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青岛科技大学考研真题电路

青岛科技大学考研真题电路
青岛科技大学考研真题电路

图2 图3 四、在图3所示正弦稳态电路中，已知

图4

模拟电路试题库

1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子 是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子 是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向 偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射 区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作 在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影 响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因 为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态 是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现 正半周削顶现象，这是属于失真。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

2013年清华大学电路原理考研真题

2013年清华大学电路原理考研真题 1、（1）理想变压器+并联谐振：理想变压器的副边借有并联的电感与电容，告诉了电感与电容支路的电流表读数相等，由这个条件可求出电路工作的频率值，再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗，最后求出原边电流；(2)卷积：是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积，直接用公式计算即可，可以把指数函数选作先对称后平移的项，这样只需分三个时间段进行讨论即可； 2、三相电路：（1）电源和负载均为星形连接，且三相对称，直接抽单相计算线电流；（2）共B接法的二表法测电路的三相有功功率，要画图和计算两块功率表的读数，注意的读数为负数；（3）当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功，先用节点法求出各相电流，再计算各相电源的有功功率； 3、理想运放的问题：共有2级理想运放，其中第一级为负反馈，第二级为正反馈，解答时先要判断出这一信息，然后（1）求第一级的输出，因为第一级运放是负反馈，故可以用“虚断”和“虚短”，得到输出（实为一个反向比例放大器）；（2）求第二级的输出，因为是正反馈，所以“虚断”仍成立，但“虚短”不成立，不过，由正反馈的性质，运放要么工作在正向饱和区，要么工作在反向饱和区，即输出始终为，故可以假设输出为其中一个饱和电压，比较反相输入端和非反相输入端的电压值即可确定第二级的输出（实为一个滞回比较器）； 4、一阶电路的方框图问题：动态元件是电容，它接在方框左端，首先告诉了方框右端支路上的电流的零输入响应，由此可得从电容两端看入的入端电阻，即为从方框左端看入的Thevenin等效电阻，其次可得到时刻的电量，画出这个等效电路图；然后改变电容值，改变电容的初始电压值，并在方框右端的支路上接上一个冲激电压源，求电容电压的响应：可以利用叠加定理，分解为零输入响应和零状态响应分别求解，零输入响应可根据前述Thevenin等效电阻直接写出，零状态响应可以先用互易定理（因为方框内的元件全是线性电阻，满足互易定理）结合前述“时刻的电量，画出这个等效电路图”得到左端的短路电流，再由Thevenin等效电阻进而得到从电容两端向右看入的Thevenin等效电路，然后先求阶跃响应，再求导得到冲激源作用下的冲激响应；最后叠加得到全响应； 5、列写状态方程：含有一个压控电流源的受控源，有2个电容和1个电感，用直接法，最后消去非状态变量即可得解答； 6、含有互感的非正弦周期电路（15分）：（1）求电感电流，互感没有公共节点，无法去耦等效，只能用一般方法解，该题的电源有2种频率，有3个网孔，2个电感和1个电容，最关键的是左下角网孔的电源是电流源，因此可以设出电感电流的值，再由KCL表示出剩余支路的电流，最后对某一个网孔列写KVL，解方程即可得到要求的电感电流的值，只需列写一个方程，但要注意正确地写出互感电压的表达式；（2）求电流源发出的功率，由第一问的解求出电流源两端的电压，即可得到解答； 7、含有理想二极管的二阶电路：需要判断理想二极管何时关断、何时导通，这是解题的关键。从0时刻开始，二极管关断，电路是一个二阶电路，求出电感电流的响应，直到二极管的端电压一直由增大到零，这就是所求临界点，即电感电流达到最大值的时间节点，此后二极管导通，左右两部分电路是2个独立的一阶电路。因此（1）电路可以分为2个工作时间段，分别画出前述的二阶等效电路

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)教学提纲

第 0 页 坑爹的模电 试卷编号 01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1． 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2． 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3． 放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4． 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降 的主要原因是__________的影响。 5． 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6． 正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7． 某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________， 总的放大倍数为__________。 8． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对__________信号的放大无影响，对__________ 信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR 为__________之比。 9． 某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB 。 图1 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（ ）构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（ ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（ ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（ ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（ ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（ ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（ ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（ ）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（ ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（ ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V ，－10V ，－9.3V ，则此三极管是（ ） A. NPN 型硅管； B. NPN 型锗管； C. PNP 型硅管； D. PNP 型锗管； 2．为了使放大电路Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b 的值（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re （ ）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V ，则其共模输入电压为（ ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。

模拟电路考试题及答案

自测题一 一、判断题 1.因为P 型半导体的多数载流子就是空穴,所以它带正电。( F ) 2.在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( T ) 3.处于放大状态的三极管,集电极电流就是多数载流子漂移所形成的。( F ) 二、单选题 1.半导体中的少数载流子产生的原因就是( D )。 A.外电场 B.内电场 C.掺杂 D.热激发 2.用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻比正向电阻大很多倍 D.正、反向电阻都等于无穷大 3.二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将( B )。(X 轴为电压) A.右移 B.左移 C.上移 D.下移 4.当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将( A )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 5.三极管β值就是反映( B )能力的参数。(三极管可改为电流控制电流源) A.电压控制电压 B.电流控制电流 C.电压控制电流 D.电流控制电压 6.温度升高时,三极管的β值将( A )。 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7.下列选项中,不属三极管的参数就是( B )。 A.电流放大系数 B.最大整流电流 C.集电极最大允许电流 D.集电极最大允许耗散功率 8.某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次就是( B ) 。 A.e, b, c B.b, e, c C.b, c, e D.c, b, e 9.晶体三极管的反向电流就是由( B )运动形成的。 A.多数载流子 B.少数载流子 C.扩散 D.少数载流子与多数载流子共同 10.三极管工作在放大区,三个电极的电位分别就是6V 、12V 与6、7V ,则此三极管就是( D )。(发正偏集反偏) A.PNP 型硅管 B.PNP 型锗管 C.NPN 型锗管 D.NPN 型硅管 11.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的( B )。 A.非饱与区 B.饱与区 C.截止区 D.击穿区 12.增强型绝缘栅场效应管,当栅极g 与源极s 之间电压为零时( B )。 A.能够形成导电沟道 B.不能形成导电沟道 C.漏极电流不为零 D.漏极电压为零 三、填空题 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2.少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3.PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 单向导电性 性能。 4.PN 结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 。 5.PN 结正向偏置时,PN 结的内电场被 削弱 。 6.三极管最重要的特性就是 电流放大作用 。 7.温度升高时,晶体管的反向饱与电流将 增大 。 8.场效应晶体管属于 电压 控制器件。 10.GS 时,不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS 管 。 11.开启电压0)(>th U GS 的就是 N 沟道增强型 场效应管。 12.开启电压0)(

模拟电路基础试题

模拟电路基础测试题 一：填空题(每题1分，共15分) 1.PN特性。 2.双极型晶体管(BJT)下降为1时的频率。 3. 某放大器的电压增益A V =倍。该增益换算成分贝应为 4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，V GS 和V DS 。 5. 作负载。 6. 7. 8. 。 9. 10. 11. 12. 13.

14. 15. 当集成放大器内部需要微电流时，采用微电流恒流源要优于采用基本镜像恒流源。原因之一是： 三：单项选择题（每题1分，共10分） 1. 图1所示硅二极管电路中的v i(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。该电路中，电阻R L上的电压v o(t)的波形应该为( )。

. . 2. 测得某放大器中一支BJT的三个电极的直流电压为：,+和。由此可以判断，该管是( )。 A. NPN硅管 B. NPN锗管 C. PNP硅管 D. PNP锗管 3. 在下面关于放大器的四钟说法中，只有( )是肯定正确的。 A. 放大器有功率放大功能 B. 放大器有电压放大功能 C. 放大器有电流放大功能 D. 放大器的增益带宽积为常数 4. FET共漏(CD)放大器与BJT放大器中的（）组态性能相似。 A. CC C. CB 5. 图2是OTL功放原理电路，该电路最大输出功率的理论值为（）W。

.9. . 6. 接上题。在选择功率管T1和T2时，每管的集电极最大耗散功率P CM必须大于（）W。 A.3.6 B. 1.8 C. . 7. 接5题。在静态时，OTL功放中与负载串联的电容中的电压应该为( )伏。 A. 1.5a B. 3 C. 6 a D. 12 8. 将图3电路中的电阻( )换成电容，电路的功能改变为微分电路。 2 9. 如果用电压比表示用信号流图画出的反馈放大器（图4）的环路传输T,则T=( )。 A. v i/ v f B. v f / v i C. v s / v f D. v f /v s 10. 在下面4种基本放大器组态中，电路( )的小信号范围最小。 A. CE放大器 B. CS放大器 C. CE差动放大器 D. CS差动放大器 11.晶体管特性曲线不能用来( )。 A.判断管子的质量 B. 估算晶体管的一些参数 C.分析放大器的频率特性 D.图解分析放大器的指标 12.通用集成运算放大器内部电路不具有( )的特性。 A.开环增益高 B. 输入电阻大 C.深度负反馈 D.输出电阻小 13.在图3所示运放应用电路中，称为“虚地”的点是（）点。 14.在以下关于深负反馈的论述中，( )是错误的。

模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度/反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交 流输出电流采用（电流）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/((1+AF) ），对于深度负反馈放大电路的放 大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH –fL ）， （1+AF ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模） 信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙） 类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻 （大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛 应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅

清华大学电路原理考研真题

2013年清华大学电路原理考研真题 以上内容由凯程集训营保录班学员回忆整理，供考研的同学们参考。更多考研辅导班的详细内容，请咨询凯程老师。 1、（1）理想变压器+并联谐振：理想变压器的副边借有并联的电感与电容，告诉了电感与电容支路的电流表读数相等，由这个条件可求出电路工作的频率值，再代入原边的电感值计算得到原边电路的阻抗，最后求出原边电流； (2)卷积：是一个指数函数和一个延时正比例函数的卷积，直接用公式计算即可，可以把指数函数选作先对称后平移的项，这样只需分三个时间段进行讨论即可； 2、三相电路： （1）电源和负载均为星形连接，且三相对称，直接抽单相计算线电流； （2）共B接法的二表法测电路的三相有功功率，要画图和计算两块功率表的读数，注意的读数为负数； （3）当A相负载对中性点短路后求各相电源的有功，先用节点法求出各相电流，再计算各相电源的有功功率； 3、理想运放的问题：共有2级理想运放，其中第一级为负反馈，第二级为正反馈，解答时先要判断出这一信息，然后（1）求第一级的输出，因为第一级运放是负反馈，故可以用“虚断”和“虚短”，得到输出（实为一个反向比例放大器）；（2）求第二级的输出，因为是正反馈，所以“虚断”仍成立，但“虚短”不成立，不过，由正反馈的性质，运放要么工作在正向饱和区，要么工作在反向饱和区，即输出始终为，故可以假设输出为其中一个饱和电压，比较反相输入端和非反相输入端的电压值即可确定第二级的输出（实为一个滞回比较器）； 4、一阶电路的方框图问题：动态元件是电容，它接在方框左端，首先告诉了方框右端支路上的电流的零输入响应，由此可得从电容两端看入的入端电阻，即为从方框左端看入的Thevenin等效电阻，其次可得到时刻的电量，画出这个等效电路图；然后改变电容值，改变电容的初始电压值，并在方框右端的支路上接上一个冲激电压源，求电容电压的响应：可以利用叠加定理，分解为零输入响应和零状态响应分别求解，零输入响应可根据前述Thevenin等效电阻直接写出，零状态响应可以先用互易定理（因为方框内的元件全是线性电阻，满足互易定理）结合前述“时刻的电量，画出这个等效电路图”得到左端的短路电流，再由Thevenin等效电阻进而得到从电容两端向右看入的Thevenin等效电路，然后先求阶跃响应，再求导得到冲激源作用下的冲激响应；最后叠加得到全响应； 5、列写状态方程：含有一个压控电流源的受控源，有2个电容和1个电感，用直接法，最后消去非状态变量即可得解答； 6、含有互感的非正弦周期电路（15分）： （1）求电感电流，互感没有公共节点，无法去耦等效，只能用一般方法解，该题的电源有2种频率，有3个网孔，2个电感和1个电容，最关键的是左下角网孔的电源是电流源，因此可以设出电感电流的值，再由KCL表示出剩余支路的电流，最后对某一个网孔列写KVL，解方程即可得到要求的电感电流的值，只需列写一个方程，但要注意正确地写出互感电压的表达式； （2）求电流源发出的功率，由第一问的解求出电流源两端的电压，即可得到解答；

模拟电子电路试题及答案

模拟电子技术试题二 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （20分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （20分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等

(完整word版)模拟电路试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题 一、填空题：（每空1分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有单向导电性。 2、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时， 结电阻为（无穷大），等效成断开； 3、自然界的物质按导电能力来分可分为（导体）、（半导体）、绝缘体3种 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、半导体材料中用得最多的材料是（硅）和（锗），他们都是四价元素 6、半导体的特性通常有（热敏性）（光敏性）和掺杂性 7、在半导体中参与导电的是（空穴）和（电子） 8、在本征半导体中参入（五价）价元素，就可以得到N型半导体 9、在本征半导体中参入（三价）价元素，就可以得到P型半导体 10、硅二极管的死区电压是（0.5 ）V，锗二极管的死区电压是（0.1 ）V。 11、硅二极管的正向导通压降是（0.7）V，锗二极管的正向导通压降是（0.3）V 12、整流电路是利用二极管的（单向导电）性 13、指针式万用表红表笔接的是电池的（—）极，黑表笔接的是电池的（+ ）极 14、场效应管的三个工作区分别为（截至区）、可变电阻区、和（饱和区） 15、发光二极管工作在（正向）偏置 16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 17、三极管放大电路共有三种组态分别是：共（C ）极、共（B ）极、共（ E ）极3 种。 18、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出 电流采用（交流）负反馈。 19、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； 20、共集电极放大电路具有电压放大倍数小，输入电阻（大），输出电阻（小）等特点， 所以常用在输入级，输出级。 21、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 22、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，所以它广泛应用于电路中。 23、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位，称PN结为（正偏）反之称为（反偏） 24、稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏 置状态。 25、晶体三极管的集电极电流Ic=( βI B)所以它是（电流）控制元件。

模拟电路试题及答案

模拟电路试题及答案 一、判断题（每题1分，共50分） 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（V） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加 电压无关。（X） 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为无穷大，等效成断开；（V） 4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（X） 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（X） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加，发射结压降减小。（V） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。 （V） 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流输 出电流采用直流负反馈。（X） 9、负反馈放大电路和放大倍数A F=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大倍 数A F= 1/F 。（V） 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW=1+AFBV y其中BW=H -L , 1+AF称为 反馈深度。（V） 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（V） 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率 放大器。（V） 13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（X） 14、OTL电路是双电源互补功率放大电路。（X） 15 、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（V） 16 、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。（X） 17 、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成 电路中。（V） 18 、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为载波信号。（V） 19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy。（V） 20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（X） 21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （X ） 22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。 图1 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在；

上海科技大学考研电路原理试题汇总

上海科技大学考研电路原理试题汇总 第1题（12分）电路模型和电路定律 如下图（a）所示，左边的电源/电阻网络连接到右边的一个新型电路元件SISTor B, 该元件的电流（i）- 电压（v）关系曲线如下图(b)所示。求该新型元件消耗的功率。 SISTor B （a）图中10V为电压源，3A为电流源。(b) i-V曲线 题1图 第2题（15分）含运算放大器的电阻电路分析 在下图所示电路中，求输出信号v o与两个输入信号v1和v2之间的函数关系。假设所有运算放大器都是理想的。注意在解答中明确给出每个运算放大器的输出信号表达式。 题2图

第3题（20分）等效电路 在下图所示电路中，假设运算放大器是理想的，v s为独立电压源。 1)求从a、b两端往左看，该桥接电路的戴维南等效电路；（15分） ?。（5分） 2)使用1）中得到的等效电路，求整个电路的电压增益G=v o v s 题3图 第4题（15分）一阶电路时域分析 下图所示电路有两个开关，在t=0时刻之前，两个开关已经打开了足够长的时间。在t=0时刻，开关Switch 1闭合，接着在t=5s时刻，开关Switch 2闭合。求t≥0时，电容两端的电压v C(t)的表达式。已知V0=24V,R1=R2=16kΩ,C=250μF。假定v C(0)=0。图中V0为独立电压源。 题4图 第5题（20分）二阶电路时域分析 在下图电路中，假设运算放大器是理想的。求图中i L(t),t≥0的表达式。 已知V s=1mV, R1=10kΩ, R2=1MΩ, R3=100Ω, L=5H, C=1μF。图中V s u(t)为独立电压源,其中u(t)是单位阶跃函数。 题5图

考研《电路理论》考试大纲.doc

2020年研究生入学考试《电路》考试大纲 第一部分考试说明 一、考试性质 《电路》是我校为招收电气工程等专业硕士研究生设置的考试科目。它的评价标准是电类专业优秀本科毕业生能达到及格或及格以上水平，以保证被录取者具有较扎实的电路理论基础。 考试对象为符合全国硕士研究生入学条件的报考我校自动化学院电气工程及工科 相关专业的考生。 二、考试形式试卷结构 （1）答卷方式：闭卷，笔试 （2）答题时间：180分钟 （3）题型：全部为分析计算题 （4）参考书目 《电路》（第五版）邱关源.北京:高等教育出版社,2006 第二部分考查要点 一、电路的基本概念与基本分析方法 电流、电压及其参考方向，电流与电压的关联参考方向；电功率和电能量的概念；吸收功率和发出功率的概念及其判定；线性非时变电阻、电压源、电流源、受控电源及运算放大器的特性；KCL和KVL；线性二端网络入端电阻的概念及入端电阻的计算，等效电路的概念；树、基本回路的概念；节点分析法和回路（网孔）分析法；叠加定理及其应用；戴维宁-诺顿等效网络定理及其应用；特勒根定理（互易定理）及其应用；最大功率传输定理及其应用；网络定理的综合应用；含理想运算放大器电路的分析。 二、动态网络分析 线性非时变电容、电感元件的特性；广义函数的概念及其主要性质（包括：单位阶跃函数，单位冲激函数，分段波形的广义函数描述及其微积分运算）；一阶电路和简单二阶电路微分方程的建立及相应初始条件的确定；各种响应的概念；求解一阶电路的三要素法；电路暂态过程的复频域分析（包括：拉普拉斯变换与反变换，复频域分析模型，用运算法求解电路的暂态过程）；电路暂态过程的状态变量分析。

电路原理第五版 第十三章考研题

第十三章考研题 13—1 求下列非正弦周期函数()f t 的频谱函数（傅里叶级数系数），并作频谱图。 （1）()cos 4sin 6f t t t =+； （2） ()f t 如题13—1图（a ）、（b ）、（c ）所示。 (a)(b)(c) f (t )f (t )f (t ) U m - U m U m /2 - U m /2 O T /3 2T /3 T t - T /2 O T /2 t - T /2T /2-1 1 O (t ) δt 题13—1 图 ()f t 的波形 13—2 设非正弦周期函数()f t 的频谱函数为j m j k k k k A e a b φ=-。试表述下列与()f t 相关函数的频 谱函数。 （1） 0()f t t -； （2）()()f t f t =-； （3）()()f t f t =--； （4）()(/2)f t f t t =-+； （5）d ()d f t t 。 13—3 已知某信号半周期的波形如图所示。试在下列各不同条件下画出整个周期的波形： （1）0 0a =； （2）对所有0,=k b k ； （3）对所有0,= k a k ； （4）当k 为偶数时，k a 和k b 为零。 T 2 O f ( t )t T I m 题13—3 图 13—4 电路如题13—3图所示（实线部分），为了在端口1—0获得关于S ()u t 的最佳的传输信号，可在 端口1—0并联RC 串联支路（图中虚线所示），使输出电压10()u t 为 10S ()()u t ku t = 式中S ()u t 为任意频率的输入信号。求：参数R 、C 和k （实数）

模拟电路考试试题10套和答案(打印版)

试卷编号 01 一、填空（本题共 20分，每空1分）： 1.___________________________ 整流电路的任务是 _____________ ;滤波电路的任务是 。 2._______________________________________________________ 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ______________________________________________________________ 而产生的，漂移运动是 ___________ 作用下产生的。 3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 ______________ 失真和 ___________失真。 4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益 下降的主要原因是 __________ 的影响；使高频区电压增益下降 的主要原因是 ____________ 的影响。 5.____________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 ;引入交流负反馈的作用是 _________________________________________ 。 6._______________________________ 正弦波振荡电路一般由 ___ 、 ___________ 、 、 这四个部分组成。 7. 某多级放大器中各级电压增益为： __________________________________________ 第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 ______________________________________________________ , 总的放大倍数为 ___________ 。 8在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e 对 __________________ 信号的放大无影响，对 _____________ 信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比 K CMR 为 ____________ 之比。 9. 某放大电路的对数幅频特性如图 ________________________________________ 1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为 _______________________________________________________ dB 。 图1 二、 判断（本题共10分,每小题1分，正确的打"，错误的打X ）: 1、 （）构成各种半导体器件的基础是 PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、 （）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、 （）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、 （）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、 （）通常，甲类功放电路的效率最大只有 40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、 （） 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、 （）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、 （）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小， 在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、 （）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于 1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 三、 选择（本题共 20分，每个选择2 分）: 1?在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为 A. NPN 型硅管； B. NPN 型锗管； C. PNP 型硅管; 2. 为了使放大电路 Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻 A.增大 B.不变 C.减小 3. 典型的差分放大电路中 Re （ ）。 A.对差模信号起抑制作用 B.对共模信号起抑制作用 4. 在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为 20V ，则其共模输入电压为（ ）。 坑爹的模电 0V , - 10V , - 9.3V ，则此三极管是（ D. PNP 型锗管； R b 的值（ ）。 C.对差模信号和共模信号均无作用

电路原理第五版 第十一章考研题

11—1 求图示电路端口1—1′的策动点阻抗1/U I 、转移电流比1/I I C 和转移阻抗21 /U I + -1F 2H U . I C .2Ω 1Ω + -U 2 .I 1 .+ -1F + - 2Ω 1Ω 1Ω U 1 .I 2.U 2 .I 1 . 题11—1图 题11—2图 11—2 求图示电路的转移电压比12 /U U 和策动点导纳1 1/U I 11—3 RLC 串联电路中Ω=1R ，0.01H L =，1μF C =。求 （1）输入阻抗与频率ω的关系； （2）画出阻抗的频率响应； （3）谐振频率0ω； （4）谐振电路的品质因数Q ； （5）通频带的宽度BW ； 11—4 RLC 并联电路中10k R =Ω，1mH L =，0.1μF C =。求11—3中所列各项。 11—5 已知RLC 串联电路中，5k R =Ω，400mH L =，谐振角频率50000=ωrad/s ，S 1U =V 。 求电容C 及各元件电压的瞬时表达式。 11—6 求附图电路在那些频率时短路或开路。 (c)(d) (a) (b) L C L C L 1 C 1 L 2 L 1 C 1 C 2 题11—6图

11—7 RLC 串联电路中，50μH,100pF,50270.71L C Q ====，电源S 1U =mV .。求电路的 谐振频率 0f 、谐振时的电容电压C U 和通带BW 。 11—8 RLC 串联电路谐振时，已知BW=6.4kHz ，电阻的功耗10mW ，()S 0()100cos mV u t t ω=和 C =400pF 。求：L 、谐振频率 0f 和谐振时电感电压L U 。 11—9 RLC 串联电路中，S 1U =V ，电源频率S 1f =MHz ，发生谐振时0(j )100I ω=mA ， 0(j )100C U ω=V ，试求R 、L 和C 的值，Q 值和通带BW 。 11—10 RLC 并联谐振时，0ω=1kHz ，0(j )100k Z ω=Ω，BW=100Hz ，求R 、L 和C 。 11—11 求附图电路的谐振频率及各频段的电抗性质。 11—12 图示电路中S 20mA,100μH,400pF,10I L C R ====Ω。求：电路谐振时的通带BW 和 L R 等于何值时能获得最大功率，并求之。 11—13 图示电路中10,0.1μF,R C =Ω=正弦电压S u 的有效值S 1V U =，电路的Q 值为100，求： 参数L 和谐振时的L u 。 (a) (b)L 1 L 2 C 1C 2 j L 2I C . I C . j C 1ωω 题11—11图 I S .R L C R L 题11—12图

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