半导体器件参数(精)
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）
姓名：单位：
职务：得分：
一、填空题（每题1分，共20分）：
1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。
2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。
3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。
4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。
5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。
6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。
7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻
RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。
Rs(rs----串联电阻
Rth----热阻
结到环境的热阻
动态电阻
本机关单位或本系统
r
δ---衰减电阻
r(th---
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人
tg---电路换向关断时间
12
Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。
tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间
ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度
p---发光峰值波长
△λ
η---
15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
、正向压降（正向直流电压）
△政府、断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见
VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV
履行职责交流输入电压
最大输出平均电压
C 和国家有关法律、法规制定的。
中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
反向峰值电压（最高测试电压）
V
2、参照执行《党政领导干部选拔任用工作条例》有关规定的单位有击穿电压CD Vth---阀电压（门限电压）
反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压社团组织V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
3、在年度考核、干部考察中，民主测评不称职票超过（A）
二、双极型晶体管参数符号及其意义
Cc---集电极电容
Ccb---集电极与基极间电容
发射极接地输出电容
Ci---输入电容
共基极输入电容
Cie--- B考察材料 C证明材料共发射极开路输入电容
Cn---中和电容（外电路参数）
输出电容
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征频率
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE---多于
hIE---共发射极静态输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
h RE---
7、党政领导干部交流的重点是 AB 的领导成员，hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
A地方党委共发射极小信号开路输出导纳
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---
基极接地，发射极对地开路，在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo--- 发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
A一年以上 B
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM---
ICMP--- ISB---
IAGC---正向自动控制电流
Pc---集电极耗散功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pi---输入功率
Po---输出功率
Posc---振荡功率
Pn---噪声功率
Ptot---
ESB---二次击穿能量
rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）
rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
12、因工作能力较弱或者其他原因不适宜担任现职的，应当Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RBE---外接基极-
A同级交流 B降职使用 C责令辞职热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---。
toff---A党管干部的原则 B公开选拔的原则 C民主集中制的原则 D发射极（直流）电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压党政主要领导的意见 BVCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压D
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
16、党政领导干部任职回避的亲属关系为 ABCD
。
A夫妻关系近姻亲关系
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat---发射极接地，规定17、辞职包括-发射极间饱和压降
VBE(sat---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p---
18、提拔担任县（处）级以上党政领导职务的，应当具备的资格其中有 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
C大学专科以上文化程度 Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
A不准泄露酝酿、讨论干部任免的情况 CTC---电容温度系数
C标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压
21、选拔任用党政领导干部，必须坚持的六条原则中，除了任人唯贤、德才兼备原则；群众公认、注重实绩原则；公开、平等、竞争、择优原则；民主集中制
原则；依法办事原则等以外，还有一条是( B 。 A、效率优先原则 B、党管干部原则IM）
22、考察党政领导职务拟任人选，必须依据干部选拔任用条件和不同领导职务的职责要求，全面考察其( C 。
A、政治立场和工作表现 C、德、能、勤、绩、廉，注重考察工作实绩
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov---
IL---
B、地方党委、政府工作部门的领导成员或者其人选，党政机关内设机构的领导成员或者其人选，以及其他适于公开选拔、竞争上岗的领导职务暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
A、大学专科
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---
1、提任县（处）级以上领导职务的，由下级正职提任上级副职，一般要在下级正职岗位上工作两年以上。（ ×）IRR---
2、考察组由三名以上成员组成，考察组成员对考察材料负责。（ ×）
3、同一地方（部门）的党政正职一般可以同时易地交流。（
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流）
4、责令辞职，是指党委（党组）及组织（人事）部门，根据党政领导干部在任职期间的表现，认定其已不再适合担任现职的，通过一定程序责令其辞去现任领
导职务，拒不辞职的，应免去现职。（IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---5
IZM--- iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---√
7、选拔任用党政领导干部，必须坚持六条原则；党政领导干部应当具备六项基本条件；提拔担任党政领导职务的应当具备七项任职资格。（√ f---频率
8、由党委推荐、人民代表大会选举的领导干部人选落选后，根据工作需要和本人条件，可以推荐为其他职务人选，但不能再次推荐为同一职务人选。（ ×）δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
10PB---承受脉冲烧毁功率
PFT（AV四、简答题（每题分，共20分）：正向峰值耗散功率
、公开选拔、竞争上岗应当经过的程序有哪些？正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs----串联电阻
Rth----热阻
R(thja----结到环境的热阻
Rz(ru---动态电阻
R(thjc---结到壳的热阻
r δ---衰减电阻
r(th---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
V（BR）---击穿电压
Vth---阀电压（门限电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压
V v---谷点电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数
第1章半导体器件习题及答案教学总结
第 1 章半导体器 件 习题及答案
第1章半导体器件 一、是非题（注：请在每小题后［］内用” V"表示对，用” X "表示错） 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） 5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（） 6半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（） 10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（） 12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（） 13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述 二极管的反向击穿特性。（） 15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。 （） 16、有人测得某晶体管的U BE=0.7V, I B=20^A,因此推算出r be=U BE/|B=0.7V/20 卩A=35k Q（）
17、 有人测得晶体管在U BE =0.6V , I B =5^A,因此认为在此工作点上的r be 大约为 26mV/l B =5.2k ◎（） 18、 有人测得当U BE =0.6V , I B =10^A O 考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到 、选择题 （注：在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处 .1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中 __________ 载流子 A.有 B.没有 C.少数 D.多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生 ___________ F 很大关系。A.温度B. 掺杂工艺C.杂质浓度C.晶体缺陷 7、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 _____ 漂移电流，耗尽层 _____ 。当PN 结 外加反向电压 时，扩散电流 _____ 漂移电流，耗尽层 ____ 。 A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变 8、二极管正向电压从0.7V 增大15%时，流过的电流增大 ________ 。（ A 1. 15% B 1 ?大于 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2 U BE 1 B 0.6 0 10 0 60(k ) ,多选或不选按选错论） A.负离子 B. 空穴 C. 3、 半导体中的载流子为 ________ 。 空穴 4、 N 型半导体中的多子是 ________ < 5、 P 型半导体中的多子是 _________ < &在杂质半导体中，多数载流子的浓度 度则与 ______ 有 正离子 D. 电子-空穴对 \.电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和 A.电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 A.电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 _____ ，而少数载流子的浓
第三包技术要求
第三包技术要求 设备一 设备名称：精密空调 规格型号：联科CSA1013C3 数量：1台 安装地点及用途：用于信息中心机房 技术参数及相关要求： 技术参数：品牌为联科 制冷量13KW,恒温恒湿,额定电压380V,低温启动。 技术特点： 1.微处理控制器机组控制系统采用先进的32位微处理器来实现，提 供LCD控制屏，能提供要加方便精确的系统监控、报警记录及参数设定功能。在正常使用的温度及湿度范围内，温度控制精度达±0.2℃，湿度控制精度达±2%。 2.膨胀阀膨胀阅采用先进的热力膨胀阀，具有很强的可靠性和稳定 性，能精确控制蒸发器中的制冷剂的供应量。为了达到减少制冷设备的能量消耗的目标，在高性能的精密空调机组上我们配置先进电子式膨胀阀，能实现较少的能量消耗。 3.蒸发器高效率的蒸发器，由优质的材料和先进专业工艺制作，具 有较大换热面积，实现精密空调机组较高的显热比，可采用V型和/型设计。
4.冷凝器冷凝器外壳由抗腐蚀合金制成，保证了使用寿命和美观，室外风机采用优质轴流风机，防护等级IP65，365天×24小时连续运行，寿命10年以上，风机调速器保证了室外风机运行的高效和节能。在海洋他气候环境中，提供不锈钢外壳及钢箱绷片的换热器，使其能在腐蚀环境下长时间工作。可选配高效节能直流EC风机。 5.室内风机室内风机采用可调速高效离心风机，采用直联式驱动，风压可在0-400Pa范固内自由调节，可实现365天×24小时连续运行，平均寿命10年以上。在高性能机组方面采用由0-10V信号控制的EC节能风机，该风机由直流驱动无级调速，具有比传统风机更加优异的节能效果。 6.涡旋式压缩机机组核心动力采用Copeland全封闭涡旋式压缩机，保证了机组高效率、低噪音、高寿命。 7.过滤器金属柜架G4标准的空气过滤器，通过精密空调的气流循环能有效过滤机房内灰尘及颗粒物，有效净化机房内的空气环境。 8.加湿器采用目前国际先进的电极式加湿系统，加湿量及进排水水量均由电脑控制，加湿罐自动清洗程序确保加湿罐维持正常的加湿效率。可选配远红外加湿系统。 9.加热器采用优质的PTC电加热器，具有散热均匀，热效率高，使用寿命长（可达10年以上）等优点。所有电加热可采取三级加热控制模式，使之控制的环境温更精准，而且更节能。可选配可控硅无级调节的电加热器。 10.高品质控制部件严格遵循CE和IEC标准，先进的电控技术，可
产品技术参数及要求
产品技术参数及要求 开发区宁波路学校、实验小学教室多媒体配置清单 第1页共10页
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模块化设计：一体机内部模块化设计，以方便维护，中控采用内置式的连接线与其他组件连接，提高接插件的牢固度和可靠性； 尺寸设计：2030（长）*1270（高）*80（厚）mm 集成电脑配置不低于以下配置： 运算处理单元： CPU：H61平台，I3-2100或以上。主频：3.1GHz。 内存：4G DDRⅢ 硬盘：500G 集成：集成声卡、显卡、千兆网卡、WIFI 交互操作单元： 尺寸大小：尺寸≥84英寸，投影比例4:3 感应技术：红外感应技术 感应分辨率：≥4096*4096 感应工具：提供2支书写笔 快捷按键：单侧不少于16个快捷键，具有鼠标控制、页面注解、当前页回放、Office 注解、前后翻页等快捷键。 定位模式：至少两种定位方式供选择，其中包含6、12点两种； 处理速度：≥180点/秒 追踪/刷新率:≥30米/秒 驱动要求：免驱动，电子白板即插即用，防止防病毒软件对驱动的屏蔽 控制单元： 面板外观:薄膜式按键开关 按键功能:系统开关、电脑开关、音量调节、设备切换（PC/VGA输入/TV） I/O接口: 常用的中控操作面板、I/O接口位于左侧腔体正面,以方便操作。接口：VG A输入：≥1路；USB：≥3路；音频输入：≥1路；红外接收窗口：1路，用 以接收有线电视遥控器信号 互锁功能：中控提供PC和数影仪门禁的状态检测，可防止PC误关机或直接断电，避免系统的崩溃。 第3页共10页
控制功能：整机一键开、关机，为方便教师操作。 面板指示灯：设有运算单元和硬盘指示灯，对运算单元的运行状况一目了然。 摄像单元： 图像像素：500万像素 扫描幅面：≥A4(210mm×297mm) 镜头组合：1/3英寸CMOS镜头 变焦：22倍光学10倍数码 白平衡调节：自动 扫描速度：1秒 托盘要求：具有保护门禁，门禁和托盘为一体化设计，门禁翻转后即可作为数影仪的托盘。 操作要求：需从交互式软件中直接调用摄像单元，并在交互式软件中直接应用操作。交互应用软件功能： 1、 多种预览功能：支持至少四种以上预览，页面预览、资源预览、平铺预览、相片薄预览。 2、多文档支持：教师可在同一白板软件窗口中打开多个“白板课件格式”文档，可利用文档标签进行切换，方便教师灵活调用不同课件资源，对白板通用格式IWB文档的支持。 3、多用户登录：不同教师可自定义个人的登录账号和密码，根据个人的使用习惯，每个用户都可以具有独立的面板结构和自定义资源。 4、数字时钟功能：数字时钟倒计时结束后可设定自动动作，可前后页跳转或跳转特定页，可自动启动幕布，放大镜，探照灯，量角器，直尺，圆规等教学工具。 5、教学工具：直尺、量角器具有吸附功能，双击页面中的直线，直尺能够自动吸附直线并标注长度；双击页面中的弧线，量角器能够自动吸附弧线并标注角度；支持直尺两点画直线功能，量角器两点画弧和扇形功能。 6、双页显示功能：能够同时显示两个页面，并且支持页面锁定即只翻动一个页面。 7、课件预览：提供课件页面缩略图方式和标题结构树方式的预览，点击缩略图或者标题可以快速定位到相应页面。 第4页共10页
第一章 电力半导体器件
电力电子变流技术试题汇总 （第一章 电力半导体器件） 一、填空题 1.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是，阳极、门极和__阴__极。 2.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，是晶闸管允许连续通过__工频__正弦半波电流的最大平均值。 3.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且__门极加上正向电压 _时，才能使其开通。 4.晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_+400__。 5.对同一只晶闸管，断态不重复电压U DSM 与转折电压U BO 数值大小上有U DSM __小于_U BO 。 6..对同一只晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L 在数值大小上有I L _≈（2～4）_I H 。 7..晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_90%___。 8.普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率__四__层结构的半导体元件。 9.可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为min off G A I I -= β。 10.晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为____擎住电流 I L __。 11..晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm 和反向重复峰值电压U RRm 中较_小__的规化值。 12.普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用__有效值_标定。
13.普通晶闸管属于__半控型_器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电源电压实现。 14.IGBT的功率模块由IGBT和_快速二极管_芯片集成而成。 15.对于同一个晶闸管，其维持电流I H_ 小于_擎住电流I L。 16.2.可用于斩波和高频逆变电路，关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是__快速晶闸管____。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是__智能功率集成电路（SPIC）。 18.晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM_＝90% U BO。 19.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 20.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__解决静态不均压__措施。 21.晶闸管断态不重复峰值电压U DSM与断态重复峰值电压U DRM数值大小上应有U DSM__小于__U DRM。 22.波形系数可以用来衡量具有相同的平均值，而波形不同的电流有效值_的大小程度。 23.当晶闸管_阳极加反向电压_时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在关断状态。 24.逆导型晶闸管是将逆阻型晶闸管和__大功率二极管__集成在一个管芯上组成的。 25.当晶闸管阳极承受__反向电压_时，不论门极加何种极性的触发信号，管子都处于断态。 26.使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至H_以下。 27.在双向晶闸管的4+_方式的触发灵敏度最低。
各包技术参数要求
各包技术参数要求 1.项目清单及要求 1.1第一包：监控系统设备 1.1.1项目名称、技术规格和配置要求、数量。 单位：台（件） 1.1.2资质要求。投标人除了按本招标文件第四章要求提供所有资格证明文件外，还必须提供以
下资格证明文件： (1)具有独立法人资格。 (2)企业注册资金〉200万元，公司经营5年以上。 ( 3)企业具有安防系统二级资质以上(含二级资质 )。 ( 4 )投标人应能提供主要供货厂商针对此项目的授权书原件，及设备制造厂家针对本次项目主要设备的售后服务承诺书原件。 1.1.3 技术要求。投标人除了满足招标项目的技术规格和配置要求外，还应当满足以下技术要求： 一、彩色红外低照度夜视摄像机 1. 采用进口红外灯，24小时日夜监控； 2.内置12mm光学镜头，红外夜视距离最远可达30-50米； 3.采用最新红外技术，远距离的夜视效果更佳； 4.外壳采用特质材料制成，可达IP65 防水等级。 5.成像器件：1/3" SONYCC殴滤光片切换 6.制式: PAL 7.线数： 540TV Lines 8.镜头： F=6mm-16mm 9.照度：彩色0.001 红外启动0LUX(IR ON) 10.红外灯寿命：平均使用寿命》20000小时 11.红外灯：36 颗850nm 红外灯 12.红外灯波长：28 unit 850nM 13.复合视频：(1.0Vp-p 75Q) 14.角度：60 度 15. 工作环境温度：-20°C to + 55°C 二、摄像机电源 1 .电源要求：12V,2A 三、 1 6路嵌入式硬盘录像机 采用嵌入式Linux 操作系统、达芬奇处理器 H.264 压缩算法 支持USB2.0接口 特别说明：
第一章半导体基础知识(精)
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
标的物主要技术参数及其他要求
标的物主要技术参数及其他要求： （二）什邡市红豆村川西婚俗健康人口文化苑服务项目 1、项目名称：红豆村川西婚俗健康人口文化苑服务项目 2、目的意义 （1）项目建设意义 作为四川新农村建设示范点和人口文化示范基地，什邡市师古镇红豆村川西婚俗人口文化苑，倡导大人口宣传理念，以艺术的表现手法，群众喜闻乐见的形式，把婚俗文化、爱情文化、婚庆文化与婚育文化有机地结合在一起，形成了独具什邡特色的人口文化模式。通过红豆树、人口文化走廊、经典爱情故事浮雕和月老艺术雕像，对古今爱情故事、文学作品和婚俗习惯进行诠释，在潜移默化中，让群众接受人口文化，了解人口计生工作，从思想观念、价值取向、移风易俗、伦理道德、行为规范等进行正面引导，达到人口文化的宣传效果。全国“幸福家庭万里行”（什邡站）和四川“健康相伴、幸福同行”启动仪式等重大活动的都先后在红豆村举办。截止目前，除阿坝州外，全省其他市（地、州）均派人前来观摩和学习，为全省转变人口计生宣传模式提供了良好的示范效应和可借鉴的模式。 近年来，随着经济的飞速发展，人民的生活水平逐年提高，广大群众的健康意识明显增强，
的又一次改革，健康生活与家庭幸福将成为卫计系统和大人口宣传理念中的主要内容。升级打造红豆村，修缮原有川西婚俗人口文化苑，新建以卫生健康知识、健康生活与家庭幸福为主题的红豆村人口文化·健康生活服务项目，既是对红豆村川西婚俗人口文化内涵的延续与丰富，也是卫生计生部门新的宣传理念和宣传模式的有效尝试与积极探索。 （2）改造原因与目的 一方面，红豆村经过前三期的打造，虽然形成了一定的规模，也起到了较好的示范效应，但随着时间的推移，后续资金缺乏，日常维护难以保障，导致红豆村川西婚俗人口文化苑部分雕塑、仿古展版不同程度地出现了损坏和损毁，爱情文化博物馆也被调整为国学教育基地。另一方面，由于卫生计生机构合并后，新的卫生计生宣传要求，川西婚俗人口文化苑的宣传主题与宣传内容都需要进一步丰富，应将公共卫生、健康知识和幸福家庭等融入其中，形成主题突出，内容丰富，独具特色，寓教于乐，群众互动参与的人口健康文化示范基地。 3、服务项目内容 （1）建设目标 全面提升红豆村“川西婚俗人口文化苑”的品质，整合卫生计生宣传工作内涵和外延，融入健康教育、婚俗婚育文化、幸福家庭建设等理念，增加适合当前卫生计生新形势的宣传内容，为百姓打造全面的、丰富的乡村旅游与人口文化健康生活相结合的宣传阵地。 （2）项目具体内容 ①、"健康之路"创意造型 以在道路上奔跑的人的剪影作为设计创意，通过运动的人物形象，和“健康之路”这一文字说明，生动活跃地展现健康这一主题。 ②、"红豆"创意小品雕塑 以红豆为元素制作小品雕塑，利用了红豆村自身的特色，强化游客对红豆村的认识。
第1章 半导体器件习题及答案
第1章半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（） 5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（） 10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（） 12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（） 13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（） 15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（） 16、有人测得某晶体管的U BE=，I B=20μA，因此推算出r be=U BE/I B=20μA=35kΩ。（） 17、有人测得晶体管在U BE=，I B=5μA，因此认为在此工作点上的r be大约为26mV/I B=Ω。（） 18、有人测得当U BE=，I B=10μA。考虑到当U BE=0V时I B=0因此推算得到
0.60 60()100 BE be B U r k I ?-= ==Ω?- （ ） 二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N 型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P 型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有 很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷 7、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN 结外加反向电压 时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变 8、二极管正向电压从增大15%时，流过的电流增大_______。（A 1．15% B 1．大于 15% C 1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。（A 2．增大B 2．减小；C 2．基本不变） 9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A 1．上移 B 1．下移 C 1．不变）说 明此时反向电流________。（A 2．减小 B 2．增大 C 2．不变）. 10、在下图所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的
一包技术参数
货物需求及技术要求 手术室设备： 以下内容标注★为必须满足项 （一）手术室无影灯 要求： ★ 生产企业具有医疗器械生产许可证、医疗器械注册证。代理商具有医疗器械企业经营许可证及生产商授权。 序号产品要求 1LED子母手术无影灯（6套） 1.1适用范围：适用百级手术室手术照明和影像显示 ★1.2灯头设计采用花瓣式通透设计，全封闭光滑表面，低乱流率，易清洁，符合手术室层流净化和消毒要求。（要求具有自主知识产权的产品，需提供相关专利证书，原件备查） 1.3灯头具有调焦功能，方便手术过程中调节光斑大小1.4具备腔镜手术工作模式。有柔和的环境照明。 1.5恒流电源控制，安全精确，保持准确的色温。八级数字电路调控LED的亮度。 1.6悬臂结构类型：360°全方位旋臂，灵活、轻便，不漂移 1.7原装进口多关节平衡臂，轻巧灵活、定位稳定，满足手术中不同高度和角度的需求。 1.8使用寿命：LED寿命≥30000小时1.9技术参数及功能配置： 1.10子母灯：母灯头直径≥750mm，子灯头直径≥550mm；LED 光源数量：母灯≥144 子灯≥72
★1.11照度： 13万≤ 照度（Lx） ≤16万，7万≤ 照度（Lx） ≤14万， 1.14色温(K)：4250±300 1.15总辐照度（w/m2）：≤540 ; ≤300 1.16光斑直径（mm）：200±50 ★1.17照明深度(mm): ≥1000（以注册证登记表为准）1.18显色指数（Rx）：≥90% 1.19灯头功率（w）：150+75 1.20通过ISO13485、欧盟CE认证。 1.21配置要求： 1.22底座、双灯头1套、进口平衡臂3套、悬转臂（3臂）1套、可消毒手柄4个。 （二）手术室吊塔 要求： ★ 生产企业具有医疗器械生产许可证、医疗器械注册证。代理商具有医疗器械企业经营许可证及生产商授权。 ★ 为原装进口品牌的气体终端，提供报关单原件、厂家授权书和CE证明。交货前提供样品封样。 ★使用进口医用气体管路，符合IS0 5359规定。医用特制3层PVC 管，外层耐磨PVC，中间聚酯线加强层，内部食品级材料，无气 味。提供报关单和CE证明。 吊塔的刹车为闭气刹车系统。在闭气失压时刹车锁定，通气时解锁。 即当需要转动时才通气。 旋转到位后不再需要高压气体长时间维持，失压后即锁紧吊臂不会发生偏转移动. 腔体内部气电分离，电路和气路不得安装在一个腔体内
第1章 半导体器件习题
第1章 半导体器件 一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用"√"表示对,用"×"表示错) 1、P 型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N 型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P 型半导体。（ ） 4、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 5、N 型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ） 10、PN 结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 16、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35kΩ。（ ） 17、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2kΩ。（ ） 18、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到 0.60 60()100 BE be B U r k I ?-= ==Ω?- （ ） 二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K ）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 2 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N 型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
技术要求及主要技术参数
技术要求及主要技术参数 液压支架用阀执行标准：GB/T 25974.3-2010煤矿用液压支架第3部分液压控制系统及阀。 主要参数： 1、所有阀类必须满足买方所要求的流量及压力要求，严格按照国家、行业最新标准《液压支架用阀》制造试验，并具备国家矿用产品安全标志证书（非安标规定产品除外）。 2、所供阀锁必须满足招标方装配和使用的要求。中标后供货方提供图纸与买方校核安装尺寸，并按校核后图纸规定的标准制造验收。 3、操纵阀要安装自锁装置，手把要能方便拆卸，便于更换内部弹簧。操纵阀要带操纵指示牌，指示牌黄底黑字，底色荧光，字体要大，便于井下查看。 4、招标清单中标注不锈钢的阀锁必须选用GB1220-2007不锈钢的国家标准规定的马氏体不锈钢原材料或不低于马氏体不锈钢材质性能要求的其他不锈钢原材料制造。特殊要求：换向阀中的弹簧均为碳素弹簧钢；操纵手柄柄体为201不锈钢；操纵机构中的压块为40Cr钢。 5、锥面截止阀要优化结构，避免出现难以开关的情况。 6、所有阀包含必须的密封件，O型橡胶密封圈应符合GB3452.1-3452.2的规定，其余橡胶制品应符合图样及技术文件的要求。 7、塑料挡圈应符合密封圈用挡圈的有关国家标准规定。 8、阀座的塑料制品采用聚甲醛棒（管）材料加工制造。 9、快速接头连接尺寸应符合标准的规定。 10、管式螺纹连接尺寸应符合GB2878的规定。 11、产品检验合格出厂时，所有通内腔的孔应加塑料堵
或帽封好，外部加工表面涂抹防锈油。 12、阀的各连接部位加工光滑、无毛刺。 13、本次招标各种阀锁及其配件必须与淮北矿业在用的阀锁配件可以通用互换。 14、本标为年度采购量（数量根据实际需求改变）
第1章半导体器件习题解答
4第1章自测题、习题解答 自测题1 一、选择题 1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 2. PN 结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 漂移。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 3. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它 。 A. 带负电荷 B. 带正电荷 C. 呈中性 4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 运动。 A. 只有漂移 B.只有扩散 C.兼有漂移和扩散 5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 。 A.增大 B. 减小 C.不变 解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B 二、判断题 1．PN 结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷减少了。（ ） 2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（ ） 3．P 型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（ ） 4．晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（ ） 5. 二极管正向偏置时，PN 结的电流主要是多数载流子的扩散运动。（ ） 6. 结型场效应管的漏源电压u DS 大于夹断电压U P 后，漏极电流i D 将为零。（ ） 解：1、× 2、× 3、× 4、× 5、√ 6、× 三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。设u D =0.7V 。 (a) (b) (c)
D +5V -R +U O4--3V + D +5V -R +U O5--3V + D -3V +R + U O6- -5V + (d) (e) (f) 图T1－3 解： (a) 二极管截止，故u o1 =0V （b ）二极管导通，故u o2 =5－0.7=4.3V (c) 二极管导通，故u o3 =3＋0.7=3.7V (d) 二极管截止，故u o4=5V (e) 二极管导通，故u o5 =0.7－3=－2.3V (f) 二极管截止，故u o6 =－3V 四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知D Z1、D Z2的稳定电压分别为U Z1=5V ， U Z2 =8V ，试求输出电压U O1，U O2。 (a) (b) 图T1－4 解： （a ）u o1 =15－U Z1－U Z2＝2V （b ）D Z2两端的电压小于其反向击穿电压8V ，故D Z2截止，u o2 =0V 五、电路如图T1－5所示，设U CC =10V ，=100，U BE =0.7V ，U CES =0V 试问： 1. R B =100K Ω，U BB =3V 时，I C =？ 解：30.7 23100 BB BE B B U U I A R μ--= == 10023 2.3C B I I mA β==?= 2. U BB =2V 时，U O =5V 时，R B =？ +U BB -R B R C 5k W U CC T +U - +U i =15V -+U O1- D Z1 R 1 R 2 D Z2 + U i =15V - +U O2- D Z1 R 2 D Z2
第一包技术参数
第一包技术参数 设备一：血球仪 1.白细胞分类：全自动五分类 *2.检测原理：激光流式细胞+DNA/RNA核酸荧光染色； 3.检测光源：半导体激光 4.检测速度：每小时≥60个样品 *5.红细胞血小板检测原理：双鞘流技术+阻抗法 *6.白细胞五分类检测模式及用量：全血模式用量≤20ul，实现五分类末梢血模式用量≤20ul，实现五分类 7.测试参数（不包含图形）：≥28项参数（24项报告参数，4项研究参数） *8.幼稚细胞检测：提供幼稚粒细胞定量检测结果，包括异常幼稚粒细胞，异常淋巴细胞，原始细胞等 9.线形范围：WBC：0-400×109/L RBC：0－8×1012/L PLT：0-5000×109/L 10.精密度：WBC：≤3%; RBC：≤1.5%; PLT：≤4% 11.仪器数据存储量：≥8000个检测结果 12.报警提示功能：具有异常样本的提示报警功能 13.质控和校准：提供原厂配套的质控品和校准品（提供相应的医疗器械注册证），有独立校准系统 14.试剂管理：有试剂用量监测和提示功能 15.操作系统及数据处理系统：windows XP系统，提供原厂配套的中文数据处理系统，通过中文操作系统、中文操作界面，实现中文报告单发放*16.镜检提示功能：配套镜检规则软件系统，自动提示异常标本的镜检，并且能进行镜检规则的设定 设备二：生物显微镜
1.用途：用于普通染色的切片观察，以及临床、科研常规显微检验工作。 2.主要技术指标 2.1生物显微镜 2.1.1光学系统：无限远光学矫正系统，齐焦距离必须为国际标准45mm。 2.1.2载物台：钢丝传动，无齿条结构 载物台高度：140mm 机械固定载物台,(W×D):211mm×154mm 移动范围(X×Y):76mm×52mm 载物台XY移动可锁定 2.1.3调焦机构：载物台高度调节(粗调:15mm)，可以进行张力调节；有粗调限位，避免标本或物镜的损伤；细调焦旋钮最小调节幅度:2.5μm。 2.1.4聚光镜：内置孔径光阑；阿贝聚光镜NA1.25（油浸时）；2孔位：明场/暗场。 2.1.5照明系统：内置LED透射光照明系统；LED光源寿命≥60000小时。 2.1.6三目观察筒：瞳距调整范围48-75mm，倾斜角度30°； 目镜：10X，视场数≥20；分光：100/0或0/100。 2.1.7物镜转盘：与显微镜机身固定的内旋式4孔物镜转盘，便于放置标本。 2.1.8物镜：平场消色差物镜4X（N.A.≥0.1W.D≥27.8mm）、10X（N.A.≥0.25W.D≥8.0mm）、40X（N.A.≥0.65W.D≥0.6mm）、100XO（N.A.≥1.25W.D ≥0.13mm） 2.1.9防霉装置：在三目观察筒、目镜、物镜都做了抗菌、防霉处理 2.1.10所采用光学元件均为环保无铅玻璃 2.2高分辨率显微专用数码相机 2.2.1有效像素：≥500万像素 2.2.11光学接口：0.5X C型接口 第二包技术参数 1.工作原理：采用数字成像自动识别原理对尿液中的有形成分进行定性、定
1章 常用半导体器件 习题
第一章题解－1 第一章 常用半导体器件 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流I D 从2m A 变为4m A 时，它的低频跨导g m 将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.2 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示，已知u i ＝10s in ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.3
第一章题解－2 解图P1.3 解：u i 和u o 的波形如解图P1.3所示。 1.4 电路如图P1.4所示，已知u i ＝5s in ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 解：波形如解图P1.4所示。 1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。 图P1.5 解：u O 的波形如解图P1.5所示。
第1章 半导体器件习题
第1章半导体器件习题 1.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特点。 2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数 载流子是____ ，少数载流子是____。 3.Ｐ型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数 载流子是____，少数载流子是____。 4.在室温附近，温度升高，杂志半导体中____的浓度将明 显增加。 5. 什么是载流子的扩散运动、漂流运动？他们的大小主 要与什么有关？ ６. 在室温下，对于掺入相同数量杂质的Ｐ型、N型半导体，其导电能力___。（ａ）二者相同；（ｂ）Ｎ型导电能力强；（ｃ）Ｐ型导电能力强；
７.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流流过？ 8.PN结中扩散电流的方向是____ ，漂移电流的方向是____ 。 9.PN结未加外部电压时，扩散电流____漂移电流；加正向 电压时，扩散电流____漂移电流，其耗尽层____；加反 向电压时，扩散电流____漂移电流,其耗尽层____； 10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN 结坏了？为什么？ 11.什么是PN结的电容效应？何谓势垒电容、扩散电容。PN 结正向运用时，主要考虑什么电容？反向运用时，主要考虑 何种电容？ 12.二极管的直流电阻R D和交流电阻r d有何不同？如何在伏安特性上表示？
14.稳压二极管是利用二极管的＿＿＿特性进行稳压的。（a ） 正向导通；（b ）反向截止；（c ）反向击穿 室温下，当正向电流分别为、 时估算其电阻的值 mA 2mA 1试推导二极管正向导通时的交流电阻 I U dI dU d T r = = mV U T 26=13.二极管的伏安特性方程为 ) 1(-=T U U e I I S D VD R ++_ _ ui uo 5V 15.二极管电路如图所示,已知输入电压,二极管的正向压降和反向电流均可忽略.试画出输出电压的波形. VD R ++_ _ ui uo VD R ++_ _ ui uo VD R + +_ _ ui uo 5V )(sin 30V t u i ω=o u (a) (b) (c) (d)
第一章半导体器件习题答案
习题 1.1基本要求 1.正确理解以下基本概念：二极管的单向导电性，三极管的电流控制作用，场效应管的电压控制作用。 2.熟练掌握二极管、三极管、场效应管的外特性（V －A 特性曲线及方程）。 3.熟练掌握二极管、三极管、场效应管的模型。 4.熟悉二极管、三极管、场效应管的主要参数。 1-1 在图1-37所示的两个电路中，已知V sin 30i t u ω=，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压u o 的波形。 图1-37 题1-1图 解：根据题意知：当二极管加正偏电压时，可近似视为短路；加反偏电压时，可近似开路。即用二极管的理想模型分析问题，所以有： (a) 输出电压u o 的表达式： u o = u i =30sin ωt (V) u i ≥0 u o =0 u i < 0 电压传输曲线见图T1－2（a ），u o 、 u i 的波形见图T1－2（b ）。 (b) 输出电压u o 的表达式： u o =0 u i ≥0 u o = u i =30sin ωt (V) u i < 0 电压传输曲线见图T1－2（c ），u o 、 u i 的波形见图T1－2（d ）。 (a) (c)
(b) (d) 1-2 在图1-38所示电路中，V sin 30,V 10t e E ω==，试用波形图表示二极管上电压u D 。 图1-38 题1-2图 解 假设拿掉二极管 则二极管所在处的开路电压为V D V t 10sin 30+=ω 接入二极管后当开路电压大于零时二极管导通，二极管相当与短路线，二极管两端电压为0，开路电压小于零时，二极管相当与开路，二极管两端电压为开路电压 1-3 计算图1-39所示电路中流过二极管的电流I D ，设二极管导通时的正向压降U D =0.7V 。 V 5 图1.39 题1-3图 解：先拿掉二极管假设电路开路如下图所示 V 1105 2 5=?- =U 所以加上二极管后二极管处于导通状态，原电路等效为：
技术规格参数及要求
技术规格、参数及要求 本次采购项目为医用中心供氧、吸引、呼叫、压缩空气及配套设施，此次改造共设计病房172间，443床位，480只氧气终端，480只吸引终端，443只床头灯，443只五孔电源插座及电源开关，13只氧气二级减压箱，13具流量计，13套传呼系统及显示屏。 要求：供氧能力满足完整系统供氧，能根据需氧量大小、调节压力以确保工作正常，在停电和制氧机故障维修时有较好的保障措施。 本次招标，中标人负责设备材料的运输、保险、装卸、安装、调试及验收、培训和售后服务，以及经相关部门检测合格后交付买方使用等交钥匙工程。 另，外科大楼管道及设备四年前安装的一直未投入使用，中标方免费给外科大楼打压调试连接管道，使该大楼正常使用。 一、招标内容： 1、中心供氧及配套设施(包括供氧管道、中心吸引、呼叫系统、病房治疗带设备、压缩空气) 1套。 二、技术参数及要求 1.本项目设计、施工、验收要求必须符合如下要求： 1.1.GB 50751－2012 《医用气体工程技术规范》 1.2.GB1527《铜及铜合金拉制管》 1.3.GB/T14976《流体输送用不锈钢无缝钢管》 1.4.GB11618-89《钢管、配件及焊接材料标准》 1.5.GB50236-98《现场设备、工业管道焊接工程施工规范》 1.6. GB2270-80《不锈钢无缝钢管》 1.7.GB50683-2011《现场设备、工业管道焊接工程施工质量验收规范》 1.8.GB150钢制压力容器 1.9.JBJ49-88《综合医院建筑设计规范》 1.10.参考使用NFPA99标准（国际通用标准） 1.11.国家其他现行有关标准、规范、规程的规定 2.大楼终端配置要求
施敏-半导体器件物理英文版-第一章习题
施敏-半导体器件物理英文版-第一章习题
施敏 半导体器件物理英文版 第一章习题 1. （a ）求用完全相同的硬球填满金刚石晶格常规单位元胞的最大体积分数。 （b ）求硅中（111）平面内在300K 温度下的每平方厘米的原子数。 2. 计算四面体的键角，即，四个键的任意一对键对之间的夹角。（提示：绘出四个等长度的向量作为键。四个向量和必须等于多少？沿这些向量之一的方向取这些向量的合成。） 3. 对于面心立方，常规的晶胞体积是a 3，求具有三个基矢：（0,0,0→a/2,0,a/2），(0,0,0→a/2,a/2,0),和(0,0,0→0,a/2,a/2)的fcc 元胞的体积。 4. （a ）推导金刚石晶格的键长d 以晶格常数a 的表达式。 （b ）在硅晶体中，如果与某平面沿三个笛卡尔坐标的截距是10.86A ，16.29A ，和21.72A ，求该平面的密勒指数。 5. 指出（a ）倒晶格的每一个矢量与正晶格的一组平面正交，以及 （b ）倒晶格的单位晶胞的体积反比于正晶格单位晶胞的体积。 6. 指出具有晶格常数a 的体心立方（bcc ）的倒晶格是具有立方晶格边为4π/a 的面心立方（fcc ）晶格。[提示：用bcc 矢量组的对称性： )(2x z y a a -+=，)(2y x z a b -+=，)(2 z y x a c -+= 这里a 是常规元胞的晶格常数，而x ，y ，z 是fcc 笛卡尔坐标的单位矢量： )(2z y a a ρρρ+=，)(2x z a b ρρρ+=，)(2 y x a c ρρρ+=。] 7. 靠近导带最小值处的能量可表达为 .2*2*2*22 ???? ??++=z z y y x x m k m k m k E η 在Si 中沿[100]有6个雪茄形状的极小值。如果能量椭球轴的比例为5:1是常数，求纵向有效质量m*l 与横向有效质量m*t 的比值。 8. 在半导体的导带中，有一个较低的能谷在布里渊区的中心，和6个较高的能谷在沿[100] 布里渊区的边界，如果对于较低能谷的有效质量是0.1m0而对于较高能谷的有效质量是1.0m0，求较高能谷对较低能谷态密度的比值。