运放关键参数及选型原则
运放参数解释及常用运放选型
集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。下面内容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它内容都整理自网络。
极限参数
主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下：
直流指标
运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标如下：
输入失调电压Vos
输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV 之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。
输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT
输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。
输入偏置电流Ios
输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。
Input bias current（偏置电流）是运放输入端的固有特性，是使输出电压为零（或规定值）时，流入两输入端电流的平均值。偏置电流bias current就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流。这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点。
输入偏置电流与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；采用场效应管做输入级的，输入偏置电流一般低于1nA。
偏置电流值也限制了输入电阻和反馈电阻数值不可以过大, 使其在电阻上的压降与运算电压可比而影响了运算精度。或者不能提供足够的偏置电流, 使放大器不能稳定的工作在线性范围。如果设计要求一定要用大数值的反馈电阻和输入电阻, 可以考虑用 J-FET 输入的运放。同样是电压控制的还有 MOSFET 器件, 可以提供更小的输入漏电流。
在设计高精度直流放大放大器或选用具有较大输入偏置电流的运放时，必须使运放两端直流通道电阻相等，这样子才能平衡输入偏置电流。
Input offset current（失调电流）是运放两输入端的偏置电流差，是由于输入差分对管的不对称性所致，是使输出电压为零（或规定值）时，流入两输入端电流之差。由于目前多数运放的输入级都存在有不同形式的偏置电流补偿，故偏置电流的量级大为降低，以至于相对失调电流来说显得不那么重要。再加上失调电压的影响，所以通常就不会单独考虑偏置电流的问题，这也就是一般不加偏置电流补偿电阻的原因。
失调电流与偏置电流的的区别
从上图可以看出，输入的内部是三极管或者mos管，要想三极管工作在线性放大区域，必须提供合适的偏置电压和电流。但由于两个管子不可能完全一样，所以两个基极电流的差（Ib1-Ib2），就是输入失调电流。而两个管子的基极电流的平均值((Ib1+Ib2)/2)，就是输入偏置电流。
输入失调电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）ΔIos/ΔT
最大共模输入电压Vcm
最大共模输入电压定义为，当运放工作于线性区时，在运放的共模抑制比特性显著变坏时的共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降6dB 是所对应的共模输入电压作为最大共模输入电压。最大共模输入电压限制了输入信号中的最大共模输入电压范围，在有干扰的情况下，需要在电路设计中注意这个问题。
共模抑制比CMRR
共模抑制比定义为当运放工作于线性区时，运放差模增益与共模增益的比值。共模抑制比是一个极为重要的指标，它能够抑制差模输入中的共模干扰信号。由于共模抑制比很大，大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或更多，用数值直接表示不方便比较，所以一般采用分贝方式记录和比较。一般运放的共模抑制比在80~120dB之间。
共模抑制比定义为当运算放大器工作于线性区时，运算放大器的差模增益与共模增益之比值。共模抑制比是一个极为重要的指标，它表示了差模输入时抑制共模干扰信号能力，是衡量了运算放大器对输入信号共模信号的隔离能力。
共模信号是信号线对地的电压，差模信号是信号线之间的电压。放大电路是一个双口网络，每个端口有两个端子。当两个输入端子的输入信号分别为U1和U2时，两信号的差值称为差模信号，而两信号的算术平均值称为共模信号。
抑制共模信号的作用
任何信号都可以分解为共模信号和差模信号。共模信号是作用在差分放大器或仪表放大器两个输入端的相同信号，通常是由于线路传导和空间磁场干扰产生的，不携带有效信息，是不希望出现的信号。主要表现为：
1)单线传输时，地电位差异引起的共模信号，会叠加在信号上形成共模干扰，造成原
始信号失真;
2)双线传输时，有效信号是差模信号，共模信号是无效信号。如果共模信号被放大很
多，会影响到真正需要放大的差模信号。
共模抑制比120dB与60dB区别大吗？
比如输出差模信号1V，差模增益1，理论测试结果为1V。但若存在100V共模电压，120dB 共模抑制比衰减倍数为0.000001，此时测试误差为0.1mV,而60dB共模抑制比衰减倍数为0.001，测试误差为100mV。也就是说，共模抑制比60dB的测试误差会是120dB测试误差的1000倍。
电源电压抑制比PSRR
电源电压抑制比定义为当运放工作于线性区时，运放输入失调电压随电源电压的变化比值。电源电压抑制比反映了电源变化对运放输出的影响。对于电源电压抑制比低的运放，运放的电源需要作认真细致的处理, 否则电源的纹波会引入到输出端。当然，共模抑制比高的运放，能够补偿一部分电源电压抑制比，另外在使用双电源供电时，正负电源的电源电压抑制比可能不相同
输出峰-峰值电压Vout：
输出峰-峰值电压定义为，当运放工作于线性区时，在指定的负载下，运放在当前大电源电压供电时，运放能够输出的最大电压幅度。除低压运放外，一般运放的输出输出峰-峰值电压大于±10V。一般运放的输出峰-峰值电压不能达到电源电压，这是由于输出级设计造成的，现代部分低压运放的输出级做了特殊处理，使得在10k?负载时，输出峰-峰值电压接近到电源电压的50mV以内，所以称为满幅输出运放，又称为轨到轨（raid-to-raid）运放。需要注意的是，运放的输出峰-峰值电压与负载有关，负载不同，输出峰-峰值电压也不同；运放的正负输出电压摆幅不一定相同。对于实际应用，输出峰- 峰值电压越接近电源电压越好，这样可以简化电源设计。但是现在的满幅输出运放只能工作在低压，而且成本较高。
Gain Bandwidth Product 增益带宽积
放大器的增益带宽积（指定为GBWP，GBW，GBP或GB）是放大器带宽和带宽增益的乘积.
假设运算放大器的增益带宽积为1 MHz，它意味着当频率为1 Mhz时，器件的增益下降到单位增益。即此时A=1。同时说明这个放大器最高可以以1 MHz的频率工作而不至于使输入信号失真。由于增益与频率的乘积是确定的，因此当同一器件需要得到10倍增益时，它
最高只能够以100 kHz的频率工作。
交流指标
运放主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。交流指标中有许多很重要的参数，尤其单位增益带宽和压摆率，分别在小信号和大信号运放选型中尤其有用。
输出阻抗Rout
输入阻抗反映运放输出端带负载能力，越小越好。
开环增益Av
开环条件下运放能达到的最大增益。
开环带宽
开环带宽定义为，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得开环电压增益从运放的直流增益下降3db（或是相当于运放的直流增益的0.707）所对应的信号频率。这用于很小信号处理。NE5532数据手册中貌似没有这项参数。
单位增益带宽GB（NE5532中使用增益带宽积GBW衡量）
单位增益带宽定义为，运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得闭环电压增益下降3db（或是相当于运放输入信号的0.707）所对应的信号频率。
单位增益带宽是一个很重要的指标，对于正弦小信号放大时，单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积，换句话说，就是当知道要处理的信号频率和信号需要的增益以后，可以计算出单位增益带宽，用以选择合适的运放。这项参数用于小信号处理中运放选型。
压摆率（转换速率）SR
运放接成闭环条件下，将一个大信号（含阶跃信号）输入到运放的输入端，从运放的输
出端测得运放的输出上升速率。由于在转换期间，运放的输入级处于开关状态，所以运放的反馈回路不起作用，也就是转换速率与闭环增益无关。
转换速率对于大信号处理是一个很重要的指标，对于一般运放转换速率SR<=10V/μs，高速运放的转换速率SR>10V/μs。目前的高速运放最高转换速率SR达到6000V/μs。这用于大信号处理中运放选型。
全功率带宽
在额定的负载时，运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦大信号输入到运放的输入端，使运放输出幅度达到最大（允许一定失真）的信号频率。这个频率受到运放转换速率的限制。近似地，全功率带宽=转换速率/2πVop（Vop是运放的峰值输出幅度）。全功率带宽是一个很重要的指标，用于大信号处理中运放选型。
运放种类
低功耗运放是在通用运放的基础上大降低了功耗，可以用于对功耗有特殊要求的场所，例如手持设备。它具有静态功耗低、工作电压可以低到接近电池电压、在低电压下还能保持良好的电气性能。随着MOS技术的进步，低功耗运放已经不是个别现象。低功耗运放的静态功耗一般低于1mW。
精密运放是指漂移和噪声非常低、增益和共模抑制比非常高的集成运放，也称作低漂移运放或低噪声运放。这类运放的温度漂移一般低于1uV/摄氏度。由于技术进步的原因，早期的部分运放的失调电压比较高，可能达到1mV；现在精密运放的失调电压可以达到0.1mV；采用斩波稳零技术的精密运放的失调电压可以达到0.005mV。精密运放主要用于对放大处理精度有要求的地方，例如自控仪表等等。
高输入阻抗运放一般是指采用JFET型场效应管或是MOS管做输入级的集成运放，这包括了全MOS管做的集成运放。高输入阻抗运放的输入阻抗一般大于109欧姆。作为高输入阻抗运放的一个附带特性就是转换速度比较高。高输入阻抗运放用途十分广泛，例如采样保持电路、积分器、对数放大器、测量放大器、带通滤波器等等。
高速运放是指转换速度较高的运放。一般转换速度在100V/us以上。高速运放用于高速AD/DA转换器、高速滤波器、高速采样保持、锁相环电路、模拟乘法器、机密比较器、视频电路中。目前最高转换速度已经可以做到6000V/us。
宽带运放是指-3dB带宽（BW）比通用运放宽得多的集成运放。很多高速运放都具有较宽的带宽，也可以称作高速宽带运放。这个分类是相对的，同一个运放在不同使用条件下的分类可能有所不同。宽带运放主要用于处理输入信号的带宽较宽的电路。
高压运放是为了解决高输出电压或高输出功率的要求而设计的。在设计中，主要解决电路的耐压、动态范围和功耗的问题。高压运放的电源电压可以高于±20VDC，输出电压可以高于±20VDC。当然，高压运放可以用通用运放在输出后面外扩晶体管/MOS管来代替。
常用运放及参数
μA741 TI 单路通用运放
μA747 TI 双路通用运放
AD515A ADI 低功耗FET输入运放
AD605 ADI 低噪声,单电源,可变增益双运放
AD644 ADI 高速,注入BiFET双运放
AD648 ADI 精密的,低功耗BiFET双运放
AD704 ADI 输入微微安培电流双极性四运放
AD705 ADI 输入微微安培电流双极性运放
AD706 ADI 输入微微安培电流双极性双运放
AD707 ADI 超低漂移运放
AD708 ADI 超低偏移电压双运放
AD711 ADI 精密,低成本,高速BiFET运放
AD712 ADI 精密,低成本,高速BiFET双运放
AD713 ADI 精密,低成本,高速BiFET四运放
AD741 ADI 低成本,高精度IC运放
AD743 ADI 超低噪音BiFET运放
AD744 ADI 高精度,高速BiFET运放
AD745 ADI 超低噪音,高速BiFET运放
AD746 ADI 超低噪音,高速BiFET双运放
AD795 ADI 低功耗,低噪音,精密的FET运放
AD797 ADI 超低失真,超低噪音运放
AD8022 ADI 高速低噪,电压反馈双运放
AD8047 ADI 通用电压反馈运放
AD8048 ADI 通用电压反馈运放
AD810 ADI 带禁用的低功耗视频运放
AD811 ADI 高性能视频运放
AD812 ADI 低功耗电流反馈双运放
AD813 ADI 单电源,低功耗视频三运放
AD818 ADI 低成本,低功耗视频运放
AD820 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放AD822 ADI 单电源,FET输入,满幅度低功耗运放AD823 ADI 16MHz,满幅度,FET输入双运放
AD824 ADI 单电源,满幅度低功耗,FET输入运放AD826 ADI 高速,低功耗双运放
AD827 ADI 高速,低功耗双运放
AD828 ADI 低功耗,视频双运放
AD829 ADI 高速,低噪声视频运放
AD830 ADI 高速,视频差分运放
AD840 ADI 宽带快速运放
AD841 ADI 宽带,固定单位增益,快速运放
AD842 ADI 宽带,高输出电流,快速运放
AD843 ADI 34MHz,CBFET快速运放
AD844 ADI 60MHz,2000V/μs单片运放
AD845 ADI 精密的16MHzCBFET运放
AD846 ADI 精密的450V/μs电流反馈运放
AD847 ADI 高速,低功耗单片运放
AD848 ADI 高速,低功耗单片运放
AD849 ADI 高速,低功耗单片运放
AD8519 ADI 满幅度运放
AD8529 ADI 满幅度运放
AD8551 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出运放AD8552 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出双运放AD8554 ADI 低漂移,单电源,满幅度输入输出四运放AD8571 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出单运放AD8572 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出双运放AD8574 ADI 零漂移,单电源,满幅度输入/输出四运放AD8591 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放AD8592 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放AD8594 ADI 带关断的单电源满幅度输入输出运放AD8601 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出单运放AD8602 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出双运放AD8604 ADI 低偏移,单电源,满幅度输入/输出四运放AD9610 ADI 宽带运放
AD9617 ADI 低失真,精密宽带运放
AD9618 ADI 低失真,精密宽带运放
AD9631 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放
AD9632 ADI 超低失真,宽带电压反馈运放
C54DSKplus TI 低噪高速去补偿双路运放
L165 ST 3A功率运放
L272 ST 双通道功率运放
L2720 ST 低压差双通道功率运放
L2722 ST 低压差双通道功率运放
L2724 ST 低压差双通道功率运放
L2726 ST 低压差双通道功率运放
L2750 ST 低压差双通道功率运放
LF147 ST 宽带四J-FET运放
LF151 ST 宽带单J-FET运放
LF153 ST 宽带双J-FET运放
LF155 ST 宽带J-FET单运放
LF156 ST 宽带J-FET单运放
LF157 ST 宽带J-FET单运放
LF247 ST 宽带四J-FET运放
LF251 ST 宽带单J-FET运放
LF253 ST 宽带双J-FET运放
LF255 ST 宽带J-FET单运放
LF256 ST 宽带J-FET单运放
LF257 ST 宽带J-FET单运放
LF355 ST 宽带J-FET单运放
LF356 ST 宽带J-FET单运放
LF357 ST 宽带J-FET单运放
LM101A TI 高性能运放
LM124A(ST) ST 低功耗四运放
LM146 ST 可编程四双极型运放
LM158/A ST 低功耗双运放
LM224A(st) ST 低功耗四运放
LM246 ST 可编程四双极型运放
LM258/A ST 低功耗双运放
LM324A ST 低功耗四运放
LM346 ST 可编程四双极型运放
LM358/A ST 低功耗双运放
LMV321 TI 低电压单运放
LMV324 TI 低电压四运放
LMV358 TI 低电压双运放
LS204 ST 高性能双运放
LS404 ST 高性能四运放
LT1013 TI 双通道精密型运放
LT1014 TI 四通道精密型运放
MC1558 TI 双路通用运放
MC33001 ST 通用单JFET运放
MC33002 ST 通用双JFET运放
MC33004 ST 通用四JFET运放
MC3303 TI 四路低功率运放
MC33078 ST 低噪双运放
MC33079 ST 低噪声四运放
MC33171 ST 低功耗双极型单运放
MC33172 ST 低功耗双极型双运放
MC33174 ST 低功耗双极型四运放
MC34001 ST 通用单JFET运放
MC34002 ST 通用双JFET运放
MC34004 ST 通用四JFET运放
MC3403 TI 四路低功率通用运放
MC35001 ST 通用单JFET运放
MC35002 ST 通用双JFET运放
MC35004 ST 通用四JFET运放
MC3503 ST 低功耗双极型四运放
MC35171 ST 低功耗双极型单运放
MC35172 ST 低功耗双极型双运放
MC35174 ST 低功耗双极型四运放
MC4558 ST 宽带双极型双运放
MCP601 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放MCP602 Microchip 2.7V~5.5V单电源双运放MCP603 Microchip 2.7V~5.5V单电源单运放MCP604 Microchip 2.7V~5.5V单电源四运放NE5532 TI 双路低噪高速音频运放
NE5534 TI 低噪高速音频运放
OP-04 ADI 高性能双运放
OP-08 ADI 低输入电流运放
OP-09 ADI 741型运放
OP-11 ADI 741型运放
OP-12 ADI 精密的低输入电流运放
OP-14 ADI 高性能双运放
OP-15 ADI 精密的JFET运放
OP-16 ADI 精密的JFET运放
OP-17 ADI 精密的JFET运放
OP-207 ADI 超低Vos双运放
OP-215 ADI 高精度双运放
OP-22 ADI 可编程低功耗运放
OP-220 ADI 低功耗双运放
OP-221 ADI 低功耗双运放
OP-227 ADI 低噪低偏移双测量运放
OP-260 ADI 高速,电流反馈双运放
OP-27 ADI 低噪声精密运放
OP-270 ADI 低噪音精密双运放
OP-271 ADI 高速双运放
op-32 ADI 高速可编程微功耗运放
op-37 ADI 低噪声,精密高速运放
op-400 ADI 低偏置,低功耗四运放
op-42 ADI 高速,精密运放
op-420 ADI 微功耗四运放
op-421 ADI 低功耗四运放
op-471 ADI 低噪声,高速四运放
OP07 ADI 超低偏移电压运放
OP07C TI 高精度,低失调,电压型运放OP07D TI 高精度,低失调,电压型运放OP07Y TI 高精度,低失调,电压型运放OP113 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放OP162 ADI 15MHz满幅度运放
OP176 ADI 音频运放
OP177 ADI 超高精度运放
OP181 ADI 超低功耗,满幅度输出运放OP183 ADI 5MHz单电源运放
OP184 ADI 精密满幅度输入输出运放
OP186 ADI 满幅度运放
op191 ADI 微功耗单电源满幅度运放
OP193 ADI 精密的微功率运放
OP196 ADI 微功耗,满幅度输入输出运放OP200 ADI 超低偏移,低功耗运放
OP213 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放OP249 ADI 高速双运放
OP250 ADI 单电源满幅度输入输出双运放OP262 ADI 15MHz满幅度运放
OP27 TI 低噪声精密高速运放
op275 ADI 音频双运放
OP279 ADI 满幅度高输出电流运放
OP281 ADI 超低功耗,满幅度输出运放
op282 ADI 低功耗,高速双运放
OP283 ADI 5MHz单电源运放
OP284 ADI 精密满幅度输入输出运放
op285 ADI 9MHz精密双运放
op290 ADI 精密的微功耗双运放
op291 ADI 微功耗单电源满幅度运放
op292 ADI 双运放
OP293 ADI 精密的微功率双运放
op295 ADI 满幅度双运放
OP296 ADI 微功耗,满幅度输入输出双运放op297 ADI 低偏置电流精密双运放
OP37 TI 低噪声精密高速运放
OP413 ADI 低噪声,低漂移,单电源运放OP450 ADI 单电源满幅度输入输出四运放OP462 ADI 15MHz满幅度运放
op467 ADI 高速四运放
op470 ADI 低噪声四运放
OP481 ADI 超低功耗,满幅度输出运放
op482 ADI 低功耗,高速四运放
OP484 ADI 精密满幅度输入输出运放
op490 ADI 低电压微功率四运放
op491 ADI 微功耗单电源满幅度运放
op492 ADI 四运放
OP493 ADI 精密的微功率四运放
op495 ADI 满幅度四运放
OP496 ADI 微功耗,满幅度输入输出四运放op497 ADI 微微安培输入电流四运放
op77 ADI 超低偏移电压运放
op80 ADI 超低偏置电流运放
OP90 ADI 精密的微功耗运放
op97 ADI 低功耗,高精度运放
PM1012 ADI 低功耗精密运放
PM155A ADI 单片JFET输入运放
PM156A ADI 单片JFET输入运放
PM157A ADI 单片JFET输入运放
RC4136 TI 四路通用运放
RC4558 TI 双路通用运放
RC4559 TI 双路高性能运放
RM4136 TI 通用型四运放
RV4136 TI 通用型四运放
SE5534 TI 低噪运放
SSM2135 ADI 单电源视频双运放
SSM2164 ADI 低成本,电压控制四运放
TDA9203A ST IIC总线控制RGB前置运放
TDA9206 ST IIC总线控制宽带音频前置运放
TEB1033 ST 精密双运放
TEC1033 ST 精密双运放
TEF1033 ST 精密双运放
THS4001 TI 超高速低功耗运放
TL022 TI 双组低功率通用型运放
TL031 TI 增强型JFET低功率精密运放
TL032 TI 双组增强型JFET输入,低功耗,高精度运放TL034 TI 四组增强型JFET输入,低功耗,高精度运放TL051 TI 增强型JFET输入,高精度运放
TL052 TI 双组增强型JFET输入,高精度运放
TL054 TI 四组增强型JFET输入,高精度运放
TL061 TI 低功耗JFET输入运放
TL061A ST 低功耗JFET单运放
TL061B ST 低功耗JFET单运放
TL062 TI 双路低功耗JFET输入运放
TL062A/B ST 低功耗JFET双运放
TL064 TI 四路低功耗JFET输入运放
TL064A/B ST 低功耗JFET四运放
TL070 TI 低噪JFET输入运放
TL071 TI 低噪声JFET输入运放
TL071A/B ST 低噪声JFET单运放
TL072 ST 低噪声JFET双运放
TL072A TI 双组低噪声JFET输入运放
TL072A/B ST 低噪声JFET双运放
TL074 TI 四组低噪声JFET输入运放
TL074A/B ST 低噪声JFET四运放
TL081 TI JFET输入运放
TL081A/B ST 通用JFET单运放
TL082 TI 双组JFET输入运放
TL082A/B ST 通用JFET双运放
TL084 TI 四组JFET输入运放
TL084A/B ST 通用JFET四运放
TL087 TI JFET输入单运放
TL088 TI JFET输入单运放
TL287 TI JFET输入双运放
TL288 TI JFET输入双运放
TL322 TI 双组低功率运放
TL33071 TI 单路，高转换速率，单电源运放
TL33072 TI 双路，高转换速率，单电源运放
TL33074 TI 四路，高转换速率，单电源运放
TL34071 TI 单路，高转换速率，单电源运放
TL34072 TI 双路，高转换速率，单电源运放
TL34074 TI 四路，高转换速率，单电源运放
TL343 TI 低功耗单运放
TL3472 TI 高转换速率,单电源双运放
TL35071 TI 单路，高转换速率，单电源运放
TL35072 TI 双路，高转换速率，单电源运放
TL35074 TI 四路，高转换速率，单电源运放TLC070 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源单运放TLC071 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源单运放TLC072 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放TLC073 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放TLC074 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放TLC075 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放TLC080 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源单运放TLC081 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源单运放TLC082 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放TLC083 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源双运放TLC084 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放TLC085 TI 宽带,高输出驱动能力,单电源四运放TLC1078 TI 双组微功率高精度低压运放
TLC1079 TI 四组微功率高精度低压运放
tlc2201 TI 低噪声，满电源幅度，精密型运放TLC2202 TI 双组，低噪声，高精度满量程运放TLC2252 TI 双路，满电源幅度，微功耗运放TLC2254 TI 四路，满电源幅度，微功耗运放TLC2262 TI 双路先进的CMOS，满电源幅度运放TLC2264 TI 四路先进的CMOS，满电源幅度运放TLC2272 TI 双路，低噪声，满电源幅度运放TLC2274 TI 四路，低噪声，满电源幅度运放TLC2322 TI 低压低功耗运放
TLC2324 TI 低压低功耗运放
TLC251 TI 可编程低功率运放
TLC252 TI 双组，低电压运放
TLC254 TI 四组，低电压运放
TLC25L2 TI 双组，微功率低压运放
TLC25L4 TI 四组，微功率低压运放
TLC25M2 TI 双组，低功率低压运放
TLC25M4 TI 四组，低功率低压运放
TLC2652 TI 先进的LINCMOS精密斩波稳定运放TLC2654 TI 先进的LINCMOS低噪声斩波稳定运放TLC271 TI 低噪声运放
TLC272 TI 双路单电源运放
TLC274 TI 四路单电源运放
TLC277 TI 双组精密单电源运放
TLC279 TI 双组精密单电源运放
TLC27L2 TI 双组，单电源微功率精密运放
TLC27L4 TI 四组，单电源微功率精密运放
TLC27L7 TI 双组，单电源微功率精密运放
TLC27L9 TI 四组，单电源微功率精密运放
TLC27M2 TI 双组，单电源低功率精密运放
TLC27M4 TI 四组，单电源低功率精密运放
TLC27M7 TI 双组，单电源低功率精密运放
TLC27M9 TI 四组，单电源低功率精密运放
TLC2801 TI 先进的LinCMOS低噪声精密运放
TLC2810Z TI 双路低噪声，单电源运放
TLC2872 TI 双组，低噪声，高温运放
TLC4501 TI 先进LINEPIC，自校准精密运放
TLC4502 TI 先进LINEPIC，双组自校准精密运放
TLE2021 TI 单路，高速，精密型，低功耗，单电源运放TLE2022 TI 双路精密型，低功耗，单电源运放
TLE2024 TI 四路精密型，低功耗，单电源运放
TLE2027 TI 增强型低噪声高速精密运放
TLE2037 TI 增强型低噪声高速精密去补偿运放
TLE2061 TI JFET输入，高输出驱动，微功耗运放
TLE2062 TI 双路JFET输入,高输出驱动,微功耗运放TLE2064 TI JFET输入，高输出驱动，微功耗运放
TLE2071 TI 低噪声，高速，JFET输入运放
TLE2072 TI 双路低噪声，高速，JFET输入运放
TLE2074 TI 四路低噪声，高速，JFET输入运放
TLE2081 TI 单路高速，JFET输入运放
TLE2082 TI 双路高速，JFET输入运放
TLE2084 TI 四路高速，JFET输入运放
TLE2141 TI 增强型低噪声高速精密运放
TLE2142 TI 双路低噪声,高速,精密型,单电源运放
TLE2144 TI 四路低噪声,高速,精密型,单电源运放
TLE2161 TI JFET输入，高输出驱动，低功耗去补偿运放TLE2227 TI 双路低噪声，高速，精密型运放
TLE2237 TI 双路低噪声，高速，精密型去补偿运放
TLE2301 TI 三态输出，宽带功率输出运放
TLS21H62-3PW TI 5V,2通道低噪读写前置运放
TLV2221 TI 单路满电源幅度，5脚封装，微功耗运放TLV2231 TI 单路满电源幅度，微功耗运放
TLV2252 TI 双路满电源幅度，低压微功耗运放
TLV2254 TI 四路满电源幅度，低压微功耗运放
TLV2262 TI 双路满电源幅度，低电压，低功耗运放
TLV2264 TI 四路满电源幅度，低电压，低功耗运放
TLV2322 TI 双路低压微功耗运放
TLV2324 TI 四路低压微功耗运放
TLV2332 TI 双路低压低功耗运放
TLV2334 TI 四路低压低功耗运放
TLV2341 TI 电源电流可编程，低电压运放
TLV2342 TI 双路LICMOS，低电压，高速运放
TLV2344 TI 四路LICMOS，低电压，高速运放
TLV2361 TI 单路高性能，可编程低电压运放
TLV2362 TI 双路高性能，可编程低电压运放
TLV2422 TI 先进的LINCMOS满量程输出,微功耗双路运放
TLV2432 TI 双路宽输入电压，低功耗，中速，高输出驱动运放TLV2442 TI 双路宽输入电压，高速，高输出驱动运放
TLV2450 TI 满幅度输入/输出单运放
TLV2451 TI 满幅度输入/输出单运放
TLV2452 TI 满幅度输入/输出双运放
TLV2453 TI 满幅度输入/输出双运放
TLV2454 TI 满幅度输入/输出四运放
TLV2455 TI 满幅度输入/输出四运放
TLV2460 TI 低功耗,满幅度输入/输出单运放
TLV2461 TI 低功耗,满幅度输入/输出单运放
TLV2462 TI 低功耗,满幅度输入/输出双运放
TLV2463 TI 低功耗,满幅度输入/输出双运放
TLV2464 TI 低功耗,满幅度输入/输出四运放
TLV2465 TI 低功耗,满幅度输入/输出四运放
TLV2470 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出单运放
TLV2471 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出单运放
TLV2472 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出双运放
TLV2473 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出双运放
TLV2474 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出四运放
TLV2475 TI 高输出驱动能力,满幅度输入/输出四运放
TLV2711 TI 先进的LINCMOS满量程输出,微功耗单路运放
TLV2721 TI 先进的LINCMOS满量程输出,极低功耗单路运放TLV2731 TI 先进的LINCMOS满量程输出,低功耗单路运放
TLV2770 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断单运放
TLV2771 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断单运放
TLV2772 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断双运放
TLV2773 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断双运放
TLV2774 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断四运放
TLV2775 TI 2.7V高转换速率,满幅度输出带关断四运放
TS271 ST 可编程CMOS单运放
TS272 ST 高速CMOS双运放
TS274 ST 高速CMOS四运放
TS27L2 ST 低功耗CMOS双运放
TS27L4 ST 低功耗CMOS四运放
TS27M2 ST 低功耗CMOS双运放
TS27M4 ST 低功耗CMOS四运放
TS321 ST 低功率单运放
TS3V902 ST 3V满幅度CMOS双运放
TS3V904 ST 满幅度四运放
TS3V912 ST 3V满幅度CMOS双运放
TS3V914 ST 满幅度四运放
TS461 ST 单运放
TS462 ST 双运放
TS512 ST 高速精密双运放
TS514 ST 高速精密四运放
TS522 ST 精密低噪音双运放
TS524 ST 精密低噪音四运放
TS902 ST 满幅度CMOS双运放
TS904 ST 满幅度四运放
TS912 ST 满幅度CMOS双运放
TS914 ST 满幅度四运放
TS921 ST 满幅度高输出电流单运放
TS922 ST 满幅度高输出电流双运放
TS924 ST 满幅度高输出电流四运放
TS925 ST 满幅度高输出电流四运放
TS942 ST 满幅度输出双运放
TS951 ST 低功耗满幅度单运放
TS971 ST 满幅度低噪声单运放
TSH10 ST 140MHz宽带低噪声单运放
TSH11 ST 120MHz宽带MOS输入单运放TSH150 ST 宽带双极输入单运放
TSH151 ST 宽带和MOS输入的单运放
TSH22 ST 高性能双极双运放
TSH24 ST 高性能双极四运放
TSH31 ST 280MHz宽带MOS输入单运放TSH321 ST 宽带和MOS输入单运放
TSH93 ST 高速低功耗三运放
TSH94 ST 高速低耗四运放
TSH95 ST 高速低功耗四运放
TSM102 ST 双运放-双比较器和可调电压基准TSM221 ST 满幅度双运放和双比较器
UA748 ST 精密单运放
UA776 ST 可编程低功耗单运放
X9430 Xicor 可编程双运放
放大器注意参数及概念
最近在使用一款PGA，在PGA输入端接地时发现输出总有个矩形波信号，放大1000倍后非常明显，怀疑是电源引起的干扰。开始的时候在输入正负电源处都加了100uf和0.1的电容，但效果不明显，后来准备再电源输入端再串联一个电阻，一开始电阻选择的是1k，但上电后发现芯片根本都无法工作，测量芯片两端的电源电压发现才一点多v。这时候就看了下数据手册的静态电流，发现竟然是5mA，然后这个PGA是5v供电的，如果PGA正常工作，1k电阻上的分压都能到5v。所以后来用了个50欧的电阻配合着100uf和0.1uf构成了个低通滤波，这样一来芯片工作正常了，然后输出的波纹也小了很多。 在选择运放时应该知道自己的设计需求是什么，从而在运放参数表中来查找。一般来说在设计中需要考虑的问题包括1. 运放供电电压大小和方式选择；2.运放封装选择；3.运放反馈方式，即是VFA (电压反馈运放)还是CFA(电流反馈运放)；4.运放带宽；5.偏置电压和偏置t电流选择；6温漂；7.压摆率；8.运放输入阻抗选择；9.运放输出驱动能力大小选择；10.运放静态功耗，即ICC电流大小选择；11.运放噪声选择；12.运放驱动负载稳定时间等等。 偏置电压和输入偏置电流 在精密电路设计中，偏置电压是一个关键因素。对于那些经常被忽视的参数，诸如随温度而变化的偏置电压漂移和电压噪声等，也必须测定。精确的放大器要求偏置电压的漂移小于200μV和输入电压噪声低于６nV/√Hz。随温度变化的偏置电压漂移要求小于1μV/℃。 低偏置电压的指标在高增益电路设计中很重要，因为偏置电压经过放大可能引起大电压输出，并会占据输出摆幅的一大部分。温度感应和张力测量电路便是利用精密放大器的应用实例。 低输入偏置电流有时是必需的。光接收系统中的放大器就必须具有低偏置电压和低输入偏置电流。比如光电二极管的暗电流电流为pA量级，所以放大器必须具有更小的输入偏置电流。CMOS和JFET输入放大器是目前可用的具有最小输入偏置电流的运算放大器。 因为我现在用的是光电池做采集的系统，所以在使用中重点关心了偏置电压和电流。如果还有其他的需要，这时应该对其他参数也需要多考虑了。 1、输入失调电压VIO（Input Offset Voltage） 输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。 输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。 2、输入失调电压的温漂αVIO（Input Offset Voltage Drift） 输入失调电压的温度漂移（又叫温度系数）定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。 这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变
网络分析仪选型指南
是德科技 网络分析仪选型指南
目录 Keysight 矢量网络分析仪解决方案 (4) 有源器件评测 (5) 无源器件评测 (7) 通用、教育 (9) 制造 (12) 高速串行互连分析 (14) 安装和维护 (15) 相关的网络分析仪产品和附件 (16) 关键性能和功能比较 (18) 过渡和升级 (21) 相关文献 (22) 网络资源 (23)
获得更高的置信度 无论您是测试有源器件还是无源器件，速度和性能的适当组合可为您增添竞争优势。 在研发过程中，是德科技矢量网络分析仪（VNA）提供出色的测量完整性，帮助您把深 层次的理念转换为更出众的设计。产品线上经济高效的 VNA 提供您所需的吞吐量和 可重复性，并将部件转变为具有竞争力的元器件。每一个 Keysight VNA 都能很好地体 现是德科技在线性和非线性器件表征方面的专业水平。在工作台、机架上或在现场， 我们能够帮助您获得更高的信心。 物理测量生态系统 放大器 点对点通信雷达 雷达军事通信 诊断系统和元器件诊断 医疗和工业流程
Keysight VNA 解决方案是德科技提供各种不同测量频率范围、性能和功能的矢量网络分析仪，能够满足用户 不同的测量需求。 这份选型指南概要介绍了是德科技所有的网络分析仪产品，并提供同类产品间的比 较，以帮助用户选择最能满足解决方案要求的产品。此外，资料中还简要地介绍了网络 分析仪的典型应用、 各种测量需求以及是德科技网络分析仪如何满足这些需求。
有源器件的评测 测量挑战 是德科技网络分析仪能够用来表征和测试有源组件，例如放大器、混频器和频率转换器。它们可轻松进行放大器的常规参数测量，例如增益、增益和相位压缩、隔离度、回波损耗和群时延。谐波失真常用于了解放大器的非线性行为，接收机有时需要工作在与激励源不同的频率上。由于频率转换器件的输入频率和输出频率不同，例如混频器和频率转换器，因此，精确地对频率变换器件进行测量具有很大的挑战性。用于测量这些器件的网络分析仪必须具有频偏模式（FOM ），才能够胜任测量这种输入频率和输出频率不相同的器件的任务。有时，可能还需要使用其他仪器和信号调节器件来进行双音测量、大功率器件测量、噪声系数测量、ACP 和 EVM 等其他类型的测量。因此，测量系统变得越来越复杂或者完成一个放大器的测量需要多个不同的测量工位。 是德科技解决方案 是德科技提供广泛的使用灵活、价格经济的测试解决方案，对有源元器件进行矢量网络分析。Keysight VNA 专为线性和非线性表征而设计，具有极高的精度。除了高性能优势之外，多款测量应用软件可简化设置、缩短测试时间并提高测量精度。 主要特性 –放大器增益、匹配和隔离：S 参数测量 –AM-AM 和 AM-PM 转化：功率扫描，信号源和接收机校准 –大功率/脉冲可配置性：可配置的测试座、大输出功率、信号源和接收机衰减器、内置脉冲发生器、外部脉冲发生器控制、内置脉冲调制器 –频率转换器转换增益/损耗：FOM 、信号源和接收机校准、标量混频器校准 –频率转换器转换相位/群时延：FOM 、幅度和相位校准、矢量混频器校准 –LO 驱动/测量：第二个内部信号源、外部射频源控制、三端口校准和测量、LO 功率校准 –混频器拓扑：扫描射频、扫描/固定 LO （固定 IF/扫描 IF ）、双级变频器、配有内置 LO 的变频器 –精确的信号源输出功率和绝对功率测量：信号源和接收机校准、功率传感器失配校正、接收机电平调节 –谐波失真：FOM 、信号源和接收机校准、较低的信号源谐波、接收机衰减器 –互调失真（IMD ）：FOM 、第二个内部信号源、外部信号源控制、内置信号合成网络、扫描 IMD –噪声系数测量 –Hot-S22 测量：FOM 、第二个内置信号源、内置信号合成网络 –功率附加效率：直流输入和/或直流电表控制 –直流偏置：内部直流偏置源/直流源控制/内置直流偏置电路 –非线性矢量网络分析（NVNA ）：波形分析、X 参数
军用电子元器件的选型和应用
军用电子元器件的选型和应用 当前，世界正在进行着一场新的军事变革，信息化是这场新军事变革的本质和核心，实现军事装备信息化的必要条件是高水平、高可靠的军用电子元器件。电子元器件尤其是微电子器件在军事装备上的应用越来越广泛，电子元器件的选型和应用就日益显得重要。本文着重就军用电子元器件选型和使用过程中的采购、筛选、破坏性物理分析以及失效分析进行探讨，列出了元器件的选择和使用准则以及全过程流程图。 电子元器件是电子系统的基础部件，是能够完成预定功能且不能再分割的电路基本单元。由于电子元器件的数量、品种众多，因此它们的性能、可靠性等参数对整个军用电子产品的系统性能、可靠性、寿命周期等技术指标的影响极大。所以正确有效地选择和使用电子元器件是提高军用产品可靠性水平的一项重要工作。电子元器件的可靠性分为固有可靠性和使用可靠性固有可靠性主要由设计和制造工作来保证，这是 元器件生产厂的任务。但 是国内外失效分析资料表 明，有近一半的元器件失 效并非由于元器件的固有 可靠性不高，而是由于使 用者对元器件的选择不当 或使用有误造成的。因此 为了保证军用电子产品的 可靠性，就必须对电子元 器件的选择和应用加以严 格控制。 1、电子元器件的分类 顾名思义，元器件可 分为元件和器件2大类。 元件中有电阻、电容、电 感、继电器和开关等；器 件可分为半导体分立器 件、集成电路以及电真空 器件等。表1为元器件分 类表。 2、电子元器件的质量等级 元器件的质量等级是 指元器件装机使用之前，按产品执行标准或供需双方的技术协议，在制造、检验及筛选过程中对其质量的控制等级。质量等级越高，其可靠性等级就越高。 为了保证军用元器件的质量，我国制订了一系列的元器件标准，在八十年代初期制订的“七专”8406 技术条件（以下统称“七专”条件），“七专”技术条件是建立我国军用元器件标准的基础，目前按“七专”条件或其加严条件控制
研发部电子元器件选型规范
***有限责任公司研发部
1目录 2总则 (3) 2.1目的 (3) 2.2适用范围 (3) 2.3电子元器件选型基本原则 (3) 2.4其他具体选型原则： (3) 3各类电子元器件选型原则 (5) 3.1电阻选型 (5) 3.2电容选型 (6) 3.2.1铝电解电容 (6) 3.2.2钽电解电容 (7) 3.2.3片状多层陶瓷电容 (7) 3.3电感选型 (7) 3.4二极管选型 (8) 3.4.1发光二极管： (8) 3.4.2快恢复二极管： (8) 3.4.3整流二极管： (8) 3.4.4肖特基二极管： (9) 3.4.5稳压二极管： (9) 3.4.6瞬态抑制二极管： (9) 3.5三极管选型 (9) 3.6晶体和晶振选型 (10) 3.7继电器选型 (10) 3.8电源选型 (11) 3.8.1AC/DC电源选型规则 (11) 3.8.2隔离DC/DC电源选型规则 (11) 3.9运放选型 (11) 3.10A/D和D/A芯片选型 (12) 3.11处理器选型 (13) 3.12FLASH选型 (14) 3.13SRAM选型 (14) 3.14EEPROM选型 (14) 3.15开关选型 (15) 3.16接插件选型 (15) 3.16.1选型时考虑的电气参数： (15) 3.16.2选型时考虑的机械参数： (15) 3.16.3欧式连接器选型规则 (15) 3.16.4白色端子选型规则 (16) 3.16.5其它矩形连接器选型规则 (16) 3.17电子线缆选型 (16) 4附则 (17)
2总则 2.1目的 为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。 2.2适用范围 适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。 2.3电子元器件选型基本原则 1)普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏 门芯片，减少开发风险。 2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较 好的元器件，降低成本。 3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停 产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。 5)可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参 见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。 9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴 型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。 2.4其他具体选型原则： 除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则: 1)所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能 少选择物料的种类。
运放的主要参数
集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标。其中主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏臵电流、输入失调电流、输入偏臵电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰最大差模输入电压。 主要交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 1、输入失调电压VIO（Input Offset Voltage）输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。 输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 2、输入失调电压的温漂αVIO（Input Offset Voltage Drift） 输入失调电压的温度漂移（又叫温度系数）定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。 3、输入偏臵电流IB（Input Bias Current） 输入偏臵电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏臵电流平均值。输入偏臵电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。输入偏臵电流与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入偏臵电流在±10nA~1μA之间；采用场效应管做输入级的，输入偏臵电流一般低于1nA。对于双极性运放，该值离散性很大，但几乎不受温度影响；而对于MOS型运放，该值是栅极漏电流，值很小，但受温度影响较大。 4、输入失调电流（Input Offset Current）输入失调电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端偏臵电流的差值。输入失调电流同样反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电流越小。输入失调电流是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电流大约是输入偏臵电流的百分之一到十分之一。输入失调电流对于小信号精密放大或是直流放大有重要影响，特别是运放外部采用较大的电阻（例如10k或更大时），输入失调电流对精度的影响可能超过输入失调电压对精度的影响。输入失调电流越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 5、输入阻抗 （1）差模输入阻抗差模输入阻抗定义为，运放工作在线性区时，两输入端的电压变化量与对应的输入端电流变化量的比值。差模输入阻抗包括输入电阻和输入电容，在低频时仅指输入电阻。 （2）共模输入阻抗共模输入阻抗定义为，运放工作在输入信号时（即运放两输入端输入同一个信号），共模输入电压的变化量与对应的输入电流变化量之比。在低频情况下，它表现为共模电阻。 6、电压增益 （1）开环电压增益（Open-Loop Gain）在不具负反馈情况下(开环路状况下)，运算放大器的放大倍数称为开环增益，记作AVOL，有的datasheet上写成：Large Signal Voltage Gain。AVOL 的理想值为无限大，一般约为数千倍至数万倍，其表示法有使用dB及V/mV等。 （2）闭环电压增益（Closed-Loop Gain顾名思义，就是在有反馈的情况下，运算放大器的放大倍数、
电子元器件选型要求规范-实用的经典要点
1目录 2总则 (4) 2.1目的 (4) 2.2适用范围 (4) 2.3电子元器件选型基本原则 (4) 2.4其他具体选型原则： (4) 3各类电子元器件选型原则 (6) 3.1电阻选型 (6) 3.2电容选型 (8) 3.2.1铝电解电容 (8) 3.2.2钽电解电容 (9) 3.2.3片状多层陶瓷电容 (9) 3.3电感选型 (10) 3.4二极管选型 (10) 3.4.1发光二极管： (10) 3.4.2快恢复二极管： (11) 3.4.3整流二极管： (11) 3.4.4肖特基二极管： (11) 3.4.5稳压二极管： (11) 3.4.6瞬态抑制二极管： (12) 3.5三极管选型 (12)
3.6晶体和晶振选型 (13) 3.7继电器选型 (13) 3.8电源选型 (14) 3.8.1AC/DC电源选型规则 (14) 3.8.2隔离DC/DC电源选型规则 (15) 3.9运放选型 (15) 3.10A/D和D/A芯片选型 (15) 3.11处理器选型 (17) 3.12FLASH选型 (19) 3.13SRAM选型 (19) 3.14EEPROM选型 (19) 3.15开关选型 (19) 3.16接插件选型 (19) 3.16.1选型时考虑的电气参数： (19) 3.16.2选型时考虑的机械参数： (20) 3.16.3欧式连接器选型规则 (20) 3.16.4白色端子选型规则 (21) 3.16.5其它矩形连接器选型规则 (21) 3.17电子线缆选型 (21) 4附则 (22)
2总则 2.1目的 为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。 2.2适用范围 适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。 2.3电子元器件选型基本原则 1)普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏 门芯片，减少开发风险。 2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较 好的元器件，降低成本。 3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停 产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。 5)可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参 见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。 9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴 型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。 2.4其他具体选型原则：
影响运放电路的误差的几个主要参数
影响运放电路的误差的几个主要参数(KCMR,VIO,Iib,Iio等) 1.共模抑制比KCMR为有限值的情况 集成运放的共模抑制比为有限值时，以下图为例讨论。 VP=Vi VN=Vo 共模输入电压为： 差摸输入电压为： 运算放大器的总输出电压为：vo=A VD v ID+A VC v IC
闭环电压增益为： 可以看出，Avd和Kcmr越大，Avf越接近理想情况下的值，误差越小。 2.输入失调电压V IO 一个理想的运放，当输入电压为0时，输出电压也应为0。但实际上它的差分输入级很难做到完全对称。通常在输入电压为0时，存在一定的输出电压。 解释一：在室温25℃及标准电源电压下，输入电压为0时，为使输出电压为0，在输入端加的补偿电压叫做失调电压。 解释二：输入电压为0时，输出电压Vo折合到输入端的电压的负值，即V IO=- V O|VI=0/A VO 输入失调电压反映了电路的对称程度，其值一般为±1~10mV
3.输入偏置电流I IB BJT集成运放的两个输入端是差分对管的基极，因此两个输入端总需要一定的输入电流I BN和I BP。输入偏置电流是指集成运放输出电压为0时，两个输入端静态电流的平均值。 输入偏置电流的大小，在电路外接电阻确定之后，主要取决于运放差分输入级BJT的性能，当它的β值太小时，将引起偏置电流增加。偏置电流越小，由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也越小。其值一般为10nA~1uA。 4.输入失调电流I IO 在BJT集成电路运放中，当输出电压为0时，流入放大器两输入端的静态基极电流之差，即I IO=|I BP-I BN| 由于信号源内阻的存在，I IO会引起一个输入电压，破坏放大器的平衡，使放大器输出电压不为0。它反映了输入级差分对管的不对称度，一般约为1nA~0.1uA。 5.输入失调电压VIO、输入失调电流IIO不为0时，运算电路的输出端将产生误差电压。 设实际的等效电路如下图大三角符号，小三角符号内为理想运放，根据VIO和IIO的定义画出。
几款网络分析仪的介绍
ENA射频网络分析仪 Agilent E5071C 9 KHz至8.5 GHz 详细说明: Agilent E5071C ENA系列网络分析仪 频率范围： 频率范围端口选件 E5071C 9KHz-4.5GHz 2/4 240/440 9KHz-8.5GHz 2/4 280/480 100KHz-4.5GHz 2/4 245/445 100KHz-8.5GHz 2/4 285/485 系统动态范围： 频率IF 带宽技术指标 SPD
主要特性： ?宽动态范围：在测试端口上的动态范围> 123 dB（典型值） ?极快的测量速度：39 ms（进行完全双端口校准，扫描1601点时） ?低迹线噪声：0.004 dB rms（70 kHz IFBW时） ?集成的2和4端口，带有平衡测量能力 选件： E5071C—008 频率偏置模式 E5071C—010 时域分析能力 E5071C—790 测量向导助手软件 E5071C—1E5 高稳定度时基 E5071C—240 双端口测试仪9KHz-4.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—245 双端口测试仪100KHz-4.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—440 4端口测试仪9KHz-4.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—445 4端口测试仪100KHz-4.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—280 双端口测试仪9KHz-8.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—285 双端口测试仪100KHz-8.5GHz 带偏置T型接头 E5071C—480 4端口测试仪9KHz-8.5GHz 不带偏置T型接头 E5071C—485 4端口测试仪100KHz-8.5GHz 带偏置T型接头 附件： 校准件 HP85033D/E (3.5mm) 校准件HP85032B (N型) ?宽动态范围：在测试端口上的动态范围> 123 dB（典型值） ?极快的测量速度：39 ms（进行完全双端口校准，扫描1601点时） ?低迹线噪声：0.004 dB rms（70 kHz IFBW时） ?集成的2和4端口，带有平衡测量能力 ?提供频率选件：从9 kHz/100 kHz（带有偏置T型接头）到4.5 GHz/8.5 GHz E5071C网络分析仪具有广泛的频率范围和众多功能，在同类产品中具有最高的射频性能和最快的测试速度。它是制造工程师和研发工程师测量9 kHz至8.5 GHz射频元器件和电路的最佳工具。
避雷器知识
1. OBO 480、481地极保护器 OBO地极保护器功能 对于独立地网如果地网的布放的距离过小，在过电压来临的时候容易产生地电位反击的问题，故需要在两个地极之间安装地极保护器480或481。480、481地极保护器由两个电极组成间隙放电装置，如果发生雷击，产生危险电位差，该间隙就会瞬间被击穿，达到等电位。 OBO地极保护器应用 480、481地极保护器是用来避免不同接地地网之间产生不同电位差的危险。当雷电来临时，由于不同的接地地网布放距离过近时，会有其中的某个地网的地电位在瞬间被抬生到很高的水平，从而与其他接地网之间产生很高的电位差，该电位差可能会造成在连接于不同地极间的线路或设备形成网络，即平常所称的地电位反击，它对设备和人员的安全存在着巨大的危险。此时需要在不同地网之间安装地极保护器来避免地电位反击的问题。 OBO地极保护器特性 480型内部采用钨铜电极，提供防爆功能，481型内部采用不锈钢电极。由于采用全密封设计，地极保护器可应用在不同的环境下。 OBO地极保护器技术参数 OBO地极保护器安装 480、481地极保护器安装在不同地网的主等电位连接排之间，这些等电位连接排将通过连接电缆与保护器连接在一起。
2.氧化锌避雷器 氧化锌避雷器是具有良好保护性能的避雷器。利用氧化锌良好的非线性伏安特性，使在正常工作电压 时流过避雷器的电流极小（微安或毫安级）；当过电压作用时，电阻急剧下降，泄放过电压的能量，达到保护的效果。这种避雷器和传统的避雷器的差异是它没有放电间隙，利用氧化锌的非线性特性起到泄流和开断的作用。 介绍 氧化锌避雷器测试仪介绍：采用微电脑进行采样、控制等先进技术，可测量氧化锌避雷器在工频电压下的全电流、三次谐波、阻性电流、阻性电流峰值、容性电流、有功功率等。 发展来源 氧化锌避雷器是七十年代发展起来的一种新型避雷器，它主要由氧化锌压敏电阻构成。每一块压敏电阻从制成时就有它的一定开关电压（叫压敏电阻），在正常的工作电压下（即小于压敏电压）压敏电阻值很大，相当于绝缘状态，但在冲击电压作用下（大于压敏电压），压敏电阻呈低值被击穿，相当于短路状态。然而压敏电阻被击状态，是可以恢复的；当高于压敏电压的电压撤销后，它又恢复了高阻状态。因此，在电力线上如安装氧化锌避雷器后，当雷击时，雷电波的高电压使压敏电阻击穿，雷电流通过压敏电阻流入大地，使电源线上的电压控制在安全范围内，从而保护了电器设备的安全。 分类 1.按电压等级分 氧化锌避雷器按额定电压值来分类，可分为三类； 高压类；其指66KV以上等级的氧化锌避雷器系列产品，大致可划分为500kV、220kV、110kV、66k V四个等级等级。 中压类；其指3kV～66kV（不包括66kV系列的产品）范围内的氧化锌避雷器系列产品，大致可划分 为3kV、6kV、10kV、35KV四个电压等级。 低压类；其指3KV以下（不包括3kV系列的产品）的氧化锌避雷器系列产品，大致可划分为1kV、0. 5kV、0.38kV、0.22kV四个电压等级。 2.按标称放电电流分 氧化锌避雷器按标称放电电流可划分为20、10、5、2.5、1.5kA五类。 3.按用途分 氧化锌避雷器按用途可划分为系统用线路型、系统用电站型、系统用配电型、并联补偿电容器组保护型、电气化铁道型、电动机及电动机中性点型、变压器中性点型七类。 4.按结构分 氧化锌避雷器按结构可划分为两大类； 瓷外套；瓷外套氧化锌避雷器按耐污秽性能分为四个等级，Ⅰ级为普通型、Ⅱ级为用于中等污秽地区（爬电比距20mm/KV）、Ⅲ级为用于重污秽地区（爬电比距25mm/kV）、Ⅳ级为用于特重污秽地区（爬 电比距31mm/kV）。 复合外套；复合外套氧化锌避雷器是用复合硅橡胶材料做外套，并选用高性能的氧化锌电阻片，内部采用特殊结构，用先进工艺方法装配而成，具有硅橡胶材料和氧化锌电阻片的双重优点。该系列产品除具有瓷外套氧化锌避雷器的一切优点外，另具有绝缘性能、高的耐污秽性能、良好的防爆性能以及体积小、重量轻、平时不需维护、不易破损、密封可靠、耐老化性能优良等优点。
运放参数详解,超详细
运放参数的详细解释和分析1—输入偏置电流和输入失调电 流 一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数，有些易于理解，我们常关注，有些可能会被忽略了。在接下来的一些主题里，将对每一个参数进行详细的说明和分析。力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。由于本人的水平有限，写的博文中难免有些疏漏，希望大家批评指正。 第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .众说周知，理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .的。但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .我们可以用下图中的模型来说明它们的定义。 输入偏置电流Ib是由于运放两个输入极都有漏电流（我们暂且称之为漏电流）的存在。我们可以理解为，理想运放的各个输入端都串联进了一个电流源，这两个电流源的电流值一般为不相同。也就是说，实际的运入，会有电流流入或流出运放的输入端的（与理想运放的虚断不太一样）。那么输入偏置电流就定义这两个电流的平均值，这个很好理解。输入失调电流呢，就定义为两个电流的差。
说完定义，下面我们要深究一下这个电流的来源。那我们就要看一下运入的输入级了，运放的输入级一般采用差分输入（电压反馈运放）。采用的管子，要么是三级管bipolar，要么是场效应管FET。如下图所示，对于bipolar,要使其工作在线性区，就要给基极提供偏置电压，或者说要有比较大的基极电流，也就是常说的，三极管是电流控制器件。那么其偏置电流就来源于输入级的三极管的基极电流，由于工艺上很难做到两个管子的完全匹配，所以这两个管子Q1和Q2的基极电流总是有这么点差别，也就是输入的失调电流。Bipolar输入的运放这两个值还是很可观的，也就是说是比较大的，进行电路设计时，不得不考虑的。而对于FET输入的运放，由于其是电压控制电流器件，可以说它的栅极电流是很小很小的，一般会在fA级，但不幸的是，它的每个输入引脚都有一对ESD保护二极管。这两个二极管都是有漏电流的，这个漏电流一般会比FET的栅极电流大的多，这也成为了FET 输入运放的偏置电流的来源。当然，这两对ESD保护二极管也不可能完全一致，因此也就有了不同的漏电流，漏电流之差也就构成了输入失调电流的主要成份。
110(66)kV～750kV避雷器技术标准
110(66)kV～750kV避雷器技术标准
附件8： 110（66）kV～750kV避雷器技术标准 （附编制说明） 国家电网公司
目录 1 总则 (1) 2 引用标准 (1) 3 避雷器类型 (4) 3.1 金属氧化物避雷器 (4) 3.2 碳化硅阀式避雷器 (4) 4 使用环境条件 (4) 4.1 正常使用环境条件 (4) 4.2 异常使用环境条件 (5) 5 避雷器选择的一般程序 (6) 6 技术要求 (8) 6.1 无间隙金属氧化物避雷器 (8) 6.2 带串联间隙金属氧化物避雷器 (28) 6.3 碳化硅阀式避雷器 (36) 7 技术资料 (41) 7.1 招标前用户和制造厂所需提供的技术资料 41 7.2 合同签订后供货方所需提供的技术资料 (42) 7.3 设备供货时应提供以下资料 (42) 8 试验 (43) 8.1 无间隙金属氧化物避雷器 (43) 8.2 带串联间隙金属氧化物避雷器 (46) 8.3 碳化硅阀式避雷器 (49) 8.4 试验方法 (51) 9 标志、包装、贮存和运输 (57) 9.1 标志 (57) 9.2 包装 (59) 9.3 随产品提供的技术文件 (60) 9.4 运输和贮存 (60) 10 技术服务 (60) 10.1 项目管理 (60) 10.2 设备监造 (61) 10.3 现场服务 (61) 10.4 售后服务 (61) 附录A无间隙金属氧化物避雷器的典型参数63附录B避雷器用橡胶密封件的结构型式及系列参数 (64)
附录C绝缘子金属附件热镀锌层技术要求.67附录D碳化硅阀式避雷器的电气特性 (69) 附录E碳化硅阀式避雷器直流泄漏电流要求70附录F碳化硅阀式避雷器用碳化硅技术要求71
运放关键参数及选型原则
运放参数解释及常用运放选型 集成运放的参数较多，其中主要参数分为直流指标和交流指标，外加所有芯片都有极限参数。本文以NE5532为例，分别对各指标作简单解释。下面内容除了图片从NE5532数据手册上截取，其它内容都整理自网络。 极限参数 主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下： 直流指标 运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标如下：
输入失调电压Vos 输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV 之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。对于精密运放，输入失调电压一般在1mV以下。输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT 输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。 输入偏置电流Ios 输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。 Input bias current（偏置电流）是运放输入端的固有特性，是使输出电压为零（或规定值）时，流入两输入端电流的平均值。偏置电流bias current就是第一级放大器输入晶体管的基极直流电流。这个电流保证放大器工作在线性范围, 为放大器提供直流工作点。 输入偏置电流与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；采用场效应管做输入级的，输入偏置电流一般低于1nA。
网络分析仪E5071C帮助文档_命令参考_MMEMory
:MMEMory:LOAD:PROGram 没有等效COM命令 语法 :MMEMory:LOAD:PROGram
这个命令将VBA编辑器上打开的VBA工程保存到文件中。该文件的扩展名为.vba。如果存在指定文件名的文件，重写其内容。 变量 参数 String 说明 要保存VBA工程的文件的名称 范围 254个字符或更少 预置值 “” 应用实例 10 OUTPUT 717;":MMEM:STOR:PROG ""Test1/Test1_01.vba""" 10 OUTPUT 717;":MMEM:STOR:PROG ""D:Test1_01.vba""" 相关命令 :MMEM:LOAD:PROG 等效键 Macro Setup > Save VBA Project 宏设置 > 保存VBA工程 :MMEMory:TRANsfer 没有等效COM命令 语法 :MMEMory:TRANsfer
避雷器安装原则
避雷器安装原则 防雷工程当中，电源避雷器的安装位置和选型存在很多争议，笔者就这些年的工作经验和防雷理论结合在一起，阐述一下自己的一些观点： B级避雷器（安装于LPZ0A区） 1、安装原则理论上一级避雷器（B级）应尽量安装在总进线空开前端，如果安装不方便，也可安装在空开后端。但是，如果进线前端有双电源切换装置时，必须安装在双电源切换装置的前端，从而使切换装置得到保护（现在的双电源切换装置多为机械型和电子控制型、有的还有232和485控制装置和24伏消防电源，雷电流一旦通过，极易发生损坏）。理由是，空开（断路器）的动作时间远远大于避雷器的动作时间，一旦有雷电流（过电压）通过，避雷器会在断路器动作之前提前动作，把过电流泄放掉，从而保护电路及其后端的用电设备。 2、选型原则B级避雷器尽量选择电压开关型避雷器，通流容量大，保护电压UP要尽量小。一般避雷器的前端要串接相应容量的断路器，断路器的作用：在避雷器损坏时，方便更换；其二是在避雷器发生老化时，避免发生电流对地故障。 C级避雷器（安装于LPZ1区） 1、安装原则采用限压型避雷器，可并联安装于二级电源空开前端或后端，避雷器前端串接相应容量的断路器。作用同上。 2、选型原则C级避雷器采用限压型，把B级避雷器导通后产生的残压控制在设备的冲击绝缘水平以下。由于限压元件的相应时间快，一般为25ns左右，而放电间隙的相应时间则比较慢，约为100ns，所以要在保证C级避雷器导通之前，B级避雷器应先导通。这样就必须是保证B级和C级之间有一定的安装距离。 D级避雷器 同上 B级避雷器的作用主要是泄放大的电流，C级和D级避雷器的作用主要是把B级避雷器的残压限制在后端设备的耐压水平以下。以保护设备。 C、D级避雷器应尽量靠近安装在被保护物端。
运放NE些参数的讲解
NE5534运放芯片一些资料整理： 极限参数： 直流指标： 运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标如下：
?输入失调电压Vos： 输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系，其中双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入失调电压在±1~10mV之间；采用场效应管做输入级的，输入失调电压会更大一些。对于精密运放，输入失调电压一般在1mV 以下。输入失调电压越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。 ?输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔVos/ΔT： 输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充，便于计算在给定的工作范围内，放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压温漂在±10~20μV/℃之间，精密运放的输入失调电压温漂小于±1μV/℃。 ?输入偏置电流iOS： 输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地
避雷器的电气参数
避雷器的电气参数 [ 2007-1-7 16:51:00 | By: 35dtb ] 1.系统额定电压（有效值）（kV）：与电力系统标称电压相对应。 2.避雷器额定电压（有效值）（kV）（灭弧电压）：保证避雷器能灭弧的最高工频电压允许值。 3.工频放电电压（有效值）（kV）：避雷器在工频电压下将放电的电压值。由于火花间隙击穿的分散性，它有一个上限值和下限值。 工频放电电压不能低于下限值，以避免在能量大的内过电压下动作，使避雷器损坏或爆炸。 工频放电电压也不能高于上限值，因在一定的结构下工频放电电压和冲击放电电压有一定的影响关系，工频放电电压高了将使冲击放电电压提高，影响保护效果。 4.冲击放电电压：在冲击电压作用下避雷器发生放电的电压值（幅值）。 5.残压：当波形为8/20μs，5kA或10kA的冲击电流流过避雷器时避雷器两端的电压降，以幅值表示。此残压为避雷器雷电放电时加于并接的被保护设备上的电压，当然低一点好。 6.避雷器持续运行电压：加于避雷器两端允许持续运行的工频电压有效值。 7.避雷器的直流参考电压U1mA：使恒定的1mA电流流过避雷器时施加于避雷器两端的电压。
避雷器额定电压是施加到避雷器端子间的最大允许工频电压有效值，按照此电压设计的避雷器，能在所规定的动作负载试验中确定的暂时过电压下正确地工作。它是表明避雷器运行特征的一个重要参数，但它不等于系统标称电压。 由于电力系统的标称电压使该系统相间电压的标幺值，而避雷器一般安装在相对地之间，正常工作时承受的是相电压和暂时过电压，并且避雷器有它本身的特点，因此其额定电压与电力系统的标称电压以及其他电器的额定电压有不同意义。按照国际电工委员会（IEC99-4）及GB11032对无间隙金属氧化物避雷器的规定，避雷器在60度的温度下，注入标准规定的能量后，必须能耐受相当于额定电压数值的暂时过电压至少1s。 避雷器额定电压建议值： 非直接接地系统及小阻抗接地系统：1s及以内切除故障，10kV选用13kV避雷器 1s以上切除故障，10kV选用17kV避雷器 直接接地系统：110kV选用102kV避雷器 并联电容器装置保护用氧化锌避雷器的选型问题 唐耀胜
二次元件选型规范
二次元件选型规范 在设计中选择二次元件，若客户没有特定要求元件厂家、品牌的情况下，我们在 配电柜设计中引用规范中能满足电气要求的二次元件。这有利于配电设备设计规范化，标准化。 一、按钮、指示灯 按钮以及指示灯，在配电柜中应用广泛，在此我们统一应用电压等级为交直流 220V两用型、安装孔径为Φ22的按钮及指示灯，故选择德力西、江阴、二工的按钮或者指示灯。具体选型见选型附表1。 电气测量仪表用的转换按钮，选择LW5D-16型。 转换控制按钮，例如0.4KV投切电容器控制按钮，选择LW12-16型。 其它特殊按钮，根据实际情况，另外选择。 二、微型断路器 微型断路器，根据功能分为漏电流保护微型断路器以及不带漏电流保护的微型断 路器；根据电源分为交流微型断路器、直流微型断路器。 不带漏电的微型断路器，根据极数分为1P、2P、3P、4P等，带漏电保护的微型 断路器，根据极数分为1P、1P+N、2P、3P、3P+N、4P； 在直流系统中，采用德力西的DZ47-DC系列。直流微型断路器有1P、2P两种， 根据实际需要，可加装辅助触头、报警触头等附件。 总之，我们在选择微型断路器时要考虑实际情况，选择经济实惠、又能满足负荷 要求的断路器，譬如，德力西的DZ47系列电流为1~63A，CDB2系列电流为60~125A,漏电流保护的DZ47LE、CDB2LE系列。具体选型见选型附表1。 三、中间继电器 中间继电器有用较小的电流、较低的电压去控制较大电流或者较大电压，或增多触点，或实现电气隔离等作用，在电气控制中有很多应用。我们在电力二次设计中， 统一选择电压等级为AC220V,结构轻巧，安全可靠地的中间继电器。