通过阈值方法获得亚瑞利分辨率

通过阈值方法获得亚瑞利分辨率
通过阈值方法获得亚瑞利分辨率

通过阈值方法获得亚瑞利分辨率

摘要:在传统光学成像系统之中,入射光通过一有限直径的小孔而发生的衍射会使空间分辨率受到瑞利极限的限制。我们已经证明了通过非结构性的激光束聚集扫面物体表面以及低于最高阈值条件max N 的阈值N 的动态应用使空间分辨率突

破了这个极限。实验结果表明亚瑞利分辨率提高的倍数为

引言

在理想的成像系统之中,成像光波的波长只会限制最小分辨的特征尺寸的大小。然而,当一束光通过一有限的孔径时,会发生波前修正,这个修正会传播到相面上,从而会生成一个畸变图像,这就是衍射。例如,一束激光聚集在物体表面上的形成光强模式在相面上生成的并不是一个点,而是由光束通过物体和相面之间的镜片的有限孔径而形成的散射而生成的瑞利斑。

这样一来物体上两个紧密排列的点的任何限制都回直接转移到限制一个扩展对象的图像的分辨率上。

瑞利极限就是衡量两个物点的像的分辨能力,在1879年,洛德.瑞利提出两个物点所形成的两个爱里斑,其中一个爱里斑的中心与另一个爱丽斑的第一级暗纹重合时,刚好能分辨出这两个物点的像。在相面最小的可区分间隔为 00.61A

D R M R λ= , (1) 其中(1)式中的λ代表照明光的波长,0D 代表物面到导致产生衍射的小孔之间

的距离, R 是小孔的半径,M 代表像的放大倍数,对于另外一个比较著名的判据就是斯派罗判据,斯派罗判据认为,当两个爱里斑之间的合光强刚好只出现上凸时为刚可分辨的极限情况。一个光学系统的空间分辨率能够突破这些极限会在诸多的领域具有广泛的应用,例如激光雷达和生物医学显微镜。

前期工作

许多对于获得较高分辨率的提议都是建立在非经典光的基础上,例如福克态或者路径纠缠态,这些态在N 光子符合测量中提供亚光波长衍射,相应的,通

过成像的波长使其分辨率突破这些极限,曾证明了通过多光子计数阵列和后期处理使N阶分辨率的增强具有可能性,认为复杂的N光子符合测量并不是获得增强分辨率的必要的因素,虽然在原则上是可以实现的,但是在前面所讲的操作步骤很难实现,因为创造一个必要的光子态是具有挑战性并且这个光子态相当敏感容易丢失。

在几组采用传统照明光源基础上的调查方法采用了不切实际的的量子态产生和操作去提高成像分辨率。在对称替换位置上的结合处的测量时,真热光源的经典关联会产生一种亚波长双缝干涉模式,这个模式类似于由纠缠光源所产生的模式。相干光源(激光)通过波矢关联和多普勒共振探测器进行多光子频率选择性探测可产生亚波长干涉模式。在一个成像系统之中,利用量子增强技术和经典技术去获得亚波长分辨率的图像可以不受衍射极限的限制。

然而,在光学成像系统之中,通过有限元所产生的最小分辨尺寸要远远大于由像的波长所产生的限制。有几种经典的方法被提议可以突破这些衍射极限。这些方法包括多光子探测技术,点对点照明光源,后期处理或者将其结合。Bently 和Boyd描述了在N光子吸收材料上利用光刻技术来模拟N阶谐波的产生并被CCD探测器进行光电检测,此种方法在原则上会突破瑞利极限使图像的分辨率得到极大的提升。在生物医学领域,Hell提到利用N光子探测显微技术可以提高荧光分子的成像质量。在近期,通过光子数分辨探测器证明了N光子探测会对一般强度成像的N次幂产生影响,会使它的峰值和谷值更加突出,使其对比度得到提高。然而,这些作者也提到在传统的光源照明全物成像并不能突破斯派罗极限,并不会突出其图像特征。

点对点照明物体采用共焦扫描显微镜是一种普通的生物成像方法,一个生物样本通过激光的聚集扫描可产生有荧光标记的生物标志物,一个小孔被放在相面上可限制到达探测器的光源半径,这种方法通过利用一走非爱里斑中心内的光学信息去提高成像的分辨率,虽然这种方法可以提高图像的分辨率,但是仍然存在一些局限,为了提高图像的分辨率,到达相面上的光由于小孔的作用而大幅度减少,所以为了获得可接受的信噪比的图像则需要入射光的强度足够大,为了获得更好的实验结果,我们需要让小孔的中心与爱里斑的中心精密匹配。因此小孔的

中心要随着光波精确的移动,这种方法在物面和相面之间距离很小的显微技术中是可行的,若物面和相面被很好地隔离开来,会发生散射,那么此种方法是很难达到我们所想要的效果。

通过对物体进行后期处理的先前知识可以提高成像的分辨率,Pertsinidi et al这篇文章最近证明了相邻的荧光分子会呈现出亚纳米分辨率的图像。通过利用每个分子的高度荧光对称模式以及伺服控制去稳定其成像系统,他们可以由此去确定0.5nm分辨率的质心位置。然而,这个先前知识只能应用于特殊的领域当中。

为了突破斯派罗衍射极限使其物体的任意扩展部分都可以成像,Giovnnetti 文章提出通过结合点对点照明光源和N光子探测可以极大提高成像的分辨率。他们技术中最显著的优点便是其扫描可以是完全无组织的扫描,只要扫描可以完全覆盖物体回波,这种方法让我们很好避免所有的先前知识,这个理论最近在文章中得到了实验证明,利用了聚焦激光束和用于图像采集的SPAD阵列探测器。这个实验所采用的是低强度的照明光源,每个像素点每秒所探测到的最大的平均光子数为15,这个实验通过在使在每个像素的探测阵列的阈值N大于Nmax使其成像的分辨率突破了亚斯派罗极限,在低强度入射光条件下,散粒噪声很明显,以至于每个照亮区域的成千上万祯图像必须求平均值。在此实验中图像成像分辨率的提高与理论预测()取得一致。

2 聚焦照明光源以及阈值法理论

在此文中,我们对Guerrieri文章的结果进行扩展,对他们的实验聚集扫描和阈值法进行了修饰使其兼容于CCD阵列探测器。我们可利用一标准成像装置去带以SPAD阵列探测器,因为我们需要用到高强度的照明光源使其探测器收集到足够强的光强便并使足够强光强聚集在物面上便可以忽略成泊松分布的散粒噪声,因此CCD便可复活照明区域所有有用信息,使图像取多桢平均变得不再重要。

为了定量改善此实验技术,我们将艾丽斑近似为成高斯分布的形式,其峰值为Nmax,,这是一个一般近似,这个近似允许阈值作用为一个闭式表达式, 完全是由实验装置所决定的,并且发现了在点照明光源所成的像的中心区域的真实强度分布与高斯分布只存在着很细微的差别。因此,我

们可将近中心区域的区域近似为高斯分布,那么便有

(2)

其中(2)式中的x 是点照明光源所成的像波峰的距离,(?)我们从下面的步骤当中选出新的宽度值N σ,一个较小的N σ会提升后期处理图像的分辨率,但是它

有一个由CCD 像素尺寸大小所引起的一个下限,然而,较小的N σ值会导致较长

的图像采集时间,这是因为需要大量精细的扫描才能生成完整的图像。因此σ的选择取决于依据分辨率和采集时间的图像测量的需求,对于一个给定的 ,方程2算出我们所需要的()N N σ值,因此可以得到比率 ,在电脑的后期处理过程中我们可以通过这个比率得到我们所需要的宽度值,因此,对于一个给定的阈值,我们可以得到一个较小的半宽值,

(3)

只要这个值可以突破有CCD 探测器像素的大小和在物体上的聚焦照明光源的光束要所引起的分辨率极限,这个过程在图3(a )中,对于灰度物体,在不同相点上光强分布是不同的,对于每一个照明光的点 将阈值N 作为Nmax 的一个函数(将比率值去代替N 的绝对值),方便的记录这些点的光强的变化值。因此可利用动态阈值方法去保证灰度物体成像。

3 实验

3.1实验装置

图一便是我们上文所描述的亚瑞利成像装置图,照明光源为532nm 的激光,聚焦在物体上的激光光束腰为20um 。通过调整平面镜的角度对物面上的光斑进行人工的扫描,M 等于1的成像系统位于距离物面110cm 的位置上,包括一个有着衍射极限的聚焦透镜,一个中继透镜,一个CCD 阵列探测器。聚焦透镜的焦距为25cm 可覆盖产生严格的衍射极限的半径为1mm 的小孔。扫描镜和物之间的距离m D 足够远保证在物面上有着亮度均匀的照明光。

两个目标靶成像在传播过程中,证明了对于透明与不透明物体成像和灰度物体的成像的分辨率都会得到提高,对于前一个成像我们用的是USAF 光学分辨率

检验板第二组的第二部分作为目标靶,这个目标靶包括三个相互交替的111um 长555um高的透光与不透光条纹,如图二所示,对于此实验的成像系统M=1,小孔的孔径大小为1mm,通过方程一我们可算出瑞利极限为357um。这个数值为是相面上的特征尺寸大小111um的3.2倍。对于灰度成像,我们所用的是四个区域的ISO-2155动态范围薄膜靶,四个区域分别标注3,5,6,9代表着77.6%,40.4%,20.9%,和1.56%的透射率。

图1利用CCD探测器的亚瑞利成像装置图

图2(a) USAF光学分辨率检验板:红色箭头所指的是第二组第二个元素,条纹宽度是111um。(b)用于灰度成像的ISO-2155动态范围薄膜靶:3,5,6和9四个区域指定透射率分别为77.6%,40.4%,20.9%和1.56%.

我们所用的是12位输出的就CCD阵列探测器(型号),起像素的面积为7.4*7.4小于物的特征尺寸和物上照明光束腰,CCD探测器的散粒噪声为每50us 的曝光时间就有2次的暗计数,我们确信在我们实验中是用的制造商的13位转换效率规格。,所有的程序用C+进行编写,并且建立在有Basler建立的数据库上,像的行成经过以下几个步骤,最初的图像会被记录并使其匹配与高斯分布,记录

σ,在之前测量的物体所有零度其标准差σ,然后是设置我们所需要的宽度值

N

值图像的区域都会被记录,当有一阵图像需要一单一的在特定照明区域的曝光

时, ,大于或等于阈值的的像素保持他们的计数而其他像素设置成0值。然后储存的图像通过结合生成的桢中高于阈值条件像素的进行更新,这个过程会被是扫描所覆盖所有的点进行重复,每次都会生成最后图像的某一点。

3.2 实验测量方法和结果

图3(a )描述的是物面上一个半径为20um 的光斑的衍射极限像上的阈值作用,在这个装置中,并没有安置靶。黑色曲线描述的是通过衍射极限图像中心横截面的像素计数,其最大值为1050,注意到σ为21e 类高斯分布的爱里斑的半宽长。大约为20个像素数,我们应用两个阈值,N=800(红虚线)和1000(蓝虚线)所有像素低于阈值N 需设置为0(每个像素的最初值)。联系图3a 的每个阈值,两个垂线表示的是修饰过的点光源图像的全宽2N σ ,这个全宽由公式(3)

可算出,如图3(B )所示随着阈值增加到接近最大值使Nmax ,我们可以看到点光源尺寸大小会急剧减小,另外,由于最初的点光源图像的峰是高度对称的,与原始图像相关的后期处理图像的中心值不会发生明显的转变。

图3(a)通过点光源衍射极限中心区域的横截面(黑色曲线),两个阈值代表的两个阈值,N=800(红),和N=1000(蓝)。(b )半宽N σ作为图像(a )中阈值N 的函数图。

我们在3.1节所介绍的USAF 光学分辨率检验板第一次成像如图2(a)所示,首先,图4(a )是利用经典,完全照射物体的照明光源,但是在图一的光学成像系统之中并没有一个半径为1mm 的小孔,4(b )是在图一的实验装置中有着一个半径为1mm 的小孔。照明光波发散出半径为3mm 的光面?覆盖整个物面。?

没有这个小孔,所成的像具有较好的分辨率,三个条纹的宽度为111um (15个像素),有这个小孔,相面上的瑞利极限为357um (48个像素),这个结果可通过方程一求出,这个值远远大于条纹的宽度,因此他们是不可分辨的。

随后我们利用在3.1节所描述的聚焦扫描和阈值应用对USAF 光学分辨率检验板进行第二次成像,图4(c )和图4(d )分别为在低强度照明光和高强度照明光源的情况下利用聚焦扫描和阈值技术所获取的图像.我们的成像系统的21e 半宽值σ值为20个像素大小,我们选取N σ为5个像素大小的值,

为了使得到N σ为5个像素大小的值(37um ),利用方程三我们计算出需设置阈

值N=0939Nmax,在高强度的照明光源情况下,Nmax 为在一个曝光时间50us 内每个像素计数1000次。随着照明光波扫描其图像其最重图像会被逐点建立起来, 在高强度的照明光源情况下得到的最终图像如图(c )所示 ,利用我们的技术USAF 光学分辨率检验板的三个条纹拥有较好的分辨率。

为了提高成像的分辨率,我们检测了不投光部分与投光部分的边界光的衍射在物面上和成像系统中。两个相邻的照明点的爱里斑会重合,在边界部分,两个点的最大值是不一样的,这是因为就像在3.1节所描述的非零值得像素点会取代像素点旧值将原先储存的图像进行了更新,两个爱里斑重叠的区域的最终强度取决于扫描的顺序,若透明部分的像首先建立,其重叠部分更加明亮,相反,其重叠部分会变得暗淡,这也导致了条纹边界部分的轻微的粗糙以及强度分布的不均,这也不可避免的,因为光波在物面上有限尺寸的大小,于是衍射会发生尖锐的边缘,然而,凹凸不平的边缘可以减小通过减小光束腰或者增加阈值条件获得更小的N σ值,光滑的边缘可采用两种方法中的任何一种,但是都需要精确的扫描,所以会增加图像的采集时间。

图4,利用不同的方法(包括入射功率)对USAF光学分辨率检验板所称的像。(a)传统的全物照明,不含小孔成像(30uw)(b)含半径为1mm的小孔传统衍射极限成像(150uw)(c)在强光情况下通过聚焦扫描和阈值方法的亚瑞利成像(30uw)(d)在弱光情况下通过聚焦扫描和阈值方法的亚瑞利成像(3.5uw)我们在探讨低强度的照明光情况下亚瑞利图像的形成过程,我们将小照明光的强度,并在实验室亮灯的情况下进行试验,没有照明光的北京计数在50us的曝光内为每像素20计数,在有照明光的情况下Nmax为每像素60计数,信噪比仅仅为2,虽然如此,利用照明光源聚焦扫描和阈值方法仍然使三个条纹清晰可见,尽管条纹的强度远远微弱与在低照明光情况下条纹所成的像,通过利用我们的扫描模式,图4(d)的饱和部分覆盖程度更强,从这,我们可推测到在地强度照明光的情况下增加图像的采集时间会会提高最终图像的对比度和信噪比。在低强度光的情况下就如同gurrieri文章中所描述的泊松散粒噪声变得有关联的以使SPAD阵列探测器在高分辨率图像是必要的,(?)

迄今为止,我们已经证明在方程(3)中通过结合聚焦照明光,阈值方法,CCD探测器可以在传播过程中提高透光部分和非透光部分图像的分辨率,我们

的方法主要有两个优点:1对于每一点只有一个图像是完全必要的,2另外阈值的设置是独立的并是动态的可是单一照明点的成像完全依靠与最大的阈值。利用我们实验技术,动态阈值可应用在灰度物体成像的系统中,并且具有潜在应用前景。

作为试验技术的性能的初步证明,我们做了一个额外的成像实验,利用图2(b)所描述得的我们所用的是四个区域的ISO-2155动态范围薄膜靶,图5(a)是不含有小孔的动态范围薄膜靶的传统的,全物照明成像,是因为灰度成像实验的测量的目的是复制其强度的分布并不是获取不同区域边界的高分辨率图像,、我们减小阈值因此增加了在相面上的光斑和减小了全物扫描的时间。这导致了5(b)中的光斑模式和不清晰的边界,5(b)图像表明了拥有小孔的聚焦扫描图像清晰度要胜于5(a)传统的,无小孔的成像。

\

图5灰度靶成像(a)不含小孔的传统的全物照明成像(b)含有半径为1mm 小孔的通过聚焦扫描和阈值方法成像

从5(b)图灰度物体的亚瑞利成像,我们可推断图2(b)中动态范围薄膜靶的四个标注区域的相对透射率,动态范围薄膜靶的说明书详述如下;区域3和区域5之间的比率为1.9,区域5和区域6之间的比率为1.9,区域6和区域9之间的比率为13.4,相比之下,从我们的图像,可推测到相对应的值为2.5,2.2.和22。刚开始的两个比率(区域3和区域5之间,区域5和区域6之间)很好符合说明书所描述的,区域6和9之间的比率要大于说明书中的规格60%左右,这主要是因为少部分光通过区域9,背景计数决定着区域9的测量。另外,小孔的中心并没有严格对英语薄膜靶,所以会导致一部分从其他区域过来的传播光并不能通过

聚焦透镜,我们需要注意到图5(b)聚焦照明光源成像6和9之间的比率为22接近于如图5(a)所示全物照明光成像中的比率26,因此,在灰度物体成像中阈值方法具有明显的优势。

4结论

我们已经证明了在高强度的照明光和低强度照明光的情况下利用聚焦扫描加上每个照明点的阈值应用可以突破瑞利极限和斯派罗极限。实际上,实际上聚焦扫描对于低于斯派罗极限的图像去提高其分辨率是非常有必要的。,因为若低于斯派罗极限并不到后期处理的全物照明的数据,我们在文中所提到的提高图像分辨率的技术只会束缚与CCD相机像积的大小和物面上照明光波光束腰的值。阈值的动态性质有利于在没有改进的装置或后期处理方法中去获得亚瑞利成像。并且,相面上的点最终尺寸大小意被调节用分辨率去转换成我们所需要成像速率。若利用多个激光器在同时间去照明多个点便可大大减小图像的建立时间。只要两个照明点的距离足够大使他们爱里斑的偏离值低于所加的阈值。每个照明点之间的分辨率的提高都会保存。

在本文所描述的实验中,物是在光在传播过程中成的像。然而,我们相信这种实验技术在光的反射过程中仍具有很好的效果,这也就说明这种实验技术在彩色成像系统中应用具有一定的可能性。为了完成亚瑞利彩色成像,单频激光器被宽频光源所代替,探测器的选择应该具备探测反射信号中红光,绿光和蓝光,这也是CCD探测器的标准功能。探测器对于任意点的反应都是三个爱里斑(红绿蓝)对于不同的振幅对应于不同的阈值,因此,彩色成像是相似于我们文中所描述的灰度成像。我相信我们的亚瑞利成像是基于聚焦照明光,阈值方法和CCD 探测技术。我相信这些技术会被应用于于更广泛的成像领域。

提高显微镜分辨率的方法简述

目录 1 选题背景 (1) 2 方案论证及过程论述 (1) 2.1 像差 (1) 2.1.1 球面像差 (1) 2.1.2 慧形像差 (2) 2.1.3 色像差 (2) 2.2 照明对显微镜分辨率的影响 (2) 2.2.1 非相干光照明 (2) 2.2.2 相干光照明 (2) 2.2.3 部分相干光照明 (3) 2.2.4 临界照明 (3) 2.3 衍射 (3) 2.3.1 对两个发光点的分辨率 (3) 2.3.2 对不发光物体的分辨率 (4) 2.4 光噪声 (6) 3 结果分析 (6) 4 结论 (7) 4.1 提高光学显微镜与电子显微镜分辨率的方法 (7) 4.1.1 提高光学显微镜分辨率的方法 (7) 4.1.2 如何提高电子显微镜分辨率 (7) 参考文献 (9)

1 选题背景 显微镜是实验室最重要的设备之一,对观察微小物体细节的显微镜来说,评价光学显微镜及电子显微镜的重要指标之一是分辨本领。显微镜的分辨能力是指其分辨近距离物体细微结构的能力,它主要是显微镜的性能决定。通常是以显微镜的分辨率级即显微镜能分辨开两个物点的最小距离d来表示,d值越小,则显微镜的分辨能力越强。 人眼本身就是一台显微镜,在标准照明条件下,人眼在明视距离(国际公认为25cm)上的分辨率约等于1/10mm。对于观察两条直线来说,由于直线能刺激一系列神经细胞,眼睛的分辨率还能提高一些,这就是显微镜的分划板使用双线对准的原理所在。人眼的分辨率只有1/10mm,那么比1/10mm小的物体或比1/10mm近的两个微小物体的距离,人眼就无法分辨了。这时人们开始研制出放大镜和显微镜,显微镜的分辨率计算公式为:d=0.61入/NA;式中:d为分辨率(μm);入为光源波长(μm);NA为物镜的数值口径(也称镜口率)。 造成显微镜光学像欠缺的因素主要在物镜组,有像差、衍射和光噪声等,它们是影响显微镜分辨率的主要因素,其次照明对显微镜的分辨率也有一定的影响。 对于显微镜的使用者来讲,应该对造成显微镜分辨率下降的因素有比较清楚的认识,并知道克服和减少这些因素的方法。本文从几何像差、色像差、衍射、干涉和照明几个方面分析了对显微镜分辨率的影响,指出了孔径数的增加,从衍射角度看对显微镜分辨率的提高有好处,但从几何像差的角度看则会降低显微镜的分辨率;并指出了照明对显微镜分辨率的影响是不可忽略的等。 2 方案论证及过程论述 2.1 像差 像差可分为单色像差和色像差两大类。单色像差有五种:(1)球面像差;(2)彗形像差;(3)像散;(4)像场弯曲;(5)畴变。其中(1)和(2)是由大孔径引起的,(3)、(4)、(5)是由大视场引起的。显微镜需要大孔径,但不需要大视场,所以显微镜的单色像差主要是(1)和(2)。 2.1.1 球面像差 单球面公式只有在满足近轴光线的条件下才能成立。当孔径较大时,有许多远轴光线也进入了透镜,近轴光线和远轴光线经透镜折射后不能在同一点上会聚。换句话说,主轴上一物点经透镜成像后,像不是一个点,而是一个圆斑,这样就产生了球面像差。消除的方法有二:一是在透镜前加一光阑,用以限制远轴光线的进入。这样做,会使显微镜的孔径数降低,从而降低了显微镜的分辨率。二是用复合透镜法,显微镜物镜就是采用这种方法制作的。

光刻

光刻 一、概述: 光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning)。 光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 二、光学基础: 光的反射(reflection)。光射到任何表面的时候都会发生反射,并且符合反射定律:入射角等于反射角。在曝光的时候,光刻胶往往会在硅片表面或者金属层发生反射,使不希望被曝光的光刻胶被曝光,从而造成图形复制的偏差。常常需要用抗反射涂层(ARC,Anti-Reflective Coating)来改善因反射造成的缺陷。 光的折射(refraction)。光通过一种透明介质进入到另一种透明介质的时候,发生方向的改变。主要是因为在两种介质中光的传播速度不同(λ=v/f)。直观来说是两种介质中光的入射角发生改变。所以我们在90nm工艺中利用高折射率的水为介质(空气的折射率为1.0,而水的折射率为1.47),采用浸入式光刻技术,从而提高了分辨率。而且这种技术有可能将被沿用至45nm工艺节点。 光的衍射或者绕射(diffraction)。光在传播过程中遇到障碍物(小孔或者轮廓分明的边缘)时,会发生光传播路线的改变。曝光的时候,掩膜板上有尺寸很小的图形而且间距很窄。衍射会使光部分发散,导致光刻胶上不需要曝光的区域被曝光。衍射现象会造成分辨率的下降。 光的干涉(interference)。波的本质是正弦曲线。任何形式的正弦波只要具有相同的频率就能相互干涉,即相长相消:相位相同,彼此相长;相位不同,彼此相消。在曝光的过程中,反射光与折射光往往会发生干涉,从而降低了图形特征复制的分辨率。 调制传输函数(MTF, Modulation Transfer Function)。用于定义明暗对比度的参数。即分辨掩膜板上明暗图形的能力,与光线的衍射效应密切相关。MTF=(Imax-Imin)/(Imax+Imin),好的调制传输函数,就会得到更加陡直的光刻胶显影图形,即有高的分辨率。临界调制传输函数(CMTF,Critical Modulation Transfer Function)。主要表征光刻胶本身曝光对比度的参数。即光刻胶分辨透射光线明暗的能力。一般来说光路系统的调制传输函数必须大于光刻胶的临界调制传输函数,即MTF>CMTF。 数值孔径(NA, Numerical Aperture)。透镜收集衍射光(聚光)的能力。NA=n*sinθ=n*(透镜半径/透镜焦长)。一般来说NA大小为0.5~0.85。提高数值孔径的方法:1、提高介质折射率n,采用水代替空气;2、增大透镜的半径; 分辨率(Resolution)。区分临近最小尺寸图形的能力。R=kλ/(NA)=0.66/(n*sinθ) 。提高分辨率的方法:1、减小光源的波长;2、采用高分辨率的光刻胶;3、增大透镜半径;4、采用高折射率的介质,即采用浸入式光刻技术;5、优化光学棱镜系统以提高k(0.4~0.7)值(k是标志工艺水平的参数)。 焦深(DOF,Depth of Focus)。表示焦点周围的范围,在该范围内图像连续地保持清晰。焦深是焦点上面和下面的范围,焦深应该穿越整个光刻胶层的上下表面,这样才能够保证光刻胶完全曝光。DOF=kλ/(NA)2。增大焦深的方法:1、增大光源的波长;2、采用小的数值

图像分割阈值选取技术综述

图像分割阈值选取技术综述 中科院成都计算所刘平2004-2-26 摘要 图像分割是图像处理与计算机视觉领域低层次视觉中最为基础和重要地领域之一,它是对图像进行视觉分析和模式识别地基本前提.阈值法是一种传统地图像分割方法,因其实现简单、计算量小、性能较稳定而成为图像分割中最基本和应用最广泛地分割技术.已被应用于很多地领域.本文是在阅读大量国内外相关文献地基础上,对阈值分割技术稍做总结,分三个大类综述阈值选取方法,然后对阈值化算法地评估做简要介绍. 关键词 图像分割阈值选取全局阈值局部阈值直方图二值化 1.引言 所谓图像分割是指根据灰度、彩色、空间纹理、几何形状等特征把图像划分成若干个互不相交地区域,使得这些特征在同一区域内,表现出一致性或相似性,而在不同区域间表现出明显地不同[37].简单地讲,就是在一幅图像中,把目标从背景中分离出来,以便于进一步处理.图像分割是图像处理与计算机视觉领域低层次视觉中最为基础和重要地领域之一,它是对图像进行视觉分析和模式识别地基本前提.同时它也是一个经典难题,到目前为止既不存在一种通用地图像分割方法,也不存在一种判断是否分割成功地客观标准. 阈值法是一种传统地图像分割方法,因其实现简单、计算量小、性能较稳定而成为图像分割中最基本和应用最广泛地分割技术.已被应用于很多地领域,例如,在红外技术应用中,红外无损检测中红外热图像地分割,红外成像跟踪系统中目标地分割;在遥感应用中,合成孔径雷达图像中目标地分割等;在医学应用中,血液细胞图像地分割,磁共振图像地分割;在农业项目应用中,水果品质无损检测过程中水果图像与背景地分割.在工业生产中,机器视觉运用于产品质量检测等等.在这些应用中,分割是对图像进一步分析、识别地前提,分割地准确性将直接影响后续任务地有效性,其中阈值地选取是图像阈值分割方法中地关键技术. 2.阈值分割地基本概念 图像阈值化分割是一种最常用,同时也是最简单地图像分割方法,它特别适用于目标和背景占据不同灰度级范围地图像[1].它不仅可以极大地压缩数据量,而且也大大简化了分析和处理步骤,因此在很多情况下,是进行图像分析、特征提取与模式识别之前地必要地图像预处理过程.图像阈值化地目地是要按照灰度级,对像素集合进行一个划分,得到地每个子集形成一个与现实景物相对应地区域,各个区域内部具有一致地属性,而相邻区域布局有这种一致属性.这样地划分可以通过从灰度级出发选取一个或多个阈值来实现. 阈值分割法是一种基于区域地图像分割技术,其基本原理是:通过设定不同地特征阈值,把图像像素点分为若干类.常用地特征包括:直接来自原始图像地灰度或彩色特征;由原始灰度或彩色值变换得到地特征.设原始图像为f(x,y>,按照一定地准则在f(x,y>中找到特征值T,将图像分割为两个部分,分割后地图像为 若取:b0=0<黑),b1=1<白),即为我们通常所说地图像二值化. <原始图像)<阈值分割后地二值化图像) 一般意义下,阈值运算可以看作是对图像中某点地灰度、该点地某种局部特性以及该点在图像中地位置地一种函数,这种阈值函数可记作 T(x,y,N(x,y>,f(x,y>> 式中,f(x,y>是点(x,y>地灰度值;N(x,y>是点(x,y>地局部邻域特性.根据对T地不同约束,可以得到3种不同类型地阈值[37],即 点相关地全局阈值T=T(f(x,y>> (只与点地灰度值有关> 区域相关地全局阈值T=T(N(x,y>,f(x,y>> (与点地灰度值和该点地局部邻域特征有关> 局部阈值或动态阈值T=T(x,y,N(x,y>,f(x,y>> (与点地位置、该点地灰度值和该点邻域特征有关> 图像阈值化这个看似简单地问题,在过去地四十年里受到国内外学者地广泛关注,产生了数以百计地阈值选取方法[2-9],但是遗憾地是,如同其他图像分割算法一样,没有一个现有方法对各种各样地图像都能得到令人满意地结果,甚至也没有一个理论指导我们选择特定方法处理特定图像. 所有这些阈值化方法,根据使用地是图像地局部信息还是整体信息,可以分为上下文无关(non-

MOSFET的短沟道效应,DOC

MOSFET 的短沟道效应3 第8章MOSFET 的短沟道效应 MOSFET 的沟道长度小于3um 时发生的短沟道效应 阈值电压到底能缩小到最小极限值。 对于长沟道器件而言,亚阈值电流由下式给出 也可以写成如下的形式 式中的d C 为单位面积耗尽区电容。 t kT V q = 是热电压,1/d ox C C ξ=+,在DS V 大于几个热电压时有

2 对上式两边取对数 上式也可以写成 从式(8.4)中可以看出,当0GS T V V -=时,即当栅-源 电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流: 为了使GS T V V <时,器件可以关断,我们可以令(8.4) 制造工艺引起的最小变化也在50mV 之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV 左右。因此,对增强型的MOS 器件其阈值电压一般都控制在0.50.9T V V V <<之间。 (B ) 短沟道效应使阈值电压减小 对理想MOSFET 器件,我们是利用电荷镜像原理导出阈

值电压的表达式。见下图。 () ()'''max 8.11mT ss SD Q Q Q +=式中忽略了沟道中的反型层电 荷密度' n Q ,()' max SD a dT Q eN x =为最大耗尽层单位面积电荷密 度。这个电荷密度都由栅的有效面积控制。并忽略了由于源/漏空间电荷区进入有效沟道区造成的对阈值 效应对阈值电压造成的影响。假设源/漏结的扩散横向与纵向相等,都为j x 。这种假设对扩散工艺形成的结 来说是合理的,但对例子注入形成的结则不那么准确。我们首先考虑源端、漏端和衬底都接地的情况。 在短沟道情况下,假定栅极梯形区域中的电荷有栅极

根据阈值的图像分割方法

课程结业论文 课题名称基于阈值的图像分割方法姓名湛宇峥 学号1412202-24 学院信息与电子工程学院专业电子信息工程 指导教师崔治副教授

2017年6月12日 湖南城市学院课程结业论文诚信声明 本人郑重声明:所呈交的课程结业论文,是本人在指导老师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果,成果不存在知识产权争议,除文中已经注明引用的内容外,本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担

目录 摘要 (1) 关键词 (1) ABSTRACT (2) KEY WORDS (2) 引言 (3) 1基于点的全局阈值选取方法 (4) 1.1最大类间交叉熵法 (5) 1.2迭代法 (6) 2基于区域的全局阈值选取方法 (7)

2.1简单统计法 (8) 2.3 直方图变化法 (9) 3局部阈值法和多阈值法 (10) 3.1水线阈值算法 (11) 3.2变化阈值法 (12) 4仿真实验 结论 (12) 参考文献 (13) 附录

基于阈值的图像分割方法 摘要:图像分割多年来一直受到人们的高度重视,至今这项技术也是趋于成熟,图像分割方法类别也是不胜枚举,近年来每年都有上百篇有关研究报道发表。图像分割是由图像处理进到图像分析的关键环节,是指把图像分成各具特性的区域并提取出有用的目标的技术和过程。在日常生活中,人们对图片的要求也是有所提高,在对图像的应用中,人们经常仅对图像中的某些部分感兴趣,这些部分就对应图像中的特定的区域,为了辨识和分析目标部分,就需要将这些有关部分分离提取出来,因此就要应用到图像分割技术。 关键词:图像分割;阈值;matlab

能够充分提高照片像素的方法!

能够充分提高照片像素的方法! 初玩摄影的朋友,是否为照片的像素不高而烦恼?下面分享能够提高照片素质12招,希望可以给大家带来帮助! 1. 尽量使用三脚架 很多情况下,照片图像模糊、不清晰的原因,是拍摄者在按动快门时产生“手振”或相机反光板抬升产生“机振”所造成的。如果使用了三脚架,无论快门速度设定到如何的“慢”,甚至长时间的曝光,即可防止图像由于“抖动”而产生的图像模糊。但要注意,使用三脚架时,要尽可能地使用快门线,忽视这一点,仍有可能在手指接触快门时产生的震动而影响清晰度。 2. 尽可能地使用高速快门 在手持照相机拍照的情况下,尽可能采用高速快门来拍摄。没有经验的拍摄者,快门速度设定在1/30s以下时,照片拍虚的概率较大。即使专业摄影工作者,也不能保证在低速快门拍摄时有百分之百的把握。提高快门速度,会相应提高照片清晰度的概率。当然,在手持照相机提高快门速度的情况下,势必开大光圈,因而会失去“大景深”,但为保证照片的清晰度,放弃景深是不得已的办法。 3. 尽可能使用“最佳光圈” 任何镜头都存在不同程度的成像误差,这些成像误差将使镜头的成像质量受到不同程度的影响。由于镜头球面的曲率不同,光线经过透镜中心和边缘时因折射率不同而不能聚焦于同一焦点,从而导致清晰度下降。如使用镜头的最大光圈拍摄,将导致该镜头像差缺陷的最大暴露,导致图像清晰度下降,而使用镜头的最小光圈拍摄,会产生光的衍射,也会导致图像清晰度下降。为改善像差而引起的清晰度下降问题,通常采用缩小光圈的办法来提高成像的质量。一般来说镜头的最佳光圈为该镜头最大光圈缩小2~3档左右,拍摄者可对某个镜头的最佳光圈进行比较。 4. 尽可能采用手动对焦 目前大多数相机具有自动对焦功能。然而,在景深特别小的情况下,自动对焦往往会聚焦不准确,特别是在向主体近距离对焦,使用长焦距镜头,采用大光圈拍摄人像特写的情况下,要特别小心。如果此时采用自动对焦,“靶子”非要对在人物的眼睛上,如果没有十分的把握,宁可放弃自动对焦,而采用手动对焦。人们不希望照片上人物的耳朵或鼻子是清晰的,而传神的眼睛是模糊的。 5. 尽量使用遮光罩 遮光罩的使用,很多人并不在意。在用正面光、前侧光或侧光时,遮光罩的作用并不明显。但是在逆光或侧逆光拍摄时,必须使用遮光罩,有时即便使用了遮光罩,阳光仍会直射到镜头上,造成画面“冲光”,产生雾翳,影响被摄体的色彩饱和度和清晰度。这时,应调整镜头角度,避开直射到镜头上的光线。此外,遮光罩还有助于防止镜头镜面损伤,同时避免手指接触到镜面。 6. 合理利用景深 景深的大小是根据拍摄者拍摄的目的来决定。如果是拍摄风光摄影,景深就要求大,目的是为让照片上景物的清晰范围从近至远都表现得很清楚。如果是拍摄特写,景深就要求小,目的是让照片上主体的背景(也可能是前景)虚化(模糊),突出被摄主体。用小景深来表现风光题材,或用大景深去表现被摄体特写,从摄影表现手法上来说适得其反。如何合理运用景深呢?请记住:采用小光圈、短焦距镜头、远距离对焦拍摄三种方法,景深就大。采用大光圈、长焦距镜头、近距离对焦拍摄三种方法,景深就小。采用其中一种或两种拍摄方法也行,但效果没有三种方法合起来使用作用更明显。 7. 尽可能选用低值感光度 要获得影像的高清晰度,让照片看起来具有丰富的质感,除选择使用高像素的数码照相

MOSFET的短沟道效应

MOSFET 的短沟道效应3 第8章 MOSFET 的短沟道效应 MOSFET 的沟道长度小于3um 时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的,这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是: (1) 由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场 增大; (2) 内建电势既不能按比例缩小又不能忽略; (3) 源漏结深不能也不容易按比例减小; (4) 衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低; (5) 亚阈值斜率不能按比例缩小。 (A ) 亚阈值特性 我们的目的是通过MOSFET 的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。 对于长沟道器件而言,亚阈值电流由下式给出 也可以写成如下的形式 式中的d C 为单位面积耗尽区电容。 t kT V q = 是热电压,1/d ox C C ξ=+,在DS V 大于几个热电压时有 对上式两边取对数 上式也可以写成 从式(8.4)中可以看出,当0GS T V V -=时,即当栅-源电压等于亚阈 值电压时有亚阈值电流: 为了使GS T V V <时,器件可以关断,我们可以令(8.4)中的0GS V =,

则有 如果规定关断时(当0GS V =)的电流比在(当GS T V V =)的电流小5个 数量级,式(8.7)和式(8.8)的两边相除则有 得到亚阈值电压的最小值为 如果1/10.76 1.76d ox C C ξ=+=+=则亚阈值电压的最小值是 5ln105 1.6726 2.3500T t V V mV mV ξ==???=。 如果还想将阈值电压降低到400mV 左右,那么就要减小1/d ox C C ξ=+的值,使1/ 1.34d ox C C ξ=+=。 考虑到温度对阈值电压的影响,按比例缩小阈值电压将更加困难。阈值电压的温度系数1/T dV mV K dT =-。。导致阈值电压在温度范围(0- 85℃)内的变化是85mV 。制造工艺引起的最小变化也在50mV 之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV 左右。因此,对增强型的MOS 器件其阈值电压一般都控制在0.50.9T V V V <<之间。 (B ) 短沟道效应使阈值电压减小 对理想MOSFET 器件,我们是利用电荷镜像原理导出阈值电压的表达式。见下图。 () ()'''max 8.11mT ss SD Q Q Q +=式中忽略了沟道中的反型层电荷密度'n Q , ()' max SD a dT Q eN x =为最大耗尽层单位面积电荷密度。 这个电荷密度都由栅的有效面积控制。并忽略了由于源/漏空间电荷区进入有效沟道区造成的对阈值电压值产生影响的因素。 图8.2a 显示了长沟道的N 沟MOSFET 的剖面图。在平带的情况下,且源-漏电压为零,源端和漏端的空间电荷区进入了沟道区,但只占沟道长度的很小一部分。此时的栅电压控制着沟道

光刻技术新进展

光刻技术新进展 刘泽文李志坚 一、引言 目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们称之为摩尔定律的规律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。集成电路之所以能飞速发展,光刻技术的支持起到了极为关键的作用。因为它直接决定了单个器件的物理尺寸。每个新一代集成电路的出现,总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证:其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时作出大量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;其二是图形线宽不断缩小,使用权集成度不断提高,生产成本持续下降;其三,由于线宽的缩小,器件的运行速度越来越快,使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术所面临的困难也越来越多。 二、当前光刻技术的主要研究领域及进展 1999年初,0.18微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于 1G位DRAM生产。根据当前的技术发展情况,光学光刻用于2003年前后的0.13微米将没有问题。而在2006年用到的0.1微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限,被称为0.1微米难关。如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破,攻克这一难关并为0.07,0.05微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。

在0.1微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术(NGL)主要有极紫外、X射线、电子束的离子束光刻。由于光学光刻的不断突破,它们一直处于"候选者"的地位,并形成竞争态势。这些技术能否在生产中取得应用,取决于它们的技术成熟程度、设备成本、生产效率等。下面我们就各种光刻技术进展情况作进一步介绍。 1.光学光刻 光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结 构图形"刻"在涂有光刻胶的硅片上,限制光刻所能获得的最小特征尺寸直接与光刻系统所能获得的分辨率直接相关,而减小光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因此,开发新型短波长光源光刻机一直是国际上的研究热点。目前,商品化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯光源紫外光波段进入到深紫外波段(DUV),如用于0.25微米技术的KrF准分子激光(波长为248纳米)和用于0.18微米技术的ArF准分子激光(波长为193纳米)。 除此之外,利用光的干涉特性,采用各种波前技术优化工艺参数也是提高光刻分辨率的重要手段。这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。运用这些技术,可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机,该机的光源为193纳米ArF,通过采用波前技术,可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。 光刻技术包括光刻机、掩模、光刻胶等一系列技术,涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究领域。目前科学家正在探索更短波长的F2激光(波长为157纳米)光刻技术。由于大量的光吸收,获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困 难。

阈值的自动选取

图像分割中阈值的自动选取的研究及其算法实现 图像分割是图像处理这门学科中的基础难题,基于阈值的分割则又是图像分割的最基本的难题之一,其难点在于阈值的选取。事实证明,阈值的选择的恰当与否对分割的效果起着决定性的作用。由于阈值选取对图像分割的基础性,本文主要在【1】、【2】、【3】、【4】等的基础上,对一些当前流行的阈值选取算法做了探讨、实现和比较。多阈值分割虽然能进一步提高图像分割的质量,但由于它只是分割技巧的处理问题,而与单阈值分割并无本质的区别。因此本文并不对多阈值分割进行讨论,而只考虑单阈值分割的情形。 1.双峰法 双峰法的原理及其简单:它认为图像由前景和背景组成,在灰度直方图上,前后二景都形成高峰,在双峰之间的最低谷处就是图像的阈值所在。根据这一原理,我们给出了它的实现,部分代码如下(Pascal语言描述,以下同)://intPeak、intPeak2、intValley:峰值和直方图值 //intIndx::相应的灰度值 intPeak,intIndx,intPeak2,intIndx2,intValley,intValleyIndx:integer ; //初始双峰值 intPeak:=0; intPeak2:=0; //取得第一峰值 for intLoop:=0 to 255 do if intPeak<=intGrayLevel[intLoop] then begin intPeak:=intGrayLevel[intLoop]; intIndx:=intLoop; end; //取得第二峰值

for intLoop:=0 to 255 do Begin if (intPeak2<=intGrayLevel[intLoop]) and (intLoop<>intIndx) then begin intPeak2:=intGrayLevel[intLoop]; intIndx2:=intLoop; end end; //取得双峰之间的谷值 intValley:=intSize; if intIndx2intGrayLevel[intLoop] then begin intValley:=intGrayLevel[intLoop]; intValleyIndx:=intLoop; end; 从分割的效果来看,当前后景的对比较为强烈时,分割效果较好;否则基本无效。 2.迭代法 迭代法是基于逼近的思想,其步骤如下: 1.求出图象的最大灰度值和最小灰度值,分别记为ZMAX和ZMIN,令初始阈值T0=(ZMAX+ZMIN)/2; 2.根据阈值TK将图象分割为前景和背景,分别求出两者的平均灰度值ZO 和ZB; 3.求出新阈值TK+1=(ZO+ZB)/2; 4.若TK=TK+1,则所得即为阈值;否则转2,迭代计算。

光刻技术

1.涂胶涂胶就是在SIO2或其他薄膜表面,涂布一层粘附良好,厚度适当,厚薄均匀的光刻胶膜。涂胶前的硅片表面必须清洁干燥,如果硅片搁置较久或光刻返工,则应重新进行清洗并烘干后再涂胶。生产中,最好在氧化或蒸发后立即涂胶,此时硅片表面清洁干燥,光刻胶的粘附性较好。 涂胶一般采用旋转法,其原理是利用转动时产生的离心力,将滴在硅片的多余胶液甩去,在光刻胶表面张力和旋转离心力共同作用下,扩展成厚度均匀的胶膜。胶膜厚度可通过转速和胶的浓度来调节。 涂胶的厚度要适当,膜厚均匀,粘附良好。胶膜太薄,则针孔多,抗蚀能力差;胶膜太厚,则分辨率低。在一般情况下,可分辨线宽约为膜厚的5~8倍。 2.前烘前烘就是在一定的温度下,使胶膜里的溶剂缓慢地挥发出来,使胶膜干燥,并增加其粘附性和耐磨性。 前烘的温度和时间随胶的种类及膜厚的不同而有所差别,一般通过实验来加以确定。 前烘的温度和时间必须适当。温度过高会引起抗蚀剂的热交联,在显影时留下底膜,或者增感剂升华挥发使感光灵敏度下降;前烘温度过低或时间过短,则抗蚀剂中的有机溶剂不能充分挥发,残留的溶剂分子会妨碍光交链反应,从而造成针孔密度增加,浮胶或图形变形等。同时,前烘时还不能骤热,以免引起表面鼓泡,产生针孔甚至浮胶。一般前烘是在80℃恒温干燥箱中烘烤1015分钟;也可以用红外灯在硅片背面烘烤,使胶膜的干燥从里到外,以获得良好的前烘效果。 3.暴光暴光就是对涂有光刻胶的基片进行选择性光化学反应,使暴光部分的光刻胶改变在显影液中的溶解性,经显影后在光刻胶膜上得到和掩膜版相对应的图形。 生产上,通常都采用紫外光接触暴光法,其基本步骤是定位对准和暴光。定位对准是使掩膜版的图形和硅片上的图形精确套合,因此要求光刻机有良好的对准装置,即具有精密的微调和压紧机构,特别是在压紧时保证精确套合不发生位移。此外,光刻机还应具有合适的光学观察系统,要求有一个景深较大,同时又有足够高分辨率的显微镜。 暴光量的选择决定于光刻胶的吸收光谱,配比,膜厚和光源的光谱分布。最佳暴光量的确定,还要考虑衬底的光反射特性。在实际生产中,往往以暴光时间来控制暴光量,并通过实验来确定最佳暴光时间。 暴光时影响分辨率的因素有: ①掩膜版于光刻胶膜的接触情况若硅片弯曲,硅片表面有灰尘或突起,胶膜厚度不均匀,光刻机压紧机构不良等都会影响掩膜版与光刻胶膜的接触情况,从而使分辨率降低。 ②暴光光线的平行度暴光光线应与掩膜版和胶膜表面垂直,否则将使光刻图形发生畸变。

安全阈值法

安全阈值法(themarginofsafety,MOS10):既然传统商值法表征的风险是一个确定的值,而不是一个具有概率意义的统计值,因此用该方法表征的风险值不足以说明某种毒物的存在对生物群落或整个生态系统水平的危害程度及其风险大小。因此,需要选择代表食物链关系的不同物种来表示群落水平的生物效应,从而对污染物的生态安全进行评价。为保护生态系统内生物免受污染物的不利影响,通常利用外推法来预测污染物对于生物群落的安全阈值。通过比较污染物暴露浓度和生物群落的安全阈值,即可表征污染物的生态风险大小 安全阈值是物种敏感度或毒性数据累积分布曲线上10%处的浓度与环境暴露浓度累积分布曲线上90%处浓度之间的比值,其表征量化暴露分布和毒性分布的重叠程度[50]。比值小于1揭示对水生生物群落有潜在风险,大于1表明两分布无重叠、无风险,通过比较暴露分布曲线和物种敏感度分布曲线可以直观地估计某一化合物影响某一特定百分数水生生物的概率。 概率曲线分布法(probabilitydistributioncurve):概率曲线分布法是通过分析暴露浓度与毒性数据的概率分布曲线,考察污染物对生物的毒害程度,从而确定污染物对于生态系统的风险[31,49]。以毒性数据的累积函数和污染物暴露浓度的反累积函数作图,可以确定污染物的联合概率分布曲线。该曲线反映了各损害水平下暴露浓度超过相应临界浓度值的概率,体现了暴露状况和暴露风险之间的关系。概率曲线法是从物种子集得到的危害浓度来预测对生

态系统的风险。一般用作最大环境许可浓度的值是HC5或EC20。这种将风险评价的结论以连续分布曲线的形式得出,不仅使风险管理者可以根据受影响的物种比例来确实保护水平,而且也充分考虑了环境暴露浓度和毒性值的不确定性和可变性[16,47]。 3.3 多层次的风险评价法 随着生态风险评价的发展,逐渐形成了一种多层次的评价方法,即连续应用低层次的筛选到高层次的风险评价。它是把商值法和概率风险评价法进行综合,充分利用各种方法和手段进行从简单到复杂的风险评价[51]。多层次评价过程的特征是以一个保守的假设开始,逐步过渡到更接近现实的估计。低层次的筛选水平评价可以快速地为以后的工作排出优先次序,其评价结果通常比较保守,预测的浓度往往高于实际环境中的浓度水平。如果筛选水平的评价结果显示有不可接受的高风险,那么就进入更高层次的评价。更高层次的评价需要更多的数据与资料信息,使用更复杂的评价方法或手段,目的是力图接近实际的环境条件,从而进一步确认筛选评价过程所预测的风险是否仍然存在,及风险大小。它一般包括初步筛选风险、进一步确认风险、精确估计风险及其不确定性、进一步对风险进行有效性研究4个层次[51]。目前已有学者对这方面进行尝试性研究,如2005年Weeks提出有关土壤污染物的生态风险“层叠式”评价框架[52],并为大多数环境学家所认同和接受。2007年Critto等基于层叠式生态风险评价框架,发展了环境污染生态风险评价决策支持专家系统(DSS2ERAMNIA)

课程设计参考报告——提高光学光刻分辨率的方法研究

微电子工艺课程设计 提供光学光刻分辨率的方法研究

目录 摘要 (5) 关键词 (5) 引言 (5) 正文 (5) 一、提高分辨率的方法 (5) 1. 影响图形光刻分辨率的主要因素 (5) 1.1掩膜(Mask) (6) 1.2照明系统(Illumination system) (6) 1.3投影(Projection) (7) 1.4发射和过滤特性 (7) 1.5成像(Image) (8) 1.6曝光(Expose) (9) 1.7烘烤(Bake) (10) 1.8显影(Develop) (10) 1.9一些效应的影响 (12) 2. 提高分辨率的措施 (14) 2.1掩膜 (14) 2.2照明系统 (15) 2.3投影(Projection) (16) 2.4发射和过滤特性 (17) 2.5成像(Image) (18) 2.6曝光(Expose) (18) 2.7烘烤(Bake) (19) 2.8显影(Develop) (20) 2.9一些常见且有效的技术 (22) 2.10采用先进的光刻技术 (28) 二、一个优化的工艺组合方案的各参数的确定 (31) 1 掩膜版和照明窗口的设计 (31) 仿真1 (33) 仿真2 (35) 仿真3 (36) 仿真4 (37) 仿真5 (39) 仿真6 (40) 结论 (41)

2 数值孔径 (42) 3光照波长 (42) 仿真1: (42) 仿真2: (43) 仿真3: (44) 仿真4: (45) 结论 (46) 4 照明系统与光轴的角度和离轴照明技术的结合使用 (46) 仿真1: (47) 仿真2: (47) 仿真3: (48) 仿真4: (49) 仿真5: (49) 结论: (50) 5 光刻胶的厚度、光照强度和曝光剂量 (50) 仿真1 (50) 仿真2 (51) 仿真3 (52) 仿真4 (52) 仿真5 (53) 仿真6 (54) 仿真7 (54) 仿真8 (55) 仿真9 (56) 仿真10 (56) 结论 (57) 6 耀斑数 (57) 仿真1 (58) 仿真2 (58) 仿真3 (59) 结论 (60) 7 损伤因子 (60) 仿真1 (60) 仿真2 (61) 仿真3 (63) 结论 (64) 8反射的次数和POWER MIN (64) 仿真1 (64)

光刻机分辨率

第一章引言 1.1光刻背景: 受功能增加和成本降低的要求所推动,包括微处理器、NAND闪存与DRAM等高密度存储器以及SoC(片上系统)和ASSP(特殊应用标准产品)在内的集成电路不断以快速的步伐微缩化。光刻则使具有成本优势的器件尺寸微缩成为可能。 目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可含约10亿个器件,其增长过程遵从一个我们所熟知的摩尔定律,即集成度每3年提高4倍。这一增长速度不仅导致了半导体市场在过去30年中以平均每年约15%的速度增长,而且对现代经济、国防和社会也产生了巨大的影响。集成电路之所以能飞速发展,光刻技术的支持起到了极为关键的作用。因为它直接决定了单个器件的物理尺寸。每个新一代集成电路的出现总是以光刻所获得的线宽为主要技术标志。光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证:其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时作出大量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;其二是图形线宽不断缩小,使用权集成度不断提高,生产成本持续下降;其三,由于线宽的缩小,器件的运行速度越来越快,使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术所面临的困难也越来越多。 图1-1 1.2集成电路微缩化趋势及其对光刻的要求 由于器件单元不同,存储器与逻辑IC芯片的关键曝光层(critical layer)有着迥然不同的特征和光刻容差,这便对给定的光刻系统提出了不同的性能要求和实用限制。图1给出了几种不同器件的图形特征和对光刻的启示。 图1-2 第二章.当前光刻技术的主要研究领域及进展 1999 年初,0.18 微米工艺的深紫外线(DUV)光刻机已相继投放市场,用于 1G 位 DRAM 生产。根据当前的技术发展情况,光学光刻用于 2003 年前后的 0.13 微米将没有问题。而 在 2006 年用到的 0.1 微米特征线宽则有可能是光学光刻的一个技术极限,被称为 0.1 微米难关。如何在光源、材料、物理方法等方面取得突破,攻克这一难关并为 0.07,0.05 微米工艺开辟道路是光刻技术和相应基础研究领域的共同课题。 在 0.1 微米之后用于替代光学光刻的所谓下一代光刻技术(NGL)主要有极紫外、X

3 MOS电容、亚阈值

3 MOS 电容、亚阈值 陈启武,2014200557 一、亚阈值条件下I D 与V GS 的关系? 答:在MOS 的I-V 特性中,当V GS 略小于V T 时, MOS 管已开始导通,仍会产生一个弱反型层,从而会产生由漏流向源的电流,称为亚阈值导通,而且I D 与V GS 呈指数关系,关系表达式为: 其中,ξ>1是一非理想的因子;I D0为特征电流: ;m 为工艺因子,因此I D0与工艺有关;而V T 称为热电压: 。 下图反映了NMOS 与PMOS 器件的栅源电压V GS 从0 V 到1.0 V 的扫描变化对漏极电流I D 的关系特性曲线: 从图中我们可以看出,当00.66V 时, MOS 管处于线性区,之后进入强反型区。 亚阈值区电流的流动机制是由少数载流子的扩散引起的,这种扩散发生在栅极电压比V T 小几个热电压的时候。在亚阈值区,MOS 管像是个BJT ,衬底为基极,漏源分别是发射极和集电极。因此,电流模型可以通过利用一个基于双极模型的公式推导来实现,电流公式为: exp 0T GS D D V V I I ξ=m C I ox D μ210=q kT V T =) 1()(kT qV nkT V V V q s sub DS offset T GS e e I I ----=

由上式可知:在亚阈值区中,希望降低V GS时电流也会显著降低。 二、短沟器件I-V其它模型? 答:短沟器件除了基于速度饱和的I –V模型外,还有一种基于α功率定律的I –V模型。α功率定律是一种对线性区和饱和区都适用的简单模型,并且该模型在两个区域的边界上失谐。当MOS管处于饱和区时,该模型是根据经验将真实的数据代入以下形式的饱和电流I DS的公式中: (2-1) 在这个公式中,可以根据测量的标准数据设置K S和α的值。显然,α应该设置成比较接近于1(而不是2)的值。一般,α的值大约是1.25,但随着工艺的等比例减小,α将继续向1逼近。 对于线性区,这种模型的一个实例设置为: (2-2) 通过使以上两式相等,可以得到饱和电压V Dsat: (2-3) 基于α功率定律的I – V曲线如下图所示:

光刻工复习题

理论部分 填空题 1、光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为正光刻胶和负光刻胶 2、在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转 涂胶。有四个步骤:分滴,旋转分开,旋转甩掉,溶剂挥发。 3、曝光的方式有接触式、接近式曝光和投影式曝光。 4、光刻中有使用不同紫外光波长,波长在436纳米和157纳米之间的每种波长都有各自的波名称。其中波长为436nm的波名称是g光线,波长为405nm的波名称是h光线,波长为365nm的波名称是i光线,波长为248nm的波名称是深紫外(DUV) ,波长为157nm的波名称是真空紫外(VUV) 1、曝光的方式有接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光 2.光刻工艺一般都要经过涂胶,前烘、曝光、显影,坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。对于负性光刻胶,曝光部分 不会溶解,在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相反对于正性光刻胶,曝光部分容易溶解,在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形相同。 4.刻蚀的方法主要有湿法刻蚀、干法刻蚀和和等离子体。 5、光刻工艺一般都要经过涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 一、判断题 1.最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。(F ) 2.步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。(F ) 3.光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。(T ) 4.曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。(T ) 5.对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。(T )6.芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。(T ) 7.光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

基于分形维数的阈值选取方法

收稿日期:2005-05-31 作者简介:李庆峰(1980-),男,山东烟台人,硕士研究生,主要研究方向:图像处理、模式识别、机器视觉; 付忠良(1967-),男,重庆合川人,研究员,博士生导师,主要研究方向:高速图像处理、模式识别、工业机器视觉; 粟伟(1980-),男,四川成都人,硕士研究生,主要研究方向:信息安全、RF I D 安全与隐私保护. 文章编号:1001-9081(2005)11-2598-02 基于分形维数的阈值选取方法 李庆峰,付忠良,粟 伟 (中国科学院成都计算机应用研究所,四川成都610041) (lqf mailbox@https://www.360docs.net/doc/1d8405875.html, ) 摘 要:普通的阈值选取方法只注重图像的灰度信息,而很少考虑图像的空间信息。分形维数能很好地反映一幅图像的空间信息,在图像的处理与分析中得到了很好的应用。提出了一种基于分形维数的图像阈值选取方法,实验证明对于灰度图像的阈值选取具有很好的实用效果。 关键词:分形;阈值;分维数;盒维数中图分类号:TP391.41 文献标识码:A I mage threshold selecti on ba sed on fract a l d i m en si on L IQ ing 2feng,F U Zhong 2liang,S U W ei (Institute of Co m puter A pplications ,Chinese A cade m y of Sciences ,Chengdu S ichuan 610041,China ) Abstract:The common methods of threshold selecti on only use the gray inf or mati on of i m ages,notmaking good use of the s pace inf or mati on .Fractal di m ensi on is a good index of s pace inf or mati on of i m ages,widely used in digital i m age p r ocessing and analysis .A method of threshold selecti on based on fractal di m ensi on was p r oposed .Experi m ents show that it is effective t o the threshold selecti on . Key words:fractal;threshold;fractal di m ensi on;box 2counting di m ensi on 分形理论在数字图像处理中的应用,如基于分形理论的图像压缩方法与应用取得了不少成果[1~2] 。阈值选取方 法 [3~5] 可以分为基于点的全局阈值方法,基于区域的全局阈 值方法、局部阈值方法和多阈值方法,如p 2分位数法、类间方差阈值分割法、二维最大熵分割法、模糊阈值分割法、共生矩阵分割法、区域生长法等。这些方法大部分是以图像的灰度 统计信息为研究对象来进行阈值的选取。本文提出了一种利用分形维数求阈值的新方法,它利用目标对象的分维特征作为阈值选取的依据,而不只是从灰度统计信息出发考虑,因而具有很好的实用效果。 1 分形理论及图像盒维数的计算 大自然中的很多形状很不规则,甚至是支离破碎的,如天空中的云彩、地面上的海岸线、树皮等。为了研究这些大自然的几何学,就诞生了一门新的数学分支———分形几何学。 分形目前还没有明确的定义,一般称具有以下典型性质的集合F 为分形: 1)F 具有精细的结构,即具有任意小的比例细节;2)F 是如此的不规则以致于它的整体和局部都不能用 传统的几何语言来描述; 3)F 通常有某种自相似的形式,可能是近似的或是统计的; 4)一般地,F 的“分形维数” (以某种方式定义)大于它的拓扑维数; 5)在大多数令人感兴趣的情况下,F 以非常简单的方法 定义,可能由迭代产生。 曼德勃罗指出分形具有三个要素:形状、随机和维数。其中的维数是分维数,它不同于规则图形的整数维数。分维是 通过变换尺度得到的非规则图形的维数,它可以是分数。分维是几何图形的一个重要特征量,反映了图形的形状特征。 分形维数的定义很多,其中以豪斯道夫维数最为古老也最为重要。豪斯道夫维数具有对任何集合都可以定义的优点,由于它建立在相对容易处理的测度概念的基础上,因此,要理解分形的数学原理,豪斯道夫维数便是必要的,它也具有很强的应用普适性和方便性。但是,它在很多情况下用计算的方法很难计算或估计它的值。为了便于实际应用又提出了一种适合于数学计算及经验估计的计盒维数(也称盒维数)。 盒维数的定义: 设集F

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