电厂专业名词解释

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第二章名词解释

本文中蓝色标注的是巡检人员必须掌握的题目

1、火力发电厂 (fossil—fired power plant ;thermal power plant) 利用化石燃料燃烧释放的热能进行发电的动力设施,包括燃料燃烧释热和热能电能转换以及电能输出的所有设备、装置、仪表器件,以及为此目的设置在特定场所的建筑物、构筑物和所有有关生产和生活的附属设施。

2、锅炉 (boiler) 利用燃料燃烧释放的热能或其它热能加热给水或其它工质以生产规定参数和品质的蒸汽、热水或其他工质(蒸气)的机械设备。用于发电的锅炉称电站锅炉。在电站锅炉中,通常将化石燃料(煤、石油、天然气等)燃烧释放的热能,通过受热面的金属壁面传给其中的工质—水,把水加热成具有一定压力和温度的蒸汽,所产生的蒸汽则用来驱动汽轮机,把热能转换为机械能,汽轮机再驱动发电机,将机械能变为电能供给用户。电站锅炉又称为蒸汽发生器。

3、热力学 (thermo dynamics) 研究各种能量(特别是热能)的性质及其相互转换规律,以及与物质性质之间的关系的学科,是物理学的一个分支。热力学着重研究物质的平衡状态以及与平衡状态偏离不大的物理、化学过程,近代已扩大到对非平衡态过程的研究。

4、工质实现热能和机械能相互转化的媒介物质,叫做工质。为了获得更多的功,要求工质有良好的膨胀性和流动性、价廉、易得、热力性能稳定、对设备无腐蚀作用,而水蒸汽具有这种性能,发电厂常采用水蒸汽作为工质。

5、状态参数凡能够表示工质状态特性的物理量,就叫做状态参数。例如:温度T、压力p、比容ひ、能u、焓h、熵s等,我们常用的就是这六个,还有火用、火无等状态参数。状态参数不同于我们平时所说的如:流量、容积等“参数”,它是指表示工质状态特性的物理量,所以,要注意区别状态参数的概念,不能混同于习惯的“参数”。

6、压力单位面积上承受的垂直作用力,又称压强。压力是一种强度量,其数值与系统的大小无关,通常以符号P表示,单位是帕(Pa)。压力有绝对压力、大气压力、正压力(工程上称为表压力)、负压力(工程上称为真空)和压差等不同的表述形式。

7、比容单位质量物质所占有的容积.以符号V表示。比容是一个强度量,其值与系统的大小无关,单位是米3/千克(m3/kg)。热力学中常用的另一个物理量——密度(ρ),是比容的倒数,即单位容积的物质所具有的质量。

8、温度表示物体冷热程度的物理量。根据热力学第零定律,温度是衡量一个热力系与其他热力系是否处于热平衡的标志。一切具有相同温度的系统均处于热平衡状态;反之,即处于非平衡状态。温度是一个强度量,数值与系统的大小无关。温度的分度表示方法称为温度标尺或简称温标。中国法定的温度标尺采用国际单位制中的热力学温标,也就是开尔文温标或绝对温标,用符号T表示,单位是开尔文(K)。曾经使用过的温标尚有摄氏温标t(℃)、华氏温标t(°F)等。

9、能蓄积于热力系部的能量。能是一个广延量,其数值与质量成正比,以符号U表示,单位是焦(J)。单位质量的能称为比能,以u表示,单位是焦/千克(J/kg)。从微观的角度来理解,能包括组成系统大量分子的动能、位能、化学能和原子核能等。在不涉及化学变化和核反应的物理过程中,化学能与核能可以不加考虑,此时热力系中的能只涉及分子动能和位能。理想气体的能与压力无关,只是温度的函数。

10、焓热力系所拥有的能(U)和压力势能(PV)的总和。焓是一个广延量,以符号H表示,单位是焦(J)。单位质量物质的焓称为比焓,以h表示.单位是焦/千克(J/kg) 。

11、熵(entropy) 熵无简单的物理意义,不能用仪表测量,其定义:熵的微小变化等于过程中加入微小热量dq与加热时绝对温度T之比。熵的微小变化标志着过程中有热量交换及热量传递方向,dS<0,热力系吸热,热量为负值;dS>0,热力系放热,热量为正;dS=0,则热力系与外界无热交换。dS=dq/T,dq=ds×T。

熵增原理:孤立系统的熵可以增大(发生不可逆过程时),可以不变(发生可逆过程),但不可以减少。

系统的熵增与作功能力的关系:由不等温传热过程分析可知热源与工质之间不等温传热而引起系统熵增,而系统中作功能力的损失等于系统中的熵增乘以冷源温度。不可逆传热的发生,使得系统的熵增加,就意味着作功能力的损失增加,也就使得向冷源排出的无效能增加了。而作功能力的损失与熵增成正比,故系统中的熵的增量可作为不可逆过程的度量。在实际的热动力装置中工质携带的热量一定时,则温度高时作功能力强,这种高温热量就越有用。锅炉温差传热的熵增最大,所以作功能力损失最大(高温烟气传热给炉水、蒸汽)。

熵的外文原意是转变,指热量转变为功的能力。中文译名“熵”是由仙洲教授命名的。

12、火用(exergy)在给定的环境条件下能量中理论上可以最大限度转换为机械能的那部分能量,又称可用能或有效能(availability),用符号E表示.单位为焦(J)。单位质量的火用称为比火用,用符号e表示,单位为焦/千克(J/kg)。对应于热力学系统与环境之间不平衡的情况,能量中的火用可以分为物理火用和化学火用。焓减去火用就是无用的那部分能量叫火无。

13、平衡状态工质的各部分具有相等的压力、温度、比容等状态参数时,就称工质处于平衡状态。

14、理想气体 (ideal gas) 一种理想化的气体,这种气体分子间没有作用力,而且分子的大小可以忽略不计如同几何点一样。实际上理想气体是不存在的,不过在平常温度和压力下,许多简单气体,如氢、氮、氧等可以视为理想气体,因为气体在此条件下其分于彼此远离,分于间相互作用力微弱,可看作为零,又分子间平均距离远大于分子直径,故分子可视为不具有体积的质点。

15、比热(specific heat) 单位数量的气体温度升高(或降低)1℃时,所吸收(或)放出的热量,称为气体的单位热容量,或称为气体的比热。以符号c表示,比热的单位是焦/(千

克·开)[J/(kg·K)],是工质的一种热力性质。

比热的概念最早由格兰化学家J。布莱克于18世纪提出的。

16、汽化物质从液态转变为汽态的过程。包括蒸发、沸腾。蒸发是在液体表面进行的汽化现象。

17、沸腾在液体部进行的汽化现象。在一定压力下,沸腾只能在固定温度下进行,该温度称为沸点。压力升高沸点升高。

18、饱和蒸汽容器上部空间蒸汽分子总数不再变化,达到动态平衡,这种状态称为饱和状态,饱和状态下的蒸汽称为饱和蒸汽;饱和状态下的水称为饱和水;这时蒸汽和水的温度称为饱和温度,对应压力称为饱和压力。

19、湿饱和汽饱和水和饱和汽的混合物。

20、干饱和汽不含水分的饱和蒸汽。

21、过热蒸汽蒸汽的温度高于相应压力下饱和温度,该蒸汽称为过热蒸汽。

22、过热度过热蒸汽的温度超出该蒸汽压力下对应的饱和温度的数值,称为过热度。

23、汽化潜热把1Kg 饱和水变成1Kg 饱和蒸汽所需要的热量,称为汽化潜热或汽化热。

24、干度湿蒸汽中含有干饱和蒸汽的质量百分数。

25、湿度湿蒸汽中含有饱和水的质量百分数。

26、临界点随着压力的升高,饱和水和干饱和蒸汽差别越来越小,当压力升到某一数值时(22.115MPa),饱和水和干饱和蒸汽没有差别,具有相同的状态参数,该点称为临界点。水的临界温度为374.15℃,临界压力为22.115MPa。

27、定容过程定容过程的气体压力与绝对温度成正比,即P1/T1=P2/T2。在定容过程中,所有加入气体的热量全部用于增加气体的能。因容积不变,没有作功。如燃机工作时,气缸里被压缩的汽油和空气的混合物被点燃后突然燃烧,瞬间气体的压力、温度突然升高很多,活塞还来不及动作,这一过程可认为是定容过程。

28、定压过程在压力不变的情况下进行的过程,叫做定压过程。如水在锅炉中的汽化、蒸汽在凝汽器中的凝结。定压过程中比容与温度成正比即ひ1/T1=ひ2/T2 温度降低气体被压缩,比容减小;温度升高,气体膨胀,比容增大。定压过程中热量等于终、始状态的焓差。其T-S曲线为斜率为正的对数曲线。

29、定温过程在温度不变的条件下进行的过程。P1ひ1=P2ひ2=常数,即过程中加入的热量全部对外膨胀作功;对气体作的功全部变为热量向外放出。

30、绝热过程在与外界没有热交换的情况下进行的过程,称为绝热过程。又叫等熵过程。汽轮机、燃气轮机等热机,为了减少热损失,外面都包了保温材料,而且工质所进行的膨胀极快,在极短的时间还来不及对外散热,即近似绝热膨胀过程。

31、热力系统 (therma1 power system;steam/water flow system) 实现热力循环热功转换的装置系统。各有关热力设备,按照生产过程中特定作用和功能,通过管道连接、组合

构成的工作整体。

32、热力学系统 (thermodynamic system) 热力学研究中作为分析对象所选取的某特定围的物质或空间,简称热力系。在特定场合下也简称系统。热力系以外的物质或空间统称为环境(或外界)。环境只相对于该热力系而言,环境中的某一部分同样可以划出来组成另一个热力系。热力系与环境之间的界限称为分界面——热力系边界。热力系与环境间的任何物质或能量交换,都体现在热力系的边界上。分界面可以是真实的或假想的,固定的或移动的。33、热力循环 (thermodynamic cycle) 工质从一个热力状态出发,经过一系列的变化,最后又回到原来的热力状态所完成的封闭的热力过程。

34、正循环一个热力循环如果其净功为正,也就是说,如果其总的效果是从热源吸收了热量,并对外作了功,则称该循环为正循环。

35、反循环一个热力循环如果其净功为负,也就是说,如果其总的效果是消耗了外功并向热源放出了热量,则称该循环为逆循环,如空调机的制冷过程。

36、可逆循环若组成循环的过程全部可逆,称为可逆循环。

37、不可逆循环若组成循环的任一过程是不可逆的,称为不可逆循环。

38、热力学第零定律 (zeroth law of thermodynamics) 热力学中以热力学系统的热平衡为基础建立温度概念的定律。通常表述为:两个系统每个均与第三个系统处于热平衡,则这两个系统彼此也必处于热平衡。因为这个事实首先由C.麦克斯韦(Clark Micswell)规定为一个经验定律时,是在热力学第一定律建立之后,所以叫做热力学第零定律。

第零定律表明,每个系统本身存在着一个衡量它们是否互相热平衡的宏观属性——温度。它只与系统的状态有关,是系统的一个状态参数。根据第零定律可以建立温度计测温。

39、热力学第一定律 (first 1aw of thermodynamics) 热力学的基本定律之一,是能量守恒原理的一种表述形式。表述为:一种能量可以在热力学系统与环境之间进行传递,也可以与其他形式的能量相互转换,在传递与转换过程中能量的总值守恒不变,不会自行增加或减少。另一种表述是:不消耗能量就可以作功的第一类永动机是不可能实现的。它推广了力学领域的能量形式,把热能、能与机械能等多种形式的能量都联系起来了。

40、热力学第二定律 (second law of thermo dynamics) 热力学的基本定律之一,通常表述为,热量可以自发地从较热的物体传递到较冷的物体,但不可能自发地从较冷的物体传递到较热的物体;也可表述为:两物体互相摩擦的结果使功转换为热,然而不可能将这摩擦热再转换为功,并且不产生其他影响。热力学第二定律是对热力学第一定律的重要补充。

41、卡诺循环(Carnot cycle):在一个高温热源和一个低温热源之间,由四个完全可逆的热力过程-等温吸热、等熵膨胀、等温放热和等熵压缩,所组成的热力循环。历史上是热力学第二定律的体现。

由法国S.卡诺(Sadi Carnot)于1824年提出,是一种理想的热力循环。没有任何能量损失的理想循环。

42、卡诺定理表述为:①在两个恒温热源之间工作的热机,它的效率不能超过卡诺热机的效率,②在两个恒温热源之间工作的所有卡诺热机,它们的效率都相等。

43、热力学第三定律 (third law of thermodynamics) 热力学的基本定律之一,反映绝对零度及其邻近区域热现象的规律性,通常表述为:无论用什么方法,靠有限步骤不可能使物体的温度达到绝对零度。1906年德国化学家W.能斯脱(Walter Nernst)首先提出“热定理”,后经F.E.西蒙(Franz Eugen Simon)等人的发展,成为热力学第三定律的能斯脱—西蒙表述:当热力学温度趋于零时,凝聚系统在可逆等温过程中熵的改变随之趋于零。44、朗肯循环蒸汽动力装置的基本循环,工质在锅炉、汽轮机、凝汽器、给水泵等热力设备中进行吸热、膨胀、放热、压缩四个过程使热能不断地转变为机械能,这种循环称为朗肯循环。

45、传热学 (heat transfer) 研究热量传递规律的学科。传热是自然界和工程实践中普遍存在的现象之一。热力学第二定律指出,热量总是自发地由高温传向低温,传热学正是研究这—现象的一门科学。基本传热方式有三种:热传导、热对流和热辐射。

46、热传导 (heat conduction) 温度不同的物体各部分之间或温度不同的两物体间由于直接接触而发生的热传递现象,也称导热。热传导是从宏观角度进行现象分析的,即把物质看作是连续介质,各部分之间没有相对位移。热传导是热量传递的三种基本方式之一,对导热规律的研究是传热学的重要组成部分。导热理论的任务就是要找出任何时刻物体各处的温度,即温度场,或各处的热流通量〔热流密度〕。

47、傅里叶定律 (Fourier Law) 导热的基本定律,表述为:在任何时刻连续均匀的各向同性介质中,各点就地传递的热流通量矢量q正比于当地的温度梯度,即q=-λgradΤ

式中λ是介质的热导率;grad T是温度梯度;负号表示热流通量矢量和温度梯度矢量共线但反向,都垂直于通过该点的等温面,即热流通量矢量朝着温度降低方向。它与热力学第二定律相符合。

48、导热系数λ衡量物体导热能力的一个指标,其大小表示导热(隔热)性能的好坏。均由试验确定。在工程设计中,导热系数是合理选用材料的依据。

49、导温系数a 影响不稳定导热过程的物理量,其数值大小表示物体传播温度变化的能力。它正比于物体的导热能力,反比于物体的蓄热能力。导温系数大材料在不稳定导热过程中温度变化快,达到温度均匀的时间短。否则,相反。

导热系数与导温系数是两个既有区别又有联系的概念。导热系数仅指材料的导热能力,反映热流量的大小,而导温系数则综合考虑了材料的导热能力和升温所需热量的多少,反映温度变化的快慢。稳定导热过程导温系数无意义,只有导热系数对过程影响;不稳定导热过程由于不断地吸热或放热,导温系数决定物体的温度分布。

50、对流换热 (heat transfer by convection;convective heat transfer) 流体与

温度不同的物体表面直接接触而产生的热量传递过程。它是热传导与热对流这两种基本传热方式综合作用的结果,也称对流放热。

51、热阻 (thermal resistance) 热传导、对流换热和辐射换热过程中由温度差和辐射力差形成的传热推动力与热流量或热流通量的比值,是一个综合反映阻止热量传递能力的参量。

52、受迫运动由外部机械力所引起的流体运动叫流体的受迫运动。

53、自由运动由于流体各部分密度不同而引起的运动叫流体的自由运动。

54、层流当流体的流动速度很小时,流体各质点都与管的轴线方向平行流动,流体各部分互不干扰,这种流动状态叫层流。

55、紊流如果流体的流速逐渐增大,当增大到某一临界值时,就会发现流体各部分相互掺混,甚至有旋涡出现,这种流动状态叫紊流。

56、管沸腾换热 (boiling heat transfer in tubes) 沸腾介质(液体)在外力(压力差)作用下沿管道受迫运动,同时受热沸腾,属于流动沸腾换热。如果管介质不流动,除非管径尺寸很小、与产生的汽泡尺寸很接近这一特殊情况,一般可按池沸腾换热处理。

57、膜态沸腾 (fi1m boiling) 在一定条件下,亚临界压力锅炉的蒸发受热面中水或汽水混合物与管壁间被一层汽膜隔开,导致传热系数急剧下降,管壁温度急剧升高,甚至出现过烧的现象。膜态沸腾又称传热恶化,按机理分为第一和第二两大类。

58、辐射换热 (radiation heat transfer) 两个互不接触且温度不相等的物体或介质之间通过电磁波进行的热交换过程,是传热学研究的重要课题之一。

辐射是以电磁波形式发射和吸收能量的传输过程。各种电磁波都以与光速相同的速度在空间传播,但是不同波长或频率的电磁波的性质是不相同的。

59、辐射角系数 (radiative ang1e factors)辐射换热时一个表面发射的能量中能直接达到另一表面的份额,简称角系数,以符号F a-b表示。下角标a—b表示辐射能将由表面a投射到表面b。它和所研究的两个物体的几何形状和相对位置直接相关,是计算表面辐射换热不可缺少的一个无因次量。

60、辐射选择性 (selectivity of radiation) 气体通过增添或释放贮存在分子部的某种能量而选择性地吸收或辐射某些特定波长围的辐射能的性能.是气体所独具的辐射特性之一。

61、黑度(blackness) 物体的实际辐射力与同温度下绝对黑体(简称黑体)的辐射力之比值,又称发射率。它反映物体表面所固有的在辐射能力方面接近黑体的程度,是辐射换热中的重要参数。

62、红外线检测 (infra—red inspection) 采用测量红外辐射的办法,检测构件表面温度或温度分布,以确定其运行状态是否存在部缺陷的无损检测技术。红外线是一种电磁波。构件表面都辐射红外线,其功率与温度的四次方成正比。当构件存在缺陷时,无论其本身具

有热源,或另外加热(如用电流、等离子枪、火焰喷射枪、红外灯等)、冷却都会导致温度分布异常。

63、绝对黑体吸收率等于1的物体。

64、辐射的四次方定律绝对黑体辐射力的大小与其绝对温度的四次方成正比。

E o=C o(T/100)4

C o——绝对黑体的辐射系数

65、水循环 (boiler circulation) 水及汽水混合物在炉膛水冷壁的循环流动。给水经省煤器进入汽包后,经由下降管和联箱分配给水冷壁,水在水冷壁受热产生蒸汽,形成汽水混合物又回到汽包;分离蒸汽后的锅水又经下降管和联箱进入水冷壁继续循环流动。水循环不畅会导致水冷壁超温爆管,所以正常的水循环是锅炉可靠运行的重要条件之一。

66、循环流速相应于工质流量下,按管子截面计算的饱和水的速度。自然循环锅炉的循环流速与压力有关。

67、质量流速流过管子单位流通截面的工质流量,单位为kg/(m2.s)。亚临界压力下,为避免传热恶化,应按热负荷确定允许最小质量流速。

68、循环倍率进入下降管的循环水量与其出口处蒸汽量之比。高中压锅炉受水冷壁积盐限制,循环倍率必须足够大。循环倍率与循环系统结构、上升管受热强度有关。在下降管与上升管截面比、结构一定条件下,热负荷增大,开始时循环流速随之增高,循环倍率也增大,表现出自补偿能力;但到一定程度时,热负荷再增大,则循环流速增加缓慢甚至不再增大,循环倍率不再增大,失去自补偿能力,如热负荷再增大,循环倍率反而减小,不再增大的循环倍率称界限循环倍率。

直流锅炉设计的循环倍率为1。循环水系统循环倍率的概念不同于锅炉的循环倍率概念,循环水系统循环倍率是指循环水量与进入凝汽器的排汽量之比。我厂循环水系统设计的循环倍率是50。

69、水蒸汽 (steam) 由水汽化或冰升华而成的气态物质。

70、饱和状态将一定量的水置于一密闭的耐压容器中,然后将留在容器的空气抽尽,此时水分子就从水中逸出,经一定时间后水蒸气就充满整个水面的上方空间。在一定温度下此水蒸气的压力会自动地稳定在某一数值上,此时,脱离水面的分子数和返回水面的分子数相同,即达到动平衡状态,也就是水和水蒸气处于饱和状态。饱和状态下的水和蒸汽分别称为饱和水和饱和蒸汽。饱和蒸汽的压力称为饱和压力,此状态下所对应的的温度称饱和温度。饱和压力和饱和温度之间有一定的对应关系。

71、钢铁基本组织 (fundamental microstructure of steel) 钢铁中基本显微组织类型包括奥氏体、铁素体、珠光体、贝氏体、马氏体和碳化物等。其中奥氏体、铁素体和马氏体属固溶体(两种或两种以上组元在液态时互相溶解,在固态时也互相溶解而成单一均匀的相,按溶入元素原子位置不同分为置换式、间隙式和缺位式等三种固溶体,奥氏体、铁

监控行业常用名词解释

名词解释 IPC:全称IP camera,即网络摄像机,可以直接通过网络将图片、视频传输出去,另一端可以通过浏览器直接进行浏览。IPC内置A/D转换器和嵌入式芯片,将模拟信号转换成数字信号,可以直接接入交换机。 编码器:英文名称encoder,即将一些数据流或者信号进行编制、转换成可以传输和存储的电信号的工具,在我们的系统中也有将图像模拟信号转换成数字信号的这种编码器。 RAID:全称独立冗余磁盘阵列,简称磁盘阵列,通过RAID技术将图像数据分段分别存储在不同的磁盘上,可以实现在一个磁盘出现故障的时候仍然可以正常工作。 Raid 0:是最简单的形式,没有冗余功能,如果一个磁盘损坏,所有数据都无法使用,可靠性为单独一块硬盘的1/N; Riad 1:又称磁盘镜像,磁盘利用率只能达到50%,是所有RAID中级别最低的; Raid 0+1:在磁盘镜像中建立带区集,提供全冗余能力,允许一个以下磁盘故障,要在磁盘镜像中建立带区集至少4个硬盘。Raid 01是先分区再将数据镜射到两组硬盘上,读写速度快;Raid 10是先镜射再分区,可靠性上不如Raid 01; Raid 5:奇偶校验码存在于所有磁盘上,读出效率很高,写入效率一般 分辨率:分为显示分辨率和图像分辨率,显示分辨率主要针对显示器,指显示器所能显示的像素点有多少,一般情况下,像素点越多显示器能显示的越清晰;图像显示器主要针对图片,指一幅图片所能够包含的像素点,包含的像素点越多越清晰,常用单位是ppi。清晰度:指各细部影纹及其边界的清晰程度,常常将分辨率和清晰度进行比较,两者有共同之处也有不同之处,清晰度一般描述图像和视频,清晰度是矢量上的概念,像素高的图像清晰度不一定高。

半导体名词解释

1. 何谓PIE PIE的主要工作是什幺 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。 2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义 答:8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺 答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm 答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低200→300 面积增加倍,芯片数目约增加倍 5. 所谓的um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义 答:是指工厂的工艺能力可以达到um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。 6. 从>>>> 的technology改变又代表的是什幺意义 答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。从-> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓N, P-type wafer 答:N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module) 答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义 答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而

半导体专业术语英语..

1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 4. Acid:酸 5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大) 6. Align mark(key):对位标记 7. Alloy:合金 8. Aluminum:铝 9. Ammonia:氨水 10. Ammonium fluoride:NH4F 11. Ammonium hydroxide:NH4OH 12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅) 13. Analog:模拟的 14. Angstrom:A(1E-10m)埃 15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH) 16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率) 17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻) 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher:去胶机 24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比) 25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层) 26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前) 27. Baseline:标准流程 28. Benchmark:基准 29. Bipolar:双极 30. Boat:扩散用(石英)舟 31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip:碎片或芯片。 36. CIM:computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 38. Cleanroom:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。

【参考借鉴】快消行业专业术语.doc

快消行业专业术语 (KA、TG、MT、CR-TT、OTCR、SKU、DC、DSD、OEM、POP、4P、4C、SWOT、FAB、USP……究竟是什么意思? 许多初入快速消费品、小家电行业销售领域的童鞋,碰到上述英文销售术语时,往往一头雾水,不知是啥意思。本人现将最常见的150余条英文销售术语整理如下,以飨职场新人: DA(Distribution&Assortment):分销 Location:位置 DisplaR:陈列 Pricing:价格 InventorR:库存 Merchandising:助销 Promotion:促销 KA(KeRAccount):重点客户 GKA(GlobalKeRAccount):全球性重点客户 NKA(NationalKeRAccount):全国性重点客户 LKA(LocalKeRAccount):地方性重点客户 RKA(RetailKeRAccount):零售重点客户 SM(ShoppingMall):大型购物消费中心简称销品茂 HRM(HRpermarket):巨型超级市场,简称大卖场 SPM(Supermarket):超级市场,简称超市 S-SPM(Small-Supermarket):小型超市 M-SPM(Middle-Supermarket):中型超市 L-SPM(Large-Supermarket):大型超市 C&C(Cash&CarrR):仓储式会员店 CVS(ConvenienceStore):便利店 GS(GasStation):加油站便利店 DS(DiscountStore):折扣店 MT(ModernTrade):现代渠道 TT(TradiditionalTrade):传统渠道 OT(OrganizedTrade):现代特殊渠道 OP(OnPremise):餐饮渠道 HBR(Hotel,Bar,Restaurant):旅馆、酒吧、餐馆等封闭性通路 WHS(Wholesaler):批发商 2ndtierWs:二级批发商 DT(Distributor):经销商,分销商 2ndDT:二级分销商 DIST(DistributorSRstem):专营分销商 MW(ManagedWholesalers):管制批发商 PW(PassiveWholesalers):传统批发商 DSD(DirectStoreDeliverR):店铺直接配送

半导体行业的英文单词和术语

半导体行业的英文单词和术语 A 安全地线safe ground wire 安全特性security feature 安装线hook-up wire 按半周进行的多周期控制multicycle controlled by half-cycle 按键电话机push-button telephone set 按需分配多地址demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务demand telecommunication service 按组编码encode by group B 八木天线Yagi antenna 白噪声white Gaussian noise 白噪声发生器white noise generator 半波偶极子halfwave dipole 半导体存储器semiconductor memory 半导体集成电路semiconductor integrated circuit 半双工操作semi-duplex operation 半字节Nib 包络负反馈peak envelop negative feed-back 包络延时失真envelop delay distortion 薄膜thin film 薄膜混合集成电路thin film hybrid integrated circuit 保护比(射频)protection ratio (RF) 保护时段guard period 保密通信secure communication 报头header 报文分组packet 报文优先等级message priority 报讯alarm 备用工作方式spare mode 背景躁声background noise 倍频frequency multiplication 倍频程actave 倍频程滤波器octave filter 被呼地址修改通知called address modified notification 被呼用户优先priority for called subscriber 本地PLMN local PLMN 本地交换机local exchange 本地移动用户身份local mobile station identity ( LMSI) 本地震荡器local oscillator

烘焙行业常用名词解释

高筋面粉——小麦面粉蛋白质含量在 高筋面粉 12.5%以上的。是制作面包的主要原料之一。在西饼中多用于在松饼(千层饼)和奶油空心饼(泡芙)中。在蛋糕方面仅限于高成分的水果蛋糕中使用。

?中筋面粉——小麦面粉蛋白质含量在9-12%之间,多数用于中式点心的馒头、包子、水饼以及部分西饼中,如蛋塔皮和派皮。 ?低筋面粉——小麦面粉蛋白质含量在7-9%之间,为制作蛋糕的主要原料之一。在混酥类西饼中也是主要原料之一。 ?蛋糕专用粉——低筋面粉经过氯气处理,使原来低筋面粉之酸价降低,利于蛋糕之组织和结构。中筋面粉 低筋面粉 蛋糕专用粉

?全麦面粉——小麦粉中包含其外层的麸皮,使其内胚乳和麸皮的比例与原料小麦成分相同,用来制作全麦面包和小西饼等使用。 ?小麦胚芽——为小麦在磨粉过程中将胚芽部分与本体分离,用作胚芽面包之制作,小麦胚芽中含有丰富的营养价值,尤为孩童和老年人之营养食品。?麸皮——为小麦最外层的表皮,多数当作饲料使用,但也可掺在高筋白面粉中制作高纤维麸皮面包。 全麦面粉 小麦胚芽 麸皮

?裸麦粉——是由裸麦磨制而成,因其蛋白质成分与小麦不同,不含有面筋,多数与高筋小麦粉混合使用。 ?麦片——通常是指燕麦片,烘焙产品中用于制作杂粮面包和小西饼等。 ?玉米面——呈小细粒状,由玉蜀黍磨研而成,在烘焙产品中用作做玉米粉面包和杂粮面包,如在大规模制作法式面包时也可将其撒在粉盘上作为整形后面团防黏之用。裸麦粉 麦片 玉米面

?玉米淀粉——又称粟粉,为玉蜀黍淀粉,溶水加热至65℃时即开始膨化产生胶凝特性,多数用在派馅的胶冻原料中或奶油布丁馅。还可在蛋糕的配方中加入可适当降低面粉的筋度等。 ?白油——俗称化学猪油或氢气油,系油脂经油厂加工脱臭脱色后再予不同程度之氢化,使之成固形白色的油脂,多数用于酥饼的制作或代替猪油使用。玉米淀粉 白油

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。 2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义? 答:8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺? 答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低 200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义? 答:是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义? 答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->

0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓 N, P-type wafer? 答:N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)? 答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义? 答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线).一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而 光罩层数(mask layer)代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO(光刻). 10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何? 答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义? 答:Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。 13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分? 答:①前段(frontend)-元器件(device)的制造过程。 ②后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation) 14. 前段(frontend)的工艺大致可区分为那些部份? 答:①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)

半导体行业专业词汇

半导体行业专业词汇 . acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 4. Acid:酸 5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大) 6. Align mark(key):对位标记 7. Alloy:合金 8. Aluminum:铝 9. Ammonia:氨水 10. Ammonium fluoride:NH4F 11. Ammonium hydroxide:NH4OH 12. Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅) 13. Analog:模拟的 14. Angstrom:A(1E-10m)埃 15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH) 16. AQL(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率) 17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻) 18. Antimony(Sb)锑 19. Argon(Ar)氩 20. Arsenic(As)砷 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 22. Arsine(AsH3) 23. Asher:去胶机 24. Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比) 25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层) 26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前) 27. Baseline:标准流程 28. Benchmark:基准 29. Bipolar:双极 30. Boat:扩散用(石英)舟 31. CD:(Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为多晶条宽。 32. Character window:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 35. Chip:碎片或芯片。 36. CIM:computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。

半导体常用英语词汇

MFG 常用英文单字 Semiconductor半导体 导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小,决定了电子的移动速度。 导体:金、银、铜、铁、人、水……导电系数大,传导容易 绝缘体:塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易 半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电 Wafer 芯片或晶圆:原意为法国的松饼,饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似。 Lot 批;一批芯片中最多可以有25片,最少可以只有一片。 Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号,叫Wafer ID。 Lot ID 每一批芯片有自己的批号,叫Lot ID。 Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号,叫Part ID。 WIP Work In Process,在制品。从芯片投入到芯片产品,FAB内各站积存了相当数量的芯片,统称为FAB内的WIP 。 一整个制程又可细分为数百个Stage和Step,每一个Stage所堆积的芯片, 称为Stage WIP。 Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。 Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高,必要时,当Lot在 上一站加工时,本站便要空着机台等待Super Hot Run。 Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级。 Normal的优先级为3,视为正常的等级,按正常的派货原则,或 视常班向生产指令而定。 Cycle time 生产周期,FAB Cycle Time 定义为:从芯片投入到芯片产生的这一段时间。 Stage Cycle Time:Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。 Spec. 规格Specification的缩写。产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。 机台加工后,产品或控片经由量测机台量测,该产品加工后,是否在规格 内。若超出规格﹝Out of SPEC﹞,必须通知组长将产品Hold,并同时通知 制程工程师前来处理,必要时机台要停工,重新monitor,确定量测规格, 藉以提升制程能力。 SPC Statistics Process Control统计制程管制;透过统计的手法,搜集分析资料,

企业专业名词解释

企业专业名词解释 ERP的概念与历程 ERP——Enterprise Resource Planning 企业资源计划系统,是指建立在信息技术基础上,以系统化的管理思想,为企业决策层及员工提供决策运行手段的管理平台。ERP系统集中信息技术与先进的管理思想于一身,成为现代企业的运行模式,反映时代对企业合理调配资源,最大化地创造社会财富的要求,成为企业在信息时代生存、发展的基石。 进一步地,我们可以从管理思想、软件产品、管理系统三个层次给出它的定义: 1.是由美国著名的计算机技术咨询和评估集团Garter Group Inc.提出的一整套企业管理系统体系标准,其实质是在MRP II(Manufacturing Resources Planning,“制造资源计划”)基础上进一步发展而成的面向供应链(Supply Chain)的管理思想; 2.是综合应用了客户机/服务器体系、关系数据库结构、面向对象技术、图形用户界面、第四代语言(4GL)、网络通讯等信息产业成果,以ERP管理思想为灵魂的软件产品;3.是整合了企业管理理念、业务流程、基础数据、人力物力、计算机硬件和软件于一体的企业资源管理系统。 具体来讲,ERP与企业资源的关系、ERP的作用以及与信息技术的发展的关系等可以表述如下: 1. 企业资源与ERP 厂房、生产线、加工设备、检测设备、运输工具等都是企业的硬件资源,人力、管理、信誉、融资能力、组织结构、员工的劳动热情等就是企业的软件资源。企业运行发展中,这些资源相互作用,形成企业进行生产活动、完成客户订单、创造社会财富、实现企业价值的基础,反映企业在竟争发展中的地位。 ERP系统的管理对象便是上述各种资源及生产要素,通过ERP的使用,使企业的生产过程能及时、高质地完成客户的订单,最大程度地发挥这些资源的作用,并根据客户订单及生产状况做出调整资源的决策。 2. 调整运用企业资源 企业发展的重要标志便是合理调整和运用上述的资源,在没有ERP这样的现代化管理工具时,企业资源状况及调整方向不清楚,要做调整安排是相当困难的,调整过程会相当漫长,企业的组织结构只能是金字塔形的,部门间的协作交流相对较弱,资源的运行难於比较把握,并做出调整。信息技术的发展,特别是针对企业资源进行管理而设计的ERP系统正是针对这些问题设计的,成功推行的结果必使企业能更好地运用资源。 3. 信息技术对资源管理作用的阶段发展过程 计算机技术特别是数据库技术的发展为企业建立管理信息系统,甚至对改变管理思想起著不可估量的作用,管理思想的发展与信息技术的发展是互成因果的环路。而实践证明信息技术已在企业的管理层面扮演越来越重要的角色。 信息技术最初在管理上的运用,也是十分简单的,主要是记录一些数据,方便查询和汇总,

半导体名词解释

1)Acetone 丙酮 丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3 性质:无色,具剌激性薄荷臭味的液体 用途:在FAB内的用途,主要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭 毒性:对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤粘膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意 识不明等。 允许浓度:1000ppm 2)Active Area 主动区域 MOS核心区域,即源,汲,闸极区域 3)AEI蚀刻后检查 (1)AEI 即After Etching Inspection,在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后,分别对产品实施主检或抽样检查。 (2)AEI的目的有四: 提高产品良率,避免不良品外流。 达到品质的一致性和制程的重复性。 显示制程能力的指标。 防止异常扩大,节省成本 (3)通常AEI检查出来的不良品,非必要时很少做修改。因为除去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高,以及良率降低的缺点。4)Al-Cu-Si 铝硅铜 金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为T arget,其成份为0.5%铜,1%硅及98.5%铝,一般制程通常是使用99%铝1%硅.后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration) 故渗加 0.5%铜降低金属电荷迁移 5)Alkaline Ions 碱金属雕子 如Na+,K+,破坏氧化层完整性,增加漏电密度,减小少子寿命,引起移动电荷,影响器件稳定性。其主要来源是:炉管的石英材料,制程气体及光阻等不纯物。

6)Alloy 合金 半导体制程在蚀刻出金属连线后,必须加强Al与SiO2间interface的紧密度,故进行Alloy步骤,以450℃作用30min,增加Al与Si的紧密程度,防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值,使R C的值尽量减少。 7)Aluminum 铝 一种金属元素,质地坚韧而轻,有延展性,容易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线,但因其易引起spike及Electromigration,故实际中会在其中加入适量的Cu或Si 8)Anneal 回火 又称退火:也叫热处理,集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火。 a)激活杂质:使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置,以便具有电活性,产生自由载 流子,起到杂质的作用。 b)消除损伤:离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子直接打入芯片而产生的损毁 区(进入底材中的离子行进中将硅原子撞离原来的晶格位置,致使晶体的特性改变)。 而这种损毁区,经过回火的热处理后即可复原。这种热处理的回火功能可利用其温度、 时间差异来控制全部或局部的活化植入离子的功能 c)氧化制程中的回火主要是为了降低界面态电荷,降低SiO2的晶格结构 退火方式: ?炉退火 ?快速退火:脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等) 9)Angstrom 埃(?) 是一个长度单位,1?=10-10米,其大小为1公尺的佰亿分之一,约人的头发宽度的伍拾万分之

半导体物理--专业术语英汉对照-复习版

__________________________________________________ 1 acceptor 受主 2 allowed energy band允带 3 binary semiconductor 二元半导体 4 charge neutrality condition 电中性条件 5 compensated semiconductor 补偿半导体 6 conduction band and valence band 导带和价带 7 effective mass 有效质量 8 density of states function状态密度函数 9 diamond structure金刚石结构 10 diffusion coefficient扩散系数 11 donor施主 12 drift velocity 漂移速度 13 electron and hole电子和空穴 14 elemental semiconductor 元素半导体 15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度 16 expitaxy外延 17 extrinsic semiconductor非本征半导体 18 Fermi energy (or level)费米能级 19 Forbidden energy band禁带 20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体 21 intrinsic semiconductor本征半导体 22 majority carrier多数载流子 23 MBE分子束外延 24 Miller indices密勒指数 25 minority carrier少数载流子 26 mobility迁移率 27 MOCVD金属有机气相沉积 28 nondegenerate semiconductor非简并半导体 29 n-type material n型材料 30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 31 phonon声子 32 photon光子 33 primitive cell原胞 34 quantum state量子态 35 quaternary semiconductor四元半导体 36 scattering散射 37 substrate衬底 38 thermal motion热运动 39 unit cell单胞 40 wave-particle duality波粒二相性 41 continuity equations连续性方程 42 diffusion length扩散长度 43 diffusion coefficient扩散系数 44 Einstein relationship爱因斯坦关系 45 p-n junction p-n结 46 built-in voltage 内建电势差 47 carrier lifetime 载流子寿命

半导体行业专业术语

半导体行业专业术语.txt都是一个山的狐狸,你跟我讲什么聊斋,站在离你最近的地方,眺望你对别人的微笑,即使心是百般的疼痛只为把你的一举一动尽收眼底.刺眼的白色,让我明白什么是纯粹的伤害。悬赏太少了吧~嘎嘎不过尽管如此还是分享下俺的资料(有19800个字,这里发不下,如果还需要就给我小消息~~~):) 移动通讯词汇(中英) A 安全地线 safe ground wire 安全特性 security feature 安装线 hook-up wire 按半周进行的多周期控制 multicycle controlled by half-cycle 按键电话机 push-button telephone set 按需分配多地址 demand assignment multiple access(DAMA) 按要求的电信业务 demand telecommunication service 按组编码 encode by group B 八木天线 Yagi antenna 白噪声 white Gaussian noise 白噪声发生器 white noise generator 半波偶极子 halfwave dipole 半导体存储器 semiconductor memory 半导体集成电路 semiconductor integrated circuit 半双工操作 semi-duplex operation 半字节 Nib 包络负反馈 peak envelop negative feed-back 包络延时失真 envelop delay distortion 薄膜 thin film 薄膜混合集成电路 thin film hybrid integrated circuit 保护比(射频) protection ratio (RF) 保护时段 guard period 保密通信 secure communication 报头 header 报文分组 packet 报文优先等级 message priority 报讯 alarm 备用工作方式 spare mode 背景躁声 background noise 倍频 frequency multiplication 倍频程 actave 倍频程滤波器 octave filter 被呼地址修改通知 called address modified notification

教师专业发展名词解释

1.专业的含义:一般认为,专业是指一群人经过专门教育或训练、具有较高和独特的专门知识与技术、按照一定专业标准进行专门化的处理活动,从而解决人生和社会问题,促进社会进步并获得相应报酬和社会地位的专门职业。 2.教师专业化:是指教师个体和教师群体的专业水平提高以及教师职业的专业地位的确立和提升的过程。具体包括三个层次:一是指教师个体的专业水平提高的过程;二是指教师群体的专业水平提高的过程;三是指教师职业的专业地位的确立和提升的过程。三个层次紧密联系,相互促进。忽视任何一个方面,就会阻碍教师专业化的进程。特点(1)丰富性(2)多样性3)发展性(4)多主体性 3.教师专业发展是指教师内在专业结构不断更新、演进与丰富,成为成熟专业人员的过程。五大内容:专业知识、专业技能、专业伦理、专业精神、专业智慧(简答题:简述教师专业发展的内容。 4.教师专业知识是指教师在教育教学过程中,进行有效教学必须具备的知识、技能等的总称。构成(一)学科专业知识1.学科基础知识和基本技能技巧2.学科发展历史和趋势3.学科认识世界的独特视角和方法4.相关学科的知识(二)教师专业知识1.一般教育学知识 2.一般心理学知识3.学科教育学和心理学知识(三)实践性知识 1.情境性知识 2.操作性知识 3.人际知识 4.自我知识四)普通文化知识 1.人文社会科学类知识2.自然和技术类知识3.工具类知识 4.艺体类知识 5.劳技类知识 6.时政知识5.教师专业技能是指教师在一定教育思想指导下,在已有知识经验基础上,通过实践练习和反思体悟而形成的顺利完成教学任务的一系列教学行为方式和心智活动方式。涵义第一,教师专业技能是一系列教学行为方式和心智活动方式的整体体现。第二,教师专业技能的形成是内外兼修的结果。第三,教师专业技能是教师在已有知识和经验的基础上形成和发展起来的。 6.教师专业伦理是指从事教育教学工作的专业人员遵守的一套行为规范和为实现美好生活而培植自我的内在品格和德性。特点第一,教师专业伦理是规范伦理。第二,教师专业伦理是教师内在的自我德性。第三,教师专业伦理是外在规范与内在德性的统一。教师专业伦理的表现(一)为人师表(二)客观公正(三)有责任感(四)至真至善 7.教师专业精神是指教师对自己所从事的教育事业的敬畏与自豪,对社会、对学生的一种强烈的责任意识,对教育工作的一种精益求精的态度,对自己的一种严格要求和自我发展的意识,是一种专业自律和自我教育的力量。教师专业精神有其独特的作用和意义:第一,它是教师专业价值与功能充分发挥的保证。第二,它促进教师个人的成长与完善。第三,它是影响学生的主要因素之一。第四,它是树立教师良好形象、提高教师社会地位的重要手段 8.教师专业智慧是教师学识、能力、经验、人格等方面的专业要求在教师身上高度综合的结果,又是教师在长期教育教学实践中不断体验、感悟、反思、探索、创造的结果,表现为对教育教学规律的把握,深刻洞悉、深度思考,合理判断与抉择,以及灵

房地产行业常用名词解释

第六部分常用名词解释 第一章规划建设类 总体规划/“七通一平”/双路供电/大工业用电/土地出让/土地转让土地招拍挂/建设用地/用地红线/用地黄线/城市绿线代征道路用地代征绿化用地/建筑密度/容积率/绿化率/轻钢结构/跨度/檐高 拨地钉桩/固定资产投资/基本建设投资/建设环境影响评价报告 项目立项/土地预审/规划意见书/建设工程规划许可证 建筑工程施工许可证/正负零验收/工程招投标/竣工验收 第二章土地开发征用类 土地委托开发补偿费/安置补偿费/防洪费/复垦费 新增建设用地有偿使用费/超转费/土地出让金 第三章财经类 企业所得税/营业税/契税/印花税/土地增值税/城市房地产税 个人所得税/国内生产总值(GDP)/消费者物价指数(CPI) 生产者物价指数(PPI)/金融危机/次贷危机

第六部分名词解释第一章规划建设类 ★城市总体规划:是城市在一定时期内发展的计划和各项建设(或各项物质要素)的总体部署,期限一般为20年。具体内容包括:⑴确定城市性质和发展方向,估算城市人口发展规模,确定有关城市总体规划的各项技术经济指标;⑵选定城市用地,确定规划范围,划分城市用地功能分区,综合安排工业、对外交通运输、仓库、生活居住、大专院校、科研单位及绿化等用地;⑶布置域市道路、交通运输系统以及车站、港口、机场等主要交通运输枢纽的位置;⑷大型公共建筑的规划与布点;⑸确定城市主要广场位置、交叉口形式、主次干道断面、主要控制点的坐标及标高;⑹提出给水、排水、防洪、电力、电讯、煤气、供热、公共交通等各项工程管线规划,制定城市园林绿化规划;⑺综合协调人防、抗震和环境保护等方面的规划;⑻旧城区的改造规划;⑼综合布置郊区居民点,蔬菜、副食品生产基地,郊区绿化和风景区,以及大中城市有关卫星城镇的发展规划;⑽近期建设规划范围和主要工程项目的确定,安排近期建设用地和建设步骤;⑾估算城市近期建设投资。 ★七通一平:指市政基础设施实现道路、给水、排水、供热(含蒸汽)、通讯(含宽带)、供电、天然气及场地平整。 ★双回路供电:是指二个变电所或一个变电所二个仓位出来的同等电压的二条线路。当一条线路有故障停电时,另一条线路可以马上切换投入使用。 ★大工业用电:工业用电分普通工业、非普通工业和大工业用电,区别在于电压等级和用电容量。电压10KV以上,变压器容量在315KVA以上的用户称为大工业用电用户。 ★土地出让:在土地国有的情况下,国家以土地所有者的身份将土地使用权在一定年限内让与土地使用者。 ★土地转让:土地所有人将土地所有权有偿或无偿地转移绘他人。有偿的是买卖,无偿的是赠与或遗赠。土地转让行为只能发生在土地私有制的社会里,我国在农业、手工业和资本主义工商业社会主义改造基本完成之后,土地变私有制为公有制,因而不允许土地转让。但是土地的使用权可以依法转让,受让人仅对土地享有使用权,而所有权仍属于国家或集体。 ★土地招拍挂:《招标拍卖挂牌出让国有土地使用权规范》规定:工业、商业、旅游、娱乐和商品住宅等经营性用地以及同一宗地有两个以上意向用地者的,应当以招标、拍卖或者挂牌方式出让。 其中招标出让国有土地使用权,是指市、县国土资源管理部门发布招标公告或者发出投标邀请书,邀请特定或者不特定的法人、自然人和其他组织参加国有土地使用权投标,根据投标结果确定土地使用者的行为。 拍卖出让国有土地使用权:是指市、县国土资源管理部门发布拍卖公告,由竞买人在指定时间、地点进行公开竞价,根据出价结果确定土地使用者的行为。

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1. acceptor: 受主,如 B,掺入 Si 中需要接受电子20. Asher :去胶机 2. Acid :酸21. Aspect ration :形貌比( ETCH中的深度、宽度比) 3. Active device :有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大)22. Autodoping :自搀杂(外延时 SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层) 4. Align mark(key) :对位标记23. Back end :后段( CONTACT以后、 PCM测试前) 5. Alloy :合金24. Baseline :标准流程 6. Aluminum:铝25. Benchmark:基准 7. Ammonia:氨水26. Bipolar :双极 8. Ammonium fluoride : NH4F 27. Boat :扩散用(石英)舟 9. Ammonium hydroxide : NH4OH 28. CD:(Critical Dimension )临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为 10. Amorphous silicon :α -Si ,非晶硅(不是多晶硅)多晶条宽。 11. Analog :模拟的29. Character window :特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 12. Angstrom :A(1E-10m)埃30. Chemical-mechanical polish ( CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 13. Anisotropic :各向异性(如POLY ETCH)31. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工 14. AQL(Acceptance Quality Level) :接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质艺。 量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)32. Chip :碎片或芯片。 15. ARC(Antireflective coating) :抗反射层(用于 METAL等层的光刻)33. CIM: computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种 16. Argon(Ar) 氩综合方式。 17. Arsenic(As) 砷34. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 18. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷35. Cleanroom :一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 19. Arsine(AsH3)36. Compensation doping:补偿掺杂。向P 型半导体掺入施主杂质或向N 型掺入受主杂质。

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