模拟电子技术 题库
一、填空题
1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。
2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和输出相位相同的是____________。
3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电流控制器件，____________的输入电阻高。
4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。
5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起
失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。
6、直流稳压电源由 、 、
及 组成。
7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。
二、选择题
1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ）
A 、掺杂浓度
B 、工艺
C 、温度
D 、晶体缺陷
2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为
V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ）
A ．A 是基极，
B 是发射极，
C 是集电极，是NPN 管
B ．A 是集电极，B 是基极，
C 是发射极，是PNP 管
C ．A 是集电极，B 是发射极，C 是基极，是PNP 管
D ．A 是发射极，B 是集电极，C 是基极，是NPN 管
3、P 沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（ ）
A 、UGS ＞0，UDS ＞0
B 、UGS ＜0，UDS ＜0
C 、UGS ＞0，UDS ＜0
D 、UGS ＜0，UDS ＞0
4、某仪表的放大电路，要求Ri 很大，输出电流稳定，则应采用（ ）形式来达到性能要求。
A 、电流串联负反馈
B 、电压并联负反馈
C 、电流并联负反馈
D 、电压串联负反馈
5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re 的作用是：（ ）
A 、提高Ri
B 、提高Avd
C 、提高K CMR
D 、提高Avc
6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR 将会（ ）。
A 、增大
B 、减小
C 、不变
D 、不能确定
7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（ ）
A 、100%
B 、78.5%
C 、50%
D 、20%
8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（ ）
A 、增大为原来的2倍
B 、降低为原来的一半
C 基本不变
D 、不能确定
9、某双电源互补对称功率放大电路，如果要求电路的最大可以输出10W 的功率，则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于（ ）。
A 、10W
B 、5W
C 、2W
D 、1W
10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。已知Ω=100L R ，V U 122=，估算o U 为（ ）
A 、12V
B 、14.4V
C 、17V
D 、无法计算
三、判断题
1、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。（ ）
2、三极管从结构上看是由两个PN 结背靠背串联而成的，所以可以用两个二极管背靠背串联连接构成三极管。 （ ）
3、对于正弦波振荡电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使放大电路的放大倍数很大也不可能产生正弦波振荡。（ ）
4、场效应管的导电机理和双极型三极管相似，均为多数载流子和少数载流子参与导电。（ ）
5、在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af=1/F ，它与反馈系数有关，而与放大电路开环增益A 无关，因此基本放大电路的参数没有实际意义。（ ）
四、简答题
1、在图所示的各电路图中E ＝5V ， ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。
2、试求如图所示，电路输出电压与输入电压的运算关系式。
3、由集成运放和复合管组成的反馈放大电路如图所示。试回答下列各问题：1．要使R2引入的反馈为负反馈，请用“＋”“－”号分别标出集成运放的同相输入端和反相输入端；
2．判断R2所引入的交流负反馈的反馈组态。
4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问
（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M应该如何连接？
（2）R2应该选多大才能振荡？
（3）振荡的频率是多少？
五、计算题
1、已知如图所示电路中晶体管的，o R u +-，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路
（1）要求电路静态mA I CQ 3.1=，CC
，估算c b R R ，的值
（2）求电压放大倍数u A ，输入电阻i R ，输出电阻o R
2、具有集电极调零电位器R p 的差分式放大电路如图LT_01所示。已知β=50，V BE1=V BE2=0.7V ，当R p 置中点位置时，（1）求电路的静态工作点。
（2）双端输入、双端输出时的差模电压增益vd A ，共模电压增益vc A 、共模抑制比CMR K
3、功放电路如图所示，设Ω==8,12L cc R v V ，功率BJT 的极限参数为
w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===，试求：
（1）最大输出功率om P 值，并检验所给
功率BJT 是否能安全工作：（2）放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值
填空题
1、N 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。P 型半导体和N 型半导体放在一起时会形成PN 结，当PN 结外加反向电压时，扩散电流
漂移电流，耗尽层 。
2、要使晶体三极管能正常工作在放大状态，应使发射结处于 ，集电结处于 。
3、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过高，将会引起
失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。
4、直流稳压电源由 、 、
及 组成。
5、引入负反馈后，放大电路的放大倍数 ，而放大电路的稳定性
。
6、若两个输入信号电压的大小 ，极性 ，就称为差模
输入信号。
7、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。
选择题
1、杂质半导体的多数载流子浓度取决于（ ）
A 、掺杂浓度
B 、工艺
C 、温度
D 、晶体缺陷
2、测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V ，5.3V 和-6V ，则该三极管的类型为（ ）
A 、硅PNP 型
B 、硅NPN 型
C 、锗PNP 型
D 、锗NPN 型
3、P 沟道增强型场效应管处于恒流状态时要求（ ）
A 、UGS ＞0，UDS ＞0
B 、UGS ＜0，UDS ＜0
C 、UGS ＞0，UDS ＜0
D 、UGS ＜0，UDS ＞0
4、某仪表的放大电路，要求Ri 很大，输出电压稳定，则应采用（ ）形式来达到性能要求。
A 、电流串联负反馈；
B 、电压并联负反馈；
C 、电流并联负反馈；
D 、电压串联负反馈
5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re 的作用是：（ ）
A 、提高Ri ；
B 、提高Avd ；
C 、提高K CMR ；
D 、提高Avc
6、差分放大电路的输出由单端输出改为由双端输出时，其K CMR 将会 （ ）。
A 、增大 ；
B 、减小 ；
C 、不变 ；
D 、不能确定
7、甲类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（ ）
A 、100% ；
B 、78.5% ；
C 、50% ；
D 、20%
8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2
1倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（ ）
A 、增大为原来的2倍；
B 、降低为原来的一半；
C 基本不变；
D 、不能确定
9、某双电源互补对称功率放大电路，如果要求电路的最大可以输出10W 的功率，则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于（ ）。
A 、10W ；
B 、5W ；
C 、2W ；
D 、1W
10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。已知Ω=100L R ，V U 122=，估算o U 为（ ）
A 、12V
B 、14.4V
C 、17V
D 、无法计算
判断题
1、场效应管属于电压型控制器件，其g 、s 间阻抗要远大于三极管b 、e 间的阻抗（ ）
2、只有正反馈电路才能产生自激振荡，负反馈电路不能产生自激振荡。 （ ）
3、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的作用是“隔直”，防止直流经负载短路（ ）
4、要求得到一个由电流控制的电压源，应引入电压并联负反馈（ ）
5、在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af=1/F ，它与反馈系数有关，而与放大电路开环增益A 无关，因此基本放大电路的参数没有实际意义。（ ）
简答题
1、在图所示的各电路图中E ＝5V ， ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。
2、试求如图所示，电路输出电压与输入电压的运算关系式。
3、分别判断如图电路的反馈类型
（ ） （ ）
4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问
（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M 应该如何连接？
（2）R2应该选多大才能振荡？
（3）振荡的频率是多少？
o u R s s u +-
o s u +-R s +-
计算题
1、求电路的静态参数（IB 、IC 、VCE)，及动态参数（AV 、Ri 、Ro)
2、差动放大电路如图所示，RW 起到调电路两边对称程度的作用。已知：UCC ＝UEE ＝12V ，Rb ＝Rc ＝Re ＝10千欧，Rw ＝200欧，滑动头位于中点，UBE ＝0.7V ，放大倍数为50，rbe ＝2.5千欧。试估算电路的静态工作点
3、功放电路如图所示，设Ω==8,12L cc R v V ，功率BJT 的极限参数为
w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===，试求：
（1）最大输出功率om P 值，并检验所给功率BJT 是否能安全工作：（2）放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值
CC
\
图1 图2
一、填空题
1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路
一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：
（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为
（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为
（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，
A 将，R i将，R o
u
将。
A.增大
B.不变
C.减小
当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和
B.截止
3、如图1所示电路中，
（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大
A = ；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，倍数
u
则放大电路的输入电阻R i= 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则
放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、
和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和
三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）
1、半导体中的空穴带正电。（）
2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）
3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）
5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。（）
6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（）
7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。（）
8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。（）
9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）
10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。（）
11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。（）
12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。（））
13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。（）
14、零点漂移就是静态工作点的漂移。（）
15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）
16、只有直接耦合放大电路才有温漂。（）
17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。（）
18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）
因此，R E可想取多大就取多大。（）
19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（）
20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（）
21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。（）
22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（）
23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（）
24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）
同时，也可增大共模抑制比。（）
25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。（）
26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。（）
27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）
28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）
29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（）
30、负反馈越深，电路的性能越稳定。（）
31、实现运算电路不一定非引入负反馈。（）
32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（×）
33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。（）
34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。（）
35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。（）
36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。（）
37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）
38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。（）
39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（）
40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。（）
41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。（）
42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）
43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。（）
44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。（）
45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。（）
48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（）
49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。（）
50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。（）
51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。（）
52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。（）
53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。（）
54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）
55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。（）
三、选择填空题
1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流于是。
A.电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。
A.载流子
B.多数载流子
C.少数载流子
4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管，反向饱和电流比锗二极管。
A.大
B.小
C.相等
5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A.增大
B.减小
C.不变
6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是电流，流过集电结的是
电流。
A.扩散
B.漂移
7、当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：
NPN管的u C u B u E，PNP管的u C u B u E；工作在饱和区时i C i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，
则i B0，i C0。
A.＞
B.＜
C.＝
8、晶体管通过改变来控制；而场效应管是通过改变控制，是一种控制器件。
A.基极电流
B.栅-源电压
C.集电极电流
D.漏极电流
E.电压
F.电流
9、晶体管电流由形成，而场效应管的电流由形成。因此晶体管电流受温度的影响比场效应管。
A.一种载流子
B.两种载流子
C.大
D.小
10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时导电沟道，而增强型MOS 管则导电沟道。
A.存在
B.不存在
11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越。
A.严重
B.轻微
C.和放大倍数无关
12、电路的A d越大表示，A c越大表示，K CMR越大表示。
A.温漂越大
B.抑制温漂能力越强
C.对差模信号的放大能力越强.
13、复合管组成的电路可以。
A.展宽频带
B.提高电流放大系数
C.减小温漂
D.改变管子类型
14、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻，而等效的直流电阻。
A.很大
B.很小
C.不太大
D.等于零
15、集成运放有个输入端和个输出端。
A.1
B.2
C.3
16、集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放。
A.不能正常放大差模信号
B.输入级放大管将击穿
17、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了。
A.放大变化缓慢信号
B.放大共模信号
C.抑制温漂
18、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E可视为。
A.开路
B.短路
C.2R E
19、两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。
A.β
B.2β
C.2β
20、OCL电路中，输出功充最大时。
A.输出电压幅值最大
B.功放管管耗最大
C.电源提供的功率最大
21、通用型集成运放的输入级多采用，中间级多采用，输出级多采用。
A.共射放大电路
B.差分放大电路
C.OCL电路
D.OTL电路
22、集成运放的互补输出级采用。
A.共射接法
B.共基接法
C.共集接法
D.差分电路
其原因是。
A.频带宽
B.放大电压的能力强
C.带负载能力强
D.输入电阻大
23、集成运放的A od越大，表示；K CMR越大，表示。
A.最大共模输入电压越大
B.抑制温漂能力越强
C.最大差模输入电压越大
D.对差模信号的放大能力越强
24、集成运放的输入失调电压U IO是，失调电流I IO是；
A.使输出电压为零在输入端所加补偿电压
B.两个输入端电位之差
C.两个输入端静态电流之和
D.两个输入端静成电流之差
它们的数值越大，说明集成运放。
A.输入级参数对称性差
B.放大差模信号能力差
C.高频特性差
D.最大共模输入电压大
25、通用型集成运放上限截止频率很低的原因是。
A.结电容很多
B.大阻值电阻很多
C.没有耦合电容
D.没有电感
26、选择合适的交流负反馈组态（即反馈方式）满足放大电路性能要求。
交流负反馈的四种组态为：
A.电压串联
B.电压并联
C.电流串联
D.电流并联
（1）为了增大输入电阻、减小输出电阻，应在放大电路中引入交流负反馈。（2）为了获得稳定的电流放大倍数，应在放大电路中引入交流负反馈。（3）为了减小从信号源索取的电流，并得到稳定的输出电流，应在放大电路中引入交流负反馈。
（4）为了实现电流-电压的转换，应在放大电路中引入交流负反馈。
27、A.直流负反馈 B.交流负反馈 C.电压负反馈 D.电流负反馈 E.串联负反馈 F.并联负反馈
（1）为了稳定输出电压，应在放大电路中引入 。
（2）为了稳定输出电流，应在放大电路中引入 。
（3）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 。
（4）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 。
（5）信号源为近似电压源时，应在放大电路中引入 。
（6）信号源为近似电流源时，应在放大电路中引入 。
（7）为了展宽频带，应在放大电路中引入 。
（8）为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
28、负反馈放大电路的自激振荡产生在 。
A.中频段
B.高频段或低频段
29、负反馈放大电路产生自激振荡的原因是 。
A.1=F A
B.F A ＞1
C.)()1(为整数n n F A π??+=+ 30、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路越 ；
A.容易产生自激振荡
B.稳定
因此，实用放大电路多采用 。
A.一级
B.三级
C.三级以上
31、阻容耦合放大电路和耦合电容和旁路电容越多，电路越容易产生 。
A.高频振
B.低频振荡
32、现有电路：
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
E.过零比较器
F.滞回比较器 G .低通滤波器 H.高通滤波器 I.带通滤波器 J.带阻滤波器
根据下列要求，分别选择一个电路填入空内。
（1）为了得到电压放大倍数为100的放大电路，应选用 。
（2）为了得到电压放大倍数为-50的放大电路，应选用 。
（3）为了将正弦波电压变换为相位与之相对应的方波电压，应选用 。
（4）为了将方波电压变换为三角波电压，应选用 。
（5）为了将三角波电压变换为方波电压，应选用 。
（6）为了防止50H z 的电网电压干扰，应在电路中加 。
（7）为了使10kH z ~15kH z 信号顺利放大，应在放大电路中加 。
（8）为了在信号电压中提取直流分量，应选用 。
33、现有电路：
A 、RC 正弦波振荡电路
B 、L
C 正弦波振荡电路 C 、石英晶体正弦波振荡电路
（1）为了获得频率为10kH z 的正弦波电压，应选用 。
（2）为了获得频率为2MH z 的正弦波电压，应选用 。
（3）为了获得频率极其稳定的正弦波电压，应选用 。
34、RC 串并联网络在RC
f f π210==时呈 。 A.感性 B.阻性 C.容性
35、在桥式（文氏桥）RC 正弦波振荡电路中， 。
A. 180,180+=-=F A φφ
B. 180,180+=+=F A φφ
C. 0,0==F A φφ
36、LC 并联选频网络在产生谐振时呈 。
A.感性
B.阻性
C.容性
37、理想的LC 并联选频网络在产生谐振时电抗为 。
A.零
B.不能确定
C.无穷大
38、在忽略石英晶体振荡器自身损耗时，在其产生串联谐振或并联谐振时呈 。
A.感性
B.阻性
C.容性
且在产生串联谐振时电抗为 ，在产生并联谐振时电抗为 。
A.零
B.不能确定
C.无穷大
四、问答题
1、什么是零点漂移？产生零点漂移的原因是什么？
2、什么是差模信号？什么是共模信号？
3、差分放大电路抑制温漂的原理是什么？
4、差分放大器采用恒流代替R E 的原因是什么？
5、电流源有哪些用途？
6、乙类互补电路产生交越失真的原因是什么？消除交越失真的方法有哪些？
7、什么是反馈？什么是正反馈和负反馈？什么是直流反馈和交流反馈？
8、如何判断电路是否引入了反馈和反馈的极性？
9、为什么下列说法均是错误的？分别简述理由。
（1）使放大电路的输出量变小的反馈称为负反馈。
（2）只有在阻容耦合放大电路中才可能引入交流反馈。
（3）只有在输入信号为正弦波时，交流负反馈才稳定放大电路的输出量。
（4）直接耦合放大电路中只能引入直流反馈。
（5）反馈网络中的电流或电压仅仅决定于输出量。
（6）电压负反馈既然稳定输出电压，当然也稳定输出电流。
五、计算题
1、在图1所示电路中，已知：V CC =15V ，R B =750k Ω，R C =R L =5.1k Ω，C 1与C 2对交流信号可视为短路；晶体管的80=β，r bb ′=100Ω。试求解：
（1）静态工作点Q ；
（2）电压放大倍数u
A 、输入电阻R i 和输出电阻R o 。
2、在图1所示电路中，已知V CC =15V ，R L =10k Ω，50=β，r be =1 k Ω；测得静态U CEQ =5V ，I CQ =1mA 。
（1）求解R B 和R C ；
（2）估算u
A ； （3）若测得输出电压有效值等于300mV ，则输入电压有效值U i 约等于多少？U i 约为多少毫伏时电路会产生失真？
（4）若电路的信号源有内阻，如图所示，且R S =1 k Ω，则s
o us U U A =为多少？
3、电路如图1所示，晶体管的U BE =0.7V , 80=β, r bb ′=100Ω；R C =5k Ω，R L =5 k Ω,V CC =12V ；静态时测得管压降U CEQ =6V 。
（1）R B 约等于多少？
（2）求解电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
4、在图1所示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数数为80=β，r be =1.2k Ω；R B =500 k Ω，R C =R L =5k Ω，V CC =12V 。
（1）求解静态工作点；
（2）求解电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（3）若要增大电压放大倍数的数值，可采用哪些措施？
5、在图1所示电路中，参数如上题所述。
（1）在晶体管的输出特性坐标系中近似画出i B =I BQ 的特性曲线，并利用图解法求出I CQ 和U CEQ ；
（2）画出交流负载线；
（3）说明该电路若产生失真，则首先产生哪种失真，简述理由。
6、现有基本放大电路：①共射电路，②共集电路；③共源电路。分别按下列要求选择合适电路形成组成两级放大电路。
（1）电压放大倍数u
A ≥4000； （2）输入电阻R i ≥5MΩ，电压放大倍数u
A ≥400； （3）输入电阻R i ≥5MΩ，输出电阻Ro ≤200Ω，电压放大倍数u
A ≥10； （4）输入电阻R i ≥100k Ω，电压放大倍数u
A ≥100。
7、在图2所示电路中，设T 1和T 2管的=CES U 2V ，电源电压±V CC 为±12V ，R L =8Ω。试求该电路的最大不失真输出功率、效率、最大管耗。
8、某电子设备要求15V 直流电压，负载电阻R L =50Ω，试问：
（1）若选用单相桥式整流电路，则电源变压器副边电压有效值U 2应为多少？整流二极管正向平均电流I D （A V ）和最大反向电压U RM 各为多少？
（2）若改用单相半波整流电路，则U 2、I D （A V ）和U RM 各为多少？
填空题
1.N型半导体中掺入的是＿＿价元素的杂质，其多数载流子是＿＿。
2.晶体二极管的静态分析时，主要采用三种近似的数学模型：、
、。
3.要使晶体三极管能正常工作在放大状态，应使发射结处于，集电结
处于。
4.根据PN结排列方式不同，晶体三极管分为和两种类型。
5.在放大电路中，若要稳定放大器的增益，应引人负反馈。
6.若一只三极管的α＝0.2，则β＝。
7.场效应管的特性曲线有两条：特性曲线和特性曲线。
8.放大电路按照工作点设置位置的不同，主要可以分为三类：、
、。
9.差分式放大电路具有很好的抑制模信号和放大模信号的能力。
10.需要一个阻抗变换电路，使其输人阻抗大，输出阻抗小，应引人反
馈电路。
11.常见的有源滤波器中，可以由一个低通滤波器和一个高通滤波器串联而形成
一个。
12.振荡电路必须在AF环路中包含一个网络。
单项选择题
1.当PN结外加反向电压时，耗尽层将（）
A．变宽B．变窄C．不变D．无法确定
2.晶体三极管工作在放大模式时要求（）
A．发射结正偏、集电结正偏
B．发射结正偏、集电结反偏
C．发射结反偏、集电结正偏
D．发射结反偏、集电结反偏
3.为使高阻信号源与低阻负载能很好地相配合，可以在信号源与负载之间接入（）。
A.共射电路B．共基电路C．共集电路D．共射一共基组合电路
4.在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻RL，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现的现象是（）。
a、可能使失真消失
b、失真更加严重 c.、可能出现波形两头都削平的失真 d、不能确定。
5.在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（）
a、提高Ri ；
b、提高Avd ；
c、提高K
CMR
；d、提高Avc
6.有两个电压放大倍数相同，输人和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下，测得A的输出电压小，这说明A的（）。
A．输人电阻大B．输人电阻小
C．输出电阻大D．输出电阻小
7.构成反馈通路的元器件（）
A．只能是电阻元件
B．只能是三极管、集成运放等有源器件
C．只能是无源器件
D．可以是无源器件，也可以是有源器件
8.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）
A．AF＝0 B．AF=1 C．A＋F=O D．AF＝－1
9.在单相桥式整流电路中，负载电压平均值为（）
A. 0.9V
2 B. 0.45V
2
C. 2 V
2
D. 0
10.某放大电路，接上一个阻值为2.4K的负载后，其输出电压变为空载时的一半。则，该放大电路的输出电阻为：
A. 2.4K
B. 1.2K
C. 4.8K
D. 由此不能确定。
判断题
1.三极管电流源电路正常工作时，三极管处于放大工作状态。（）
2.差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益变为双端输入时的1/2。（）
3.在深度负反馈下，闭环增益与管子的参数几乎无关，因此可任意选用管子组成放大电路。（）
4.若输入电压保持不变，且大于零，则积分电路的输出电压将随时间上升或下降，直至达到电路中运放的正或负饱和值为止。（）
5.结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。( ）
简答题
1. 二极管电路如下图所示 , 试判断图中的二极管D1、D2是导通还是截止。设二
极管是理想的。
2. 在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图。试判断各晶体管的类型(是PNP 管还是NPN 管,是硅管还是锗管),并区分e 、b 、c 三个电极。
3. 乙类双电源互补对称功率放大电路会出现什么失真？ 并说明原因是什么。
4. 所示电路中，场效应管放大电路，试画出其小信号模型。
计算题
固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：
(1) 电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；
(2) 电阻R b 、R c 的值；
(3)画出对应的电路结构。
电路如图。已知Vcc＝Vee＝10V，Rc1＝Rc2＝5.6kΩ，Re1=Re2=100Ω,BJT的β=100,VBE=0.6V,电流源I0＝2mA，r0＝100kΩ。求：
（1）静态工作点（IB1,IC1,VCE1）；
（2）差模电压放大倍数；
（3）差模输入电阻、输出电阻。
同相输入加法电路如图所示，当R1= R2= R3= R f时，求输出电压v O。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
模拟电子技术试卷及答案样本
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人 模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 《模拟电子技术》模拟试题七 一、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率 4、差分放大电路是为了（）而设置的。 A稳定Au B放大信号C抑制零点漂移 5、对功率放大器的主要要求有（）（）（） A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000 7、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2 8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。 A Uo高 B Po大C效率高 D Ri大 E 波形不失真 10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。 A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号 二、填空题（每空1分，共32分） 1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。 2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。 3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。 4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。 5、场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是（）控制文件。 6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β 14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、 漂移电流是（ 3、 所谓理想二极管， 等效成断开； 1 分 共 40 分） ），反偏时（ ）电流，它由（ 就是当其正偏时， ），所以 PN 结具有（ ）载流子形成，其大小与（ 结电阻为 ），等效成一条直线； ）导电性。 ）有关，而与外加电压（ 当其反偏时， 结电阻为 （ ）。 ）， 4、 三极管是（ ） 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 反馈。 控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ ）、 控制元件。 ），集电结（ ），发射结压降（ ）、（ ） ） 。 ）。 放大电路。 ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）， 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 ）BW 其中 BW=（ ）,（ AF= （ ）称为反馈深度。 ）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 ）信号，而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 用在输入级，输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 称为（ ）失真，而采用 OTL 电路是（ ），输入电阻（ ）， ）。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分 共 30 分） ）类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻（ ）等特点，所以常 ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具， ）， 电路符号是（ ）。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管， 值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是（ ）型。 稳压时工作在 ）状态。 ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（ ）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 ）。 E 、波形不失真 ），此时应该（ E 、（PNP ） ）偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。 模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ） a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 6、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 变宽 D. 无法确定 。 反向击穿 、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏 11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 13、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导 g m将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。 16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管 17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。 A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零 18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。 A.可变电阻（欧姆）区 B. 截止区 C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。D.电压控制电流 21 、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 22、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是 B 。 ① 0V 5.7V 图1 ① 9V 2.3V 图2 图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。， 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a) 例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬 底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。模拟电子技术基础考试试题答案
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