细胞内能与活力，剥落包裹在红细胞表面的脂肪层，恢复红细胞膜的通透性，使聚集成团的红细胞分散，这些被激光活化的红细胞循环到达肺部时，能更有效地与氧气结合，提高肺换气效果，进而大幅度提高血氧含量，改善组织供血供氧状态；同时，激活血液中的多种酶类，酶是一切化学反应的催化剂，酶的活性使血液中的不正常状态被改变，分解消融血液中的多余脂肪；减少并消除血管内的胆固醇；降低血液中血栓形成物的含量；加速红细胞内超氧化

半导体激光器驱动电路

查阅相关文献资料，设计半导体激光器驱动电路，说明设计思路和电路模块的功能图1 在半导体激光器的设计中，为了便于对光功率进行自动控制，通常激光器内部是将LD 和背向光检测器PD集成在一起的，见图1。其中LD有两个输出面，主光输出面输出的光供用户使用，次光输出面输出的光被光电二极管PD接收，所产生的电流用于监控LD的工作状态。背光检测器对LD的功率具有可探测性，可设计适当的外围电路完成对LD的自动光功率控制。激光器电路的设计框图如图所示，将电源加在一个恒压电路上，得到恒定的电压，再通过一个恒流电路得到恒定的电流以驱动LD工作. 其中恒压电路如图2，由器件XC9226以及一个电感和两个电容组成。XC9226是同步整流型降压DC/DC转换器，工作时的消耗电流为15mA，典型工作效率高达92%，只需单个线圈和两个外部连接电容即可实现稳定的电源和高达500IllA的输出电流。其输出纹波为10mV，固定输出电压在0.9v到4.0V范围内，以loomv的步阶内部编程设定。该电路中，输出的恒定电压设定为2.6v。图2 恒流电路如图3，主要由LMV358、三极管以及一些电阻和电容共同组成.LMv358是一个低电压低功耗满幅度输出的低电压运放，工作电压在2.7v到5.5v之间。从恒压电路输出的2.6V电压经过Rl、RZ分压后，在LMv35s的同相输入端得到恒定电压Up，Up加在一个电压串联负反馈电路上，得到一个输出电压Uo。Uo再通过一个电阻和电容组成的LR滤波

电路上，得到恒定的直流电压uol，将uol作用在由三极管8050组成的共射级放大电路上，得到恒定的集电极电流Ic，k又通过一个滤波电容得到恒定的直流工作电压。图3

半导体激光治疗仪

设备购置可行性分析报告一、申请配置的必要性和依据众所周知，静脉曲张是临床上最常见的静脉疾病之一，约有10%～15%的成年男子和20～25%成年女性会出现有症状的大隐静脉曲张。欧洲和美国的统计资料显示，静脉曲张在人群中的发生率接近1/3，21世纪初统计我国大约有1亿的静脉曲张患者，目前的统计发病率在10％～40％，据此推算，应该有超过2亿的患者，随着微创手段在静脉曲张治疗领域的进展，传统手术的市场份额越来越小，而微创化的手术操作逐渐成为市场的主导。按照20%的发病率来算，石家庄及周边郊县1000万人粗算，也有200万的发病人群，需要采取治疗手段的按照60万人来算，如果我们每年能能吸引其中的2000人来计算，那收入也相当可观。二、申请设备的技术发展前景与其他微创手术如经导管硬化剂注射治疗、电凝治疗或射频治疗相比，EVLT经手术穿刺，通过小口径、可弯曲的光纤输送能量；激光能量穿透深度较浅，与完全依赖热能的能量来源相比，对周围组织损伤较小；已安装起搏器的患者也可应用EVLT治疗。与超声引导的硬化剂治疗相比，避免了硬化剂误注射入动脉内及过敏反应等副用，可精确控制对静脉壁的损伤，降低再通率。激光联合手术治疗，可扩大手术治疗的适应症，并取得良好的疗效。三、申请设备对医疗机构临床、科研工作的作用（如为治疗设备，请写出技术操作路径，适应症、禁忌症、并发症的防治及应急措施等）

适应症：1. 原发大隐静脉和/或分支静脉曲张有症状，影响正常生活和工作者或者患者有美观要求者，并且深静脉通畅，深静脉瓣膜功能正常，或者轻、中度瓣膜功能不全者。2.各种静脉曲张经治疗后复发，深静脉通畅，深静脉瓣膜功能正常，或者轻、中度瓣膜功能不全者。禁忌症：1.患侧深静脉阻塞。2.患肢重度深静脉瓣膜功能个不全。3.患肢有急性炎症病灶。4.患者动脉明显供血不足者。5.重要脏器（心、肺、脑、肾、肝等）有严重疾病，不能耐受手术者。6.妊娠。4．EVLT 大隐静脉激光电凝术术前检查及准备。 1术前检查第一静脉检查，目的：明确大隐静脉病变及深静脉功能，从而判断患者是否有手术适应症。项目：可用彩超作大隐静脉、股总和股静脉管壁、管径测量，静脉瓣膜功能状况，有否静脉血液倒流等检查；在隐股静脉汇合处沿大隐静脉下方2cm—3cm处做大隐静脉的横向测量，静脉血液倒流情况等检查；必要时行核素检查或造影检查。下肢顺行静脉造影。目的和意义在于进一步明确诊断；了解深静脉是否全程通畅，大隐静脉全程走向，有否双支大隐静脉；静脉曲张的程度和范围；交通支部位，有否倒流；造影过程中要求了解髂静脉是否通畅，是否同时合并髂静脉压迫综合征（Cockett’综合征）；初步了解深静脉瓣膜功能状况等。第二常规及重要脏器检查目的：明确是否存在手术禁忌症。项目：血常规+血型、尿常规、便常规+潜血、胸片正位、肝功能、

半导体激光器的应用与分类

半导体激光器的应用与分类半导体光发射器是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，被广泛应用。按照其发光特性，可分为激光二极管（又称半导体激光器或二极管激光器，Laser Diode，LD），通常光谱宽度不]于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管(Superluminescent Dmde,SLD)，光谱宽度不大于5nm（采取专门措施可不大于0.1nm）；发光二极管（Light Emiltting，LED），光谱宽度一般不小于50nm；超辐射发光二极管（Superluminescent SLD），光谱宽度为30～50nm，本节重点介绍几种半导体激光器，钽电容简要介绍超辐射发光二极管。半导体激光器的分类有多种方法。按波长分：中远红外激光器、近红外激光器、可见光激光器、紫外激光器等；按结构分：双异质结激光器、大光腔激光器、分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器；按应用领域分：光通信激光器、光存储激光器、大功率泵浦激光器、引信用脉冲激光器等；按管心组合方式分：单管、阵列（线阵、面阵）；按注入电流工作方式分：脉冲、连续、准连续等。 LD主要技术摄技术指标有光功率、中心波长、光谱宽度、阈值电流、工作电流、工作电压、斜率效率和电光转换效率等。半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率，该指标直接与工作电流对应，这体现了半导体激光器的电流驱动特性。如果是连续驱动条件，T491T336M004AT则输出功率就是连续光功率，如果是脉冲驱动条件，输出的光功率可用峰值功率或平均功率来衡量。hymsm%ddz 半导体激光器的中心波长是指激光器所发光谱曲线的中心点所对应的波长，通常用该指标来标称激光器的发光波长。光谱宽度是标志个导体激光器光谱纯度的一个指标，通常用光谱曲线半高度对应的光谱全宽来表示。半导体激光器的光场是发散的而且是不对称的。在垂直PN结平面方向（快轴方向），发散角较大，通常在20°～45°之间；在平行PN结平面方向（慢轴方向），发散角较小，通常在6°～12°之间。由此可以看出，半导体二极管激光器的光场在空间分布呈椭圆形。

半导体激光器LD脉冲驱动电路的设计与实验

半导体激光器LD脉冲驱动电路的设计与实验进行脉冲驱动电路的设计主要是由于，半导体激光器在脉冲驱动电路驱动时，其结温会在半导体激光器不工作的时刻进行散热，因此半导体激光器在脉冲电源驱动下，对半导体激光器的散热要求不高。在设计半导体激光器的脉冲驱动电源时，也是先仿真后设计的思想，在电路选型上也是力求简单。 1 脉冲电源的仿真在进行脉冲电源仿真时，同样选用的NI公司的这款Multisim10这款电路仿真软件。选用的器件是IRF530，信号源是5V，占款比为50%，频率为50Hz的方波信号源；用电阻1R代替半导体激光器、且将1R的阻值设置为1Ω，用Multisim10的自带示波器对电阻1R两端的电信号进行测量。脉冲电源仿真在仿真电路设计的过程中，选用了功率管IRF530作为主开关，对电阻1R上的电压进行采样，信号源选取的是输出5V方波的、频率是50Hz、占款比是50%的信号源。在进行仿真前、将示波器的A通道接在电阻1R的两端，对整个电路的电流信号进行监测。将示波器的B通道接在信号源的两端，对信号源的输出

电信号进行采样，这样通过A、B两通道的电信号进行对比，看脉冲驱动电路能否满设计要求。根据仿真示波器监测到的数据显示，电阻1R两端的电信号完全是跟信号源的电信号同步变化的，而且波形完全一致。仿真结果显示电阻1R的峰值电压是为1.145V，说明电路的峰值电流也是1.145A。在仿真过程中，通过不断的调整信号源的特性，发现电阻1R两端的电压值的大小只与信号源的电压值大小有关系，而与信号源的频率和占空比关系不大，这说明此脉冲仿真电路输出电流值的大小只与信号源输出的电压值大小有关。出现这样的结果主要是选取的信号源的频率过低，功率管IRF530完全可以做到对电路的开断控制。以上仿真结果显示，当信号源的峰值电压是5V的时候，所对应的流过IRF530的峰值电流是1.145A。根据IRF530的输出特性，通过调节信号源的加载在IRF530GS V的电压就可以改变功率管IRF530的输出电流值，从而改变整个脉冲电源输出电流的值。 2 脉冲电源的设计从上面的电路仿真可以看出，脉冲电源的设计主要是脉冲信号源的设计、电路的主体部分还是用IRF530来实现的，通过控制信号源的加载在GS V的电压来控制流通IRF530的电流。要调整输出电流信号的频率得通过信号源进行控制。图 3-25 基于单片机脉冲电源

半导体激光治疗仪

. . 半导体激光治疗仪一、适用范围该产品临床适用于对神经性疼痛、功能障碍、风湿病、感染及非感染性炎症和皮肤病的辅助治疗。二、工作原理半导体激光治疗仪采用650nm的光波，素有人体“黄金波段”的美称。主要利用激光产生的生物刺激效应，通过半导体激光的激光激光束照射人体病变组织，达到减轻或消除疼痛，改善局部血液循环，组织修复组织，快速消炎等作用。此激光为近红外波段，可深入组织内部作用于机体，使组织良好的吸收光能量，使疼痛减轻。三、禁忌症眼睛、甲状腺、恶性肿瘤、急性出血、癌症、孕妇腹部及腰骶部。四、操作步骤 1）戴好防护镜 2）将主机钥匙从O旋至I位置，控制面板数码管显示红色 3）开机后默认为连续工作方式 4）按时间设置键，设置总时间 5）按功率设置键，设置输出功率 6）将探头激光窗口置于患者病患部位 7）按待机键，发出声音信号，待机指示灯亮，治疗机进入待机状态 8）按启动键，发出声音信号，启动指示灯亮，待机指示灯灭 9）探头激光窗口开始输出激光 10）启动指示灯灭，关机，将钥匙旋至O位置即可五、注意事项 1）如不按规定使用，会产生危险辐射 2）本治疗机输出的光为近红外光，绝对避免激光直射眼睛 3）对眼睛防护详细说明：绝对禁止激光直射眼睛；操作时，操作者必须戴眼睛；必须将激光探头放置治疗部位后再启动激光，以免误伤眼睛；需照射眼睛周围部位时，要求患者紧闭双眼，并在眼睛前加遮挡物4）由于光输出探头直接接触人体，治疗机的供电电源必须有良好的接地保护 5）光输出探头中装有光学系统，使用时轻拿轻放，避免碰撞，防止探头受机械震动，更不能跌落，并防止探头受热，受潮 6）治疗机从较低温度进入室温状态时，不要立即开机，应等其温度升至室温后再开机，以免损坏 7）治疗机上不得放任何东西，不使用时从钥匙开关上取走钥匙 8）避免使用易燃麻醉剂和氧化性气体和氧气，防止气体点燃危险 9）在紧急情况状态下，应立即终止激光输出的手动装置（紧急开关为红色）10）严禁照射皮肤黑色素，以免造成皮肤烧伤