光电子技术基础复习题

光电子技术基础复习题
光电子技术基础复习题

1、某单色光频率为3×1014Hz ,该单色光在水中(n=1.33)的速度和波长。 答:v=c/n=3*108/1.33=2.26*108m/s λ=v/f=2.26*108/3*1014 =0.75*10-6m

2、某星球的辐射出射度的峰值波长为400nm ,试估算该星球表明的温度。 答:由维恩位移律λmT=b 得 T=b/λm =2.898*10-3/400*10-9=7.245*103

k

3、简述光子简并和能级简并 答:光子简并:光子的运动状态简称为光子态。光子态是按光子所具有的不同能量(或动量数值),光子行进的方向以及偏振方向相互区分的。处于同一光子态的光子彼此之间是不可区分的,又因为光子是玻色子,在光子集合中,光子数按其运动状态的分布不受泡利不相容原理的限制。可以有多个光子处于同一种光子态上,这种现象称为简并。处于同一光子态的平均光子数目称为光场的简并度δ。δ=1/(e h υ

/kT -1) 4、什么是亚稳态能级。 答:若某一激发能级与较低能级之间没有或只有微弱的辐射跃迁,则该态的平均寿命会很长τs >>10-3s,称为亚稳态能级,相应的态为亚稳态。 5、设二能级系统,发生受激辐射时,对入射光场的要求是什么? 6、产生激光的重要机理是 答:受激辐射

9、从能级理论出发,解释Nd:YAG 激光器工作原理(p44-45) 10、解释增益饱和效应 答:当入射光强度足够弱时,增益系数与光强无关,是一个常量,而当入射光强增加到一定程度时,增益系数将随光强的增大而减小,这种增益系数随光强的增大而减小的现象称为增益饱和效应。 11、两种介质A 、B 的折射率分别为nA=1,nB=1.2,当光从B 传播到A 时,计算:1)发生全反射的零界角 2)布鲁斯特角 答:1.θc =arcsin (n 2/n 1)(n 1>n 2) =arcsin (1/1.2)=56.44° 2. tan θ=n 2/n 1 θ=arctan (n 2/n 1)

=arctan (1/1.2)=39.8° 12、人体辐射出射度的峰值波长为( ) 答:由维恩位移律λmT=b 得 λm =b/ T =2.898*10-3/(37+273)=9.35*10-6m 13、红宝石激光器利用(氙灯)作为泵浦源。 14、光纤长距离通信中传播信息光的波长为(1550nm),在接收端光电二极管所使用的材料是(InGaAs) 15、某阶跃光纤:n1=1.490, n2=1.480,则光纤的临界传播角为多少? 答: α=arcsin (n 2/n 1)=arcsin (1.48/1.49)=83.4° 16、某平板介质波导:2a=10μm, n1=1.480, n2=1.470,则该波导的截止波长为多少? 答:平板v=π/2(光纤v=2.405) V=(2πa/λc )2

221n

n -

λc =2πa 2

2

21n n -/ V=(10*π2247

.148.1-)/(π/2)=3.44μm 17、已知某平板介质波导:2a=80μm, n1=1.490, n2=1.470,入射光波长为λ=1μm ,在该波导中存在的模式数为 答:M=V 2/2=(π/2)2/2=1 18、解释材料色散产生的原因 答:材料色散:是由于折射率随波长变化的,而光源都具有一定的波谱宽度,因而产生传播时延差,引起脉冲展宽。 补充: 模式色散:在阶跃光纤中,入射角不同的光波在光纤内走过的路径长短不同,在临界角上传输的光路最长,沿光纤轴线传输的光路最短,由此引起时延差而产生模式色散。

波导色散:是由光纤的几何

结构决定的色散,它是由某一波导模式的传播常数β随光信号角频率w 变化而引起,也称为结构色散。 19、简述谐振腔的作用 答:使光只能沿着轴线方向往返运动(方向性) 筛选光频率,只能使满足干涉相干条件频率的光能在腔内往返运动(单色性) 增加光强度,实现光放大(高亮度) 20、半导体激光器实现光放大的物质条件是什么

答:PN 结附近或导带电子和价带空穴相对反转分布 21、激光产生的条件具体有那些 答:必要;粒子数反转分布和减少振荡模式数 充分;起振和稳定振荡

计算:1)入射光波长为1550nm ,Pin=0.05W ,Pout=0.002W ,估算光纤中信号能传输的最远距离。 2)光源为激光,λc=1550nm,光源脉宽Δλ=0.5nm ,假设信号传输1km ,计算由于材料色散造成的脉冲信号展宽σ。 3)只考虑材料色散,估算信号

在光纤中传播1km 的bit rate 的最大值。

答:1. α=10lg(p i /p o )/L L=10*lg (0.05/0.002)/0.36=38.8m

2. σ=Δλdn/cd λ=0.5*10-9/3*108=1.7*10-18s/m

3.B<=1/(4Δτ) Δτ=L|D m |Δλ 24、已知输入信号频率最大值为

1kHz ,输入信号峰值为3V ,脉冲编码调制采用4位编码 则:1)采样频率最小值为? 2)采用有舍有入的方式,量化单元为?由此产生误差的最大值为? 答: 25、KDP 晶体的纵向电光效应中,Δφ=?V π=? 答:Δφ=(2π/λ)n 03γ63v V π=λ/(2 n 03γ63)=πC/(wn 03γ63) 26、电光强度调制中如何解决信号失真问题?推导解决失真后的透射率表达式。

答:a.在调制晶体上加一个恒定的直流电压V=Vn/2,该直流电压使两束光产生相位延迟π/2; b .在光路中增加一片λ/4波片 27、调制:将欲传递的信息加载到激光

辐射上的过程。 28、脉冲编码调制是把模拟信号先变

成电脉冲序列,进而变成代表信号信息的二进制编码,再对光载波进行强度调制。 要实现脉冲编码调制,必须进行三个过程:抽样、量化和编码。 抽样:将连续的信号分割成不连续的脉冲波,且脉冲序列的幅度与信号波的幅度相对应。要求取样频率比传递信号频率的最大值大两倍

以上。

量化:把抽样后的脉冲幅度

调制波分级取整处理,用有限个数的代表值取代抽样值的大小。

编码:用量化的数字信号变

成相应的二进制代码的过程,用一组等幅度、等宽度的脉冲作为码元。 29、解释电光效应

答:某些晶体在外加电场作用下,折射率发生变化,当光波通过此介质时,其传播特性就会受到影响。 30、解释半波电压

答:光波在光晶体中传播时,当光波的两个垂直分量的光程差为半个波长时所需要加的电压,称为半波电压。

32、渡越时间对调制信号频率有什么影响?

Δфo 是当ωm τd <<1时的峰值相位延迟;γ称为高频相位延迟缩减因子,表征因渡越时间引起的峰值相位延迟的减小程度。只有当ωm τd <<1。即τd << T m / 2π时,

γ=1,即无缩减作用。说明光波在晶体内的渡越时间必须远小于调制信号的周期,才能使调制效果不受影响。

33、某电光晶体n=1.5,L=1cm ,ωm τd =π/2,则调制信号最高频率为? 答:f m =w m / 2π=1/4τd =c/4nL=3*108/(4*1.5*0.01)=5*109Hz

34、解释声光效应(p136-137) 答:当光在建立起超声场的介质中传播时,由于弹光效应,光介质中的超声波衍射或散射的现象。

补充:介质光学性质的变

化,不仅可以通过外加电场的作用而实现,外力的作用也能够造成折射率的改变,这种由于外力作用而引起介质光学性质变化的现象称为弹光效应。

36、声光调制器件由声光介质,电——声换能器,吸声装臵以及电源组成。

采用布喇格衍射。

35、声光效应中发生Bragg 衍射的条件是什么?Bragg 衍射的特点是? 答:条件:1)超声波频率足够高L=λs /λ

2)光线倾斜入射,当入射角θB 满足2λs sin θB =λ产生布喇格衍射

特点:1)衍射光只有0级,+1

或-1级,布喇格衍射效应制成的声光器件效率比较高。

2)两级衍射光夹角为2

θB

3)衍射效率

η=I 0/I i =sin 2[(π

L/2

λ)

s

P M H L 2)/(]=sin 2

[πL/

2λs I M 2]

37、调Q 的目的是压缩脉冲宽度,提高峰值功率。 38、解释激光器的Q 值?Q 值和激光器的损耗之间有什么关系?

答:Q 值是评定激光器中光学谐振腔质量好坏的指标—品质因数。

品质因子Q 与谐振腔的单

程总损耗的关系 Q=2πW/P=2π/λα总

39、叙述调Q 的过程?

答:过程1.在泵浦过程的大部分时间里(t-t 0)谐振腔处于低Q 值状态,故阈值很高不能起振,从而激光上能级的粒子数不断积累,直至t 0时刻,粒子数反转达到最大值Δni

过程2. t 0时刻Q 值突然升

高(损耗下降),振荡阈值随之降低,

于是激光振荡开始建立。由于此Δni>>Δnt (阈值粒子反转数),因此受激辐射增强非常迅速,激光介质存储的能量在极短时间内转变为受激辐射场的能量,结果产生了一个峰值功率很高的窄脉冲。

41、叙述声光调Q 的原理。

答:利用晶体的电光效应,在晶体上加一阶跃式电压,调节腔内光子的反射损耗。

40、叙述电光调Q 的原理。 答:电光调Q 是指在激光谐振腔内加臵一块偏振片和一块KDP 晶体。光经过偏振片后成为线偏振光,如果在KDP 晶体上外加λ/4电压,由于泡克尔斯效应,使 往返通过晶体的线偏振光的振动方向改变π/2。如果KD*P 晶体上未加电压,往返通过晶体的线偏振光的振动方向不变。所以当晶体上有电压时,光束不能在谐 振腔中通过,谐振腔处于低Q 状态。由于外界激励作用,上能级粒子数便迅速增加。当晶体上的电压突然除去时,光束可自由通过谐振腔,此时谐振腔处于高Q 值状 态,从而产生激光巨脉冲。电光调Q 的速率快,可以在10-8秒时间内完成一次开关作用,使激光的峰值功率达到千兆瓦量级。如果原来谐振腔内的激光已经是线 偏振光,在装臵电光调Q 措施时不必放臵偏振片。

42、什么是单模光纤?成为单模光纤的条件是什么?

答:只允许基模通过的光纤为单模光纤。

条件:V=(2πa/λc )2

221n

n -<2.405

光纤直径很小、λ>λc

43、试比较单模光纤和多模光纤的区别(阶跃光纤)

答:单模光纤的数值孔径比较大,单

模光纤只允许基模通过而多模光纤则允许若干个模式通过。单模芯径为8~10μm ,多模光纤的芯径为50~100μm.

44、光纤中存在哪几种损耗

答:吸收损耗:当光波通过任何透明物质时,都要使组成这种物质的分子中不同振动状态之间和电子的能级之间发生跃迁。这种能级跃迁时, 物质吸收入射光波的能量引起的光的损耗。

散射损耗:由于光纤制作工艺上

的不完善,例如有微气泡、杂质和折射率不均匀以及有内应力等,光能在这些地方会发生散射,使光纤损耗增大。

弯曲损耗:光纤弯曲是引起光纤

损耗的另一个重要的原因。光纤是柔软的,可以弯曲。弯曲的光纤虽然可以导光,但是会使光的传播路径改变,使得光能渗透过包层向外泄漏而损失掉。

45、解释瑞利散射

答:物质散射中最重要的是本征散射,也成为瑞利散射。本征散射是由玻璃熔制过程中造成的密度不均匀而产生的折射率不均匀引起的散射。瑞利散射与波长的四次方成反比。瑞利散射引起的损耗:

αRs =(A/λ4)(1+B Δ)

46、光纤通信中常用的波段的波长是多少?为什么使用该波长? 答:光在Sio 2中传输

850nm (损耗比较小)、1300nm (色散最小)、1550nm (损耗最小)

48、光纤的基本结构是什么?每部分的作用是什么?

答:基本结构:护套、涂敷层、包层和纤芯

纤芯和包层:形成对光信号的传导和约束,实现光的传输

涂敷层:用于增强光纤的柔韧性、机械强度和耐老化特性

护套:用于增强光纤的机械强度,保护光纤

49、光与物质的相互作用有哪几种答:自发辐射、受激辐射、受激吸收51、激光器的基本结构及每部分作用答:基本结构:激光工作物质、泵浦源和光学谐振腔;

激光工作物质:提供形成激光的能级结构体系,是激光产生的内因

泵浦源:提供形成激光的能量激励,是激光产生的外因

光学谐振腔:为激光器提供

反馈放大机

构,使受激发

射的强度、方

向性和单色

性进一步提

52、半导体激光器与发光二极管在结构和发光机制上的区别是什么?

答:相同点:都有PN结组成、都属于电源激发

不同点:发光二极管掺杂浓度

低、激光器掺杂浓度高,

在半导体激光器中存

在双简并能级,

激光器一定

要实现粒子

数反转,激

光器强度高

方向性好53、为什么二能级系统不能产生激光答:当外界激励能量作用于二能级体系物质时,首先建立起自发辐射,在体系中有了初始光辐射。之后,一方面物质吸收光,使N1减小和N2增加。另一方面由于物质中同时存在着辐

射过程,使N2减小和N1增加。两种过程同时存在,最终到达N1=N2状态,光吸收和受激发射相等,二能级系统不再吸收光,达到所谓的自受激透射状态,这种状态下N2不再继续增加;即便采用强光照射,共振吸收和受激发射以相同的概率发生,也不能实现粒子数反转。这意味着二能级系统即使有入射光等激励也不能实现粒子

反转分布,因而不能充当激光工作物质。

54、分析四能级与三能级激光器相

比所具有的优点

三能级模型与四能级模型相比,在实现集居数分布反转上,要比四能级困难。

55、光电子技术的含义及其特点

光电子技术是研究从红外波、可见光、紫外光、

X射线至γ射线波段范围内的光波电子技术,是研

究运用光子和电子的特性,通过一定的媒介实现信

息与能量转换、传递、处理及应用的科学。它是以

光电子学为理论基础,以光电子元器件为主体、综

合利用光学、电学、机械学、计算机和材料技术,

以实现具有一定功能、实用的仪器、设备系统。

光电子技术的特点;频谱宽、信息容量大、传输速度快、抗电磁干扰能力强

用三能级模型说明如何实现粒子分

布反转状态?为什么说三能级系统

实现能态集居数分布反转要比四能

级系统困难?E1是基态,E2是具有较长寿命的能级,称为亚稳

态,E3是由大量能级组成的能带。在热平衡状态

下,处在基态E1上的集居数N1比处在亚稳态E2上的集

居数N2大得多,即N1≥N2,(实际

上N2约为0)。当

氙灯激励红宝石棒时,大量基态离子

受激吸收跃迁

到达能带E3内,因而E1上的粒子数

N1减少,但Cr3+离

子在E3上的寿命很短,它们很快通

过非辐射驰豫过

程(用S表示)跃迁到寿命较长的亚

稳态E2上,其上

就积累了大量的粒子,即N2不断增

多,并在此寿命

时间内暂时使N2偏离热平衡的波耳

兹曼分布,此过

程称为氙灯的抽运(泵浦)过程。只

有当氙灯的光

强强到一定程度时,有可能暂时N2

>N1 ,即达到

集居数反转状态,这样,E2上粒子

跃迁回到E1时,

便产生受激辐射,从而产生激光。

四能级产生激光的能级是激发态E3

和E2能级,在泵浦的作用使大量基

态E1的Nd3+离子受激吸收跃迁到达

能带E4内,但Nd3+离子在E4上寿

命极短,很快通过非辐射驰豫过程

(用曲线箭头S43表示)跃迁到寿命

较长的亚稳态E3上。而能级E2的寿

命又很短,进入该能态的粒子又很快

非辐射跃迁(又S21表示)到基态,

所以N2约为0,这样N3≥N2,在能

态E3和能态E2间实现了集居数分布

反转。三能级模型与四能级模型相

比,在实现集居数分布反转上,要比

四能级困难。

4)何为增益饱和效应?

当某一频率为的光束通过激活介

质时,光通量

获得放大,即光强越强,意味着单位

时间内从亚稳态

向下跃迁的粒子数就越多,从而导致

反转程度减弱,

从而使增益系数变小

自发辐射与受激辐射的根本差别?

自发辐射跃迁与受激辐射跃迁过程

是两个不同的物理过程,它们所产生

的辐射性质也不同,对于自发辐射来

说,它是原子在不受外界辐射场的影

响下产生的,而单个原子的自发辐射

的相位是随机的,因此大量的自发辐

射是不相干的。而与自发辐射不同的

是,受激辐射是在外界辐射场的作用

下产生的,受激辐射光子与激励光子

具有相同的频率、相位、波矢和偏振

状态,也就是说受激辐射光子与入射

光子属于同一态的光子,因此受激辐

射是相干的。

三能级系统所需的阈值能量要比四

能级系统所需的

大得多?四能级系统的激光下能级

在基态之上,n2=0 ,只须将个粒

子激发到能级E3上就能使增益克服

腔的损耗而产生激光;而在三能级系

统中,激光的下能级是基态,因此至

少须将个粒子激发到能级

E2上才能使增益克服腔的损耗而产

生激光,而, 所以三能级系统

的阈值能量或阈值功率要比四能级

系统大得多。

光学谐振腔有稳定腔和非稳腔之分,

非稳腔是不是

指工作状态不稳定的腔?为什么?

所谓腔的稳定性,只是指傍轴光线能

否在腔内往返无限次而不致于横向

逸出,也就是腔内傍轴光束损耗的高

低的问题。稳定腔是指腔的几何损耗

低,因而对增益不太高的工作物质来

说,用这种几何损耗低就比较容易起

振。但对损耗高的非稳腔来说,如果

工作物质的增益比较高,同样可以起

振,并且达到稳定工作。

利用偏振器如何使两束线偏振光分

散的角度增大?

1)把具有双折射的晶体或棱镜组合

使用,从而增大两束偏振光分开的角

度,以便获得两束线偏振光。2)利

用两束线偏振光折射的差别,使其中

的一束由偏振器反射掉,另一束发生

折射,从而获得一束线偏振光。

光电导效应、光伏效应定义?

光电导效应当半导体材料被光照时,

由于对光子的吸收随载流子

的浓度增大而增大,因而导致电导率

增大。

光伏效应(光生伏特效应)光照零偏

pn结产生开路电压的效应

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

电子技术基础复习题-直流稳压电源

《电子技术基础》复习题 直流稳压电源 一、单项选择题: 1.在单相半波整流电路中,所用整流二极管的数量是()。 (a) 四只(b) 二只 (c) 一只 2.在整流电路中,二极管之所以能整流,是因为它具有()。 (a) 电流放大特性(b) 单向导电的特性(c) 反向击穿的性能 3.在整流电路中,设整流电流平均值为I ,则流过每只 二极管的电流平均值I I D0 的电路是()。(a) 单相桥式整流电路 (b) 单相半波整流电路(c) 单相全波整流电路 4.整流电路如图所示,设变压器副边电压有效值为 U 2,输出电流平均值为I O 。二极管承受最高反向电 压为2 2 U,通过二极管的电流平均值为I O且能正常工作的整流电路是下图中()。

~ ~ ~ u O u O u O i O D 1D 2 () b () a - - - 5.整 流 电 路 如 图 所 示, 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 为U 2, 二 极 管D 所 承 受 的 最 高 反 向 电 压 是 ( )。 (a) U 2 (b) 22U (c) 222U ~ u O - 6.整 流 电 路 中, 整 流 电 压u O 的 平 均 值 为U 2(U 2 为 变 压 器 副 边 电 压u 2 的 有 效 值), 符 合 该 值 的 整 流 电 路 是 下 图 中( )。

~ ~ ~ ? u O u O D 1 () a (c) + - +- D 2 7.整 流 电 路 如 图 所 示, 变 压 器 副 边 电 压 有 效 值 U 2 为10 V , 则 输 出 电 压 的 平 均 值 U O 是 ( )。 (a) 9 V (b) V (c) V ~ u O + - 8.设 整 流 变 压 器 副 边 电 压u U t 222=sin ω,欲 使 负 载 上 得 到 图 示 整 流 电 压 的 波 形, 则 需 要 采 用 的 整 流 电 路 是( )。 (a) 单 相 桥 式 整 流 电 路 (b) 单 相 全 波 整 流 电 路 (c) 单 相 半 波 整 流 电 路

光电子技术复习总结

光电子技术复习题总结( 第一章:光的基础知识及发光源 1.光的基本属性? 光具有波动和粒子的双重性质,即具有波粒二象性。 2.激光的特性? (1)方向性好(2)单色性好(3)亮度高(4)相干性好 3.玻尔假说:定态假设和跃迁假设? (1)定态假设;原子存在某些定态,在这些定态中不发出也不吸收电磁辐射能。原子定态的能量只能采取某些分立的值E1、 E2 、……、En ,而不能采取其它值。 (2)跃迁假设;只有当原子从较高能量En的定态跃迁到较低能量Em的定态时,才能发射一个能量为h 4.光与物质的共振相互作用的三种过程? 受激吸收、自发辐射、受激辐射 5.亚稳态? 自发辐射的过程较慢时,粒子在E2能级上的寿命就长,原子处在这种状态就比较稳定。寿命特别长的激发态称为亚稳态。其寿命可达10-3~1s,而一般激发态寿命仅有10-8s。 6.受激辐射的光子性质? 受激辐射的光子的频率、振动方向、相位都与外来光子一致。 7.受激吸收和受激辐射这两个过程的关系?宏观表现? 两能级间受激吸收和受激辐射这两个相反的过程总是同时存在,相互竞争,其宏观效果是二者之差。当吸收过程比受激辐射过程强时,宏观看来光强逐渐减弱;反之,当吸收过程比受激辐射过程弱时,宏观看来光强逐渐加强。 8.受激辐射与自发辐射的区别? 最重要的区别在于光辐射的相干性,由自发辐射所发射的光子的频率、相位、振动方向都有一定的任意性,而受激辐射所发出的光子在频率、相位、振动方向上与激发的光子高度一致,即有高度的简并性。 9.光谱线加宽现象? 由于各种因素影响,自发辐射所释放的光谱并非单色,而是占据一定的频率宽度,分布在中心频率v0附近一个有限的频率范围内,自发辐射的这种现象称为光谱线加宽。 10.谱线加宽的原因? 由于能级有一定的宽度,所以当原子在能级之间自发发射时,它的频率也有一个变化范围△vn. 11.谱线加宽的物理机制分为哪两大类?它们的区别? 分为均匀加宽和非均匀加宽两大类。 均匀加宽:引起加宽的物理因素对每个原子都是等同的。发光粒子的光谱因物理因素加宽后中心频率不变,由它们迭加成的光源光谱形状与发光粒子相同。 非均匀加宽:引起谱线加宽的物理因素对介质中的每个发光原子不一定相同,每个发光原子所发的光只对谱线内某些确定的频率。发光粒子的光谱因物理因素使得中心频率发生变化,由它们迭加成的光源光谱形状与发光粒子不同。12.谱线加宽对原子与准单色光辐射场相互作用的影响?

光电学复习思考题

光电子学复习思考题(物理学2016硕) 第一章: 1. 什么是光电子学? 2. 光电效应 3. 谈谈你所了解的光电子学与光电子技术涉及的范围 4. 为什么说光波是电磁波? 5. 你对世界上最伟大的十个公式中麦克斯韦方程组排在第一的理解 6. 谈谈你对麦克斯韦方程组的物理意义认识 第二章: 1. 谈谈你对激光器的发明带来了世界巨大进步的认识 2. 受激辐射 3. 激光理论的基础 4. 请解释粒子数反转和负温度的概念以及在激光起重器的作用 5. 受激辐射与自发辐射的区别 6. 激光单色性好原因? 7. 什么是粒子数反转? 8. 介质实现能级间粒子数反转条件 9. 为什么四能级比三能级更易实现粒子数反转? 10. 产生激光的必要、充分条件分别是什么? 11. 已知氢原子第一激发态能量为E2= -3.40eV,基态能量E1= -13.60eV, 请说明为什么可见室温下处于热平衡状态氢原子几乎处于基态? 12. 半导体器件的发光机理? 13. 谈谈新型激光器——量子级联激光器(QCLs)的工作原理 14. 实现光放大的必要条件是什么,负温度状态的概念是什么? 15. 请简述激光产生的物理过程 16. 简述经典理论和量子理论对光的相干性是如何描述的,两者的结论是否一 致? 17. 激光的四个特性中,空间相干性与相什么联系,时间相干性与什

么特性相联系? 第三章: 1. 平板波导内光的传播特性为什么要用波动理论讨论? 2. 平板波导有哪几种的模式?请简述几种模式的特点。 3. 平板波导内传播特性谈谈你理解的集成光学的概念 4. 矩形波导,为什么要研究矩形波导? 5. 渐变型光纤 6. 材料 n 随自由载流子浓度 ↑ 而 ↓ 原因? 7. 为什么弱导光纤是实用光纤? 8. 子午线 9. 导模 10. 时延差 11. 脉冲展宽 12. 辐射模 13. 简述导波模成立条件 14. 为什么多模光纤,射线方法与实际近似? 15. 为什么光纤的曲率半径R 小到一定程度(弯曲严重),原直部产生全反射 子午光线,到弯部从弯曲部分逸出,甚至发生子午光线只在外表面反射现象? 16. 讨论导波成立的条件与导波截止条件,给出相应的依据 17. 光纤的色散包括哪几部分?单模光纤和多模光纤分别以哪几种色散为 主? 18. 费玛原理 19. 导膜截止 20. 用射线分析方法讨论阶跃光纤中导波成立条件1020n k n k <<β所代表的意 义。 21. 阶跃型光纤主要弱点是什么?产生的原因是什么?用什么办法克服? 22. 为什么要采用复杂的电磁波模式理论研究光纤? 23. 形成波导,在半导体材料中要形成怎样的折射率分布?改变半导体折射率 分布有哪几种方法?

电子技术基础期末考试考试题及答案

电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门: xxx 时间: xxx 整理范文,仅供参考,可下载自行编辑

触发器,输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下, A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则的是<) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<) A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<) A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为<) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为<) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为<) A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分)<对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴< ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降< ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开<) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<)

注:将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里, 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.<10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: <1)R开路;<2)RL开路;<3)稳压二极管V接反; <4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.<16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: <1)列出状态表,状态转换图; <2)说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q2Q1Q0=000

电子技术基础复习题及答案..

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14.N 个变量的逻辑函数应该有最小项( ) A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15.函数F=B A +AB 转换成或非-或非式为( ) A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 =( ) A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17.多谐振荡器有( ) A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态,一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N 型半导体的电子浓度______空穴浓度,P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 ( ) A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路,其接法是( )

光电子技术基础考试题及答案

光电子技术基础考试题及答案 一、选择题 1.光通量的单位是( B ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 2. 辐射通量φe的单位是( B ) A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd) 3.发光强度的单位是( A ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 4.光照度的单位是( D ). A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯 5.激光器的构成一般由( A )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光子 6. 硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是(D) A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置 7.2009年10月6日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( A ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好

8.下列哪个不属于激光调制器的是( D ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 9.电光晶体的非线性电光效应主要与( C )有关 A.内加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 10.激光调制按其调制的性质有( C ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光伏调制 11.不属于光电探测器的是( D ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 https://www.360docs.net/doc/2e15995233.html,D 摄像器件的信息是靠( B )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 13.LCD显示器,可以分为( ABCD ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 14.掺杂型探测器是由( D )之间的电子-空穴对符合产生的,激励过程是使半导体中的载 流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。 A.禁带 B.分子 C.粒子 D.能带 15.激光具有的优点为相干性好、亮度高及( B ) A色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 16.红外辐射的波长为( D ). A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm 17.可见光的波长范围为( C ).

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

光电子技术基础复习题

1、某单色光频率为3×1014Hz,该单色光在水中(n=1.33)的速度和波长。答:v=c/n=3*108/1.33=2.26*108m/s λ=v/f=2.26*108/3*1014 =0.75*10-6m 2、某星球的辐射出射度的峰值波长为400nm,试估算该星球表明的温度。 答:由维恩位移律λmT=b 得T=b/λm=2.898*10-3/400*10-9=7.245*103k 3、简述光子简并和能级简并 答:光子简并:光子的运动状态简称为光子态。光子态是按光子所具有的不同能量(或动量数值),光子行进的方向以及偏振方向相互区分的。处于同一光子态的光子彼此之间是不可区分的,又因为光子是玻色子,在光子集合中,光子数按其运动状态的分布不受泡利不相容原理的限制。可以有多个光子处于同一种光子态上,这种现象称为简并。处于同一光子态的平均光子数目称为光场的简并度δ。δ=1/(e hυ/kT-1) 4、什么是亚稳态能级。 答:若某一激发能级与较低能级之间没有或只有微弱的辐射跃迁,则该态的平均寿命会很长τs>>10-3s,称为亚稳态能级,相应的态为亚稳态。 5、设二能级系统,发生受激辐射时,对入射光场的要求是什么? 6、产生激光的重要机理是 答:受激辐射 7、爱因斯坦关系是 8、以二能级为例推导粒子数反转的条件是什么? 答:能级上的粒子数分布满足条件N2/g2>N1/g1 反转分布图 对物质的要求:在物质能级中存在亚稳态能级 对外界的考验:需要有泵浦源 9、从能级理论出发,解释Nd:YAG激光器工作原理(p44-45) 10、解释增益饱和效应 答:当入射光强度足够弱时,增益系数与光强无关,是一个常量,而当入射光强增加到一定程度时,增益系数将随光强的增大而减小,这种增益系数随光强的增大而减小的现象称为增益饱和效应。 11、两种介质A、B的折射率分别为nA=1,nB=1.2,当光从B传播到A时,计算:1)发生全反射的零界角

光电子技术复习题,考试用的

一.单项选择题 1. 光电转换定律中的光电流与 A 温度成正比 B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成 正比 2. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是 A 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短 B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短 C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长 D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短 3.光束调制中,下面属于外调制的是 A 声光调制 B 电光波导调制 C 半导体光源调制 D 电光强度 调制 4.红外辐射的波长为[ ] A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770- 1000 nm 5.激光具有的优点为相干性好、亮度高及[ ] A 多色性好 B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱 6.能发生光电导效应的半导体是 A. 本征型和激子型 B. 本征型和晶格型 C. 本征型和杂质型 D. 本征型和自由载流子型 7.光敏电阻的光电特性由光电转换因子描述,在强辐射作用下 A. =0.5 B. =1 C. =1.5 D. =2 8.电荷耦合器件分 [ ] A 线阵CCD和面阵CCD B 线阵CCD和点阵CCD C 面阵CCD和体阵CC D D 体阵CCD和点阵CCD 9. 光通亮φ的单位是[ ] A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C流明 (lm) D坎德拉(cd) 10.硅光二极管主要适用于[ ] A紫外光及红外光谱区 B可见光及紫外光谱区 C可见光区 D 可见光及红外光谱区 13.光视效能K为最大值时的波长是 A.555nm B.666nm C.777nm D.888nm 14.可见光的波长范围为[ ] A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm 15.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和[ ]

电子技术基础复习题与答案

中南大学网络教育课程考试(专科)复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( )

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷 一、填空题(20分) 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。 10、负反馈放大电路有四种类型:___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。 二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分) 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2

3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态,T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题(1题12分,2题13分,3题15分,共40分) 1、设计一反相加法器,使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4),允许使用的最大电阻为280kΩ,求各支路电阻。

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

光电子技术期末考试试卷及其知识点大汇总(可编辑修改word版)

一、选择题(20 分,2 分/题) 1、光电子技术在当今信息时代的应用主要有(abcd ) A.信息通信 B.宇宙探测 C.军事国防 D.灾害救援 2、激光器的构成一般由(a )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN 结材料 D. 电子、载流子和光子 3、光波在大气中传播时,引起的能量衰减与(abcd )有关 A.分子及气溶胶的吸收和散射 B.空气折射率不均匀 C.光波与气体分子相互作用 D.空气中分子组成和含量 4、2009 年10 月6 日授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要是由于( a ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相干性好 5、激光调制器主要有(abc ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 6、电光晶体的非线性电光效应主要与(ac )有关 A.外加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变

化量 7、激光调制按其调制的性质有(cd ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光强调制 8、光电探测器有(abc ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元 件 9、CCD 摄像器件的信息是靠( b )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 10、LCD 显示器,可以分为(abcd ) A. TN 型 B. STN 型 C. TFT 型 D. DSTN 型 二、判断题(20 分,2 分/题,对用“√”、错用“×”标记) 11、世界上第一台激光器是固体激光器。 ( T ) 12、在辐射度学中,辐射能量Q 是基本的能量单位,用J(焦耳)来度量。 ( T ) 13、在声光晶体中,超声场作用像一个光学的“相位光栅”,其光栅常数等于光 波 波 长

最新光电子技术(安毓英)习题课后答案

第一章 1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解:因为 , 且 ()??? ? ??+- =-=== Ω?22000212cos 12sin c R R l l d d r dS d c πθπ?θθ 所以??? ? ??+-=Ω=Φ2 20012c e e e R l l I d I π 2. 如图所示,设小面源的面积为?A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为?A c ,到面源?A s 的距离为l 0。若θc 为辐射在被照面?A c 的入射角,试计算小面源在?A c 上产生的辐射照度。 解:亮度定义: 强度定义:Ω Φ= d d I e e 可得辐射通量:Ω?=Φd A L d s s e e θcos 在给定方向上立体角为:2 cos l A d c c θ?= Ω 则在小面源在?A c 上辐射照度为:2 0cos cos l A L dA d E c s s e e e θθ?=Φ= ΩΦd d e e I = r r e e A dI L θ?cos =

3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。 答:由θcos dA d d L e ΩΦ = 得θcos dA d L d e Ω=Φ,且() 2 2cos r l A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d r l rdr l L E πθπ =+=? ?∞ 20 0222 2 4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? 不是热辐射。霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的 真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受到激发。当它由激发状态回复到正常状态会发光,这一过程称为电致发光过程。 6. 从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长λm 随温度T 的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导出 。 答:这一关系式称为维恩位移定律,其中常数为2.898′10-3m ·K 。 普朗克热辐射公式求一阶导数,令其等于0,即可求的。 7.黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射度M 。试有普朗克的辐射公式导出M 与温度T 的四次方成正比,即 常数=T m λ

光电子技术基础复习

选择题 1、光电子技术在当今信息时代的应用主要有( abcd ) A.信息通信 B.宇宙探测 C.军事国防 D.灾害救援 2、激光器的构成一般由( a )组成 A.激励能源、谐振腔和工作物质 B.固体激光器、液体激光器和气 体激光器 C.半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 D. 电子、载流子和光 子 3、光波在大气中传播时,引起的能量衰减与( abcd )有关 A.分子及气溶胶的吸收和散射 B.空气折射率不均匀 C.光波与气体分子相互作用 D.空气中分子组成和含量 4、2009年授予华人高锟诺贝尔物理学奖,提到光纤以SiO2为材料的主要 是由于( a ) A.传输损耗低 B.可实现任何光传输 C.不出现瑞利散射 D.空间相 干性好 5、激光调制器主要有( abc ) A.电光调制器 B.声光调制器 C.磁光调制器 D.压光调制器 6、电光晶体的非线性电光效应主要与( ac )有关 A.外加电场 B.激光波长 C.晶体性质 D.晶体折射率变化量 7、激光调制按其调制的性质有( cd ) A.连续调制 B.脉冲调制 C.相位调制 D.光强调制 8、光电探测器有( abc ) A.光电导探测器 B.光伏探测器 C.光磁电探测器 D.热电探测元件 9、CCD 摄像器件的信息是靠( b )存储 A.载流子 B.电荷 C.电子 D.声子 10、LCD显示器,可以分为( abcd ) A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型 11、可见光的波长范围为(C ) A. 200—300nm B. 300—380nm C. 380—780nm D. 780—1500nm

《光电子技术》期末考试试卷(A卷)答案

西南科技大学2009——2010学年第1学期《光电子技术》期末考试试卷(A卷)

西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A卷) 31、答: 光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小,直接影响内部电子状态改变的大小。光子能量是νh,h是普朗克常数, ν是光波频率,所以,光子效应就对光波频率表现出选择性,在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。5分 光热效应和光子效应完全不同。探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。所以,光热效应与单光子能量νh的大小没有直接关系。原则上,光热效应对光波频率没有选择性。只是在红外波段上,材料吸收率高,光热效应也就更强烈,所以广泛用于对红外线辐射的探测。因为温度升高是热积累的作用,所以光热效应的响应速度一般比较慢,而且容易受环境温度变化的影响。5分32、答: 转移效率:电荷包在进行每一次转移中的效率;2分

不均匀度:包括光敏元件的不均匀与CCD的不均匀;2分暗电流:CCD在无光注入和无电注入情况下输出的电流信号;1分灵敏度:是指在一定光谱范围内,单位暴光量的输出信号电压(电流);1分光谱响应:是指能量相对光谱响应,最大响应值归一化为100%,所对应的波长峰值波长,低于10%的响应点对应的波长称为截止波长;1分噪声:可以归纳为散粒噪声、转移噪声和热噪声;1分 参考答案及评分细则 西南科技大学2009——2010学年第1学期 《光电子技术》期末考试试卷(A卷) 分辨率:是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力;1分动态范围和线性度:动态范围=光敏元件满阱信号/等效噪声信号,线性度是指在动态范围内,输出信号与暴光量的关系是否成直线关系。1分33、答: 等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质,它是除去固、液、气态外,物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体,利用经过巧妙设计的电场和磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。4分等离子体显示搬是利用气体放电产生发光现象的平板显示的统称。1分等离子体显示技术(Plasma Display)的基本原理:显示屏上排列有上千个密封的小低压气体室(一般都是氙气和氖气的混合物),电流激发气体,使其发出肉眼看不见的紫外光,这种紫外光碰击后面玻璃上的红、绿、蓝三色荧光体,它们再发出我们在显示器上所看到的可见光。5分

中职 电子技术基础考试题

电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间:90分钟 满分:100分 一、 选择题 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 ( ) (A )饱和失真 (B ) 截止失真 (C ) 频率失真 5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( ) (A )增加 (B )减少 (C )不变 6.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 7.晶体三极管工作在饱和状态时,满足( ) A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8.稳压二极管正常工作时应工作在( )区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益i o F X X A 为( )。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10.图示电路中,AB 之间电压V 对应的方程式为( )。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题: 1.N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2.PN 结具有_________特性。 3.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。 4.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5.理想运放的输出电阻是________,输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V ,则整流后的输出电压平均值等于______。 X o

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