太阳能电池板原理(DOC)

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太阳能电池板原理(DOC)

随着全球能源日趋紧张,太阳能成为新型能源得到了大力的开发,其中我们在生活中使用最多的就是太阳能电池了。太阳能电池是以半导体材料为主,利用光电材料吸收光能后发生光电转换,使它产生电流,那么太阳能电池的工作原理是怎么样的呢?太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子—空穴对。这样,光能就以产生电子—空穴对的形式转变为电能。

一、太阳能电池的物理基础

当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向型区,空穴被驱向P型区,从而使凡区有过剩的电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。

如果半导体内存在P—N结,则在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,从而使得N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P—N结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。

制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。下面我们以硅太阳能电池为例,详细介绍太阳能电池的工作原理。

1、本征半导体

物质的导电性能决定于原子结构。导体一般为低价元素,它们的最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,形成电流。高价元素(如惰性气体)或高分子物质(如橡胶),它们的最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子,所以导电性极差,成为绝缘体。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧,因而其导电性介于二者之间。

将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体,即为本征半导体。晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,相邻的原子形成共价键。

晶体中的共价键具有极强的结合力,因此,在常温下,仅有极少数的价电子由于热运动(热激发)获得足够的能量,从而挣脱共价键的束缚变成为自由电子。与此同时,在共价键中留下一个空穴。原子因失掉一个价电子而带正电,或者说空穴带正电。在本征半导体中,自由电子与空穴是成对出现的,即自由电子与空穴数目相等。

自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合。在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子和空穴对数目相等,故达到动态平衡。

能带理论:

1、单个原子中的电子在绕核运动时,在各个轨道上的电子都各自具有特定的能量;

2、越靠近核的轨道,电子能量越低;

3、根据能量最小原理电子总是优先占有最低能级;

4、价电子所占据的能带称为价带;

5、价带的上面有一个禁带,禁带中不存在为电子所占据的能级;

6、禁带之上则为导带,导带中的能级就是价电子挣脱共价键束缚而成为自由电子所能占据的能级;

7、禁带宽度用Eg表示,其值与半导体的材料及其所处的温度等因素有关。T=300K时,硅的Eg=1.1eV;锗的Eg=0.72eV。

2、杂质半导体

杂质半导体:通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不用,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。

N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。

由于杂质原子的最外层有五个价电子,所以除了与其周围硅原子形成共价键外,还多出一个电子。多出的电子不受共价键的束缚,成为自由电子。N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故称自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。由于杂质原子可以提供电子,故称之为施主原子。P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。

由于杂质原子的最外层有三个价电子,所以当它们与其周围硅原子形成共价键时,就产生了一个“空位”,当硅原子的最外层电子填补此空位时,其共价键中便产生一个空穴。因而P 型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子。因杂质原子中的空位吸收电子,故称之为受主原子。

3、PN结

PN结:采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结。

扩散运动:物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们的交界面,两种载流子的浓度差很大,因而P区的空穴必然向N区扩散,与此同时,N区的自由电子也必然向P区扩散,如图示。由于扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,所以在交界面附近多子的浓度下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,它们是不能移动的,称为空间电荷区,从而形成内建电场ε。

随着扩散运动的进行,空间电荷区加宽,内建电场增强,其方向由N区指向P区,正好阻止扩散运动的进行。

漂移运动:在电场力作用下,载流子的运动称为漂移运动。

当空间电荷区形成后,在内建电场作用下,少子产生飘移运动,空穴从N区向P区运动,而自由电子从P区向N区运动。在无外电场和其它激发作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,形成PN结,如图示。此时,空间电荷区具有一定的宽度,电位差为ε =Uho,电流为零。

二、太阳能电池工作原理

1、光生伏打效应:

太阳能电池能量转换的基础是半导体PN结的光生伏打效应。如前所述,当光照射到半导体光伏器件上时,能量大于硅禁带宽度的光子穿过减反射膜进入硅中,在N区、耗尽区和P 区中激发出光生电子--空穴对。

耗尽区:光生电子--空穴对在耗尽区中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被送进N 区,光生空穴则被推进P区。根据耗尽近似条件,耗尽区边界处的载流子浓度近似为0,即p=n=0。

在N区中:光生电子--空穴对产生以后,光生空穴便向P-N结边界扩散,一旦到达P-N结边界,便立即受到内建电场作用,被电场力牵引作漂移运动,越过耗尽区进入P区,光生电子(多子)则被留在N区。

在P区中:的光生电子(少子)同样的先因为扩散、后因为漂移而进入N区,光生空穴(多子)留在P区。如此便在P-N结两侧形成了正、负电荷的积累,使N区储存了过剩的电子,P区有过剩的空穴。从而形成与内建电场方向相反的光生电场。

1.光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外,还使P区带正电,N区带负电,在N区和P区之间的薄层就产生电动势,这就是光生伏打效应。当电池接上一负载后,光电流就从P区经负载流至N区,负载中即得到功率输出。

2.如果将P-N结两端开路,可以测得这个电动势,称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说,开路电压的典型值为0.5~0.6V。

3.如果将外电路短路,则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过,这个电流称为短路电流Isc。

影响光电流的因素:

1.通过光照在界面层产生的电子-空穴对愈多,电流愈大。

2.界面层吸收的光能愈多,界面层即电池面积愈大,在太阳电池中形成的电流也愈大。

3.太阳能电池的N区、耗尽区和P区均能产生光生载流子;

4.各区中的光生载流子必须在复合之前越过耗尽区,才能对光电流有贡献,所以求解实际的光生电流必须考虑到各区中的产生和复合、扩散和漂移等各种因素。

2、太阳能电池材料的光学性质

太阳能电池的光学性质,常常决定着太阳能电池的极限效率,而且也是工艺设计的依据。⑴ 吸收定律

当一束光谱辐照度为I0的光正交入射到半导体表面上时,扣除反射后,进入半导体的光谱辐照度为I0(1-R),在半导体内离前表面距离为x处的光谱辐照度Ix由吸收定律决定:

当薄片厚度为d时,我们可以得到关于透射率更完整的近似表达式。

单晶硅、砷化镓和一些重要太阳能电池材料的吸收系数与波长的关系如图所示。

⑵ 本征吸收

在原子图像中,硅的本征吸收可以理解为一个硅原子吸收一个光子后受到激发,使得一个共价电子变成了自由电子,同时在共价键断裂处留下一个空穴。实验发现,只有那些hu大于禁带宽度Eg的光子,才能产生本征吸收。

显然入射光子必须满足或

式中Vo--刚好能产生本征吸收的光的频率(频率吸限);λo--刚好能产生本征吸收的光的波长(波长吸收限)。

可以认为,硅对于波长大于1.15μm的红外光是透明的。3、太阳能电池等效电路、输出功率和填充因数

⑴ 等效电路

为了描述电池的工作状态,往往将电池及负载系统用一个等效电路来模拟。

1.恒流源: 在恒定光照下,一个处于工作状态的太阳电池,其光电流不随工作状态而变化,在等效电路中可把它看做是恒流源。

2.暗电流Ibk : 光电流一部分流经负载RL,在负载两端建立起端电压U,反过来,它又正向偏置于PN结,引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk。

3.这样,一个理想的PN同质结太阳能电池的等效电路就被绘制成如图所示。

4.串联电阻RS:由于前面和背面的电极接触,以及材料本身具有一定的电阻率,基区和顶层都不可避免地要引入附加电阻。流经负载的电流经过它们时,必然引起损耗。在等效电路中,可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表示。

5.并联电阻RSh:由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时在微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等,使一部分本应通过负载的电流短路,这种作用的大小可用一个并联电阻RSh来等效。

当流进负载RL的电流为I,负载RL的端电压为U时,可得:

式中的P就是太阳能电池被照射时在负载RL上得到的输出功率。

⑵ 输出功率

当流进负载RL的电流为I,负载RL的端电压为U时,可得:

式中的P就是太阳能电池被照射时在负载RL上得到的输出功率。

当负载RL从0变到无穷大时,输出电压U则从0变到U0C,同时输出电流便从ISC变到0,由此即可画出太阳能电池的负载特性曲线。曲线上的任一点都称为工作点,工作点和原点的连线称为负载线,负载线的斜率的倒数即等于RL,与工作点对应的横、纵坐标即为工作电压和工作电流。

调节负载电阻RL到某一值Rm时,在曲线上得到一点M,对应的工作电流Im和工作电压Um 之积最大,即: Pm=ImUm

一般称M点为该太阳能电池的最佳工作点(或称最大功率点),Im为最佳工作电流,Um为最佳工作电压,Rm为最佳负载电阻,Pm为最大输出功率。

⑶ 填充因数

1.最大输出功率与(Uoc×Isc)之比称为填充因数(FF),这是用以衡量太阳能电池输出特性好坏的重要指标之一。

2.填充因数表征太阳能电池的优劣,在一定光谱辐照度下,FF愈大,曲线愈“方”,输出功率也愈高。

、太阳能电池的效率、影响效率的因素

⑴ 太阳能电池的效率:

太阳能电池受照射时,输出电功率与入射光功率之比η称为太阳能电池的效率,也称光电转换效率。一般指外电路连接最佳负载电阻RL时的最大能量转换效率。

在上式中,如果把At换为有效面积Aa(也称活性面积),即从总面积中扣除栅线图形面积,从而算出的效率要高一些,这一点在阅读国内外文献时应注意。

美国的普林斯最早算出硅太阳能电池的理论效率为21.7%。20世纪70年代,华尔夫(M.Wolf)又做过详尽的讨论,也得到硅太阳能电池的理论效率在AM0光谱条件下为20%~22%,以后又把它修改为25%(AM1.0光谱条件)。

估计太阳能电池的理论效率,必须把从入射光能到输出电能之间所有可能发生的损耗都计算

在内。其中有些是与材料及工艺有关的损耗,而另一些则是由基本物理原理所决定的。

⑵影响效率的因素

综上所述,提高太阳能电池效率,必须提高开路电压Uoc、短路电流ISC和填充因子FF这三个基本参量。而这3个参量之间往往是互相牵制的,如果单方面提高其中一个,可能会因此而降低另一个,以至于总效率不仅没提高反而有所下降。因而在选择材料、设计工艺时必须全盘考虑,力求使3个参量的乘积最大。

1.材料能带宽度:

开路电压UOC随能带宽度Eg的增大而增大,但另一方面,短路电流密度随能带宽度Eg的增大而减小。结果可期望在某一个确定的Eg处出现太阳电池效率的峰值。用Eg值介于1.2~1.6eV的材料做成太阳电池,可望达到最高效率。薄膜电池用直接带隙半导体更为可取,因为它能在表面附近吸收光子。

2.温度 :

少子的扩散长度随温度的升高稍有增大,因此光生电流也随温度的升高有所增加,但UOC 随温度的升高急剧下降。填充因子下降,所以转换效率随温度的增加而降低。

3.辐照度:

随辐照度的增加短路电流线性增加,最大功率不断增加。将阳光聚焦于太阳电池,可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。

4.掺杂浓度:

对UOC有明显影响的另一因素是半导体掺杂浓度。掺杂浓度越高,UOC越高。但当硅中杂质浓度高于1018/cm3时称为高掺杂,由于高掺杂而引起的禁带收缩、杂质不能全部电离和少子寿命下降等等现象统称为高掺杂效应,也应予以避免。

5.光生载流子复合寿命: 对于太阳电池的半导体而言,光生载流子的复合寿命越长,短路电流会越大。达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中,要避免形成复合中心。在加工过程中,适当而且经常进行相关工艺处理,可以使复合中心移走,而且延长寿命。

6.表面复合速率:

低的表面复合速率有助于提高Isc,前表面的复合速率测量起来很困难,经常假设为无穷大。一种称为背电场(BSF)的电池设计为,在沉积金属接触前,电池的背面先扩散一层P+附加层。

7.串联电阻和金属栅线:

串联电阻来源于引线、金属接触栅或电池体电阻,而金属栅线不能透过阳光,为了使Isc 最大,金属栅线占有的面积应最小。一般使金属栅线做成又密又细的形状,可以减少串联电阻,同时增大电池透光面积。

8.采用绒面电池设计和选择优质减反射膜:

依靠表面金字塔形的方锥结构,对光进行多次反射,不仅减少了反射损失,而且改变了光在硅中的前进方向并延长了光程,增加了光生载流子产量;曲折的绒面又增加了PN结的面积,从而增加对光生载流子的收集率,使短路电流增加5%~10%,并改善电池的红光响应。

9.阴影对太阳电池的影响:

太阳电池会由于阴影遮挡等造成不均匀照射,输出功率大大下降。

目前,太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、通信、家用电器以及公用设施等部门,尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用,以节省造价很贵的输电线路。但是在目前阶段,它的成本还很高,发出1kW电需要投资上万美元,因此大规模使用仍然受到经济上的限制。

但是,从长远来看,随着太阳能电池制造技术的改进以及新的光—电转换装置的发明,各国对环境的保护和对再生清洁能源的巨大需求,太阳能电池仍将是利用太阳辐射能比较切实可行的方法,可为人类未来大规模地利用太阳能开辟广阔的前景。

硅基太阳能电池的发展及应用

.. 硅基太阳能电池的发展及应用 摘要:太阳能电池是缓解环境危机和能源危机一条新的出路,本文介绍了硅基太阳能电池的原理,综述了硅基太阳电池的优点与不足,以及硅基太阳能电池和其他太阳能电池的横向比较,硅基太阳能电池在光伏产业中的地位,并展望了发展趋势及应用前景等。 关键词:硅基太阳能电池转换效率 1引言 二十一世纪以来,全球经济增长所引发的能源消耗达到了空前的程度。传统的化石能源是人类赖以生存的保障,可是如今化石能源不仅在满足人类日常生活需要方面捉襟见肘,而且其燃烧所排放的温室气体更是全球变暖的罪魁祸首。随着如今全球人口突破70亿,能源的需求也在过去30年间增加了一倍。特别是电力能源从上世纪开始,在总能源需求中的比重增长迅速。中国政府己宣布了其在哥本哈根协议下得承诺,至2020年全国单位国内生产总值二氧化碳排放量比2005年下降40% --45%,非化石能源占一次能源消费的比重提高至少15%左右【6】。 目前太阳能电池主要有以下几种:硅太阳能电池,聚光太阳能电池,无机化合物薄膜太阳能电池,有机化合物薄膜太阳能电池,纳米晶薄膜太阳能电池,叠层薄膜太阳能电池等,其材料主要包括产生光伏效应的半导体材料,薄膜衬底材料,减反射膜材料等【5】。

(图1:太阳能电池的种类) 太阳电池的基本工作原理是:在被太阳电池吸收的光子中,那些能量大于半导体禁带宽度的光子,可以使得半导体中原子的价电子受到激发,在p区、空间电荷区和n区都会产生光生电子左穴对,也称光生载流子。这样形成的光生载流子由于热运动,向各个方向迁移。光生载流子在空间电荷区中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被推进n区,光生空穴被推进p区。因此,在p-n结两侧产生了正、负电荷的积累,形成与内建电场相反的光生电场。这个电场除了一部分要抵消内建电场以外,还使p型层带正电,n型层带负电,因此产生了光生电动势,这就是光生伏特效应(简称光伏)。

太阳能电池基本原理光生伏特原理N结内建电场等效电路

太阳能电池基本原理 基本原理——光生伏特效应 太阳能光伏发电是利用太阳电池的光伏效应原理,直接把太阳辐射能转变为电能的发电方式。典型太阳电池是一个 p-n 结半导体二极管。 光子把电子从价带(束缚)激发到导带(自由),并在价带内留下一个空穴(自由)——产生了自由电子-空穴对(光生载流子),p型材料中的电子与n型材料中的空穴将在与少子寿命相当的时间内,以相对稳定的状态存在,直到复合。当载流子复合后,光生电子空穴对将消失,没有电流和功率产生。光生电子-空穴对在耗尽层中产生后,立即被内建电场分离,光生电子被送进n区,光生空穴则被送进p区。光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能。 内建电场 当把N型和P型材料放在一起的时候,在N型材料中,费米能级靠近导带底,在P型材料中,费米能级靠近价带顶,当P型材料和N型材料连接在一起时,费米能级在热平衡时必定恒等,由于在P型材料中有多得多的空穴,它们将向N型一边扩散。与此同时,在N型一边的电子将沿着相反的方向向P型区扩散。由于电子和空穴的扩散,在p-n结区产生了耗尽层,即空间电荷区电场,又称为内建电场。

(1)光子吸收:在大部分有机太阳能电池中,因为材料的带隙过高,只有一小部分入射光被吸收,吸收只能达到30%左右。 (2)激子扩散:激子的扩散长度应该至少等于薄膜的厚度,否则激子就会发生复合,造成吸收光子的浪费。 (3)电荷分离:对于单层器件,激子在电极与有机半导体界面处离化,对于双层器件,激子在施主-受主界面形成的p-n结处离化。 (4)电荷传输:在有机材料中,电荷的传输是定域态间的跳跃,而不是能带内的传输,这意味着有机材料和聚合物材料中载流子的迁移率通常都比无机半导体材料的低。 (5)电荷收集:电荷的收集效率也是影响光伏器件功率转换效率的关键因素,金属与半导体接触时会产生一个阻挡层,阻碍电荷顺利地到达金属电极。 等效电路模型

硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的结构及 工作原理 集团文件版本号:(M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988)

一.引言: 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。?? 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍,太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW,较2005年成长19%,整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW,较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。2002年后,欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前,我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW,同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、

日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上,我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区,已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年,尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入,但投入仍然不够,与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励,尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验,在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能,充分发挥政府的示范作用,推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年,可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可以看出,太阳能电池市场前景广阔。 在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。

硅太阳能电池的结构及工作原理

一.引言: 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下,各国的太阳能电池制造业争相投入巨资,扩大生产,以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍,太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW,较2005年成长19%,整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW,较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年,20世纪80年代末期,国内先后引进了多条太阳能电池生产线,使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW,这种产能一直持续到2002年,产量则只有2MW左右。2002年后,欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前,我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW,同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上,我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区,已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年,尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入,但投入仍然不够,与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励,尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验,在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能,充分发挥政府的示范作用,推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位,不但要替代部分常规能源,而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年,可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显

太阳能电池历史、原理、分类

太阳能电池历史、原理、分类 引言 太阳能作为一种巨量可再生能源,是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源,是地球上最直接最普遍也是最清洁的能源。将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础,其转换途径很多,有光电直接转换,有光热电间接转换等。但利用太阳能电池进行光电直接转换是运用最为广泛的方式。 历史: 太阳能电池发展历史可以追溯到1 8 3 9 年,当时的法国物理学家Alexander-Edmond Becquerel发现了光伏特效应(P h o t o v o l t a i ceffect )。直到1883 年,第一个硒制太阳能电池才由美国科学家Charles Fritts 所制造出来。在1930年代,硒制电池及氧化铜电池已经被应用在一些对光线敏感的仪器上,例如光度计及照相机的曝光针上。 而现代化的硅制太阳能电池则直到1946 年由一个半导体研究学者Russell Ohl 开发出来。接着在1954年,科学家将硅制太阳能电池的转化效率提高到6% 左右。随后,太阳能电池应用于人造卫星。1973年能源危机之后,人类开始将太阳能电池转向民用。最早应用于计算器和手表等。1974 年,Haynos 等人,利用硅的非等方性(a n i s o t r o p i c)的蚀刻(etching)特性,慢慢的将太阳能电池表面的硅结晶面,蚀刻出许多类似金字塔的特殊几何形状。有效降低太阳光从电池表面反射损失,这使得当时的太阳能电池能源转换效率达到17%。 1976年以后,如何降低太阳能电池成本成为业内关心的重点。1990年以后,电池成本降低使得太阳能电池进入民间发电领域,太阳能电池开始应用于并网发电。 世界太阳能电池发展的主要节点: 1839年法国科学家贝克勒尔发现“光生伏特效应”,即“光伏效应”。 1876年亚当斯等在金属和硒片上发现固态光伏效应。 1883年制成第一个“硒光电池”,用作敏感器件。 1930年肖特基提出Cu2O势垒的“光伏效应”理论。同年,朗格首次提出用“光伏效应”制造“太阳电池”,使太阳能变成电能。 1931年布鲁诺将铜化合物和硒银电极浸入电解液,在阳光下启动了一个电动机。1932年奥杜博特和斯托拉制成第一块“硫化镉”太阳电池。 1941年奥尔在硅上发现光伏效应。 1954年恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室,首次制成了实用的单晶太阳电池,效率为6%。同年,韦克尔首次发现了砷化镓有光伏效应,并在玻璃上沉积硫化镉薄膜,制成了第一块薄膜太阳电池。 1955年吉尼和罗非斯基进行材料的光电转换效率优化设计。同年,第一个光电航标灯问世。美国RCA研究砷化镓太阳电池。 1957年硅太阳电池效率达8%。 1958年太阳电池首次在空间应用,装备美国先锋1号卫星电源。 1959年第一个多晶硅太阳电池问世,效率达5%。 1960年硅太阳电池首次实现并网运行。 1962年砷化镓太阳电池光电转换效率达13%。 1969年薄膜硫化镉太阳电池效率达8%。 1972年罗非斯基研制出紫光电池,效率达16%。 1972年美国宇航公司背场电池问世。 1973年砷化镓太阳电池效率达15%。

太阳能电池板原理

太阳能电池板原理

随着全球能源日趋紧张,太阳能成为新型能源得到了大力的开发,其中我们在生活中使用最多的就是太阳能电池了。太阳能电池是以半导体材料为主,利用光电材料吸收光能后发生光电转换,使它产生电流,那么太阳能电池的工作原理是怎么样的呢?太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子—空穴对。这样,光能就以产生电子—空穴对的形式转变为电能。

一、太阳能电池的物理基础 当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向型区,空穴被驱向P型区,从而使凡区有过剩的电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。 如果半导体内存在P—N结,则在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,从而使得N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P—N结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。 制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。下

面我们以硅太阳能电池为例,详细介绍太阳能电池的工作原理。 1、本征半导体 物质的导电性能决定于原子结构。导体一般为低价元素,它们的最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,形成电流。高价元素(如惰性气体)或高分子物质(如橡胶),它们的最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子,所以导电性极差,成为绝缘体。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧,因而其导电性介于二者之间。 将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体,即为本征半导体。晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,相邻的原子形成共价键。

太阳能电池工作原理和应用

太阳能电池的分类简介 (1)硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24.7%,规模生产时的效率为15%(截止2011,为18%)。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于单晶硅成本价格高,大幅度降 低其成本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅 薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代 产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低 廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其实验室最高转 换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10%(截 止2011,为17%)。因此,多晶硅薄膜电池不久 将会在太阳能电池市场上占据主导地位。 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换效率较高,便于大规模生产,有极大的潜力。但受制于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅太阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。

2)多晶体薄膜电池 多晶体薄膜电池硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高,成本较单晶硅电池低,并且也易于大规模生产,但由于镉有剧毒,会对环境造成严重的污染,因此,并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产 品。 砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率 可达28%,GaAs化合物材料具有十分理想的光学 带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热 不敏感,适合于制造高效单结电池。但是GaAs 材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用 GaAs电池的普及。 (3)有机聚合物电池 以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。由于有机材料柔性好,制作容易,材料来源广泛,成本低等优势,从而对大规模利用太阳能,提供廉价电能具有重要意义。但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始,不论是使用寿命,还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。能否发展成为具有实用意义的产品,还有待于进一步研究探索。 (5)有机薄膜电池 有机薄膜太阳能电池,就是由有机材料构成核心部分的太阳能电池。大家对有机太阳能电池不熟悉,这是情理中的事。如今量产的太阳能电池里,95%以上是硅基的,而剩下的不到5%也是由其它无机材料制成的 6)染料敏化电池 染料敏化太阳能电池,是将一种色素附着在TiO2粒子上,然后浸泡在一种电解液中。色素受到光的照射,生成自由电子和空穴。自由电子被TiO2吸收,从电极流出进入外电路,再经过用电器,流入电解液,最后回到色素。染料敏化太阳能电池的制造成本很低,这使它具有很强的竞争力。它的能量转换效率为12%左右。 (7)塑料电池 塑料太阳能电池以可循环使用的塑料薄膜为原料,能通过“卷对卷印刷”技术大规模生产,其成本低廉、环保。但塑料太阳能电池尚不成熟,预计在未来5年到10年,基于塑料等有机材料的太阳能电池制造技术将走向成熟并大规模投入使用。 太阳能工作原理 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能发电有两种方式,一种是光一热一电转换方式,另一种是光一电直接转换方式。其中,光一电直接转换方式是利用光电效应,将太阳辐射能直接转换成电能,光一电转换的基本装置就是太阳能电池。太阳能电池是一种大有前途的新型

太阳能电池工作原理与应用

太阳能电池工作原理及应用 摘要:太阳能电池又称为“太阳能芯片”或光电池,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic,photo光,voltaics伏特,缩写为PV),简称光伏。 当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向rt型区,空穴被驱向P型区,从而使rt区有过剩的 电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。关键词:太阳能;光伏发电;半导体;电池 太阳能电池的分类简介 太阳能电池根据所用材料的不同,太阳能电池还可分为:硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池、塑料太阳能电池,其中硅太阳能电池是发展最成熟的,在应用中居主导地位 (1)硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为%,规模生产时的效率为15%(截止2011,为18%)。在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于单晶硅成本价格高,大幅度降低其成 本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅薄膜和 非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低 廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其实验室最高转 换效率为18%,工业规模生产的转换效率为10% (截止2011,为17%)。因此,多晶硅薄膜电池 不久将会在太阳能电池市场上占据主导地位。 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换 效率较高,便于大规模生产,有极大的潜力。但受 制于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅太阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理

太阳能电池板及其工作原理 性能及特点: 太阳能电池分为单晶硅太阳电池(坚固耐用,使用寿命一般可达20年。光电转换效率为15%。)多晶硅太阳电池(其光电转换效率约14.5%,材料制造简便,节约电耗,总的生产成本较低非晶硅太阳电池。)非晶硅太阳能电池(其光电转换率为10%,成本低,重量轻,应用方便。) 太阳能发电原理: 太阳能不象煤和石油一样用交通工具进行运输,而是应用光学原理,通过光的反射和折射进行直接传输,或者将太阳能转换成其它形式的能量进行间接传输。直接传输适用于较短距离。基本上有三种方法:基本上有三种方法:通过反射镜及其它光学元件组合,改变阳光的传播方向,达到用能地点;通过光导纤维,可以将入射在其一端的阳光传输到另一端,传输时光导纤维可任意弯曲;采用表面镀有高反

射涂层的光导管,通过反射可以将阳光导入室内。间接传输适用于各种不同距离。将太阳能转换为热能,通过热管可将太阳能传输到室内;将太阳能转换为氢能或其它载能化学材料,通过车辆或管道等可输送到用能地点;空间电站将太阳能转换为电能,通过微波或激光将电能传输到地面。 太阳能的光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程,通常叫做"光生伏打效应”,太阳电池就是利用这种效应制成的。 当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子-空穴对。这样,光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能、如果半导体内存在P-n结,则在P型和n型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向n 区,空穴驱向P区,从而使得n区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P-n结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。光生电场的一部分除抵销势垒电场外,还使P型层带正电,n型层带负电,在n区与p区之间的薄层产生所谓光生伏打电动势。若分别在P型层和n型层焊上金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。 太阳能发电原理图如下:

有机太阳能电池的原理和应用

有机太阳能电池的原理和应用 一、结构和基本原理 目前的有机太阳能电池可以分为三类。 1.1 肖特基型有机太阳能电池 第一个有机光电转化器件是由Kearns 和Calvin在1958 年制备的,其主要材料为镁酞菁(MgPc)染料,染料层夹在两个功函数不同的电极之间。在这种有机半导体器件中,电子在光照下被从HOMO 能级激发到LUMO能级,产生一对电子和空穴。电子被低功函数的电极提取,空穴则被来自高功函数电极的电子填充,由此在光照下形成光电流。理论上,有机半导体膜与两个不同功函数的电极接触时,会形成不同的肖特基势垒。这是光致电荷能定向传递的基础。因而此种结构的电池通常被称为“肖特基型有机太阳能电池”。在这个器件上,他们观测到了200 mV的开路电压,光电转化效率很低。此后二十多年间,有机太阳能电池领域内创新不多,所有报道的器件之结构都类似于1958 年版,只不过是在两个功函数不同的电极之间换用各种有机半导体材料。由于肖特基型有机太阳能电池是单纯由一种纯有机化合物夹在两层金属电极之间制成的,因此效率比较低,现在已经被淘汰。 1.2 双层膜异质结型有机太阳能电池 在肖特基型有机太阳能电池的基础上,1986 年,行业内出现了一个里程碑式的突破。 实现这个突破的是柯达公司的邓青云博士。这个时代的有机太阳能电池所采用的有机材料主要还是具有高可见光吸收效率的有机染料。邓青云的器件之核心结构是由四羧基苝的一种衍生物(又称作PV)和铜酞菁(CuPc)组成的双层膜。这种太阳能电池又叫做p-n 异质结型有机太阳能电池。在双层膜结构中,p-型半导体材料(电子给体(Donor),以下简记为D)和n-型半导体材料(电子受体(Acceptor),以下简记为A)先后成膜附着在正负极上(下图)。D 层或者 A 层受到光的激发生成激子,激子扩散到 D 层和 A 层界面处发生点电荷分离生成载流子,然后电子经A层传输到电极,空穴经D层传输到对应的电极。1992 年,土耳其人Sariciftci 在美国发现,激发态的电子能极快地从有机半导体分子注 入到C60 分子中,而反向的过程却要慢得多。也就是说,在有机半导体材料与C60 的界面上,激子可以以很高的速率实现电荷分离,而且分离之后的电荷不容易在界面上复合。这是由于C60的表面是一个很大的共轭结构,电子在由60个碳原子轨道组成的分子轨道上离域,可以对外来的电子起到稳定作用。因此C60 是一种良好的电子受体材料。1993 年,Sariciftci在此发现的基础上制成PPV/C60 双层膜异质结太阳能电池。PPV通常叫作“聚对苯乙烯撑”,是一种导电聚合物,也是一种典型的P 型有机半导体材料。此后,以C60 为电子受体的双层膜异质结型太阳能电池层出不穷。 1.3 混合异质结型有机太阳能电池 随后,研究人员在此类太阳能电池的基础上又提出了一个重要的概念:混合异质结(Bulk Heterojunction)。混合异质结概念主要针对光电转化过程中激子分离和载流子传输这两方面的限制。双层膜太阳能电池中,虽然两层膜的界面有较大的面积,但激子仍只能在界面区域分离,离界面较远处产生的激子往往还没移动到界面上就复合了。而且有机材料的载流子迁移率通常很低,在界面上分离出来的载流子在向电极运动的过程中大量损失。这两点限制了双层膜电池的光电转化效率。 而所谓“混合异质结”,就是将给体材料和受体材料混合起来,通过共蒸或者旋涂的方法制成一种混合薄膜。其给体和受体在混合膜里形成一个个单一组成的区域,在任何位置产生的激子都可以通过很短的路径到达给体与受体的界面(即结面),电荷分离的效率得到了提高。同时,在界面上形成的正负载流子亦可通过较短的途径到达电极,从而弥补载流子迁移率的不足。2008 年3 月,大阪大学和大阪市立研究所宣布,成功开发出了单元转换效率高

太阳能电池板原理(DOC)

随着全球能源日趋紧张,太阳能成为新型能源得到了大力的开发,其中我们在生活中使用最多的就是太阳能电池了。太阳能电池是以半导体材料为主,利用光电材料吸收光能后发生光电转换,使它产生电流,那么太阳能电池的工作原理是怎么样的呢?太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子—空穴对。这样,光能就以产生电子—空穴对的形式转变为电能。 一、太阳能电池的物理基础 当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向型区,空穴被驱向P型区,从而使凡区有过剩的电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。 如果半导体内存在P—N结,则在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,从而使得N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P—N结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。

制造太阳电池的半导体材料已知的有十几种,因此太阳电池的种类也很多。目前,技术最成熟,并具有商业价值的太阳电池要算硅太阳电池。下面我们以硅太阳能电池为例,详细介绍太阳能电池的工作原理。 1、本征半导体 物质的导电性能决定于原子结构。导体一般为低价元素,它们的最外层电子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子,在外电场的作用下产生定向移动,形成电流。高价元素(如惰性气体)或高分子物质(如橡胶),它们的最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子,所以导电性极差,成为绝缘体。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚的那么紧,因而其导电性介于二者之间。 将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体,即为本征半导体。晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,相邻的原子形成共价键。

太阳能电池工作原理及应用

太阳能电池工作原理及应用 摘要:太阳能电池又称为“太阳能芯片”或光电池,就是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到,瞬间就可输出电压及电流。在物理学上称为太阳能光伏(Photov oltaic,photo光,voltaics伏特,缩写为PV),简称光伏。 当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子——空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向rt型区,空穴被驱向P型区,从而使rt区有过剩的 电子,P区有过剩的空穴。于就是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。 关键词:太阳能;光伏发电;半导体;电池 太阳能电池的分类简介 太阳能电池根据所用材料的不同,太阳能电池还可分为:硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池、塑料太阳能电池,其中硅太阳能电池就是发展最成熟的,在应用中居主导地位 (1)硅太阳能电池 硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池与非晶硅薄膜太阳能电池三种。 单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。在实验室里最高的转换效率为24、7%,规模生产时的效率为15%(截止2011,为18%)。在大规模应用与工业生产中仍占据主导地位,但由于单晶硅成本价格高,大幅度降低其 成本很困难,为了节省硅材料,发展了多晶硅薄膜 与非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。 多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较,成本低 廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其实验室最高转 换效率为18%,工业规模生产的转换效率为1 0%(截止2011,为17%)。因此,多晶硅薄膜电池 不久将会在太阳能电池市场上占据主导地位。 非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换 效率较高,便于大规模生产,有极大的潜力。但受制 于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定性不高,直接影响了它的实际应用。如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅太阳能电池无疑就是太阳能电池的主要发展产品之一。 2)多晶体薄膜电池

太阳能电池的工作原理

太阳电池吸收太阳光就能产生一般电池的功能。但是和传统的电池不一样,传统电池的输出电压和最大输出功率是固定的,而太阳电池的输出电压、电流,功率则是和光照条件及负载的工作点关。正因如此,要应用太阳电池来产生电力,必须了解太阳电池的电流-电压关系,及工作原理。 太阳光的频谱照度: 太阳电池的能量来源是太阳光,因此入射太阳光的强度(intensity)与频谱 (spectrum)就决定了太阳电池输出的电流与电压。我们知道,物体置放于于阳光下,其接受太阳光有二种形式,一为直接(direct)接受阳光,另一为经过地表其它物体散射后的散射(diffuse)阳光。一般情况下,直接入射光约占太阳电池接受光的80%。因此,我们下面的讨论也以直接着实阳光为主。 太阳光的强度与频谱,可以用频谱照度(spectrum irradiance)来表达,也就是单位面积单位波长的光照功率(W/㎡um)。而太阳光的强度(W/㎡),则是频谱照度的所有波长之总和。太阳光的频谱照度则和测量的位置与太阳相对于地表的角度有关,这是因为太阳光到达地表前,会经过大气层的吸收与散射。位置与角度这二项因素,一般就用所谓的空气质量(air mass, AM)来表示。对太阳光照度而言,AMO是指在外太空中,太阳正射的情况,其光强度约为1353 W/㎡,约等同于温度5800K的黑体辐射产生的光源。AMI是指在地表上,太阳正射的情况,光强度约为925 W/m2〇 AMI.5足指在地表上,太阳以45度角入射的情况,光强度约为844 W/㎡。一般也使用AM 1.5来代表地表上太阳光的平均照度。 太阳电池的电路模型: 一个太阳电池没有光照时,它的特性就是一个p-n结二极管。而一个理想的二极管其电流-电压关系可表为 其中I代表电流,V代表电压,Is是饱和电流,和VT=KBT/q0, 其中KB代表BoItzmann常数,q0是单位电量,T是温度。在室温下,VT=0.026v。需注意的是,P-n二极管电流的方向是定义在器件内从P型流向n型,而电压的正负值,则是定义为P 型端电势减去n型端电势。因此若遵循此定义,太阳电池工作时,其电压值为正,电流值为负,I-V曲线在第四象限。这里必须提醒读者的是,所谓的理想二极管是建立在许多物理条件上,而'实际的二极管自然会有一些非理想(nonideal)的因素影响器件的电流-电压关系,例如产生-复合电流,这里我们不多做讨论。 当太阳电池受到光照时,p-n二极管内就会有光电流。因为p-n结的内建电场方向是从n型指向p型,光子被吸收产生的电子-空穴对,电子会往n型端跑,而空穴会往p型端跑,则电子和空穴二者形成的光电流会由n型流到p 型。一般二极管的正电流方向是定义为由p型流到n型。这样,相对于理想二极管,太阳电池光照时产生的光电流乃一负向电流。而太阳电池的电流-电压关系就是理想二极管加上一个负向的光电流IL,其大小为: 也就是说,没有光照的情况,IL=0,太阳电池就是一个普通的二极管。当太阳电池短路时,也就是V=0,其短路电流则为Isc=-IL.也就是说当太阳电池短路,短路电流就是入射光产生光电流。若太阳电池开路,也就是你I=0,其开路电压则为:

太阳能电池的分类及其工作原理

1 硅系太阳能电池 1.1 单晶硅太阳能电池 硅系列太阳能电池中,单晶硅大阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟,在电池制作中,一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术,开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面,德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化,制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合.通过改 进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率:通过以上制得的电池转化效率超过23%,是大值可达23.3%。Kyocera公司制备的大面 积(225cm2)单电晶太阳能电池转换效率为19.44%,国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发,研制的平面高效单晶硅电池(2cm X 2cm)转换效率达到19.79%,刻槽埋栅电极晶体硅电池(5cm X 5cm)转换效率达8.6%。 单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的,在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位,但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响,致使单晶硅成本价格居高不下,要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料,寻找单晶硅电池的替代产品,

现在发展了薄膜太阳能电池,其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。 1.2 多晶硅薄膜太阳能电池 通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350-450μm的高质量硅片 上制成的,这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,人们从70年代中期就开始在廉价衬 底上沉积多晶硅薄膜,但由于生长的硅膜晶粒大小,未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜,人们一直没有停止过研究,并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来 制备多晶硅薄膜电池。 化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反 应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上,衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现,在非硅衬底上很难形成较大的晶粒,并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办 法是先用 LPCVD在衬底上沉炽一层较薄的非晶硅层,再将这层非晶 硅层退火,得到较大的晶粒,然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜,因此,再结晶技术无疑是很重要的一个环节,目前采用的技术主

太阳能电池原理与应用

南昌航空毕业(论文)设计 继续教育学院自考 毕业设计(论文) 专业名称 学生姓名 指导教师 二○一二年四月

继续教育学院自考 毕业设计(论文)任务书 一、毕业设计(论文)题目: 太阳能电池原理与应用 二、毕业设计(论文)内容: 太阳能电池 太阳能电池的工作原理 太阳能电池材料与工艺 太阳能的应用 太阳能与建筑一体化 太阳电池发电系统 三、主要参考资料: [1] 施玉川.太阳能基础与技术.西安交通大学.1999年 [2] 李锦堂.20世纪太阳能科技发展的回顾与展望.太阳能学报1999特刊 [3] 刘恩科等.半导体物理学.国防工业出版.2006年 [4] 赵富鑫等.太阳电池及其应用.国防工业出版社.1985年

[5] 杨新年.武汉太阳能开发与应用.武汉出版社.2007年 光伏材料应用技术专业学生姓名 指导教师

太阳能电池原理与应用 学生姓名: 班级: 指导老师: 摘要:太阳辐射能实际上是地球上最主要的能量源泉。自然界中的燃料能、风能、水能等皆来源于太阳能。太阳辐射能与常规能源及核能相比有广泛性、清洁性、分散性、间歇性、地区性、永久性的特点。因此,太阳能是未来新能源体系中极其重要的战略能源,也得到了世界各国的强烈重视。太阳能既是一次能源,又是可再生能源,可发直接转化利用。通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热利用技术,再利用热能进行发电的称为太阳能热发电;通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术。 光伏发电系统主要由太阳能电池、蓄电池、控制器和逆变器构成。光伏发电系统可分为独立太阳能光伏发电系统和并网太阳能光伏发电系统:独立太阳能光伏发电是指太阳能光伏发电不与电网连接的发电方式,典型特征为需要蓄电池来存储能量,在民用范围内主要用于边远的乡村,如家庭系统、村级太阳能光伏电站;在工业范围内主要用于电讯、卫星广播电视、太阳能水泵,在具备风力发电和小水电的地区还可以组成混合发电系统等。并网太阳能光伏发电是指太阳能光伏发电连接到国家电网的发电的方式,成为电网的补充。 [关键词]:太阳能 光伏发电 太阳能电池 六三策略 指导老师签名:

几种太阳能电池的工作原理及区别

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池 的工作原理及区别 硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。其中基本材料为P型单晶硅,厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区,构成一个PN+结。顶区表面有栅状金属电极,硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N+区和P区形成欧姆接触,整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。 当入发射光照在电池表面时,光子穿过减反射膜进入硅中,能量大于硅禁带宽度的光子在N+区,PN+结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区,就对发光电压作出贡献。光生电子留于N+区,光生空穴留于P区,在PN+结的两侧形成正负电荷的积累,产生光生电压,此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后,光电池就从P 区经负载流至N+区,负载中就有功率输出。 太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光(或紫外光)敏感,约占总光源电流的5-10%(随N+区厚度而变),PN+结空间电荷的光生电流对可见光敏感,约占5 %左右。电池基体域

产生的光电流对红外光敏感,占80-90%,是光生电流的主要组成部分。 2.单晶硅太阳能电池 单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池,它的构成和生产工艺已定型,产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料,纯度要求99.999%。为了降低生产成本,现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒,材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料,经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成PN结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳能电池组件(太阳能电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,最后用框架和封装材料

太阳能电池的原理及制作(精)

太阳能电池的原理及制作 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能 源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光 电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩 目的项目之一。 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光 电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,太阳能电池可分为:1、硅太阳能电池;2、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池;3、功能高分子材料制备的大阳能电池;4、纳米晶太阳能电池等。 一、硅太阳能电池 1.硅太阳能电池工作原理与结构 太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,一般的半导体主要结构如下: 图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。 当硅晶体中掺入其他的杂质,如硼、磷等,当掺入硼时,硅晶体中就会存在着一个空穴,它的形成可以参照下图: 图中,正电荷表示硅原子,负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。

同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N (negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。 N型半导体中含有较多的空穴,而P型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。 当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导 体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层),界面的P型 一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多 空穴,N型半导体多自由电子,出现了浓度差。N区的 电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区,一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结。 当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P型区移动,而P型区中的电子往N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差,这就形成了电源。(如下图所示)

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