光电子技术复习题

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第5章

光探测器:能把光辐射量转换成另一种便于测量的物理量的器件

光电探测器:把光辐射量转换成电量(电流或电压)的光探测器

光电探测器性能参数

1.量子效率

2. 响应度

3. 光谱响应

4. 等效噪声功率

5. 归一化探测度

6. 频率响应

7. 噪声谱

量子效率 : 是指每一个入射光子所释放的平均电子数。

响应度 R:响应度为探测器输出信号电压 Vs(或电流Is )与输入光功率P之比

光谱响应:表征R 随波长 (拉门大)变化的特性参数

频率响应 R ( f ):频率响应 R( f ) 是描述光探测器响应度在入射光波长不变时,随入射光调制频率变化的特性参数。

等效噪声功率 NEP:定义为相应于单位信噪比的入射光功率,用来表征探测器探测能力,NEP越小,探测能力越强。

归一化探测度 D* :探测度D:单位入射功率相应的信噪比。 D*表示单位探测器面积、单位带宽的探测度,

1.光电效应:光照射到物体上使物体发射电子,或电导率发生变化,或产生电动势,这些

因光照引起物体电学特性改变的现象,统称为光电效应

内光电效应:光子激发的载流子(电子或空穴) 将保留在材料内部。

外光电效应: 将电子打离材料表面,外光电效应器件通常有多个阴极,以获得倍增效内光电效应主要包括光电导效应与光伏效应

光电导效应是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。

光伏效应指光照使半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。

光电导效应下的光敏电阻

光敏电阻的频率特性差,不适于接收高频光信号

前历效应:前历效应是指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一种现象。

分暗态前历与亮态前历。

光敏电阻特点:优点:

1.光谱响应相当宽

2.所测的光强范围宽,即可对强光响应,也可对弱光响应

3.无极性之分,使用方便

4.灵敏度高,工作电流大,可达数毫安

缺点:强光照射下线性较差,频率特性也较差,不适于接收高频光信号,受温度影响大2.

第一象限:普通二极管

第三象限:光导工作模式光电二极管工作区域

第四象限:光伏模式光电池工作区域

光电池:太阳能电池--用作电源,

测量光电池--作光电探测

3.光电二极管和光电池的区别:

光电二极管和光电池一样,其基本结构也是一个PN结。和光电池相比,重要的不同点是结面积小,因此具有特别好的频率特性。

比较:光电二极管与光电池

1. 掺杂浓度较低;

2. 电阻率较高;

3. 结区面积小;

4. 通常多工作于反偏置状态;

5. 结电容小,频率特性好;

6. 光电流比光电池小得多,一般多在微安级

4.PIN光敏二极管:在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。

频带宽灵敏度高

频带宽:由于P-N结空间电荷层的间距加宽,因此结电容变小。相应时间变短,频带变宽。

灵敏度高:I层较厚,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对。

5.雪崩光敏二极管:

高反压(100~200 V)

强电场载流子加速

碰撞新载流子

雪崩倍增--光电流的放大

6.光敏三极管:光电三极管:输出光电流大光电特性“非线性”,频率特性较差

7.

散粒噪声产生-复合噪声热噪声低频噪声

散粒噪声:探测器的散粒噪声是由于探测器在光辐射作用或热激发下,光电子或光生载流子的随机产生所造成的。

产生-复合噪声:半导体中由于载流子产生与复合的随机性而引起的平均载流子浓度的起伏所产生的噪声称为产生—复合噪声,亦称G-R噪声(

热噪声:热噪声是由耗散元件中电荷载流子的随机热运动引起的

低频噪声:在低频时存在的噪声,几乎所有探测器中都存在。由于噪声功率与频率有近似反比的关系,也称为1/f 噪声

第1章

8. D DD 表明电荷产生电场,且电场是有源场

9.EEEE表明变化的磁场产生电场

10.BBBBB表明磁场是无源场,磁感线总是闭合曲线

11.HHHH表明传导电流和变化的电场都能产生磁场

12.D= 界面两侧电场的法向分量发生了跃变

B= 界面两侧磁场的法向分量连续

E= 界面两侧电场的切向分量连续

H= 界面两侧磁场的切向分量发生了跃变

13.两种理想介质分界面上的边界条件

在两种理想介质分界面上,通常没有电荷和电流分布,即JS=0、ρS=0

D的法向分量连续

B的法向分量连续

E的切向分量连续 ?

H的切向分量连续

14.理想导体表面上的边界条件理想导体:电导率为无限大的导电媒质特征:电磁场不

可能进入理想导体内设媒质2为理想导体,则E2、D2、 H2、B2均为零

理想导体表面上电荷密度等于D的法向分量

理想导体表面上B的法向分量为0

理想导体表面上E的切向分量为0

理想导体表面上电流密度等于H的切向分量

15.平面电磁波:任意时刻,如果在平面等相位面上,每一点的电场强度均相同,这种电

磁波称为均匀平面波。 1. 均匀平面波满足一维波动方程

均匀平面波是横电磁波(TEM波)

对于无限大、均匀、理想介质中的均匀平面波,相速等于波速

9. 其他条件相同时,受激辐射和受激吸收具有相同几率。

10. 热平衡状态下,高能级上原子数少于低能级上原子数,故正常情况下,吸收比发射更频繁,其差额由自发辐射补偿。

11. 自发辐射的出现随V3而增大,故波长越短,自发辐射几率越大。

12. 激光的纵模:光场沿轴向传播的振动模式 ?

13. 激光的横模:激光腔内与轴向垂直的横截面内的稳定光场分布称为激光的横模

激光横模形成的主要因素是谐振腔两端反射镜的衍射作用。

激光器输出的频率个数(纵模数)N,由激活介质所发射的谱线对应的频宽和纵模间隔的比值决定

用接收屏观察激光器输出光束屏上形成的光斑图形。按其对称性可分为轴对称横模和旋转对称横模。

轴对称横模TEMmn旋转对称横模TEMpl

纵模选择

色散腔粗选

短腔法 F-P标准具复合腔

横模(基模)选择

小孔光阑选模

聚焦光阑选模

猫眼腔选模

第3章

1. 单色平面波是指电场强度E 和磁场强度H都以单一频率随时间作正弦变

化而传播的波。单色 + 平面波

2.高斯光束激光器发出的光沿z轴方向传播的高斯光束(激光束),

不管是由何种稳定腔产生的

R:z点处的波阵面半径ω(z):z点处的光斑半径二维高斯函数平面波因子球面波因子

3. 高斯光束半径:将在光束截面内,振幅下降到最大值的1/e时,离光轴

的距离定义为该处的光斑半径ω(z)

只要光学元件的孔径大于3ω/2,即可保证高斯光束的绝大部分功率有效透过

4. 在z=0处:

波阵面半径R(0)趋于无穷波阵面为平面波

光斑半径等于束腰半径ω=等于ω0

在z→∞处:波阵面半径R(0)趋于无穷波阵面为平面波

5. 在z=0处和z→∞处,R(z)的值均为∞(平面波),则在中间某位置必存在一最小R(z)

瑞利长度(共焦参数)的物理意义:高斯光束传播过程中的两特殊点,在此点,波阵面半径最小,具有两对称点(相对束腰)互为其波面球心。

6. 能量密度 w:表示场内单位体积的能量,是空间位置x和时间t的函数,w=w(x,t)

(能流密度)S :

单位时间内,通过垂直于波的传播方向的单位面积的辐射能。

7. 相速度:单色波的等相位面传播的速度

群速度:合成波波包上等振幅面传播的速度

8.瑞利群速公式。在正常色散区域大于0,群速小于相速;在反常色散区域dvp/dλ<0,群速大于相速;在真空中无色散等于0,群速等于相速9.

(1)在真空中传播时,波速相同,相速度和群速度相等。

(2)在色散介质中传播时,不同频率的光波传播速度不同,合成波形在传播过程中会不断地变化,相速度和群速度不同。

(3)光波能量正比于电场振幅的平方,而群速度是振幅面传播的速度,所以群速度是光波能量传播的速度

10. 外腔式激光管加装布儒斯特窗,以产生线偏振激光。

11.全反射设光波从光密介质射向光疏介质 (n1>n2),折射角θ2大于入射角θ1。当 sinθ1=n2/n1时,θ2为90度,这时折射角沿界面掠过。若入射角再增大,使 sinθ1>n2/n1 ,这时不能定义实数的折射角。使90度的入射角θ1称为临界角,记作θc ,即

当θ1≥θc时,没有折射光,入射光全部返回介质1,这个现象为全反射。

12. 入射平面波在上下界面均产生全反射,此时形成的波称为导波

有一部分能量从薄膜中辐射出去,这种情况下的波称为辐射模

13.射线从B’到C’的相位变化为k0 n1 B’C’

射线从B到C的相位变化为(k0n1BC-2Φ2-2Φ3)

两射线的相位差为:

薄膜波导的特征方程

13. k0n1cosθ1是薄膜中波矢量x方向分量,是薄膜中的横向相位常数,可表示为:k1x=k0n1cosθ1 特征方程可写为:

k1xd是横过薄膜的横向相位变化

2φ2,2φ3是在边界上全反射时的相位突变

m是模序数,当m=0,1,2…时,可得到

14.当m=0时其场沿x方向的变化不足半个驻波

当m=1时,其场沿x方向变化不足一个驻波,其他依此类推。因而m表示了导波场沿薄膜横向出现的完整半驻波个数。m越大,导波的模次越高

16.由特征方程还可以看出,在其他条件不变的情况下,若θ1减小,则m增

大,因而表明高次模是由入射角θ1较小的平面波构成的。

17.波序数m相同的TE模和TM模的截止波长不同。当m相同时,TE模的截止

波长较长,因而在所有的波导模式中, TE0模的截止波长最长。

18.由于TE0模的截止波长最长,因而它的传输条件最容易满足。薄膜波导中

的TE0 模是基模。如果波导的结构或选择的工作波长只允许TE0模传输,其他模式均截止,则称为单模传输。单模传输的条件是

19.对称薄膜波导:该式对TE模,TM模都适用。即模序数相同的 TE模和TM模

具有相同的截止波长λc。当TE0 模出现时,TMm模也伴随出现,这就叫兼并。

对于对称波导,TM0模截止波长λc=∞,没有截止现象,这是对称波导的特有性质。

20.数值孔径:表示光纤捕捉光线的能力的物理量

光纤能够接受外来入射光的最大受光角Φ的正弦与入射区折射率的乘积21.入射角不同的光线在阶跃光纤中传播时,几何程长是不同的,因而其轴向速

度有所不同,引起模式色散。为减小模式色散,设计了折射率沿半径渐变的光纤,称为梯度光纤或非均匀光纤。由于中心折射率最大,两边折射率逐渐变小,因此光线轨迹不再是直线而是曲线。并且使全部的射线以同样的轴向速度在光纤中传播,从而消除了模式色散。这种现象叫自聚焦现象,这种光纤叫自聚焦光纤。

22.光纤损耗:吸收损耗(包括:本征吸收杂质吸收 ) 散射损耗(瑞利散

射瑞利散射损耗与入射波长的4次方成反比,因而这种损耗随着波长的增加而迅速减小。米氏散射非线性散射)其它损耗

23.色散特性:材料色散模式色散波导色散

24.波导色散是由光纤的几何结构决定的色散,它是由某一波导模式的传播常

数β随光信号角频率变化而引起的,也称结构色散。

25.对多模光纤,模式数量大,总色散基本取决于模式色散其次为材料色散 ?

对应单模光纤,主要是材料色散和波导色散

原理:外加电场实现粒子数反转,大量电子空穴对复合导致发光 LED & LD 是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光是受激辐射复合发光 3.结构上的差别:LD有光学谐振腔,使产生的光子在腔内振荡放大,LED没有谐振腔。 4.性能上的差别:LED没有阈值特性,光谱密度比LD高几个数量级, LED输出光功率小, 发散角大。

能量密度w表示场内单位体积的能量,是空间位置x和时间t 的函数,w=w(x,t); ?

能流密度S描述能量在场内的传播,S在数值上等于单位时间内垂直流过单位横截面

的能量,其方向代表能量传播的方向。

高斯光束半径将在光束截面内,振幅下降到最大值的1/e时,离光轴的距离定义为该处的光斑半径?(z)

相速度:单色波的等相位面传播的速度群速度:合成波波包上等振幅面传播的速度

即瑞利群速公式。在正常色散区域dvp/dλ>0,群速小于相速;在反常色散区域dvp/d λ<0,群速大于相速;在真空中无色散dvp/dλ=0,群速等于相速

光电子技术章节练习题及答案

《光电子技术》章节练习题及答案 第一章 一、填空题 1、色温是指 在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。其并非热辐射光源本身的温度。 2、自发跃迁是指 处于高能级的一个原子自发地向低能级跃迁,并发出一个光子的过程 。受激跃迁是指 处于高能级态的一个原子在一定的辐射场作用下跃迁至低能级态,并辐射出一个与入射光子全同的光子的过程。 3、受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和非均匀展宽,其中均匀展宽主要 自然展宽、碰撞展宽、热振动展宽 ,非均匀展宽主要有 多普勒展宽与残余应力展宽。 4、常见的固体激光器有 红宝石激光器、钕激光器或钛宝石激光器 (写出两种),常见的气体激光器有 He-Ne 激光器、CO 2激光器或Ar +激光器 (写出两种)。 5、光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有 能量、动量和质量;其静止质量为 0 。 6、激光与普通光源相比具有如下明显的特点: 方向性好、单色性好、相干性好,强度大 。 7、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其辐射强度为100/4π W/sr 。 8、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在1m 远处形成的辐射照度为 100/4π W/m 2。 9、设一个功率100W 的灯泡向各个方向辐射的能量是均匀的,则其在2m 远处形成的辐射照度为100/16π W/m 2。 二、解答题 1、简述光子的基本特性(10分) [答]:光是一种以光速运动的光子流,光子和其它基本粒子一样,具有能量、动量和质量。它的粒子属性(能量、动量、质量等)和波动属性(频率、波矢、偏振等)之间的关系满足:(1)ωνη==h E ;(2)22c h c E m ν==,光子具有运

光电子试题含答案

一、名词解释(25’) 1.双折射现象: 2.等离子体: 3.光无源器件: 4.光热效应: 5.光盘: 二、简答题(25’) 1.光的基本属性? 2.什么是消逝波? 3.什么叫磁光效应? 4.简述光纤的基本结构? 5.简述激光器的基本结构? 三、论述题(20’) 1.论述液晶的特点及其应用? 2.论述根据什么现象可以检测出入射光的偏振态? 3.论述光隔离器的基本结构与工作原理? 4.论述光电子技术的发展历史? 四、计算题(30’) 1.He-Ne 激光器的反射镜间距为0.2m ,求最靠近63 2.8nm 跃迁谱线中心的纵模阶数、纵模频率间隔。如果增益曲线宽度为9 105.1?Hz ,则可能引起的纵模总数是多少? 2.设有一平面介质波导,各层折射率分别为1,1.2,21.2n 321===n n ,波导层厚度d=4.6μm 。若总反射相移为π2 3,则当入射光波长为1.31μm 时,问: (1)波导中能传输的模式总数是多少? (2)要想传输单模,波导厚度应如何设计?

3.PIN 光电二极管,受波长为1.55μm 的12106?个光子的照射,其间输出端产生12 102?个光子,计算量子效率和响应度。 四、计算题(30’) 1.He-Ne 激光器的反射镜间距为0.2m ,求最靠近63 2.8nm 跃迁谱线中心的纵模阶数、纵模频率间隔。如果增益曲线宽度为9105.1?Hz ,则可能引起的纵模总数是多少? 2.某抛物线分布光纤,1n =1.5,?=0.001,纤芯直径2a=50μm ,当用波长0λ=0.85μm 的光激励时,试求: (1)光纤的最大数值孔径; (2)光纤的截止波长。 解:(1)光纤的数值孔径067.0001.025.121=??=?= n NA (2)抛物线型

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选择题 1.光通量的单位就是( B )、 A、坎德拉 B、流明 C、熙提 D、勒克斯 2、辐射通量φe的单位就是( B ) A 焦耳(J) B 瓦特(W) C每球面度(W/Sr) D坎德拉(cd) 3、发光强度的单位就是( A )、 A、坎德拉 B、流明 C、熙提 D、勒克斯 4、光照度的单位就是( D )、 A、坎德拉 B、流明 C、熙提 D、勒克斯 5、激光器的构成一般由( A )组成 A、激励能源、谐振腔与工作物质 B、固体激光器、液体激光器与气体激光器 C、半导体材料、金属半导体材料与PN结材料 D、电子、载流子与光子 6、硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且 动态范围较大。适当偏置就是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7、2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要就是由于( A ) A、传输损耗低 B、可实现任何光传输 C、不出现瑞利散射 D、空间相干性好 8、下列哪个不属于激光调制器的就是( D ) A、电光调制器 B、声光调制器 C、磁光调制器 D、压光调制器 9、电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A、内加电场 B、激光波长 C、晶体性质 D、晶体折射率变化量 10、激光调制按其调制的性质有( C ) A、连续调制 B、脉冲调制 C、相位调制 D、光伏调制 11、不属于光电探测器的就是( D ) A、光电导探测器 B、光伏探测器 C、光磁电探测器 D、热电探测元件 12、CCD 摄像器件的信息就是靠( B )存储 A、载流子 B、电荷 C、电子 D、声子 13、LCD显示器,可以分为( ABCD ) A、TN型 B、STN型 C、TFT型 D、DSTN型 14、掺杂型探测器就是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程就是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A、禁带 B、分子 C、粒子 D、能带 15、激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B ) A色性好B单色性好 C 吸收性强D吸收性弱 16、红外辐射的波长为( D )、

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

光电子技术基础考试题及答案

光电子技术基础考试题及答案 一、选择题 1.光通量的单位是( B ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是( B ) A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是( A ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是( D ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由( A )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好

8.下列哪个不属于激光调制器的是( D ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有( C ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是( D ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 https://www.360docs.net/doc/2d12782821.html,D 摄像器件的信息是靠( B )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 13.LCD显示器,可以分为( ABCD ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载 流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带 15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B ) A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 16.红外辐射的波长为( D ). A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm 17.可见光的波长范围为( C ).

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选择题 1.光通量的单位是( B ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是( B ) A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是( A ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是( D ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由( A )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且 动态范围较大。适当偏置是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好 8.下列哪个不属于激光调制器的是( D ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有( C ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是( D ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 摄像器件的信息是靠( B )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 显示器,可以分为( ABCD ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带 15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B ) A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 16.红外辐射的波长为( D ). A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm 17.可见光的波长范围为( C ).

电力电子技术考研试题答案

E t T U off = 0电力电子技术试题(A )答案 一、填空 1、 零电压电路,零电流电路, 2、 恒压频控制,转差频率控制,矢量控制,直接转矩控制, 3、 计算法,调制法,跟踪控制法。异步调控法,同步调控法, 4、 器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流, 5、 π→0, π?→, 6、 避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收; 7、 减小触发角;增加整流相数;采用多组变流装置串联供电;设置补偿电容。 8、 GTO ;GTR ;MOSFET ;IGBT ; 二判断题, 1、 1、×; 2、×; 3、√; 4、√; 5、√ 6、×; 7、√; 8、×; 9、 √; 10、×; 三、选择题 1、B ;C ;D ;2、B ;3、C ;4、B ;5、C ; 四、问答题 1、 当V 处于通态时,电源E 向电感L 充电,设充电电流为I 1,L 值很大,I 1基本恒定,同时电容C 向负载供电,C 很大,使电容器电压U 0基本不变,设V 处于通态的时间为t on ,在t on 时间内,电感L 上积蓄的能量为EI 1t on ;当V 处于断态时,E 与L 同时向电容充电,并向负载R 提供能量。设V 处于断态的时间为t off ,在t off 时间内L 释放的能量为(U 0-E ) I 1t off ,在一周期内L 积蓄的能量与释放的能量相等。可求得: 分析不难看出该斩波电路是升压斩波电路。 2、 (u d ) (u VT1) (u VD1)

五、计算题 1、U0=133.3V;I0=6.67A; 2、 U d=117V;I d=23.4A;I dVT=7.8A;I VT=13.5A; 电力电子技术试题(B)答案 一、填空题 1、要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压;逆变桥必须工作在β<90o(即α>90o)区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。 2、整流,逆变,整流,逆变, 3、变流桥,不流经负载,α>β, 4、直流,交流,电网的, 5、正向,正向门极,门极触发, 6、单相桥式半控整流桥,三相桥式半控整流桥, 7、150,300,三相桥式全控整流桥,三相半波可控流电路, 8、逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丢失或未按时到达, 9、小控制角运行,增加电源相数,多组变流装置串联运行并进行控制,增加电容补偿装置,10、掣住,触发脉冲,

光电子技术安毓英习题答案解析[完整版]

第一章 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0 的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为: 2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:2 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对 的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 M=常数4T ?。这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为 5.6710-8W/m 2K 4 解答:教材P9,对公式2 1 5 1 ()1 e C T C M T e λλλ=-进行积分即可证明。 第二章 3.对于3m 晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y 和z 轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x 方向上) 解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即n x =n y =n 0、n z =n e 。它所属的三方晶系3m 点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为: L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

《电子技术基础》考试试题

共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小

C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。

《光电子技术》期末考试试卷(A卷)答案

西南科技大学2009——2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷(A卷)

西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A卷) 31、答: 光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小,直接影响内部电子状态改变的大小。光子能量是νh,h是普朗克常数, ν是光波频率,所以,光子效应就对光波频率表现出选择性,在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。5分 光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以,光热效应与单光子能量νh的大小没有直接关系。原则上,光热效应对光波频率没有选择性。只是在红外波段上,材料吸收率高,光热效应也就更强烈,所以广泛用于对红外线辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。5分32、答: 转移效率:电荷包在进行每一次转移中的效率;2分

不均匀度:包括光敏元件的不均匀与CCD的不均匀;2分暗电流:CCD在无光注入和无电注入情况下输出的电流信号;1分灵敏度:是指在一定光谱范围内,单位暴光量的输出信号电压(电流);1分光谱响应:是指能量相对光谱响应,最大响应值归一化为100%,所对应的波长峰值波长,低于10%的响应点对应的波长称为截止波长;1分噪声:可以归纳为散粒噪声、转移噪声和热噪声;1分 参考答案及评分细则 西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A卷) 分辨率:是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力;1分动态范围和线性度:动态范围=光敏元件满阱信号/等效噪声信号,线性度是指在动态范围内,输出信号与暴光量的关系是否成直线关系。1分33、答: 等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,它是除去固、液、气态外,物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体,利用经过巧妙设计的电场和磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。4分等离子体显示搬是利用气体放电产生发光现象的平板显示的统称。1分等离子体显示技术(Plasma Display)的基本原理:显示屏上排列有上千个密封的小低压气体室(一般都是氙气和氖气的混合物),电流激发气体,使其发出肉眼看不见的紫外光,这种紫外光碰击后面玻璃上的红、绿、蓝三色荧光体,它们再发出我们在显示器上所看到的可见光。5分

信息光电子试题.

一、 名词解释 1、光子态:光子的运动状态简称光子态 2、光子简并度:处于同一光子态的平均原子数目称为光场的光子简并度。 3、多普勒加宽:多普勒加宽是一种重要的非均匀加宽,其加宽机制是由于光学多普勒效应,即多普勒频移影响频率分布,最终产生光谱线的多普勒加宽 4、模式竞争:在激光器中各模间呈现竞争反转原子使优势模光强更大,其他模式光强减小甚至增益小于损耗而停止振荡。 5、频率牵引:由放大器原子相移所引起的激光器振荡模频率比无源腔模频率更向中心频率靠拢的现象,称为激光器频率牵引效应。 6、自发辐射:处于高能级的原子在没有任何外场的情况下可自发的跃迁到低能级,发出一个能量为νh 的光子,这种光发射叫做自发辐射。 7、受激辐射:处于高能级的原子在特定能量外来电子的激励下从高能级跃迁到低能级,同时释放一个与外来光子处于同一光子态的光子。 8、受激吸收:处于低能级的原子在外来光子的激励下,吸收一个光子并跃迁到高能级上的过程叫做受激吸收。 9、声光效应:光波经过具有超声场作用的介质时被衍射的现象就是声光效应。 10、电光效应:在外加电场的作用下,本来是各向同性的介质也可以产生双折射现象,而本来有双折射性质的晶体,其双折射性质也要发生改变,这是电光效应。 二、简答 1、何为粒子数的反转分布?通常为什么要实现粒子数反转分布? 答:物质处于非平衡状态时,高低能级之间要满足01 212>-g g n n 的状态称之为粒子数反转分布。 当光通过介质时,在共振作用下,必然同时存在受激吸收和受激辐射这两个相反的过程,前者使入射光减弱,后者使入射光加强。要使介质对入射光产生光放大作用,必

须是受激辐射跃迁的速率大于受激吸收的跃迁速率。这就必须使的st st dt dn dt dn )()(1221>;121212w n w n >,即ννρρ121212B n B n >;又由于211221g g B B =;所以01 212>-g g n n 。 2、简述均匀加宽激光器中的模式竞争过程? 答:在均匀加宽激光器中,如果多个纵模都满足增益条件,那么开始时都可通过受激辐射使的光子数增加,从而使光强增大;但随着光强的增加,出现增益饱和,增益曲线均匀饱和下降,于是使的偏离中心频率较远的模由于增益小于损耗停止振荡,最后只留下离中心频率最近的模形成稳定振荡。 3、叙述激光器的纵模、横模的定义及形成机理? 答:纵模:电磁场在光的传播方向上按照空间周期波长λ的场分布; 横模:电磁场在垂直光的传播方向的横截面上的场分布。 纵模的形成机制为光波往返振荡一次干涉加强形成。 横模的形成机制为光波在腔内往返多次传播后,在垂直光的传播方向上的振幅和相位形成稳定的空间分布。 4、四能级和三能级泵浦系统相比有什么优点?为什么? 答:四能级系统比三能级系统更容易实现原子集居数密度反转分布,因为四能级中: 10E E →有大的无辐射跃迁几率,可近似的认为 1E 是一个空能级,产生激光的是1E 2E 能级。而在三能级中,产生激光的也是1E 2E 能级,但1E 是基态,比较稳定,实现上能级 与一个空能级反转毕竟要比一个相当满是我基态能级间的反转分布来的容易。 5、何谓增益饱和?均匀加宽增益饱和与非均匀加宽增益饱和的基本特性是什么? 答:当入射光的光强增大到一定程度以后,增益系数随光强的增大而减小,这种现象叫增益饱和。 均匀加宽增益饱和效应表现为:整个增益曲线均匀下降。 非均匀加宽增益饱和效应表现为:0 1=ευυ的那些原子出现增益饱和,其他原子可几乎不与入射光子相互作用并维持未饱和状态,则会出现增益曲线“烧孔”效应。 6、产生多普勒加宽的机制是什么? 答:多普勒加宽是一种重要的非均匀加宽,其加宽的机制是由于光学多普勒效应,即多普勒频移影响频率的分布,最终产生光谱线的多普勒加宽。 7、简述调Q 激光器的基本原理?

光电子技术第三版安毓英刘继芳等著习题答案完整版

第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 ΩΦd d e e I = , 且 ()??? ? ??+- =-===Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线 与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: r r e e A dI L θ?cos = 强度定义:Ω Φ =d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:2 0cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:20 cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= 3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θ cos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? l 0 S R c 第1.1题图 L e ?A s ?A c l 0 θs θc 第1.2题图

电子技术基础考研

注意事项:1.本试卷共12道大题,满分150分; 2.本卷属试题卷,答案一律写在答题纸上,写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁,不要在试卷上涂划; 3.必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题,其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题(本题共14小题除标注外每空1分,共30分) 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ,试分析在不同的U 1、U 2组态下,VD 1、VD 2是导通还是截止,并求U O 的值,把正确答案填入表内。(每三空1分) 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时,VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。(每三空1分) V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时,测得输出电压为3V ,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V ,说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1

4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1Ω k,其它条件不变时,测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为10Hz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍,或者说下降了________________dB,放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为________________度。(每空0.5分) 6、试在下列空格中填写合适数值。(每空0.5分) 在两边完全对称的差分放大电路中,若两输入端电压u I1=u I2,则双端输出电压u O=___V;若u I1=1mV,u I2=0mV,则差分放大电路的差模输入电压u Id=___mV,其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1=___mV,u Id2=___mV,共模输入信号u Ic=___mV。 7、电路如图所示,A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路,A2组成电路,VD1、VD2和R组成的电路起作用,u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V,VD Z2的稳定电压 U Z2=7.7V,它们的正向导通电压U D均为0.7V,U I和R的取值合理,U I的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。(每空0.5分) 填空: U O1=V,U O2=V,U O3=V, U O4=V。

2018中国计量大学808电子技术基础考研真题

一、单选题(每题2分,共20分) 1. 为提高共模抑制比应采用( ) A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示, 当输入电压V V i 9=时,输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中,三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统,极点频率610H f Hz =,中频电压增益dB A I 100=,则 710f Hz = 时,增益为( )dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A .不变 B .提高一倍 C .提高两倍 D .减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈,可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后,输出直流电压较未加C 时( ) A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + -

9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100,反馈系数为0.09,则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除( )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题(共16分) 1.(5分)单相直流稳压电源电路如图2所示, (1)指出它由哪几部分组成,并写出它们的名称; (2)当电路正常工作时,V O =? 2.(5分)某OCL 互补对称电路如图3所示,已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=, V V CC 18=,Ω=8L R 。 (1)计算电路的最大不失真输出功率max O P ; (2)计算电路的效率。 O v

光电子材料与器件题库

《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A)C n(B)C n v(C)C2h(D)C s 3. 随着温度的升高,光敏电阻的光谱特性曲线的变化规律为(B)。 (A)光谱响应的峰值将向长波方向移动 (B)光谱响应的峰值将向短波方向移动 (C)光生电流减弱 (D)光生电流增强 4. 利用某一CCD来读取图像信息时,图像积分后每个CCD像元积聚的信号在同一时刻先转移到遮光的并行读出CCD中,而后再转移输出。则该CCD的类型为(B ) (A)帧转移型CCD (B)线阵CCD (C)全帧转移型CCD (D)行间转移CCD 5. 对于白光LED器件,当LED基片发射蓝光时,其对应的荧光粉的发光颜色应该为(D) (A)绿光(B)紫光(C)红光(D)黄光 6. 在制造高效率太阳能电池所采取的技术和工艺中,下列不属于光学设计的为(C) (A)在电池表面铺上减反射膜; (B)表面制绒; (C)把金属电极镀到激光形成槽内; (D)增加电池的厚度以提高吸收 7. 电子在原子能级之间跃迁需满足光谱选择定则,下列有关跃迁允许的表述中,不正确的是(B ): (A)总角量子数之差为1 (B)主量子数必须相同 (C)总自旋量子数不变

(D)内量子数之差不大于2 8. 物质吸收一定波长的光达到激发态之后,又跃迁回基态或低能态,发射出的荧光波长小于激发光波长,称为(B)。 (A)斯托克斯荧光(B)反斯托克斯荧光(C)共振荧光(D)热助线荧光9. 根据H2+分子轨道理论,决定H原子能否形成分子的主要因素为H原子轨道的(A ) (A)交换积分(B)库仑积分(C)重叠积分(D)置换积分 10. 下列轨道中,属于分子轨道的是(C) (A)非键轨道(B)s轨道(C)反键轨道(D)p 轨道 11. N2的化学性质非常稳定,其原因是由于分子中存在(D ) (A)强σ 键(B)两个π键(C)离域的π键(D)N N≡三键12. 测试得到某分子的光谱处于远红外范围,则该光谱反映的是分子的(B )能级特性。 (A)振动(B)转动(C)电子运动(D)电声子耦合 13.下列的对称元素中,所对应的对称操作属于虚动作的是(C ) (A)C3 (B)E(C)σh(D)C6 14. 某晶体的特征对称元素为两个相互垂直的镜面,则其所处的晶系为(C)(A)四方晶系(B)立方晶系(C)正交晶系(D)单斜晶系 15. 砷化镓是III-V族化合物半导体,它的晶体结构是(D)。 (A)NaCl 结构(B)纤锌矿结构(C)钙钛矿结构(D)闪锌矿结构16. 原子轨道经杂化形成分子轨道时,会发生等性杂化或非等性杂化。下列物质中化学键属于不等性杂化的是(B)。 (A)CH4(B)H2O (C)石墨烯(D)金刚石 17. 关于金属的特性,特鲁德模型不能成功解释的是(A ) (A)比热(B)欧姆定律(C)电子的弛豫时间(D)电子的平均自由程18. 下列有关半导体与绝缘体在能带上的说法中,正确的是(B )。 (A)在绝缘体中,电子填满了所有的能带 (B)在0 K下,半导体中能带的填充情况与绝缘体是相同的 (C)半导体中禁带宽度比较大 (D)绝缘体的禁带宽度比较小 19. 在非本征半导体中,载流子(电子和空穴)的激发方式为(B)? (A)电(B)热(C)磁(D)掺杂 20.在P型半导体材料中,杂质能级被称之为(C)。 (A)施主能级(B)深陷阱能级(C)受主能级(D)浅陷阱能级

武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07

武汉科技大学 2005年硕士研究生入学考试试题 课程名称:电子技术总页数:共4页说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。 2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。 3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。 一、选择填空题:(共30分,每空2分) 1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于偏置,集电结应处于偏 置。 A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。 3、为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插 入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入。 A、共射电路; B、共集电路; C、共基电路; D、不定。 4、多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是,零点 漂移最大的一级是。 A、输出级; B、输入级; C、中间级; D、增益最高的一级。 5、电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路。 A、偏置; B、输入; C、有源负载; D、不定。 6、构成反馈通路的元器件是。 A、只能是电阻元件; B、只能是三极管、集成运放等有源器件; C、只能是无源器件; D、可以是无源元件,也可以是有源器件。 7、反馈放大电路的含义是。 A、输出与输入之间有信号通路; B、电路中存在反向传输的信号通路; C、除放大电路外还有信号通路;

D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路。 8、若希望负载变化时输出电压稳定,则应引入。 A、电流负反馈; B、电压负反馈; C、并联负反馈; D、串联负反馈。 9、当集成运放工作在线性区时,可运用和概念。 A、闭环; B、开环; C、虚短; D、虚断。 二、(10分)写出PN结的伏安特性方程,画出相应的伏安特性曲线,并 依此分析PN结的伏安特性有何特点。 三、(25分)放大电路如图1所示。已知图中R1=1kΩ,R2=300kΩ, R3=200Ω,R4=1.8kΩ,R5=2kΩ,C1=C2=10μF,C3=100μF,R6=2kΩ,V CC=12V,三极管Q1的V BE=0.7V,β=50,r bb’=200Ω,V T=26mV。 试求: (1)求静态工作点I B、I C及V CE; (2)画出微变等效电路; (3)计算放大电路的电压增益 ? ? ? = i o v V V A/,输入电阻R i和输出电阻 R o。 图1

2012年北京科技大学817模拟电子技术与数字电子技术基础考研试题

北 京 科 技 大 学 2012 年硕士学位研究生入学考试试题 ============================================================================================================= 试题编号: 817 试题名称: 模拟电子技术与数字电子技术基础 (共 7 页) 适用专业: 物理电子学 说明: 所有答案必须写在答题纸上,做在试题或草稿纸上无效。 ============================================================================================================= 一、(本题 6 分)电路如图 1,二极管为理想元件,其中 E = 2V ,试画出输出电 压 u O 波形,写出简要的分析过程。 图 1 第一题图 二、(本题 15 分)电路如图 2,已知 V CC , R b1, R b2, R e , R S 及晶体管的电流放大倍数 β 和动态电阻 r be 。试求: 1)画出电路的直流通路,并计算静态工作点:I B ,I E ,U CE 。 2)静态时(u i =0)C 1 和 C 2 上的电压各为多少?并说明极性。 3)画出电路的微变等效电路,并标明必要的参考方向。 4)计算电压放大倍数 A u ,输入电阻 r i 和输出电阻 r O 。 图 2 第二题图

um 三、(本题8 分) 假设某单管共射放大电路的对数幅频特性如图3。 1) 求出该放大电路的中频电压放大倍数A& ,下限频率f L 和上限频率 f H ; 2) 说明该放大电路的耦合方式; 3) 画出相应的对数相频特性。 图 3 第三题图 四、(本题12 分)分析图4 所示电路中的反馈。 1)判断电路中是否引入了反馈(指出哪些器件构成了该反馈)? 2)是直流反馈还是交流反馈?并使用瞬时极性法判断是正反馈还是负反馈(在图中标注判断过程)。 3)如果存在交流负反馈,请判断其组态。 4)估算在理想运放条件下整个电路的电压放大倍数A uf。 图 4 第四题图

南京邮电大学研究生光电子学理论与技术试卷

得分得分南京邮电大学 2014/2015学年第二学期 研究生课程《 光电子学理论与技术 》试 题 院(系) 班级 学号 姓名 装订线内不要答题 自觉遵守考试规则,诚信考试,绝不作弊 题号一二三四五六七八九十总分 得分 一、填空题(每空2分,共40分) 1.光的基本属性是光具有波粒二象性,光粒子性的典型现象 有光的 吸收、发射以及光电效应。 2.EDFA发展的目标主要有两个宽带化和大功率化。 3.PDFA是掺镨光纤放大器的缩写,它的工作波长范围为1281-1381um。 4. 光在各向同性介质中传播时,复极化率的实部表示色散与频率的关系,虚部表示物质吸收与频率的关系。 5.激光器的基本结构包括激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔。激光产生的充分条件是阈值条件和增益饱和效应,必要条件包括粒子数反转分布和减少振荡模式数。 6.PCM过程包括抽样、量化、编码。 7.声光互作用的两种类型为拉曼-纳斯衍射、布拉格衍射。 8.调制的类型有内调制、外调制。 9.光子与电子相比主要的优点有光子速度快、可传感多重信息。 二、证明与简述题(每题5分) 1、证明如果是频率为的寻常波和频率为2的非常波的相位匹配角,则有

证明:由相位匹配条件得: ,则对求导,可得: ,由此可得: 2、什么叫声光调制?分哪几种类型?其判据是什么?。 答:声波的应变场也能改变某些类型晶体地折射率,由于声波的周期性,会引起折射率的周期性变化,产生类似于光栅的光学结构,从而对入射的光波产生调制,这种调制称为声光调制。按照超声波频率的高低和光波相对声场的入射角度及两者相互作用的长度,将声光衍射分为拉曼一奈斯衍射和布拉格衍射两类。拉曼一奈斯衍射与布拉格衍射的判断依据用声光相互作用特征长度Lo来表示: 。拉曼一奈斯衍射 ,布拉格衍射 过渡区 。

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