设计压电传感器的电荷放大、滤波、电压放大电路的

设计压电传感器的电荷放大、滤波、电压放大电路的
设计压电传感器的电荷放大、滤波、电压放大电路的

压电传感器前置放大电路的设计

姓名:陈贤波 学号:SX1201139

一:电荷放大电路

电荷放大器原理:电荷变换是该电荷放大器的核心部分,是一个具有电容负反馈的,输入阻抗极高的高增益运算放大器。它与压电式传感器及其电缆构成的等效电路如图-1所示。

图-1压电式传感器及其电缆构成的等效电路

其中:a C 为压电传感器的等效电容,a R 为压电式传感器的等效绝缘漏电阻,Cc 为电缆等效电容,i C 为放大器的输入电容,i R 为放大器的输入阻抗,f C 为反馈电容,n U 是等效输入噪声电压,off U 是等效输入失调电压。如将f C 折算到输入端,其等效电容为(1+K )

f C ,K 为运放的开环增益。由于反馈电容、传感器电容、电缆电容及放大器电容并联,不

计算噪声和失调电压的影响,电荷放大器的输出电压为

()

运算放大器的开环增益K 很大(约为104

~106

),故f R K /)1(+远大于+,f C K )1(+远

大于,此时, , , 和都可以忽略不计,即压电传感器本身的电容大小和电缆长短对电荷放大器输出的影响可以忽略。

(1)o f

KQ

U C K C =-

++ ()

式中C=a C +Cc +i C 因为放大器是高增益的,K >>1,所以一般情况下(1+K )f C >>C,则有

o f

Q

U C ≈-

()

上式表明,当反馈电容f C 一定时,电荷放大器的输出电压与传感器产生电荷成正比,在实际电路中,考虑到电压灵敏度和量程的问题,一般f C 的值在100~10000pF 范围内选择。 ,本设计选定10000pF ,即10nF 。

当开环增益A 很大,f R K /)1(+远大于+,f C K )1(+远大于不能忽略,(2..19)式可表示为:

jw G C Q C K jw R K

jwKQ U f f f

+-=

+++-=

f 0)1(1 ()

当频率够低时,jw G f 就不能忽略。因此式()是表示电荷放大器的低频响应。F 越

低,f f

C w G =时,其输出电压幅值为:

可以看出,这是截止频率点电压值电压输出值,即相对应的下限截止频率为 f

f H C R f π21

=

若忽略运放的输入电容和输入电导,同时忽f G ,则上限频率为:

)

(21

c S C L C C R f +=

π ()

其中C R 为输入电缆直流电阻,本设计设为30Ω。 本设计选用f R 为1000MEG,经计算z L H f 016.0=。

传感器参数:压电传感器PZT 压电常数 d 33=450PC/N, d 31=-265PC/N, 相对介电常数2100 ,故压电传感器固有电容为:

nF S

C r s 717.30==

δ

εε 若传感器输入电缆分布电容为m pF 100,设有100m ,则nF C c 10=。=H f ×5

10z H 。

要测的信号频率范围:1Hz~5KHz ,故满足要求。

压电传感器PZT压电常数 d33=450PC/N, d31=-265PC/N, 传感器配重10克,加速度范围0~10g,d,电荷G公式为:

本设计选用

33

Q?

=

d

F

33

故所测量的电荷范围为0~441pC。

本设计电荷放大器仿真电路如下图-2所示,仿真结果如图-3所示,结果分析如表-1所示。

图-2 电荷放大器电路

图-3 电压输出仿真

二:滤波电路

在实际检测过程中,由于外部干扰信号、外部环境的变化等因素的影响,噪声信号会叠加在有用的低频信号中在输出端输出。为此,电荷放大器的设计中必须选用一种合适的滤波器对输出信号进行必要的处理。

巴特沃斯型滤波器具有最好的的平坦效应,在通带内和阻带内没有波纹。由于传感器输出的信号很小,本文选用巴特沃斯滤波器。查表得,增益为2时,

图-4低通滤波器

图-5 低通滤波器截止频率为5kHz时幅频特性曲线

由于前面仿真结果有很大的偏置,故本设计需要滤除低频信号,本设计选用最简单的高通滤波器,即一介无源高通滤波器。设计要求信号频率范围是:1Hz~5KHz,根据

RC w c

π21

= ()

选用100uF 的电容,的电阻。

三:反相放大保护输出

此级电路主要作用是实现输出电压信号与电荷信号相位同步和二级放大,由于电荷转换级本身是一个积分器电路,输入输出端的电压相位会反向,保持电荷放大器输出电压和输入电荷成比例放大。因为电路电阻的不完全匹配等问题,电路放大倍数并不十分准确,通过调节该电路对电压进行两级放大和补偿校准,如图-6电路所示,调节电位器1R ,可以使输出电压在增益0~10倍之间任意变化。同时通过输出端的双限稳压管,防止输出电压超出后续接入的PXI 系统输入电压上下限。起到保护数据采集卡的作用。

图-6 反相放大电路

总仿真电路图如图-7所示,仿真结果如图-8所示,结果分析如图-9所示。

图-7总仿真电路图

图-8 最终仿真结果

表-2 最终仿真数据分析

四:数据采集

本设计采用基于PXI采集卡进行采集,软件用Labview进行编程,程序如图-9所示。

图-9 采集程序

传感器实验报告

传感器实验报告(二) 自动化1204班蔡华轩 U2 吴昊 U5 实验七: 一、实验目的:了解电容式传感器结构及其特点。 二、基本原理:利用平板电容C=εA/d 和其它结构的关系式通过相应的结 构和测量电路可以选择ε、A、d 中三个参数中,保持二个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测谷物干燥度(ε变)测微小位移(变d)和测量液位(变A)等多种电容传感器。 三、需用器件与单元:电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、相敏 检波、滤波模板、数显单元、直流稳压源。 四、实验步骤: 1、按图6-4 安装示意图将电容传感器装于电容传感器实验模板上。 2、将电容传感器连线插入电容传感器实验模板,实验线路见图7-1。图 7-1 电容传感器位移实验接线图 3、将电容传感器实验模板的输出端V01 与数显表单元Vi 相接(插入主控 箱Vi 孔),Rw 调节到中间位置。 4、接入±15V 电源,旋动测微头推进电容传感器动极板位置,每间隔 记下位移X 与输出电压值,填入表7-1。

5、根据表7-1 数据计算电容传感器的系统灵敏度S 和非线性误差δf。 图(7-1) 五、思考题: 试设计利用ε的变化测谷物湿度的传感器原理及结构,并叙述一 下在此设计中应考虑哪些因素 答:原理:通过湿度对介电常数的影响从而影响电容的大小通过电压表现出来,建立起电压变化与湿度的关系从而起到湿度传感器的作用;结构:与电容传感器的结构答大体相同不同之处在于电容面板的面积应适当增大使测量灵敏度更好;设计时应考虑的因素还应包括测量误差,温度对测量的影响等

六:实验数据处理 由excle处理后得图线可知:系统灵敏度S= 非线性误差δf=353=% 实验八直流激励时霍尔式传感器位移特性实验 一、实验目的:了解霍尔式传感器原理与应用。 二、基本原理:霍尔式传感器是一种磁敏传感器,基于霍尔效应原理工作。 它将被测量的磁场变化(或以磁场为媒体)转换成电动势输出。 根据霍尔效应,霍尔电势UH=KHIB,当霍尔元件处在梯度磁场中 运动时,它就可以进行位移测量。图8-1 霍尔效应原理

压电式加速度传感器放大电路设计

Southwest University of Science and Technology 信息工程学院 本科课程设计报告 西南科技大学信息工程学院制 2019年01月 课程名称: 电子技术课程设计 设计题目: 加速度传感器放大电路设计 专业班级: 。。。 学生姓名: 。。。 学生学号: 。。。 指导教师: 。。。 教师职称: 。。。 起止日期: 2019.1.7-2019.1.17 学生邮箱: 。。。

西南科技大学 《电子技术课程设计》任务书 专业班级。。。学生姓名。。。学号。。。设计题目加速度传感器放大电路设计 设计任务书设计要求: 1.完成大致方案设计,并合理选择器件。 2.根据器件类型设计出合理的测量电路,并实现电路基本功能。3.实物焊接并调试完成。 4.撰写设计方案、以及详细实现过程。 交稿形式:?手写稿;?打印稿;?软件;?图纸;?其他 指导教师签名: 年月日学生签名: 年月日

学生日志与师生见面情况 时间完成工作进展情况或交流情况师生见面时间地点2019.1.7 分配题目。。。2019.1.8 进行设计准备。。。2019.1.9 设计硬件电路。。。2019.1.10 进行电路分析。。。2019.1.11 完成仿真电路。。。2019.1.12 准备元器件。。。2019.1.13 开始焊接。。。2019.1.14 请教电路疑问。。。2019.1.15 完成实物,并调试。。。2019.1.16 完成实验及实验报告。。。 学生签名: 年月日

西南科技大学信息工程学院 《电子技术课程设计》综合评价表 专业班级。。。学生姓名。。。学号。。。 设计题目加速度传感器放大电路设计 过程评分(占总分比例为40%) 评价环节课程目标指标点分值合格得分小计设计方案目标1 文献阅读,方案比较与方案设计。10 6~10 设计水平任务完成目标2 应用基本原理与技术,展示的设计水 平;软硬件设计、实验或仿真设计与分 析、技术指标完成情况、工作量。 20 12-20 学习意识目标5 自主学习能力、按时完成设计。10 6~10 同意答辩; 不同意答辩。 指导教师签名:年月日 设计报告评分(占总分比例为30%) 评价环节课程目标指标点分值合格得分小计 设计方案设计能力目标1 理论与实践的结合情况,设计的合理 性;应用所学知识解决问题的能力。20 12~20 报告质量目标3 报告撰写、文字、图表及格式的规范性。10 6~10 评阅教师签名:年月日 答辩评分(占总分比例为30 %) 评价环节课程目标指标点分值合格得分小计 任务验收目标2 软硬件设计或仿真实验完成度,指标完 成情况。20 12~20 答辩目标4 陈述效果、回答问题情况;论文文字表 述、逻辑性、图表规范性。10 6~10 答辩小组成员签名: 年月日总评成绩(三项评分和) 备注 说明:(1)评分说明:优:90-100;良:80-89;中:70-79;及格:60-69;不及格:<60。 (2)优秀率:控制在总人数的15-20%之内,并且宁缺毋滥。 (3)课程教学目标根据大纲需求进行调整。

压力传感器工作原理

压力传感器 压力传感器是工业实践、仪器仪表控制中最为常用的一种传感器,并广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。 力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。下面我们主要介绍这类传感器。 1、压阻式压力传感器原理与应用: 压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。压阻式传感器常用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。 压阻效应 当力作用于硅晶体时,晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化,扰动了载流子纵向和横向的平均量,从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异,因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计,前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化,后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化(应变),而且前者的灵敏度比后者大50~100倍。 压阻式压力传感器结构 压阻式压力传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内,引出电极引线。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔,另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形,直径与厚度比约为20~60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥,其中两条位于压应力区,另两条处于拉应力区,相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条,两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。

压电式压力传感器(带信号放大解调滤波电路)

题目:压电式压力传感器的设计 姓名:刘福班级:3 学号:1003030321 专业:测控技术与仪器 目录 引言 第一章传感器基本原理 第二章传感器的基本要求 第三章传感器的结构设计 第四章传感器的参数计算 第五章测量电路信号处理电路 总结 参考文献

一、引言 此次压电式力传感器主要阐述了压电式力传感器的具体设计过程。 设计过程主要包括设计格式、设计要求及设计过程中有关压电式力传感器的设计,还有在整个设计过程中的有关计算、与传感器相连的测试电路。 本压电式传感器采用压缩型单项里传感器结构,利用纵向压电效应进行工作,在设计中压电材料采用石英晶体。由于安装中需施加预紧力,以保证该传感器的线性度良好,故留出一定的过载量,本设计中重点考虑了各部分的面积、刚度等参数,未讨论预紧力的选用范围,可能还存在一些其他因素,如安装误差等可以影响设计传感器的性能,属于正常范围内,使用中可忽略。 压电式传感器的设计,主要是让同学们了解传感器的设计过程,知道如何计算一些参数,如何设计尺寸,如何选择材料,把自己学到的知识熟练灵活的运用起来,活学活用,加深对传感器这门课程的认知。

第一章传感器基本原理 1、基本原理:压电效应 压电式传感器是基于压电效应的传感器。是一种自发电式和机电转换式传感器。它的敏感元件由压电材料制成。压电材料受力后表面产生电荷。此电荷经电荷放大器和测量电路放大和变换阻抗后就成为正比于所受外力的电量输出。常见有以下几种压电效应模型(见图1) 图1 压电效应可分正压电效应和逆压电效应。正压电效应是指:当晶体受到某固定方向外力的作用,内部就产生电极化,同时在某两个表面上产生符号相 反的电荷;当外力撤去后,晶体又恢复到不带电的状态;当外力作用方向改变时,电荷的极性也随之改变;晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。逆压电效应是指对晶体施加交变电场引起晶体机械变形的现象,又称电致伸缩效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。压电敏感元件的受力变形有厚度变形型、长度变形型、体积变形型、厚度切变型、面切变型5种形式。

压力传感器工作原理

压力传感器是工业实践、仪器仪表控制中最为常用的一种传感器,并广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业,下面就简单介绍一些常用传感器原理及其应用。 力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。下面我们主要介绍这类传感器。 1、应变片压力传感器原理与应用: 在了解压阻式力传感器时,我们首先认识一下电阻应变片这种元件。电阻应变片是一种将被测件上的应变变化转换成为一种电信号的敏感器件。它是压阻式应变传感器的主要组成部分之一。电阻应变片应用最多的是金属电阻应变片和半导体应变片两种。金属电阻应变片又有丝状应变片和金属箔状应变片两种。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上,当基体受力发生应力变化时,电阻应变片也一起产生形变,使应变片的阻值发生改变,从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化通常较小,一般这种应变片都组成应变电桥,并通过后续的仪表放大器进行放大,再传输给处理电路(通常是A/D转换和CPU)显示或执行机构。 1.1、金属电阻应变片的内部结构:它由基体材料、金属应变丝或应变箔、绝缘保护片和引出线等部分组成。根据不同的用途,电阻应变片的阻值可以由设计者设计,但电阻的取值范围应注意:阻值太小,所需的驱动电流太大,同时应变片的发热致使本身的温度过高,不同的环境中使用,使应变片的阻值变化太大,输出零点漂移明显,调零电路过于复杂。而电阻太大,阻抗太高,抗外界的电磁干扰能力较差。一般均为几十欧至几十千欧左右。 1.2、电阻应变片的工作原理:金属电阻应变片的工作原理是吸附在基体材料上应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象,俗称为电阻应变效应。金属导体的电阻值可用下式表示: 式中:ρ——金属导体的电阻率(Ω·cm2/m) S——导体的截面积(cm2) L——导体的长度(m)

传感器实验报告

33传感器原理及应用实验报告 实验人:程昌 09327100 合作人:雷泽雨 09327104 理工学院光信息科学与技术 实验时间:2011年5月20日,5月27日 实验地点:1号台 【实验目的】 1.了解传感器的工作原理。 2,掌握声音、电压等传感器的使用方法。 3.用基于传感器的计算机数据采集系统研究电热丝的加热效率。 【实验仪器】 PASCO公司750传感器接口1台,温度传感器1只,电流传感器1只,电压传感器1只,声音传感器1只,功率放大器1台,电阻1只(1k),电容1只(非电解电容,参数不限),二极管1只(非稳压二极管,参数不限),导线若干。 【安全注意事项】 1、插拔传感器的时候需沿轴向平稳插拔,禁止上下或左右摇动插头,否则易损坏750接口。 2、严禁将电流传感器(Current sensor)两端口直接接到750接口或功率放大器的信号输出 端,使用时必须串联300欧姆以上的电阻。由于电流传感器的内阻很小,直接接信号输出端则电流很大,极易损坏。 3、测量二极管特性时必须串联电阻,因为二极管的正向导通电压小于1V,不串联电阻则电 流很大,容易烧毁,也易损坏电流传感器。 【原理概述】 传感器(sensor或transducer)有时亦被称为换能器、变换器、变送器或探测器,是指那些对被测的某一物理量、化学量或生物量的信息具有感受与检出功能,并使之按照一定规律转换成与之对应的有用输出信号的元器件或装置。为了与现代电子技术结合在一起,通常都转换为电信号,特别是电压信号,从而将各种理化量的测量简化为统一的电压测量,易于进一步利用计算机实现各种理化量的自动测量、处理和自动控制。现在,传感技术已成为衡量一个国家科学技术发展水平的重要标志之一,与信息技术、计算机技术并称为支撑整个现代信息产业的三大支柱。有关传感器的研究也得到深入而广泛的关注,在中国期刊全文数据库中可检索到超过2万篇题目中包含“传感器”三字的论文。因此,了解并掌握一些有关传感器的基本结构、工作原理及特性的知识是非常重要的。

第三章习题

第三章思考题 一、选择题 1.电涡流式传感器是利用( A )材料的电涡流效应工作的。 A.金属导体 B.半导体 C.非金属 D. PVF 2 2.为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响,可采用( 3. )。 A.电压放大器 B. 电荷放大器 C.前置放大器 3.磁电式振动速度传感器的数学模型是一个()。 A. 一阶环节 B.二阶环节 C.比例环节 4. 磁电式振动速度传感器的测振频率应()其固有频率。 A.远高于 B.远低于 b C.等于 5. 压电式加速度计,其压电片并联时可提高()。 A.电压灵敏度 B.电荷灵敏度 C.电压和电荷灵敏度 6.下列传感器中()是基于压阻效应的。 A.金属应变片 B.半导体应变片 C.压敏电阻 7.压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的()成正比。 A.位移 B.速度 C.加速度 8.石英晶体沿机械轴受到正应力时,则会在垂直于()的表面上产生电荷量。 A.机械轴 B.电轴 C.光轴 9.石英晶体的压电系数比压电陶瓷的()。 A.大得多 B.相接近 C.小得多 10.光敏晶体管的工作原理是基于()效应。 A.外光电 B.内光电 C.光生电动势 11.一般来说,物性型的传感器,其工作频率范围()。 A.较宽 B.较窄 C.不确定 12.金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。 A.贴片位置的温度变化 B. 电阻丝几何尺寸的变化

C.电阻丝材料的电阻率变化 13.电容式传感器中,灵敏度最高的是()。 A.面积变化型 B.介质变化型 C.极距变化型 14.高频反射式涡流传感器是基于()和()的效应来实现信号的感受和变化的。 A.涡电流 B.纵向 C.横向 D.集肤 15.压电材料按一定方向放置在交变电场中,其几何尺寸将随之发生变化,这称为()效应。 A.压电 B.压阻 C.压磁 D.逆压电 二、填空题 1.可用于实现非接触式测量的传感器有___和___等。 2.电阻应变片的灵敏度表达式为 / 12 / dR R S E dl l υλ ==++,对于金属应变片来说: S=___,而对于半导体应变片来说S=___。 3.具有___的材料称为压电材料,常用的压电材料有___和___。 4.当测量较小应变值时应选用___效应工作的应变片,而测量大应变值时应选用___效应工作的应变片。 5.电容器的电容量0A C εε δ =,极距变化型的电容传感器其灵敏度表达式为:_ __。 6. 极距变化型的电容传感器存在着非线性度,为了改善非线性度及提高传感器的灵敏度,通常采用___的形式。 7.差动变压器式传感器的两个次级线圈在连接时应___。 8.光电元件中常用的有___、___和___。 9.不同的光电元件对于不同波长的光源,其灵敏度是___。 10.发电式传感器(也称能量转换型传感器)有___、___等,而电参量式的传感器(也称能量控制型传感器)主要是___、___和___等。 11.压电传感器在使用___放大器时,其输出电压几乎不受电缆长度变化的影

传感器原理与应用实验报告

传感器原理与应用 实验报告 分校: 班级: 姓名: 学号:

实验一 电阻应变式传感器实验 实验成绩 批阅教师 一. 实验目的 1.熟悉电阻应变式传感器在位移测量中的应用 2.比较单臂电桥、双臂电桥和双差动全桥式电阻应变式传感器的灵敏度 3.比较半导体应变式传感器和金属电阻应变式传感器的灵敏度 4.通过实验熟悉和了解电阻应变式传感器测量电路的组成及工作原理 二.实验内容 1.单臂电桥、双臂电桥和双差动全桥组成的位移测量电路, 2.半导体应变式传感器位移测量电路。 三.实验步骤 1.调零。开启仪器电源,差动放大器增益置100倍(顺时针方向旋到底),“+、-”输入端用实验线对地短路。输出端接数字电压表,用“调零”电位器调整差动放大器输出电压为零,然后拔掉实验线。调零后电位器位置不要变化。 如需使用毫伏表,则将毫伏表输入端对地短路,调整“调零”电位器,使指针居“零”位。拔掉短路线,指针有偏转是有源指针式电压表输入端悬空时的正常情况。调零后关闭仪器电源。 2.按图(1)将实验部件用实验线连接成测试桥路。桥路中R 1、R 2、R 3、和W D 为电桥中的固定电阻和直流调平衡电位器,R 为应变片(可任选上、下梁中的一片工作片)。直流激励电源为±4V 。 图(1) 测微头装于悬臂梁前端的永久磁钢上,并调节使应变梁处于基本水平状态。 3.接线无误后开启仪器电源,预热数分钟。调整电桥W D 电位器,使测试系统输出为零。 1. 旋动测微头,带动悬臂梁分别作向上和向下的运动,以悬臂梁水平状态下电路输出电压为零起点,向上和向下移动各6mm ,测微头每移动1mm 记录一 +

个差动放大器输出电压值,并列表。2.计算各种情况下测量电路的灵敏度S。S=△U/△x 表1 金属箔式电阻式应变片单臂电桥 表2 金属箔式电阻式应变片双臂电桥 表3 半导体应变片双臂电桥

传感器(1)

第一章概述 1、传感器是指能感受规定的被测量并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置,通常由直接响应被测量的敏感元件,产生可用信号输出的转换元件及相应的信号调理电路组成。 1、下列不属于按工作原理进行分类的传感器是(B )。 A 、应变式传感器 B 、化学式传感器 C 、压电式传感器 D 、热电式传感器 第二章传感器的基本特征 1、要实现不失真测量,检测系统的幅频特性为常数,相频特性成线性关系。 2、某传感器为一阶系统,当受阶跃信号作用时,在t=0时,输出为10mv ;t →∞时,输出为100mv ;在t=5s 时,输出为50mv 。则该传感器的时间常数为7.11s 。 3、某温度传感器为时间常数τ =3s 的一阶系统。当传感器受突变温度 作用后,试求传感器指示出温度的3 1所需的时间-3ln 32。

第三章电阻式传感器 2、单位应变引起的电阻值的相对变化量称为电阻丝的灵敏系数。 3、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。其由在弹性元件上的粘贴电阻应变敏感元件构成,弹性元件用来________ ; __________元件用来_____________。 4、减小或消除非线性误差的方法有提高桥臂比和采用差动电桥。第二章如果将100?的应变片贴在弹性元件上,若试件截面S=0.5×104-㎡,弹性模量E=2×1011N/㎡,若由5×104N的拉力引起的应变片电阻变化为1?,试求应变片的灵敏系数。 第三章环境温度的改变会给电阻应变片的测量带来误差,即温度误差。而电桥补偿法是最有效的补偿方法。其原理如下图所示。试从被测试件不承受和承受两个方面来分析其温度误差的补偿原理。 R 1 R 3 R 2 R 4 U o R 1 R 2 (a)(b) R 1 -工作应变片 R 2 -补偿应变片 F F ~ U a b

设计压电传感器的电荷放大、滤波、电压放大电路的

压电传感器前置放大电路的设计 姓名:陈贤波 学号:SX1201139 一:电荷放大电路 电荷放大器原理:电荷变换是该电荷放大器的核心部分,是一个具有电容负反馈的,输入阻抗极高的高增益运算放大器。它与压电式传感器及其电缆构成的等效电路如图-1所示。 图-1压电式传感器及其电缆构成的等效电路 其中:a C 为压电传感器的等效电容,a R 为压电式传感器的等效绝缘漏电阻,Cc 为电缆等效电容,i C 为放大器的输入电容,i R 为放大器的输入阻抗,f C 为反馈电容,n U 是等效输入噪声电压,off U 是等效输入失调电压。如将f C 折算到输入端,其等效电容为(1+K ) f C ,K 为运放的开环增益。由于反馈电容、传感器电容、电缆电容及放大器电容并联,不 计算噪声和失调电压的影响,电荷放大器的输出电压为 () 运算放大器的开环增益K 很大(约为104 ~106 ),故f R K /)1(+远大于+,f C K )1(+远 大于,此时, , , 和都可以忽略不计,即压电传感器本身的电容大小和电缆长短对电荷放大器输出的影响可以忽略。 (1)o f KQ U C K C =- ++ () 式中C=a C +Cc +i C 因为放大器是高增益的,K >>1,所以一般情况下(1+K )f C >>C,则有 o f Q U C ≈- ()

上式表明,当反馈电容f C 一定时,电荷放大器的输出电压与传感器产生电荷成正比,在实际电路中,考虑到电压灵敏度和量程的问题,一般f C 的值在100~10000pF 范围内选择。 ,本设计选定10000pF ,即10nF 。 当开环增益A 很大,f R K /)1(+远大于+,f C K )1(+远大于不能忽略,(2..19)式可表示为: jw G C Q C K jw R K jwKQ U f f f +-= +++-= f 0)1(1 () 当频率够低时,jw G f 就不能忽略。因此式()是表示电荷放大器的低频响应。F 越 低,f f C w G =时,其输出电压幅值为: 可以看出,这是截止频率点电压值电压输出值,即相对应的下限截止频率为 f f H C R f π21 = 若忽略运放的输入电容和输入电导,同时忽f G ,则上限频率为: ) (21 c S C L C C R f += π () 其中C R 为输入电缆直流电阻,本设计设为30Ω。 本设计选用f R 为1000MEG,经计算z L H f 016.0=。 传感器参数:压电传感器PZT 压电常数 d 33=450PC/N, d 31=-265PC/N, 相对介电常数2100 ,故压电传感器固有电容为: nF S C r s 717.30== δ εε 若传感器输入电缆分布电容为m pF 100,设有100m ,则nF C c 10=。=H f ×5 10z H 。 要测的信号频率范围:1Hz~5KHz ,故满足要求。

压电式传感器测量加速度

压 电 式 加 速 度 测 试 系 统 姓名:张书峰 学号:201003140125 学院:机电学院 班级:机自101 指导教师:王玮

一设计概论 压电传感器是一种可逆性传感器,既可以将机械能转换为电能,又可以将机械能转换为电能。它是利用某些物质(如石英、钛酸钡或压电陶瓷、高分子材料等)的压电效应来工作的。在外力作用下,在电介质表面产生电荷,从而实现非电量测量的目的。因此是一种典型的自发电式传感器。压电传感器是力敏感元件,它可以测量最终能变换为力的那些非电物理量,例如,动态力、动态压力、振动加速度等 现有测试系统的各个组成部分常常以信息流的过程来划分。一般可以分为:信息的获得,信息的转换,信息的显示、信息的处理。作为一个完整的非电量电测系统,也包括了信息的获得、转换、显示和处理等几个部分。因为它首先要获得被测量的信息,把它变换成电量,然后通过信息的转换,把获得的信息变换、放大,再用指示仪或记录仪将信息显示出来,有的还需要把信息加以处理。因此非电量电测系统,具体来说,一般包括传感器(信息的获得)、测量电路(信息的转换)、放大器、指示器、记录仪(信息的显示)等几部分有时还有数据处理仪器(信息的处理)。它们间的 关系可 用右框 图来表 示。 其中传感器是一个把被测的非电物理变换成电量的装置,因此是一种获得信息的手段,它在非电量电测系统中占有重要的位 置。它获得信息 的正确与否,直 接影响到整个 测量系统的测 量效果。测量电 路的作用是把 传感器的输出

变量变成易于处理的电压或电流信号,使信号能在指示仪上显示或在记录仪中记录。测量电路的种类由传感器的类型而定。压电加速度传感器常用的测量电路是电荷放大器。常用的压电加速度传感器的动态测量系统如图1.2 二整体设计方案 1、测量的示意图 2、设计的原理 压电式加速度传感器属于惯性式传感器,工作原理是以某些物质的压电效应为基础,在加速度计受振时,加在压电元件上的力也随之变化。当被测振动频率远低于加速度计的固有频率时,则力的变化与被测加速度成正比,可以把被测的非电物理量加速度转化为电量。由于压电式传感器的输出电信号是微弱的电荷,而且传感器本身有很大内阻,故输出能量甚微,这给后接电路带来一定困难。为此,通常器信号选用电荷放大器作为电信号的测量电路。 3、方框图

超声波传感器

超声波传感器的实验报告 一、超声波传感器的定义: 超声波传感器是将超声波信号转换成其他能量信号(通常是电信号)的传感器。超声波是振动频率高于20KHz的机械波。它具有频率高、波长短、绕射现象小,特别是方向性好、能够成为射线而定向传播等特点。超声波对液体、固体的穿透本领很大,尤其是在阳光不透明的固体中。超声波碰到杂质或分界面会产生显著反射形成反射成回波,碰到活动物体能产生多普勒效应。超声波传感器广泛应用在工业、国防、生物医学等方面。 超声波传感器的原理: 二、超声波传感器按其工作原理,可分为 1、压电式 2、磁致伸缩式 3、电磁式 压电式超声波传感器 压电式超声波传感器是利用压电材料的压电效应原理来工作的。常用的敏感元件材料主要有压电晶体和压电陶瓷。 根据正、逆压电效应的不同,压电式超声波传感器分为发生器(发射探头)和接收器(接收探头)两种,根据结构和使用的波型不同可分为直探头、表面波探头、兰姆波探头、可变角探头、双晶探头、聚焦探头、水浸探头、喷水探头和专用探头等。 压电式超声波发生器是利用逆压电效应的原理将高频电振动转换成高频机械振动,从而产生超声波。当外加交变电压的频率等于压电材料的固有频率时会产生共振,此时产生的超声波最强。压电式超声波传感器可以产生几十千赫到几十兆赫的高频超声波,其声强可达几十瓦每平方厘米。 压电式超声波接收器是利用正压电效应原理进行工作的。当超声波作用到压电晶片上引起晶片伸缩,在晶片的两个表面上便产生极性相反的电荷,这些电荷被转换成电压经放大后送到测量电路,最后记录或显示出来。压电式超声波接收器的结构和超声波发生器基本相同,有时就用同一个传感器兼作发生器和接收器两种用途。 典型的压电式超声波传感器结构主要由压电晶片、吸收块(阻尼块)、保护膜等组成。压电晶片多为圆板形,超声波频率与其厚度成反比。压电晶片的两面镀有银层,作为导电的极板,底面接地,上面接至引出线。为了避免传感器与被测件直接接触而磨损压电晶片,在压电晶片下粘合一层保护膜。吸收块的作用是降低压电晶片的机械品质,吸收超声波的能量。

传感器课后答案

第一章 1、何为传感器及传感技术? 人们通常将能把被测物理量或化学量转换为与之有对应关系的电量输出的装置称为传感器,这种技术被称 为传感技术。 2、传感器通常由哪几部分组成?通常传感器可以分为哪几类?若按转换原理分类,可以分成几类? 传感器通常由敏感元件、传感元件和其他辅助元件组成,有时也把信号调节和转换电路、辅助电源作为传 感器的组成部分。 传感器一般按测定量和转换原理两种方法进行分类。 按转换原理分类可以分为能量转换型传感器和能量控制型传感器。 3、传感器的特性参数主要有哪些?选用传感器应注意什么问题? 传感器的特性参数:1 静态参数:精密度,表示测量结果中随机误差大小的程度。 正确度,表示测量结果中系统误差大小程度。 准确度,表示测量结果与被测量的真值之间的一致程度。 稳定度、鉴别度、分辨力、死区、回程误差、线性误差、零位误差等。 动态参数:时间常数t:在恒定激励理 第二章 1、光电效应有哪几种?与之对应的光电器件和有哪些? 光电传感器的工作原理基于光电效应。 光电效应总共有三类:外光电效应(光电原件有:光电管、光电倍增管等、内光电效应(光敏电阻)、光生 伏特效应(光电池、光敏二极管和光敏三极管) 2、什么是光生伏特效应? 光生伏特效应:在光线的作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 3、试比较光敏电阻、光电池、光敏二极管和光敏三极管的性能差异,并简述在不同的场和下应选用哪种器 件最为合适。 光敏二极管:非线性器件,具有单向导电性。(PN 结装在管壳的顶部,可以直接爱到光的照射)通常处于 反向偏置状态,当没有交照射时,其反向电阻很大反向,反向电流很小,这种电流称为暗电流。当有光照 射时,PN 结及附近产生电子-空穴对,它们的反向电压作用下参与导电,形成比无光照时大得多的反向电 流,该反向电流称为光电流。 不管硅管还是锗管,当入射光波长增加时,相对灵敏度都下降。,因为光子能量太小不足以激发电子-空穴 对,而不能达到PN 结,因此灵敏度下降。 探测可见光和赤热物时,硅管。对红外光进行探测用锗管。光敏三极管:有两个PN 结,比光敏二极管拥有更高的灵敏度。 光敏电阻:主要生产的光敏电阻为硫化镉。 7、简述光纤的结构和传光原理。光纤传感器有哪些类型?他们之间有什么区别?

压力传感器的工作原理

压力传感器的工作原理 您需要登录后才可以回帖登录|注册发布 压力传感器是工业实践、仪器仪表控制中最为常用的一种传感器,并广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业。 力学传感器的种类繁多,如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用最为广泛的是压阻式压力传感器,它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。下面我们主要介绍这类传感器。 压阻式压力传感器原理与应用: 压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。压阻式传感器常用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量(如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度)的测量和控制。 压阻效应 当力作用于硅晶体时,晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化,扰动了载流子纵向和横向的平均量,从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异,因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计,前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变

化,后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化(应变),而且前者的灵敏度比后者大50~100倍。 压阻式压力传感器结构 压阻式压力传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上,制成硅压阻芯片,并将此芯片的周边固定封装于外壳之内,引出电极 引线。压阻式压力传感器又称为固态压力传感器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔,另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形,直径与厚度比约为20~60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接 成全桥,其中两条位于压应力区,另两条处于拉应力区,相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条?,两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构 成全桥。 电子血压计中压力传感器的原理应用及常见故障 压力传感器是工业生应用中最为常见的一种传感器,其广泛应 用于各种工业自控环境,在医用中常见于电子血压计,下面,便来为您简单介绍一些压力传感器原理应用及常见故障。 电子血压计压力传感器的工作原理及应用 压力传感器一般有电容式的和压阻式的。电容式的利用两片金 属间的电容变化来对应压力值,压阻式利用电阻值变化来对应压力值。 电子血压计压力传感器的常见问题

第三章 压电式传感器_改

第3章压电式传感器 §3.1 压电效应及材料 §3.1.1 压电效应 §3.1.2 压电材料 §3.1.2.1 压电晶体 §3.1.2.2 压电陶瓷 §3.1.2.3 新型压电材料 §3.1.3 压电振子 §3.2 压电传感器等效电路和测量电路 §3.2.1 等效电路 §3.2.2 测量电路 §3.2.2.1 电压放大器 §3.2.2.2 电荷放大器 §3.2.2.3 谐振电路 §3.3 压电式传感器及其应用 §3.3.1 压电式加速度传感器 §3.3.1.1 结构类型 §3.3.1.2压电加速度传感器动态特性§3.3.2 压电式力传感器 §3.3.3压电角速度陀螺 §3.4 声波传感技术 §3.4.1 SAW 传感器 §3.4.1.l SAW传感器特点 §3.4.1.2 SAW传感器的结构与工作原理 §3.4.1.3 SAW振荡器 §3.4.2超声检测 §3.4.2.1超声检测的物理基础 §3.4.2.2 超声波探头 §3.4.2.3 超声波检测技术的应用 思考题

第3章压电式传感器 压电式传感器是一种能量转换型传感器。它既可以将机械能转换为电能,又可以将电能转化为机械能。压电式传感器是以具有压电效应的压电器件为核心组成的传感器。 §3.1压电效应及材料 §3.1.1 压电效应 压电效应(piezoelectric effect)是指某些介质在施加外力造成本体变形而产生带电状态或施加电场而产生变形的双向物理现象,是正压电效应和逆压电效应的总称,一般习惯上压电效应指正压电效应。当某些电介质沿一定方向受外力作用而变形时,在其一定的两个表面上产生异号电荷,当外力去除后,又恢复到不带电的状态,这种现象称为正压电效应(positive piezodielectric effect)。其中电荷大小与外力大小成正比,极性取决于变形是压缩还是伸长,比例系数为压电常数,它与形变方向有关,在材料的确定方向上为常量。它属于将机械能转化为电能的一种效应。压电式传感器大多是利用正压电效应制成的。当在电介质的极化方向施加电场,某些电介质在一定方向上将产生机械变形或机械应力,当外电场撤去后,变形或应力也随之消失,这种物理现象称为逆压电效应(reverse piezodielectric effect),又称电致伸缩效应,其应变的大小与电场强度的大小成正比,方向随电场方向变化而变化。它属于将电能转化为机械能的一种效应。用逆压电效应制造的变送器可用于电声和超声工程。1880-1881年,雅克(Jacques)和皮埃尔·居里(Piere Curie)发现了这两种效应。图3-1为压电效应示意图。 (a)正压电效应;(b)压电效应的可逆性 图3-1压电效应 由物理学知,一些离子型晶体的电介质(如石英、酒石酸钾钠、钛酸钡等)不仅在电场力作用下,而且在机械力作用下,都会产生极化现象。为了对压电材料的压电效应进行描述,表明材料的电学量(D、E)力学量(T、S)行为之间的量的关系,建立了压电方程。正压电效应中,外力与因极化作用而在材料表面存储的电荷量成正比。即: σ=(3. 1) D dT =或dT 式3.1中D、σ—电位移矢量、电荷密度,单位面积的电荷量,C/m2; T—应力,单位面积作用的应力,N/m2; d—正压电系数,C/N。 逆压电效应中,外电场作用下的材料应变与电场强度成正比。即:

电容式压力传感器的检测电路及仿真

电容式压力传感器的检测电路及仿真 摘要 本文详细的描述了电容式压力传感器的结构,工作原理,特性,发展现状和趋势等。并且在此基础上提出了电容式压力传感器的检测电路及其仿真方法,详细的分析了压力大小与电路输出电压之间的关系。 关键词:传感器,工作原理,特性,检测电路,发展 I

目录 摘要....................................................................................................I 1 绪论 (3) 2 压力传感器的结构 (3) 3 压力传感器的工作原理 (3) 4 电容式压力传感器 (5) 4.1 电容式传感器的原理及其分类 (5) 4.1.1 电容式传感器的原理 (5) 4.1.2 电容式传感器的分类 (6) 4.2 电容式压力传感器的工作原理 (7) 4.3 电容式压力传感器的特性 (7) 4.4 电容式压力传感器的等效电路 (8) 5 电容式压力传感器的检测电路 (9) 5.1 检测电路 (9) 5.2 结果分析 (11) 5.3 影响电容传感器精度的因素及提高精度的措施 (12) 5.3.1 边缘效应的影响 (12) 5.3.2 寄生电容的影响 (12) 5.3.3 温度影响 (12) 6 电容式压力传感器的应用 (13) 7 电容式压力传感器的发展 (13) 8 结论 (14) 致谢 (16) 参考文献 (17) I I

1绪论 科学技术的不断发展极大地丰富了压力测量产品的种类,现在,压力传感器的敏感原理不仅有电容式、压阻式、金属应变式、霍尔式、振筒式等等但仍以电容式、压阻式和金属应变式传感器最为多见。金属应变式压力传感器是一种历史较长的压力传感器,但由于它存在迟滞、蠕变及温度性能差等缺点,其应用场合受到了很大的限制。压阻式传感器是利用半导体压阻效应制造的一种新型的传感器,它具有制造方便,成本低廉等特点,因此在非电物理量的测试、控制中得到了广泛的应用。尤其是在航天、航空、常规武器、船舶、交通运输、冶金、机械制造、化工、轻工、生物医学工程、自动测量与计量、称量等技术领域。电容式压力传感器是应用最广泛的一种压力传感器。 2压力传感器的结构 压力传感器的结构如图1 所示。固定电极的半径为r0 ,厚度为h 的膜片组成可动电极,固定电极与可动电极间距离为d ,用绝缘体将可动电极固定。 图 1压力传感器结构图 3压力传感器的工作原理 在流体压力p 的作用下,膜片弯曲变形,则在r 处的挠度为 式中:μ为弹性元件材料的泊松比,E 为杨氏模量。在r = 0 处,挠度最大,为 3

(完整版)四种压力传感器的基本工作原理及特点

四种压力传感器的基本工作原理及特点 一:电阻应变式传感器 1 1电阻应变式传感器定义 被测的动态压力作用在弹性敏感元件上,使它产生变形,在其变形的部位粘贴有电阻应变片,电阻应变片感受动态压力的变化,按这种原理设计的传感器称为电阻应变式压力传感器。 1.2 电阻应变式传感器的工作原理 电阻应变式传感器所粘贴的金属电阻应变片主要有丝式应变片与箔式应变片。 箔式应变片是以厚度为0.002——0.008mm 的金属箔片作为敏感栅材料,,箔栅宽度为0.003——0.008mm 。丝式应变片是由一根具有高电阻系数的电阻丝(直径0.015--0.05mm),平行地排成栅形(一般2——40条),电阻值60——200 ?,通常为120 ?,牢贴在薄纸片上,电阻纸两端焊有引出线,表面覆一层薄纸,即制成了纸基的电阻丝式应变片。测量时,用特制的胶水将金属电阻应变片粘贴于待测的弹性敏感元件表面上,弹性敏感元件随着动态压力而产生变形时,电阻片也跟随变形。如下图所示。B 为栅宽,L 为基长。 材料的电阻变化率由下式决定: d d d R A R A ρρ=+ (1) 式中; R —材料电阻

由材料力学知识得; [(12)(12)]dR R C K μμεε=++-= (2) K —金属电阻应变片的敏感度系数 式中K 对于确定购金属材料在一定的范围内为一常数,将微分dR 、dL 改写成增量ΔR 、ΔL,可得 R L K K R L ε??== (3) 由式(2)可知,当弹性敏感元件受到动态压力作用后随之产生相应的变形ε,而形应变值可由丝式应变片或箔式应变片测出,从而得到了ΔR 的变化,也就得到了动态压力的变化,基于这种应变效应的原理实现了动态压力的测量。 1.3电阻应变式传感器的分类及特点 测低压用的膜片式压力传感器 常用的电阻应变式压力传感器包括 测中压用的膜片——应变筒式压力传感器 测高压用的应变筒式压力传感器 1.3.1膜片——应变筒式压力传感器的特点 该传感器的特点是具有较高的强度和抗冲击稳定性,具有优良的静态特性、动态特性和较高的自震频率,可达30khz 以上,测量的上限压力可达到9.6mp a 。适于测量高频脉动压力,又加上强制水冷却。也适于高温下的动态压力测量,如火箭发动机的压力测量,内燃机、压气机等的压力测量。 1.3.2 膜片式应变压力传咸器的特点 A 这种膜片式应变压力传感器不宜测量较大的压力,当变形大时,非线性较大。但小压力测量中由于变形很小,非线性误差可小于0.5%,同时又有较高的灵敏度,因此在冲击波的测量中,国内外都用过这种膜片式压力传感器。 B 这种传感器与膜片—应变筒式压力传感器相比,自振频率较低,因此在低ρ—材料电阻率

压电式传感器实验报告

压电式传感器测振动实验 一、实验目的:了解压电传感器的测量振动的原理和方法。 二、基本原理:压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。(观察实验用压电加 速度计结构)工作时传感器感受与试件相同频率的振动,质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上,由于压电效应,压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。三、需用器件与单元:振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感 器实验模板。双踪示波器。 四、实验步骤: 1、压电传感器装在振动台面上。 2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。 3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端,与传感器外壳相连的接线端接地,另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端V o1,接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02,接入低通滤波器输入端Vi,低通滤波器输出V0与示波器相连。

3、合上主控箱电源开关,调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动,观察示波器 波形。 4、改变低频振荡器的频率,观察输出波形变化。

光纤式传感器测量振动实验 一、实训目的:了解光纤传感器动态位移性能。 二、实训仪器:光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口(含上位机软件)。 三、相关原理:利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的频率响应,用合适的测量电路即可测量振动。 四、实训内容与操作步骤 1、光纤位移传感器安装如图所示,光纤探头对准振动平台的反射面,并避开振动平台中间孔。 2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果,找出线性段的中点,通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点(大致目测)。 3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线,Vo1与低通滤波器中的Vi相接,低通输出Vo接到示波器。 4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零,低频信号输入到振动模块中的低频输入。

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