电路与电子技术模拟练习题
请认真复习书上的习题及幻灯片上的习题:
P２2:１，3,9,14(a),1７，１8
P48: 1,３,8,12，16
P115: 8，14
Ｐ156： 7,8，14,17,１８
P2１1：１,２，6,8,1６,
P241: 5,6,7，8,13,14
P２95：2,1６，17,22
以下供大家练习:
电路与电子技术模拟练习题
一、判断正误（对者打√号,错者打×号）
1.集总电路是由集总元件构成的电路。
2.在集总电路中要求电路中的元件尺寸远大于电路工作时电磁波的波长。
3.在电路分析中，当采用了电流电压关连参考方向时，参考电流是从元件的“+”
极流向“﹣”极。
4.在电路分析中,功率 P〈０时是元件发出功率。
5.忽略电学器件的次要物理性质，而只考虑其主要物理性质，被理想化的元器
件,叫做非理想元件。
6.内部无支路的回路叫网孔回路。
7.电流源的电流与端电压的大小，方向有关。电压源的端电压与流经它的电流
大小,方向无关。
8.一个或多个元件串联构成的电路分支叫支路。
9.任一瞬间流入任一网络的电流代数和恒为零。
10.电压值不相等的电压源可以并联。
11.若两一端口网络N１,N２的端口伏安特性曲线重合,则两网络等效。
12.若两一端口网络N1,Ｎ2的端口伏安关系不相同,则两网络等效,N１, Ｎ２的
对外功完全一致,可以相互替代。
13.若两一端口网络N1,N２的端口伏安关系完全相同，则两网络不等效
14.一个理想电流源与电阻的串联电路可以等效变换为一个电压源与电阻的并
联电路。
15.受控源具有电源的性质,其电源参数值与外电路无关。一个理想电流源与电
阻的串联电路可以等效变换为一个电压源与电阻的串联电路。
16.用支路电流法解算电路问题需要列出支路数m＋１个方程
17.用节点电压法解算电路问题需要列出与节点数ｎ相等个节点电压方程。
18.支路电流法是利用KCL和KVL，以节点电压作为电路自变量列方程组解算电
路问题的方法。
19.网孔电流法以网孔电流为自变量，按网孔电流方程组的一般形式列方程解方
程的方法。
20.节点电压法以节点电压为自变量,按网孔电流方程组的一般形式列方程解方
程的方法。
21.迭加定理可表述为：集总线性电路中任一条支路的电流（电压）,为电路中
各电源单独存在时在该支路上产生电流（电压)的代数和。
22.电容器有隔直流的功能。
23.根据电容器积分伏安关系,电容器有记忆功能。
24.流经电感元件的电流不变时，其两端电压不为零。
25.电容器两端电压u很大时,可能有电流i＝0。
26.根据电感元件积分伏安关系，电感元件有记忆功能。
27.流经电感元件的电流不变时，其两端电压为零。
28.根据电容器积分伏安关系,电容器无记忆功能。
29.正弦电路中，相位的物理意义是用来反映正弦量的状态的物理量。
30.正弦电路中,角频率的物理意义是用来反映正弦量的变化快慢程度的物理
量。
31.正弦电路中,振幅的物理意义是用来反映正弦量的振动幅度的物理量。
32.在正弦稳态电路中，电感两端电压的相量总是滞后于电流相量9０°。
33.在正弦稳态电路中,电容两端电压的相量总是超前于电流相量90°。
34.在正弦稳态电路中,若RCL串联电路呈容性，则其并联电路也一定呈容性。
35.本征半导体是化学成份纯净的半导体。
36.本征激发和复合在一定温度下达到动态平衡。
37.PN结在一定温度条件下，由本征激发产生的少子浓度是一定的,故少子形成
的漂移电流是恒定的,基本上与所加反向电压的大小无关。
38.发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄,是保证三极管能实现电流放大的
关键。
39.因为Ｎ型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
40.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
二、填空
1.忽略电学器件的次要物理性质，而只考虑其主要（ )被理想化的元器件
叫做理想元件。
2.电路分析时可任意选定电压的方向，称为电压的（ )方向。
3.在电路分析中，若计算出某支路电流为正值，则表明电流的参考方向与真实
方向（)。
4.在电路分析中,若计算出某元件两端的电压为负值,则表明电压的参考方向
与真实方向( ）。
5.电路中将一个或( ）串联构成的电路分支叫作支路。
6.电路中内部不含有其他支路的( ）称为网孔回路。
7.电路中把（ )个或3个以上支路的连接点叫作节点。
8.基尔霍夫的KCL定律可以表述为:对于集总电路中的任一节点,在任一瞬间流
入该节点的电流代数和等于流出该节点的电流（）。
9.若两一端口( )N1,N2的端口伏安关系完全相同,则两网络等效。
10.任一瞬间流入网络中任一( )曲面的电流代数和恒为零。
11.电压值相等的电压源才能( )。
12.电流（ )的电流源不可以串联。
13.一个理想( )与电阻的并联电路可以等效变换为一个电压源与电阻
的串联电路。
14.一个理想电压源与电阻的串联电路可以等效变换为一个（）与电阻的
15.任何电源都可以等效变换为电压源与电阻的（ )。
16.受控源也是理想元件，用于晶体管等电子器件的模型中，它表示电路一条支
路的电压或电流对另一条( ）的控制。
17.用网孔电流法解算电路问题需要列出与（）个数相等的网孔电流方
程。
18.戴维南定理可以表述为:对于任意一个线性含源二端子网络，都可以用一个
( )与电阻的串联电路来等效。其电压源的电压为该网络的开路电压,电阻为该网络中所有独立电源置零时的等效电阻。
19.若顿定理可以表述为:对于任意一个线性含源二端子网络,都可以用一个
（）与电阻的并联电路来等效。其电流源的电流为该网络的短路电流，电阻为该网络中所有独立电源置零时的等效电阻。
20.若电感元件的( )与电流之间为线性关系，则称该电感元件为线
性电感元件。
21.３、若电容元件的电量与电压之间为非线性关系，则称该电容元件为( ）
电容元件。
22.１０. 流经电感元件的电流（)时，其两端电压为
零。
23.4、在正弦稳态电路中,电感两端电压的相量总是( ）于电流相量
90°。
24.11、在正弦稳态电路中，电流的有效值等于最大值的( )倍。
25.８、在正弦稳态电路中,电阻两端电压的相量总是与电流相量（ )。
26.三极管共发射极接法，若发射结正偏、集电结反偏,说明三极管工作在（）
区;若发射结反偏、集电结反偏,说明三极管工作在( )区;若发射结正偏、集电结正偏,说明三极管工作在( )区；
27.ＰN结外加正向电压时,方向与PN结内电场方向(）,（)了内电场,
于是内电场对多子扩散运动的阻碍(），扩散电流（）,ＰN结呈现( ）阻性。
28.在PＮ结中内电场的方向是从( ）区指向（）区
29.在本征半导体中掺入（）价杂质元素，可形成( ）型半导体，也称电子型
半导体，在这种半导体中,（)是多数载流子，( )是少数载流子；在本征
半导体中掺入( ）价杂质元素，可形成()型半导体，也称空穴型半导体，在这种半导体中，（)是多数载流子,（)是少数载流子
30.电路组成形式很多,功能也各不相同，它们的作用是(能量的传输、控制和
转换)。
31.电路中任意一点的电位与参考点( 选择有关）任意两点间的电压与参考点
（选择无关）。
32.分析复杂电路时，所设电压、电流的参考方是（任意) 指定的,电压参考
方向与真实方向的关系是（相同取正、相反取负)。
33.受控源也是理想元件，用于晶体管等电子器件的模型中，它表示电路一条支
路的(电流)，对另一条支路电压(电流)的( 控制)。
34.在关联参考方向下，经计算某元件上的功率为负值，则表明该元件( 产生）
功率。
35.在电路分析中，若计算出某支路电流为正值,则表明电流的参考方向与真实方
向（相同）。
36.为分析电路方便，常把一段电路上电流参考方向与电压参考极性取为一致，
把电流和电压的这种参考方向称为( 关联）。
37.电流源是一个二端理想元件,通过电流源的电流与电流源两端电压( 无
关）。
38.各种元件相互连组成电路，各支路电流,电压为两种形式的约束所支配,其一
是（节点电流代数和为零）,其二是(回路电压代数和为零)。
39.电路分析中常用的线性电路定理有(叠加)和( 置换) 等二个。
40.戴维南等效电路中的等效电阻是二端网络中,(电源)置零时的入端等效电阻。
41.正弦量的三要素是指(振幅) ,(角频率) 和( 初相)。
42.初相的物理意义是用来反映（初始时刻的电压或电流值)的物理量。
43.交流电的有效值就是与它（等效) 的直流值,正弦交流电中最大值是有效值
的（) 倍。
44.在RLＣ并联电路中,端口电流相量与电压相量的比值定义为( 复导纳）。
?16、RＬ串联电路中,当电源电压有效值不变，频率增加时,则电流的有效值( 减小)。
45.正弦电路中复阻抗Ｚ＝1０+ｊ10Ω,则其复导纳Y= （)。
46.已知正弦电压相量ù=10∠３０°V,频率为ω，则其正弦电压瞬时值表达式
ｕ=( ) 。
47.正弦电路中，感抗与频率成(正比)，直流电路中电感相当于（短路）。
20、正弦电路中,在关联参考方向下，电容元件上电流相量( 超前)电压相量
9０0角
48.正弦电路中,总电流相量超前总电压相量φ角(０<φ＜90），则该电路呈( 容)
性。
三、选择题
1.关联参考方向下,某电路上功率P<0 则说明此电路（ )。
A、产生功率
B、吸收功率
C、功率与外接元件有关
D、以上答案都不对
2.在直流电路中，负载电阻的上功率为P,电压为V,电流为I，则负载电阻值为
（ )。
A、Ａ、P/I
B、Ｐ/I2
C、V/ Ｐ
D、P／UI
3.独立电压源的电压与（）。
A、流过电压源的电流有关
B、流过电压源的电流无
关
C、外接元件有关Ｄ、与参考点的选取有关
4.电压控制电压的受控源的电压( ）
A、受另一支路电流的控制Ｂ、受另一支路电压控制
C、与外接元件有关Ｄ、与参考点的选取有关
5.电流控制电压的受控源的电压( )
Ａ、受另一支路电流的控制 B、受另一支路电压控制
Ｃ、与外接元件有关D、与参考点的选取有关6.用戴维南定理分析电路求端口等效电阻时,电阻为该网络中所有独立电源置
零时的等效电阻。其独立电源置零是指（）。
A、独立电压源开路,独立电流源短路
B、独立电压源短路,独立电流源开路
C、独立电压源短路,独立电流源短路
D、以上答案都不对
7.用诺顿定理分析电路求端口等效电阻时，电阻为该网络中所有独立电源置零
时的等效电阻。其独立电源置零是指( )。
A、独立电压源开路，独立电流源短路
B、独立电压源短路，独立电流源开路
C、独立电压源短路,独立电流源短路
D、以上答案都不对
8.迭加定理适用于( )
A、线性网络和非线性网络
B、线性网络
C、非线性网络
9.在关联参考方向下,线性电阻负载电压与电流相位关系是（）
A、同相位
B、电压超前电流180°Ｃ、电压超前9０°D、以上答案都不对
10.在关联参考方向下，纯感性负载电压与电流相位关系是( )
A、同相位
B、电压超前电流９0°
C、电压滞后电流90°
D、以上答案都不对
11.在关联参考方向下,纯容性负载电压与电流相位关系是( )
A、同相位
B、电压超前电流9０°
C、电压滞后电流90°
D、以上答案都不对
12.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导
体。
A、五价B．四价 C. 三价
13.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（)。
A、增大 B. 不变 C. 减小
14.对于放大电路，所谓开环是指（)。
A无信号源 B．无反馈通路 C 无电源 D.无负载
15.稳压管的稳压区是其工作在( ）。
A、正向导通Ｂ．反向截止Ｃ．反向击穿
16.用节点电压法解算电路问题需要列出（）个独立方程。
A、与支路数相等
B、节点数减一Ｃ、与节点数相等 D、以上答案都不对
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
电工与电子技术考试题库含答案
电工与电子技术试题 一、填空题(每空1分) 1、若各门电路的输入均为A与B,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门的输出 为_________。 2、一个数字信号只有________种取值,分别表示为________ 与________ 。 3、模拟信号就是在时间与幅值上________ 的,数字信号在时间与幅值上就是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ________ 与________。 5、二进制数A=1011010;B=10111,则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流就是20A,则流过每只晶体二极管的电流就是 ______A。 9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=10Ω,则整流输 出电压的平均值就是______;流过二极管的平均电流就是______;二极管承受的最高反向 电压就是______。 10、三极管就是________控制元件,场效应管就是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。 13、作放大作用时,场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常就是指__、与_。 15、某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数就是_。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
电工与电子技术模拟题二
电工与电子技术模拟题2 卷一 电工技术部分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 1、在 图 示 电 路 中，已 知 U S = 2 V ，I S = 1 A 。A 、B 两 点 间 的 电 压 U AB 为 ( C )。 (a) －1 V (b) 0 (c) 1 V S 2、 在 某 对 称 星 形 连 接 的 三 相 负 载 电 路 中，已 知 线 电 压 u t AB = V 3802sin ω， 则 C 相 电 压 有 效 值 相 量 =C U ( C )。 (a) 22090∠? V (b) 38090∠? V (c) 22090∠-? V 3、 三 相 异 步 电 动 机 在 运 行 中 提 高 其 供 电 频 率，该 电 动 机 的 转 速 将( B )。 (a) 基 本 不 变 (b) 增 加 (c) 降 低 二、填空题 1电路如图，在开关S 断开时A 点的电位___－5.84V ___， 开关S 闭合时A 点的电位_____ -1.96V _____。 2. 有台三相异步电动机，其额定转速为 ，电源频率为50Hz 。在转差率为 0.02时，（1）定 子旋转磁场对定子的转速____ n=1500________ r/min ；（2）定子旋转磁场对转子的转速_____30_______ r/min ；（3）转子旋转磁场对定子旋转磁场转速_______0_____ r/min 。 三、分析计算题： 1、电路如下图所示，用戴维宁定理求电流I 。 20V 10A Ω2Ω 1Ω 5Ω4I －12V A 3ｋ
东北大学《模拟电子技术基础》期末考试必备真题集(含答案)01
模拟电子技术基础 一．计算分析题 1．已知放大电路如图8所示，三极管的β=50，U BE =。回答下列问题：（1） 求I CQ =？U CEQ =？（2）画微变等效电路 （3）求？==i o u U U A ？ ==s o usm U U A （4）R i =？R o =？ 图8 (1) I CQ ≈I EQ = (mA) +V R C e R R R C C + _ _ R e U U o R U 20k Ω 2 10kΩ 2kΩ4k 30μF 30100μ F (+12V) 1+ ++ _ _ ) (410 2012 102b1CC 2BQ V R R V R U b b =+?=+= )mA (65.12 7 .04e BE BQ EQ =-= -= R U U I
U CEQ = V CC ―I CQ ( R c +R e )= ×4 = (V) (2) (3) (4)R i ≈r be =(k Ω) R o = R c = 2 (k Ω 2．已知电路如图9所示，β1=β2=60，U BE1=U BE2=，ΔU I1=1V ，ΔU I2=。 求：①双端输出时的ΔU o=？②从T 1单端输出时的ΔU O1=？ )k (1.165 .126 6130026) 1(EQ bb'be Ω≈?+=++=I r r β微变等效电路 U 6 .601.1)4//2(50'be L i o u -=?-=-==r R U U A β 5.311.11)4//2(50'be s L i s i u s o us -=+?-=+-≈+==r R R R R R A U U A β R R R R r R R + _ + _ U I U s β I I R
(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 电力电子技术模拟试题2（开卷，时间：120分钟） （所有答案必须写在答题纸上） 一、填空题（40分，每空1分） 1. GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 2.GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。 3. GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。 4. GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值I GM之比称 为, 该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。 5. GTR导通的条件是：且。 6. 在电力电子电路中GTR工作在开关状态, 在开关过程中，在区和 区之间过渡时，要经过放大区。 7. 电力MOSFET导通的条件是：且。 8. 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。 9.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。 10.IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件10.PWM控制的理论基础是原理，即相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。 11.根据“面积等效原理”，SPWM控制用一组的脉冲（宽度按 规律变化）来等效一个正弦波。 12.PWM控制就是对脉冲的进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等效波形，SPWM控制得到的是等效波形。 13.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称控制方式，PWM 波形在正负极性间变化的控制方式称控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用控制方式。 14.SPWM波形的控制方法：改变调制信号u r的可改变基波幅值；改变 电工与电子技术试题 一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。 https://www.360docs.net/doc/2411228280.html, ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40k Ω，R b2=20k Ω，R c =R L =2k Ω，U BE =0.7V ，β=50，R e =2k Ω， U CES ≈0V 。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加 电压（ ）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（ ），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （ ），发射结压降（ ）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ ）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（ ）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ ）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 全国2011年4月高等教育自学考试 电工与电子技术试题 课程代码：02187 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．如图所示的四个电路中，符合方程U=-IR+E的电路是（） 2．直流电路如图所示，当开关S处于断开位置时，它两端的电压U ab应为（） A．-5V B．-1V C．0V D．5V 3．一只阻值100Ω的电阻，额定功率为1W，其额定电压是（） A．0.1V B．1V C．10V D．100V 4．图示电路中，当R P的阻值增大时，则（） A．a、b两点电位均上升 B．a点电位上升，b点电位下降 C．a点电位下降，b点电位上升 D．a、b两点电位均下降 5．在正弦交流电路中，用符号I 表示的物理量是电流的（） A．瞬时值B．最大值相量 C．有效值相量D．有效值 6．已知电流i=10sin (100t+20°) mA，其有效值是（） A．5mA B．7.07mA C．10mA D．14.1mA 7．负载三角形连接的对称三相电路中，若每相负载均由R=5Ω的电阻和X L=10Ω的电感串联构成，当相电流为2A时，三相有功功率为（） A ．30W B ．40W C ．60W D ．180W 8．通过电感L=5mH 的电流)30100(sin 220?+=t i A ，则电感的端电压u L 为（ ） A ．0.12sin (100t -?60) V B ．0.12sin (100t +?120) V C ．102sin (100t -?60) V D ．102sin (100t +?120) V 9．若负载的端电压为，流过负载的电流为 ，则负载的功率 因数为（ ） A ．-1 B ．-0.643 C ．0.174 D ．0.643 10． （ ） 11．为实现电动机的过载保护，在电动机控制系统中常接入（ ） A ．时间继电器 B ．接触器 C ．行程开关 D ．热继电器 12．一台变压器的原绕组由两个承受110V 电压的线圈绕成， 如图所示，若将其接到220V 交流电源上，令二线圈串联，其 连接方式为（ ） A ．1、2连接，3、4接电源 B ．1、4连接，2、3接电源 C ．2、3连接，1、4接电源 D ．2、4连接，1、3接电源 13．射极输出器的输出电压与输入电压的相位差为（ ） A ．0° B ．90° C ．120° D ．180° 14．图示运算放大器电路的输出电压u 0为（ ） A ．-1V B ．0V 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 I 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 4 页） 总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab 。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i 是幅值为10V 的正弦波，试画出u o 的波形。（设二极管D 1，D 2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。 (15分) 电路如图4所示，已知V CC =12V ，R bl =40kΩ，R b2=20kΩ，R c =R L =2kΩ，U BE =，β=50，R e =2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真 (3)计算i u A R ， 和o R 。 四、功率放大电路的分析与计算。 (15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L =8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V ，输入u i 为正弦波。求：(1)负载R L 上可获得的最大不失真输出功率(2)此时的效率和管耗各是多少 五、填空题：（每空1分 共30分） 1、PN 结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN 结具有（ ）导电性。 2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与 外加电压（ ）。 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T 1 T 2 R L CC + +_ _ (+12V (-12V 华东理工大学网络教育学院（全部答在答题纸上，请写清题号，反 面可用。试卷与答题纸分开交）电力电子技术1606模拟卷1答案 一、单选题（共10题,每题2分,共20分） 1. 可实现有源逆变的电路为( )。（2分） A.单相半波可控整流电路， B.三相半波可控整流桥带续流二极管电路， C.单相全控桥接续流二极管电路， D.三相半控桥整流电路。.★标准答案：B 2. 晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（）。（2分）A.电阻 B.电 容 C.电 感 D.阻容元件 .★标准答案：A 3. 当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( ) （2分） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不 定 .★标准答案：B 4. 单相全控桥式带电阻性 负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）（2分） A.90° B.120° C.150° D.180° .★标准答案：D 5. 有源逆变电路中，晶闸管大部分时间承受正压，承受反压的时间为（）。（2分）A.π－β B.30 °+β C. 10°+β D.β .★标准答案：D 6. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（2分） A.0~90° B.0~180° C.90°~180° D.180°~360° .★标准答案：A 7. 单相全控桥，带反电动势负载，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ为（2分） A.π-α-δB .π-α+δ C.π-2αD .π-2δ .★标准答案：A 8. 下列几种电力电子器件 中开关频率最高的是( ) （2分） A.功率晶体管 B.IGBT C.功率MOSFET D.晶闸管 .★标准答案：C 9. 三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，α的移相范围( )。（2分） A.0o--60o； B. 0o--90o； C.0o --120o； D.0o--1 50o； .★标准答案：C 10. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和( )。（2分）A.单极性 B.多极性 C.三极性 D.四极性 .★标准答案：A 二、填空题（共10题,每题2分,共20分） 1. 单相交流调压电路电阻负载时移相范围是____________，电感负载时的移相范围是____________ （2分） .★标准答案：1. 0～π;2. 0～π; 2. 正弦脉宽调制（SPWM）技术运用于电压型逆变电路中，改变____________可改变逆变器输出电压幅值；改变____________可改变 电工与电子技术试题 一、填空题（每空 1 分） 1、若各门电路的输入均为 A 和 B，且 A=0，B=1；则与非门的输出为 _________，或非门 的输出为 _________。 2、一个数字信号只有 ________种取值，分别表示为 ________ 和________。 3、模拟信号是在时间与幅值上 ________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________和________。 5、二进制数 A=1011010；B=10111，则 A - B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与 ________无关。 7、将________变成 ________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻 RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是 ______；流过二极管的平均电流是 ______；二极管承受的最高反向 电压是 ______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数 Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和 _。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100, 总的放大倍数是_。 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.360docs.net/doc/2411228280.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.360docs.net/doc/2411228280.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.360docs.net/doc/2411228280.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.360docs.net/doc/2411228280.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.360docs.net/doc/2411228280.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；电力电子技术-模拟试题2-试卷
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