新型印刷线路板蚀刻液添加剂的研究

线路板工艺流程

电路板工艺流程 一．目的： 将大片板料切割成各种要求规格的小块板料。 二．工艺流程： 三、设备及作用： 1．自动开料机：将大料切割开成各种细料。 2．磨圆角机：将板角尘端都磨圆。 3．洗板机：将板机上的粉尘杂质洗干净并风干。 4．焗炉：炉板，提高板料稳定性。 5．字唛机；在板边打字唛作标记。 四、操作规范： 1．自动开料机开机前检查设定尺寸，防止开错料。 2．内层板开料后要注意加标记分别横直料，切勿混乱。 3．搬运板需戴手套，小心轻放，防止擦花板面。 4．洗板后须留意板面有无水渍，禁止带水渍焗板，防止氧化。 5．焗炉开机前检查温度设定值。 五、安全与环保注意事项： 1．1．开料机开机时，手勿伸进机内。 2．2．纸皮等易燃品勿放在焗炉旁，防止火灾。 3．3．焗炉温度设定严禁超规定值。 4．4．从焗炉内取板须戴石棉手套，并须等板冷却后才可取板。5．5．用废的物料严格按MEI001规定的方法处理，防止污染环境。

七、切板 1. 设备：手动切板机、铣靶机、CCD打孔机、锣机、磨边机、字唛机、测厚仪； 2. 作用：层压板外形加工，初步成形； 3. 流程： 拆板→点点画线→切大板→铣铜皮→打孔→锣边成形→磨 边→打字唛→测板厚 4. 注意事项： a. 切大板切斜边； b.铣铜皮进单元； c. CCD打歪孔； d. 板面刮花。 八、环保注意事项： 1、生产中产生的各种废边料如P片、铜箔由生产部收集回仓； 2、内层成形的锣板粉、PL机的钻屑、废边框等由生产部收回仓变卖； 3、其它各种废弃物如皱纹胶纸、废粘尘纸、废布碎等放入垃圾桶内由清洁工收走。废手套、废口罩等由生产部回仓。 4、磨钢板拉所产生的废水不能直接排放，要通过废水排放管道排至废水部经其无害处理后方可排出。 钻孔 一、目的： 在线路板上钻通孔或盲孔，以建立层与层之间的通道。 二、工艺流程： 1．双面板：

蚀刻用腐蚀液与配方比例

蚀刻用腐蚀液与配方比 例 Document number：WTWYT-WYWY-BTGTT-YTTYU-2018GT

刻蚀基础（转载） 湿式蚀刻技术 最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿式蚀刻过程为等向性，一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽，但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术。 湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比等优点。但相对于干式蚀刻，除了无法定义较细的线宽外，湿式蚀刻仍有以下的缺点：1)需花费较高成本的反应溶液及去离子水；2)化学药品处理时人员所遭遇的安全问题；3)光阻附着性问题；4)气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻；5)废气及潜在的爆炸性。 湿式蚀刻过程可分为三个步骤：1)化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2)蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3)反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行最慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。

大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。 湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。 除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印步骤简单，因此常被使用。但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。边缘剥离乃由于蚀刻溶液的侵蚀，造成光阻与基材间的黏着性变差所致。解决的方法则可使用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane(HMDS)。龟裂则是因为光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可利用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。 蚀刻化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。

PCB外层电路的蚀刻工艺

PCB外层电路的蚀刻工艺 关于蚀刻状态不相同的问题 大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分, 而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的, 因胶状板结物堆积在铜表面上﹐一方面会影响喷射力﹐另一方面会阻档了新鲜蚀刻液的补充﹐使蚀刻的速度被降低。正因胶状板结物的形成和堆积, 使得基板上下面的图形的蚀刻程度不同, 先进入的基板因堆积尚未形成﹐蚀刻速度较快, 故容易被彻底地蚀刻或造成过腐蚀﹐而后进入的基板因堆积已形成﹐而减慢了蚀刻的速度。 蚀刻设备的维护 维护蚀刻设备的最关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物, 使喷嘴能畅顺地喷射。阻塞物或结渣会使喷射时产生压力作用, 冲击板面。而喷嘴不清洁﹐则会造成蚀刻不均匀而使整块电路板报废。 明显地﹐设备的维护就是更换破损件和磨损件﹐因喷嘴同样存在着磨损的问题, 所以更换时应包括喷嘴。此外﹐更为关键的问题是要保持蚀刻机没有结渣﹐因很多时结渣堆积过多会对蚀刻液的化学平衡产生影响。同样地﹐如果蚀刻液出现化学不平衡﹐结渣的情况就会愈加严重。蚀刻液突然出现大量结渣时﹐通常是一个信号﹐表示溶液的平衡出现了问题, 这时应使用较强的盐酸作适当的清洁或对溶液进行补加。 另外, 残膜也会产生结渣物。极少量的残膜溶于蚀刻液中﹐形成铜盐沈淀。这表示前道去膜工序做得不彻底, 去膜不良往往是边缘膜与过电镀共同造成的结果。 蚀刻过程中应注意的问题

1.减少侧蚀和突沿﹐提高蚀刻系数 侧蚀会产生突沿。通常印制板在蚀刻液中的时间越长, 侧蚀的情况越严重。侧蚀将严重影响印制导线的精度﹐严重的侧蚀将不可能制作精细导线。当侧蚀和突沿降低时﹐蚀刻系数就会升高﹐高蚀刻系数表示有保持细导线的能力﹐使蚀刻后的导线能接近原图尺寸。无论是锡-铅合金﹐锡﹐锡-镍合金或镍的电镀蚀刻剂, 突沿过度时都会造成导线短路。因为突沿容易撕裂下来﹐在导线的两点之间形成电的拆接。 影响侧蚀的因素有很多﹐下面将概述几点﹕ 蚀刻方式﹕??? 浸泡和鼓泡式蚀刻会造成较大的侧蚀﹐泼溅和喷淋式蚀刻的侧蚀较小﹐尤以喷淋蚀刻的效果最好。 蚀刻液的种类﹕ 不同的蚀刻液, 其化学组分不相同﹐蚀刻速率就不一样﹐蚀刻系数也不一样。 例如﹕酸性氯化铜蚀刻液的蚀刻系数通常为3﹐而碱性氯化铜蚀刻系数可达到4。 蚀刻速率﹕??? 蚀刻速率慢会造成严重侧蚀。提高蚀刻质量与加快蚀刻速率有很大的关系, 蚀刻速度越快, 基板在蚀刻中停留的时间越短﹐侧蚀量将越小﹐蚀刻出的图形会更清晰整齐。 蚀刻液的PH值﹕ 碱性蚀刻液的PH值较高时﹐侧蚀会增大。为了减少侧蚀﹐PH值一般应控制在以下。

电路板的刻蚀及废液的处理

电路板的刻蚀及废液的处理 （浸泡时间对结果的影响） 【实验目的】 1.了解刻蚀及酸性、碱性刻蚀的原理。 2.用绿色化学理念处理产物。 3.掌握电路板化学刻蚀的方法、练习基本操作。 一、实验原理 用胶带或腊做保护层将整个铜板都包上，然后将要刻蚀处的保护膜除去，使待腐蚀的部分暴露于空气中，未受保护的铜片与腐蚀液发生反应。其原理是利用双氧水在酸性介质中为强氧化剂，可以把Cu氧化为Cu2+离子。而H2O2本身则被还原为H2O。 反应如下：H2O2+2HCl+Cu=CuCl2+2H2O 二、实验内容 【探究：浸泡时间的比较】 1．进行讨论，设定不同成员所浸泡的时间 2.首先进行预处理，用砂纸对铜片进行打磨，并保持各组打磨程度相同；在将打磨后的铜片全部放到氢氧化钠溶液中加热碱洗，一段时间后取出并用蒸馏水清洗，擦干。 3.把铜片分发到各小组，用石蜡对铜板的覆盖处理，再覆盖完成后用小刀在表面将保护膜除去，待腐蚀的部分暴露于空气中。 4.将含腐蚀液烧杯放置在通风橱中，把铜片放置在烧杯中让其充分反应，到达自己预定时间后取出铜片，用清水冲洗铜片，擦干后即实验完成了。 三、结果与分析 我做的是浸泡20min的实验，结果可以明显的看到刻蚀的现象。 实验还可以发现，我分别做了用石蜡和用胶布包裹的效果，发现用胶布的效果比用石蜡的效果要好很多，刻蚀出来的字要清除的很多。 小组讨论：

组别1组（浸泡 5min）2组（浸泡 10min） 3组（浸泡 15min） 4组（浸泡 20min） 5组（浸泡 25min） 6组（浸泡 30min） 实验现象 初步分析由于浸泡时 间太短，无明 显现象 看到模糊的 “爱心”图 样，刻蚀的效 果还可以 这张铜片的 刻蚀效果最 佳 刻蚀效果较 好，字样很清 晰 “寒”清晰可 见，刻蚀效果 显著 铜片上字样 清晰，刻蚀效 果显著 结果分析：经实验结果可以得到，在讨论刻蚀的实践的比较时，浸泡五分钟的那组无什么现象，实验失败，分析原因是浸泡时间太短，来不及反应。以后的每组依次现象更加明显，浸泡10min的铜片虽然不是很明显的看出刻蚀的效果，但是还是可以看出效果，浸泡15min 以后现象基本没什么区别，都差不多，现象都能明显看见，所以15min-20min浸泡时间为宜。 五、注意事项 1.铜表面一定要处理干净； 2.刻蚀时应在通风橱中进行； 3.过氧化氢具有强腐蚀性，不要滴手上； 4.取用铜片时要用镊子。 5.在反应中会发生2H2O2+Cu+4HCl=CuCl2+Cl2↑+4H2O 6.该反应会产生污染性气体，所以最好带好口罩，防止身体损伤。 此腐蚀液反应速度极快，应按比例要求掌握，如比例过于不当会引起沸腾以至液水溢出盘外。另外在反应时还有少量的氯气放出，所以最好在通风处进行操作。

SUS304不锈钢蚀刻工艺说明

銘瑞通SUS304不锈钢蚀刻工艺说明 Designer:张辉亭 DATE:2014/9/17

SUS304不锈钢蚀刻背胶工艺流程 清洗清洗 开料预烤曝光显影检验蚀刻脱模清洗烘干检验 贴胶压合拆废料检验包装出货

开料 1.开料前检验钢片原材料有无擦花、刮伤、折角、并弯折钢片有无弹性，以检验钢片韧性及硬度是否合格. 2.用卡尺测量钢片厚度，看是否与流转单上所要求厚度一致. 3.开料尺寸公差控制在±1mm内，要求在裁切时需一次裁断，裁切后钢片边缘不能有卷边，毛刺等现象. 4.开料时需戴厚棉手套操作，避免被钢片边缘割伤. 5.开料钢片时规定专用剪床开料，每次开料前后对剪床各部件加以擦拭，打油，每2个月对剪床刀口进行一次抛光.

清洗 1.钢片来料如有油渍，污垢等不良，需浸泡浓度10﹪碱性除油剂30min 2.双面磨板，速度2.0m/min 厚度0.1-0.15mm，磨刷压力2.5-2.7A，厚度为0.2-0.25mm磨刷压力2.3-2.5A， 烘干温度85±3℃ 3.清洗时不能过酸性除油，微蚀等一切呈酸性物质

涂布 固化 1.用湿膜丝印，湿膜不可以加开油水，保证湿膜丝印性能，油墨不可过期使用 2.采用双面涂布机涂布,用猪笼架插架避免板面划伤。 3.丝印后静止10min,方可烘烤,烘烤第一面80℃ 20min, 4.注意插架时避免擦花油墨,涂布时不可污染钢片表面,注意台面清洁,不能用洗网水清洁台面,台面不能贴任何胶带和异物导致蚀刻后造成板面凹坑不良。

曝光 1.曝光前先检查菲林版本或型号有无出错,如有异形钢片菲林(单PCS过大或者拼板不规则)通知工程确认 2.对底片时对准菲林四周阴阳盘夹边,烫底片时至少保证烫点离阴阳焊盘至少5mm 3.夹边时夹条需采用与生产钢片相等厚度的FR4或PET夹边.如菲林是生产0.2mm的钢片就用0.2mm的FR4或PET夹边 4.生产时每生产5PNL必须检查一次菲林,查看菲林四周阴阳PAD有无透光偏位，菲林有无擦花 5.曝光擦气时需真空延时5秒后才可擦气，以防止曝光不良，曝光能量设定为8-9格

碱性氯化铜蚀刻液原理及基础配方

碱性氯化铜蚀刻液 1.特性 1)适用于图形电镀金属抗蚀层，如镀覆金、镍、锡铅合金，锡镍合金及锡的印制板的蚀刻。 2)蚀刻速率快，侧蚀小，溶铜能力高，蚀刻速率容易控制。 3)蚀刻液可以连续再生循环使用，成本低。 2.蚀刻过程中的主要化学反应 在氯化铜溶液中加入氨水，发生络合反应： CuCl 2＋4NH 3 →Cu(NH 3 ) 4 Cl 2 在蚀刻过程中，板面上的铜被[Cu(NH 3) 4 ]2+络离子氧化，其蚀刻反应如下： Cu(NH 3) 4 Cl 2 ＋Cu →2Cu(NH 3 ) 2 Cl 所生成的[Cu(NH 3) 2 ]1+为Cu1+的络离子，不具有蚀刻能力。在有过量NH 3 和Cl-的情 况下，能很快地被空气中的O 2所氧化，生成具有蚀刻能力的[Cu(NH 3 ) 4 ]2+络离子， 其再生反应如下： 2Cu(NH 3) 2 Cl＋2NH 4 Cl＋2NH 3 ＋1/2 O 2 →2Cu(NH 3 ) 4 Cl 2 ＋H 2 O 从上述反应可看出，每蚀刻1克分子铜需要消耗2克分子氨和2克分子氯化铵。因此，在蚀刻过程中，随着铜的溶解，应不断补加氨水和氯化铵。 应用碱性蚀刻液进行蚀刻的典型工艺流程如下： 镀覆金属抗蚀层的印制板(金、镍、锡铅、锡、锡镍等镀层) →去膜→水洗→吹干→检查修板→碱性蚀刻→用不含Cu2+的补加液二次蚀刻→水洗→检查→浸亮(可选择) →水洗→吹干 3. 蚀刻液配方 蚀刻液配方有多种，1979年版的印制电路手册(Printed Circuits Handbook)中介绍的配方见表10－4。 表10－4 国外介绍的碱性蚀刻液配方

国内目前大多采用下列配方： CuCl 2·2H 2 O 100～150g/l 、NH 4 Cl 100g/l 、NH 3 ·H 2 O 670～700ml/1 2 配制后溶液PH值在9.6左右。溶液中各组份的作用如下： NH 3·H 2 O的作用是作为络合剂，使铜保持在溶液里。 NH 4 Cl的作用是能提高蚀刻速率、溶铜能力和溶液的稳定性。 (NH4) 3PO 4 的作用是能保持抗蚀镀层及孔内清洁。 4.影响蚀刻速率的因素 蚀刻液中的Cu2+的浓度、PH值、氯化铵浓度以及蚀刻液的温度对蚀刻速率均有影响。掌握这些因素的影响才能控制溶液，使之始终保持恒定的最佳蚀刻状态，从而得到好的蚀刻质量。 Cu2+浓度的影响 因为Cu2+是氧化剂，所以Cu2+的浓度是影响蚀刻速率的主要因素。研究铜浓度与蚀刻速率的关系表明：在0－11盎司/加仑时，蚀刻时间长；在11－16盎司/加仑时，蚀刻速率较低，且溶液控制困难；在18－22盎司/加仑时，蚀刻速率高且溶液稳定；在22－30盎司/加仑时，溶液不稳定，趋向于产生沉淀。 注：1加仑（美制）=3.785升 1盎司= 28.35克1盎司/加仑=28.35/3.785=7.5G/1

线路板生产工艺流程

线路板生产流程(一) 多种不同工艺的PCB 流程简介 *单面板工艺流程 下料磨边T钻孔T外层图形T(全板镀金)7蚀刻T检验T丝印阻焊T (热风整平)7丝印 字符T外形加工T测试T检验 *双面板喷锡板工艺流程 下料磨边7钻孔7沉铜加厚7外层图形7镀锡、蚀刻退锡7二次钻孔7检验7丝印阻焊7镀金插头7热风整平7丝印字符7外形加工7测试7检验 *双面板镀镍金工艺流程 下料磨边7钻孔7沉铜加厚7外层图形7镀镍、金去膜蚀刻7二次钻孔7检验7丝印阻焊7 丝印字符7外形加工7测试7检验 *多层板喷锡板工艺流程下料磨边7钻定位孔7内层图形7内层蚀刻7检验7黑化7层压7钻孔7沉铜加厚7外层图形7镀锡、蚀刻退锡7二次钻孔7检验7丝印阻焊7镀金插头7热风整平7丝印字符7外形加工7测试7检验 *多层板镀镍金工艺流程下料磨边7钻定位孔7内层图形7内层蚀刻7检验7黑化7层压7钻孔7沉铜加厚7外层图形7镀金、去膜蚀刻7二次钻孔7检验7丝印阻焊7丝印字符7外形加工7测试7检验 *多层板沉镍金板工艺流程下料磨边7钻定位孔7内层图形7内层蚀刻7检验7黑化7层压7钻孔7沉铜加厚7外层图形7镀锡、蚀刻退锡7二次钻孔7检验7丝印阻焊7化学沉镍金7丝印字符7外形加工7 测试7检验 一步一步教你手工制作PCB 制作PCB 设备与器材准备 (1) DM-2100B 型快速制板机1 台 (2) 快速腐蚀机1 台 (3) 热转印纸若干 (4) 覆铜板1 张 (5) 三氯化铁若干 (6) 激光打印机1 台 (7) PC机1台

(8) 微型电钻1个 (1) DM-2100B型快速制板机 DM 一2100B型快速制板机是用来将打印在热转印纸上的印制电路图转印到覆铜板上的设备， 1) 【电源】启动键一按下并保持两秒钟左右，电源将自动启动。 2) 【加热】控制键一当胶辊温度在100C以上时，按下该键可以停止加热，工作状态显示 为闪动的“ C”。再次按下该键，将继续进行加热，工作状态显示为当前温度；按下此键后， 待胶辊温度降至100C以下，机器将自动关闭电源；胶辊温度在100C以内时，按下此键， 电源将立即关闭。 3) 【转速】设定键一按下该键将显示电机转速比，其值为30(0.8转/分)?80(2.5转份)。按 下该键的同时再按下”上"或"下"键，可设定转印速度。 4) 【温度】设定键一显示器在正常状态下显示转印温度，按下此键将显示所设定温度值。 最高设定温度为180~C，最低设定温度为100C ;按下此键的同时再按下”上"或"下"键，可设定温度。 5) "上"和"下"换向键一开机时系统默认为退出状态，制板过程中，若需改变转向，可直接按此键。 (2) 快速腐蚀机 快速腐蚀机是用来快速腐蚀印制板的。 其基本原理是，利用抗腐蚀小型潜水泵使三氯化铁溶液进行循环，被腐蚀的印制版就处 在流动的腐蚀溶液中。为了提高腐蚀速度，可加热腐蚀溶液的温度。 (3) 热转印纸 热转印纸是经过特殊处理的、通过高分子技术在它的表面覆盖了数层特殊材料的专用纸，具有耐高温不粘连的特性? (4) 微型电钻 微型电钻是用来对腐蚀好的印制电路板进行钻孔的。 4 ?实训步骤与报告 (1). PCB图的打印方法 启动Protel 98 一打开设计的PCB图-单击菜单栏中的File-Setup Printer 一获得Printer Setup 对话框.

蚀刻液稳定性的研究

0 前 言 化学蚀刻以其操作简单，成本低，加工周期短等优点，在加工领域得到了广泛的应用。近几年，化学蚀刻为航天航空、船舶等行业的精密零件加工解决了很多难题，如加工码盘等[1]。因此，对其工艺研究越来越多。蚀刻液的性能是影响蚀刻加工效果的决定因素之一，其主要考核指标为腐蚀速率和稳定性。其中 稳定性是指蚀刻液在蚀刻过程中能保持腐蚀速率在一定范围内的性能，它最终将影响产品蚀刻效果的一致性[2]，所以对蚀刻液稳定性的分析是非常重要的。但是，目前对蚀刻液稳定性的研究很少。本文采用王水型蚀刻体系，以高Ni 不锈钢为蚀刻材料，确定了一种研究蚀刻液的稳定性的方法。 1 实验部分 蚀刻液稳定性的研究 傅玉婷，巴俊州，蒋亚雄，颜飞雪 （中国船舶重工集团公司第七一八研究所，河北 邯郸，056027） 摘 要：为了得到更好的蚀刻效果，研究蚀刻液的稳定性具有必要性，其实验研究方法显得尤为重要。采用原子发射光谱法得出蚀刻液中Ni2+浓度，间接计算出腐蚀量的数据采集方法，研究了3组不同成分浓度蚀刻液的稳定性，将考察蚀刻速率—腐蚀量的关系与蚀刻速率—时间的关系这2种方法进行了对比实验。实验结果证明：通过蚀刻速率—腐蚀量的关系来考察蚀刻液的稳定性具有可行性和优越性；同时得到，3种蚀刻液中，1B42稳定性最好，且该蚀刻液的最大金属腐蚀量为3g/L 。 关键词：化学蚀刻；蚀刻液；稳定性 中图分类号：TG 176；TN305.7 文献标识码：A A Method of Studying the Stability of Etching Solution Fu Yu-ting, Ba Jun-zhou, Jiang Ya-xiong, Yan Fei-xue (The 718th Research Institute of CSIC, Handan 056027, China) Abstract: In order to improve the effect of etching, it needed to study the stability of etching solution, and its method of studying was more important. Obtained the concentration of Ni 2+ by ICP-AES ,then obtained the weight of etched metal , studied the stability of three types of solution with different concentration, found the relations between etching rate and etched weight, as well as etching rate and etching time, then compared the both of them. it showed that the relations between etching rate and etched weight had superiority and was viable for evaluating the stability of etching solution. Meanwhile, the stability of 1B42 is the best, and the solution’s maximum of etched metal was more than 3g/L 。 Keywords: Chemic etching ；etching solution ；stability 舰 船 防 化 2010年第3期，27~29 CHEMICAL DEFENCE ON SHIPS №3, 27~29

蚀刻剂 各种常用蚀刻剂 pcb蚀刻剂

环保蚀PCB法: (伪)Midorio蚀刻液!!(30/7更新) 漂亮通透的绿色(其实是未够浓) 1oz铜. 无气泡无加热, 只靠摇动 大约过左十几分钟, 啡色是就是氯化亚铜

经过20分钟, 终于蚀好 实际此乃酸性氯化铜蚀刻液 用氯化铜蚀刻好处就是无限重用, Cu2+ + Cu -> 2Cu+ 氯化铜将铜氧化成氯化亚铜 2Cu+ + 4H+ + O2-> 2Cu2+ + 2H2O 之后放在大面积盘几小时就变回氯化铜, 用气泵会加快过程, 甚至蚀刻时泵就一举两得. 最后只会得到更多的蚀刻液和消耗了一些酸而已. 缺点就是比氯化铁蚀得慢一点, 但比"过硫酸铵"快(所谓的环保蚀刻液), 主要系氯化亚铜微溶于水, 形成保护层, 大大减慢下一层铜的氧化. 不过氯化亚铜会和氯离子形成溶于水的络盐, 只要加入氢氯酸就可以加快蚀刻. 缺点是因为黏度比氯化铁低一点, 侧蚀会比氯化铁严重, 不过不是很幼的线就没有问题. 除了直接买氯化铜粉加水成蚀刻液外(贵), 可以用双氧水加氢氯酸作第一次蚀刻, 速度不错. 另一个方法就将铜线烧至黑色的氧化铜, 放入氢氯酸, 不过要等很多天. 还有就是第三个方法: 分享XD. ---------------------------------------------------------------------------------- 此蚀刻液有以下危险, 必须在通风地方使用及准备, 并佩带保护设备如安全眼镜和手套 (不要怕, 其实其他蚀刻液都差不多)

成份 氯化铜应大约占溶液重量23%, 2.2M(14.3g铜/100毫升)左右, 即21cm*21cm的1oz pcb, 如果不够只会慢一点, 我手上的也没有这么浓, 0,5M都不知有没有. 板上既氯化亚铜会大大减低蚀刻速度, 可以加入添加剂溶解. 第一种是过量的氯离子, 第二种是铵, 两种都会与一价铜形成络盐先溶于水, 之后一价铜再被氧氧化. 其中一种配方大量氢氯酸, 3M的真的快很多, 不过氢氯酸越浓, 气味越浓. 五金店卖的是10M, 溶液:酸=7:3可得3M. 要注意酸会在氧化中消耗, 还有挥发出来, 所以要补充维持浓度. 另一种是氢氯酸加氯化铵, 酸的浓度可以减低, 氯化铵浓度由0.5M至2.4M, 铵和氯离子帮助氯化亚铜溶解和氧化, 化工店一买都要一磅, 够开4公升. 碳酸氢铵(发粉)加氢氯酸可产生氯化铵, 但要确定不是另一种发粉碳酸氢钠. 第三种是最简单的, 氢氯酸加氯化钠, 即食盐! 酸的浓度是0.5M, 食盐浓度3M(17.5g/100ml). 我手上的应该有1M至2M的酸, 要确定浓度就要滴定, 食盐浓度2M. 没有食盐下蚀刻时会见到如第二幅图(其实三张相都是 分开拍的, 最快时间是用一小块废电路板测的) 的啡色氯化亚铜在电路板上, 摇都摇不走. 但加入食盐后 氯化亚铜就几乎立即溶出来, 没看见啡色物质积累在电路板上, 蚀刻快了很多. --------------------------------------------------------------------------------------------- 起始方法 1.双氧水加氢氯酸 注意: 双氧水浓度超过30%有爆炸危险及会对皮肤造成灼伤! 化工店出售的最好先稀释才长期存放. 氢氯酸常见为10M, 有强烈腐蚀性, 浓酸稀释时一定要将酸缓慢地加入大量的水中, 并保侍搅拌! 双氧水应该可以买到3%的, 以3%双氧水和10M氢氯酸为例, 8:2混合会得到含有2M酸的蚀刻液, 7:3则是3M. 之后就可以放入电路板作第一次蚀刻, 速度会很快. 大量的氧气泡会产生, 虽然摇动会加速蚀刻, 但赶走了氧气泡就有点可惜. 因为氧不足, 100mL只能在短时间内蚀几平方寸. 如果面积太大可能要多一点蚀刻液或者等一段时间. 最后会得到浅绿色的氯化铜, 因为浓度不足, 没有气泵的话, 之后几次都会蚀得比较慢, 但随后会越来越快. 关于会不会产生氯气, 我无法保证一粒份子都不会, 虽然要产生氯气要吸收能量, 但能量不是平均分布的, 可能会有极微机率发生反应, 像水蒸发. 不过肯定氯气会被双氧水还原成氯离子, 最后都是安全的, 至少远远比从漂白水散发出来的氯气少. 2.氯化铜蚀刻液 从其他人手上分享就行了, 因为越蚀越多. 3.氯化铁 用过的氯化铁蚀刻液不要倒, 只要加入氢氯酸就可以重用的了! 我相信很多人都有氯化铁净低, 现在就可以物尽其用, 取用一大粒就可以用一世, 反正余下的已经不再需要, 放着都是浪费, 不过专程去新买一大樽最后只用一点就不要了, 这样就本末倒置.

蚀刻天线制作方法与制作流程简介

目前我们了解的天线制作技术主要有三种：绕线式天线、印刷天线和蚀刻天线。此外还有真空镀膜法生产RFID天线的，上述几种生产方法的特点比较如下： 2.1 绕线式天线 绕线和印刷技术在中国大陆得到了较为广泛的应用，大部分的 RFID标签制造商也是采用此技术。 利用线圈绕制法制作RFID标签时，要在一个绕制工具上绕制标签线圈并进行固定，此时要求天线线圈的匝数较多。这种方法用于频率围在125-134KHz的RFID标签，其缺点是成本高、生产速度慢、生产效率较低。 2.2 印刷天线 印刷天线是直接用导电油墨（碳浆、铜浆、银浆等）在绝缘基板（或薄膜）上印刷导电线路，形成天线的电路。主要的印刷方法已从只用丝网印刷扩展到胶印、柔性版印刷、凹印等制作方法，较为成熟的制作工艺为网印与凹印技术。其特点是生产速度快，但由于导电油墨形成的电路的电阻较大，它的应用围受到一定的局限。 2.3 蚀刻天线 印制电路的蚀刻技术主要应用于欧洲地区，而在，目前仅少数软性电路板厂有能力运用此技术制造RFID标签天线。 蚀刻技术生产的天线可以运用于大量制造13.56M、UHF频宽的电子标签中，它具有线路精细、电阻率低、耐候性好、信号稳定等优点。 3、蚀刻天线制作方法简介 蚀刻天线常用铜天线和铝天线,其生产工艺与挠性印制电路板的蚀刻工艺接近。 3.1 蚀刻天线的制作流程 挠性聚酯覆铜(铝)板基材――贴感光干膜／印感光油墨――连续自动曝光――显像――蚀刻――退膜--水洗--干燥—质检—包装 3.2 制作流程说明 挠性聚酯覆铜(铝)板基材：采用软板专用的合成树脂胶（环氧胶、丙烯酸胶）将铜箔(铝箔)与聚酯膜压合在一起，经高温后固化后而成，其电性能、耐高温性、耐腐蚀性较强。材料的组成截面图如下：

线路板蚀刻液再生利用项目调查报告

线路板氯化铜蚀刻废液现场再生利用项目 调查评估报告 编制单位：**市环境工程咨询服务中心 2007年03月12日

责任表 项目名称：线路板氯化铜蚀刻废液现场再生利用项目调查评估报告委托单位：*******处理站 *******环保股份有限公司 承担单位：*****市环境工程咨询服务中心 法人代表：*** [注册咨询工程师] 项目负责人：*** [注册咨询工程师] 参加人员：

目录

一、任务由来 线路板被称为电子产品母板，所有的IC、集成电路、电阻、电容的组装均离不开线路板，是为信息产业服务的必不可少的上游供应链，由于深圳市政府高度重视通讯、信息、数码产业发展，在信息产业得到高速发展的同时，作为基础产业的线路板行业也得到长足发展。 深圳市目前已成为我国最重要的线路板生产基地之一，现有线路板生产企业约450家，年总产值达199.9亿元，占全国PCB总产值850亿元的23.5%，从业人员总数超过20万人。目前线路板生产企业所采用的线路板覆铜板蚀刻工艺，主要有“盐酸+氧化剂蚀刻”和“氨水+氯化铵蚀刻”两种。前一种生产工艺所产生的蚀刻废液主要含氯化铜和盐酸，呈强酸性，称为酸性氯化铜蚀刻废液；后一种生产工艺所产生的蚀刻废液主要含氯化铜氨络合物和氯化铵，废液呈偏碱性，称为碱性氯化铜蚀刻废液。两种废液中铜含量约为5%~15%，均属危险废物，潜在价值均很高。 对于蚀刻废液的处理，线路板行业一贯延续的处理方式是将废液交由具有危险废物处理资质的专业公司资源化综合利用，主要是以其为原料生产硫酸铜产品，对于线路板生产企业经济效益相对较低。 ***处理站为我国含铜蚀刻废液综合利用技术研究的先行者，历经10年研究开发成功并首先在该站应用，还经过多次技术改造日趋成熟完备，取得了非常良好的经济效益和环境、社会效益，为保障深圳经济与环境的协调持续发展做出贡献。该技术的基本原理是将印制线路板碱性蚀刻废液与酸性氯化铜蚀刻废液进行中和沉淀，生成的碱式氯化铜沉淀用于生产工业级硫酸铜；沉淀压滤母液用于生产碱性蚀刻液；其余废水经金属铝屑置换去除铜离子，进行蒸发浓缩生产混合铵盐。另将三氯化铁蚀刻废液投铁提铜后通入氯气并蒸发浓缩，生成三氯化铁回用于线路板蚀刻。目前己开发出硫酸铜、碱式碳酸铜、饲料级碱式氯化铜、氢氧化铜等多种铜盐产品。***处理站的“综合利用电子线路板行业含铜蚀刻废液生产工业级硫酸铜”列入国家科技成果重点推广计划，获国家环保总局科技进步二等奖；“印制线路板行业氨蚀板废液经酸性氯化铜蚀板废液中和沉淀后的再生利用”获广东省最佳实用技术、深圳市科技进步三等奖。

蚀刻用腐蚀液与配方比例

蚀刻用腐蚀液与配方比例

刻蚀基础（转载） 湿式蚀刻技术 最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿式蚀刻过程为等向性，一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽，但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术。 湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比等优点。但相对于干式蚀刻，除了无法定义较细的线宽外，湿式蚀刻仍有以下的缺点：1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水；2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题；3) 光阻附着性问题；4) 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻；5) 废气及潜在的爆炸

性。 湿式蚀刻过程可分为三个步骤：1) 化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2) 蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行最慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。 大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。 湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。 除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而

PCB外层电路的蚀刻工艺

PCB外层电路的蚀刻工艺 一.概述 目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉,称为蚀刻。 要注意的是,这时的板子上面有两层铜.在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的,其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀,其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层的下面。另外一种工艺方法是整个板子上都镀铜,感光膜以外的部分仅仅是锡或铅锡抗蚀层。这种工艺称为“全板镀铜工艺“。与图形电镀相比,全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。因此当导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。同时,侧腐蚀会严重影响线条的均匀性。 在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。 目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层,用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中.氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液，与锡或铅锡不发生任何化学反应。氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液。此外，在市场上还可以买到氨水/硫酸氨蚀刻药液。 以硫酸盐为基的蚀刻药液,使用后,其中的铜可以用电解的方法分离出来,因此能够重复使用。由于它的腐蚀速率较低，一般在实际生产中不多见,但有望用在无氯蚀刻中。有人试验用硫酸-双氧水做蚀刻剂来腐蚀外层图形。由于包括经济和废液处理方面等许多原因,这种工艺尚未在商用的意义上被大量采用.更进一步说,硫酸-双氧水，不能用于铅锡抗蚀层的蚀刻，而这种工艺不是PCB外层制作中的主要方法，故决大多数人很少问津。 二.蚀刻质量及先期存在的问题 对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，止此而已。从严格意义上讲，如果要精确地界定，那么蚀刻质量必须包括导线线宽的一致性和侧蚀程度。由于目前腐蚀液的固有特点，不仅向下而且对左右各方向都产生蚀刻作用，所以侧蚀几乎是不可避免的。 侧蚀问题是蚀刻参数中经常被提出来讨论的一项,它被定义为侧蚀宽度与蚀刻深度之比, 称为蚀刻因子。在印刷电路工业中，它的变化范围很宽泛，从1：1到1：5。显然，小的侧蚀度或低的蚀刻因子是最令人满意的。 蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。采用某些添加剂可以降低侧蚀度。这些添加剂的化学成分一般属于商业秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蚀刻设备的结构问题，后面的章节将专门讨论。 从许多方面看，蚀刻质量的好坏，早在印制板进入蚀刻机之前就已经存在了。因为印制电路加工的各个工序或工艺之间存在着非常紧密的内部联系，没有一种不受其它工序影响又不影响其它工艺的工序。许多被认定是蚀刻质量的问题，实际上在去膜甚至更以前的工艺中已经存在了。对外层图形的蚀刻工艺来说，由于它所体现的“倒溪”现像比绝大多数印制板工艺都突出，所以许多问题最后都反映在它上面。同时，这也是由于蚀刻是自贴膜，感光开始的一个长系列工艺中的最后一环，之后，外层图形即转移成功了。环节越多，出现问题的可能性就越大。这可以看成是印制电路生产过程中的一个很特殊的方面。 从理论上讲，印制电路进入到蚀刻阶段后，在图形电镀法加工印制电路的工艺中，理想状态应该是:电镀后的铜和锡或铜和铅锡的厚度总和不应超过耐电镀感光膜的厚度,使电镀图形完全被膜两侧的“墙”挡住并嵌在里面。然而,现实生产中，全世界的印制电路板在电镀后，镀层图形都要大大厚于感光图形。在电镀铜和铅锡的过程中，由于镀层高度超过了感光膜，便产生横向堆积的趋势，问题便由此产生。在线条上方覆盖着的锡或铅锡抗蚀层向两侧延伸，形成了“沿”，把小部分感光膜盖在了“沿”下面。 锡或铅锡形成的“沿”使得在去膜时无法将感光膜彻底去除干净，留下一小部分“残胶”在“沿”的下面。“残胶”或“残膜”留在了抗蚀剂“沿”的下面，将造成不完全的蚀刻。线条在蚀刻后两侧形成“铜根”，铜根使线间距变窄，造成印制板不符合甲方要求，甚至可能被拒收。由于拒收便会使PCB的生产成本大大增加。 另外，在许多时候，由于反应而形成溶解，在印制电路工业中,残膜和铜还可能在腐蚀液中形成堆积并堵

IC工艺流程简介

晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。 2 低压CVD (Low Pressure CVD) 此方法是以常压CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。 3 热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得

蚀刻用腐蚀液与配方比例

刻蚀基础（转载） 湿式蚀刻技术 最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分，而达到蚀刻的目的，这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿式蚀刻过程为等向性，一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽，但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术。 湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比等优点。但相对于干式蚀刻，除了无法定义较细的线宽外，湿式蚀刻仍有以下的缺点：1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水；2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题；3) 光阻附着性问题；4) 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻；5) 废气及潜在的爆炸性。 湿式蚀刻过程可分为三个步骤：1) 化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2) 蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行最慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。 大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。 湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率，一般而言，当溶液浓度增加时，蚀刻速率将会提高。而提高溶液温度可加速化学反应速率，进而加速蚀刻速率。 除了溶液的选用外，选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的，它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。而光阻通常是一个很好的屏蔽材料，且由于其图案转印步骤简单，因此常被使用。但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。边缘剥离乃由于蚀刻溶液的侵蚀，造成光阻与基材间的黏着性变差所致。解决的方法则可使用黏着促进剂来增加光阻与基材间的黏着性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龟裂则是因为光阻与基材间的应力差异太大，减缓龟裂的方法可利用较具弹性的屏蔽材质来吸收两者间的应力差。 蚀刻化学反应过程中所产生的气泡常会造成蚀刻的不均匀性，气泡留滞于基材上阻止了蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，将使得蚀刻速率变慢或停滞，直到气泡离开基材表面。因此在这种情况下会在溶液中加入一些催化剂增进蚀刻溶液与待蚀刻物表面的接触，并在蚀刻过程中予于搅动以加速气泡的脱离。 以下将介绍半导体制程中常见几种物质的湿式蚀刻：硅、二氧化硅、氮化硅及铝。 5-2-1 硅的湿式蚀刻 在半导体制程中，单晶硅与复晶硅的蚀刻通常利用硝酸与氢氟酸的混合液来进行。此反应是利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅，再利用氢氟酸将形成的二氧化硅溶解去除，反应式如下： Si + HNO3 + 6HF à H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O 上述的反应中可添加醋酸作为缓冲剂(Buffer Agent)，以抑制硝酸的解离。而蚀刻速率的调整可藉由改变硝酸与氢氟酸的比例，并配合醋酸添加与水的稀释加以控制。