北京邮电大学1997年试题 TTL与非门的开门电平和关门电平的大小

北京邮电大学1997年试题 TTL与非门的开门电平和关门电平的大小
北京邮电大学1997年试题 TTL与非门的开门电平和关门电平的大小

北京邮电大学1997年试题TTL与非门的开门电平和关门电平的大小,将直接影响器件的哪个性能指标?

(A)抗干扰能力(B)输出电平(C)高电平负载能力(D)扇出系数

【分析】

TTL与非门的电路图和电路符号如图3.14所示,与非门的与功能由多发射极管T1来实现的。T1的射极是与的输入端,T1的集极是与的输出。

(a)电路图(b)电路符号图3.14

简化的TTL与非门

下面列出了TTL与非门的参数。

空载导通功耗PcTTL门在静态未带负载时的功耗(功耗指器件在工作时所消耗的功率)。由于输出为低电位时的静态功耗大于输出为高电位的功耗,故常测输出为低电位时的功耗(导通功耗)。

输入短路电路IISIIS是指当一个输入端接地,而其他输入端开路时,流向接地端的电流。

输入开门电平V on和输入关门电平V off

开门电平V on指的是:当电路输出端接额定负载时,使电路输出端处于低电位状态所允许的最小输入电压。

关门电平V off指的是:当电路输出端接额定负载时,使电路输出端处于高电位状态所允许的最大输入电压。

关门电平和开门电平越靠近,越接近同一个数值(阈值电压),说明传输特性曲线越接近理想特性,并且抗干扰能力越强。

输出高电平VOH和输出低电平VOL

输出高电平VOH的测试方法:输入端全接地,输出端空载条件下测得的输出端电

压称为输出高电平VOH。

输出低电平VOL的测试方法:输入端为开门电平,输出端接316Ω负载电阻条件下测得的输出端电压称为输出低电平VOL。

输入漏电流IIH

IIH指当一个输入端接高电位,而其他输入端接地时的输入电流。

扇入系数和扇出系数

扇入系数指门的输入端数,扇出系数指一个门能够驱动同类型门的个数。

传输延时tpd和速度-功耗积

传输延时是指与非门输出波形相对于输入波形的延时,如图3.15所示。输出波形下降沿的50%相对输入波形上升沿的50%之间的时间间隔叫做导通延时tpHL;输出波形上升沿的50%相对输入波形下降沿的50%之间的时间间隔叫做关闭延时tpLH;平均传输延时(简称传输延时)tpd=(tpHL+tpLH)/2。

TTL门的传输延时在3ns到40ns之间。

延迟时间

门的传输延时和空载导通功耗的乘积称为速度-功耗积,其值越小越好。

【解答】

由分析部分得知,开门电平和关门电平的大小影响器件的抗干扰能力,所以本题的答案为(A)。

【扩展】

集电极开路输出的TTL门电路也称OC门。集电极开路输出与非门称为开路与非门。集电极开路与非门有以下特点:

①可以对它们进行线与逻辑(形如F=A·B·…·M的逻辑)。几个OC与非门输出直接相连,构成线与逻辑。例如,两个OC与非门输出相连构成一个与或非门,即:

注意,形如F=A+B+…+M的逻辑叫线或逻辑,例如F=(AB)+(CD)是(AB)与(CD)进行线或操作。

②电路的上升延迟变大

摘要:提出了在TMS320C6000系列DSP上应用McBSP实现I2C总线接口协议的方法,使DSP可以接入其他需要I2C总线配置的智能器件,系统结构简单,硬件设计容易,资源消耗小。

关键字:I2C总线 GPIO McBSP DSP

1 引言

TI公司的TMS320C6000[1,2]系列是高性能的DSP,可广泛的用于XDSL、无线基站、数字图像处理等方面。在进行数字图像处理时,通常需要视频解码器诸如SAA7111A之类的模拟视频前端,而大多数的视频解码器进行初始化通常是通过两线的I2C总线接口,但是现在的DSP和MCU大部分都没有I2C总线接口,在这种情况下我们可以应用两个通用的IO线,通过软件的方法来模拟I2C总线的协议,继而完成I2C总线的接口。在TMS320C6000中通常都有两个或两个以上的多通道缓冲串行接口McBSP,McBSP不仅可以配制成串行接口还可以独立的配制成通用的输入(GPI)、输出(GPO)和输入输出端口(GPIO)。

I2C[3]串行总线是用双向数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)两根信号线,在连接到该总线的器件之间传送信息。总线上的每个器件均可设置一个唯一地址,然后根据所设的功能进行信息的发送或接收。除了作为发送器和接收器以外,在执行数据传输时,总线的器件还可以设定为主控器和受控器。通常由主控器启动总线上的数据传输,并产生数据传输所需的时钟信号。而被其寻址的其它器件均为受控器,这意味着总线上可连接多个有控制总线的器件。

I2C总线上的数据传输率为100kbit/s,快速方式下可达400kbit/s。连接到总线上的器件数仅受400pF的总线电容的限制。同时,为了避免总线信号的混乱,要求连接到总线上的各器件输出端必须是集

电极开路或漏极开路,以便产生“线与”功能。I2C总线上的SDA和SCL线都是双向传输线,它们可通过一个电阻连接到正电源端,当总线处于空闲状态时,两条线均为高电平。

2 硬件设计

I2C总线的硬件设计非常方便,只需要将SDA 和SCL连接即可,在I2C总线上只允许有一个主控器,其余的都是受控器。当节点的个数大于了400pF的限制时,可以通过总线驱动器如82B715来进行总线扩展。连接见图1

3 软件设计

3.1 McBSP的配置

I2C总线应用McBSP的两个管脚,首先禁用McBSP功能以便将McBSP的管脚配制成GPI、GPO、GPIO。本文应用McBSP0的CLKX0作为I2C总线的SCL,FSX0作为I2C总线的SDA,McBSP的DX,DR,通常不能配置成I2C的SDA,因为SDA是双向的,而DX,DR只能配制成单一的输入或输出。

配置代码如下:

McBSP0_SPCR=0x00000000;//McBSP0 发送和接收复位

McBSP0_PCR=0x00003F00;// McBSP0的所有的管脚都配置为GPIO,CLKX0和FSX0为输出

对于主机来说SCL总是输出,所以它的方向是保持不变的,SCL应该输出0,1作为接口的时钟,为了实现此功能我们定义一个宏(MACROS):SET_SCLHI( ) SET_SCLLO( )

#define Set_SCLHi( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA |= 0x00000002

#define Set_SCLLo( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA &= 0Xfffffffd

I2C总线的数据线SDA当写的时候是输入,读的时候是输出。为了改变SDA的方向可以定义Set_SDADirOut( ) Set_SDADirIn( )

#define Set_SDADirOut( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA | = 0x00000800

#define Set_SDADirIn( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA &= 0xFFFFF7FF

SDA应该依照数据位的0,1来变化,为了输出1,0定义Set_SDAHi( ) Set_SDALo( )

#define Set_SDAHi( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA |= 0x00000008

#define Set_SDALo( ) McBSP0_SPSA = PCR; McBSP0_SPSA &= 0xFFFFFFF7

定义好之后可以模拟I2C总线的协议进行传送,例如在SAA7111A上的I2C总线接口是用来对SAA7111A进行初始化用的,SCL的频率可以从0到400KHZ,为了控制SCL的频率可以应用DSP的TIMER0来控制。

当CPU为100MHZ时:

TCR = 0x00000010; // 停止 TIMER0 and TDDR=0

PRD = 6249; // TIMER0 rate = CPU-Frequency/(PDR+1) = 100MHz/6250 = 16kHz

...

TCR &= 0xFFFFFFEF; // 开始 TIMER0

3.2 I2C总线协议编程

3.2.1 I2C总线协议读写数据流的编程

为了进行I2C总线的通讯,我们选用每位数据流4帧(FRAMES),以便延迟和噪声干扰最小,4帧每位的数据流保证了SDA不会变化在SCL的边沿处,仅仅允许数据变化在FRAME0,读仅在FRAME2。如图2所示

I2C总线的写程序如下

void I2CWrite(unsigned int WriteBit)

{Set_SDADirOut( ); // 设置SDA为输出

switch(FrameCount)

{

case(0): // 起始帧

Set_SCLLo( ); // SCL 为 0

if (WriteBit == 0) // SDA = WriteBit

Set_SDALo( );

else

Set_SDAHi( );

break;

case(3): // 第4帧

Set_SCLLo( ); //

break;

default: // 在第2,3帧

Set_SCLHi( ); // SCL 为 1

}

FrameCount += 1; // 帧计数

if (FrameCount > 3)

{

FrameCount = 0;

BitIndex = (BitIndex >> 1); } // 准备下一个发送位

}

I2C总线的读程序与写程序很类似,只需要改变SDA为输入即可。

3.2.2 I2C总线的开始位和停止位的编程

I2C总线的开始位和停止位有3帧产生,在I2C总线传输过程中,仅当总线空闲(SCL线和SDA线均为高电平)时,数据传送才能开始,此时总线上的任何器件均可以控制总线。其中当SCL线为高电平且SDA线由高变低时为开始条件;而当SCL线为高电平且SDA线由低变高时为结束条件。如图3所示

开始位:

void I2CSTA ( )

{ // I2C 开始位

Set_SDADirOut ( );//定义SDA为输出switch ( FrameCount )

{

case (1): // 第2帧

Set_SCLHi ( );

Set_SDALo( );

break;

case (2): // 第三帧

Set_SCLLo ( );

Set_SDALo( );

break;

default: // 第一帧

Set_SCLHi ( );

Set_SDAHi ( );

}

FrameCount += 1; // 帧计数

if ( FrameCount > 2 )

{

FrameCount = 0;

BitIndex = 0x0080; } // 定义的低8位

}

停止位的编程方法只需要按照上面所说的将SCL线为高电平且SDA线由低变高即可。

3.2.3 I2C总线的数据格式

起始位受控器件地址读写控制位0/1 应答位数据应答位…停止位

I2C总线数据传输格式[3]如图4。其中第一部分为数据传输起始信号,即由此开始进行数据传送;第二部分为受控器地址,用来选择向哪个受控器传送数据;第三部分为读/写控制位,用于指示受控器的工作方式,0表示写,1表示读;第四部分是被主控器选中的受控器向主控器回传的确认信号;第五部分是所传送的数据,每传送一个字节数据,都要求有一个应答位;第六部分是数据传输的结束信号。每个具有I2C 总线接口的受控器件都有唯一固定的地址,当主控器发送数据时,I2C总线上挂接的受控器件都会将主控器发出的、位于起始信号后的8位地址信息与自己的地址进行比较,如果两者相同,则认为该受控器件被选中,然后按照读/写位规定的工作方式接收或发送数据。可以应用上面的程序来按照I2C总线的数据格式进行数据传送。

4 结论

应用DSP的McBSP来设计I2C总线接口,硬件接口简单,调试方便,并且可以节省硬件的花费,此方法已经应用在基于DSP的图像匹配机中,方法可行,并运行可靠

CMOS TTL电平标准

TTL电平和CMOS电平总结 1,TTL电平: 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2,CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3,电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接时需要电平的转换 4,OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5,TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压。 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 3)在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS 电路的电源。 6,COMS电路的使用注意事项 1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 2)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 7,TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2)在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门电路就不用考虑这些了。 8,TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出

实验二 TTL与非门电路参数测试

实验二 TTL 与非门电路参数测试 一、实验目的 ·掌握TTL 与非门主要参数的测试方法。 ·掌握TTL 与非门电压传输特性的测试方法。 ·熟悉集成元器件管脚排列特点。 二、实验原理 TTL 集成与非门是数字电路中广泛使用的一种基本逻辑门,使用时必须对它的逻辑功能、主要参数和特性曲线进行测试,以确定其性能好坏。 本实验采用TTL 集成元器件74LS00与非门进行测试。它是一个2输人端4与非门,形状为双列直插式,逻辑表达式为F =A ·B ,其逻辑符号及外引线排列图如图 1—1(a)(b)(c)(d)所示。

1.TTL与非门主要参数 (1)输出高电平V OH和输出低电平V OL V OH是指与非门一个以上的输入端接低电平或接地时,输出电压的大小。此时门电路处于截止状态。如输出空载,V OH必须大于标准高电平(V SH=2.4V),一般在3.6V左右。当输出端接有拉电流负载时,V OH将降低。 V OL是指与非门的所有输人端均接高电平时,输出电压的大小。此时门电路处于导通状态。如输出空载,V OL必须低于标准低电平(V SL=0.4V),约为0.1V左右。接有灌电流负载时,V OL将上升。 (2)低电平输入电流I IL I IL是指当一个输入端接地,而其他输入端悬空时,输入端流向接地端的电流,又称为输入短路电流。I IL的大小关系到前一级门电路能带动负载的个数。 (3)高电平输入电流I IH I IH是指当一个输入端接高电平,而其他输入端接地时,流过接高电平输入端的电流,又称为交叉漏电流。它主要作为前级门输出为高电平时的拉电流。当I IH太大时,就会因为“拉出”电流太大,而使前级门输出高电平降低。 (4)输入开门电平V ON和关门电平V OFF V ON是指与非门输出端接额定负载时,使输出处于低电平状态时所允许的最小输入电压。换句话说,为了使与非门处于导通状态,输入电平必须大于V ON。 V OFF是指使与非门输出处于高电平状态所允许的最大输人电压。 (5)扇出系数N0 N0是说明输出端负载能力的一项参数,它表示驱动同类型门电路的数目。N0的大小主要受输出低电平时,输出端允许灌人的最大电流的限制,如灌人负载电流超出该数值,输出低电平将显著抬高,造成下一级逻辑电路的错误动作。

实验一--TTL门电路参数测试实验复习进程

实验一--T T L门电路参数测试实验

实验一 TTL门电路参数测试实验 一、实验目的 1.掌握TTL集成与非门的主要性能参数及测试方法。 2.掌握TTL器件的使用规则。 3.熟悉数字电路测试中常用电子仪器的使用方法。 二、实验原理 本实验采用二输入四与非门74LS00(它的顶视图见附录),即一块集成块内含有四个相互独立的与非门,每个与非门有两个输入端。其逻辑框图如下: 图1-1 74LS00的逻辑图图1-2 I is的测试电路图TTL集成与非门的主要参数有输出高电平V OH、输出低电平V OL、扇出系数N0、电压传输特性和平均传输延迟时间t pd等。 (1)TTL门电路的输出高电平V OH V OH是与非门有一个或多个输入端接地或接低电平时的输出电压值,此 时与非工作管处于截止状态。空载时,V OH的典型值为3.4~3.6V,接有 拉电流负载时,V OH下降。 (2)TTL门电路的输出低电平V OL

V OL是与非门所有输入端都接高电平时的输出电压值,此时与非工作管 处于饱和导通状态。空载时,它的典型值约为0.2V,接有灌电流负载 时,V OL将上升。 (3)TTL门电路的输入短路电流I is 它是指当被测输入端接地,其余端悬空,输出端空载时,由被测输入端 输出的电流值,测试电路图如图1-2。 (4)TTL门电路的扇出系数N0 扇出系数N0指门电路能驱动同类门的个数,它是衡量门电路负载能力的一个参数,TTL集成与非门有两种不同性质的负载,即灌电流负载和拉电流负载。因此,它有两种扇出系数,即低电平扇出系数N0L和高电平扇出系数N0H。通常有I iHN0L,故常以N0L作为门的扇出系数。 N0L的测试电路如图1-3所示,门的输入端全部悬空,输出端接灌电流负载R L,调节R L使I OL增大,V OL随之增高,当V OL达到V Olm(手册中规定低电平规范值为0.4V)时的I OL就是允许灌入的最大负载电流,则 N0L=I OL÷I is,通常N0L>8 (5)TTL门电路的电压传输特性 门的输出电压V o随输入电压V i而变化的曲线V o=f(V i)称为门的电压传输特性,通过它可读得门电路的一些重要参数,如输出高电平V OH、输出低电平V OL、关门电平V off、开门电平V ON等值。测试电路如图1-4所示,采用逐点测试法,即调节R w,逐点测得V i及V o,然后绘成曲线。

厦大数电实验二TTL与非门电路参数测试

实验二 TTL 与非门电路参数测试 一、实验目的 1、掌握TTL 与非门参数的物理意义。 2、掌握TTL 与非门参数的测试方法。 3、了解TTL 与非门的逻辑功能。 二、实验原理 7400是TTL 型中速二输入四与非门。下图为其内部电路原理图和管脚排列图。 TTL 内部原理图 管脚排列图 1.与非门参数 (1)输入短路电流I IS : 与非门某输入端接地时,该输入端流入地的电流. (2)输入高电平电流I IH : 与非门某输入端接Vcc ,其他输入端悬空或接Vcc 时,流入该输入端的电流. (3)开门电平V ON : 使输出端维持V OL 所需的最小输入高电平,通常以Vo=0.4V 时的Vi 定义。 (4)关门电平V OFF : 使输出端维持V OH 所允许的最大输入低电平,通常以Vo=0.9V OH 时的Vi 定义。 阈值电平V T :V T =(V OFF +V ON )/2

(5)开门电阻R ON 某输入端对地接入电阻,使输出端维持低电平所需的最小电阻值。 (6)关门电阻R OFF 某输入端对地接入电阻,使输出端维持高电平所允许的最大电阻值。 TTL 与非门输入端的电阻负载特性曲线: (7)平均传输延迟时间t pd : 开通延迟时间t OFF :输入正跳变上升到1.5V 相对输出负跳变下降到1.5V 的时间间隔;关闭延迟时间t ON :输入负跳变下降到1.5V 相对输出正跳变上升到1.5V 的时间间隔;平均传输延迟时间:开通延迟时间与关闭延迟时间的算术平均值,t pd =(t OFF +t ON )/2。 2.与非门电压传输特性: 3.TTL 与非门的逻辑特性: 三、实验仪器

TTL电平与COMS电平常识性概念

电路常识性概念(TTL与CMOS)--非常好 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V, 输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5V CMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3V CMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O 口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 三.74系列简介

实验31 TTL与非门参数测试及使用

第三部分数字电路实验 实验3.1 TTL与非门参数测试及使用 [要点提示] 一、实验目的 二、实验预习要求 三、实验原理 四、实验仪器设备 五、练习内容及方法 六、实验报告 七、思考题 [内容简介] 一、实验目的 1.掌握TTL集成与非门的逻辑功能和主要参数的测试方法。 2.掌握TTL器件的使用规则。 3.熟悉数字电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验预习要求 1.了解数字实验箱的基本结构及使用方法。 2.了解TTL与非门主要参数的定义和意义。 3.熟悉各测试电路,了解测试原理及测试方法。 4.熟悉TTL与非门74LS00的外引线排列。 5.自拟实验步骤和数据表格。 三、实验原理 1.TTL与非门的主要参数 TTL与非门具有较高的工作速度、较强的抗干扰能力、较大的输出幅度和负载能力等优点,因而得到了广泛的应用。 (1)输出高电平VoH:输出高电平是指与非门有一个以上输入端接地或接低电平时的输出电平值。空载时,VOH必须大于标准高电平(VSH=2.4 V),接有拉电流负载时,VOH将下降。测试VOH的电路如图1、1所示。

图1、1 VOh 的测试电路图1、2 VOL的测试电路 (2)输出低电平VOL:输出低电平是指与非门的所有输入端都接高电平时的输出电平值。空载时,VOL 必须低于标准低电平(VsL=O.4 V),接有灌电流负载时,VOL将上升。测试VoL电路如图1、2所示。(3)输入短路电流IIS:输入短路电流IIS是指被测输入端接地,其余输入端悬空时,由被测输入端流出的电流。前级输出低电平时,后级门的IIS就是前级的灌电流负载。一般IIS<1.6mA。测试IIS的电路见图1、3所示。 (4)扇出系数N:扇出系数N是指能驱动同类门电路的数目,用以衡量带负载的能力。图1、4所示电路能测试输出为低电平时,最大允许负载电流IOL,然后求得N=IOL/IIS。一般N>8的与非门才被认为是合格的。 图1、3 IIS的测试电路图1、4 扇出系数N的测试电路 2.TTL与非门的电压传输特性 利用电压传输特性不仅能检查和判断TTL与非门的好坏,还可以从传输特性上直接读出其主要静态参数,如VOH、VOL、VON、Voff、VNH和VNL,如图1-5所示。传输特性的测试电路如图1、6所示。

TTL与CMOS与RS232电平区别

什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平? 它们有什么区别呢?一般说来,CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。(一)、TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V,高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 (二)、CMOS电平标准 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. 由于CMOS电源采用12V,则输入低于3.6V为低电平,噪声容限为1.8V,高于3.5V为高电平,噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 (三)、RS232标准 逻辑1的电平为-3~-15V,逻辑0的电平为+3~+15V,注意电平的定义反相了一次。 TTL与CMOS电平使用起来有什么区别 1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是 2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。 2.电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而CMOS一般在10毫安左右。 3.需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS几乎不需要电流输入。 4.很多器件都是兼容TTL和CMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常,因为有些TTL电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。 1.TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH:逻辑电平1的输出电压

TTL与非门参数测试

一. 实验目的 1)熟悉TTL与非门集成电路的外形和管脚引线排列。 2)通过测试了解与非门的直流参数 3)加深对与非门逻辑功能的认识 二. 实验仪器(点击可看到图片) 1. xst-6D电子技术综合实验装置 2. 500型万用表 3. DS1052E (点击可阅读使用手册) 4. 元件:74LS20 三. 预习要求 1. 复习《数字电子技术基础》相关内容 2. 了解74ls20的逻辑功能和管脚排列; 3.ICCL, IIL, IIH, IOL, No,tpd是什么? 4. 与非门在什么条件下输出高电平?什么情况下输出低电平?不用的输入端怎么处理? 5. TTL电路,如果某输入端悬空,则相当于给该输入端输入了什么电平的信号? 6. 请说明用直流电流表测电路的某个支路电流时关键步骤和应注意的事项? 四. 实验原理、步骤 首先,根据逻辑功能检查与非门是否良好。 1. 测量下列各直流参数: 1)低电平输出时的电源电流ICCL。 门电路的信号输入、输出脚悬空,这时门电路的输出处在低电平状态,这时,用直流电流表测出IC的Vcc脚的电流。 2)低电平输入电流IIL。

3)高电平输入电流IIH。 4)电压传输特性。 Uon:表示与非门输出低电平时,允许输入的高电平的电压值的最小值,在图上求出。(即在VOL=0.4V时,求Vi) Uoff:表示与非门输出高电平时,允许输入的低电平的电压值的最大值,在图上求出。(即在VoH=2.4V时,求Vi) 5)扇出系数No

得出的小数要圆整 6)平均传输延迟时间tpd。 我们把输出电压波形滞后于输入电压波形的时间叫传输延迟时间(见《数字电子技术基础》门电路)。有两个重要参数tPHL,tPLH, 五. 报告要求 1)列出直流参数的实测数据表格,,与出厂参数相比,判断参数是否合格。 2) 一个该非门能驱动多少个TTL门电路?假设LED的工作电流是20mA,他可以用该门电路直接驱动吗(画出该电路)? 3) 画出传输特性,确定VOFF、VON、VOL、VOH值 4)列出与非门的实测数据表格,看逻辑关系是否相符。 5)什么是集成电路?74LS20、CD4007(下次实验用)各属于哪种类型的集成电路? 6)PCB是什么?列出英文全称。

什么是TTL电平

什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别 (一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。 (三)TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。 CMOS电平: 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH 要大于VIH,是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳定,或者不同批次的器件就不能运行。 例如:74LS的器件的输出,接入74HC的器件。在一般情况下都能好好运行,但是,在参数上却是不匹配的,有些情况下就不能运行 ttl与coms电平使用起来有什么区别

什么是TTL电平脉冲信号

什么是TTL电平脉冲信号? TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部 分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的,首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低,另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者,计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的,而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下,是采用并行数据传输方式,而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。 因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题,这些问题对可靠性均有影响;另外对于并行数据传输,电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。 ***************************************************************************************** TTL电平是什么? TTL电平就是高为5V,低接近于0V的脉冲信号 TTL是早期使用的门电路的技术结构,指的是采用双极形晶体管组成的开关管的构成门电路 双极形晶体管,就是采用锗、硅等常规电流控制三极管原理——不同于现在常用的场效应原理. TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写(Transister-Transister-Logic ),是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点。从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。 第一代TTL包括SN54/74系列,(其中54系列工作温度为-55℃~+125℃,74系列工作温度为 0℃~+75℃) ,低功耗系列简称lttl,高速系列简称HTTL。 第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL)。 第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL(ALSTTL)。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小,STTL和ASTTL速度很快,因此获得了广泛的应用 ****************************************************************************************************************** 什么是TTL电平,什么是CMOS电平,他们的区别? TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严

TTL集成与非门主要参数的测试

实验一TTL与非门的静态参数测试 一、实验目的 1. 掌握TTL与非门电路主要参数和电压传输特性的测试方法。 2. 熟悉数字电路试验箱、数字万用表的使用。 二、实验仪器及器件 1.数字电路试验箱、万用表、示波器 2.器件:74LS00X 2.电阻:560Ω X1,1OkXI 三、实验内容和结果 1.低电平输出电源电流I CCL和高电平输出电源电流I CCH及静态平均功耗P?: 与非门处于不同的工作状态,电源提供的电流是不同的。 I CCL:指所有输入端悬空,输出端空载时,电源提供器件的电流.也称空 载导通电流.测试电路如图(一)(a)所示。 I CCH:指输出端空载,每个门各有一个以上的输入端接地,其余输入端悬 空,电源提供器件的电流。也称空载截止电流,电路如图(二)(b)所示。 P?:为电路空载导通功耗P on和空载截止功耗P off的平均值,其值为: p?=pp oooo+pp oooo2=VV CCCC II CCCCCC+VV CCCC II CCCCCC2(通常P on>P off) (a)(b) 图(一) 2.输入短路电流I IS和输入漏电流I IH: I IS:(或I IL)指被测输入端接地,其余输入端和输出端悬空时.由被测输 入端流出的电流。也称低电平输入电流。在由多级门构成的电路中,I IS 相当前级门输出低电平时,后级向前级门灌入的电流。因此.I IS越小, 前级门带负载的个数就越多。测试电路如图(二)(a)所示。 I IH:指被测输入端接高电平,其余输入端接地,输出端悬空时,流入 被测输入端的电流。也称高电平输入电流。在由多级门构成的电路中, 它相当于前级门输出高电平时,前级门的拉电流负载。I IH越小,前级门

各种电平_TTL电平、CMOS电平、RS232通信电平的概念及区别

TTL电平、CMOS电平、RS232电平 电平的概念: 什么是电压、电流、电功率?无线电爱好者都十分清楚。而谈及“电平”能说清楚的人却不多。尽管人们经常遇到,书刊中亦多次谈起电路中的高电平、低电平、电平增益、电平衰减,就连电工必备的万用表上都有专测电平的方法和刻线,而且“dB”、“dBμ”、“dBm”的字样也常常可见。尽管如此,因“电平”本身概念抽象,更无恰当的比喻,故人们总是理解不清、记忆不深。 人们在初学“电”的时候,往往把抽象的电学概念用水的具体现象进行比喻。如水流比电流、水压似电压、水阻喻电阻。解释“电平”不妨如法炮制。我们说的“水平”,词典中解释与水平面平行、或在某方面达到一定高度,引申指事物在同等条件下的比较结论。如人们常说到张某工作很有水平、李某办事水平很差。这样的话都知其含义所在。即指“张某”与“李某”相比而言。故借“水平”来比喻“电平”能使人便于理解。 什么是“电平”?“电平”就是指电路中两点或几点在相同阻抗下电量的相对比值。这里的电量自然指“电功率”、“电压”、“电流”并将倍数化为对数,用“分贝”表示,记作“dB”。分别记作:10lg(P2/P1)、20lg(U2/U1)、20lg(I2/I1)上式中P、U、I分别是电功率、电压、电流。 使用“dB”有两个好处:其一读写、计算方便。如多级放大器的总放大倍数为各级放大倍数相乘,用分贝则可改用相加。其二能如实地反映人对声音的感觉。实践证明,声音的分贝数增加或减少一倍,

人耳听觉响度也提高或降低一倍。即人耳听觉与声音功率分贝数成正比。例如蚊子叫声与大炮响声相差100万倍,但人的感觉仅有60倍的差异,而100万倍恰是60dB。 一、TTL电平: TTL 电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑“1”,0V等价于逻辑“0”,这被称做TTL(Transistor- Transistor Logic 晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL 电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的,首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低,另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路;再者,计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的,而TTL 接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下,是采用并行数据传输方式,而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题,这些问题对可靠性均有影响。 TTL输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 TTL电路是电流控制器件,TTL电路的速度快,传输延迟时间短

ttl与非门的静态参数测试

实验一TTL 与非门的静态参数测试实验报告 By kqh from SYSU 一、实验数据及数据分析 1.低电平输出电源电流I CCL和高电平输出电源电流I CCH及静态平均功耗P: I CCL: 测试电路如图1(a)所示,测得I CCL为 I CCH: 测试电路如图1(b)所示,测得I CCH为mA P: P===W= 图1(a) 图1(b) 数据分析:低电平输出电源电流I CCL比高电平输出电源电流I CCH高,符合理论预测。 2.输入短路电流I IS和输入漏电流I IH: I IS(或I IL): 测试电路如图2(a)所示,测得I IS为 I IH: 测试电路如图2(b)所示,电流过小,多用电表无测量示数 图2(a) 图2(b) 数据分析:输入短路电流I IS和输入漏电流I IH分别是和无示数,均比较小,说明前级门电路带负载的个数较多。

3.输出高电平U OH及关门电平U off 测试电路如图3所示,测得U OH为 则当输出电压为90%U OH()时,测得输入电压(即关门电压)为 图3 4.输出低电平U OL及开门电平U on 测试电路如图4所示,测得U OL为 调整输入电压,测得开门电平U on为 图4 数据分析:综合实验3、4可知,74LS00 的跳变电压在在之间,高电平为,低电 平为。 5. u i(V) 0 U0(V) u i(V) U0(V)

u i (V) 2 3 4 U 0(V) 用MATLAB 拟合,u 0关于u i 的函数图像,如图5所示 0.511.522.533.54TTL 与非门的电压传输特性 v o v i 图5 图像分析:在高电平输出范围内,随输入电平增大,输出电平轻微减小;在低电平输出范围内,输出电平基本不随输入电平变化而变化。输入电平在左右时,输出电平出现跳跃,与实验3、4结果基本相符 6. 平均传输延迟时间t pd 测试电路如图6(a)所示,输出波形如图6(b)所示。 图6(a)

TTL电平与RS232电平的区别

TTL电平与RS232电平的区别 工作中遇到一个关于电平选择的问题,居然给忘记RS232电平的定义了,当时无法反应上来,回来之后查找资料才了解两者之间的区别,视乎两年多的时间,之前 非常熟悉的一些常识也开始淡忘,这个可不是一个好的现象.:-),还是把关于三种 常见的电平的区别copy到这里.做加深记忆的效果之用.. 什么是TTL电平、CMOS电平、RS232电平?它们有什么区别呢?一般说来,CMOS电平比TTL电平有着更高的噪声容限。 (一)、TTL电平标准 输出L:<0.8V ;H:>2.4V。 输入L:<1.2V ;H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V,高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 (二)、CMOS电平标准 输出L:<0.1*Vcc ;H:>0.9*Vcc。 输入L:<0.3*Vcc ;H:>0.7*Vcc. 由于CMOS电源采用12V,则输入低于3.6V为低电平,噪声容限为1.8V,高于3.5V为高电平,噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 (三)、RS232标准 逻辑1的电平为-3~-15V,逻辑0的电平为+3~+15V,注意电平的定义反相了一次。 TTL与CMOS电平使用起来有什么区别 1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是 2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考。 2.电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而CMOS一般在10毫安左右。 3.需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS几乎不需要电流输入。 4.很多器件都是兼容TTL和CMOS的,datasheet会有说明。如果不考虑速度和性能,一般器件可以互换。但是需要注意有时候负载效应可能引起电路工作不正常,因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为负载才能正常工作。 1.TTL电路和CMOS电路的逻辑电平 VOH: 逻辑电平1 的输出电压 VOL: 逻辑电平0 的输出电压 VIH : 逻辑电平1 的输入电压 VIH : 逻辑电平0 的输入电压

TTL和CMOS的区别(全面-自己整理)

TTL和CMOS的区别 TTL和COMS电平比较: (一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 (二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。 (三)TTL电平标准 输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。 输入 L: <1.2V ; H:>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。 CMOS电平: 输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。 输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc. TTL和COMS电路比较: TTL CMOS TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。 TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。 COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象 总体特性比较: 1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成 https://www.360docs.net/doc/241180066.html,S的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差 4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门) 5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。 3、COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。 防御措施: (1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。 (2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。 (3)、在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去。 (4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS 电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。 4、COMS电路的使用注意事项 (1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。 (2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。 (3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。 (4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为 R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。 (5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。 5、TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理): 1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。 COMS门电路就不用考虑这些了。 6、TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,

TTL电平和CMOS电平区别和比较

一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门(transistor-transistor logic gate),TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7*VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3VCMOS可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 三.74系列简介 74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片,74系列中分为很多种,而我们平时用得最多的应该是以下几种:74LS,74HC,74HCT这三种,这三种系列在电平方面的区别如下: TTL和CMOS电平 1、TTL电平(什么是TTL电平): 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。2、CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3、电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。 4、OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才

TTL_CMOS电平标准

TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定,+5V等价于逻辑"1",0V等价于逻辑"0",这被称做TTL(晶体管-晶体管逻辑电平)信号系统,这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 ************************************************************* TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路(Transistor-Transistor Logic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL(H-TTL)、低功耗型TTL(L-TTL)、肖特基型TTL(S-TTL)、低功耗肖特基型TTL(LS-TTL)五个系列。 1.标准TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小 2.4V,典型值 3.4V,输入低电平 最大0.8V,输出低电平最大0.4V,典型值0.2V(输入H>2V,输入L<0.8V; 输出H>2.4V(3.4V),输出L<0.4V(0.2V)。 2.S-TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小Ⅰ类2.5V,Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值 3.4V,输入低电平最大0.8V,输出低电平最大0.5V。 3.LS-TTL输入高电平最小2V,输出高电平最小Ⅰ类2.5V,Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型 值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V,Ⅱ、Ⅲ类0.8V,输出低电平最大Ⅰ类0.4V,Ⅱ、Ⅲ类0.5V,典型值0.25V。 TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内,扇出数为10个以下TTL门电路。 ********************************************************** COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成电路的英文缩写,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。 COMS电路的供电电压VDD范围比较广在+5~+15V均能正常工作,电压波动允许±10,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数 字地)为逻辑0。CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为0.1Vcc.当输入电压高于VDD-1.5V时为逻辑1,输入电压低于VSS+1.5V(VSS为数字地)为逻辑0 ************************************************************ CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。

_TTL集成逻辑门的逻辑功能与参数测试

实验四 TTL集成逻辑门的逻辑功能与参数测试 一、实验目的 1、掌握TTL集成与非门的逻辑功能和主要参数的测试方法。 2、掌握TTL器件的使用规则。 3、进一步熟悉数字电路实验装置的结构,基本功能和使用方法。 二、实验原理 本实验采用四输入双与非门74LS20,即在一块集成块内含有两个互相独立的与非门,每个与非门有四个输人端。其逻辑框图、符号及引脚排列如图 2—l(a)、(b)、(c)所示: 图2—174LS20逻辑框图、逻辑符号及引脚排列 1、与非门的逻辑功能 与非门的逻辑功能是:当输入端中有一个或一个以上是低电平时,输出端才为高电平;只有当输入端全部为高电平时,输出端才是低电平(即有“0”得“l” 全“l”得“0”) 其逻辑表达式为Y=ABCD 2、TTL与非门的主要参数 (1)低电平输出电源电流I ccL和高电平输出电源电流I ccH 与非门处于不同的工作状态,电源提供的电流是不同的。I ccL是指所有输入端悬空,输出端空载时,电源供给器件的电流。I ccH是指输出端空载,个门各有一个以上的输人端接地,其余输入端悬空,电源提供给器件的电流。通常I ccL>I ccH,它们的大小标志着器件静态功耗的大小。器件的最大功耗为P=V cc I ccL。手册中提供的电源电流和功耗值是指整个器件总的电源电流和总的功耗。II ccL和I ccH测试电路如图2—2(a)(b)所示。 [注意]:TTL电路对电源电压要求较严,电源电压Vcc只允许在十5V土10%的范围内工作,超过5.5V将损坏器件;低于4.5V器件的逻辑功能将不正常。 图2—2 TTL与非门静态参数测试电路图 ②低电平输入电流I iL和高电平输入电流I iH。I iL是指被测输入端接地,其余输入端悬空,输出端空载时,由被测输入端流出的电流值。在多级门电路中,I iL相当于前级门输出低电平时,后级向前级门灌入的电流,因此它关系到前级门的灌电流负载能力,即直接影响前级门电路带负载的个数,因此希望I iL小些。I iH是指被测输入端接高电平,其余输入端接地,输出端空载时,流入被测输入端的电流值。在多级门电路中,它相当于前级门输

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