半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

作者：屠海令

作者机构：北京有色金屑研究总院半导体材料国家工程研究中心,北京,100088来源：上海金属

ISSN：1001-7208

年：2008

卷：030

期：005

页码：1-7

页数：7

中图分类：TN3

正文语种：chi

关键词：大直径硅单晶;硅基材料;缺陷;杂质

摘要：叙述了大直径硅单晶生长,计算机数值模拟以及绝缘体上硅(SOI)、锗硅(SiGe)和应变硅等硅基材料的研究进展,讨论了硅中缺陷演化、杂质特性、缺陷工程和表面与界面质量控制,展望了后摩尔时代半导体硅及硅基材料的发展前景.