电子测试技术的应用与发展

电子测试技术的应用与发展
电子测试技术的应用与发展

电子测试技术的应用与发展

——结合一种具体电子测试仪器说明其原理、结

构、应用与发展

班级:电信0603姓名:贾琳琳学号:20060915

摘要:电子测试技术是一门以测试信息为主的科学门类,它阐述了各种电子仪器的基本原理和方法,并重点介绍了测试信号的获取,及它在现实生活和军事中的应用。本文主要介绍了电子测试技术的的意义,发展和重要性,以及在国家经济发展中所发挥的作用,然后又综述《现代电子测试技术》这门课程所介绍的主要内容,最后着重介绍光元器件分析仪的工作原理、结构与应用。

著名科学家门捷列夫说过:“没有测量就没有科学”。测试技术和仪器是科学研究中信息的获取、处理和显示的重要手段,是人们认识客观世界并取得定性或定量信息的基本方法,是信息工程的源头和重要组成部分。随着科学信息的快速发展,对测试技术的要求逐步提高,电子测试技术必将成为新时代的重点学科,并将其应用于学习、生活、科研的各个领域。电子测试技术及仪器是指利用现代电子技术对电量和非电量进行测量的方法与设备。电子测量技术与仪器一般包含能量的测量、产生能量的信号的测量以及传输信号的网络的测量;定量测量侧重于量的精准确定;电子测试技术覆盖的面更宽,除了上述测量外,还包括了信息的测量,如软件协议测量、硬件故障诊断等

这种科学的方法包含了一系列测试技术,这种手段包含了相关门类的仪器。测试技术和仪器是物质信息的获取、处理与输出的方法和手段。科技要发展,测试须先行。现代科技发展依赖于先进的测试技术与仪器的发展,现代制造业无论是研发、中试,还是生产过程控制、产品检测和维护都需要先进的科学仪器作为技术和测试手段。21世纪,面对国际科学技术发展趋势,越来越多的国家都把大力加强测试技术与仪器科学作为一种国家发展战略,对大至宇宙、小到基本粒子的物质世界奥秘的探寻,从信息、材料、生物、环境、能源到多学科交叉等领域的科技前沿,均对测试技术与仪器提出了越来越高的先行需求。它是进行军事装备研究,新产品试制和开发,以及生产与维护运转中不可缺少的测试手段和工具。一切重大的科学技术成就都与测试技术和测试仪器有直接关系。因此,电子测试技术及仪器的水平常常是衡量一个国家科技发展和生产技术的重要标志,也是军事实力的重要表现。

在科学技术发展的今天,测试工作将处于各种现代军事装备系统设计和制造的首位,并成为生产率、制造能力及实用性水平的重要标志。据有关资料报道:目前,测试成本达到所研制的军事装备系统总成本的50%,甚至70%;而且,编制测试程序所花的时间比系统设计所花的时间更长。因此,在未来激烈竞争的世界中,测试将与现代军事装备系统的设计和制造构成为一个完整的整体,是保证现代军事装备系统实际性能指标的重要手段,电子测试技术和仪器是直接或间接地为军事目的服务的,而且,测试仪器本身也是军事装备中的重要组成部分。因此,一个国家要在军事上实现现代化,则必须具有先进的军事测试技术来予以保证。而《现代电子测试技术》这门课程也突出了军事应用中的先进测试技术及仪器,应用范围更广,它不仅深入介绍了电子测量的基本原理和技术方法,电子仪器及测试系统的组成及工作原理,而且还介绍电子测量中的误差分析和数据处理的能力,以及学会把电子测量技术,电子仪器和测量系统应用到实际中的基本

方法。

目前,军用光纤系统的调制速率已提高到微波频率,因此,表征光元器件的高频特性就显得特别重要。采用较高的调制频率时,光元器件的设计就更加困难和复杂。同时将它们组成系统时,要考虑组件之间的相互作用和影响。因此,为了提高光波系统中光元器件之间接口最佳化,需要更进一步分析和表征光元器件的高频特性,而光元器件分析仪是深入分析和表征高速光元器件射频特性的有力工具。

光元器件分析仪主要是由一体化矢量网络分析仪、光波源、光波接收机和光耦合器组成。光元器件分析仪的工作原理如图所示。

光元器件分析仪的原理及组成:

光元器件分析仪是用来测量待测器件的调制传递函数,并给出相位和幅度特性的仪器。系统的信息源提供一个已知幅度和相位特性的正弦波信号,并作为调制信号加在光波源上,以产生一个强度被射频信号调制的光信号,光波信号通过光媒介传输,经待测器件后,传输到光波接收机进行解调,其解调信号电平与强度调制的光包络成正比。此时系统中传输的信号已恢复成经由待测件作用过的调制信号。信号处理单元将这个由待测件作用过的调制信号与由射频源提供的原始射频信号进行相位与幅度的比较,并进行归一化处理,便可得出被测件对调制信号的响应。

光元器件分析仪的测试原理采用的是替代法,系统首先通过已知量即标准件来校准,然后用待测件代替已知件来测试。通过系统的不同组合和使用不同的校准方法,待测件可以是光—光器件、光—电器件、电—光器件,另外测量类型也可作不同的选择。

一、光波源

光波源产生受微波信号强度调制的光,光波源本身是一个无调制的半导体激光器,其波长和输出功率都随温度而变化。为了减小温度和激光器老化的影响,在光波源中必须加入自动温度控制电路和自动功率控制电路。光直接通过高性能光隔离器,减小使激光器受反射光的影响;另外,光还通过极化控制器,可以改变光的极化状态,在光调制器的输入产生适当的极化状态,使调制器工作在最大效率。

二、光波接收机

在光波接收机中,光电信号转换的关键器件是高速光电二极管,在高速光元

器件分析仪中,对高速光电二极管的要求是:宽响应频带,低暗电流,高灵敏度。高速光电二极管的响应速度与器件的RC时间常数及光载流子在耗尽层的渡越时间有关。为使高速光电二极管与前置宽带放大器之间相匹配,以保证输出信号反射最小,必须在它们之间加入阻抗变换器。

三、光外调制器

在高速光元器件分析仪中,调制器是必不可少的,对外调制器的技术要求是宽带、驱动电压低、插入损耗低、稳定性高等。目前较好的有波导型铌酸锂调制器和电子吸收型半导体调制器。但调制器中要解决的技术问题有:

(1) 调制带宽。调制器的带宽受制导光波和微波调制信号的速度失配限制。

(2) 降低驱动电压。采用长电极,使波导中的光封闭状态达到最佳,以及新的电极结构,可大幅度降低驱动电压。

(3) 高度稳定性。在衬底表面涂一层薄的硅膜,使电荷均匀分布,可极大改善其稳定性。

四、光隔离器

激光器对于反射光再进入激光腔是很敏感的,这个效应称为反射灵敏度。它能改变激光器的线宽、分布形式及转换特性,引起信号强度减弱及相位噪声。反射灵敏度可用光隔离器来降低。使用于LD光源耦合的微型化隔离器主要采用“起偏器—45度角旋转器—检偏器”方式。这样使得正向传输的光可以近乎无损耗地通过。光隔离器的主要性能指标有插入损耗、隔离度及回波损耗,一般要求隔离器的隔离度要大于35dB。

光元器件分析仪的主要技术指标、应用及发展:

光元器件分析仪的主要技术指标有:

(1) 中心波长 1300±10nm (1550±10nm)

(2) 光谱宽度≤3nm(≤50MHz)

(3) 平均输出功率 -5.9dBm

(4) 调制频率范围 130MHz — 20GHz

(5) 调制频率响应±1.5dB

(6) 调制光输出功率 -8.9dBm(峰峰值)

(7) 调制度 25%

(8) 反射灵敏度±0.05dB(±0.01dB)

(9) 激光器隔离度 50dB(80dB)

(10) 偏振度 20 :1

(11) 端口回波损耗 15dB

光元器件分析仪主要用于光元器件、系统(包括变换器)的电—光、光—电、光—光、电—电的传输和反射特性测量,测量可以在三个波长点(850nm、1300nm、1550nm)进行,其调制频率达20GHz。

光元器件分析仪的应用与发展:

1. 光发射机特性测量

光元器件分析仪可用于测量激光器(LD)、发光二极管(LED)、光波源传输和反射特性,包括:调制带宽和频率响应、转换效率、偏置电压的影响、反射灵敏度、调制相位响应、激光器输入阻抗等。

2. 光接收机特性测量

光元器件分析仪可用于测量光电二极管(PIN)、光接收机的传输和反射特性,

包括:调制带宽、频率响应、转换效率、调制相位响应、输出阻抗等。

3. 光元器件的测量

光元器件分析仪可用于测量光元器件的传输和反射特性,包括:光纤长度和传播延时、光纤调制相位稳定度、光纤反射分布曲线。

4. 电元器件的测量

光元器件分析仪还具有全部微波网络分析仪的功能,可用于测量放大器、滤波器和传输线的带宽、插入损耗/增益、相位、阻抗和延时群。

光元器件分析仪具有傅里叶变换功能,能将频域测量结果按时域/距离域显示出来。在时域可以观察、计算光波器件的脉冲和阶跃响应;在距离域能以小于1mm的分辨率确定多个不连续点。

光元器件分析仪是当代电子测量仪器技术的又一发展,它将当代的光电子技术、先进的微波技术和计算机聚于一体。光元器件分析仪不仅仅局限于理论,在实践当中已生产出不同性能的产品。在国际上,首先由美国惠普公司于1989年推出产品,其型号为HP8702A,在90年代初又推出了HP8703光元器件分析仪,使光元器件分析仪在技术指标上有了进一步的提高,它具有较高的灵敏度和稳定性,在调制频率方面也有了提高,另外它具有并行处理功能,提高了调制器的应用效率。另外安捷伦科技公司(NYSE:A)日前展示了旗下最新型的光波元器件分析仪(LCA)—首款用于测试850nm波长的元器件分析仪。它是光元器件的又一次飞跃。它为更好地表征主要光元器件的频率响应树立了新标准,且它专为测试高速电信网络和计算机网络中的光纤通道元器件设计,具有领先的多功能性、测量速度和可靠性。光元器件分析仪种类繁多,性能参差不齐,但随着测试要求的不断提高,光元器件分析仪的性能会逐渐得到改善,比如调制频率和稳定性的提高,驱动电压的降低及工作效率的提高等。

光元器件分析仪仅仅是电子测试技术的一个实例,从侧面反映了测试技术的发展与应用。从光元器件分析仪的结构,工作原理及方式可以看出电子测试技术已经取得了较大发展,但尚有很大发展空间,随着现代社会的进步与科技水平的发展,人们对测试技术的要求也在不断提高,这就使得电子测试技术在科技领域的应用要求和范围大大提高,特别是我国目前的电子测试技术与国外一些发达国家的水平相比还有一定得差距,我们要在学习国外先进技术的基础上,充分发挥我们自己的科技创造力,不断探索和创新,争取尽早进入国际先进科技水平的轨道。

光电子技术的应用和发展前景

光电子技术的应用和发展前景 姓名:曾倬 学号:14021050128 专业:电子信息科学与技术 指导老师:黄晓莉

摘要:光电子技术确切称为信息光电子技术,本文论述了一些新型光电子器件及其发展方向 20世纪60年代激光问世以来,最初应用于激光测距等少数应用,光电子技术是继微电子技术之后近30年来迅猛发展的综合性高新技术。1962年半导体激光器的诞生是近代科学技术史上一个重大事件。经历十多年的初期探索,到70年代,由于有了室温下连续工作的半导体激光器和传输 损耗很低的光纤,光电子技术才迅速发展起来。现在全世界敷设的通信光纤总长超过1000万公里,主要用于建设宽带综合业务数字通信网。以光盘为代表的信息存储和激光打印机、复印机和发光二极管大屏幕现实为代表的信息显示技术称为市场最大的电子 产品。人们对光电神经网络计算机技术抱有很大希望,希望获得功耗的、响应带宽很大,噪音低的光电子技术。

目录 (一)光电子与光电子产业概况 (二)光电子的地位与作用 (三)二十一世纪信息光电子产业将成为支柱产业 (四)国际光电子领域的发展趋势 (五)光电子的应用

(一),光电子及光电子产业概况 光电子技术是一个比较庞大的体系,它包括信息传输,如光纤通信、空间和海底光通信等;信息处理,如计算机光互连、光计算、光交换等;信息获取,如光学传感和遥感、光纤传感等;信息存储,如光盘、全息存储技术等;信息显示,如大屏幕平板显示、激光打印和印刷等。其中信息光电子技术是光电子学领域中最为活跃的分支。在信息技术发展过程中,电子作为信息的载体作出了巨大的贡献。但它也在速率、容量和空间相容性等方面受到严峻的挑战。 采用光子作为信息的载体,其响应速度可达到飞秒量级、比电子快三个数量级以上,加之光子的高度并行处理能力,不存在电磁串扰和路径延迟等缺点,使其具有超出电子的信息容量与处理速度的潜力。充分地综合利用电子和光子两大微观信息载体各自的优点,必将大大改善电子通信设备、电子计算机和电子仪器的性能。 今天,光电子已不再局限传统意义上的用于光发射、光调制、光传输、光传感等的电子学的一

摸拟电子技术试卷1

模拟电路试卷1 A卷 一、单选题(每题1分) 1.欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用()运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 2.欲将方波电压转换成尖脉冲电压,应选用()运算电路。 A. 比例 B. 加减 C. 积分 D. 微分 3.某双极型三极管多级放大电路中,测得A 1u =25,A 2 u =-10 ,A 3 u 1,则可判断这三 级电路的组态分别是()。 A. 共射极、共基极、共集电极 B. 共基极、共射极、共集电极 C. 共基极、共基极、共集电极 D. 共集电极、共基极、共基极 4.甲类功率放大电路比乙类功率放大电路() A.失真小、效率高B.失真大、效率低 C.管耗大、效率高D.失真小,效率低 5.对恒流源而言,下列说法不正确的为()。 A.可以用作偏置电路B.可以用作有源负载 C.交流电阻很大D.直流电阻很大 6.直接耦合放大电路 ( )信号。 A. 只能放大交流信号 B. 只能放大直流信号 C. 既能放大交流信号,也能放大直流信号 D. 既不能放大交流信号,也不能放大直流信号 7.差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数()。 A.不变B.提高一倍C.提高两倍D.减小为原来的一半 8.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM

9.集成运放的输出级一般采用互补对称放大电路是为了( ) A.增大电压放大倍数 B.稳定电压放大倍数 C.提高带负载能力 D. 减小线性失真 10.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 11.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(),则说明引入的是负反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小 12.要求输入电阻大,输出电压稳定,应选用()负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 13.需要一个阻抗变换电路,要求输入电阻大,输出电阻小,应选用()负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 14.为了抑制温漂,应引入()负反馈。 A. 直流 B. 交流 C. 串联 D. 并联 15.设图中的电路满足振荡的振幅起振条件,() 图号7106 A.若X1、X2和X3同为电容元件,则构成电容三点式振荡电路 B.若X1、X2和X3同为电感元件,则构成电感三点式振荡电路

数字电子技术试题及答案(题库)

《数字电子技术》试卷 姓名:__ _______ 班级:__________ 考号:___________ 成绩:____________ 1. 有一数码10010011,作为自然二进制数时,它相当于十进制数( ),作为8421BCD 码时,它相当于 十进制数( )。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和( )3种状态。 3.TTL 与非门多余的输入端应接( )。 4.TTL 集成JK 触发器正常工作时,其d R 和d S 端应接( )电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ,该函数的反函数F =( ) 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码,则至少要( )位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为( )V ,其输出高电平为( )V ,输出低电平为( )V , CMOS 电路的电源电压为( ) V 。 8.74LS138是3线—8线译码器,译码为输出低电平有效,若输入为A 2A 1A 0=110时,输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为( )。 9.将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有( )根地址线,有( )根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后,最大计数容量为( )位。 11. );Y 3 =( )。

12. 某计数器的输出波形如图1所示,该计数器是( )进制计数器。 13.驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为( )有效。 二、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) (在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。) 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A .F(A,B,C)=∑m (0,2,4) B. (A,B,C)=∑m (3,5,6,7) C .F(A,B,C)=∑m (0,2,3,4) D. F(A,B,C)=∑m (2,4,6,7) 2.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ??的值是( )。 A .111 B. 010 C. 000 D. 101 3.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( )个。 A .16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器,当预先置入1011后,其串行输入固定接0,在4个移位脉冲CP 作用下,四位数据的移位过程是( )。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5.已知74LS138译码器的输入三个使能端(E 1=1, E 2A = E 2B =0)时,地址码A 2A 1A 0=011,则输出 Y 7 ~Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A .15 B .8 C .7 D .1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8.N 个触发器可以构成最大计数长度(进制数)为( )的计数器。

电力电子技术的发展与应用

电力电子技术的发展与应用作为电气自动化的学生,我们有必要对专业课程电力电子技术做个全面的了解。我们先对电力电子的定义做了解,再对电子电力技术的发展做大致介绍,最后综述电力电子技术的应用。 电力电子技术,是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的电子技术。电力电子技术包括电力电子器件、电力电子设备和系统及其控制三个方面,涉及电力电子器件,电力电子设备和系统,电力电子技术在各个行业的应用。与以信息处理为主的信息电子技术不同,电力电子技术主要用于功率(电力)变换,所变换“电力”功率的范围小到数瓦(W),大到数百兆瓦(MW)甚至吉瓦(GW)。 电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术,电力电子技术是建立在电子学、电工原理和自动控制三大学科上的新兴学科。因它本身是大功率的电技术,又大多是为应用强电的工业服务的,故常将它归属于电工类。电力电子技术的内容主要包括电力电子器件、电力电子电路和电力电子装置及其系统。电力电子器件以半导体为基本材料,最常用的材料为单晶硅;它的理论基础为半导体物理学;它的工艺技术为半导体器件工艺。近代新型电力电子器件中大量应用了

微电子学的技术。电力电子电路吸收了电子学的理论基础,根据器件的特点和电能转换的要求,又开发出许多电能转换电路。 电力电子技术的发展史:一般认为,电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 晶闸管出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明期。1904年出现了电子管,它能在真空中对电子流进行控制,并应用于通信和无线电,从而开启了电子技术用于电力领域的先河。20世纪30年代到50年代,水银整流器广泛用于电化学工业、电气铁道直流变电所以及轧钢用直流电动机的传动,甚至用于直流输电。1947年美国著名的贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一场革命。 晶闸管时代,晶闸管由于其优越的电气性能和控制性能,使之很快就取代了水银整流器和旋转变流机组,并且其应用范围也迅速扩大。电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。这就使得晶闸管的应用受到了很大的局限。

数字电子技术考试题及答案

太原科技大学 数字电子技术 课程试卷 B 卷 一、单选题(20分,每小题1分)请将本题答案全部写在下表中 1、8421BCD 码10000001转化为十六进制数是( )。 A 、15 B 、51 C 、81 D 、18 2、n 位二进制数的反码或其原码,表示的十进制数是( )。 A 、21n - B 、2n C 、1 2n - D 、2n 3、TTL 与非门多余输入端的处理是( )。 A 、接低电平 B 、任意 C 、 通过 100W 电阻接地 D 、通过 100k W 电阻接地 4、OD 非门在输入为低电平(输出端悬空)情况下,输出为( )状态。 A 、高电平 B 、低电平 C 、开路 D 、不确定 5、与()Y A B A =e e 相等的逻辑函数为( )。 A 、Y B = B 、Y A = C 、Y A B =? D 、Y A B =e 6、下列(,,)F A B C 函数的真值表中1Y =最少的为( )。 A 、Y C = B 、Y AB C = C 、Y AB C =+ D 、Y BC C =+ 7、( )是组合逻辑电路的特点。 A 、输出仅取决于该时刻的输入 B 、后级门的输出连接前级门的输入 C 、具有存储功能 D 、由触发器构成 8、半加器的两个加数为A 和B ,( )是进位输出的表达式。 A 、AB B 、A B + C 、AB D 、AB 9、欲使JK 触发器1 n Q Q +=,J 和K 取值正确的是( )。 A 、,J Q K Q == B 、J K Q == C 、0J K == D 、,1J Q K == 10、字数为128的ROM 存储器存储容量为1204位,字长为( )位,地址线为( )根。 A 、8,8 B 、8,7 C 、4,7 D 、4,8 11、一个四位二进制减法计数器初始状态为0110,经过101个脉冲有效沿触发后,它的输出是 ( )。 A 、0000 B 、0001 C 、0011 D 、0010 12、要用1K×8的RAM 扩展成8K×16的RAM ,需选用( )译码器。 A 、 3线-8线 B 、2线-4线 C 、1线-2线 D 、4线-16线

电工电子技术试题及答案..

电工电子技术试题 一、填空题(共133题,每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比,而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆,简称欧,用符号表示,而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E,电源的内阻压降为U0,则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路,电源端电压为220伏,负载电流为10安,线路的总阻抗为0.2欧姆,那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只220伏15瓦的灯泡与一只220伏100瓦的灯泡串联后,接到220伏电源上,则 15 瓦灯 泡较亮,而 100 瓦灯泡较暗。 10、1度电就是1千瓦的功率做功1小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流,频率为50赫,最大值为20安,初相位为-40°,此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- 40°) ,相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压,其读数为380伏,此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个100欧的电阻元件接到频率为50赫、电压为10伏的正弦交流电源上,其电流为 0.1A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为50赫的交流电流,其感抗X L= 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫,其感抗X L= 5024 欧。 16、一个10微法的电容接在50赫的交流电源上,其容抗X C= 318 欧,如接在2000赫的交流电源上, 它的容抗X C= 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为i=100sin(6280t- π/4)毫安,它的频率f= 1000Hz ,周期T= 0.001 秒, 角频率ω= 6280 ,最大值Im= 100mA ,有效值I= 100/1.414 mA ,初相位φ=π/4 。 18、已知两交流电流分别为i1=15sin(314t+45°)安,i2=10sin(314t-30°)安,它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中,电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示,其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示,其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示,其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序,就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压,线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时,则负载的相电压等于电源的线电压, 倍。 28、在三相对称电路中,已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P=UICOSφ,无功功率 Q=UISINφ,视在功率S=UI 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时,其线电压为380伏,它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机,额定电压为380伏,三角形联接,若测出线电流为30安,那么通过每相绕

电力电子技术的发展及应用趋势

浅析电力电子技术的发展及应用 张友均 摘要:本文主要简要回顾了电力电子技术的发展史,简述了电力电子在电力系统中的一些应用及发展趋势。关键词:电力电子技术;发展史;电力系统;应用;发展趋势 1 引言 自上世纪五十年代末第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气控制技术舞台,标志着电力电子技术的诞生。究竟什么是电力电子技术呢?美国电气与电子工程师协会下设的电力电子学会对“电力电子技术”的阐述是:有效的使用电力半导体器件,应用电路设计理论以及分析开发工具,实现对电能高效能变换和控制的一门技术。对电能的高效能变换和控制包括对电压,电流,频率或波形等方面的变换。它广泛应用于电力、电气自动化及各种电源系统等工业生产和民用部门。它是介于电力、电子和控制三大领域之间的交叉学科。目前,电力电子技术的应用已遍及电力、汽车、现代通信、机械、石化、纺织、家用电器、灯光照明、冶金、铁路、医疗设备、航空、航海等领域。进入21世纪,随着新的理论、器件、技术的不断出现,特别是与微控制器技术的日益融合,电力电子技术的应用领域也必将不断地得以拓展,随之而来的必将是智能电力电子时代。 2 电力电子技术的发展史 电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。 2.1 整流器时代 大功率的工业用电由工频( 50Hz)交流发电机提供,但是大约20%的电能是以直流形式消费的,其中最典型的是电解(有色金属和化工原料需要直流电解) 、牵引(电气机车、电传动的

电力电子技术试卷及答案..

一、填空题(每空1分,34分) 1、实现有源逆变的条件为和。 2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。 3、在有环流反并联可逆系统中,环流指的是只流经而不流经 的电流。为了减小环流,一般采用αβ状态。 4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。 5、给晶闸管阳极加上一定的电压;在门极加上电压,并形成足够的电流,晶闸管才能导通。 6、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时 与电路会出现失控现象。 7、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z;这说明电路的纹波系数比电路要小。 8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。 9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。 10、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于电流之前,如去掉脉冲,晶闸管又会关断。 三、选择题(10分) 1、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差度。 A 、180度;B、60度;C、360度;D、120度; 2、α= 度时,三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度; B、60度; C 、30度;D、120度; 3、通常在晶闸管触发电路中,若改变的大小时,输出脉冲相位产生移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压; B、控制电压; C、脉冲变压器变比; 4、可实现有源逆变的电路为。

A、单相全控桥可控整流电路 B、三相半控桥可控整流电路 C、单相全控桥接续流二极管电路 D、单相半控桥整流电路 5、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选时系统工作才可靠。 A、300~350 B、100~150 C、00~100 D、00 四、问答题(每题9分,18分) 1、什么是逆变失败?形成的原因是什么? 2、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求? 五、分析、计算题:(每题9分,18分) 1、三相半波可控整流电路,整流变压器的联接组别是D/Y—5,锯齿波同步触发电路中的信号综合管是NPN型三极管。试确定同步变压器TS的接法钟点数为几点钟时,触发同步定相才是正确的,并画出矢量图。(8分) 2、如图所示:变压器一次电压有效值为220V,二次各段电压有效值为100V,电阻性负载,R=10Ω,当控制角α=90o时,求输出整流电压的平均值U d,负载电流I d,并绘出晶闸管、整流二极管和变压器一次绕组电流的波形。(10分) 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均

电子技术考题大全及答案(完整版)

习题 【2-1】填空、选择正确答案 1.对于阻容耦合放大电路,耦合电容器的作用是 A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端; √B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端;同时防止偏置电流被信号源旁路; C.将输入交流信号加到晶体管的基极。 2.在基本放大电路中,如果集电极的负载电阻是R c,那么R c中: A.只有直流; B.只有交流; √ C.既有直流,又有交流。 3.基本放大电路在静态时,它的集电极电流的平均值是();动态时,在不失真的条件下,它的集电极电流的平均值是()。(I CQ;I CQ) 4.下列说法哪个正确: A.基本放大电路,是将信号源的功率加以放大; √B.在基本放大电路中,晶体管受信号的控制,将直流电源的功率转换为输出的信号功率; C.基本放大电路中,输出功率是由晶体管提供的。 5.放大电路如图2.1.7所示,试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变(包括基本不变) (1) 要使静态工作电流I c减少,则R b1应。(a) (2) R b1在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (3) R e在适当范围内增大,则电压放大倍数,输入电阻,输出电阻 。(b;a;c) (4) 从输出端开路到接上R L,静态工作点将,交流输出电压幅度要。 (c;b) (5) V cc减少时,直流负载线的斜率。(c) 6.放大电路的输出电阻越小,放大电路输出电压的稳定性()。(越好) 7.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的()而引起的非线性失真。(饱和区) 8.在共射基本放大电路中,若适当增加 ,放大电路的电压增益将()。(基本不增加) 9.在共射基本放大电路中,若适当增加I E,电压放大倍数将如何变化()。(增加) 10.在共射基本放大电路中,适当增大R c,电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A.放大倍数变大,输出电阻变大 B.放大倍数变大,输出电阻不变 C.放大倍数变小,输出电阻变大 D.放大倍数变小,输出电阻变小 11.有两个电压放大电路甲和乙,它们的电压放大倍数相同,但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大,在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。(对放大电路输出电压大小的影响,一是放大电路本身的输入电阻,输入电阻越大,加到放大电路输入端的信号就越大;二是输出电阻,输出电阻越小,被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小,输出信号就越大。在负载

电子技术的发展与应用综述

电子技术的发展与应用综述 摘要:本文针对电子技术的基本概念,发展及在自动化专业中的典型应用、工艺、功能电路实现手段及未来发展前景等进行了综述。其中,着重介绍了电子技术自动化、温度控制系统等当前电子技术应用较为广泛的领域。同时,文章以微电子领域为主阐述了电子技术未来发展的方向。 关键词:电子技术;EDA;自动控制;变革 引言 人类历经过以火、陶瓷及金属农具生产为代表的年代;人类也走过以英国瓦特蒸汽机发明为代表的产业革命、以德国李比希为代表的化工技术革命以美国爱迪生发明为代表的电力革命;如今跨入了以高新科技综合创新为代表的信息革命时代。 而正是电子技术的出现和应用,使人类进入了高新技术时代.电子技术诞生的历史虽短,但深入的领域却是最广最深,而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础.随着新型电子材料的发现,电子器件发生了深刻变革。 二十一世纪,人类进入信息时代,信息社会中信息的生产、存储、传输和处理等过程一般均由电子电路来完成,因此电子技术在国民经济各方面占有至关重要的作用。尤其是近年来,随着计算机技术、通信技术和微电子技术等高新科技的迅猛发展,大量的生产实践和科学技术领域都存在着大量与电子技术有关的问题,目前,电子技术的应用极其广泛,涉及计算机产业、通讯、科学技术、工农业生产、医疗卫生等各个领域,如电视信号传播、无线电通信、光纤通信、军事雷达、医疗X射线透视等,所有这些方面均与电子科学与技术学科息息相关,密不可分。 电子技术是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。电子技术是其他高新技术发展的基础和龙头,它的发展带动了其他高新技术的发展。 1.电子技术发展史概述 电子技术是十九世纪末、二十世纪初发展起来的新兴技术。由于物理学的重大突破,电子技术在二十世纪发展最为迅速,应用最为广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。

电气测试技术第三版_课后习题答案(林德杰)

l第一章思考题与习题 1-2 图1.6为温度控制系统,试画出系统的框图,简述其工作原理;指出被控过程、被控参数和控制参数。 解:乙炔发生器中电石与冷水相遇产生乙炔气体 并释放出热量。当电石加入时,部温度上升,温度 检测器检测温度变化与给定值比较,偏差信号送到控 制器对偏差信号进行运算,将控制作用于调节阀,调 节冷水的流量,使乙炔发生器中的温度到达给定值。 系统框图如下: 被控过程:乙炔发生器 被控参数:乙炔发生器温度 控制参数:冷水流量 1-3 常用过程控制系统可分为哪几类? 答:过程控制系统主要分为三类: 1. 反馈控制系统:反馈控制系统是根据被控参数与给定值的偏差进行控制的,最终达到或消除或减小偏差的目的,偏差值是控制的依据。它是最常用、最基本的过程控制系统。 2.前馈控制系统:前馈控制系统是根据扰动量的大小进行控制的,扰动是控制的依据。由于没有被控量的反馈,所以是一种开环控制系统。由于是开环系统,无法检查控制效果,故不能单独应用。 3. 前馈-反馈控制系统:前馈控制的主要优点是能够迅速及时的克服主要扰动对被控量的影响,而前馈—反馈控制利用反馈控制克服其他扰动,能够是被控量迅速而准确地稳定在给定值上,提高控制系统的控制质量。 3-4 过程控制系统过渡过程的质量指标包括哪些容?它们的定义是什么?哪些是静态指标?哪些是动态质量指标? 答:1. 余差(静态偏差)e:余差是指系统过渡过程结束以后,被控参数新的稳定值y(∞)

与给定值c 之差。它是一个静态指标,对定值控制系统。希望余差越小越好。 2. 衰减比n:衰减比是衡量过渡过程稳定性的一个动态质量指标,它等于振荡过程的第 一个波的振幅与第二个波的振幅之比,即: n <1系统是不稳定的,是发散振荡;n=1,系统也是不稳定的,是等幅振荡;n >1,系统是稳定的,若n=4,系统为4:1的衰减振荡,是比较理想的。 衡量系统稳定性也可以用衰减率φ 4.最大偏差A :对定值系统,最大偏差是指被控参数第一个波峰值与给定值C 之差,它衡量被控参数偏离给定值的程度。 5. 过程过渡时间ts :过渡过程时间定义为从扰动开始到被控参数进入新的稳态值的±5%或±3% (根据系统要求)围所需要的时间。它是反映系统过渡过程快慢的质量指标, t s 越小,过渡过程进行得越快。 6.峰值时间tp : 从扰动开始到过渡过程曲线到达第一个峰值所需要的时间,(根据系统要求)围所需要的时间。称为峰值时间tp 。它反映了系统响应的灵敏程度。 静态指标是余差,动态时间为衰减比(衰减率)、最大偏差、过程过渡时间、峰值时间。 第二章 思考题与习题 2-1 如图所示液位过程的输入量为Q1,流出量为Q2,Q3,液位h 为被控参数,C 为容量系数,并设R1、R2、R3均为线性液阻,要求: (1) 列出过程的微分方程组; (2) 求过程的传递函数W 0(S )=H (S )/Q 1(S ); (3) 画出过程的方框图。 解:(1)根据动态物料平衡关系,流入量=流出量: B B n ' = B B B '-= ?dt dh )Q Q (Q 321=+-h d ?

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术试题及答案(

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷 一.填空题(每空1分,共30分) 1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。 2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。 3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。 4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。 5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。 7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入 a a.直流负反馈,b.交流负反馈)。 8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。 9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。 10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。 11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS 和NMOS 型。二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)

1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。C A) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5 C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.2 2.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D ) A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型 3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将( A) A) 增加B) 减小 C) 不变D)不能确定 4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。 A) 提高电源电压B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流D)加大R C

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

电子技术的发展及应用前景

电子技术的发展及应用前景 摘要:电子技术是一种工程理论与技术体系,是随着电子技术与信息技术的应用而发展起来的。电子技术应用,就是利用电子信息工程的相关工程理论解决电子技术的应用。在不同的工程领域,电子技术提供了信号,信息采集,传输和处理的实现技术,随着各行业信息化,智能化的发展,导致信息技术已经成为各工程应用领域的基本技术之一。本文介绍了电子信息技术应用的特点以及各种应用。电子信息工程是一门应用计算机等现代化技术进行电子信息控制和信息处理的学科,主要研究信息的获取与处理,电子设备与信息系统的设计、开发、应用和集成。现在,电子信息工程已经涵盖了社会的诸多方面,像电话交换局里怎么处理各种电话信号,手机是怎样传递我们的声音甚至图像的,我们周围的网络怎样传递数据,甚至信息化时代军队的信息传递中如何保密等都要涉及电子信息工程的应用技术。我们可以通过一些基础知识的学习认识这些东西,并能够应用更先进的技术进行新产品的研究和电子信息工程专业是集现代电子技术、信息技术、通信技术于一体的专业。 关键词:电子信息技术应用的特点,应用 电子技术是基于电子技术的信号或信息处理技术,电子信息应用前景非常广泛。电子信息工程是电子科学与技术,计算机科学与技术,信息与通信工程等学科支撑下的综合性工程应用技术体系,其核心是以电子信息技术和信息处理技术为支撑,研究相关应用领域中电子技术与信息技术的应用原理,方法和技术,创造性地应用电子科学与信息科学的基本原理,以设计,操作和维护满足应用领域所需要的机器设备和系统。 随着科学技术的日新月异的发展,电子技术也在不断的向前探索,以满足人们的生活需求。我认为,今后的电子技术的发展将会朝着智能化,集成化的方向发展。电子技术的应用也会非常广泛,和人们的生活息息相关。本文将就电子技术的发展及应用前景浅谈个人的一些肤浅认识。信息技术是现代文明的技术基础, 是科学研究和技术开发中不可缺少的技术手段,是高技术中的关键技术。它以微电子技术为基础, 以计算机和通信技术为主体, 并渗透到各种传统技术中, 又形成了许多边缘学科。正如江总书记指出: “四个现代化, 哪一化也离不开信息化”。信息技术的发展, 影响着整个国民经济的发展, 也直接影响了国家综合实力的变化。 纵观电子技术的发展,从第一代晶体管时代到第二代电子管时代,再到第三代集成化时代,以及现在的超大规模集成化时代。我们发现,电子技术的发展一

电子测试技术(二)

目录 实验一TTL集成逻辑门的参数测试(基本)...............................2学时实验二CMOS集成逻辑门的参数测试(基本)...........................2学时实验三集电极开路OC门及三态TS门电路的研究(综合).....2学时实验四译码器及其应用(应用)...................................................2学时实验五组合逻辑电路的设计(设计)...........................................2学时实验六数据选择器的功能分析与设计(综合)...........................2学时实验七触发器的功能测试(基本)...............................................3学时实验八移位寄存器及其应用(应用)...........................................3学时

实验一 TTL集成逻辑门的参数测试 实验学时:2 实验类型:基本 实验要求:必做 一、实验目的 1、了解TTL与非门各参数的意义。 2、掌握TTL集成门电路的逻辑功能和参数测试方法。 3、熟悉TPE-D3数字电路实验箱的基本功能和使用方法。 二、实验原理、方法和手段 TTL集成与非门是数字电路中广泛使用的一种逻辑门,使用时,必须对它的逻辑功能、主要参数和特性曲线进行测试,以确定其性能好坏。本实验主要是对TTL集成与非门74LS20进行测试,该芯片外形为DIP双列直插式结构。原理电路、逻辑符号和管脚排列如图1-1(a)、(b)、(c)所示。 图1-1 74LS20芯片原理电路、逻辑符号和封装引脚图 1. 与非门的逻辑功能 与非门的逻辑功能是:当输入端有一个或一个以上的低电平时,输出端为高电平;只有输入端全部为高电平时,输出端才是低电平。(即有“0”得“1”,全“1”得“0”。)对与非门进行测试时,门的输入端接逻辑开关,开关向上为逻辑“1”,向下为逻辑“0”。门的输出端接电平指示器,发光管亮为逻辑“1”,不亮为逻辑“0”。与非门的逻辑表达式为: Q ABC D

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