常见变容二极管参数(精)

常见变容二极管参数(精)
常见变容二极管参数(精)

晶体二极管的主要参数

晶体二极管的主要参数: 1 电阻 ⑴直流电阻 在晶体二极管上加上一定的直流电压V,就有一对那个的直流电流I,直流电压V与直流电流I的比值,就是晶体二极管的等效直流电流。 ⑵动态电流 在晶体二极管上加一定的直流电压V的基础上,再加上一个增量电压,则晶体二极管也有一个增量电流△I。增量电压△V与增量电流△I的比值,就是晶体二极管的动态电阻,即动态电阻为晶体二极管两端电压变化与电流变化的比值。 二极管的正向直流电阻和动态电阻都是随工作点的不同而发生变化的。 普通晶体二极管反响运动时,其直流电阻和动态电阻都很大,通常可以尽是为无穷大。 2 额定电流 晶体二极管的额定电流是指晶体二极管长时间连续工作时,允许通过的最大正向平均电流。在二极管连续工作时,为使PN结的温度不超过某一极限值,整流电流不应超过标准规定的允许值。 例如:2AP1 的额定电流为12mA; 2AP5为16mA;2AP9为5mA。 对于大功率晶体二极管,为了降低它的温度,增大电流,必须加装散热片。 3 反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管在工作中能承受的最大反向电压,它也是使二极管不致反响击穿的电压极限值。在一般情况下,最大反向工作电压应小于反向击穿电压。选用晶体二极管时,还要以最大反向工作电压为准,并留有适当余地,以保证二极管不致损坏。 例如:2AP21型二极管的反向击穿电压为15V最大反向工作电压小于10V;2AP26的反向

击穿电压为150V,最大反向工作电流小于100V。 4 最高工作频率 最高工作频率是指晶体二极管能正常工作的最高频率。选用二极管时,必须使它的工作频率低于最高工作频率。 例如:2AP8BD 最高工作频率为150MHz;2CZ12的最高工作频率为3kHz;2AP16的最高工作频率为40MHz。 晶体二极管的分类: 按用途分: 检波二极管

常用二极管参数

常用整流二极管 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明1A5 600V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 1A6 800V/1.0A 25A/1.1V/5uA[T25] D2.6X3.2d0.65 6A8 800V/6.0A 400A/1.1V/10uA[T60] D9.1X9.1d1.3 1N4002 100V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4004 400V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4006 800V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N4007 1000V/1.0A 30A/1.1V/5uA[T75] D2.7X5.2d0.9 1N5398 800V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5399 1000V/1.5A 50A/1.4V/5uA[T70] D3.6X7.6d0.9 1N5402 200V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5406 600V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5407 800V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 1N5408 1000V/3.0A 200A/1.1V/5uA[T105] D5.6X9.5d1.3 RL153 200V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL155 600V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL156 800V/1.5A 60A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL203 200V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL205 600V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL206 800V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RL207 1000V/2.0A 70A/1.1V/5uA[T75] D3.6X7.6d0.9 RM11C 1000V/1.2A 100A/0.92V/10uA D4.0X7.2d0.78 MR750 50V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR751 100V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR752 200V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR754 400V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR756 600V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 MR760 1000V/6.0A 400A/1.25V/25uA D8.7x6.3d1.35 常用整流二极管(全桥) 型号VRM/Io IFSM/ VF /Ir 封装用途说明RBV-406 600V/*4A 80A/1.10V/10uA 25X15X3.6 RBV-606 600V/*6A 150A/1.05V/10uA 30X20X3.6 RBV-1306 600V/*13A 80A/1.20V/10uA 30X20X3.6 RBV-1506 600V/*15A 200A/1.05V/50uA 30X20X3.6 RBV-2506 600V/*25A 350A/1.05V/50uA 30X20X3.6 常用肖特基整流二极管SBD 型号VRM/Io IFSM/ VF Trr1/Trr2 封装用途说明EK06 60V/0.7A 10A/0.62V 100nS D2.7X5.0d0.6 SK/高速 EK14 40V/1.5A 40A/0.55V 200nS D4.0X7.2d0.78 SK/低速 D3S6M 60V/3.0A 80A/0.58V 130p SB340 40V/3.0A 80A/0.74V 180p SB360 60V/3.0A 80A/0.74V 180p SR260 60V/2.0A 50A/0.70V 170p MBR1645 45V/16A 150A/0.65V <10nS TO220 超高速

常用变容二极管

常用变容二极管 变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。 1、 变容二极管工作原理 变容二极管的等效电路如图1(a )所示。 图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路 其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance ); 's L ——外部引线电感; s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。 通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为 (1) j j D C C v V γ = - (1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建 电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。 变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V =??。

二极管封装大全

二极管封装大全 篇一:贴片二极管型号、参数 贴片二极管型号.参数查询 1、肖特基二极管SMA(DO214AC) 2010-2-2 16:39:35 标准封装: SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206 篇二:常见贴片二极管三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 常见贴片二极管/三极管的封装 二极管: 名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称 SMC SMB SMA SOD-106 SC-77A SC-76/SC-90A SC-79 三极管: LDPAK

DPAK SC-63 SOT-223 SC-73 TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAK SOT-723 SOT-923 VMT3 篇三:常用二极管的识别及ic封装技术 常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长

(整理)常用变容二极管

常用变容二极管变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(Voltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。 1、 变容二极管工作原理 变容二极管的等效电路如图1(a )所示。 图1 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路 其中,R p ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance ); 's L ——外部引线电感; s L ——内部引线电感; c C ——封装电容; s R ——二极管体电阻; j C ——结电容。 通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图1(b )所示。一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为 (1) j j D C C v V γ = - (1) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;V D 为变容管PN 结内建 电位差(硅管V D =0.7V ,锗管V D =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。 变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为/c k C V =??。

常见二极管参数大全

1N系列稳压管

快恢复整流二极管

常用整流二极管型号和参数 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管 100V,3A, 1N5402硅整流二极管 200V,3A, 1N5403硅整流二极管 300V,3A, 1N5404硅整流二极管 400V,3A,

变容二极管模型

Varactor SPICE Models for RF VCO Applications APN1004 Varactor Equivalent Circuit Model Definitions A simplified equivalent circuit of varactor is shown in Figure 1. This varactor model is useful for RF VCO applications although it neglects some parasitic components often needed for higher frequency microwave applications, such as the distributed line package model and some capacitance due to ground proximity.For most RF VCO applications, to about 2.5 GHz, these parasitic components would not be important unless higher harmonics generated by the varactor affects performance of the VCO.In this case, a more detailed equivalent circuit model is needed.The technique used should be based on the varactor model extraction procedure from S-parameter data. A SPICE model, defined for the Libra IV environment, is shown in Figure 2, with the description of the parameters employed.It neglects the package capacitance, C P , its typical 0.10 pF value is absorbed within the junction capacitance C V . Application Note Parallel Capacitance Figure 1.Simplified Equivalent Circuit of Varactor Figure 2.Libra IV SPICE Model

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

二极管的分类与特性参数(精)

二极管的分类与参数 一、半导体二极管 1.1二极管的结构 半导体二极管简称二极管,由一个PN 结加上相应的电极引线和管壳构成,其基本结构和符号如图1所示。 图1 二极管的结构及符号 1.2 二极管的分类 1、根据所用的半导体材料不同,可分为锗二极管和硅二极管。 2、按照管芯结构不同,可分为: (1)点接触型二极管 由于它的触丝与半导体接触面很小,只允许通过较小的电流(几十毫安以下),但在高频下工作性能很好,适用于收音机中对高频信号的检波和微弱交流电的整流,如国产的锗二极管2AP 系列、2AK 系列等。 (2)面接触型二极管 面接触型二极管PN 结面积较大,并做成平面状,它可以通过较大了电流,适用于对电网的交流电进行整流。如国产的2CP 系列、2CZ 系列的二极管都是面接触型的。 (3)平面型二极管 它的特点是在PN 结表面被覆一层二氧化硅薄膜,避免PN 结表面被水分子、气体分子以及其他离子等沾污。这种二极管的特性比较稳定可靠,多用于开关、脉冲及超高频电路中。国产2CK 系列二极管就属于这种类型。 3、根据管子用途不同,可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管及发光二极管等。 1.3 二极管的特性 引线 外壳线 触丝线 基片 二极管的电路符号: P N 阳极 阴极 点接触型

1、正向特性 二极管正向连接时的电路如图所示。二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就处于导通状态(灯泡亮),如同一只接通的开关。实际上,二极管导通后有一定的管压降(硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V)。我们认为它是恒定的,且不随电流的变化而变化。 但是,当加在二极管两端的正向电压很小的时候,正向电流微弱,二极管呈现很大的电阻,这个区域成为二极管正向特性的“死区”,只有当正向电压达到一定数值(这个数值称为“门槛电压”,锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后,二极管才真正导通。此时,正向电流将随着正向电压的增加而急速增大,如不采取限流措施,过大的电流会使PN结发热,超过最高允许温度(锗管为90℃~100℃,硅管为125℃~200℃)时,二极管就会被烧坏。 2、反向特性 二极管反向连接时的电路如图所示。二极管的负极接在电路的高电位端,正极接在电路的低电位端,二极管就处于截止状态,如同一只断开的开关,电流被PN结所截断,灯泡不亮。 但是,二极管承受反向电压,处于截止状态时,仍然会有微弱的反向电流(通常称为反向漏电流)。反向电流虽然很小(锗二极管不超过几微安,硅二极管不超过几十纳安),却和温度有极为密切的关系,温度每升高10℃,反向电流约增大一倍,称为“加倍规则”。反向电流是衡量二极管质量好坏的重要参数之一,反向电流太大,二极管的单向导电性能和温度稳定性就很差,选择和使用二极管时必须特别注意。 图1-2-7 二极管的正向连接图1-2-8二极管的反向连接当加在二极管两端的反向电压增加到某一数值时,反向电流会急剧增大,这种状态称为二极管的击穿。对普通二极管来说,击穿就意味着二极管丧失了单向导电特性而损坏了。 3、伏安特性 1.在正向电压作用下,当正向电压较小时,电流极小。而当超过某一值时(锗管约为0.1V,硅管约为0.5V),电流很快增大。人们习惯地将锗二极管正向电压小于0.1,硅二极管正向电压小于0.5V的区域称为死区。而将0.1V称为锗

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号 二极管(国标) 2.半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下,二极管有色点的一端为正极,如2AP1~2AP7,2AP11~2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管,可直接看出极性,即内部连触丝的一头是正极,连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极,如IN4000系列。 无标记的二极管,则可用万用表电阻挡来判别正、负极,万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡,因为R×1挡使用的电流太大,容易烧坏管子,而R×10k挡使用的电压太高,可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300~500?,硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧,硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。

常用二极管型号_大全

常用整流二极管型号大全lzg 极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片 二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41 IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 普通整流二极管参数(二) 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 RL201 50 2 70 5 1 DO--15 RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41

常见变容二极管参数18种

常见变容二极管参数18种 慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05 型号 电容量(工作电压) 电容比率工作频率最小值最大值 303B3~5p(25V)18p(3V)>61000MHz 2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz 2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4~650MHz 2CB143p(25V)18~30p(3V)5~750MHz 2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHz ISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHz AM-10930p(9V)460p(1V)15AM BB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AM ISV-14930p(8V)540p(1V)18AM S-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHz MV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHF KV-123630p(8V)540p(1V)20AM KV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHz IS14930p(8V)540p(1V)18AM S208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHz MV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHF DB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHz BB11210p(25V)180p(3V)>16AM 信息来源:常见铝电解电容器的套管颜色与含义 慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05 一般情况下,铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。塑料套管的颜色有多种,例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色,其目的并非仅仅为

常用二极管型号及参数大全

1?塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V.1 DO-201AD 16 BY550-200 ?1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1 .1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1 .1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1 .1 PX 20 ERA15-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02 ?13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02 ?13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02 ?13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02 ?13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200- 1000V r 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2?快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V 卩s (1 )快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

变容二极管调频电路

变容二极管调频电路 实现调频的方法很多,大致可分为两类,一类是直接调频,另一类是间接调频。直接调频是用调制信号电压直接去控制自激振荡器的振荡频率(实质上是改变振荡器的定频元件),变容二极管调频便属于此类。间接调频则是利用频率和相位之间的关系,将调制信号进行适当处理(如积分)后,再对高频振荡进行调相,以达到调频的目的。两种调频法各有优缺点。间接调频器间接调频的优点是载波频率比较稳定,但电路较复杂,频移小,且寄生调幅较大,通常需多次倍频使频移增加。对调频器的基本要求是调频频移大,调频特性好,寄生调幅小。调频器广泛用于调频广播、电视伴音、微波通信、锁相电路和扫频仪等电子设备 直接调频的稳定性较差,但得到的频偏大,线路简单,故应用较广;间接调频稳定性较高,但不易获得较大的频偏。常用的变容二极管直接调频电路如图Z0916(a)所示。 图中D为变容二极管,C2、L1、和C3组成低通滤滤器,以保证调制信号顺利加到调频级上,同时也防止调制信号影响高频振荡回路,或高频信号反串入调制信号电路中。调制级本身由两组电源供电。

对高频振荡信号来说,L1可看作开路,电源EB的交流电位为零,R1与C3并联;如果将隔直电容C4近似看作短路,R2看作开路,则可得到 图(b)所示的高频等效电路。不难看出,它是一个电感三点式振荡电路。变容二极管D的结电容Cj,充当了振荡回路中的电抗元件之一。所以振荡频率取决于电感L2和变容二极 变容二极管的正极直流接地(L2对直流可视为短路),负极通过R1接+EB,使变容二极管获得一固定的反偏压,这一反偏压的大小与稳定,对调频信号的线性和中心频率的稳定性及精度,起着决定性作用。

FHV804(SOT-23)变容二极管风华规格书

?????!Varactor Diode Varactor Diode ????? FHV804 1DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-23 Low Series Resistance r s =0.3Ω低串聯電阻 FM Radio Band Tuning Application Especially for Car Audio 汽車音響FM 無線波段應用 PIN ASSIGNMENT 引腳說明 PIN NUMBER 引腳序號PIN NAME 管腳符號 SOT-23 FUNCTION 功能 A 1 Anode A 2 Anode C 3 Cathode MAXIMUM RATINGS(T a =25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號Rating 額定值 Unit 單位 Reverse Voltage 反向電壓 V R 15 Vdc Junction Temperature 結溫 T j 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 T stg -55~150 ℃ DEVICE MARKING 打標 FHV804A=K3A(42~43.5pF), FHV804B=K3B(43~44.5pF), FHV804C=K3C(44~45.5pF) FHV804D=K3D(45~46.5pF), FHV804E=K3E(46~47.5pF) ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (T A =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度為25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min 最小值Type 典型值 Max 最大值Unit 單位Reverse Voltage 反向電壓 V R I R =10μA 15 — — V Reverse Current 反向電流 I R V R =15V — — 50 nA C 2V V R =2V,f=1MHz 42 — 47.5 Capacitance 電容 C 8V V R =8V,f=1MHz 24 — 28.8 pF Capacitance Ratio 電容比 C 2V ∕C 8V 1.65 — 1.8 Series Resistance 串聯電阻 r s C=38pF,f=100MHz — 0.3 0.4 Ω 风华直接授权代理/片式无源器件整合供应商 【南京南山】https://www.360docs.net/doc/1f11061673.html,

变容二极管

变容二极管(Varactors ),又称为电压调谐电容(V oltage variable Capactors ,VVC )或调谐二极管(Tuning Diodes ),当在二极管两端加上反向偏压时,会产生电容效应,通常变容二极管的电容量,随反向偏压增大而减小。变容二极管优点主要表现在:(1)体型小巧易于安装;(2)易于实现自动电子调谐(Auto Electronic Tuning ),方便遥控的电子调谐器的设计。如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路,基本上都由变容二极管完成。 1、 变容二极管工作原理 变容二极管的等效电路如图4-7(a )所示。 图4-7 (a )变容二极管的等效电路 (b )变容二极管的简化等效电路 其中,Rp ——反向偏压的结电阻(Junction Resistance ); 'Ls ——外部引线电感; Ls ——内部引线电感; Cc ——封装电容; Rs ——二极管体电阻; j C ——结电容。 通常,等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计,简化后的等效电路如图4-7(b )所示。一般地,变容二极管与外加电压的关系可表示为 γ)1(0D j j V v C C -= (4-5) j C 为变容二极管的结电容,0j C 为变容管加零偏压时的结电容;D V 为变容管PN 结内建电位差(硅管D V =0.7V ,锗管D V =0.3V );γ为变容二极管的电容变化指数,与频偏的大小有关;v 为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下,选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频;在大频偏情况下,必须选γ=2的超突变结变容二极管,才能实现较好的线性调频。 变容二极管的v C j -特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 t V V v V v m Q Q Ω+=+=ΩΩcos 时,设电路工作在线性调制状态,在静态工作点Q 处,可得曲线的斜率为V C k t ??=。

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