17、电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项资金
17、电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项资金
17、电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项资金
电子仪器是指检测、分析、测试电子产品性能、质量、安全的装置。大体可以概括为电子测量仪器、电子分析仪器和应用仪器三大块，有光学电子仪器、电子元件测量仪器、动态分析仪器等24种细分类。可供从事材料科学、电工、电子、仪表、自动化等方面工作的中、高级科技人员参考，也可作为电子信息材料、电子材料及元件、无机非金属材料工程专业的大学本科和研究生教材，同时也可供相关领域工程技术和研究人员及相近专业研究生参考。
电子仪器分类
1、通用仪器
示波器、逻辑分析仪、动态信号分析仪、交流/直流电源分析仪、函数信号发生器、波形监视器、电子负载、波形脉冲发生器、电源、万用表。
2、射频与微波仪器
频谱分析仪、网络分析仪、阻抗分析仪、信
号发生器、噪声系数分析仪、电缆/天线分析仪、调制度分析仪、功率计/功率探头、频率计、LCR 表、测量接收机。
3、无线通信测试仪
手机综合测试仪、TDMA测试仪、无线电综合测试仪、PDC/PHS测试仪、天馈线测试仪、3G 测试仪、DECT测试仪、蓝牙综合测试仪。
4、音频/视频测试仪
音频/视频信号发生器、有线电视分析仪、彩色/视频分析仪、音频分析仪、码型发生器/误码率。
5、光通信测试仪
光谱分析仪、数字传输分析仪、协议分析仪、光网络分析仪、光时域反射计、光功率计/功率探头、误码仪、光衰减器、光源、光示波器。
发改办高技[2007]2484号
国家发展改革委办公厅关于组织实施
新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知
各省、（区、市）及新疆生产建设兵团发展改革委，国务院有关部门办公厅，有关中央管理企业：为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划，全面落实科学发展观，推进节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，2007年我委将组织实施新型电力电子器件产业
化专项。根据《中央预算内投资补助和贴息项目管理暂行办法》（国家发展改革委第31号令），以及《国家高技术产业发展项目管理暂行办法》（国家发展改革委第43号令），现将项目申报有关事项通知如下：
一、专项目标及支持重点
专项目标：提高新型电力电子器件技术和工艺水平，促进产业发展，满足市场需求，以技术进步和产业升级推进节能降耗；推动产、学、研、用相结合，突破核心基础器件发展的关键技术，完善电力电子产业链，促进具有自主知识产权的芯片和技术的推广应用；培育骨干企业，增强企业自主创新能力。
支持重点：
(一)芯片产业化：绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、快恢复二极管（FRD）、功率集成电路（PIC）、门极换流晶闸管（IGCT）等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装；
（二）模块产业化：电力电子器件系统集成模块，智能功率模块（IPM）和用户专用功率模块（ASPM）。
（三）应用装置产业化：重点围绕电机节能、照明节能、交通、电力、冶金等领域需求，支持应用具有自主知识产权芯片和技术的电力电子
装置。
（四）专用工艺设备和测试仪器产业化：电力电子器件生产专用工艺设备；专用检测仪器。
二、具体要求
（一）项目主管部门应根据投资体制改革精神和《国家高技术产业发展项目管理暂行办法》的有关规定，按照专项实施重点的要求，结合本单位、本地区实际情况，认真做好项目组织和备案工作，组织编写项目资金申请报告并协调落实项目建设资金、环保、土地、规划等相关建设条件。
（二）项目主管部门应对资金申请报告及相关附件（如银行贷款承诺、自有资金证明等）进行认真核实，并负责对其真实性予以确认。
（三）项目承担单位应实事求是制定建设方案，严格控制征地、新增建筑面积和投资规模。项目资金申请报告的具体编写要求及所需附件
内容参见附件一。
（四）请各项目主管部门于2007年11月30
日前，将项目的资金申请报告和有关附件、项目简介和基本情况表（见附件二）、项目的备案材料等一式三份（同时须附各项目简介及所有项目汇总表的电子文本）报送我委高技术产业司。
（五）在项目主管部门申报的基础上，我委将按照公正、公平的原则，组织专家评审，择优支持。
特此通知。
国家发展和改革委员会办公厅
二〇〇七年十月五日
主题词：电力电子专项通知
发改办高技[2007]3036号
国家发展改革委办公厅关于继续组织实施
电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料
产业化专项有关问题的通知
各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团发展改革委，国务院有关部门办公厅，有关中央管理企业：
为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划，加强自主创新，加快产业结构调整，壮大核心基础产业，推动电子信息产业向创新效益型转变，2008年我委将继续组织实施电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料产业化专项。根据《中央预算内投资补助和贴息项目管理暂行办法》（国家发展改革委第31号令），以及《国家高技术产业发展项目管理办法》（国家发展改革委第43号令），现将项目申报有关事项通知如下：
一、专项实施重点
重点任务：加强自主创新，提升产业技术水平，对先进技术特别是具有自主知识产权的技术和产品给予扶持，加快形成生产规模，提高产品附加价值；调整和优化信息产业产品结构和产业结构，壮大核心基础产业，延伸完善产业链，提高产业增长的质量和效益；满足市场需求，以技术进步推进节能降耗和环境保护；促进引进国外先进技术，消化吸收与创新，增强自主创新能力，支持企业技术开发环境和手段的改善和提高；培育优势骨干企业和知名品牌，提高国际竞争能力。
电子专用设备仪器：化合物半导体制造设备；新型电子元器件生产设备；表面贴装及无铅工艺整机装联设备；集成电路、通信产品、数字视听产品和新型元器件等的专用测量仪器。
新型电子元器件及材料：高档片式元器件；敏感元器件及传感器；中高档光电子器件及材料、小型化高频频率器件、组件及关键基础材料；环保型高密度多层互联印制电路板、柔性线路板及关键原材料；集成电路制造高性能关键基础材料等。
二、具体要求
（一）项目主管部门应根据投资体制改革精神和《国家高技术产业发展项目管理暂行办法》的有关规定，按照专项实施重点的要求，结合本单位、本地区实际情况，认真做好项目组织和备案工作，组织编写项目资金申请报告并协调落实项目建设资金、环保、土地、规划等相关建设条件。
（二）项目主管部门应对资金申请报告及相关附件（如银行贷款承诺、自有资金证明等）进行认真核实，并负责对其真实性予以确认。
（三）项目承担单位应实事求是制定建设方案，严格控制征地、新增建筑面积和投资规模。项目资金申请报告的具体编写要求及所需附件内容参见附件一。
（四）各地申报项目数量原则上不超过8项。请各项目主管部门于2008年2月28日前，将项目的资金申请报告和有关附件、项目简介和基本情况表（见附件二）、项目的备案材料等一式二份（同时须附各项目简介及所有项目汇总表的电子文本）报送我委高技术产业司。
（五）在项目主管部门申报的基础上，我委将按照公正、公平的原则，组织专家评审，择优支持。
特此通知。
国家发展和改革委员会办公厅
二〇〇七年十二月六日
主题词：信息产业专项通知
附件一：
资金申请报告编制要点
一、项目的背景和必要性
国内外现状和技术发展趋势，对产业发展的
作用与影响，产业关联度分析，市场分析；
二、项目承担单位的基本情况和财务状况
包括所有制性质、主营业务、近三年来的销售收入、利润、税金、固定资产、资产负债率、银行信用等级、项目负责人基本情况及主要股东的概况；
三、项目的技术基础
成果来源及知识产权情况，已完成的研究开发工作及中试情况和鉴定年限，技术或工艺特点以及与现有技术或工艺比较所具有的优势，该项技术的突破对行业技术进步的重要意义和作用；
四、建设方案
项目建设的主要内容、建设规模、采用的工艺路线与技术特点、设备选型及主要技术经济指标、项目招标内容（适用于申请国家投资补助资金500万元及以上的项目）、产品市场预测、建设地点、建设工期和进度安排、建设期管理等；
五、各项建设条件落实情况
包括环境保护、资源综合利用、节能措施、原材料供应及外部配套条件落实情况等；
六、投资估算及筹措
项目总投资规模，投资使用方案、资金筹措
方案以及贷款偿还计划等；
七、项目财务分析、经济分析及主要指标
内部收益率、投资利润率、投资回收期、贷款偿还期等指标的计算和评估，项目风险分析，经济效益和社会效益分析。
八、资金申请报告附件
（一）银行出具的贷款承诺(省级分行以上)文件或已签订的贷款协议或合同；
（二）地方、部门配套资金及其它资金来源证明文件；
（三）自有资金证明及企业经营状况相关文件（包括损益表、资产负债表、现金流量表）；
（四）技术来源及技术先进性的有关证明文件；
（五）环境保护部门出具的环境影响评价文件的审批意见；
（六）土地、规划等必要文件；
（七）项目核准或备案文件（在有效期内且未满两年）；已开工项目需提供投资完成、工程进度以及生产情况证明材料；
（八）项目单位对项目资金申请报告内容和附属文件真实性负责的声明。
附件
二：
项目及项目单位基本情况表
所属省市项目
起止
年限
项目
联系
人
联
系
电
话
项目单位名称项目单位地址
项目名称
项目投资
（单
位:万
元）
单位
法定
代表
人
（单
位:
万
元）
200
4年
20
05
年
2006
年预
计
项目总投资法定
代表
人电
话
企业
总资
产
固定资产投资企业
注册
登记
类型
固定
资产
净值
银行贷款银行
信用
等级
资产
负债
率
申请国家补助职工
人数
销售
收入
自有资金技术
人员
利税
数
其他资金有无
银行
承诺
出口
创汇
项目建设必要性：
项目
基本
情况
表
单
位：万
元
所属省（市）所属行
业
项目
起止
年限
企业名称项目联系人
项目名称联系电话
项目建设必要性(要有提高质量、增加品
种、节能降耗、扩大出口替代进口、提高市场占有率等方面的具体目标) 项目主要建设规模及内容
项目总投
资固定资产投资铺底流动资金
自有资金项目建
议书批
准文号
项目
进度
拟申请银行贷款可研批
复文号
开工
日期
利用外资初步设
计批复
环评
进度
文号
到2003年累计完成
投资2004年
计划投
资
环评
批复
文号
新增销售收入新增利
润
新增
税金
新增出口创汇社会效
益
有无银行承诺出具承
诺银行
承诺
额
有无银行意向出具意
向银行
意向
额
基本
情况
单位：
万元
企业名称法定代表人
企业地址联系电话
企业登记注册类型（国有、
民营）职工
人数
技术
人员
企业总资产固定
资产
净值
资产
负债
率
银行信用等级
主要产品现有
生产能力
2003年主要产
品产量、市场
占有率
2001200220032004备注
年年年年预
计销售收入
利润
税金
出口创汇
部分成功案例：
1、广东锻压机床厂有限公司“压力机身三维复杂焊缝机器人自动焊接关键技术研究与系统开发”、广东科达机电股份有限公司“科达机电云计算平台建设项目”、广东万联包装机械有限公司“高速数控纵切压机的研制及产业化”等5个项目获评重大项目。其中，广锻和科达的项目分别获得90万元的最高扶持资金。
2、唐山晶源裕丰电子股份有限公司关于获准国产设备投资抵免所得税和年产7200万件新型片式石英晶体元器件产业化项目列入国家资金补助计划的公告、此项目得到800万元的国家资金支持。
3、东营科英激光电子有限公司，经国家发展和改革委员会审核，东营科英激光电子有限公司绝缘栅双极晶体管产业化项目列入国家高技术产业发展项目计划及国家资金补助计划，并获得国家补助资金１５００万元。
此笔资金主要用于该公司绝缘栅双极晶体管芯片的设计和整体器件的工艺集成，建设功率半导体设计实验室、性能测试实验室和可靠性实验室，购买目前国内功率半导体加工中所缺少的超薄晶片研磨设备、湿法刻蚀设备、背面多金属离子注入设备、高温退火设备等专用生产设备和附属设备。
4、天津中环半导体股份有限公募集资金项目《6 英寸 0.35 微米功率半导体器件生产线》经国家发改委专家评估、论证，现已列入国家2007 年电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项，并获得国家发改委 800万元的项目补助资金，此项资金主要用于项目产业化中的研究开发和所需软硬件设备的购置。
电子材料与元器件论文
CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名： 学院： 班级： 组号： 日期：2014年12月9日
摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高，基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势，目前在诸多领域得到了广泛的应用，特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面，市场前景广泛，因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理，着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程，以及在数字摄像机，数码相机，彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念： 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器（CCD） CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器： 由于受当时工艺水平的限制，图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器： 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功， 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件， 1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS，
常用电子元器件大全
第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号：R 或WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过 这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百 分数表示,未标偏差值的即为±20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示 有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472 表示47×102Ω（即4.7K Ω）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是 色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器（普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 0 10 棕 1 1 1 10±1% 红 2 2 2 10±2% 橙 3 3 3 10 黄 4 4 4 10
电子材料与器件习题解析汇报
5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗？ b. 请说明：当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时，可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率（最大电阻率）为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ，并与本征值进行比较。 解析： a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+，其中，n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ，在一定的温度下，np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时，空穴浓度p 则会减小，反之亦然。在掺杂浓度一定时，由于e h μμ>，如果对半导体进行n 型掺杂，则n>p ，显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂，则n
，因此，当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+，令'0σ=得p n =
相应地2en σ=m p n =时，电导率最小，为 min 2en σ=。 c. 室温下，对于Si ，103i 1.010n cm -=?，2111350e cm V s μ--=??， 211450h cm V s μ--=??，带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?，则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3，而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时，如图5.54所示，一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享，结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子（数量几乎相等）的GsAs 晶体中，无论是Ga 还是As ，每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为：其价键的结合与Si 晶体中的相似，每个原子4个键。然而，它的晶体结构却不是金刚石结构，而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子，以及在GaAs 晶体中，每个原子的平均价电子数是多少？ b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒（Se ）或碲（Te ）代替As 原子，情况如何？ c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌（Zn ）或镉（Cd ）代替Ga 原子，情况如何？ d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替As 原子，情况如何？ e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替Ga 原子，情况如何？两性掺杂表示什么？ f. 基于以上对GaAs 的讨论，你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ，GaP ，InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么？
宁波电子元器件项目申报材料
宁波电子元器件项目 申报材料 仅供参考
承诺书 申请人郑重承诺如下： “宁波电子元器件项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续，报告内容及附件资料准确、真实、有效，不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为，将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。 公司法人代表签字： xxx集团（盖章） xxx年xx月xx日
项目概要 电容器在电子线路中的作用一般概括为：通交流、阻直流，具有滤波、旁路、耦合和快速充放电的功能，并具有体积小、储存电量大、成本低的 特性，随着现代科技的进步与电容器性能的不断提高，产品已广泛应用于 消费类电子产品、通信产品、电脑及周边产品、仪器仪表、自动化控制、 汽车工业、光电产品、高速铁路与航空及军事装备等。 电容器是三大电子被动元器件之一，是电子线路中不可缺少的基础元件，约占全部电子电子元件用量的40%。铝电解电容器依赖于其优异的性能、低廉的价格，占据了电容器30%以上的市场。目前来看铝电解电容器短期内尚不存在被完全替代的可能性，未来将继续成为汽车电子、消费电子及光 伏发电等领域的重要原器件。 该电容项目计划总投资15492.72万元，其中：固定资产投资12539.52万元，占项目总投资的80.94%；流动资金2953.20万元，占 项目总投资的19.06%。 达产年营业收入24523.00万元，总成本费用18779.14万元，税 金及附加277.08万元，利润总额5743.86万元，利税总额6813.20万元，税后净利润4307.89万元，达产年纳税总额2505.30万元；达产 年投资利润率37.07%，投资利税率43.98%，投资回报率27.81%，全部投资回收期5.10年，提供就业职位418个。
电子元器件行业现状
1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39％以上。产量居世界第一的产品有：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大，珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中，产业链较完整，具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题：中低档产品过剩，高端产品主要依赖进口；缺乏核心技术，产品利润较低；企业规模较小，技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用，电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注：上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中，广东、浙江、江苏买家数占78%，其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况
目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息，这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家，谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条（数据截止2008-10-23）。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名：佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品：16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限：第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板，虽然公司成立的时间不长，但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人，据他介绍，帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家，加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的，董先生的解释比较独特：“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件，和终端消费者没有直接的联系，就是把我们的产品扔两箱在大街上，扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样，我们在国际国内都有销售办事处，同时还采用配套享受的形式。因此，我们加入诚信通并不是希望直接获得订单，而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度，要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难，董先生直言不讳：“当然，我们现在也遇到不少的困难，最困扰我的两个主要问题一是运输物流，二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司，公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善，我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面，最关键是生产上的问题，我们的生产往往赶不上订单的速度，这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展，“我们现在还属于生产元器件的厂家，随着公司的壮大，今后我们还将向半成品和终端消费品发展，我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。
电子基础材料和关键元器件十二五规划
子规划1： 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划
目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) （一）产业规模稳步增长 (1) （二）企业实力进一步增强 (2) （三）生产技术水平持续提升 (3) （四）清洁生产稳步推进，循环经济初步发展 (4) （五）产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) （一）产业面临良好发展机遇 (5) （二）技术创新孕育新的突破 (5) （三）外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) （四）产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) （一）指导思想 (7) （二）发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) （一）主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)
6、积极参与国际合作 (10) （二）发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) （一）加强政府引导，完善产业政策 (14) （二）发挥财政资金作用，创造良好投融资环境 (14) （三）提升产业创新能力，推动产业升级 (15) （四）优化产业布局，统筹规划区域发展 (15) （五）加强行业管理，促进产业健康发展 (15) （六）重视人才培养，积极参与国际交流合作 (16)
前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验，明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向，确保产业健康发展，根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》，制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件，是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 （一）产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击，产业经历小幅调整，但总体发展稳定。2010年，在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下，行业恢复发展到历
电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划
电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节，对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求，在深入调研、广泛论证的基础上，编制本规划，以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 （一）产业规模进一步扩大 “十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步扩大（详见表1和表2），其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国，居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况
（二）部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展，我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国，产量占世界总产量的30%以上，部分产品产量居世界前列。其中，产量居全球首位的产品：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列，成为全球重要的生产和出口基地（详见表3）。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 （三）产品结构有所改善 “十五”期间，我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%，接近世界平均水平；新型显示器件产业取得突破，国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产，PDP的研发和产业化取得一定进展，彩管正在向纯平、高清晰度方向发展；多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%；锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列；大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 （四）技术创新取得新进展 “十五”期间，国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈，大大降低了MLCC的成本；TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利，OLED技术研发取得重要进展；具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化；已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶，并掌握主要技术；SOI（绝缘层上的硅）技术研究水平基本与国外同步，6英寸注氧隔离（SIMOX）晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来，我国电子材料和关键元器件取得长足进步，但总体看，行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出，高端元器件和关键电子材料主要依赖进口；整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成；国内骨干企业规模小、经济实力弱，自主创新能力不足；关税、投融资等政策环境亟待改善，低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 （一）技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展，将促进元器件功能和性能大幅提升。
电子材料与元器件教学大纲
电子材料与元器件教学大 纲 Final approval draft on November 22, 2020
《电子材料与元器件》课程教学大纲 课程编号：010192 适用专业：应用电子技术专业 学时数：60（讲课：40，上机：20）学分数：4 执笔者：张恒审核人：编写日期： 建议教材与教学参考书：[1]《电子材料与元器件》电子工业出版社陈颖主编 一、课程的性质和目的： 《电子材料与元器件》是高等职业学校工业应用电子技术、自动化和机电一体化等专业的一门重要的专业必修课，是与实际生产相结合的基本课程，是电子类技术人才必须掌握的基础知识。本大纲根据高等职业学校机电类专业教学计划制订。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须坚持理论联系实际的原则，让学生有一定的动手练习机会。可按照相关的课程内容，相应的组织实验、模拟实习、焊接练习，以提高学生的理解深度和动手能力，从而提高学生对电子材料与元器件的处理问题的能力。 本课程的教学任务是：讲授常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形，命名和标识，检测和使用等方面的知识，把学生培养成为具有一定理论与实践相结合的高等职业技术人才。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须有时注意理论联系实际的原则，让学生有相应的动手练习机会。由于受课时量的限制，可按照相关的课程内容，组织相应的元器件识别、以提高学生的对电子元器件的识别能力、应用能力 二、教学目标和基本要求： 教学目标： 通过本课程的学习，把学生培养成为具有一定电子技术知识和操作能力，能够独立分析、解决有关材料和元器件问题的高等职业技术人才。 （一）理论方面： 本课程的教学任务是：使学生掌握常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形，命名和标识，检测和使用等方面的知识，为学习后续课程和今后的工作准备必要的基础知识，以及同时也
常用电子元器件介绍
常用电子元器件介绍 电子元件知识——电阻器 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。 电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻） ①主称②材料③分类④序号 电阻器的分类： ①线绕电阻器 ②薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器 ③实心电阻器 ④敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 ※电阻器阻值标示方法： 1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20% 。 2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称 阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。表示允许误差的文字符
号文字符号：DFGJKM 允许偏差分别为： ±0.5%±1%±2%±5%±10%±20% 3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到 右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通 常采用文字符号表示。 4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。 国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4 、绿-5 、蓝-6 、紫-7、灰-8、白-9、金- ±5%、银- ±10% 、无色-±20% 当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字，第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字，第四位为乘方数，第五位为偏差
常用电子元件资料全
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 2 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功
(2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5W，2K7表示2.7kW， RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kW) 额定功率1/8W 型号 1/8W，标称阻值为5.1kW，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义
光电子材料与器件课后习题答案
3.在未加偏置电压的条件下，由于截流子的扩散运动，p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近，由于没有电子和空穴，无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压，驱动电流通过器件时，p 区空穴向n 区扩散，在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合，并辐射能量约为Eg 的光子，复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件，即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件，半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗，以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求：对正向入射光的插入损耗值越小越好，对反向反射光的隔离度值越大越好。原理：这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向，当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度，因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时，首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分，随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度，而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上，因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度，这样，反射光就被起偏器所隔离，而不能返回到入射光一端。 15.优点：A 、采用光纤耦合方向，其耦合效率高；纤芯走私小，使其易于达到高功率密度，这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式，输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面，因而散热好，只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数，从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好，从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时，稀土离子吸收泵浦光，使稀土原子的电子激励到较高激发态能级，从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th
常用电子仪器的使用实验报告
广州大学学生实验报告 院(系)名称班 别姓名 专业名称学号 实验课程名称模拟电路实验 实验项目名称常用电子仪器的使用 实验时间实验地点 实验成绩指导老师签名 【实验目的】 1、学习电子电路实验中常用的电子仪器——示波器、函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表、频率计等的主要技术指标、性能及正确使用方法。 2、初步掌握用双踪示波器观察正弦信号波形,锯齿波信号波形,方波波形与读取波形参数的方法。【实验仪器与材料】 DS1062E数字示波器一台 AS101E函数信号发生器一台 DA-16D交流毫伏表一台 【实验原理】 在模拟电子电路实验中,经常使用的电子仪器有示波器、函数信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表及频率计等。它们与万用电表一起,可以完成对模拟电子电路的静态与动态工作情况的测试。 实验中要对各种电子仪器进行综合使用,可按照信号流向,以连线简捷,调节顺手,观察与读 数方便等原则进行合理布局,各仪器与被测实验装置之间的布局与连接如图1－1所示。接线时应注意,为防止外界干扰,各仪器的共公接地端应连接在一起,称共地。信号源与交流毫伏表的引线通常用屏蔽线或专用电缆线,示波器接线使用专用电缆线,直流电源的接线用普通导线。 【实验步骤】 1、用机内校正信号对示波器进行自检。 (1) 扫描基线调节 将示波器的显示方式开关置于“单踪”显示(Y1或Y2),输入耦合方式开关置“GND”,触发方式开关置于“自动”。开启电源开关后,调节“辉度”、“聚焦”、“辅助聚焦”等旋钮,使荧光屏上显 示一条细而且亮度适中的扫描基线。然后调节“X轴位移”()与“Y轴位移”( )旋钮,使扫 描线位于屏幕中央,并且能上下左右移动自如。 (2)测试“校正信号”波形的幅度、频率 将示波器的“校正信号”通过专用电缆线引入选定的Y通道(Y1或Y2),将Y轴输入耦合方式开关置于“AC”或“DC”,触发源选择开关置“内”,内触发源选择开关置“Y1”或“Y2”。调节X轴“扫描速率”开关(t/div)与Y轴“输入灵敏度”开关(V/div),使示波器显示屏上显示出一个或数个周期稳定的方波波形。
电子材料与元器件教学大纲
《电子材料与元器件》课程教学大纲 课程编号：010192 适用专业：应用电子技术专业 学时数：60（讲课：40，上机：20）学分数：4 执笔者：张恒审核人：编写日期： 建议教材与教学参考书：[1] 《电子材料与元器件》电子工业出版社陈颖主编 一、课程的性质和目的： 《电子材料与元器件》是高等职业学校工业应用电子技术、自动化和机电一体化等专业的一门重要的专业必修课，是与实际生产相结合的基本课程，是电子类技术人才必须掌握的基础知识。本大纲根据高等职业学校机电类专业教学计划制订。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须坚持理论联系实际的原则，让学生有一定的动手练习机会。可按照相关的课程内容，相应的组织实验、模拟实习、焊接练习，以提高学生的理解深度和动手能力，从而提高学生对电子材料与元器件的处理问题的能力。 本课程的教学任务是：讲授常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形，命名和标识，检测和使用等方面的知识，把学生培养成为具有一定理论与实践相结合的高等职业技术人才。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须有时注意理论联系实际的原则，让学生有相应的动手练习机会。由于受课时量的限制，可按照相关的课程内容，组织相应的元器件识别、以提高学生的对电子元器件的识别能力、应用能力 二、教学目标和基本要求： 教学目标： 通过本课程的学习，把学生培养成为具有一定电子技术知识和操作能力，能够独立分析、解决有关材料和元器件问题的高等职业技术人才。 （一）理论方面： 本课程的教学任务是：使学生掌握常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻
《电子元件与材料》投稿须知
《电子元件与材料》投稿须知刊名：电子元件与材料 Electronic Components and Materials 主办：中国电子学会;中国电子元件行业协会周期：月刊 出版地：四川省成都市 语种：中文; 开本：大16开 ISSN：1001-2028 CN：51-1241/TN 邮发代号：62-36 历史沿革： 现用刊名：电子元件与材料 创刊时间：1982 该刊被以下数据库收录： CA 化学文摘(美)(2009) SA 科学文摘(英)(2009)
投稿须知： 1 稿件要求 ﹡论点明确、论证严谨、数据可靠、层次分明、重点突出、文字简练。研究论文：含图表在内一般6000字左右；技术简报一般2000字左右；专题综述一般8000字左右（综述文的撰写者一般应是正在从事该领域研究工作的专家，内容需包括作者对本人或本课题组研究工作的评述）。 ﹡文章格式必须用word格式(本刊使用Word 2003)；文字用宋体五号，行距 1.0，除中、英文摘要外，文章主体部分分为两栏。按“中文标题、作者、单位、摘要、关键词，英文标题、作者、单位、摘要、关键词，正文（致谢）、参考文献”的顺序撰写。图、表置于文中适当位置。首页下方按“收稿日期、基金项目、作者简介”顺序列出。详见“模版/样版”。 ﹡标题要简单明了，突出主题和创新亮点。中文标题一般不超出20字。中英文标题相符合。 ﹡中英文摘要研究成果论文应按三要素（研究的问题，过程和方法，结论）写出200字左右的信息性摘要。综述文章可写指示性或信息/指示性摘要，150字左右。关键词（中英文）要求直扣主题，3～8个。给出中图分类号。详见《中英文摘要书写要求》。 ﹡图表给出简明的中、英文图题和表题，图表应有自明性，
《电子材料与元器件》试卷
电子电工《电子材料与元器件》样卷 一．填空题：（30分） 1.电感线圈主要用于对交变信号进行、、组成等。2．磁性材料常分成、三大类。 3．电解电容器主要用于、等电路。 4．常见的无机绝缘材料有、、 5．常见的变压器有、、、。 6．继电器是一种用小电流或控制或的自动开关，在电路中起着自动操作、自动调节、安全保护的作用。 7． P型半导体靠导电，N型半导体靠导电。 8．晶体二极管具有；晶体三极管具有的作用。 9．晶体三极管主要有、、三个参数。 二．判断题(10分) 1．在放大电路中用碳膜电阻来补偿因温度变他而引起的工作点变化。（）2．中频变压器俗称中周。（） 3．二芯插头插座主要用于立体声信号的连接。（） 4．半导体的电阻率随温度变化很明显。（） 5．稳压二极管的反向特性与普通二极管相似。（） 6．全桥硅整流堆内含4个二极管。（） 7．达林顿管是复合管。（） 8．镍镉电池对环境无污染.( ) 9．玻璃和橡胶都属于无机绝缘材料。（）10．在傻瓜照相机测光电路中使用光敏电阻。（） 三选择题（28分） 1制作印制电路板可用的材料是（） A 铝板 B 铜板 C 敷铜板 D 环氧板 2精密电阻器大多用色标法来标注，所用的色环是（） A 3色环 B 4色环 C 5色环 D 6色环 3某电容器标有2200字样，它的容量是（） A 2200uF B 2200pF C 2200F D 22uF 4带电子多的杂质半导体称为（） A N型半导体 B P型半导体 C 本征型半导体 D 电子型半导体 5 锗二极管的死区电压为（） A 0.2V B 0.5V C 0.7V D 1.6V 6要使三极管有放大作用必须（） A发射结加正向电压，集电结加反向电压。 B发射结加反向电压，集电结加正向电压。 C发射结加正向电压，集电结加正向电压。 D发射结加反向电压，集电结加反向电压。 7．扬声器的阻抗可能是（） A0.5欧 B8欧 C100欧 D1000欧 8．圆柱型干电池的标称电压是（） A 1V B 1.5V C 1.8V D 2.5V 9．锂电池（） A有记忆效应 B无记忆效应 C充电慢 D不能充电
光电子材料与器件题库
《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时，形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑，属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为（C）（A）C n（B）C n v（C）C2h（D）C s 3. 随着温度的升高，光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为（B）。 （A）光谱响应的峰值将向长波方向移动 （B）光谱响应的峰值将向短波方向移动 （C）光生电流减弱 （D）光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时，图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中，而后再转移输出。则该CCD的类型为（B ） （A）帧转移型CCD （B）线阵CCD （C）全帧转移型CCD （D）行间转移CCD 5. 对于白光LED器件，当LED基片发射蓝光时，其对应的荧光粉的发光颜色应该为（D） （A）绿光（B）紫光（C）红光（D）黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中，下列不属于光学设计的为（C） （A）在电池表面铺上减反射膜; （B）表面制绒; （C）把金属电极镀到激光形成槽内; （D）增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则，下列有关跃迁允许的表述中，不正确的是（B ）： （A）总角量子数之差为1 （B）主量子数必须相同 （C）总自旋量子数不变
（D）内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后，又跃迁回基态或低能态，发射出的荧光波长小于激发光波长，称为（B）。 （A）斯托克斯荧光（B）反斯托克斯荧光（C）共振荧光（D）热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论，决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的（A ） （A）交换积分（B）库仑积分（C）重叠积分（D）置换积分 10. 下列轨道中，属于分子轨道的是（C） （A）非键轨道（B）s轨道（C）反键轨道（D）p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定，其原因是由于分子中存在（D ） （A）强σ 键（B）两个π键（C）离域的π键（D）N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围，则该光谱反映的是分子的（B ）能级特性。 （A）振动（B）转动（C）电子运动（D）电声子耦合 13．下列的对称元素中，所对应的对称操作属于虚动作的是（C ） （A）C3 （B）E（C）σh（D）C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面，则其所处的晶系为（C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体，它的晶体结构是（D）。 （Ａ）NaCl 结构（B）纤锌矿结构（C）钙钛矿结构（D）闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时，会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是（B）。 （A）CH4（B）H2O （C）石墨烯（D）金刚石 17. 关于金属的特性，特鲁德模型不能成功解释的是（A ） （A）比热（B）欧姆定律（C）电子的弛豫时间（D）电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（B ）。 （A）在绝缘体中，电子填满了所有的能带 （B）在0 K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 （C）半导体中禁带宽度比较大 （D）绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（B）？ （A）电（B）热（C）磁（D）掺杂 20．在P型半导体材料中，杂质能级被称之为（C）。 （A）施主能级（B）深陷阱能级（C）受主能级（D）浅陷阱能级
常用电子仪器仪表的使用
实验一：常用电子仪器仪表的使用 一、实验目的 电子仪器仪表是测量电子线路的基本设备，正确选择和使用各种常用电子仪器是做好电子线路实验的基本保证，本实验主要达到如下目的。 1．了解SDS1102型示波器、SDG1050低频信号发生器、SDM3055台式数字万用表原理方框图，主要技术指标以及面板上各旋钮的功能。 2．掌握SDS1102型示波器、SDG1050低频信号发生器、SDM3055台式数字万用表基本使用方法。 二、预习要求 1．阅读附录中有关仪器使用的内容。 2．明确实验内容及要求，完成实验数据表格记录。 三、实验仪器及设备 1．示波器SDS1102 2．低频信号发生器SDG1050 3．台式数字万用表SDM3055 四、实验内容： 一）、实验步骤： （2）将三台仪器连接好。
（2）根据表1-1的条件，在SDG1150信号发生器上选择波形、调节频率、调节输出电压； （3）SDS1102示波器按下“AUTO”，就可以进行数据读取。并用万用表测量电压值。（除“输出电压测量”用万用表测量外，其余使用示波器测量）二）、按照表格1-1给出的条件完成实验内容。 表格1-1 内容 频率波形 输出 电压(峰 峰值) 一个周期 在X轴所 占格数 正负峰之 间在Y轴 所占格数 周期刻 度 T/div 幅值 刻度 V/div 周 期 T 输出电 压测量 100HZ正弦波1V 1000HZ三角波100ｍｖ1.5KHZ方波10ｍｖ10KHZ正弦波3V
注：T/div为示波器水平刻度每格的时间；V/div为示波器垂直刻度每格的电压值。 三）、实验报告要求 1．整理实验数据，并进行分析和讨论。 2．如果用示波器测出正弦波形上下幅度（峰—峰）的电压值为5V，试求其有效值。 四、仪器的基本使用方法 1、SDG1050低频信号发生器基本使用方法
电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分
电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节，对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总 体要求，在深入调研、广泛论证的基础上，编制本规划，以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 （一）产业规模进一步扩大 “十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步 扩大（详见表1和表2），其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅 次于日本和美国，居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况
（二）部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展，我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国，产量占世界总产量的30%以上，部分产品产量居世界前列。其中，产量居全球首位的产品：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列，成为全球重要的生产和出口基地（详见表3）。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 产品类别单位“九五”期 末“十五”期末 电容器亿只12193800 磁性材料与器件万吨1540 混合集成电路亿块0.6 2.2 微特电机与组件亿只335 印制电路万平方米158611000 彩管万只50838617 多晶硅产量吨260300 LED亿只84310 锂离子电池亿只111 （三）产品结构有所改善 “十五”期间，我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%，接近世界平均水平；新型显示器件产业取得突破，国内两条第5代TFT-LCD生产线均实现量产，PDP的研发和产业化取得一定进展，彩管正在向纯平、高清晰度方向发展；多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%；锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列；大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 （四）技术创新取得新进展 “十五”期间，国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈，大大降低了MLCC的成本；TFT-LCD领域拥有了一定数量的核心专利，OLED技术研发取得重要进展；具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化；已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP 单晶，并掌握主要技术；SOI（绝缘层上的硅）技术研究水平基本与国外同步，6英寸注氧隔离（SIMOX）晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来，我国电子材料和关键元器件取得长足进步，但总体看，行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出，高端元器件和关键电子材料主要依赖进口；整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成；国内骨干企业规模小、经济实力弱，自主创新能