代替型号
E3F/E3F2/E3F3停产替代
2011年9月生产终了商品
2013年1月作成
注意事项：
外形尺寸不一样，E3JK系列是方形的；E3F是圆柱形的
检测距离不一样
输出方式不一样，E3JK是继电器输出；E3F是晶体管输出
E3FA回归反射型不自带反射板，需要另配
E3FA对射型不能配狭缝
部分型号外壳材质不一样
停产型号与推荐替代型号：
停产型号替代型号
E3F-3B4 E3FA-TP11
E3F-3C4 E3FA-TN11
E3F-3Z1 E3JK-5M1-N
E3F-3Z2 E3JK-5M2-N
E3F-R2B4 E3FA-RP11
E3F-R2C4 E3FA-RN11
E3F-R2Z1 E3JK-R2M1
E3F-R2Z2 E3JK-R2M2
E3F-DS10B4 E3FA-DP11
E3F-DS10C4 E3FA-DN11
E3F-DS10Z1 E3JK-DS30M1
E3F-DS10Z2 E3JK-DS30M2
E3F2-7B4
E3F2-7B4-M
E3FA-TP11 E3F2-7B4-C
E3F2-7B4-S
E3F2-7B4-P1
E3F2-7B4-M1-M
E3FA-TP21 E3F2-7B4-M1-C
E3F2-7B4-M1-S
E3F2-7C4
E3FA-TN11 E3F2-7C4-M
E3F2-7C4-C
E3F2-7C4-S
E3F2-7C4-P1
E3F2-7C4-M1-M
E3FA-TN21 E3F2-7C4-M1-C
E3F2-7C4-M1-S
E3F2-R4B4-E E3FA-RP11
E3F2-R4B4-P1-E E3FA-RP21
E3F2-R4C4-E E3FA-RN11
E3F2-R4C4-P1-E E3FA-RN21
E3F2-R2B4
E3FA-RP11 E3F2-R2B4-E
E3F2-R2B4-P1-E E3FA-RP21
E3F2-R2C4-E E3FA-RN11
E3F2-R2C4-P1-E E3FA-RN21 E3F2-DS10B4-N E3FA-DP11 E3F2-DS10B4-P1 E3FA-DP21 E3F2-DS10C4-N E3FA-DN11 E3F2-DS10C4-P1 E3FA-DN21 E3F2-DS30B4 E3FA-DP12 E3F2-DS30B4-P1 E3FA-DP22 E3F2-DS30C4 E3FA-DN12 E3F2-DS30C4-P1 E3FA-DN22 E3F2-D1B4 E3FA-DP13 E3F2-D1B4-P1 E3FA-DP23 E3F2-D1C4 E3FA-DN13 E3F2-D1C4-P1 E3FA-DN23 E3F2-LS10B4 E3FA-LP11 E3F2-LS10B4-P1 E3FA-LP21
E3F2-LS10C4 E3FA-LN11
E3F2-LS10C4-P1 E3FA-LN21 E3F2-R4B41-E E3RA-RP11 E3F2-R4B41-P1-E E3RA-RP21 E3F2-R4C41-E E3RA-RN11 E3F2-R4C41-P1-E E3RA-RN21 E3F2-DS30B41 E3RA-DP12 E3F2-DS30B41-P1 E3RA-DP22 E3F2-DS30C41 E3RA-DN12 E3F2-DS30C41-P1 E3RA-DN22
E3F3-T11
E3FA-TN11 E3F3-T61
E3F3-T16
E3FA-TN21 E3F3-T66
E3F3-T31 E3FA-TP11
E3F3-T81
E3F3-T36
E3FA-TP21 E3F3-T86
E3F3-R11
E3FA-RN11 E3F3-R61
E3F3-R16
E3FA-RN21 E3F3-R66
E3F3-R31
E3FA-RP11 E3F3-R81
E3F3-R36
E3FA-RP21 E3F3-R86
E3F3-R12
E3FA-RN11 E3F3-R62
E3F3-R17 E3FA-RN21
E3F3-R67
E3F3-R32
E3FA-RP11 E3F3-R82
E3F3-R37
E3FA-RP21 E3F3-R87
E3F3-D11
E3FA-DN11 E3F3-D13
E3F3-D16
E3FA-DN21 E3F3-D66
E3F3-D31
E3FA-DP11 E3F3-D81
E3F3-D36
E3FA-DP21 E3F3-D86
E3F3-D12
E3FA-DN12 E3F3-D62
E3F3-D17
E3FA-DN22 E3F3-D67
E3F3-D32
E3FA-DP12 E3F3-D82
E3F3-D37
E3FA-DP22 E3F3-D87
新品替代如下
E3F2 E3FA
E3F2-7B4 2M E3FA-TP11 2M
E3F2-7B4-P1 E3FA-TP21
E3F2-7C4 2M E3FA-TN11 2M
E3F2-7C4-P1 E3FA-RN21
E3F2-R4B4-E 2M E3FA-RP11 2M
E3F2-R4B4-P1-E E3FA-RP21
E3F2-R4C4-E 2M E3FA-RN11 2M
E3F2-R4C4-P1-E E3FA-RN21
E3F2-R2B4-E 2M E3FA-RP11 2M
E3F2-R2B4-P1-E E3FA-RP21
E3F2-R2C4-E 2M E3FA-RN11 2M
E3F2-R2C4-P1-E E3FA-RN21
E3F2-DS10B4-N 2ME3FA-DP11 2M
E3F2-DS10B4-P1 E3FA-DP21
E3F2-DS10C4-N 2ME3FA-DN11 2M
E3F2-DS10C4-P1 E3FA-DN21
E3F2-DS30B4 2M E3FA-DP12 2M
E3F2-DS30B4-P1 E3FA-DP22
E3F2-DS30C4 2M E3FA-DN12 2M
E3F2-DS30C4-P1 E3FA-DN22
E3F2-D1B4 2M E3FA-DP13 2M
E3F2-D1B4-P1 E3FA-DP23
E3F2-D1C4 2M E3FA-DN13 2M
E3F2-D1C4-P1 E3FA-DN23
E3F2-LS10B4 2M E3FA-LP11 2M
E3F2-LS10B4-P1 2ME3FA-LP21
E3F2-LS10C4 2M E3FA-LN11 2M
E3F2-LS10C4-P1 2ME3FA-LN21
E3F2-R4B41-E 2M E3RA-RP11 2M E3F2-R4B41-P1-E E3RA-RP21
E3F2-R4C41-E 2M E3RA-RN11 2M E3F2-R4C41-P1-E E3RA-RN21
E3F2-DS30B41 2M E3RA-DP12 2M E3F2-DS30B41-P1 E3RA-DP22
E3F2-DS30C41 2M E3RA-DN12 2M E3F2-DS30C41-P1 E3RA-DN22
E3F2-7B4-M 2M E3FB-TP11 2M
E3F2-7B4-M1-M E3FB-TP21
E3F2-7C4-M 2M E3FB-TN11 2M
E3F2-7C4-M1-M E3FB-RN21
E3F2-R4B4-M-E 2M E3FB-RP11 2M E3F2-R4B4-M1-M-E E3FB-RP21
E3F2-R4C4-M-E 2M E3FB-RN11 2M E3F2-R4C4-M1-M-E E3FB-RN21
E3F2-R2B4-M-E 2M E3FB-RP11 2M E3F2-R2B4-M1-M-E E3FB-RP21
E3F2-R2C4-M-E 2M E3FB-RN11 2M E3F2-R2C4-M1-M-E E3FB-RN21
E3F2-DS10B4-M 2M E3FB-DP11 2M E3F2-DS10B4-M1-M E3FB-DP21
E3F2-DS10C4-M 2M E3FB-DN11 2M E3F2-DS10C4-M1-M E3FB-DN21
E3F2-DS30B4-M 2M E3FB-DP12 2M E3F2-DS30B4-M1-M E3FB-DP22
E3F2-DS30C4-M 2M E3FB-DN12 2M E3F2-DS30C4-M1-M E3FB-DN22
===================
E3F3 E3FA
E3F3-T11 2M E3FA-TN11 2M
E3F3-T61 2M
E3F3-T16 E3FA-TN21
E3F3-T66
E3F3-T31 2M E3FA-TP11 2M
E3F3-T81 2M
E3F3-T36 E3FA-TP21
E3F3-T86
E3F3-R11 2M E3FA-RN11 2M E3F3-R61 2M
E3F3-R16 E3FA-RN21
E3F3-R66
E3F3-R31 2M E3FA-RP11 2M E3F3-R81 2M
E3F3-R36 E3FA-RP21
E3F3-R86
E3F3-R12 2M E3FA-RN11 2M E3F3-R62 2M
E3F3-R17 E3FA-RN21
E3F3-R67
E3F3-R32 2M E3FA-RP11 2M E3F3-R82 2M
E3F3-R37 E3FA-RP21
E3F3-R87
E3F3-D11 2M E3FA-DN11 2M E3F3-D13 2M
E3F3-D61 2M
E3F3-D16 E3FA-DN21
E3F3-D66
E3F3-D31 2M E3FA-DP11 2M E3F3-D81 2M
E3F3-D36 E3FA-DP21
E3F3-D86
E3F3-D12 2M E3FA-DN12 2M E3F3-D62 2M
E3F3-D17 E3FA-DN22
E3F3-D67
E3F3-D32 2M E3FA-DP12 2M E3F3-D82 2M
E3F3-D37 E3FA-DP22
E3F3-D87
E3F3-T11M 2M E3FB-TN11 2M E3F3-T61M 2M
E3F3-T16M E3FB-TN21
E3F3-T66M
E3F3-T31M 2M E3FB-TP11 2M E3F3-T81M 2M
E3F3-T36M E3FB-TP21
E3F3-T86M
E3F3-R11M 2M E3FB-RN11 2M
E3F3-R61M 2M
E3F3-R16M E3FB-RN21
E3F3-R66M
E3F3-R31M 2M E3FB-RP11 2M E3F3-R81M 2M
E3F3-R36M E3FB-RP21
E3F3-R86M
E3F3-R12M 2M E3FB-RN11 2M E3F3-R62M 2M
E3F3-R17M E3FB-RN21
E3F3-R67M
E3F3-R32M 2M E3FB-RP11 2M E3F3-R82M 2M
E3F3-R37M E3FB-RP21
E3F3-R87M
E3F3-D11M 2M E3FB-DN11 2M E3F3-D61M 2M
E3F3-D16M E3FB-DN21
E3F3-D66M
E3F3-D31M 2M E3FB-DP11 2M E3F3-D81M 2M
E3F3-D36M E3FB-DP21
E3F3-D86M
E3F3-D12M 2M E3FB-DN12 2M E3F3-D62M 2M
E3F3-D17M E3FB-DN22
E3F3-D67M
E3F3-D32M 2M E3FB-DP12 2M E3F3-D82M 2M
E3F3-D37M E3FB-DP22
E3F3-D87M
常见大中功率管三极管参数(精)
常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN
场效应管的选型及应用概览
场效应管的选型及应用概览 场效应管广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动；其次场效应管的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外场效应管没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。 近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用场效应管产品的行业在近几年来得到了快速的发展，功率场效应管更是备受关注。据预测，2010-2015年中国功率MOSFET市场的总体复合年度增长率将达到13.7%。虽然市场研究公司 iSuppli 表示由于宏观的投资和经济政策和日本地震带来的晶圆与原材料供应问题，今年的功率场效应管市场会放缓，但消费电子和数据处理的需求依然旺盛，因此长期来看，功率场效应管的增长还是会持续一段相当长的时间。 技术一直在进步，功率场效应管市场逐渐受到了新技术的挑战。例如，业内有不少公司已经开始研发GaN功率器件，并且断言硅功率场效应管的性能可提升的空间已经非常有限。不过，GaN 对功率场效应管市场的挑战还处于非常初期的阶段，场效应管在技术成熟度、供应量等方面仍然占据明显的优势，经过三十多年的发展，场效应管市场也不会轻易被新技术迅速替代。 五年甚至更长的时间内，场效应管仍会占据主导的位置。场效应管也仍将是众多刚入行的工程师都会接触到的器件，本期内容将会从基础开始，探讨场效应管的一些基础知识，包括选型、关键参数的介绍、系统和散热的考虑等为大家做一些介绍。 一.场效应管的基础选型 场效应管有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚场效应管的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的场效应管。 1）沟道的选择。为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中，当一个场效应管接地，而负载连接到干线电压上时，该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道场效应管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管，这也是出于对电压驱动的考虑。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常用国内外材料的标准及牌号对照
一. 常用国内外紧固件材料的标准及牌号对照 表<-> 钢中国GB 美国ASTM 德国DIN 日本工业JIS 英国BS 种标准种类代号标准种类代号标准种类代号牌号标准种类代号标准种类代号A194 Gr.1 Gr.2 GB669 45 Gr.2H G4051 S43C 4882 Gr.2H S45C Gr.2HM GB669 35 A307 Gr.A G3101 SS4l 5708 SS41 碳 素GB669 20 Gr．B G4051 S20C 1769 钢GB669 25 S25C GB669 30 A325 1 型1654 Cq85 1.1172 CG4051 S33C 8189 2 型 3A型 3B型 3C型 3D型 3E型 3F 型 YB6 1Cr5Mo A193 Gr．B5 G4107 SNB5 Gr．B6 GBl220 1Crl3 Gr．B6X 17440 X15Crl3 1.4024 4882 Gr．B6 GB307735CrMOA A193 Gr．B7 17200 42CrMo4 1.7225 G4107 SNB7 4882 Gr．B7 合 金 Gr．B7M 钢 和 YB6 15CrM01V Gr．B16 17240 21CrMoV57 1.7709 SNBl6 Gr．B16 不 GBl220 0Crl8Ni9 GL B8 17440 X5CrNi189 1.4301 G4303 SUS-304 GL.B8 锈 钢 Gr．B8A GBl220 1Crl8NillNb Gr．B8C X10CrNiNbl89 1.4550 SUS-347 Gr.B8C Gr．B8CA GBl220 0C17Nil2M02 Gr．B8M X5CrNiMo1810 l.4401 SUS-316 Gr.B8M Gr．B8MA Gr．B8N Gr.B8NA
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。 （3）、特别是上纪70 年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
型号对照表
TYCO P&B 620V23134VF4CB G8JN AZ973/972 792H HFV4FRC1RLP 621VF4CB 896 HVF7A FRC2RLE 622V23134/V23136VF7G8JR AZ9801897HFV7FRC3RLAC 623V23073/V23074VFM CM G8HN AZ988871 HFV6FRC7MRIR 625V23072 VKM AZ975/976 HFKM /HFKS FRA3MRC/MRI /MRD 626JSM G8U FRS10M 627V23133/V23076VKP G8PE FBL-274 AZ9701/9711 822E HFKP FRA2MRC/MRI 628 T72M T72M JJM/CQ G8QN FBR51/52AZ9471 895 HFKW FRS12M 5601 0 335 200 0040 335 200 0220 335 200 0240 335 200 0270 335 200 0520 335 200 0750 335 200 079 0 744 12 54 201 00154 201 10154 203 0014DB 002 895 0234DB 003 750 1014DB 003 750 1514DB 003 750 181 56020 744 38 M9E HW 547SFB 163WFL 6 GFU 2141GFU 2214 58920 5603M10C HW 550 LIGHTENPOINT FL 6 5604 07 44 13 4DB 003 750 0184DB 003 750 0814DB 003 750 171M11 HW 558 SFB 161 WFL 9 GFU 2213 5605 0 335 200 0410 335 200 080 07 44 6254 201 003 4DM 001899 0014DM 001899 0414DM 003360 004DM 003390 004DM 003390 011 M504 SFB 164 LIGHTENPOINT FL 16 560607 44 36 54 201 10854 204 002 M505 HW 566SFB 165 WFL 9 5608 M9C HW 551 LIGHTENPOINT FL 16 WIPAC UNIPART INTER MOTOR BOSCH DURITE VALEO FISTER MICROHORSE WEHRLE HELLA NAGARES FUJITSU TYCO GROUP NAIS OMRON LUCAS MICROHORSE HONGFA FIC ZETTLER SONG CHUAN Competitors Cross Reference / Lista de Competidores
IRF系列场效应管参数
IRF系列场效应管参数明细 型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
替代型号
替代型号产品型号 1N5817ZHCS750-1N5818ZHCS750-1N5818M ZHCS750-1N5819ZHCS750-1N5820ZHCS750-1N5821ZHCS750-1N5822ZHCS750-1SV215ZMV832B-1SV228ZDC833A-1SV230ZMV831B-1SV231ZMV834B-1SV262ZMV833B-1SV270ZMV830B-1SV276ZMV830B-1SV279ZV831BV2-1SV281ZMV830B-1SV284ZMV830B-1SV286ZV831BV2-1SV322ZMV932-1SV323ZV932V2-1SV324ZMV933A-1SV325ZV933V2-1SV331ZV931V2-2N6720ZTX655-2N6721ZTX657-2N6724ZTX601-2N6725ZTX601-2N6728ZTX553-2N6729ZTX553-2N6730ZTX753-2N6731ZTX653-2N6732ZTX753-2N7001ZVN3320F-2N70022N7002-2N7007ZVN3320A-2N7008ZVN3306A-2N7019ZVP3306F-2N7025ZVP3306A-2N7026ZVP3306F-2PD1424FCX718-2PD1424ZXTP25020DFH-2PD2150FCX619-2PD2150ZXTN25060BZ-2PD2150ZXTN25060BFH-2SA1013ZTX755-2SA1036K FMMT589-
2SA1069A ZTX953-2SA1069A ZTX955-2SA1069A ZXTP2012A-2SA1182FMMT589-2SA1182ZXTP2039F-2SA1200FCX596-2SA1201FCX593-2SA1201ZXTP25100BFH-2SA1201FCX555-2SA1202FCX593-2SA1202ZXTP25100BFH-2SA1203FCX589-2SA1204FCX589-2SA1255FMMT596-2SA1298FMMT589-2SA1300FCX717-2SA1313ZXTP2039F-2SA1314-2SA1358ZTX755-2SA1362FMMT549A-2SA1384FCX558-2SA1408ZTX755-2SA1450ZTX553-2SA1515S ZTX549-2SA1577ZUMT591-2SA1585S ZTX718-2SA1690FCX558-2SA1690ZXTP08400BFF-2SA1701ZTX549-2SA1704ZTX749-2SA1705ZTX751-2SA1706ZTX751-2SA1707ZTX751-2SA1708ZTX751-2SA1709ZTX751-2SA1734FCX589-2SA1735FCX591-2SA1736FCX790A-2SA1736ZXTP07040DFF-2SA1740FCX558-2SA1740ZXTP08400BFF-2SA1753FMMT589-2SA1753FMMT549-2SA1759FCX558-2SA1759ZXTP08400BFF-2SA1776ZTX758-2SA1776ZXTP08400BFF-
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
与国内外同类产品的对比分析
与国内外同类产品的对比分析 一：该项技术的概述及国内外发展概述 （1）、医用压敏胶、远红外陶瓷微粉共同组成的。是集光学、热学、医疗技术于一体的完美结合。当它吸收到皮肤的热能后，释放出8-15微米的远红外光线，与人体的细胞原子和水分子振动频率一致，从而活化人体组织细胞，快速透皮，作用于患处，阻断制痛介质合成。经数千家专科医院近千例临床病例验证表明：它既避免了内服药物的毒副作用，又克服了普通外用药贴透皮困难的缺陷，具有持续释放能量的功效，高效安全。它可以迅速止痛，缓解痉挛，消炎消肿，改善血液循环，加强代谢作用，增强肌体细胞活力，提高了人体的代谢功能，成功的实现了真正的内痛外治。 （2）、远红外贴最早起源于中国，在我国的应用由来已久，而其疗效也颇受认同。其悠久的传统文化内涵和文明承载在很大程度上影响着消费者的选购心理。后流传到韩国、日本等亚洲其他国家，目前部分发达国家也在逐步使用远红外磁疗贴。远红外贴为也叫“透皮吸收剂”属于膏药的一种，它是由药材提取物、远红外陶瓷粉、与橡胶等基质混匀后，涂布于布上的外用制剂。相对于口服和注射两大用药方式来说，吸收剂可直接作用于病患处，不仅药效迅速而且降低了不良反应。
（3）、特别是上纪70年代中期，美国首先提出透皮控释给药（TDDS）治疗方案并制成东莨菪贴片以来，透皮给药系统不断完善并得到了迅猛的发展。在国际上透皮吸收剂是先进用药方式的代表。我国的膏药可以说是传统的“透皮吸收剂”，把膏药的传统特色与世界先进给药方式联系起来。随着传统医药和现代医学的进一步结合与推进，远红外贴被挖掘出越来越多的新用途，如降压、减肥、避孕、治疗流感、助眠、治疗糖尿病、退热等，而且随着对传统医药与现代医学的发展和人们对远红外贴的认识会进一步加强。 （4）、据统计1999年，全球透皮控释制剂市场的销售额约为11亿美元，2005年达到127亿美元，2010年达到800亿～1000亿美元。美国医药界认为，今后5～10年内，有1/3的现用药将采用透皮吸收制剂。药物透皮吸收给药系统是药剂学中一个新领域，自1981年世界上第一个TTS（透皮制剂）产品----东莨菪碱由美国Alza公司推入美国市场以来，受到广大医生和患者的青睐，国际上竞相研制生产TTS产品。据统计，目前透皮制剂用于激素替代治疗（治疗绝经期综合征、骨质疏松症和性腺机能减退）、心血管疾病（高血压和心绞痛）和中枢神经系统疾病（戒烟、晕动病和疼痛／炎症）。 （5）、截至2004年，美国已有超过35个药物透皮制剂上市。2005年，美国20％以上的制药企业已经开始生产TTS。在众多企业的参与
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一
只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料
场效应管分类 型号 简介 封装常用三极管型号及参数(1) DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应 MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应 MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应 MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应 MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应 MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应 MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应 MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应 MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应 MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应
常用场效应管参数.doc
常用场效应管参数
常用全系列场效应管MOS 管型号参数封装资料(2008-05-17 13:21:38) 转载 标签：分类：电气知识 mos（和谐社会） 场效应管 开关管 型号 参数 封装 it 场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A100V,14A TO-220
MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220