电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划
电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划
前言
电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节，对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。
根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求，在深入调研、广泛论证的基础上，编制本规划，以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。
一、“十五”回顾
（一）产业规模进一步扩大
“十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步扩大（详见表1和表2），其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国，居全球第三位。
表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比
表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况
（二）部分产品产量居世界前列
经过“十五”的发展，我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国，产量占世界总产量的30%以上，部分产品产量居世界前列。其中，产量居全球首位的产品：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列，成为全球重要的生产和出口基地（详见表3）。
表3 “十五”电子元件产品产量增长情况
（三）产品结构有所改善
“十五”期间，我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%，接近世界平均水平；新型显示器件产业取得突破，国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产，PDP的研发和产业化取得一定进展，彩管正在向纯平、高清晰度方向发展；多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%；锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列；大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。
（四）技术创新取得新进展
“十五”期间，国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈，大大降低了MLCC的成本；TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利，OLED技术研发取得重要进展；具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化；已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶，并掌握主要技术；SOI（绝缘层上的硅）技术研究水平基本与国外同步，6英寸注氧隔离（SIMOX）晶片已经批量生产。
尽管“十五”以来，我国电子材料和关键元器件取得长足进步，但总体看，行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出，高端元器件和关键电子材料主要依赖进口；整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成；国内骨干企业规模小、经济实力弱，自主创新能力不足；关税、投融资等政策环境亟待改善，低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。
二、“十一五”面临的形势
（一）技术发展趋势
随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，电子材料和元器件技术将发生深刻变化。
新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展，将促进元器件功能和性能大幅提升。
新型显示器件的发展趋势是平板化、薄型化、大屏幕、高清晰度和环保节能。TFT-LCD和PDP成为主流平板显示器件，新一代平板显示器件和投影器件也将快速发展。CRT产品结构面临调整，将向高清晰、短管颈方向发展。
电子材料正朝高性能化、绿色化和复合化方向发展。电子技术与冶金、有色、化工等其他行业技术的融合将不断加深，高精度高可靠性设备仪器和新工艺技术将成为电子材料技术发展的重要因素，绿色无害材料和工艺将得到广泛应用。
（二）市场需求分析
未来几年，随着下一代互联网、新一代移动通信、数字电视的逐步实现商用，将带动电子材料和新型电子元器件的市场需求，电子材料和元器件产业已进入新一轮快速增长期。
1、世界市场需求分析
未来几年，世界电子材料和元器件市场将继续保持年均10%左右的增长速度，市场规模将由2005年的5400亿美元增至2010年的9000亿美元。
2、国内市场需求分析
“十一五”期间，随着世界电子信息产品制造业将加快向中国转移，我国电子信息产品制造业的规模将进一步扩大，从而将进一步拉动电子材料和元器件市场的迅速扩大。市场规模将由2005年1.15万亿元增长到2010年的3.1万亿元，其中，2010年电子元件市场将达到2万亿元，电子器件将达9000亿元，电子材料将达到2000亿元。
主要元器件和材料产品国内外销售收入和市场的预测
注：电容器、印刷电路板、混合集成电路、微特电机与组件、TFT-LCD面板、磁性材料与器件的世界市场单位为：亿美元。
（三）产业发展面临的环境
未来几年，随着下一代互联网、新一代移动通信、数字电视的逐步推进，电子整机产业的升级换代将为电子元器件产业的发展带来大量的市场机遇，并带动相关电子材料产业的快速发展。
随着综合国力的提高，投入能力不断提升，国家和企业重视程度不断加深。国家科技中长期规划、国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要以及信息产业“十一五”规划中重大专项实施，TFT-LCD、LED等产业的专项扶持政策落实，国家电子信息产业园建设工作不断深入，将为电子基础产品产业的健康发展创造更为有利的宏观环境。
未来几年，电子整机产品的更新换代，对电子材料和元器件产业的发展提出了更高的要求。新技术、新产品的开发和产业化所需的技术和资金门槛越来越高，投资风险增大，产品更新换代速度进一步加快，电子信息产业链垂直整合和企业横向整合趋势将更加明显，产业集中度不断提高，国内企业面临严峻挑战。
同时，跨国公司在加快低附加值产业对外转移的同时，牢牢控制着高端元器件和关键电子材料等产业链核心环节，关键技术受制于人的局面短期内将难以改变。
三、“十一五”发展思路和目标
（一）发展思路
“十一五”期间，继续巩固我国在传统元器件和部分电子材料领域的优势，进一步推进产品结构调整和技术升级。坚持跟踪与突破相结合、引进与创新相结合，有所为有所不为，集中力量，重点突破量大面广新型元器件、新型显示器件、关键电子材料，形成一批拥有自主知识产权和国际竞争力的优势企业。
新型元器件产业：以片式化、微型化、集成化、高性能化、无害化为目标，突破关键技术，调整产品结构；促进产业链上下游互动发展，着力培育骨干企业，推动产业结构升级。
新型显示器件产业：面向数字化、高清晰化、平板化需求，优先发展TFT-LCD和PDP，促进产业链垂直整合，扩大产业规模，培育自主创新能力；重点支持新一代平板显示器件和投影器件的工艺和生产技术开发，力争实现产业化；加快传统彩管产业战略转型，积极发展高清晰度、短管颈等高端产品。
电子材料产业：加强国际合作，推动产用结合，突破部分关键技术，缩小电子材料与国外先进水平的差距。重点发展技术含量高、市场前景好的电子信息材料，提高国内自主配套能力；注重环保型电子材料的开发。
（二）发展目标
到2010年，我国电子元器件总产量达到1.8万亿只，电子材料和元器件销售收入力争达到2.5万亿元，工业增加值达到6000亿元，出口创汇600亿美元。培育2-3家销售收入超过500亿元，10家以上销售收入100亿元的电子元器件企业。
新型元器件产业：到2010年，销售收入1.8万亿元，阻容感片式化率达到90%。电子元器件国际市场占有率达到30%，国内市场占有率达到50%。电子元件百强企业的销售收入占元件全行业的40%以上。
新型显示器件产业：到2010年，建立较为完备的新型显示器件生产体系，产业链基本齐全，新型显示器件产业达到规模2500亿元，有较强的国际竞争力。建立以企业为主体，
产学研相结合的创新体系，形成可持续发展能力。逐步提高国产化水平，实现中、高档产品满足国内市场需求的50%以上，中、低档产品基本满足国内市场的需求。
电子材料产业：“十一五”期间，我国电子材料产业规模力争达到1000亿元，国内平均自我配套能力在30%以上，培育若干名牌产品和重点企业，主要电子信息材料的技术水平和产品性能与当时的国际水平相当。并形成相应的产业规模。
四、发展重点
（一）电子元器件产业（不含集成电路和显示器件）
1、片式元器件
积极跟踪市场发展动态，加大研发力度，进一步提高片式化率，大力发展片式元器件，促进产业结构调整。重点发展超小型片式多层陶瓷电容器、片式铝电解电容器、片式钽电容器、片式电感器、片式二、三极管、片式压电陶瓷频率器件、片式压电石英晶体器件、集成无源元件等产品。依托现有基础，加大新产品开发力度，大力发展微波介质器件、声表面波(SAW)器件、高频压电陶瓷器件、石英晶体器件、抗电磁干扰(EMT/EMP)滤波器等产品，满足我国通信和视听产品的研发和生产需求。
2、印刷电路板
加大投入，面向新一代移动通信市场，重点研发高密度互连多层印刷电路板(HDI)、多层挠性板(FPC)和刚挠印刷电路板(R-FPC)、IC封装载板、特种印刷电路板(背板、高频微波板、金属基板和厚铜箔板、埋置元件板、光电印制板和纳米材料的印刷电路板)等国内紧缺、需大量进口的产品，并尽快实现产业化，替代进口，促进产品结构调整，尽快实现由大到强转变；顺应绿色化潮流，加大环保工艺技术的研发和产业化。
3、混合集成电路
加快混合集成电路产业发展，集中力量，加大投入，提高引进吸收再创新能力，重点突破通信、汽车、医疗等用途的混合集成电路，逐步替代进口，尽快实现产业起步。
4、传感器及敏感元器件
进一步加大投资力度，扩大产业规模；加强市场开拓，扩大出口；加大研发力度，提高产品技术含量，增强竞争力。“十一五”期间，重点发展高精度和高可靠性汽车传感器，
环境安全检测传感器，新型电压敏、热敏、气敏等敏感元器件，光纤传感器，MEMS传感器等。
5、绿色电池
大力发展绿色电池产业。依托现有产业基础，继续支持发展大容量、高可靠性锂离子电池和聚合物锂离子电池，扩大产业规模，积极开拓国际市场；重点开发再生能源体系用低成本高效率太阳能电池(含薄膜太阳能电池)；密切关注燃料电池发展动态，继续加大燃料电池研发力度；积极开发镍氢动力电池与锂离子动力电池，力争实现产业化。
6、新型半导体分立器件
紧紧抓住传统产业改造和电力系统改造的机遇，进一步加大科技投入，提高技术水平，大力发展新型半导体分立器件，重点发展半导体电力电子器件，包括纵向双扩散型场效应管VDMOS，绝缘栅双极型晶体管IGBT，静电感应晶体管系列SIT、BSIT、SITH，栅控晶闸管MCT，巨型双极晶体管GTR等。
7、新型机电组件
“十一五”期间，在继续保持中低档产品优势的同时，鼓励企业加大研发力度，重点研发无刷智能的微特电机，小型化、高密度、高频化、抗干扰多功能新型接插件，微型化、智能化的高性能继电器，大容量、宽频带的通讯、数据、电视、射频电缆，薄微型、高灵敏、宽频带、高保真电声器件，微波元件和组件（修改），新型低衰减、高带宽、大容量光纤光缆等产品。
8、光通信器件
积极跟踪世界技术发展前沿，面向新一代移动通信、下一代互联网的重大应用，重点发展高速光收/发模块、光电耦合器、光有源器件、光电交换器件，以及光无源器件和MEMS 光开关等器件。
9、高亮度发光二极管
积极调整产品结构，重点研发四元系高亮度红、橙、黄发光二极管，蓝色、绿色、紫色、近紫外GaN、SiC发光二极管，并尽快实现产业化，基本实现从外延片、芯片制造、后工序封装及应用的完整产业链。
（二）新型显示器件
1、TFT-LCD显示器件
支持有自主知识产权和产业基础的优势企业，促进研究开发和产业化的有机结合，着力提高自主创新能力。引导和鼓励企业间的合作，加快建立国内彩电整机和显示器件企业间的合作机制，加大共性技术研发投入力度，提高我国平板电视的全球竞争力。重点建设液晶生产工艺技术开发中心、液晶模块技术工程中心和PDP工艺技术开发中心，支持建设第六代及其以上的TFT-LCD面板生产线，加快国内关键配套件的开发与产业化进程，力争在TFT-LCD用彩色滤光片、基板玻璃、偏光片、新型背光源、部分生产设备以及材料上取得突破；逐步完善产业链，提高平板显示器件的自主发展能力。
2、PDP显示器件
通过技术引进和自主开发相结合，重点发展42″以上PDP显示屏、驱动电路及模块，掌握规模量产技术。建设2条以上PDP显示屏及模块生产线，鼓励和引导相关设备和专用材料的开发和产业化。
3、OLED等新一代显示器件及模块
依托现有产业技术基础，加大扶持力度，积极组织OLED等新一代显示器件和模块的基础技术研发，加快产业化进程，培育上下游产业，进一步提升产业竞争力。重点发展小尺寸手机主/副屏、PDA和MP3所用OLED显示屏，基本满足国内市场需求。继续大力支持LCOS等微显背投显示器件产业发展，积极跟踪FED等前沿技术发展动态。
4、CRT显示器件
紧跟时代潮流，在保持传统CRT显示器件优势的同时，加强大屏幕、高清晰、平面化、薄型化、数字化等高端产品的开发及量产，积极推进现有CRT企业产品技术升级和战略转型。重点发展数字高清晰度彩管及相关配套件，以及医疗、仪器、核辐射等方面使用的特种示波管。
（三）电子材料
1、半导体材料
未来五年，在硅基材料方面，在引进基础上消化吸收再创新，大力发展半导体级和太阳能级多晶硅材料，力争掌握多晶硅的大规模生产技术；实现8-12英寸硅单晶及外延片的产业化，力争国内配套；积极发展6英寸及以上SiGe，6、8英寸SOI材料，4～6英寸GaAs
和InP等化合物半导体材料，加快产业化进程。重点支持面向国内6英寸及以上集成电路生产线所用的248nm及以下光刻胶、引线框架、金丝、超净高纯试剂，以及8英寸及以上溅射靶材等配套产品，力争到2010年主要半导体材料国内市场占有率达到30%。
2、新型显示器件材料
“十一五”期间，紧紧抓住新型显示器件产业高速发展的机遇，加大引进消化吸收再创新的力度，鼓励整机企业、显示器件企业、材料企业加强合作，共同开展研发工作，尽快实现新型显示器件材料产业化。在TFT-LCD液晶显示器件关键材料方面，积极发展
TFT-LCD 液晶材料、大尺寸基板玻璃、彩色滤光片、偏光板和背光模组等关键材料生产技术，形成批量生产。PDP关键材料方面，重点发展荧光粉、电极材料、介质材料、障壁材料等。OLED关键材料方面，主要发展有机发光材料、隔离柱材料、Cr/ITO基板玻璃。
3、光电子材料
“十一五”期间，以高亮度发光材料为突破口，着重发展GaN、SiC等晶体及外延材料等，实现批量化生产，国内市场占有率达50%以上。保持我国在激光晶体材料方面的生产和技术优势，进一步加大研发力度，重点发展高功率激光晶体材料、LD泵浦激光晶体材料、可调谐激光晶体材料、新波长激光晶体材料、高效低阈值晶体材料。
4、磁性材料
保持规模优势，加大研发力度，提高产品附加值，重点发展粘结NdFeB永磁材料、纳米复合永磁材料、低温共烧材料和纳米软磁材料、巨磁致伸缩材料、磁致冷材料、电磁屏蔽材料、磁记录材料、高档永磁软磁铁氧体材料等市场前景好的材料。
5、电子功能陶瓷材料
继续做大产业规模，增强引进消化吸收再创新的能力，重点研发和生产高性能高可靠片式电容器陶瓷材料、低温共烧陶瓷(LTCC)材料及封装陶瓷材料、以及贱金属电子浆料(Ni、cu)，提高产品技术水平，增强产业实力。顺应绿色化潮流，积极开展无铅、无镉等瓷料研究和生产，并开展纳米基瓷料研究和生产。
6、覆铜板材料
继续保持产业规模优势，积极调整产品结构，重点发展环保型的高性能覆铜板、特殊功能覆铜板、高性能挠性覆铜板和基板材料等。
7、绿色电池材料
以电池产业规模优势带动材料发展，替代进口，重点发展锂离子电池高性能、低成本正负极材料，绿色电池高性能隔膜材料。
8、电子封装材料
“十一五”期间，重点发展先进封装模塑料(EMC)、先进的封装复合材料、高精度引线框架材料、高性能聚合物封装材料、压电石英晶体封装材料、高密度多层基板材料、精密陶瓷封装材料、无铅焊料、以及系统封装(SIP)用先进封装材料等材料。
五、政策措施
（一）加强行业宏观指导，研究制定相关政策措施
加强对行业的宏观指导，研究拟定新型平板显示器件等重点领域产业政策，适时修订《产业结构调整指导目录》和《外商投资产业指导目录》，调整关税政策，加快特色产业园建设，营造有利于产业发展的政策环境。充分发挥行业协会等中介组织的作用，引导产业有序竞争，营造公平的市场环境。
（二）加大资金扶持力度
加大国家投入，支持电子材料和关键元器件的研究开发。组织平板显示器件等专项工程，以科技重大专项带动社会投资。拓宽融资渠道，形成政府、银行、股市、企业多方共同投资的资金投入。
（三）积极利用外资，扩大国际合作
对于技术差距较大的领域，鼓励国内企业与国外企业开展相关技术合作，通过引进消化吸收和再创新，提高我国对相关技术的掌握能力。引导和鼓励跨国公司以多种方式在华建立电子材料和元器件生产、研发和服务中心。
（四）加强人才队伍建设
根据发展趋势，在相关高等院校、科研院所设立或恢复有关电子材料和元器件的学科设置，培养技术、管理及复合型高级人才；结合后备人才培养的需要，建立若干专业特点突出，行业发展急需高素质人才的培养基地；建立若干对在职技术人员进行继续教育的专业技能培训中心，加强职业技能教育。根据行业的发展，不断调整企业人才结构。大力引
进海归人才，吸纳和培养各类高级技术、管理人才，重点引进既懂技术、又懂经营管理和市场营销的复合型人才。
电子材料与元器件论文
CMOS图像传感器工作原理和应用 姓名： 学院： 班级： 组号： 日期：2014年12月9日
摘要 随着集成电路制造工艺技术的发展和集成电路设计水平的不断提高，基于CMOS集成电路工艺技术制造的CMOS图像传感器由于其集成度高、功耗低、体积小、工艺简单、成本低且开发周期较短等优势，目前在诸多领域得到了广泛的应用，特别是数码产品如数码相机、照相手机的图像传感器应用方面，市场前景广泛，因此对CMOS图像传感器的研究与开发有着非常高的市场价值。 本文首先介绍了CMOS图像传感器的发展历程和工作原理及应用现状。随后叙述了CMOS图像传感器的像元、结构及工作原理，着重说明了成像原理和图像信号的读取和处理过程，以及在数字摄像机，数码相机，彩信手机中的应用方式。 一、CMOS图像传感器的发展历史 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念： 互补金属氧化物半导体图像传感器CMOS —Complementary Metal Oxide Semiconductor 电荷耦合器件图像传感器（CCD） CMOS与CCD图像传感器的研究几乎是同时起步，固体图像传感器得到了迅速发展。 CMOS图像传感器： 由于受当时工艺水平的限制，图像质量差、分辨率低、噪声降不下来，因而没有得到重视和发展。 CCD图像传感器： 光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。 由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点，现在都可以找到办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。 1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功， 80年代末，英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件， 1995年像元数为（128×128）的高性能CMOS 有源像素图像传感器由喷气推进实验室首先研制成功。 1997年英国爱丁堡VLSI Version公司首次实现了CMOS图像传感器的商品化。 2000年日本东芝公司和美国斯坦福大学采用0.35mm技术开发的CMOS-APS，
常用电子元器件大全
第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号：R 或WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过 这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百 分数表示,未标偏差值的即为±20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示 有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472 表示47×102Ω（即4.7K Ω）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是 色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器（普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 0 10 棕 1 1 1 10±1% 红 2 2 2 10±2% 橙 3 3 3 10 黄 4 4 4 10
电子材料与器件习题解析汇报
5.6 最小电导率 a. 考虑半导体的电导率e h en ep σμμ=+。掺杂总是能提高电导率吗？ b. 请说明：当Si 的p 型掺杂而使空穴浓度为下式所表示的值时，可以得到最小的电导率。 m p n = 与该式对应的最小电导率（最大电阻率）为 min 2en σ= c. 对Si 计算m p 和min σ，并与本征值进行比较。 解析： a. 半导体的电导率e h en ep σμμ=+，其中，n 和p 满足质量作用定律 2exp()g i c v E np n N N kT ==- ，在一定的温度下，np 为常数。 当掺杂增大电子浓度n 时，空穴浓度p 则会减小，反之亦然。在掺杂浓度一定时，由于e h μμ>，如果对半导体进行n 型掺杂，则n>p ，显然随着掺杂浓度的 p 型掺杂，则n
，因此，当Si 的p 后增大。对2i e h n e ep p σμμ=+求导得2' 2i e h n e e p σμμ=-+，令'0σ=得p n =
相应地2en σ=m p n =时，电导率最小，为 min 2en σ=。 c. 室温下，对于Si ，103i 1.010n cm -=?，2111350e cm V s μ--=??， 211450h cm V s μ--=??，带入m p n =和min 2en σ=得 1031031.710 1.010m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 2.510 2.910cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 若取103i 1.510n cm -=?，则有 1031032.610 1.510m i p cm n cm --=?>=? 611611min i 3.710 4.310cm cm σσ------=?Ω?<=?Ω? 5.13 砷化镓 Ga 具有的化合价是3，而As 具有的化合价是5。当Ga 和As 原子一起形成GsAs 单晶体时，如图5.54所示，一个Ga 的3个价电子与一个As 的5个价电子均共享，结果形成4个共价键。在具有大约23310cm -Ga 原子和As 原子（数量几乎相等）的GsAs 晶体中，无论是Ga 还是As ，每个原子平均具有4个价电子。因此我们可以认为：其价键的结合与Si 晶体中的相似，每个原子4个键。然而，它的晶体结构却不是金刚石结构，而是闪锌矿结构。 a. 对于每对Ga 和As 原子，以及在GaAs 晶体中，每个原子的平均价电子数是多少？ b. 如果在GaAs 晶体中以Ⅵ族元素硒（Se ）或碲（Te ）代替As 原子，情况如何？ c. 如果在GaAs 晶体中以Ⅱ族元素锌（Zn ）或镉（Cd ）代替Ga 原子，情况如何？ d. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替As 原子，情况如何？ e. 如果在GaAs 晶体中以Ⅳ族元素硅（Si ）代替Ga 原子，情况如何？两性掺杂表示什么？ f. 基于以上对GaAs 的讨论，你认为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体AlAs ，GaP ，InAs,InP 和InSb 的晶体结构是什么？
电子元器件行业现状
1、电子元器件行业现状 我国电子元件的产量已占全球的近39％以上。产量居世界第一的产品有：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、压电石英晶体、微特电机、电子变压器、印制电路板。 伴随我国电子信息产业规模的扩大，珠江三角洲、长江三角洲、环渤海湾地区、部分中西部地区四大电子信息产业基地初步形成。这些地区的电子信息企业集中，产业链较完整，具有相当的规模和配套能力。 我国电子材料和元器件产业存在一些主要问题：中低档产品过剩，高端产品主要依赖进口；缺乏核心技术，产品利润较低；企业规模较小，技术开发投入不足。 2、电子元器件行业发展趋势 技术发展趋势 新型元器件将继续向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。 市场需求分析 随着下一代互联网、新一代移动通信和数字电视的逐步商用，电子整机产业的升级换代将为电子材料和元器件产业的发展带来巨大的市场机遇。 我国“十一五”发展重点 我国《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》重点强调新型元器件、新型显示器件和电子材料作为主要分产业的发展目标。 注：上表所列信息与数据引自商务部网站、国研网、统计局网站 3、阿里巴巴关于“电子元器件”买家分布情况 在alibaba买家分布中，广东、浙江、江苏买家数占78%，其市场开发潜力巨大。 4、阿里巴巴电子元器件企业概况
目前通过阿里巴巴搜索“电子元器件”有43533310条产品供应信息，这些企业中有很多实现了从做网站、做推广、找买家，谈生意、成交等一站式的业务模式。当前有效求购“电子元器件”的信息已达到50536条（数据截止2008-10-23）。 阿里巴巴部分电子元器件行业企业 公司名称合作年限公司名称合作年限深圳市百拓科技有限公司 3 靖江市柯林电子器材厂 6 深圳赛格电子市场广发电子经营部 4 乐清市东博机电有限公司 6 镇江汉邦科技有限公司7 温州祥威阀门有限公司 6 无锡市国力机电工程安装有限公司 5 上海纳新工业设备有限公司 6 深圳市恒嘉乐科技有限公司 6 天津市天寅机电有限公司科技 开发分公司 6 厦门振泰成科技有限公司 6 常州市武进坂上继电器配件厂 6 5、同行成功经验分享 公司名：佛山市禅城区帝华电子五金制品厂——一个“很有想法”的诚信通老板主营产品：16型电位器;开关电位器;调光电位器;调速电位器;直滑式电位器等加入诚信通年限：第4年 佛山市禅城区帝华电子五金制品厂的董仁先生是一个“很有想法”的老板，虽然公司成立的时间不长，但是有很多经营理念。董先生是很健谈的人，据他介绍，帝华电子是以生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家，加入阿里巴巴诚信通已有两年时间。对于加入诚信通的目的，董先生的解释比较独特：“我们的产品属于电子设备及家用电器的元器件，和终端消费者没有直接的联系，就是把我们的产品扔两箱在大街上，扫大街的都没人要。而且我们的销售方式和普通厂家也不太一样，我们在国际国内都有销售办事处，同时还采用配套享受的形式。因此，我们加入诚信通并不是希望直接获得订单，而是想通过阿里巴巴的巨大知名度来提升我们公司的知名度，要让相关客户都知道中国有我们这样一个生产进口碳膜电位器和五金批咀的专业厂家。” 对于经营管理上的困难，董先生直言不讳：“当然，我们现在也遇到不少的困难，最困扰我的两个主要问题一是运输物流，二是生产。到现在我还没找到值得信赖和长期合作的物流公司，公司产品的运输经常得不到保证。现在阿里巴巴的网络交易渠道和交易方式已经很完善，我们也迫切希望阿里巴巴能提供物流服务。另一方面，最关键是生产上的问题，我们的生产往往赶不上订单的速度，这两个问题我正在努力解决中。” 对于公司今后的长远发展，“我们现在还属于生产元器件的厂家，随着公司的壮大，今后我们还将向半成品和终端消费品发展，我希望我们能形成终端消费品和相关的配套产业一条龙生产。”董先生显得踌躇满志。
宁波电子元器件项目申报材料
宁波电子元器件项目 申报材料 仅供参考
承诺书 申请人郑重承诺如下： “宁波电子元器件项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续，报告内容及附件资料准确、真实、有效，不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为，将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。 公司法人代表签字： xxx集团（盖章） xxx年xx月xx日
项目概要 电容器在电子线路中的作用一般概括为：通交流、阻直流，具有滤波、旁路、耦合和快速充放电的功能，并具有体积小、储存电量大、成本低的 特性，随着现代科技的进步与电容器性能的不断提高，产品已广泛应用于 消费类电子产品、通信产品、电脑及周边产品、仪器仪表、自动化控制、 汽车工业、光电产品、高速铁路与航空及军事装备等。 电容器是三大电子被动元器件之一，是电子线路中不可缺少的基础元件，约占全部电子电子元件用量的40%。铝电解电容器依赖于其优异的性能、低廉的价格，占据了电容器30%以上的市场。目前来看铝电解电容器短期内尚不存在被完全替代的可能性，未来将继续成为汽车电子、消费电子及光 伏发电等领域的重要原器件。 该电容项目计划总投资15492.72万元，其中：固定资产投资12539.52万元，占项目总投资的80.94%；流动资金2953.20万元，占 项目总投资的19.06%。 达产年营业收入24523.00万元，总成本费用18779.14万元，税 金及附加277.08万元，利润总额5743.86万元，利税总额6813.20万元，税后净利润4307.89万元，达产年纳税总额2505.30万元；达产 年投资利润率37.07%，投资利税率43.98%，投资回报率27.81%，全部投资回收期5.10年，提供就业职位418个。
电子基础材料和关键元器件十二五规划
子规划1： 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划
目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) （一）产业规模稳步增长 (1) （二）企业实力进一步增强 (2) （三）生产技术水平持续提升 (3) （四）清洁生产稳步推进，循环经济初步发展 (4) （五）产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) （一）产业面临良好发展机遇 (5) （二）技术创新孕育新的突破 (5) （三）外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) （四）产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) （一）指导思想 (7) （二）发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) （一）主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)
6、积极参与国际合作 (10) （二）发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) （一）加强政府引导，完善产业政策 (14) （二）发挥财政资金作用，创造良好投融资环境 (14) （三）提升产业创新能力，推动产业升级 (15) （四）优化产业布局，统筹规划区域发展 (15) （五）加强行业管理，促进产业健康发展 (15) （六）重视人才培养，积极参与国际交流合作 (16)
前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验，明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向，确保产业健康发展，根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》，制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件，是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 （一）产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击，产业经历小幅调整，但总体发展稳定。2010年，在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下，行业恢复发展到历
光电子材料与器件 课后习题答案
3.在未加偏置电压的条件下，由于截流子的扩散运动，p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近，由于没有电子和空穴，无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压，驱动电流通过器件时，p 区空穴向n 区扩散，在pn 结附近形成电子和空穴同时存在的区域。电子和空穴在该区通过辐射复合，并辐射能量约为Eg 的光子，复合掉的电子和空穴由外电路产生的电流补充。 5要满足以下条件a 满足粒子数反转条件，即半导体材料的导带与价带的准费米能级之差不小于禁带宽度即B.满足阈值条件，半导体由于粒子数产生的增益需要能够补偿工作物质的吸收、散射造成的损耗，以及谐振腔两个反射面上的透射、衍射等原因产生的损耗。即 第二章课后习题 1、工作物质、谐振腔、泵浦源 2、粒子数反转分布 5a.激光介质选择b.泵浦方式选择c 、冷却方式选择d 、腔结构的选择e 、模式的选择f 、整体结构的选择 第三章课后习题 10.要求：对正向入射光的插入损耗值越小越好，对反向反射光的隔离度值越大越好。原理：这种光隔离器是由起偏器与检偏器以及旋转在它们之间的法拉第旋转器组成。起偏器将输入光起偏在一定方向，当偏振光通过法拉第旋转器后其偏振方向将被旋转45度。检偏器偏振方向正好与起偏器成45度，因而由法拉第旋转器出射的光很容易通过它。当反射光回到隔离器时，首先经过起偏器的光是偏振方向与之一至的部分，随后这些这些光的偏振方向又被法拉第旋转器旋转45度，而且与入射光偏振方向的旋转在同一方向上，因而经过法拉第旋转器后的光其偏振方向与起偏器成90度，这样，反射光就被起偏器所隔离，而不能返回到入射光一端。 15.优点：A 、采用光纤耦合方向，其耦合效率高；纤芯走私小，使其易于达到高功率密度，这使得激光器具有低的阈值和高的转换效率。B 、可采用单模工作方式，输出光束质量高、线宽窄。C 、可具有高的比表面，因而散热好，只需简单风冷即可连续工作。D 、具有较多的可调参数，从而可获得宽的调谐范围和多种波长的选择。E 、光纤柔性好，从而使光辉器使用方便、灵巧。 由作为光增益介质的掺杂光纤、光学谐振腔、抽运光源及将抽运光耦合输入的光纤耦合器等组成。 原理:当泵浦激光束通过光纤中的稀土离子时，稀土离子吸收泵浦光，使稀土原子的电子激励到较高激发态能级，从而实现粒子数反转。反转后的粒子以辐射跃迁形式从高能级转移到基态。 g v c E F F 211ln 21R R L g g i th
电子基础材料与关键元器件“十一五”专项规划
电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划 前言 电子材料和元器件是核心基础产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，作为体现自主创新能力和实现产业做强的重要环节，对于电子信息产业的技术创新和做大做强发挥着至关重要的作用。 根据信息产业“十一五”规划“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求，在深入调研、广泛论证的基础上，编制本规划，以此作为“十一五”我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，作为国家进一步加强和规范行业管理的依据。 一、“十五”回顾 （一）产业规模进一步扩大 “十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步扩大（详见表1和表2），其销售收入、工业增加值、利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅次于日本和美国，居全球第三位。 表1 “九五”、“十五”末期电子材料和元器件发展指标对比 表2 2000-2005年我国电子材料和元器件产业指标情况
（二）部分产品产量居世界前列 经过“十五”的发展，我国已经成为世界电子基础材料和元器件的生产大国，产量占世界总产量的30%以上，部分产品产量居世界前列。其中，产量居全球首位的产品：电容器、电阻器、电声器件、磁性材料、石英晶体器件、微特电机、电子变压器、彩管、玻壳、覆铜板材料、压电晶体材料、印刷电路板等。我国中低档电子材料和元器件产销量已居世界前列，成为全球重要的生产和出口基地（详见表3）。 表3 “十五”电子元件产品产量增长情况 （三）产品结构有所改善 “十五”期间，我国电子材料和元器件产品结构有所改善。阻容感元件片式化率已超过75%，接近世界平均水平；新型显示器件产业取得突破，国内两条第5代TFT-LCD 生产线均实现量产，PDP的研发和产业化取得一定进展，彩管正在向纯平、高清晰度方向发展；多层、挠性等中高端印刷电路板比例接近40%；锂离子、太阳能电池等绿色电池产量居世界前列；大功率高亮度的蓝光、白光LED已经批量生产。 （四）技术创新取得新进展 “十五”期间，国内关键元器件和电子材料产业在技术创新方面也取得了较大进展。内资电容器生产企业已经突破贱金属电极的瓶颈，大大降低了MLCC的成本；TFT-LCD 领域拥有了一定数量的核心专利，OLED技术研发取得重要进展；具有自主知识产权的光纤预制棒技术开发成功并实现产业化；已自主研制成功4英寸、6英寸GaAs单晶和4英寸InP单晶，并掌握主要技术；SOI（绝缘层上的硅）技术研究水平基本与国外同步，6英寸注氧隔离（SIMOX）晶片已经批量生产。 尽管“十五”以来，我国电子材料和关键元器件取得长足进步，但总体看，行业整体实力仍然不强。产品结构性矛盾突出，高端元器件和关键电子材料主要依赖进口；整机和元器件产业互动发展的机制尚未形成；国内骨干企业规模小、经济实力弱，自主创新能力不足；关税、投融资等政策环境亟待改善，低水平竞争、重复建设等问题仍较突出。 二、“十一五”面临的形势 （一）技术发展趋势 随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，电子材料和元器件技术将发生深刻变化。 新型元器件将向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、环保节能方向发展。微小型和片式化技术、无源集成技术、抗电磁干扰技术、低温共烧陶瓷技术、绿色化生产技术等已成为行业技术进步的重点。微电子机械系统(MEMS)和微组装技术的高速发展，将促进元器件功能和性能大幅提升。
电子信息材料与元器件学科 博士研究生培养方案
电子信息材料与元器件学科博士研究生培养方案 （专业代码：0809Z1） 现代信息及电子系统的发展离不开电子信息材料与元器件，电子信息材料的设计，验证和新的合成工艺又必须与器件相结合，二者相辅相成，缺一不可。从未来的发展看，我国已成为世界电子信息材料和元器件的生产基地，电子陶瓷材料、磁性材料与器件、电阻、电容、电感、变压器、电子电源、微特电机等各种电子器件均已成为世界产量第一大国，复合型的基础电子技术学科方向和人才培养是必然之路，设立电子信息材料与元器件学科是培养高水平电子人才的必要手段。可以说，我国的电子材料与元器件影响着世界电子市场，并且不断开拓新的技术领域和研究方向。随着信息产业技术不断发展，特别是电子信息与器件和新LTCC技术、硅基元器件及纳米电子技术方面的系统专门知识高级人才的需求是非常迫切的。本学科属于国家一级授权学科“电子科学与技术”的二级分学科，具有较强的导师队伍和学术梯队，依托国家、省部级和国防重点实验室的先进制造设备、测试设备和设计软硬环境，充足的科研经费和高水平的学术氛围，为培养电子材料与元器件的高水平人才打下了坚实的基础。 一、培养目标 该学科、专业培养目标：博士学位获得者应具有电子信息材料及元器件，特别是Si基上的电子信息材料与元器件，固态SOC的计算机设计、模拟和仿真知识。既侧重于电子材料、磁性材料、半导体材料和光电材料中原创性开发和产业化应用研究，又重视博士生掌握硅基电子器件、新型电子器件、LTCC器件及纳米器件的最新研究领域和工艺流程，还培养博士生拥有用计算机对器件及组合系统的设计与优化技术，熟悉并掌握各种新型器件的制造过程分析测试过程，具有较强的独立从事科研工作及分析解决问题能力，掌握1—2门外语，对本学科的某一方面不仅有较深入了解，而且有一定研究成果，学风正派，工作严谨求实，善于与人团结共事，能胜任本专业科研、教学或产业部门的技术工作及管理工作。 博士学位获得者应政治合格，热爱祖国，热爱人民，献身于伟大祖国社会主义建设事业。 二、研究方向 1．信息材料与元器件2．纳米电子学及自旋电子学3．新型微波器件 4．LTCC材料及片式元器件设计技术5．电子薄膜与集成器件6．隐身材料与技术 三、培养方式和学习年限 全日制博士研究生学制为四年。提前完成博士学业者，可申请适当缩短学习年限；若因客观原因不能按时完成学业者，可申请适当延长学习年限，但最长学习年限不超过六年。 四、学分要求与课程学习要求 总学分要求不低于14学分。学位课程要求不低于8学分，其中公共基础课必修，至少修一门基础课，二门以上专业基础课；必修环节不低于2学分。专业基础课中有“*”标志的为全校共选专业基础课。允许相同学科门类之间、工科与理科之间跨学科选修1～2门学位课作为本学科的学位课。 ·1·
《电子材料与元器件》试卷
电子电工《电子材料与元器件》样卷 一．填空题：（30分） 1.电感线圈主要用于对交变信号进行、、组成等。2．磁性材料常分成、三大类。 3．电解电容器主要用于、等电路。 4．常见的无机绝缘材料有、、 5．常见的变压器有、、、。 6．继电器是一种用小电流或控制或的自动开关，在电路中起着自动操作、自动调节、安全保护的作用。 7． P型半导体靠导电，N型半导体靠导电。 8．晶体二极管具有；晶体三极管具有的作用。 9．晶体三极管主要有、、三个参数。 二．判断题(10分) 1．在放大电路中用碳膜电阻来补偿因温度变他而引起的工作点变化。（）2．中频变压器俗称中周。（） 3．二芯插头插座主要用于立体声信号的连接。（） 4．半导体的电阻率随温度变化很明显。（） 5．稳压二极管的反向特性与普通二极管相似。（） 6．全桥硅整流堆内含4个二极管。（） 7．达林顿管是复合管。（） 8．镍镉电池对环境无污染.( ) 9．玻璃和橡胶都属于无机绝缘材料。（）10．在傻瓜照相机测光电路中使用光敏电阻。（） 三选择题（28分） 1制作印制电路板可用的材料是（） A 铝板 B 铜板 C 敷铜板 D 环氧板 2精密电阻器大多用色标法来标注，所用的色环是（） A 3色环 B 4色环 C 5色环 D 6色环 3某电容器标有2200字样，它的容量是（） A 2200uF B 2200pF C 2200F D 22uF 4带电子多的杂质半导体称为（） A N型半导体 B P型半导体 C 本征型半导体 D 电子型半导体 5 锗二极管的死区电压为（） A 0.2V B 0.5V C 0.7V D 1.6V 6要使三极管有放大作用必须（） A发射结加正向电压，集电结加反向电压。 B发射结加反向电压，集电结加正向电压。 C发射结加正向电压，集电结加正向电压。 D发射结加反向电压，集电结加反向电压。 7．扬声器的阻抗可能是（） A0.5欧 B8欧 C100欧 D1000欧 8．圆柱型干电池的标称电压是（） A 1V B 1.5V C 1.8V D 2.5V 9．锂电池（） A有记忆效应 B无记忆效应 C充电慢 D不能充电
光电子材料与器件题库
《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时，形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑，属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为（C）（A）C n（B）C n v（C）C2h（D）C s 3. 随着温度的升高，光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为（B）。 （A）光谱响应的峰值将向长波方向移动 （B）光谱响应的峰值将向短波方向移动 （C）光生电流减弱 （D）光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时，图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中，而后再转移输出。则该CCD的类型为（B ） （A）帧转移型CCD （B）线阵CCD （C）全帧转移型CCD （D）行间转移CCD 5. 对于白光LED器件，当LED基片发射蓝光时，其对应的荧光粉的发光颜色应该为（D） （A）绿光（B）紫光（C）红光（D）黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中，下列不属于光学设计的为（C） （A）在电池表面铺上减反射膜; （B）表面制绒; （C）把金属电极镀到激光形成槽内; （D）增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则，下列有关跃迁允许的表述中，不正确的是（B ）： （A）总角量子数之差为1 （B）主量子数必须相同 （C）总自旋量子数不变
（D）内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后，又跃迁回基态或低能态，发射出的荧光波长小于激发光波长，称为（B）。 （A）斯托克斯荧光（B）反斯托克斯荧光（C）共振荧光（D）热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论，决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的（A ） （A）交换积分（B）库仑积分（C）重叠积分（D）置换积分 10. 下列轨道中，属于分子轨道的是（C） （A）非键轨道（B）s轨道（C）反键轨道（D）p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定，其原因是由于分子中存在（D ） （A）强σ 键（B）两个π键（C）离域的π键（D）N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围，则该光谱反映的是分子的（B ）能级特性。 （A）振动（B）转动（C）电子运动（D）电声子耦合 13．下列的对称元素中，所对应的对称操作属于虚动作的是（C ） （A）C3 （B）E（C）σh（D）C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面，则其所处的晶系为（C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体，它的晶体结构是（D）。 （Ａ）NaCl 结构（B）纤锌矿结构（C）钙钛矿结构（D）闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时，会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是（B）。 （A）CH4（B）H2O （C）石墨烯（D）金刚石 17. 关于金属的特性，特鲁德模型不能成功解释的是（A ） （A）比热（B）欧姆定律（C）电子的弛豫时间（D）电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中，正确的是（B ）。 （A）在绝缘体中，电子填满了所有的能带 （B）在0 K下，半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 （C）半导体中禁带宽度比较大 （D）绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（B）？ （A）电（B）热（C）磁（D）掺杂 20．在P型半导体材料中，杂质能级被称之为（C）。 （A）施主能级（B）深陷阱能级（C）受主能级（D）浅陷阱能级
电子元器件基础知识考试试题及答案
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2
常用电子元件资料全
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 (1)精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 2 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功
(2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5W，2K7表示2.7kW， RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kW) 额定功率1/8W 型号 1/8W，标称阻值为5.1kW，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义
电子信息材料概况
电子信息材料 电子信息材料是指在微电子、光电子技术和新型元器件基础产品领域中所用的材料，主要包括单晶硅为代表的半导体微电子材料；激光晶体为代表的光电子材料；介质陶瓷和热敏陶瓷为代表的电子陶瓷材料；钕铁硼（NdFeB）永磁材料为代表的磁性材料；光纤通信材料；磁存储和光盘存储为主的数据存储材料；压电晶体与薄膜材料；贮氢材料和锂离子嵌入材料为代表的绿色电池材料等。这些基础材料及其产品支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术 电子信息材料的总体发展趋势是向着大尺寸、高均匀性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向发展。当前的研究热点和技术前沿包括柔性晶体管、光子晶体、SiC、GaN、Z nSe等宽禁带半导体材料为代表的第三代半导体材料、有机显示材料以及各种纳米电子材料等。 电子信息材料及产品支撑着现代通信、计算机、信息网络技术、微机械智能系统、工业自动化和家电等现代高技术产业。电子信息材料产业的发展规模和技术水平，已经成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志，在国民经济中具有重要战略地位，是科技 电子信息材料元器件
随着电子学向光电子学、光子学迈进，微电子材料在未来10-15年仍是最基本的信息材料，光电子材料、光子材料将成为发展最快和最有前途的信息材料。电子、光电子功能单晶将向着大尺寸、高均匀性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向发展。 一、集成电路和半导体器件用材料由单片集成向系统集成发展。微电子技术发展的主要途径是通过不断缩小器件的特征尺寸，增加芯片面积以提高集成度和信息处理速度，由单片集成向系统集成发展。 1.Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。椎8英吋硅芯片是目前国际的主流产品，椎12英吋芯片已开始上市，GaAs芯片椎4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向椎6英吋生产线过渡；对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。 2.在以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料继续发展的同时，加速发展第三代半导体材料———宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnSe、金刚石材料和用SiGe／Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成电路的性能是未来半导体材料的重要发展方向。 3.继经典半导体的同质结、异质结之后，基于量子阱、量子线、量子点的器件设计、制造和集成技术在未来5-15年间，将在信息材料和元器件制造中占据主导地位，分子束外延MBE 和金属有机化合物化学汽相外延MOCVD技术将得到进一步发展和更加广泛的应用。 4.高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb-0.1ppb和6N级以上，0.5μm 以上的杂质颗粒必须控制在5个／毫升以下，金属杂质含量控制在ppt级，并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。 二、光电子材料向纳米结构、非均值、非线性和非平衡态发展。光电集成将是21世纪光电子技术发展的一个重要方向。光电子材料是发展光电信息技术的先导和基础。材料尺度逐步低维化———由体材料向薄层、超薄层和纳米结构材料的方向发展，材料系统由均质到非均质、工作特性由线性向非线性，由平衡态向非平衡态发展是其最明显的特征。发展重点将主要集中在激光材料、红外探测器材料、液晶显示材料、高亮度发光二极管材料、光纤材料。 1.激光晶体材料：向着大尺寸、高功率、LD泵浦、宽带可调谐以及新波长、多功能应用方向发展。 2.红外探测器材料：大面积高均匀性HgCdTe外延薄膜及大尺寸ZnCdTe衬底材料仍是2010年前红外探测器所用的主要材料。
电子材料与元器件教学大纲
《电子材料与元器件》课程教学大纲 课程编号：010192 适用专业：应用电子技术专业 学时数：60（讲课：40，上机：20）学分数：4 执笔者：张恒审核人：编写日期： 建议教材与教学参考书：[1] 《电子材料与元器件》电子工业出版社陈颖主编 一、课程的性质和目的： 《电子材料与元器件》是高等职业学校工业应用电子技术、自动化和机电一体化等专业的一门重要的专业必修课，是与实际生产相结合的基本课程，是电子类技术人才必须掌握的基础知识。本大纲根据高等职业学校机电类专业教学计划制订。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须坚持理论联系实际的原则，让学生有一定的动手练习机会。可按照相关的课程内容，相应的组织实验、模拟实习、焊接练习，以提高学生的理解深度和动手能力，从而提高学生对电子材料与元器件的处理问题的能力。 本课程的教学任务是：讲授常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻器、电容器、电感、接插件、晶体管、集成电路的外形，命名和标识，检测和使用等方面的知识，把学生培养成为具有一定理论与实践相结合的高等职业技术人才。 本课程是一门技术性与实践性较强的应用学科，教学中必须有时注意理论联系实际的原则，让学生有相应的动手练习机会。由于受课时量的限制，可按照相关的课程内容，组织相应的元器件识别、以提高学生的对电子元器件的识别能力、应用能力 二、教学目标和基本要求： 教学目标： 通过本课程的学习，把学生培养成为具有一定电子技术知识和操作能力，能够独立分析、解决有关材料和元器件问题的高等职业技术人才。 （一）理论方面： 本课程的教学任务是：使学生掌握常用电子材料以及各种常用电子元器件：电阻
光电材料与器件 考试卷 A
皖西学院2016 –2017学年度第 1 学期考试试卷（A 卷） 电气 学院 光电信息 专业 2014 级 光电子材料与器件 课程 一．填空题：本大题共10小题，每空1.5分，共15分。 1． pn 结附近载流子被耗尽的区域，称为空间电荷区，又称__耗尽层__。 2． 往硅中掺入硼元素的半导体是_ p _型半导体。 3． 半导体发光二极管设计成圆顶（半球顶）是为了减少__全反射__的影响，以便形成有 效光辐射。 4． 固体激光材料由激活离子和_基质材料_所组成。 5． 固体激光材料按照基质材料划分，可分为激光晶体、_激光玻璃_和激光陶瓷三类。 6． 固体激光器由泵浦源、固体激光工作物质与_光学谐振腔__所组成。 7． 光纤的损耗包括__吸收损耗__、散射损耗与弯曲损耗。 8． 多模光纤的色散包括模间色散、_材料色散_和波导色散。 9． 光开关可分为机械式光开关、_固体式光开关___和半导体光波导光开关三类。 10． 纳米光电材料在光学上和电学性质上表现出异于宏观光电材料的特性，这主要来源于 _小尺寸效应_、表面效应和量子尺寸效应。 1． 间接带隙半导体的发光效率比直接带隙半导体高。× 2． 高效率的发光器件需要辐射寿命远大于非辐射寿命。× 3． GaN 是直接带隙半导体发光材料。√ 4． 半导体激光器只要一通电，不论电流多小，都能产生激光。× 5． 在固体激光材料中，激光晶体的主要优点是热导率高、荧光谱线窄、硬度较大。 √ 6． 只要形成光放大就可以产生激光。× 7． 光纤的基本结构包括纤芯、包层与缓冲涂覆层三个部分。√ 8． 多模光纤的色散特性优于单模光纤。× 9． 光波导的波长越长越容易形成单模。√ 10． 光纤连接器的插入损耗越小越好，回波损耗越大越好。√ 11． 光纤放大器结构中，也包含有光学谐振腔。× 12． 磁光调制属于光的内调制。× 13． 光子器件不存在截止波长，对一切波长的光均能响应。× 14． 光敏电阻是光电导型器件，其工作原理为光电导效应。√ 15． 扭曲向列相液晶显示有光透过与关闭都不彻底，对比度不理想的缺点。√ 三．选择题：本大题共15小题，每小题2分，共30分。 1．电子浓度高于空穴浓度的半导体是_A 。 A ．n 型半导体 B ．p 型半导体 C ．本征半导体 D ．不能确定 2．导带底与价带顶对应相同的k （电子波矢量）的半导体是A 。 A ．直接带隙半导体 B ．间接带隙半导体 C ．p 型半导体 D ．n 型半导体 3．发光二极管的核心是pn 结，对于发光二极管的发光原理，以下论述中正确的是_B 。 A ．对pn 结施加正向偏压，耗尽层被加强，p 区电子向n 区漂移，n 区空穴向p 区漂移，在pn 结附近相遇，发生辐射复合，辐射出光子 B ．对pn 结施加正向偏压，耗尽层被削弱乃至消失，p 区空穴向n 区扩散，n 区电子向p 区扩散，在pn 结附近相遇，发生辐射复合，辐射出光子 C ．对pn 结施加反向偏压，耗尽层被加强，p 区电子向n 区漂移，n 区空穴向p 区漂移，在pn 结附近相遇，发生非辐射复合，辐射出光子 D ．对pn 结施加反向偏压，耗尽层被加强，p 区空穴向n 区扩散，n 区电子向p 区扩散，在pn 结附近相遇，发生非辐射复合，辐射出光子 4．___C_不是半导体激光器出射激光所必须要具备的条件。 A ．粒子数反转 B ．光学谐振腔提供的驻波条件 C ．较高的温度 D ．光增益超过光损耗 5．以下是光纤特性参数的是_B_。 A ．插入损耗 B ．归一化频率 C ．分光比 D ．隔离度 6．将某一光纤浸入水中，与该光纤在空气中相比，其受光角_B_。 A ．变大 B ．变小 C ．不变 D ．不能确定 7．某一无源树形光纤耦合器（1X3耦合器）输入功率是10.2mW ，输出总功率为10mW ，其中3个输出端口分别输出光功率为4mW 、4mW 、2 mW 。则该光纤耦合器各端口分光比分别为_D_。 A ．35%，30%，35% B ．20%，50%，30% C ．15%，45%，40% D ．40%，40%，20% 8．以下光纤器件中，是光纤有源器件的是B_。 A ．光纤连接器 B ．光纤激光器 C ．光隔离器 D ．光纤耦合器 9．以下不是光纤通讯窗口的波长是___A 。 A ．500nm B ．850nm C ．1300nm D ．1550nm 10．以下属于二阶非线性光学效应的是_D_。 A ．光束自聚焦 B ．三次谐波产生 C ．受激布里渊散射 D ．和频. 11．下列材料中，不属于非线性光学晶体的是_C_。 A ．KDP B ．KTP C ．NaCl D ．LiNbO 3