电工与电子技术基础总结

2015级机械2班《电工与电子技术基础》

教学工作总结

一、基本情况

本学期的教学工作已经结束。现对工作做一个简单的总结，总结成绩，思考不足，以便更好地改进工作。

本学期受学校的安排，担任了2011级机械2班《电工与

电子技术基础》教学工作，期间还进行了电工电子的实训任务。2011级机械2班还是高一新生，总体上讲，学生的文化底子较差，综合素质离一个合格高中学生还相差很远，对于学习专业基础理论课的倾向性与意志力也较底。相反的方面倒是好动，喜欢有动手机会的实践性课程。而《电工与电子技术基础》是一门专业基础理论课，理论性要求高，其难度对于我们的学生来说还是偏大。于是这样跨越式的教学显得难度较大。（例如学生们初中数学三角函数大都没学好，高中物理也没有经历过，有些甚至不懂勾股定理等等），为此，采取的教学策略只能是尽量降低理论难度，以尽量通俗易懂、学生能够接受方式进行理论知识的讲授，并穿插适当、必要的数学、物理知识；力求使学生打下必要的专业理基础。教学以学生学会、够用为主，注意理论联系实际的原则，注重基础知识在实践中的应用，注重实践技能的养成。

二、教学要求

通过一年的学习，我要求学生应掌握的知识和应具备的技能、能力都有：

1、初步掌握电工、电子线路的基础知识；

2、初步掌握电子设备、电子产品常用原器件及材料的基本

知识；

3、初步具有操作和使用常用电工、电子仪器、仪表的能力；

4、尝试学习阅读整机控制线路和工艺文件的初步能力；

5、初步掌握电工、电子产品生产工艺管理的能力；

6、了解电工、电子设备、电子产品装配、调试、检测、销

售与维修的技能；

7、初步具有操作、使用与维护一般电工设备的能力；

8、基本掌握薄壁铜管的钎焊技能、一般的电焊技能、了解

基本的机加工过程；

9、初步具有使用计算机的能力。

三、不足之处

虽然我在教学中取得了一些小小的成绩，但还是存在许多不足。主要是：教学内容不是很熟悉，班主任事务繁杂、分散精力，实训时间偏少、学生动手能力不强等。我在今后的工作中，一定更加努力，找出差距，不断进步。

2012年7月

《电工与电子技术试题》自考历年试题.

全国2008年4月高等教育自学考试电工与电子技术试题课程代码：02187 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题2分，共40分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.下列测量电流电压的电路中接法正确的是（） 2.两个理想电流源并联可等效为一个理想电流源，其等效的电流源电流为（） A.两个电流源电流中较大的一个 B.两个电流源电流的代数和 C.两个电流源电流的平均值 D.两个电流源电流中较小的一个 3.图示电路中，A点电位为（） A.10V B.14V C.18V D.20V 4.图示电路中A、B两端的电压U为（） A.4V B.5V C.10V D.15V 5.用符号 m U 表示的物理量是正弦交流电压的（） A.有效值 B.有效值相量 C.最大值 D.最大值相量 6.负载三角形连接的对称三相电路，若线电流i A=A ) 30 314 sin( 3 3 t，则相电流i AB为（） A.3sin314t A B.A 314 sin 3 3t C.A ) 60 314 sin( 3 t D.A ) 60 314 sin( 3 3 t 7.三角形连接的对称三相电源的线电压 AB U 与其相应相电压A U 的关系是AB U =（） A. A U B.2A U C.3A U D.3A U 8.设电路中按关联方向某元件上的电压u与电流i分别为u=-U m sinωt，i=I m cosωt，则此元件是（） A.电感元件 B.电容元件 C.电阻元件 D.电阻与电容串联元件 9.已知某负载两端电压为220 U V，流经的电流为22 I A，其正确的相量图是下列相量图中的（） 10.图示电路中电流I与电压U及电路参数R、X L、X C之间的正确关系式是（） A. C L X X R U I B. L C X X R U I C. 2 2 2 C L X X R U I D. 2 2) ( C L X X R U I 11.变压器的励磁磁动势正比于（） A.副绕组电流I2 B.折算到原绕组的等效负载阻抗 C.变压器空载电流I10 D.副绕组感应电动势E2 12.一台三相异步电动机，接在频率为50Hz的三相电源上，若电动机工作在n N=2940r/min的额定转速下，则转子感应电动势的频率为（） A.1Hz B.2Hz C.50Hz D.60Hz 13.射极输出器的特点之一是（） A.输入电阻较低 B.输入电阻较高 C.输出电阻较高 D.输出电压与输入电压反向 14.稳压值高于6V的硅稳压二极管，其电压温度系数一般来说（） A.大于0 B.等于0 C.小于0 D.没有规律 15.图示放大电路中三极管的静态管压降U CE=7V，则静态电流I E为（） A.5mA B.10mA C.12mA D.24mA 16.图示放大电路，输入正弦电压u i后，发生了饱和失真，为消除此失真应采取的措施是（） -

(完整版)厦大材料科学基础知识点总结

第一章原子结构和键合原子中一个电子的空间和能量的描述（1）主量子数ni：决定原子中电子能量和核间平均距离，即量子壳层，取正整数K、L、M、N、O、P、Q （2）轨道动量量子数li：给出电子在同一量子壳层内所处的能级（电子亚层），与电子运动的角动量有关，s，p，d，f （3）磁量子数mi：给出每个轨道角动量数或轨道数，决定原子轨道或子云在空间的伸展方向（4）自旋角动量量子数si：表示电子自旋的方向，取值为+1/2 或-1/2 核外电子的排布规律（1）能量最低原理：电子总是占据能量最低的壳层，使体系的能量最低。而在同一电子层，电子依次按s,p,d,f的次序排列。（2）Pauli不相容原理：在一个原子中不可能有运动状态完全一样的两个电子。因此，主量子数为n的壳层，最多容纳2n2电子。（3）Hund原则：在同一个亚能级中的各个能级中，电子的排布尽可能分占不同的能级，而且自旋方向相同。原子间的键（见作业）第二章固体结构晶体结构的基本特征：原子（或分子、离子）在三维空间呈周期性重复排列。即存在长程有序。性能上两大特点：（1）固定的熔点；（2）各向异性空间点阵的概念将晶体中原子或原子团抽象为纯几何点（阵点）即可得到一个由无数几何点在三维空间排列成规则的阵列—空间点阵特征：每个阵点在空间分布必须具有完全相同的周围环境晶胞：代表性的基本单元（最小平行六面体）选取晶胞的原则： Ⅰ)选取的平行六面体应与宏观晶体具有同样的对称性； Ⅱ）平行六面体内的棱和角相等的数目应最多； Ⅲ）当平行六面体的棱角存在直角时，直角的数目应最多； Ⅳ）在满足上条件，晶胞应具有最小的体积。晶体结构与空间点阵的区别：空间点阵是晶体中质点的几何学抽象，用以描述和分析晶体结构的周期性和对称性，由于各点阵的周围环境相同，只有14种。晶体是指晶体中实际质点（原子、离子和分子）的具体排列情况，它们能组成各种类型的排列，因此，实际存在的晶体结构是无限的。晶带所有相交于某一晶向直线或平行于此直线的晶面构成一个“晶带”。此直线称为晶带轴，所有的这些晶面都称为共带面。晶带轴[u v w]与该晶带的晶面（h k l）之间存在以下关系 hu＋kv＋lw＝0 ————晶带定律凡满足此关系的晶面都属于以[u v w]为晶带轴的晶带

数字电子技术基础总复习要点

数字电子技术基础总复习要点一、填空题第一章 1、变化规律在时间上和数量上都是离散是信号称为数字信号。 2、变化规律在时间或数值上是连续的信号称为模拟信号。 3、不同数制间的转换。 4、反码、补码的运算。 5、8421码中每一位的权是固定不变的，它属于恒权代码。 6、格雷码的最大优点就在于它相邻两个代码之间只有一位发生变化。第二章 1、逻辑代数的基本运算有与、或、非三种。 2、只有决定事物结果的全部条件同时具备时，结果才发生。这种因果关系称为逻辑与，或称逻辑相乘。 3、在决定事物结果的诸条件中只要有任何一个满足，结果就会发生。这种因果关系称为逻辑或，也称逻辑相加。 4、只要条件具备了，结果便不会发生；而条件不具备时，结果一定发生。这种因果关系称为逻辑非，也称逻辑求反。 5、逻辑代数的基本运算有重叠律、互补律、结合律、分配律、反演律、还原律等。举例说明。 6、对偶表达式的书写。 7、逻辑该函数的表示方法有：真值表、逻辑函数式、逻辑图、波形图、卡诺图、硬件描述语言等。 8、在n变量逻辑函数中，若m为包含n个因子的乘积项，而且这n个变量均以原变量或反变量的形式在m中出现一次，则称m为该组变量的最小项。 9、n变量的最小项应有2n个。 10、最小项的重要性质有：①在输入变量的任何取值下必有一个最小项，而且仅有一个最小项的值为1；②全体最小项之和为1；③任意两个最小项的乘积为0；④具有相邻性的两个最小项之和可以合并成一项并消去一对因子。 11、若两个最小项只有一个因子不同，则称这两个最小项具有相邻性。 12、逻辑函数形式之间的变换。（与或式—与非式—或非式--与或非式等） 13、化简逻辑函数常用的方法有：公式化简法、卡诺图化简法、Q-M法等。 14、公式化简法经常使用的方法有：并项法、吸收法、消项法、消因子法、配项法等。 15、卡诺图化简法的步骤有：①将函数化为最小项之和的形式；②画出表示该逻辑函数的卡诺图；③找出可以合并的最小项；④选取化简后的乘积项。 16、卡诺图法化简逻辑函数选取化简后的乘积项的选取原则是：①乘积项应包含函数式中所有的最小项；②所用的乘积项数目最少；③每个乘积项包含的因子最少。第三章 1、用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。 2、CMOS电路在使用时应注意以下几点：①输入电路要采用静电防护；②输入电路要采取过流保护；③电路锁定效应的防护。 3、COMS电路的静电防护应注意以下几点：①采用金属屏蔽层包装；②无静

电工与电子技术知识点

《电工与电子技术基础》教材复习知识要点第一章：直流电路及其分析方法复习要点基本概念：电路的组成和作用；理解和掌握电路中电流、电压和电动势、电功率和电能的物理意义；理解电压和电动势、电流参考方向的意义；理解和掌握基本电路元件电阻、电感、电容的伏－安特性，以及电压源（包括恒压源）、电流源（包括恒流源）的外特性；理解电路（电源）的三种工作状态和特点；理解电器设备（元件）额定值的概念和三种工作状态；理解电位的概念，理解电位与电压的关系。基本定律和定理：熟练掌握基尔霍夫电流、电压定律和欧姆定理及其应用，特别强调Σ I=0和Σ U=0时两套正负号的意义，以及欧姆定理中正负号的意义。分析依据和方法：理解电阻的串、并联，掌握混联电阻电路等效电阻的求解方法，以及分流、分压公式的熟练应用；掌握电路中电路元件的负载、电源的判断方法，掌握电路的功率平衡分析；掌握用支路电流法、叠加原理、戴维宁定理和电源等效变换等方法分析、计算电路；掌握电路中各点的电位的计算。基本公式：欧姆定理和全欧姆定理R r E I R U I +==0, 电阻的串、并联等效电阻212121,R R R R R R R R += +=并串 KCL 、KVL 定律0)(,0)(=∑=∑u U i I 分流、分压公式U R R R U U R R R U I R R R I I R R R I 2122211121122121,;,+=+=+=+= 一段电路的电功率b a ab I U P ?= 电阻上的电功率R U R I I U P 2 2 =?=?= 电能t P W ?= 难点：一段电路电压的计算和负载开路（空载）电压计算，注意两者的区别。常用填空题类型： 1.电路的基本组成有电源、负载、中间环节三个部分。 2.20Ω的电阻与80Ω电阻相串联时的等效电阻为 100 Ω，相并联时的等效电阻为 16 Ω。 3.戴维南定理指出：任何一个有源二端线性网络都可以用一个等效的电压源来表示。 4.一个实际的电源可以用电压源来表示，也可用电流源来表示。 5.电感元件不消耗能量，它是储存磁场能量的元件。 6.电容元件不消耗能量，它是储存电场能量的元件。

材料科学基础知识点总结

金属学与热处理总结一、金属的晶体结构重点内容：面心立方、体心立方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，八面体、四面体间隙个数；晶向指数、晶面指数的标定；柏氏矢量具的特性、晶界具的特性。基本内容：密排六方金属晶体结构的配位数、致密度、原子半径，密排面上原子的堆垛顺序、晶胞、晶格、金属键的概念。晶体的特征、晶体中的空间点阵。晶胞：在晶格中选取一个能够完全反映晶格特征的最小的几何单元，用来分析原子排列的规律性，这个最小的几何单元称为晶胞。金属键：失去外层价电子的正离子与弥漫其间的自由电子的静电作用而结合起来，这种结合方式称为金属键。位错：晶体中原子的排列在一定范围内发生有规律错动的一种特殊结构组态。位错的柏氏矢量具有的一些特性： ①用位错的柏氏矢量可以判断位错的类型；②柏氏矢量的守恒性，即柏氏矢量与回路起点及回路途径无关；③位错的柏氏矢量个部分均相同。刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直；螺型平行；混合型呈任意角度。晶界具有的一些特性： ①晶界的能量较高，具有自发长大和使界面平直化，以减少晶界总面积的趋势；②原子在晶界上的扩散速度高于晶内，熔点较低；③相变时新相优先在晶界出形核；④晶界处易于发生杂质或溶质原子的富集或偏聚；⑤晶界易于腐蚀和氧化；⑥常温下晶界可以阻止位错的运动，提高材料的强度。二、纯金属的结晶重点内容：均匀形核时过冷度与临界晶核半径、临界形核功之间的关系；细化晶粒的方法，铸锭三晶区的形成机制。基本内容：结晶过程、阻力、动力，过冷度、变质处理的概念。铸锭的缺陷；结晶的热力学条件和结构条件，非均匀形核的临界晶核半径、临界形核功。相起伏：液态金属中，时聚时散，起伏不定，不断变化着的近程规则排列的原子集团。过冷度：理论结晶温度与实际结晶温度的差称为过冷度。变质处理：在浇铸前往液态金属中加入形核剂，促使形成大量的非均匀晶核，以细化晶粒的方法。过冷度与液态金属结晶的关系：液态金属结晶的过程是形核与晶核的长大过程。从热力学的角度上看，

电子技术基础总结

电子技术基础总结电子技术基础总结怎么写？以下是小编整理的相关范文，欢迎阅读。电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差，同时又缺乏主动学习的自觉性，如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣，致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学，重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题，就会带着问题主动学习，这样使学生变要我学习为我要学习，提高学习的主动性，这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力，同时也提高了教学质量和教学效率。组织召开专题会为了确保课改取得实效，机电一体化教研组组织有关教师召开专题会，就如何开展好课改工作进行讨论，认真听取这门课有经验老师的建议，制定出课改实施方案。教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接； 2、下企业调研岗位工作任务； 3、提取典型工作任务； 4、确定课程学习任务与技能目标； 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定在对企业充分调研的基础上，进行工作任务的分类归总，提取企业典型工作任务，确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分，任务的层次也是由易到难，十三个学习情境如下图所示。项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法，就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理，项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在：目标指向的多重性；培训周期短，见效快；可控性好；注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目，共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中，学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行，其中2节为理论课时，其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够，后改为4节理论，3节实训。相比于理论课，学生还是偏向于上实训课，更喜欢做训练动

电工与电子技术答案

第二章电阻电路的分析本章的主要任务是学习电阻电路的分析计算方法，并运用这些方法分析计算各种电阻电路中的电流、电压和功率。本章基本要求 1．正确理解等效电路的概念，并利用等效变换化简电路。 2．掌握电阻串、并联等效变换、电阻的Y形连接与Δ形连接的等效变换、电源的等效变换。 3．电阻电路的分压公式和分流公式的应用。 4．运用支路电流法和结点电压法分析计算电路。 5．运用叠加定理分析计算电路。 6．熟练应用戴维宁定理和诺顿定理分析计算电路。 7．应用戴维宁定理或诺顿定理求解电路中负载电阻获得的最大功率。 8．学会含有受控源电路的分析计算。 9．了解非线性电阻电路的分析方法。本章习题解析（书上已有图已删除） 2－1电路如图2－1所示，设电路中每个电阻均为9Ω。试将电路分别变换为Y形电路和△形电路。解将ADE、DBF、EFC组成的△形电路等效变换成Y形电路，如图2-1(a)所示，其中每个电阻为 R Y=1/3RΔ=3Ω 然后将图2-1(a)所示电路再进行等效变换，其变换过程如图2-1(b)和(c)所示。由图2-1(c)即可得到原电路的Y形电路和△形电路，分别如图2-1(d)和(e)所示。

2－2在图2－2中，已知电压源U s＝27V，电阻R1＝R2＝6Ω，R3＝R4＝R5＝2Ω，R6＝R7＝6Ω。试求支路电流I1、I2和I3。，故它是平， 2 a b 5 a b a b 或 a b 图2-3(a)

2－4 电路如图2－4所示，试用电源等效变换法求电流I 。解首先利用电源的等效变换求出1Ω电阻以左部分的最简等效电路，逐步等效化简过程如图所示。在最简的等效电路中，由欧姆定律得 5I=20 所以 I=5A 2－5 如图2－5所示，已知电压源U s1＝140V ，U s2＝90V ，电阻 R 1＝20Ω，R 2＝5Ω，R 3＝60Ω。试用支路电流法求各支路电流I 1、I 2和I 3。解根据给定的电路可列得1个独立的KCL 方程和2个独立的KVL 方程图2-3(d) a b a b 6或 a b 3I 图2-3(c) a b a b 8V 4或

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管~，锗管~。 *死区电压------硅管，锗管。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

(完整word版)高一物理(必修一)基础知识点

高中物理必修一高一知识梳理高一物理知识点归纳第一章运动的描述第一节认识运动机械运动：物体在空间中所处位置发生变化，这样的运动叫做机械运动。运动的特性：普遍性，永恒性，多样性参考系 1.任何运动都是相对于某个参照物而言的，这个参照物称为参考系。 2.参考系的选取是自由的。 1）比较两个物体的运动必须选用同一参考系。 2）参照物不一定静止，但被认为是静止的。质点 1.在研究物体运动的过程中，如果物体的大小和形状在所研究问题中可以忽略是，把物体简化为一个点，认为物体的质量都集中在这个点上，这个点称为质点。 2.质点条件： 1）物体中各点的运动情况完全相同（物体做平动） 2）物体的大小（线度）＜＜它通过的距离 3.质点具有相对性，而不具有绝对性。 4.理想化模型：根据所研究问题的性质和需要，抓住问题中的主要因素，忽略其次要因素，建立一种理想化的模型，使复杂的问题得到简化。（为便于研究而建立的一种高度抽象的理想客体）第二节时间位移时间与时刻 1.钟表指示的一个读数对应着某一个瞬间，就是时刻，时刻在时间轴上对应某一点。两个时刻之间的间隔称为时间，时间在时间轴上对应一段。 △t=t2—t1 2.时间和时刻的单位都是秒，符号为s，常见单位还有min，h。 3.通常以问题中的初始时刻为零点。路程和位移 1.路程表示物体运动轨迹的长度，但不能完全确定物体位置的变化，是标量。

2.从物体运动的起点指向运动的重点的有向线段称为位移，是矢量。 3.物理学中，只有大小的物理量称为标量；既有大小又有方向的物理量称为矢量。 4.只有在质点做单向直线运动是，位移的大小等于路程。两者运算法则不同。第三节记录物体的运动信息打点记时器：通过在纸带上打出一系列的点来记录物体运动信息的仪器。（电火花打点记时器——火花打点，电磁打点记时器——电磁打点）；一般打出两个相邻的点的时间间隔是0.02s。第四节物体运动的速度物体通过的路程与所用的时间之比叫做速度。平均速度（与位移、时间间隔相对应）物体运动的平均速度v是物体的位移s与发生这段位移所用时间t的比值。其方向与物体的位移方向相同。单位是m/s。 v=s/t 瞬时速度（与位置时刻相对应）瞬时速度是物体在某时刻前后无穷短时间内的平均速度。其方向是物体在运动轨迹上过该点的切线方向。瞬时速率（简称速率）即瞬时速度的大小。速率≥速度第五节速度变化的快慢加速度 1.物体的加速度等于物体速度变化（vt—v0）与完成这一变化所用时间的比值 a=（vt—v0）/t 2.a不由△v、t决定，而是由F、m决定。 3.变化量=末态量值—初态量值……表示变化的大小或多少 4.变化率=变化量/时间……表示变化快慢 5.如果物体沿直线运动且其速度均匀变化，该物体的运动就是匀变速直线运动（加速度不随时间改变）。 6.速度是状态量，加速度是性质量，速度改变量（速度改变大小程度）是过程量。第六节用图象描述直线运动匀变速直线运动的位移图象

电工与电子技术基础第一章习题答案

第1章电路的基本定律与分析方法【思1.1.1】(a) 图U ab＝IR＝5×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。 (b) 图U ab＝－IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (c) 图U ab＝IR＝－5×10＝－50V，电压和电流的实际方向均由b指向a。 (d) 图U ab＝－IR＝－(－5)×10＝50V，电压和电流的实际方向均由a指向b。【思1.1.2】根据KCL定律可得 (1) I2＝－I1＝－1A。 (2) I2＝0，所以此时U CD＝0，但V A和V B不一定相等，所以U AB不一定等于零。【思1.1.3】这是一个参考方向问题，三个电流中必有一个或两个的数值为负，即必有一条或两条支路电流的实际方向是流出封闭面内电路的。【思1.1.4】(a) 图U AB＝U1＋U2＝－2V，各点的电位高低为V C＞V B＞V A。 (b) 图U AB＝U1－U2＝－10V，各点的电位高低为V B＞V C＞V A。 (c) 图U AB＝8－12－4×(－1)＝0，各点的电位高低为V D＞V B(V A＝V B)＞V C。【思1.1.5】电路的电源及电位参考点如图1-1所示。当电位器R W的滑动触点C处于中间位置时，电位V C＝0；若将其滑动触点C右移，则V C降低。【思1.1.6】(a) 当S闭合时，V B＝V C＝0，I＝0。当S断开时，I＝ 12 33 +＝2mA，V B＝V C＝2×3＝6V。 (b) 当S闭合时，I＝－6 3 ＝－2A，V B＝－ 3 21 + ×2＝－2V。当S断开时，I＝0，V B＝6－ 3 21 + ×2＝4V。【思1.1.7】根据电路中元件电压和电流的实际方向可确定该元件是电源还是负载。当电路元件上电压与电流的实际方向一致时，表示该元件吸收功率，为负载；当其电压与电流的实际方向相反时，表示该元件发出功率，为电源。可以根据元件电压与电流的正方向和功率的正、负来判别该元件是发出还是吸收功率。例如某元件A电压、电流的正方向按关联正方向约定，即将其先视为“负载模型”，如图1-2(a)所示，元件功率P＝UI。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝2A(电流实际方向与其正方向一致)，U、I实际方向一致，P＝UI＝10×2＝20W＞0(P值为正)，可判断A元件吸收功率，为负载。设U＝10V(电压实际方向与其正方向一致)，I＝－2A(电流实际方向与其正方向相反)，U、I实际方向相反，P＝UI＝10×(－2)＝－20W＜0(P值为负)，可判断A元件发出功率，为电源。

材料科学基础要背知识总结

2010级材料科学基础复习参考材料一、名词解释第二章 2-1 Crystalline and Non-crystalline 结晶态与非晶态 Crystalline: The state of a solid material characterized by a periodic and repeating three-dimensional array of atoms,ions,or molecules. Non-crystalline:The solid state wherein there is no long-range atomic order.sometimes the terms amorphous,glassy,and vitreous are used synonymously. 2-2 Single crystalline materials and polycrystalline materials 单晶与多晶材料 Single crystalline materials:A crystalline solid for which the periodic and repeated atomic pattern extends throughout its entirety without interruption. polycrystalline materials:Referring to crystalline materials that are composed of more than one crystal or grain. 2-3 Crystal structure, point lattice and unit cell 晶体结构、空间点阵、单位晶胞 Crystal structure:For crystalline materials,the manner in which atoms or ions are arrayed in space.It is defined in terms of the unit cell geometry and the atom positions within the unite cell. point lattice:The regular geometrical arrangement of points in crystal space. unit cell:The basic structural unit of a crystal structure.It is generally defined in terms of atom(or ion) positions within a parallelepiped volume. 2-4点群与空间群点群：是指宏观晶体中对称要素的集合。它包含了宏观晶体中全部对称要素的总和以及它们相互间的组合关系。空间群：晶体内部结构中全部对称要素的集合。 2-5 Direction indices and plane indices 晶向指数与晶面指数晶向指数：晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的结点直线组，质点等距离地分布在直线上。位于一条直线上的质点构成一个晶向。用表示，其中u v w是晶向矢量在参考坐标系X Y Z轴上的矢量分量等比例化简而得到。晶面指数：可将晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的结点平面，即晶面，用表示,h l k是晶面在三个坐标轴（晶轴）上截距倒数的互质整数比。 2-6 Coordination number and coordination polyhedron配位数与配位多面体配位数：一个原子（或离子）周围同种原子（或异号离子）的数目为原子或离子的配位数配位多面体：由原子（或离子）与其配位原子（或异号离子）组成的多面体结构为配位多面体。

高一物理必修知识点全总结

高一物理必修二知识点 1.曲线运动 1．曲线运动的特征（1）曲线运动的轨迹是曲线。（2）由于运动的速度方向总沿轨迹的切线方向，又由于曲线运动的轨迹是曲线，所以曲线运动的速度方向时刻变化。即使其速度大小保持恒定，由于其方向不断变化，所以说：曲线运动一定是变速运动。（3）由于曲线运动的速度一定是变化的，至少其方向总是不断变化的，所以，做曲线运动的物体的中速度必不为零，所受到的合外力必不为零，必定有加速度。（注意：合外力为零只有两种状态：静止和匀速直线运动。）曲线运动速度方向一定变化，曲线运动一定是变速运动，反之，变速运动不一定是曲线运动。 2．物体做曲线运动的条件 (1)从动力学角度看：物体所受合外力方向跟它的速度方向不在同一条直线上。 (2)从运动学角度看：物体的加速度方向跟它的速度方向不在同一条直线上。 3．匀变速运动：加速度（大小和方向）不变的运动。也可以说是：合外力不变的运动。 4曲线运动的合力、轨迹、速度之间的关系（1）轨迹特点：轨迹在速度方向和合力方向之间，且向合力方向一侧弯曲。（2）合力的效果：合力沿切线方向的分力

F2改变速度的大小，沿径向的分力F1改变速度的方向。 ①当合力方向与速度方向的夹角为锐角时，物体的速率将增大。 ②当合力方向与速度方向的夹角为钝角时，物体的速率将减小。 ③当合力方向与速度方向垂直时，物体的速率不变。（举例：匀速圆周运动） 2.绳拉物体合运动：实际的运动。对应的是合速度。方法：把合速度分解为沿绳方向和垂直于绳方向。 3.小船渡河例1:一艘小船在200m宽的河中横渡到对岸，已知水流速度是3m/s，小船在静水中的速度是5m/s，求：（1）欲使船渡河时间最短，船应该怎样渡河？最短时间是多少？船经过的位移多大？（2）欲使航行位移最短，船应该怎样渡河？最短位移是多少？渡河时间多长？船渡河时间：主要看小船垂直于河岸的分速度，如果小船垂直于河岸没有分速度，则不能渡河。

高中物理重要知识点详细全总结(史上最全)

完整的知识网络构建，让复习备考变得轻松简单！（注意：全篇带★需要牢记！）高中物理重要知识点总结（史上最全）

高中物理知识点总结（注意：全篇带★需要牢记！）一、力物体的平衡 1.力是物体对物体的作用，是物体发生形变和改变物体的运动状态（即产生加速度）的原因. 力是矢量。 2.重力（1）重力是由于地球对物体的吸引而产生的. ［注意］重力是由于地球的吸引而产生，但不能说重力就是地球的吸引力，重力是万有引力的一个分力. 但在地球表面附近，可以认为重力近似等于万有引力（2）重力的大小:地球表面G=mg，离地面高h处G/=mg/，其中g/=[R/（R+h）]2g （3）重力的方向:竖直向下（不一定指向地心）。（4）重心:物体的各部分所受重力合力的作用点，物体的重心不一定在物体上. 3.弹力（1）产生原因:由于发生弹性形变的物体有恢复形变的趋势而产生的. （2）产生条件:①直接接触;②有弹性形变. （3）弹力的方向:与物体形变的方向相反，弹力的受力物体是引起形变的物体，施力物体是发生形变的物体.在点面接触的情况下，垂直于面; 在两个曲面接触（相当于点接触）的情况下，垂直于过接触点的公切面. ①绳的拉力方向总是沿着绳且指向绳收缩的方向，且一根轻绳上的张力大小处处相等. ②轻杆既可产生压力，又可产生拉力，且方向不一定沿杆. （4）弹力的大小:一般情况下应根据物体的运动状态，利用平衡条件或牛顿定律来求解.弹簧弹力可由胡克定律来求解. ★胡克定律:在弹性限度内，弹簧弹力的大小和弹簧的形变量成正比，即F=kx.k为弹簧的劲度系数，它只与弹簧本身因素有关，单位是N/m. 4.摩擦力（1）产生的条件:①相互接触的物体间存在压力;③接触面不光滑;③接触的物体之间有相对运动（滑动摩擦力）或相对运动的趋势（静摩擦力），这三点缺一不可. （2）摩擦力的方向:沿接触面切线方向，与物体相对运动或相对运动趋势的方向相反，与物体运动的方向可以相同也可以相反. （3）判断静摩擦力方向的方法: ①假设法:首先假设两物体接触面光滑，这时若两物体不发生相对运动，则说明它们原来

材料科学基础知识点大全

点缺陷1范围分类1点缺陷.在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷.2线缺陷在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷.其具体形式就是晶体中的位错3面缺陷在三维空间的两个方向上的尺寸很大,另外一个方向上的尺寸很小的晶体缺陷 2点缺陷的类型1空位.在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”2.间隙原子.在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子.它们可能是同类原子,也可能是异类原子3.异类原子.在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置3点缺陷的形成弗仑克耳缺陷:原子离开平衡位置进入间隙,形成等量的空位和间隙原子.肖特基缺陷:只形成空位不形成间隙原子.（构成新的晶面）金属:离子晶体:1 负离子不能到间隙2 局部电中性要求 4点缺陷的方程缺陷方程三原则: 质量守恒, 电荷平衡, 正负离子格点成比例增减. 肖特基缺陷生成:0＝V M,,+ V O··弗仑克尔缺陷生成: M M＝V M,,+ M i ·· 非计量氧化物:1/2O2(g)＝V M,,+ 2h·+ O O不等价参杂:Li2O＝2Li M,+ O O + V O··Li2O+ 1/2O2 (g) ＝2Li M, + 2O O + 2h· .Nb2O5＝2Nb Ti ·+ 2 e, + 4O O + 1/2O2 (g) 5过饱和空位.晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡值.如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位,快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平衡值.过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态还要一时间过程. 6点缺陷对材料的影响.原因无论那种点缺陷的存在,都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平衡即造成小区域的晶格畸变.效果1提高材料的电阻定向流动的电子在点缺陷处受到非平衡力(陷阱),增加了阻力,加速运动提高局部温度(发热)2加快原子的扩散迁移空位可作为原子运动的周转站3形成其他晶体缺陷过饱和的空位可集中形成内部的空洞,集中一片的塌陷形成位错4改变材料的力学性能.空位移动到位错处可造成刃位错的攀移,间隙原子和异类原子的存在会增加位错的运动阻力.会使强度提高,塑性下降. 位错 7刃型位错若将上半部分向上移动一个原子间距,之间插入半个原子面,再按原子的结合方式连接起来,得到和(b)类似排列方式(转90度),这也是刃型位错. 8螺型位错若将晶体的上半部分向后移动一个原子间距,再按原子的结合方式连接起来(c),同样除分界线附近的一管形区域例外,其他部分基本也都是完好的晶体.而在分界线的区域形成一螺旋面,这就是螺型位错 9柏氏矢量.确定方法,首先在原子排列基本正常区域作一个包含位错的回路,也称为柏氏回路,这个回路包含了位错发生的畸变.然后将同样大小的回路置于理想晶体中,回路当然不可能封闭,需要一个额外的矢量连接才能封闭,这个矢量就称为该位错的柏氏矢10柏氏矢量与位错类型的关系刃型位错,柏氏矢量与位错线相互垂直.(依方向关系可分正刃和负刃型位错).螺型位错,柏氏矢量与位错线相互平行.(依方向关系可分左螺和右螺型位错).混合位错,柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度. 柏氏矢量守恒1同一位错的柏氏矢量与柏氏回路的大小和走向无关.2位错不可能终止于晶体的内部,只能到表面,晶界和其他位错,在位错网的交汇点, 11滑移运动--刃型位错的滑移运动在晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体上部向有发生移动的趋势.假如晶体中有一刃型位错,显然位错在晶体中发生移动比整个晶体移动要容易.因此,①位错的运动在外加切应力的作用下发生;②位错移动的方向和位错线垂直;③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移);④位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生柏氏矢量大小的台阶.螺型位错的滑移在晶体上施加一切应力,当应力足够大时,有使晶体的左右部分发生上下移动的趋势.假如晶体中有一螺型位错,显然位错在晶体中向后发生移动,移动过的区间右边晶体

模拟电子技术基础期末复习总结

第一章本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。其特点：在外部能量激励下产生本征激发，成对产生电子和空穴；电子和空穴均为载流子，空穴是一种带正电的粒子；温度越高，电子和空穴对的数目越多。两种掺杂半导体： N型半导体：电子是多子，空穴是少子；还有不能自由移动的正离子。 P型半导体：空穴是多子，电子是少子；还有不能自由移动的负离子。二极管 PN结及其单向导电性（正反接法，特点）二极管的伏安特性（画伏安特性曲线）二极管主要参数稳压管三极管类型：NPN型、PNP型；硅管、锗管。三种工作状态：（特例NPN型）放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置；（U BE>0,U BC<0,）饱和状态：发射结和集电结均正向偏置；（U BE>0,U BC>0,）截止状态：发射和集电结均反向偏置；(U BE<0,U BC<0), 三个工作区：放大区：晶体管于放大状态，i c= i b有放大作用；饱和区：晶体管工作于饱和状态，i c主要受的影响u ce，无放大作用；截止区：晶体管工作于截止状态，i c≈0,无放大作用。基本放大电路的组成原则：直流偏置：发射结正向偏置，集电极反向偏置；信号的输入和输出：信号源及负载接入放大电路时，就不影响晶体管原有的直流偏置，仍应保持发射结正偏，集电结反偏。要求隔“直”，又能使信号顺利通过。放大电路的主要性能指标有：电压放大倍数AU、输入电阻Ri，输出电阻Ro，频带宽度fbw，全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。三种基本分析方法：估算法：也称近似计算法，用于静态工作点的计算。分析过程为：画直流通路，由直流通路列出输入回路的直流负载方程，并设UBEQ值（硅管（NPN）为0.6V或0.7V，锗管（PNP）为0.2V，0.3V），代入方程，求出静态工作点。图解法：

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语：数字电子技术基础知识有哪些呢？接下来是小编为你带来收集整理的文章，欢迎阅读！处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。其主要特点是： 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时，信号的波形也改变，即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面：1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。其主要特点是： 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础，使用二进制数字信号，既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等)，因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单，系统可靠以二进制作为基础的数字逻辑电路，可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响，温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高，功能实现容易集成度高，体积小，功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便，随着集成电路技术的高速发展，数字逻辑电路的集成度越来越高，集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路，通过编程的方法实现任意的逻辑功能。模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。模拟信号是关于时间的函数，是一个连续变化的量，数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件，电子线路为载体的，在一个信号处理中，信号的采集，信号的恢复都是模拟信号，只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号，不随时间变化，时间域和值域上均连续的信号，如语音信号。而数

高一物理基础知识总结

第一章运动的描述一、基础概念 1、质点： ①定义：用一个有质量的点替代物体，这个点叫质点。 ②能否视为质点的条件：当研究问题与物体形状和体积无关时或可忽略时，物体可看作是质点。 2、参考系： ①定义：事先假定为不动的物体叫参考系。 ②参考系选择：选择是任意的，选静止和匀速直线运动的物体为参考系叫惯性系，选匀变速、变速曲线等非静止和非匀速直线的物体为参考系叫非惯性系，高中物理一般选大地为参考系（为惯性系），所有运动物理量要相对同一参考系。 3、时间与时刻 4、路程：物体运动实际轨迹长度。 5、位移（矢量）：描述物体位置变化的物理量。 ①大小：物体某段时间内起点到终点的距离。 ②方向：从物体某段时间内的起点指向终点。 6、矢量标量矢量：指既有大小，又有方向的物理量。标量：只有大小而没有方向的物理量。 7、速度：描述物体运动快慢的物理量。 ①平均速度：物体位移与发生该段位移与所用时间的比值，方向为位移方向。 ②瞬时速度：很短时间或很短位移内的平均速度即为时刻速度，叫瞬时速度。方向为短位移方向或某点轨迹的切线方向。 ③平均速率：路程与时间的比值，无方向是标量。 ④速率：瞬时速度的大小，是标量。 8、加速度：描述物体速度变化快慢的物理量。 ①定义：物体的速度变化量（是矢量）与所用时间的比值。 ②方向：由物体所受合力方向决定，即与合力方向同向，也和物体的速度变化量方向同向。 t 123第1秒末第2秒初第2秒末第3秒初第3秒末第4秒初

二、基础公式 1、匀速直线：vt x = 2、变速直线：t v x = {对匀变速直线有()v v v +=02 1 } 3、平均速度：t x v = 4、加速度： t v v a 0 -= 三、方法与题型总结判断速度大小变化的方法： 1、速度加速若同向：速度增加喜洋洋。 2、速度加速若反向：速度减少泪汪汪。 3、速度加速若垂直：速率不变只改向。第二章直线运动一、基础概念 1、运动轨迹与性质 2、常见运动性质概念 ①匀速运动：匀速直线运动的简称。 ②变速：专指速度变化（大小或方向或大小方向同时变化） ③加速：专指速度增加。 ④减速：专指速度减少。 ⑤匀变速（直线）曲线运动：加速度（大小和方向）不变的（直线）曲线运动。 ⑥匀加速直线运动：指加速度（大小和方向）不变，速度大小增加。 ⑦匀减速直线运动：指加速度（大小和方向）不变，速度大小减少。 ⑧变加速（直线）曲线运动：指加速度（大小或方向）变化，轨迹有直线和曲线（如圆周运动）。 ⑨自由落体运动：初速度为0，只受重力（a=g ）的匀加速直线运动。 ⑩竖直上抛：初速度向上，只受重力（a=g ），任何一段时间均可视为匀减速直线运动。五个运动量有对称性（即上升与落回抛出点大小对应相等）二、基础公式直线运动的五个物理量（两端两个状态量，中间过程三个过程量）和五个公式机械运动（即物体的运动）直线运动曲线运动（变速运动）匀速直线运动变速直线运动匀变速直线运动纯变速（即变加速）直线运动匀加速直线运动匀减速直线运动匀变速曲线运动（如抛体运动）变加速曲线运动（如圆周运动） 0v v a x t