日本电气化学(Denka)散热铝基板中文介绍
DENKI KAGAKU KOGYO K.K.
日本电气化学工业有限公司
DENKA
The field suitable for Hybrid IC
适用与混合集成电路领域
Classification of printed circuit board 印刷线路板的分类
Flexiuble substrate柔性基板
Film material (polyimide, polyester)薄膜材料（聚酰亚胺，聚酯）
Comparison of properties with each substrate 每种基材的性能对照
*Al base type基本类型
Typical structure of IMS 标准层的典型结构
Conductor (Cu foil, etc.) 导体（铜箔等）
Insulator 绝缘层
Typical structure of HIC 典型的混合集成电路结构
Ni plating 镍层
Al wire 铝丝
Plastic case 塑胶外壳
Semiconductor
半导体
Chip resistance
贴片电阻
Resin 树脂
Lead terminal
引线端子
Insulator 绝缘层
IMS 标准层
Development performance of IMS 标准层的发展方向
Improvement of Insulator 绝缘层的改善
→Higher thermal conductivity, higher reliability and higher heat resistance.
更高的导热系数，高可靠性和高耐热性.
R a t e d v o l t a g e (V )额定电压
Field of each substrate 每种基材的领域 K-1 一般型
性型
TH-1高耐热高导型
B-1超高导热型
Industrial machine 工业机器
Air conditioner
500
空调设备
HITT PLATE(IMS)
高导热铝基板
Alumina substrate 氧化铝层
AlN substrate 氮化铝层
Audio 音频
50
100
Rated current(A)
额定电流
Market request 市场需求
Cost down, down sizing and Higher thermal conductivity 低成本小型化高导热系数
Thermal 2W/mK conductivity 导热系数
4W/mK
8W/mK
T h e r m a l c o n d u c t i v i t y (W /m K ) 导热系数
Lineup of HITT PLATE’s insulator 绝缘高导热铝基板的应用范围
Heat cycle reliability 长期可靠性
T h e r m a l r e s i s t a n c e oC /W 热变电阻
Comparison of HITT PLATE 高导热铝基板对照
1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2
Alumina substrate
氧化铝层
50 100 150 200 600 650
Thickness of insulator 绝缘层厚度
The results of thermal resistance by thermal viewer
IMS B-1(8W/mK) type IMS B-1类型
(0.125mmt)
热变电阻耐热测试的结果
Alumina DBC 氧化铝合基板
(0.635mm)
Test sample
测试样品
基材substrate
TO-220 Low 低
High 高
（2SC2233)
Max.temp.最高温度
℃
℃
Typical properties of super high thermally conductive type典型的超高导热类型性能
DENKA HITT PLATE in Automotive 日本电气化学公司高导热铝基板在汽车上的应用
DC/DC converter 直流/直流转化器
ECU
电气转化装置
Generator
发动机
ＨＩＴＴPLATE 高导热铝基板EPS应急电源
Suspension controller
悬浮控制器
Technical trend of EPS 应急电池的技术趋势
Fuel efficient will be better 3% compared with
hydromechanical power steering
与流体动力转向相比较燃烧性提高了3%
Rapid diffusion to 1000cc ~ 2000cc car 迅速提高了1000cc-2000cc 卡路里
High thermal conductivity
Improvement to decrease solder cracks of bear chip 改善了芯片的焊裂
A shape of substrate under heat cycle test 基材热循环测试的模拟
Case of cool down在容器中冷却
Chip resistor贴片电阻Solder 焊盘
Aluminum plate铝板Case of heat up在容器中加热
Aluminum plate铝板
Solder crack //Close up 焊盘开裂//断路
Solder crack焊盘开裂
Chip resistor贴片电阻Solder焊盘
Cu foil铜箔
Chip resistor贴片电阻Solder焊盘
Solder crack焊盘开裂
Insulator绝缘层
Al base plate铝基
Glass transition point ( C) TMA method or DMA method 165(TMA)
ａｔ 25 ℃
在25度下
: Step by step increasing 96 hrs after PC T 压力锅煮（121 ℃,2at m ） trea tme nt 96小时（121℃,2大气压）情况下 8.2
Glass transition point (℃)玻璃化温度(℃)
Typical properties of high heat cycle reliability type ”EL -1”耐焊裂型“EL-1”高热循环典型性测试
Revised 修订 : 08/23/'01
Items 项目
Thermal conductivity (W/mK )导热系数
Measurement condition, etc.
测量条件等
TMA method or DMA method 机械方法和动态力学方法
高导热高耐热
TH-1
4.0
一般型 K-1
2.0 耐焊裂型 EL-1
2.4-2.7 104(TMA) 57(DMA) Volume resistivity (Ohm cm)体积电阻率
Dielectr ic constant 介电常数 Dielectr ic loss tangent 介电损耗
Thickness of dielectr ic layer (um) 介电层厚度
Thermal resistance (℃/W) 热变电阻
ａｔ 1MHz 在1兆赫兹 ａｔ 1MHz 在1兆赫兹
SEM 扫描式电子显微镜 Denka method 便携式PH 分析仪
4.5 X 1016 7.2 0.004 125(Y type) 0.50
4.3 X 1015 7.0 0.004 100(Y type) 0.64 1.0ｘ 1015 7.4 0.024 110 0.51-0.55 Peeling strength (N/cm) 剥离强度 Normal condition ：Based on JIS C6481 正常状态：基于日本工业标准C6481 22.1
25.2 19.6 Dielectr ic breakdown voltage （KV ）
Normal condition 正常状态
8.3
6.8 3.5*1
voltage method 介质击穿电压KV 逐步增加电压 1000hrs after 85℃,85%RH,D C100V tre atment 1000个小时85℃,85湿度直流电压100V% 5.7*1
1000hrs after 150℃,DC 100V treatm ent 在150℃，电压100V 情况下1000小时后
5.0
5.5 5.7*1 4.2*1 3.8*1 4.0*1 3.7*1 Crack at solder after heat-cycle
焊盘开裂在焊后加热 Liquid-Liquid 液液层分析 -40℃(7min.) +125℃（7min.)
500 cycles 500个循环， Rate of Grade-C,D(%) 比率和等级 1000 cycles 1000个循环， － －
63
100
31
2125 chip resistor mounted 2125贴片电阻安装
All fi gures i n the tabl es are typi cal val ues.所有的表格里是平均值
*1 Measured with comb-shaped pattern. 测量都是用梳型模式 *2 50hrs after PC T treatment. 压力锅煮实验50小时后
Rate of Grade-C,D(%) 比率和等级
Grade-A A 等级的没有开裂 No crack r 2125小电阻
Grade-B B 等级 芯片和焊盘连接处开裂 Crack at connection between chip and solder.
硅层
Heatsink （W ater-cooled ）
散热器(水冷)
ayer Grade-C Grade-D C ra c k e xt e n di n g f ro m t h e co n n e cti o n b et w e e n ch i p a n d so l d e r
开裂
Broken electrical conductiv ity .D 等级 导电破坏
开裂
开裂
Fig.1 Measurement for thermal conductivity 引1:测量导电率
Size of Cu land under Tr. : 10 X 15mm,铜面的尺寸:10×15mm Size of substrate : 30 X 30mm,基材的尺寸: 30×30mm
Fig.2 Grade of cracks after heat cycle 引2.在热循环之后开裂的等级
I n c i d e n c e o f s o l d e r c r a c k (%) 焊裂的发生率
Comparison of solder crack property 焊盘开裂的性能比较
: -40℃–125℃
00
1000
Number of heat cycle 热循环次数
High heat resistant type “M -2” 高耐热型”M-2”
Table.MOT of the dielectric layers 介电层的表单数值
1.E+05
1.E+04
1.E+03
1)It is a recognition acquisition schedule in June-2005. 在2005年六月测试识别进度表
1.E+02 250
200
150
100
Oven Temperture 烤箱温度
Fig1．Heat resistant test 引1.耐热测试
(Dielectric Strength)绝缘强度
New substrate has the high MOT(UL specification) and the excellent reliability.
新的基材有很高的关键性(UL 规格下)和卓越的可靠性
High heat resistant type “M-2”高耐热型M-2
Table 1. Characteristics of the dielectric layers
表一 . 介电层的特性
Samples AL base plate: 1.5mm,Cu foil: 70um,dielectric layer: 150 um
铝基板样品:1.5毫米, 铜箔: 70微米, 介电层: 150微米
1)It is a recognition acquisition schedule in June-2005
在2005年六月测试识别进度表
D E N K A
氮化铝陶瓷基板用于IGBT模块的研究
氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的深度研究 电动汽车、电力机车、智能电网等领域需要实现电能转换和控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子器件。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。本文采用直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备了氮化铝陶瓷覆铜板，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异，并指出氮化硅陶瓷覆铜板有望在下一代功率模块上广泛应用。 IGBT作为电力电气功率器件的背景 随着《中国制造2015》、《工业绿色发展专项行动实施方案》、《关于加快新能源汽车推广应用的指导意见》以及“特高压规划”等一系列的政策密集出台，我国的高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等项目成为未来几年“绿色经济”的热点。而这些项目对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。但是国内相关技术水平落后导致国内高压IGBT市场被欧、美、日等国家所垄断，高压IGBT产品价格高、交货周期长、产能不足，严重限制了我国动力机车、电动汽车和新能源等领域的发展。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型晶体管，是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU”，在轨道交通、航空航天、新能
各国压铸铝合金的化学成份及要求
压铸铝合金的化学成分和力学性能表 序号合金牌号合金代号 化学成份 力学性能 (不低于) 硅铜锰镁铁镍钛锌铅锡铝 抗拉强度伸长度 布氏硬度 HB5 /250 /30 1 YZA1Sil 2 YL102 10.0 13.0 ≤0.6≤0.6≤0.05≤1.2≤0.3余 220 2 60 2 YZA1Si10Mg YL104 8.0 10.5 ≤0.3 0.2 0.5 0.17 0.30 ≤1.0≤0.3≤0.05≤0.01余220 2 70 3 YZA1Si12Cu2 YL108 11.0 13.0 1.0 2.0 0.3 0.9 0.4 1.0 ≤1.0≤0.05≤1.0≤0.05≤0.01余240 1 90 4 YZA1Si9Cu4 YL112 7.5 9.5 3.0 4.0 ≤0.5≤0.3≤1.2≤0.5≤1.2≤0.1≤0.1余240 1 85 5 YZA1Si11Cu3 YL113 9.6 12.0 1.5 3.5 ≤0.5≤0.3≤1.2≤0.5≤1.0≤0.1≤0.1余230 1 80 6 YZA1Si17Cu5Mg YL11 7 16.0 18.0 4.0 5.0 ≤0.5 0.45 0.65 ≤1.2≤0.1≤0.1≤1.2余220 <1 7 YZA1Mg5Sil YL302 0.8 1.3 ≤0.1 0.1 0.4 4.5 5.5 ≤1.2≤0.2≤0.2余220 2 70 二.日本工业标准JIS H5302:2000日本压铸铝合金化学成分表 JIS牌号ISO牌号Cu Si Mg Zn Fe Mn Ni Sn Pb Ti Al ADC1 1.0以下11.0-13.0 0.3以下0.5以下 1.3以下0.3以下0.5以下0.1以下余量ADC1C A1-Sil2CuFe 1.2以下11.0-13.5 0.3以下0.5以下 1.3以下0.5以下0.30以下0.1以下0.20以下0.2以下余量ADC2 A1-Si12Fe 0.10以下11.0-13.5 0.10以下0.1以下 1.3以下0.5以下0.1以下0.05以下0.1以下0.2以下余量ADC3 0.6以下9.0-10.0 0.4-0.6 0.5以下 1.3以下0.3以下0.5以下0.1以下余量ADC5 0.2以下0.3以下 4.0-8.5 0.1以下 1.8以下0.3以下0.1以下0.1以下余量ADC6 0.1以下 1.0以下 2.5-4.0 0.4以下0.8以下0.4-0.6 0.1以下0.1以下余量ADC7 A1-Si5Fe 0.10以下 4.5-6.0 0.1以下0.1以下 1.3以下0.5以下0.1以下0.1以下0.1以下0.20以下余量ADC8 A1-Si6Cu4Fe 3.0-5.0 5.0-7.0 0.3以下 2.0以下 1.3以下0.2-0.6 0.3以下0.1以下0.2以下0.2以下余量ADC10 2.0-4.0 7.5-9.5 0.3以下 1.0以下 1.3以下0.5以下0.5以下0.2以下余量ADC10Z 2.0-4.0 7.5-9.5 0.3以下 3.0以下 1.3以下0.5以下0.5以下0.2以下余量ADC11 A1-Si8Cu3Fe 2.5-4.0 7.5-9.5 0.3以下 1.2以下 1.3以下0.6以下0.5以下0.2以下0.3以下0.2以下余量ADC12 1.5-3.5 9.6-12.0 0.3以下 1.0以下 1.3以下0.5以下0.5以下0.2以下余量ADC12Z 1.5-3.5 9.6-12.0 0.3以下 3.0以下 1.3以下0.5以下0.5以下0.2以下余量 牌号 抗拉试验硬度试验 抗拉强度MPa 耐力MPa 延伸率% HB HRB
铝基板的制作流程及规范
铝基板制作及规范 ---作者:贺梅 随着电子产品轻、薄、小、高密度、多功能化发展促使PCB上元件组装密度和集成度越来越高，功率消耗越来越大，对PCB基板的散热性要求越来越迫切，如果基板的散热性不好，就会导致印制电路板上元器件过热，从而使整机可靠性下降。在此背景下诞生了高散热金属PCB基板,铝基板是金属基板应用最广的一种.且具有良好的导热性,电气绝缘性. 一,铝基板的材料,构造分类 1. 材料 热处理以强化铝质硬度，在表面起防氧化及防擦花的作用；为促进散热作用,在PP片一般会在PP 树脂中添加适量陶瓷粉末. 二.产品主要用于哪些区域 1.汽车、摩托车的点火器,电压调节器. 2.电源(大功率电源)及晶体管,电源交换器. 3.电子,电脑CPU,LED灯及显示板. 4.音响输出、均衡及前置放大器
5.太阳能基板电池、半导体绝缘散热 等等及其它 三.铝基板的特点 1.采用表面贴装技术 2.在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理,无需散热器. 3.降低产品运行温度,提高产品功率密度和可靠性,延长产品使用寿命. 双面铝 ,所以采用了塞树脂预大制作! 普通单面铝基板例如(019189),没有插件孔,没有沉头孔的情况下只需二次钻孔即可,板内和SET边上的定位孔都需要做二钻,,PNL板边的3.175MM,2.0MM,和料号孔一次钻出,二次钻孔板边只需加3.175MM定位孔.二次钻孔在成型前. 2.FR4+铝基
例如(018980) FR4相当于一个正常双面板做, FR4+铝基,铝基主要是起散热作用,双面基板一般会采用0.2MM-0.4MM的双面板,双面板的制作流程正常,同常规做法一样,在CAM制作时需钻上铆钉孔,压合与铝板铆合用,铝板则需钻孔而已,然后压合. 3.双面铝基板 目前我们公司还没有生产,简单介绍下 铝基板双面板主要是采用绝缘制作 五 1., 2.. 4.以上 5. 此方法在制作时: 线路层正常预大,然后将线路板所有贴片(除光学点外)在预大的基础上再加大单边0.1MM,将阻焊对应的贴片缩小比线路加大后的贴片小单边0.1MM即可.如图:
七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性
七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性 氮化铝陶瓷基板在大功率器件模组，航天航空等领域备受欢迎，那么氮化铝陶瓷基板都有哪些种分类以及氮化铝陶瓷基板特性都体现在哪些方面？ 一，什么是氮化铝陶瓷基板以及氮化铝陶瓷基板的材料 氮化铝陶瓷基板是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷基板，也叫氮化铝陶瓷基片。热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是大功率集成电路和散热功能的重要器件。 二，氮化铝陶瓷基板分类 1，按电镀要求来分 氮化铝陶瓷覆铜基板（氮化铝覆铜陶瓷基板），旨在氮化铝陶瓷基板上面做电镀铜，有做双面覆铜和单面覆铜的。 2，按应用领域分 LED氮化铝陶瓷基板（氮化铝led陶瓷基板），主要用于LED大功率灯珠模块，极大的提高了散热性能。 igbt氮化铝陶瓷基板,一般用于通信高频领域。 3，按工艺来分 氮化铝陶瓷基板cob（氮化铝陶瓷cob基板),主要用于Led倒装方面。 dpc氮化铝陶瓷基板,采用DPC薄膜制作工艺，一般精密较高。 dpc氮化铝陶瓷基板(AlN氮化铝dbc陶瓷覆铜基板)，是一种厚膜工艺，一般可以实现大批量生产。 氮化铝陶瓷基板承烧板 3，按地域分
有的客户对特定的氮化铝陶瓷基板希望是特定地域的陶瓷基板生产厂家，因此有了： 日本氮化铝陶瓷基板 氮化铝陶瓷基板台湾 氮化铝陶瓷基板成都 福建氮化铝陶瓷基板 东莞氮化铝陶瓷基板 台湾氮化铝陶瓷散热基板 氮化铝陶瓷基板珠海 氮化铝陶瓷基板上海 4，导热能力来分 高导热氮化铝陶瓷基板，导热系数一般较高，一般厚度较薄，一般导热大于等于170W的。 氮化铝陶瓷散热基板，比氧化铝陶瓷基板散热好，大于等于50W~170W. 三，氮化铝陶瓷基板特性都有哪一些？ 1，氮化铝陶瓷基板pcb优缺点 材料而言：陶瓷基板pcb是陶瓷材料因其热导率高、化学稳定性好、热稳定性和熔点高等优点，很适合做成电路板应用于电子领域。许多特殊领域如高温、腐蚀性环境、震动频率高等上面都能适应。氮化铝陶瓷基板，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。硬度较高，交工难度大，压合非常难，一般加工成单双面面陶瓷基板pcb. 2,氮化铝陶瓷基板产品规格（尺寸/厚度、脆性） 氮化铝陶瓷基板的产品规格尺寸厚度，有不同的尺寸对应不同个的厚度，具体如下： 氮化铝陶瓷基板尺寸一般最大在140mm*190mm,氮化铝陶瓷基板厚度一般在
日本电气化学(Denka)散热铝基板中文介绍
日本电气化学工业有限公司 DENKA
The field suitable for Hybrid IC Audio 音频Power AMP. 功率放Pre-AMP. 前置Regulator 调节 EPS 应急电源 Power module 电源模 LED发光二极 Oscillator 振Micro-strip circuit ＨＩＴＴＰＬＡＴＥ高导 (IMS) CPU board 中央处理器 Power supply 电源供 Inverter 换 Transistor 晶体 Motor driver 马达DC/DC Converter 直流/ SW regulator 开关调VTR, TV 磁带录像机, Tuner 调谐器Regulator 调节 适用与混合集成 电路领域 . Suitable field for IMS The
适用于工业管理学会
Classification of printed circuit board 印刷线路板的分类 Flexiuble Ceramic substrate 陶瓷基片 Insulated Metal Substrate 绝缘金属基材 厚膜陶瓷线路板 Substrate with thin circuit.薄膜陶瓷线路板 Substrate Multi-layer 多层陶瓷线路板 (铝,铜,铁) Metal Core Substrate (Al, Cu, Fe)金属芯基材(铝, Paper based material (phenol) 纸基板(酚基材) Glass cloth based material (epoxy, polyimide)玻璃基材（环氧树脂，聚酰亚胺） Rigid substrate 刚性基板 Organic substrate 有机基板
铝基板制作规范
铝基板铝基板制作规范制作规范 1.0福斯莱特铝基板制作规范前言 随着电子技术的发展和进步，电子产品逐渐向轻、薄、小、个性化、高可靠性、多功能化已成为必然趋势。福斯莱特铝基板顺应此趋势而诞生，该产品以优异的散热性，机械加工性，尺寸稳定性及电气性能在混合集成电路、汽车、办公自动化、大功率电气设备、电源设备等领域近年得到了广泛应用。铝基覆铜板1969年由日本三洋公司首先发明，我国于1988年开始研制和生产，福斯莱特公司从2005年开始研发并小批量生产，为了适应量产化稳质生产，提升生产效率，并作为员工操作的依据，特拟制此份制作规范，此份文件同时也是本岗位新进员工培训之教材。
2.0福斯莱特铝基板制作规范适用范围 本作业规范适用于铝基覆铜板的制作全过程。 3.0福斯莱特铝基板制作规范部门职责 3.1.生产部负责本操作规范的执行，有疑问及时反馈到工艺等部门。 3.2.工艺、研发部负责本规范的制定和修订，并协助解决生产遇到的问题。 3.3.品质部负责对本规范的监控以及品质保证。 4.0福斯莱特铝基板制作规范工艺流程 4.1喷锡或沉金板 开料→一次钻孔→线路→蚀刻→蚀检→阻焊(二次阻焊)→文字→喷锡或沉金→二次钻孔→锣板或冲板 →测试（包括开短路测试和耐压测试）→终检→包装→出货。 4.2沉银、沉锡或OSP板 开料→一次钻孔→线路→蚀刻→蚀检→阻焊(二次阻焊)→文字→二次钻孔→锣板或冲板→测试（包括开短路测试和高压测试）→终检1→沉银、沉锡或OSP→终检2→包装→出货。 4.3杯孔或杯孔镀银工艺板 开料→一次钻孔→线路→蚀刻→蚀检→阻焊(二次阻焊)→文字→喷锡或沉金→ 杯孔板:二次钻孔→铣杯→锣板或冲板→测试（包括开短路测试和高压测试）→终检→包装→出货。 杯孔镀银板:印蓝胶→杯孔镀亮银→二次钻孔→锣板或冲板→测试
银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究
Semiconductor Technology Vol. 29 No. 3 March 2004 41 １ 引言 随着半导体ＩＣ芯片集成化、速度和功率的日益提高，以及电子整机向小、轻、薄方向发展，对与之相适应的高密度电路基板的要求也越来越高。过去采用高温共烧技术制成的多层陶瓷基板，由于布线导体材料必须是诸如钨、锰等高熔点金属，不仅电阻大，性能差，而且成本高，很难推广应用。而ＡｌＮ／ｇｌａｓｓ复合材料的烧结温度可控制在１０００℃以内，从而使得和高导电银的共烧成为可能。 本文将研究以银为共烧布线材料，采用丝网印刷金属化图形，流延制备ＡｌＮ／ｇｌａｓｓ复合材料坯片，来实现低温共烧。 ２ 实验过程 银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究 戎瑞芬，汪荣昌，顾志光 （复旦大学材料科学系， 上海 ２００４３３） 摘要：从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶，从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明，二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结，获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。 关键词：氮化铝；银浆；排胶；低温共烧 中图分类号：ＴＮ４０５；ＴＢ３５ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００４）０３－００４１－０３ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ ＬＴＣＣ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ－ｂａｓｅｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ＡｌＮ ｃｅｒａｍｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ＲＯＮＧ Ｒｕｉ－ｆｅｎ， ＷＡＮＧ Ｒｏｎｇ－ｃｈａｎｇ， ＧＵ Ｚｈｉ－ｇｕａｎｇ， （ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ， Ｆｕｄａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ， Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００４３３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ： Ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｖｅｈｉｃｌｅ ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ ｏｆ ＡｌＮ ｇｒｅｅｎ ｔａｐｅ ａｎｄ Ａｇ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐａｓｔｅ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｖｉｅｗ ｏｆ ＬＴＣＣ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， ａｎｄ ｏｐｔｉｍｕｍ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ｏｆ ｏｒｇａｎｉｃ ｖｅｈｉｃｌｅｅｖａｃｕａｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｃｏｆｉｒｉｎｇ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ． Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅｂｅｓｔ ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ＡｌＮ ｃｅｒａｍｉｃ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｃａｎ ｂｅｅｎａｃｈｉｅｖｅｄ ｂｙ ｔｗｏ－ｓｔｅｐ ｏｒｇａｎｉｃ ｖｅｈｉｃｌｅ ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｃｏｆｉｒｅ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｕｓｉｎｇ ｍｉｘｅｄａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｇａｓｅｓ ｏｆ ｎｉｔｒｉｄｅ ａｎｄ ｍｉｃｒｏ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｏｘｉｄｅ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ： ＡｌＮ；Ａｇ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐａｓｔｅ；ｖｅｈｉｃｌｅ ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ；ＬＴＣＣ 图１ ＡｌＮ多层基板制备工艺流程图ＡｌＮ多层基板制备工艺流程图见图１。 专题报 道
铝基板【铝基板散热设计方案】
1 铝 基 板 散 热 设 计 方 案 以LDM150-48S5/LDM150-48S3V3为例 一、计算两种产品在自然风冷状态下需配散热器的散热尺寸： LDM150-48S5的功耗为P D =150/0.87-150=22.4W ，△T=95-55=40℃，Rth=△T/P D =1.786/W ℃； LDM150-48S3V3的功耗为P D =100/0.86-100=16.28W ，△T=95-55=40℃，Rth=△T/P D =2.46/W ℃； 考虑10%的安全余量：LDM150-48S5的热阻取1.6/W ℃， LDM150-48S3V3 的热阻取2.2/W ℃， 根据此热阻估算散热器的散热面积，数据如表一： 表一 热阻 （/W ℃） 水平放置时的散热面积（cm 2）垂直放置时的散热面积（cm 2）型号1.6 900500LDM150-48S52.2500350LDM150-48S3V3 二、我公司现有的散热器的现状： 与此两种电源模块安装尺寸配套的散热器有两种，型号分别为：AHS －107H 、AHS －LDG100， 表二为两种散热器的指标参数： 表二 型号外型尺寸（mm ）散热面积估算值（cm 2 ） AHS-107H 61×58×11113 AHS-LDG10087×80×36650 三、方案阐述： 有两种方案： 第一种、从经济角度来看，最好采用我公司的散热器，不仅减少了对外采购时散热器供应商针对本产品的研发费用，而一些用户根据实际使用情况愿意自己选配散热器。 对于型号为LDM100－48S3V3的电源模块，我们推荐型号为AHS －107H 的散热器，如果用户空间允许，我们推荐型号为AHS －LDG100的散热器，这样散热效果比较好，并且我们提供给用户关于使用AHS －107H 这种散热器的温度曲线。以下为配这种散热器的温度曲线： 对于型号为LDM150－48S5的电源模块，我们推荐型号为AHS －LDG100的散热器，并且我们提供给用户关于使用这种散热器的温度曲线。图二为温度曲线： 【铝基板品牌网】https://www.360docs.net/doc/1b10533076.html, 小强铝基板制作 打造专业可靠的铝基板，提供高效一流的服务!诚信客户！回报社会！
为何氮化铝陶瓷基板最适合LED散热基板
为何氮化铝陶瓷基板最适合LED散热基板呢？ LED向着高效率、高密度、大功率等方面发展。体国内LED有了突飞猛进的进展，功率也是越来越大，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。氮化铝陶瓷基板作为LED散热基板实在必行。 LED散热基板市场现状 现阶段常用基板材料有Si、金属及金属合金材料、陶瓷和复合材料等，它们的热膨胀系数与热导率如下表所示。其中Si材料成本高；金属及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配；陶瓷材料难加工等缺点，均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。 LED散热基板三种类型以及特点 功率型LED封装技术发展至今，可供选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。 环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。它起到支撑、导电和绝缘三个作用。其主要特性有：成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。但由于FR-4的基底材料是环氧树脂，有机材料的热导率低，耐高温性差，因此FR-4不能适应高密度、高功率LED封装要求，一般只用于小功率LED封装中。 金属基覆铜基板是继FR-4后出现的一种新型基板。它是将铜箔电路及高分子绝缘层通过导热粘结材料与具有高热导系数的金属、底座直接粘结制得，其热导率约为1.12
W/m·K，相比FR-4有较大的提高。由于具有优异的散热性，它已成为目前大功率LED 散热基板市场上应用最广泛的产品。但也有其固有的缺点：高分子绝缘层的热导率较低，只有0.3W/m·K，导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上；金属Cu、Al的热膨胀系数较大，可能造成比较严重的热失配问题。 金属基复合基板最具代表性的材料是铝碳化硅。铝碳化硅是将SiC陶瓷的低膨胀系数和金属Al的高导热率结合在一起的金属基复合材料，它综合了两种材料的优点，具有低密度、低热膨胀系数、高热导率、高刚度等一系列优异特性。AlSiC的热膨胀系数可以通过改变SiC的含量来加以调试，使其与相邻材料的热膨胀系数相匹配，从而将两者的热应力减至最小。 陶瓷基板作为LED散热基板的优势 陶瓷基板材料常见的主要有Al2O3、氮化铝、SiC、BN、BeO、Si3N4等，与其他基板材料相比，陶瓷基板在机械性质、电学性质、热学性质具有以下特点： (1)机械性能。机械强度，能用作为支持构件；加工性好，尺寸精度高；表面光滑，无微裂纹、弯曲等。 (2)热学性质。导热系数大，热膨胀系数与Si和GaAs等芯片材料相匹配，耐热性能良好。 (3)电学性质。介电常数低，介电损耗小，绝缘电阻及绝缘破坏电高，在高温、高湿度条件下性能稳定，可靠性高。 (4)其他性质。化学稳定性好，无吸湿性；耐油、耐化学药品；无毒、无公害、α射线放出量小；晶体结构稳定，在使用温度范围内不易发生变化；原材料资源丰富。 氮化铝陶瓷基板为何能成为最适合的LED散热基板？ 长期以来，Al2O3和BeO陶瓷是大功率封装两种主要基板材料。但这两种基板材
氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺
氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺 氮化铝陶瓷基板相对于氧化铝套基板而氧，机械强度和硬度增加，相应的导热率比氧化铝陶瓷基板更高。氮化铝陶瓷基板生产制作难度增加，加工工艺也有所不同。今天小编主要是讲述一下氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺。 一，氮化铝陶瓷基板生产制作流程 1，氮化铝陶瓷基板生产制作过程 氮化铝陶瓷基板生产制作流程，大致和陶瓷基板的制作流程接近，需要做烧结工艺，厚膜工艺，薄膜工艺因此具的制作流程和细节有所不同。氮化铝陶瓷基板制作流程详见文章“关于氧化铝陶瓷基板这个八个方面你知道几个？” 2，氮化铝陶瓷基板研磨 氮化铝陶瓷电路板的制作流程是非常复杂的，第一步就是氮化铝陶瓷电路板的表面处理，也叫作研磨，其作用是去除其表面的附着物以及平整度的改善。 众所周知，氮化铝陶瓷基板会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多，遇到比较薄的板厚要求的时候，研磨就是一个非常难得事情了，要保证氮化铝陶瓷电路板不会碎裂，还要达到尺寸精度和表面粗糙度的要求，需要专业的人操作。 不同的研磨方式对氮化铝陶瓷电路板的平整度、生产率、成品率的影响都是很大的，而且后续的工序是没办法提高基材的几何形状的精度。所以氮化铝陶瓷电路板的制作选用的都是离散磨料双面研磨，对于生产企业来讲整个工序的成本会提升很多，但是为了使客户得到比较完美的氮化铝陶瓷电路板。 另外研磨液是一种溶于水的研磨剂，能够很好的做到去油污，防锈，清洁和增光效果，所以可以让氮化铝陶瓷电路板超过原本的光泽。然而如今国内市场上的一些氮化铝
陶瓷电路板仍旧不够完美，例如产品的流痕问题，是困扰氮化铝陶瓷电路板加工行业的难题。主要还是没有办法达到比较好的成本控制和生产工艺。 3，氮化铝陶瓷基板切割打孔 金瑞欣特种电路采用是激光切割打孔，采用激光切割打孔的优点： ●采用皮秒或者飞秒激光器，超短脉冲加工无热传导，适于任意有机&无机材料的高 速切割与钻孔,小10μm的崩边和热影响区。 ●采用单激光器双光路分光技术,双激光头加工，效率提升一倍。 ●CCD视觉预扫描&自动抓靶定位、大加工范围650mm×450mm、XY平台拼接精 度≤±3μm。 ●支持多种视觉定位特征，如十字、实心圆、空心圆、L型直角边、影像特征点等。 ●自动清洗、视觉检测分拣、自动上下料。 ●8年激光微细加工系统研发设计技术积淀、性能稳定、无耗材。 二，氮化铝陶瓷基板加工制造工艺 氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点，成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。成型工艺是陶瓷制备的关键技术，是提高产品性能和降低生产成本的重要环节之一。 1，氮化铝陶瓷的湿法成型工艺 陶瓷的湿法成型近年来成为研究的重点，因为湿法成型具有工艺简单、生产效率高、成本低和可制备复杂形状制品等优点，易于工业化推广。 湿法成型包括流延成型、注浆成型、注射成型和注凝成型等料浆均匀流到或涂到支撑板上，或用刀片均匀的刷到支撑面上，形成浆膜，经干燥形成一定厚度的均匀的素坯
铝基板和pcb板的区别
铝基板和pcb板的区别 什么是铝基板 铝基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，一般单面板由三层结构所组成，分别是电路层（铜箔）、绝缘层和金属基层。常见于LED照明产品。有正反两面，白色的一面是焊接LED引脚的，另一面呈现铝本色，一般会涂抹导热凝浆后与导热部分接触。目前还有陶瓷基板等等。 什么是PCB板 PCB板一般指印制电路板。印制电路板{PCB线路板}，又称印刷电路板，是电子元器件电气连接的提供者。它的发展已有100多年的历史了；它的设计主要是版图设计；采用电路板的主要优点是大大减少布线和装配的差错，提高了自动化水平和生产劳动率。 按照线路板层数可分为单面板、双面板、四层板、六层板以及其他多层线路板。由于印刷电路板并非一般终端产品，因此在名称的定义上略为混乱，例如：个人电脑用的母板，称为主板，而不能直接称为电路板，虽然主机板中有电路板的存在，但是并不相同，因此评估产业时两者有关却不能说相同。再譬如：因为有集成电路零件装载在电路板上，因而新闻媒体称他为IC板，但实质上他也不等同于印刷电路板。我们通常说的印刷电路板是指裸板-即没有上元器件的电路板。 铝基板和pcb板的区别 对于一些刚刚从事铝基板行业的小伙伴总会有这样的疑问，那就是铝基板与pcb板有什么区别，针对与这个疑问下面就具体的给大家说一说两者之间到底有那些区别？ pcb板与铝基板在设计上都是按照pcb板的要求来设计的，目前在市场的铝基pcb板一般情况都是单面的铝基板，pcb板是一个大的种类，铝基板只是pcb板的一个种类而已，是铝基金属板，因其具备良好的导热性能，一般运用在LED行业。 pcb板一般而言就是铜基板，其也分为单面板与双面板，两者之间使用的材料是有很明显的区别的，铝基板的主要的材料是铝板，而pcb板主要的材料是铜。铝基板因其PP材料
6063铝合金化学成分
6063铝合金化学成分的选择 黎伯豪言淑纯 6063铝合金广泛用于建筑铝门窗、幕墙的框架，为了保证门窗、幕墙具有高的抗风压性能、装配性能、耐蚀性能和装饰性能，对铝合金型材综合性能的要求远远高于工业型材标准。在国家标准GB/T3190中规定的6063铝合金成分范围内，对化学成分的取值不同，会得到不同的材质特性，当化学成分的范围很大时，其性能差异会在很大范围内波动，以致型材的综合性能会无法控制。因此，优选6063铝合金的化学成分成为生产优质铝合金建筑型材的最重要的一环。 1 合金元素的作用及其对性能的影响6063铝合金是AL-Mg-Si系中具有中等强度的可热处理强化合金，Mg和Si是主要合金元素，优选化学成分的主要工作是确定Mg和Si 的百分含量(质量分数，下同)。 1．1 Mg的作用和影响Mg和Si组成强化相Mg2Si，Mg的含量愈高，Mg2Si的数量就愈多，热处理强化效果就愈大，型材的抗拉强度就愈高，但变形抗力也随之增大，合金的塑性下降，加工性能变坏，耐蚀性变坏。 1．2 Si的作用和影响Si的数量应使合金中所有的Mg都能以Mg2Si相的形式存在，以确保Mg的作用得到充分的发挥。随着Si含量增加，合金的晶粒变细，金属流动性增大，铸造性能变好，热处理强化效果增加，型材的抗拉强度提高而塑性降低，耐蚀性变坏。 2 Mg和Si含量的选择 2．1 Mg2Si量的确定 2．1．1 Mg2Si相在合金中的作用Mg2Si在合金中能随着温度的变化而溶解或析出，并以不同的形态存在于合金中：(1)弥散相β’’固溶体中析出的Mg2Si相弥散质点，是一种不稳定相，会随温度的升高而长大。(2)过渡相β’是β’’由长大而成的中间亚稳定相，也会随温度的升高而长大。(3)沉淀相β是由β’相长大而成的稳定相，多聚集于晶界和枝晶界。能起强化作用Mg2Si相是当其处于β’’弥散相状态的时侯，将β相变成β’’相的过程就是强化过程，反之则是软化过程。 2．1．2 Mg2Si量的选择6063铝合金的热处理强化效果是随着Mg2Si量的增加而增大。参见图1[1]。当Mg2Si的量在0．71%～1．03%范围内时，其抗拉强度随Mg2Si量的增加近似线性地提高，但变形抗力也跟着提高，加工变得困难。但Mg2Si量小于0．72%时，对于挤压系数偏小(小于或等于30)的制品，抗拉强度值有达不到标准要求的危险。当Mg2Si 量超过0.9%时，合金的塑性有降低趋势。GB/T5237．1—2000标准中要求6063铝合金T5状态型材的σb≥160MPa，T6状态型材σb≥205MPa，实践证明．该合金的最高可达到260MPa。但大批量生产的影响因素很多，不可能确保都达到这么高。综合的考虑，型材既要强度高，能确保产品符合标准要求，又要使合金易于挤压，有利于提高生产效率。我们设计合金强度时，对于T5状态交货的型材，取200MPa为设计值。从图1可知，抗拉强度在200MPa左右时，Mg2Si量大约为0．8%，而对于T6状态的型材，我们取抗拉强度设计值为230 MPa，此时Mg2Si量就提高到0．95%。 2．1．3 Mg含量的确定Mg2Si的量一经确定，Mg含量可按下式计算：Mg%=
从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺有什么不同
从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板，他们的制作工艺大致是一样的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺，DBC工艺、HTCC工艺和LTCC工艺，那么不同的什么呢？ 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了，他们烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理： 1、氮化铝陶瓷(Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。 2、AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。 3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。 5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。 6、此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
氧化铝陶瓷基板的结构和性能： 1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。 2、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。 3、氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应用已经越来越广泛，满足于日用和特殊性能的需要。 对比可知：氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的最大区别主要是烧结温度的区别。 氮化铝陶瓷基板是氧化铝陶瓷基板5-8倍，能耐2200℃的极的级热，导热可达260W/(m.k)，氧化铝陶瓷基板导热一般在30W/(m.k)左右，好的可以做到50W/(m.k).氮化铝陶瓷陶瓷可以加工更加精密的线路，耐高温，更耐压，制作工艺相对氧化铝陶瓷基板而已烧结的温度把控是不一样的。如果是一个需要用氮化铝陶瓷基板的高精密线路板，用氧化铝陶瓷基板来替代，那肯定会造成基材大量的耗费，制作的难度增加，良品率和低。 以上是小编讲述的氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺不同点的阐述，希望可以解答这个问题。更多陶瓷基板的工艺问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣是专业的陶瓷基板生产厂家，拥有十多年陶瓷基板的行业经验和制作经验。
7系列 变形铝合金 牌号和化学成分 中外近似对照
机械加工 https://www.360docs.net/doc/1b10533076.html, CNC数控机械加工,瑞典三坐标测量机自动测量,零件出口德国瑞士,提供可靠的信赖协作 7系列 Al Al--Zn系 变形铝合金 牌号和化学成分 中外近似对照 国别牌号①主要化学成分②（质量分数）（%） 基体和其他Si Fe Cu Mn Mg Cr Zn Ti 7003合金的中外近似对照 中7003（LC12)0.30*0.350.20*0.30*0.50～1.00.20* 5.0～6.50.20*Zr0.05～0.25，Al余量日A70030.30*0.350.20*0.30*0.50～1.00.20* 5.0～6.50.20*Zr0.05～0.25，Al余量 EN EN AW-7003/AlZn6Mg0.8Zr0.30*0.350.20*0.30*0.50～1.00.20* 5.0～6.50.20*Zr0.05～0.25，Al余量美7003/A970030.30*0.350.20*0.30*0.50～1.00.20* 5.0～6.50.20*Zr0.05～0.25，Al余量7005合金的中外近似对照 中70050.350.40*0.10*0.20～0.7 1.0～1.80.06～0.20 4.0～5.00.01～0.06Zr0.08～0.20，Al余量 ISO AlZn4.5Mg1.5Mn0.350.40*0.10*0.20～0.7 1.0～1.80.06～0.20 4.0～5.00.01～0.06Zr0.08～0.20，Al余量日A7N010.30*0.350.20*0.20～0.7 1.0～2.00.30* 4.0～5.00.20*Zr0.25，V0.10，Al余 量印745300.40.70.20.2～0.7 1.0～1.50.2 4.0～5.00.2Al余量 EN EN AW-7005/AlZn4.5Mg1.5Mn0.350.40*0.10*0.20～0.7 1.0～1.80.06～0.20 4.0～5.00.01～0.06Zr0.08～0.20，Al余量美7005/A970050.350.40*0.10*0.20～0.7 1.0～1.80.06～0.20 4.0～5.00.01～0.06Zr0.08～0.20，Al余量7020合金的中外近似对照 中70200.350.40*0.20*0.05～0.50 1.0～1.40.10～0.35 4.0～5.0—Zr0.08～0.20， Ti+Zr0.08～0.25，Al ISO AlZn4.5Mg10.350.40*0.20*0.05～0.50 1.0～1.40.10～0.35 4.0～5.0—Zr0.08～0.20， Ti+Zr0.08～0.25，Al 俄～1925C0.60.70.80.5 1.4～1.9— 3.7～4.30.1Zr0.12～0.20，Al余量 EN EN AW-7020/AlZn4.5Mg10.350.40*0.20*0.05～0.50 1.0～1.40.10～0.35 4.0～5.0—Zr0.08～0.20， Ti+Zr0.08～0.25，Al 余量 德AlZn4.5Mg1/3.43350.350.40*0.20*0.05～0.50 1.0～1.40.10～0.35 4.0～5.0—Ti+Zr0.08～0.25，Al 余量法7020(A-Z5G)0.350.40.20.05～0.50 1.0～1.40.1～0.35 4.0～5.0—Zr0.08～0.20，Al余量 美7020/A90200.350.40*0.20*0.05～0.50 1.0～1.40.10～0.35 4.0～5.0—Zr0.08～0.20， Ti+Zr0.08～0.25，Al 7022合金的中外近似对照 中70220.50*0.50*0.50～1.00.10～0.40 2.6～3.70.10～0.30 4.3～5.2—Ti+Zr0.15，Al余量
什么是铝基板
什么是铝基板 PCB铝基板是一种独特的金属基覆铜板（结构见下图），它具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工 性能。 二、铝基板的特点 ●采用表面贴装技术（SMT）； ●在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理； ●降低产品运行温度，提高产品功率密度和可靠性，延长产品使用寿命； ●缩小产品体积，降低硬件及装配成本； ●取代易碎的陶瓷基板，获得更好的机械耐久力。 PCB铝基板的结构 PCB铝基覆铜板是一种金属线路板材料、由铜箔、导热绝缘层及金属基板组成，它的结构分三层：https://www.360docs.net/doc/1b10533076.html,yer线路层：相当于普通PCB的覆铜板，线路铜箔厚度loz至10oz 。 Dielcctric Layer绝缘层：绝缘层是一层低热阻导热绝缘材料。厚度为：0.003”至0.006”英寸是铝基覆铜板 的核心计术所在，已获得UL认证。 Base Layer基层：是金属基板，一般是铝或可所选择铜。铝基覆铜板和传统的环氧玻璃布层压板等 如上图所示，PCB铝基板由电路层、导热绝缘层和金属基层组成。电路层（即铜箔）通常经过蚀刻形成印刷电路，使组件的各个部件相互连接，一般情况下，电路层要求具有很大的载流能力，从而应使用较厚的铜箔，厚度一般35μm~280μm；导热绝缘层是PCB铝基板核心技术之所在，它一般是由特种陶瓷填充的特殊的聚合物构成，热阻小，粘弹性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。IMS-H01、I
MS-H02和LED-0601等高性能PCB铝基板的导热绝缘层正是使用了此种技术，使其具有极为优良的导热性能和高强度的电气绝缘性能；金属基层是铝基板的支撑构件，要求具有高导热性，一般是铝板，也可使用铜板（其中铜板能够提供更好的导热性），适合于钻孔、冲剪及切割等常规机械加工。 PCB材料相比有着其它材料不可比拟的优点。适合功率组件表面贴装SMT公艺。 无需散热器，体积大大缩小、散热效果极好，良好的绝缘性能和机械性能。 PCB铝基板用途： 用途：功率混合IC（HIC）。 1.音频设备：输入、输出放大器、平衡放大器、音频放大器、前置放大器、功率放大器等。 2.电源设备：开关调节器`DC/AC转换器`SW调整器等。 3.通讯电子设备：高频增幅器`滤波电器`发报电路。 4.办公自动化设备：电动机驱动器等。 5.汽车：电子调节器`点火器`电源控制器等。 6.计算机：CPU板`软盘驱动器`电源装置等。 7.功率模块：换流器`固体继电器`整流电桥等。
氮化铝陶瓷电路板结构工艺要求和费用
氮化铝陶瓷电路板结构工艺要求和费用 随着电路板不断集成化，高集成度的电子器件需要获得更高的电气性能，因此同时导致器件内部的工作温度迅速上升。优质的金属化氮化铝陶瓷电路板应运而生，出色的绝缘性能和优良的导热性能，能快速消散器件内部产生的热量，使其成为大功率电子器件的极佳选择。今天小编就带您一起来深入了解一下氮化铝陶瓷电路板。 氮化铝陶瓷电路板的结构 氮化铝陶瓷电路板一般结构是三层，中间是绝缘层，一般用的氮化铝陶瓷基板，它是A一种为主晶相的陶瓷材料,再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路,就是氮化铝陶瓷基板了。 单面氮化铝陶瓷电路板则一般一面做表面处理或者，一面做线路。中间是氮化铝陶瓷基板。双面氮化铝陶瓷电路板，则是上下面是线路层中间是绝缘层材料-氮化铝陶瓷基板。 什么是氮化铝陶瓷覆铜电路板 氮化铝陶瓷覆铜电路板是在氮化铝陶瓷基板上面做覆铜金属化处理，也就是利用铜的含氧共晶体直接将铜覆接在氮化铝陶瓷上，其基本原理是覆接过程前或过程中在铜与陶瓷之间引入适量的氧元素，在1065℃～1083℃范围内（低于铜的熔点1083℃），铜与氧形成铜—氧共晶体，该共晶体一方面与陶瓷发生化学反应生成尖晶石的。 氮化铝陶瓷电路板的工艺要求 氮化铝陶瓷电路板的工艺要求，主要是跟进客户的制版要求来制作的。按制作技术工艺可以分为HTCC、LTCC、DBC、DPC、和目前获得国家发明专利众成三维电子生产销售研发的LAM（激光快速活化金属化技术）；按表面处理工艺要求包含表面处理工艺包含：沉金、沉银、镀金、镀银、OSP、沉锡。
氮化铝陶瓷电路板多少钱 氮化铝陶瓷电路板多少钱，针对这个价格的问题。没有做过氮化铝陶瓷电路板需要知道氮化铝陶瓷电路板价格比普通的FR4贵4-10倍，比氧化铝陶瓷电路板价格要贵2倍。主要是因为氮化铝陶瓷电路板硬度较高，且易碎，需要钻孔或者做精密线路的话则费用不一样，具体要看图纸的文件资料。一般简单没有什么孔的，线路简单的则需要三四千元。 关于氮化铝陶瓷电路板问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣是专业的氮化铝陶瓷基板厂家，可以加工精密线路、实铜填孔等难度工艺陶瓷电路板。
铝基板的性能和材料的表面处理
布或其它增强材料浸以树脂、单一树脂等为绝缘粘接层，一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料，被称为覆铜箔层压铝基板，简称为铝基覆铜板。下面就由康信电路来为大家介绍一下铝基板的性能和材料的表面处理。 铝基板的性能介绍 1、优良的散热性能 铝基覆铜箔板具有优良的散热性能，这是此类板材*突出的特点。用它制成的PCB，不仅能有效地防止在其上装载的元器件及基板的工作温度上升，还能将电源功放元件，大功率元器件，大电路电源开关等元器件产生的热量迅速地散发，除此之外还因其密度小、质轻(2.7g/cm3)，可防氧化，价格较便宜，因此它成为金属基覆铜板中用途*广、用量*大的一种复合板材。绝缘铝基板饱和热阻为1.10℃/W、热阻为2.8℃/W，这样大大提高了铜导线的熔断电流。 2、提高机械加工的效率和质量 铝基覆铜板具有高机械强度和韧性，此点大大优于刚性树脂类覆铜板和陶瓷基板。它可以在金属基板上实现大面积的印制板的制造，特别适合在此类基板上安装重量较大的元器件。另外铝基板还具有良好的平整度，可在基板上进行敲锤、铆接等方面的组装加工或在其制成PCB上沿非布线部分折曲、扭曲等，而传统的树脂类覆铜板则不能。 3、尺寸的稳定性高 对于各种覆铜板来说都存在着热膨胀(尺寸稳定性)问题，特别是板的厚度方向(Z轴)的热膨胀，使金属化孔，线路的质量受到影响。其主要原因是板材的线膨胀系数有差异，如铜
的，而环氧玻纤布基板的线膨胀系数为3。两者线膨胀相差很大，易造成基板受热膨胀变化的差异，致使铜线路和金属化孔断裂或遭到破坏。而铝基板的线膨胀系数在之间，它比一般的树脂类基板小得多，而更接近于铜的线膨胀系数，这样有利于保证印制电路的质量和可靠性。 大图模式 铝基板材料的表面处理 去油 铝基板材表面在加工和运输过程中表面涂有油层保护，使用前必须将其清洗干净。其原理是利用汽油(一般用航空汽油)作为溶剂，可将其溶解，再用水溶性的清洗剂将油污除去。用流水冲其表面，使其表面干净，不挂水珠。 脱脂 经过上述处理过的铝基材，表面尚有未除净的油脂，为了将其彻底去除，用强碱氢氧化钠在50℃浸泡5min，再用清水冲洗。 碱蚀 作为基底材料的铝板表面，应具有一定的粗糙度。由于铝底材及其表面的氧化铝膜层均为两性材料，可利用酸性、碱性或复合碱性溶液体系对铝基底材料的腐蚀作用对其表面进行粗化处理。另外，粗化溶液中还需加入其他物质和助剂，使其达到下述的目的。 化学抛光(浸亮)