元器件材料清单
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元器件材料清单
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微电子器件_刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ====υω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点 来看，半导体和绝缘体都存在着禁 带，绝缘体因其禁带宽度较大 (6~7eV)，室温下本征激发的载流子 近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
各种常用电子元件符号及其名称【全】
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D
肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS
电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT
光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形
控制柜电气元器件布局总结20141105
控制柜元器件布局设计总结 2014 年11月5日主题控制柜电气元器件如何合理布局 目的：1、方便车间配线、美观工艺等； 2、方便客户现场操作、检修、更换器件等； 内容： 一、各元器件排布原则（以下的空间均为安装时上下线槽的间距） 1、小端子台（10A-30A）空间100-120mm，最小空间100mm 最后一排端子台需要离底部150mm以上，最小100mm，或改用斜撑支架安装，以防现场接线不便 2、中间继电器（2P、4P）空间120-140mm，最小空间110mm 3、小型断路器空间140-160mm，最小120mm；40A-63A一般需要空间160mm 4、士林、三菱、S7-200等小型PLC 空间160-180mm 5、S7-300、400等PLC 空间 180-200mm 6、接触器（40A以下）空间140-160mm；接触器（40-95A）空间180-200mm 接触器摆放时需要距离PLC间距50mm以上，以防接触器动作时对PLC产生干扰 7、有一排接触器其中有个别带热继的，可以选择热继独立安装底座把热继放在接触器同一排以节省空间，或者把热继放在下一排 8、塑壳断路器上下端分别距离上下线槽间距60-80mm，用到16mm2以上的电线需要预留空间80mm 9、开关电源在空间允许的情况下水平放置为佳，方便接线及散热 二、箱柜设计原则 1、小箱子的安装板最大宽度，箱体两边各扣除35mm 2、仿威图柜的安装板最大宽度，柜体两边各扣除54-60mm 3、焊接柜的安装板最大宽度，柜体两边各扣除60mm 4、线槽一般不贴边安装，距离安装板边缘5mm为宜，以免线槽深度大，安装板不能进箱 三、箱柜散热、风扇位置设计原则 1、普通小箱子用12038的风扇居多 2、普通立柜用17250的风扇居多 3、散热量大的机柜需要安装顶部轴流风扇抽风 4、关于金属网和防尘罩的选用原则为：金属网+过滤棉更利于散热，防尘罩更美观，需根据现
关键元器件和原材料的控制程序
关键元器件和原材料的控制程序 1.目的 通过对本公司来料、过程和成品中的关键元器件和材料进行检验与验证,及时发现不合格品，防止不合格关键元器件和材料入库、发生及流出。 2.范围 适用于本公司来料、过程及成品中的关键元器件和材料的检验或验证。 3.职责与权限 3.1生产部员工负责在生产过程中的自检和互检。 3.2品质部负责对来料、过程及成品进行检验。 3.3技术部负责制定《关键元器件和材料清单》，根据国家相关规定有CCD光电转换主板、电源及电源线、电荷耦合器件以及外壳材料等关键元器件和材料。 4.定义 关键元器件和材料: 是指对产品的安全、环保、EMC和主要性能有较大影响 的元器件和材料。有时可能不仅限于认证实施规则中的 “关键零部件清单”。 5.工作程序 5.1 建立并保持关键件合格供应商名录。关键件应从经批准的合格供应商处购买，并保存关键件进货单，出入库单、台帐 5.1.1 对供应商提供的关键件的检验或验证进行控制，确保与采购控制要求一致，应保存相关的检验或验证记录。 5.1.2 选择合适的控制质量的方式，以确保入厂的关键件的质量特性持续满足认证要求，并保存相关的实施记录。合适的控制质量的方式可包括： a)获得强制性产品认证证书/可为整机强制性认证承认认证结果的自愿性认证证书，工厂应确保进货时证书的有效性。 b)每批进货检验，其检验项目和要求不得低于认证机构的规定。检验应由工厂实验室或工厂委托认可机构认可的外部实验室进行。 c)按照认证机构的要求进行关键件定期确认检验。 5.1.3 供应商或客户交货时,仓管员按送货单或订购单查验物料是否为关键元器件和材料,并查验物料的品名、规格、型号、数量等。初收无误后,把原物料整
电子元器件基础知识
时需Sr彳 电子元器件基础知识一一继电器 一、继电器的工作原理和特性 继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输岀回路），通常应 用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种自动开关”。故在电路中起着自动 调节、安全保护、转换电路等作用。 i、电磁继电器的工作原理和特性 电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流，从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯，从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后，电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置，使动触点与原来的静触点（常闭触点）吸合。这样吸合、释放，从而达到了在电路中的导通、切断的目的。对于继电器的常开、常闭”触点，可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为常开触点”；处于接通状态的静触点称为常闭触点”。 2、热敏干簧继电器的工作原理和特性 热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成。热敏干簧继电器不用线圈励磁，而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作。恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。 3、固态继电器（SSR ）的工作原理和特性 固态继电器是一种两个接线端为输入端，另两个接线端为输岀端的四端器件，中间采用隔离器件实现输入 输岀的电隔离。 固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分 为混合型、变压器隔离型和光电隔离型，以光电隔离型为最多。 二、继电器主要产品技术参数 1、额定工作电压 是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同，可以是交流电压，也可以是直流 电压。 2、直流电阻 是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万能表测量。 3、吸合电流 是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继 电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的 1.5倍，否则会产生较 大的电流而把线圈烧毁。 4、释放电流 是指继电器产生释放动作的最大电流。当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时，继电器就会恢复到 未通电的释放状态。这时的电流远远小于吸合电流。 5、触点切换电压和电流 是指继电器允许加载的电压和电流。它决定了继电器能控制电压和电流的大小，使用时不能超过此值， 否则很容易损坏继电器的触点。 三、继电器测试 1、测触点电阻 用万能表的电阻档，测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0 ;而常开触点与动点的阻值就为无穷大。 由此可以区别岀那个是常闭触点，那个是常开触点。
电子基础材料和关键元器件十二五规划
子规划1： 电子基础材料和关键元器件“十二五”规划
目录 前言 (1) 一、“十一五”产业发展回顾 (1) （一）产业规模稳步增长 (1) （二）企业实力进一步增强 (2) （三）生产技术水平持续提升 (3) （四）清洁生产稳步推进，循环经济初步发展 (4) （五）产业发展仍存在突出问题 (4) 二、“十二五”期间产业发展面临的形势 (5) （一）产业面临良好发展机遇 (5) （二）技术创新孕育新的突破 (5) （三）外部环境变化对产业的挑战日趋严峻 (6) （四）产业面临转型升级的迫切需要 (6) 三、产业发展的指导思想和目标 (7) （一）指导思想 (7) （二）发展目标 (7) 1、经济指标 (7) 2、结构指标 (7) 3、创新指标 (8) 4、节能环保指标 (8) 四、主要任务和发展重点 (8) （一）主要任务 (8) 1、推动产业升级 (8) 2、加强科技创新 (9) 3、统筹规划产业布局 (9) 4、加强自主品牌建设 (9) 5、促进产业协同发展 (10)
6、积极参与国际合作 (10) （二）发展重点 (10) 1、电子材料 (10) 2、电子元件 (12) 3、电子器件 (13) 五、政策措施和建议 (14) （一）加强政府引导，完善产业政策 (14) （二）发挥财政资金作用，创造良好投融资环境 (14) （三）提升产业创新能力，推动产业升级 (15) （四）优化产业布局，统筹规划区域发展 (15) （五）加强行业管理，促进产业健康发展 (15) （六）重视人才培养，积极参与国际交流合作 (16)
前言 电子材料和元器件是电子信息产业的重要组成部分，处于电子信息产业链的前端，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，对于电子信息产业的技术创新和做大做强有着重要的支撑作用。 为全面科学地总结“十一五”的发展经验，明确“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业的发展方向，确保产业健康发展，根据《工业转型升级“十二五”规划》、《信息产业“十二五”发展规划》和《电子信息制造业“十二五”发展规划》，制定本规划。 本规划涉及电子材料、电子元件、电子器件三大行业中的基础材料和关键元器件，是“十二五”期间我国电子基础材料和关键元器件产业发展的指导性文件，以及加强行业管理、组织实施重大工程的重要依据。 一、“十一五”产业发展回顾 （一）产业规模稳步增长 我国电子材料和元器件产业在“十一五”期间产量、销售额、进出口总额都有较大幅度提升，增强了我国作为基础电子生产大国的地位。虽然期间受金融危机冲击，产业经历小幅调整，但总体发展稳定。2010年，在国内行业整体增长特别是新兴产业快速发展的带动下，行业恢复发展到历
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
箱变制作工艺
生产工艺、制造加工及出厂检验过程的描述为使该项目所需的设备质量达到国家标准及合同图纸技术要求，我公司现决定在采购及生产制造过程中对产品进行如下监控： 一、技术工艺 我们对所有技术工艺文件均使用CAD设计，对各类设计及设计更改进行认真的识别、评审、验证、标识，并经授权人员批准，严格文件发放、回收手续，确保现场使用相关文件的有效版本。及时邀请买方举行设备联络会议，共同解决有关问题，确保产品的各项设计技术要求达到贵方要求。 二、原材料 为有效地保证产品的原材料及元器件的质量，所有元器件均按技术条件的要求，实行定厂采购，选择知名度高、信誉好、产品经权威部门检测合格的分承包商，原材料及元器件进厂均必须实行严格检验，不合格的原材料及元器件一律不得入库。产品交货时本公司将向买方提供其配套部件产品质量合格证书及有关安装使用等技术文件资料。三、产品生产制造 生产过程中，我们将对产品实行生产工人自检、专职检验员巡检，凡不合格的零件、半成品，及时隔离、标识、记录、评价、处理，不得转入下道工序。油漆、电镀等关键工序设立记录审查点、见证点和停工待验点，由质检部对金属零件防腐处理及电镀、漆层进行抽查检测，形成记录，确保镀锌油漆和防锈质量达标。柜体金属外壳和零部件表面采用四和一磷化液处理，确保磷化后的工件外观色泽一致，无锈迹，表面涂层根据合同要求采用喷塑工艺。本公司保证所提供的设备为采用最适宜的原材料、先进工艺制成、未经使用过的全新产品，保证产品的质量、规格和性能与投标文件所述一致。 四、试验、检验与交付 1、基本要求 (1)设备根据国标或IEC标准的规定、方法，通过型式试验，投标时已提供完整有效的型式试验报告。 ⑵ 设备根据国标或IEC标准的规定、方法，通过出厂试验，在出厂试验前，向贵方提供出厂试验规格书(包括项目、标准、方法、允许误差等) ，经贵方检查、批准后实施。
微电子器件刘刚前三章课后答案
课后习题答案 1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态？在量子力学 中又是用什么方法来描述的？ 解：在经典物理中，粒子和波是被区分的。然而，电子和光子是微观粒子，具有波粒二象性。因此，经典物理无法准确描述电子的状态。 在量子力学中，粒子具有波粒二象性，其能量和动量是通过这样一个常数来与物质波的频率ω和波矢建立联系的，即 c h p h E ηη====υ ω υ 上述等式的左边描述的是粒子的能量和动量，右边描述的则是粒子波动性的频率ω和波矢。 1.2 量子力学中用什么来描述波函数的时空变化规律？ 解：波函数ψ是空间和时间的复函数。与经典物理不同的是，它描述的不是实在的物理量的波动，而是粒子在空间的概率分布，是一种几率波。如果用()t r ,ψ表示粒子的德布洛意波的振幅，以 ()()()t r t r t r ,,,2 ψψψ*=表示波的强度，那么，t 时刻在r 附近的小体 积元z y x ???中检测到粒子的概率正比于()z y x t r ???2,ψ。
1.3 试从能带的角度说明导体、半导体和绝缘体在导电性能上的差异。 解：如图1.3所示，从能带的观点来看，半导体和绝缘体都存在着禁带，绝缘体因其禁带宽度较大(6~7eV)，室温下本征激发的载流子近乎为零，所以绝缘体室温下不能 导电。半导体禁带宽度较小，只有1~2eV ，室温下已经有一定数量的电子从价带激发到导带。所以半导体在室温下就有一定的导电能力。而导体没有禁带，导带与价带重迭在一起，或者存在半满带，因此室温下导体就具有良好的导电能力。 1.4 为什么说本征载流子浓度与温度有关？ 解：本征半导体中所有载流子都来源于价带电子的本征激发。由此产生的载流子称为本征载流子。本征激发过程中电子和空穴是同时出现的，数量相等，i n p n ==00。对于某一确定的半导体材料，其本征载流子浓度为kT E V C i g e N N p n n ==002 式中，N C ，N V 以及Eg 都是随着温度变化的，所以，本征载流子浓度也是随着温度变化的。 1.5 什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
常用电子元件符号及用途解析
常用电子元件符号及用途 1、常用电子元件介绍(电源部份 电阻器、电解电容、陶瓷电容、整流二极管、三极管、发光二极管、保险管2、分类讲述 2.1 电阻器2.1.1表示符号: 2.1.2单位:Ω(欧姆 2.1.3产品分类:色环电阻、水泥电阻、贴片电阻、大功率绕线式电阻等等2.1.4阻值判断方法: 除色环电阻外,其它均可参照供应商印字或资料可判断出阻值及公差; 色环电阻阻值判断方法: 棕红橙黄绿兰紫灰白黑 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 色环公差值表示法: 四色环:金±5% 银±10%(最后一位 五色环:棕±1% 红±2% 绿色±0.5% 兰色±0.25% 紫色±0.1%(最后一位 例:4色环 红红黄金
2 2 4(0的个数 ±5% 即:220000=220K±5% 例:5色环 黄紫绿棕棕 4 7 5 0的个数±1% 即:4750±1% 说明:4色环第一、二位为有效数值,第三位为0的个数,第4位为公差(金:±5% 银±10% 5色环第一、二、三位为有效数值,第四位为0的个数,第5位为公差(棕±1% 红±2% 绿色±0.5% 兰色±0.25% 紫色±0.1% 2.1.5用途:串联分流,并联分压 2.2 电解电容 2.2.1 表示符号 2.2.2 单位:F(法 uF(微法nF(呐法pF(皮法1F=106uF 1 uF=103 nF=106 pF 2.2.3 产品分类 按结构:固定电容,可变电容,微调电容 按介质:气体介质、液体介质、无机固体介质、有机固体介质 按极性:有极性、无极性 容量及耐压判别方法:直接识别本身标示
2.2.4 用途:隔直流通交流,常用于耦合,滤波去耦等等. 2.3陶瓷电容 2.2.1表示符号 2.2.2单位:同电解电容一样 2.2.3 产品分类:按容量及耐压不同而分类,由薄瓷片两面镀金属膜组成,其作用和电解电容相近2.4 整流二极管 2.4.1 表示符号 2.4.2 单位:以电流的电压来衡量,如多少伏电压,多少安培电流. 2.4.3 产品分类:按电流大小及耐压高低分类. 2.4.4 用途:交流电压转变为直流电压. 2.5 三极管 2.5.1表示符符号 (NPN型 (PNP型 2.5.2单位: 以电流的电压放大倍数(HFE来衡量 2.5.3产品分类
常用元器件封装(重要)
常用元器件封装— 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率)diode-0.7(大功率) 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管)to-3(大功率达林顿管) 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等 79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8 贴片电阻0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的文章概念因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再
√增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向
增强载流子迁移率是新一代微电子器件和电路发展的重要方向 （作者：Xie Meng-xian，电子科技大学微固学院) （1）集成电路发展状况： 作为微电子技术的主体——集成电路，它的发展已经经历了若干个重要阶段，从小规模、中规模，到大规模、乃至超大规模、特大规模等。微电子技术的这种长足的进步，在很大程度上就是在不断努力地缩短场效应器件的沟道长度，这主要是通过改善微电子工艺技术、提高加工水平来实现的。尽管现在沟道长度已经可以缩短到深亚微米、乃至于纳米尺寸了，但是要想再继续不断缩短沟道长度的话，将会受到若干因素的限制，这一方面是由于加工工艺能力的问题，另一方面是由于器件物理效应（例如短沟道效应、DIBL效应、热电子等）的问题。因此，在进一步发展微电子技术过程中，再单只依靠缩短沟道长度就很不现实、甚至也可能了，则必须采用新的材料、开发新的工艺和构建新的器件结构，才能突破因缩短沟道所带来的这些限制。 实际上，从集成电路的发展趋势来看，大体上可以划分为三大阶段： ①K时代（Kbit，KHz）：微细加工的时代（不断缩短有效尺寸）～“微米时代”； ②M时代（Mbit，MHz）：结构革命的时代（不断改进器件和电路结构）～“亚微米时代”； ③G时代（Gbit，GHz）：材料革命的时代（不断开发新材料、新技术）～“10纳米时代”。 现在已经开始进入G时代，因此，在不断开发新技术的同时，特别值得注意的是新材料的开发；不仅要开发新型的半导体材料（例如宽禁带半导体、窄禁带半导体、大极性半导体等），而且也要开发各种新型的辅助材料（例如高K、低K介质材料，Cu电极材料，新型表面钝化材料等）。器件和电路研究者应该多加注意新材料的开发应用；而新材料研究者应该多加注意往器件和电路的应用上下功夫。 在新的材料和工艺技术方面现在比较受到重视的是高介电常数（高K）材料和Cu互连技术。当沟道长度缩短到一定水平时，为了保持栅极的控制能力，就必须减小栅极氧化层厚度（一般，选取栅氧化层厚度约为沟道长度的1/50），而这在工艺实施上会遇到很大的困难（例如过薄的氧化层会出现针孔等缺陷）；因此就采用了高介电常数的介质材料（高K材料）来代替栅极氧化物，以减轻制作极薄氧化层技术上的难度。另外，沟道长度缩短带来芯片面积的减小，这相应限制了金属连线的尺寸，将产生一定的引线电阻，这就会影响到器件和电路的频率、速度；因此就采用了电导率较高一些的Cu来代替Al作为连线材料，以进一步改善器件和电路的信号延迟性能。可见，实际上所有这些高K材料和Cu互连等新技术的采用都是不得已而为之的，并不是从半导体材料和器件结构本身来考虑的。 显然，为了适应器件和电路性能的提高，最好的办法是另辟途径，应该考虑如何进一步发挥半导体材料和器件结构的潜力，并从而采用其他更有效的技术措施来推动集成电路的发展。现在已经充分认识到的一种有效的技术措施就是着眼于半导体载流子迁移率的提高（迁移率增强技术）。 （2）迁移率增强技术： 迁移率（μ）是标志载流子在电场作用下运动快慢的一个重要物理量，它的大小直接影响到半导体器件和电路的工作频率与速度。 对于双极型晶体管而言，高的载流子迁移率可以缩短载流子渡越基区的时间，使特征频率（f T）提高，能够很好的改善器件的频率、速度和噪音等性能。 对于场效应晶体管而言，提高载流子迁移率则具有更加重要的意义。因为MOSFET的最大输出电流——饱和漏极电流I DS可表示为：
常用电子元器件的符号 (1)
各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注：单向型TVS 瞬态电压抑制二极管也是这 个符号表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极 管 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT
表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT 双向型TVS瞬态电压抑制二 极管 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表电阻电阻器或固定电阻表
示符号：R 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT 光敏电阻 CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容器（无极性电容） 表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 半导体放电管（固体放电管）
元器件布局与装配方式
元器件布局与装配方式 元器件布局与装配方式，本文将详细为您讲解相关知识，对于电子爱好者是很有帮助的。在设计装配方式之前，要求将整机的电路基本定型，同时还要根据整机的体积以及机壳的尺寸来安排元器件在印刷电路板上的装配方式。 具体做这一步工作时，可以先确定好印刷电路板的尺寸，然后将元器件配齐，根据元器件种类和体积以及技术要求将其布局在印刷电路板上的适当位置。可以先从体积较大的器件开始，如电源变压器、磁棒、全桥、集成电路、三极管、二极管、电容器、电阻器、各种开关、接插件、电感线圈等。待体积较大的元器件布局好之后，小型及微型的电子元器件就可以根据间隙面积灵活布配。二极管、电感器、阻容元件的装配方式一般有直立式、俯卧式和混合式三种。 ①直立式。这种安装方式见图1。电阻、电容、二极管等都是竖直安装在印刷电路板上的。这种方式的特点是：在一定的单位面积内可以容纳较多的电子元件，同时元件的排列也比较紧凑。缺点是：元件的引线过长，所占高度大，且由于元件的体积尺寸不一致，其高度不在一个平面上，欠美观，元器件引脚弯曲，且密度较大，元器件之间容易引脚碰触，可靠性欠佳，且不太适合频率较高的电路采用。 ②俯卧式。这种安装方式见图2。二极管、电容、电阻等元件均是俯卧式安装在印刷电路板上的。这样可以明显地降低元件的排列高度，可实现薄形化，同时元器件的引线也最短，适合于较高工作频率的电路采用，也是目前采用得最广泛的一种安装方式。 因2 ③混合式。为了适应各种不同条件的要求或某些位置受面积所限，在一块印刷电路板上，有的元器件采用直立式安装，也有的元器件则采用俯卧式安装。这受到电路结构各式以及机壳内空间尺寸的制约，同时也与所用元器件本身的尺寸和结构形式有关，可以灵活处理。见图3。
关键元器件和原材料的控制程序
关键元器件和原材料的 控制程序 标准化管理部编码-[99968T-6889628-J68568-1689N]
关键元器件和原材料的控制程序 1.目的 通过对本公司来料、过程和成品中的关键元器件和材料进行检验与验证,及时发现不合格品，防止不合格关键元器件和材料入库、发生及流出。 2.范围 适用于本公司来料、过程及成品中的关键元器件和材料的检验或验证。3.职责与权限 3.1生产部员工负责在生产过程中的自检和互检。 3.2品质部负责对来料、过程及成品进行检验。 3.3技术部负责制定《关键元器件和材料清单》，根据国家相关规定有CCD光电转换主板、电源及电源线、电荷耦合器件以及外壳材料等关键元器件和材料。 4.定义 关键元器件和材料: 是指对产品的安全、环保、EMC和主要性能有较大影 响的元器件和材料。有时可能不仅限于认证实施规则 中的“关键零部件清单”。 5.工作程序 5.1 建立并保持关键件合格供应商名录。关键件应从经批准的合格供应商处购买，并保存关键件进货单，出入库单、台帐 5.1.1 对供应商提供的关键件的检验或验证进行控制，确保与采购控制要求一致，应保存相关的检验或验证记录。 5.1.2 选择合适的控制质量的方式，以确保入厂的关键件的质量特性持续满足认证要求，并保存相关的实施记录。合适的控制质量的方式可包括： a)获得强制性产品认证证书/可为整机强制性认证承认认证结果的自愿性认证证书，工厂应确保进货时证书的有效性。 b)每批进货检验，其检验项目和要求不得低于认证机构的规定。检验应由工厂实验室或工厂委托认可机构认可的外部实验室进行。 c)按照认证机构的要求进行关键件定期确认检验。
元器件名词解释(基本都有)
1.形状记忆合金 具有形状记忆效应的合金材料即称为形状记忆合金。其中形状记忆效应是指具有一定形状的固体材料，在某种条件下经过一定的塑性变形后，加热到一定温度时，材料又完全恢复到变形前原来形状的现象。即它能记忆母相的形状。 2.热弹性马氏体相变 在某些合金材料中会出现一种叫做热弹性马氏体的晶相组织，这种组织的特点是：它的相变驱动力很小，容易发生相变。它能随着温度的升高而弹性地缩小或长大，故称其为“热弹性马氏体”。 3.约瑟夫逊效应 直流约瑟夫逊效应：对于超导体-势垒-超导体体系，在势垒两边的电压为零的情况下，电子能以隧道效应穿过势垒层，产生直流超导电流； 交流约瑟夫逊效应：超导隧道结能在在直流电压作用下，产生超导交流电流，从而辐射电磁波。 4.迈斯纳效应 也称为完全抗磁性，即处于超导状态的超导体内部磁感应强度为零。 5.超晶格 由两种或两种以上性质不同、厚度极小的薄膜交替生长而形成的多层结构的晶体。由于厚度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长，故取名“超晶格”。 6.组分超晶格 超晶格材料的一个重复单元由两种不同材料（电子亲和势和禁带宽度均不同）组成。 7.掺杂超晶格 在同一种半导体中，用交替改变掺杂类型的方法形成的超晶格。 8.应变超晶格 通过弹性应变调节两种材料的晶格失配来消除界面缺陷而形成的超晶格。 9.压电效应 当对某些晶体在特定方向上施加力时，在与施力方向垂直的平面上出现正、负束缚电荷，这种现象称为压电效应。 10.正压电效应 当晶体受到机械力作用时，在一定方向的表面上产生束缚电荷，电荷密度大小与所加应力大小成线性关系，这种由机械效应转换为电效应的过程称为正压电效应。 11.负压电效应 当某些晶体在外电场激励下，会使晶体在某些方向上产生形变（谐振）现象，且形变大小与外电场大小成线性关系，这种由电效应转换为机械效应的过程称为逆压电效应。 12.热释电效应 晶体由于温度作用而产生极化的现象。（产生热释电效应的条件：（1）具有自发极化的晶体；（2）晶体结构的极轴与结晶学的单向重合的晶体） 13.铁电体 有些热释电晶体不但在某些温度范围内能够自发极化，而且其自发极化强度可以因外电场的作用而重新取向。由于其极化强度与电场的关系曲线同铁磁体具有的磁滞回线形状相似，而且有某些对应的类似性质，故称之为铁电体。（铁电体的主要特征：极化强度P表现为电场E的双值函数） 14.跳跃导电模型 跳跃导电模型是一种局部电子传导机构，局限在一个原子（或离子）周围的电子可以通过隧道效应或热激发跳跃到邻近原子（或离子）周围。（可以用跳跃导电模型来解释迁移率
箱变产品设计规范
箱式变压器产品设计规范 2013年3月
箱式变电站的主要元件是变压器、高压开关设备和控制设备、低压开关设备和控制设备、相应的内部连接线（电缆、母线和其它）和辅助设备，根据用户的要求可装设电能计量设备和无功补偿设备，从高压系统向低压系统输送电能。 一、结构设计规范 1、结构要求 箱式变电站应设计成能够安全而方便地进行正常的操作、检查和维护。 （1）高压电器元件主、附件应与低压电器元器件及附件采用金属隔板隔开，分别装在两个封闭配电室中形成高压室和低压室。高压室、低压室门内侧标出主回路的线路图操作程序和注意事项。变压器隔室门打开后应装设可靠的安全防护网或遮拦，设有联锁装置，以防带电状态下人员进入。 （2）高压电缆的进线槽与低压区隔开，电缆与变压器可通过电缆连接件或变压器穿墙套管直接连接。当连接部分有裸露导体时，应采用绝缘罩进行防护，确保在高压室进行操作时安全可靠。选用的电缆连接件内部不具备半导体屏蔽层时，应配备金属屏蔽罩壳。为了进行电缆的绝缘试验，高压电缆或电缆箱的安装位置应便于试验接线的拆装和试验。 （3）组合式变压器的高低压室门均向外开，门上有把手和锁，门的开启角度应不小于90°，并设有定位装置，满足防水要求，且采用防雨、防堵、防锈的暗锁锁定。 （4）箱体采用自然通风的方式冷却。安装时箱体配有散热器的一侧距建筑物墙壁应有一定的距离，确保正常环境温度下，所有电器设备的运行温度不超过最高允许温度。 （5）外壳箱体应进行防锈、防腐处理，应保证喷漆颜色均匀，附着力强，漆膜不得有裂纹、流痕、气泡和其它附着物。 （6）外壳箱体顶盖倾斜角应不小于5°，箱体内可设防潮装置，以尽量避免内部元件产生凝露，箱底应考虑具有防锈、防腐及密封功能。 （7）箱体应有起吊装置，保证整个变压器在垂直方向受力均衡。 （8）组合式变压器中应装有油位指示装置、油温监测装置、压力监测装置、自动压力释放阀、注油孔和放油阀等装置。 （9）对环网型组合式变压器应按实际需求配备绝缘保护帽。 （10）门和面板均应装有密封橡胶条，门尽量采用内铰链，各隔室的门设照明设施。 （11）预装式变电站内部的操作通道的宽度应适于进行任何操作和维护，通道的宽度应为800mm或更大，开关设备和控制设备的门应朝出口方向关闭，在任一开启位置的门或开关设备和控制设备突出的机械传动装置不应将通道的宽度减小到500mm以下。 （12）基座必须有足够的机械强度，保证吊装、运输不变形，基座上须有4个以上可伸缩式起重销。 （13）箱体外无外露可拆卸的螺栓，不应留任何缺口以防外部棍棒进入触电。
微电子工程学复习题
第一章： 1、电子器件微型化和大规模集成的含义是什么？其具有怎样的实际意义。 答：电子器件微型化主要是指器件的最小尺寸，也就是特征尺寸变小了。大规模集成是指在单个芯片上所继承的电子器件数量越来越多。 电子器件微型化和大规模集成的意义： 1）提高速度和降低功耗只有提高集成度，才能减少电子系统内部的连线和最大限度地减少封装管壳对速度的影响。提高速度和提高集成度是统一的，前者必须通过后者来实现。同时采用低功耗、高速度的电路结构（器件结构） 2）提高成品率与可靠性大规模集成电路内部包含的大量元件都已彼此极其紧密地集成在一块小晶片上，因此不像中、小规模集成电路组成的电子系统那样，由于元件与元件，或电路与电路之间装配不紧密，互连线长且暴露在外，易受外界各种杂散信号的干扰，所以说大规模集成电路提高了系统可靠性。 为了提高为电子器件的成品率，需要在少增加电路芯片面积的前提下尽可能容纳更多的电子元件，也就是采取提高元件密度的集成方法。 3）低成本大规模集成电路制造成本和价格比中、小规模集成电路大幅度下降是因为集成度和劳动生产率的不断提高。 综上所述，大规模和超大规模集成电路的微型化、低成本、高可靠和高频高速四大特点，正是电子设备长期追求的技术指标和经济指标，而这四大特点中后三个特点皆源于微型化的特点。因此这四大特点是统一的、不可分割的。 2、超大规模集成电路面临哪些挑战？ 答：首先是大直径的硅材料, 随着集成电路技术的发展，硅单晶直拉生产技术，在单晶尺寸、金属杂质含量、掺杂元素和氧分布的均匀性及结晶缺陷等方面得到了不断的改进。目前，通常使用的硅单晶抛光片的直径已达到300mm，400mm硅单晶片的制造也已经开始。如何控制400mm晶体中点缺陷将是面临的重大挑战。 其次是光刻技术：在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工技术，成为首先需要解决的问题；同时，由于光刻尺寸要小于光源波长，使得移相和光学邻近效应矫正等波前工程技术成为光学光刻的另一项关键技术。 最后是器件工艺。当器件的沟道长度缩小到0.1um时，已开始逼近传统的半导体物理的极限。随之而来的是栅氧化层不断减薄，SiO2作为传统的栅氧化层已经难以保证器件的性能。同时随着半导体器件工艺的特征尺寸不断地缩小，芯片内部的多层内连线工艺也逐渐成为半导体工艺发展的挑战。 3、阐述微电子学概念及其重要性。 答：微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、子系统及系统的电子学分支。 微电子学作为电子学的一门分支学科，主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学。 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的，故实用性极强。微电子学中所实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统。 微电子学是信息领域的重要基础学科，在信息领域中，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息载体的科学，构成了信息科学的基石。其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。 微电子科学技术是信息技术中的关键之所在，其发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
常用电子元器件符号
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器 248
二．半导体管 三．其它电气图形符号 249
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 250
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５ 251
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。 252