武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07
武汉科技大学
2005年硕士研究生入学考试试题
课程名称:电子技术总页数:共4页说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。
4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
一、选择填空题:(共30分,每空2分)
1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。
A、电流;
B、电感;
C、电压;
D、电容。
2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于偏置,集电结应处于偏
置。
A、反向;
B、90°;
C、正向;
D、不定。
3、为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插
入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入。
A、共射电路;
B、共集电路;
C、共基电路;
D、不定。
4、多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是,零点
漂移最大的一级是。
A、输出级;
B、输入级;
C、中间级;
D、增益最高的一级。
5、电流源电路在集成运放中,常作为电路和电路。
A、偏置;
B、输入;
C、有源负载;
D、不定。
6、构成反馈通路的元器件是。
A、只能是电阻元件;
B、只能是三极管、集成运放等有源器件;
C、只能是无源器件;
D、可以是无源元件,也可以是有源器件。
7、反馈放大电路的含义是。
A、输出与输入之间有信号通路;
B、电路中存在反向传输的信号通路;
C、除放大电路外还有信号通路;
D、电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路。
8、若希望负载变化时输出电压稳定,则应引入。
A、电流负反馈;
B、电压负反馈;
C、并联负反馈;
D、串联负反馈。
9、当集成运放工作在线性区时,可运用和概念。
A、闭环;
B、开环;
C、虚短;
D、虚断。
二、(10分)写出PN结的伏安特性方程,画出相应的伏安特性曲线,并
依此分析PN结的伏安特性有何特点。
三、(25分)放大电路如图1所示。已知图中R1=1kΩ,R2=300kΩ,
R3=200Ω,R4=1.8kΩ,R5=2kΩ,C1=C2=10μF,C3=100μF,R6=2kΩ,V CC=12V,三极管Q1的V BE=0.7V,β=50,r bb’=200Ω,V T=26mV。
试求:
(1)求静态工作点I B、I C及V CE;
(2)画出微变等效电路;
(3)计算放大电路的电压增益
?
?
?
=
i
o
v
V
V
A/,输入电阻R i和输出电阻
R o。
图1
四、(20分)已知双端输入、双端输出理想的差分放大电路如图2所示。
求解下列问题:
(1)若v i1=1200μV,v i2=200μV,求差模输入电压v id、共模输入
电压v ic的值;
(2)若A VD=150,求差模输出电压v od;
(3)若输出电压v o=1210v i1-1200v i2时,求电路的A VD、A VC和
K CMR的值。
图2
五、(20分)电路如图3所示。设运放A1、A2性能理想,R1=1kΩ,R2=R4=R5=10kΩ,R3=R6=0.98 kΩ,运放均用±15V供电。试求:
(1)放大电路的电压增益A V=V o/V i的值;
(2)当输入电压为直流1V时,电路能否正常工作。
图3
六、(15分)电路如图4所示。已知:D Z的V Z=±6V,R1=R2=10kΩ,R3=20kΩ,运放A1性能理想,其最大输出电压为±12V,稳压管的反向饱和电流和动态电阻均可忽略。要求:
(1)试分析该电路是什么电路。
(2)请画出该电路的传输特性曲线。
图4 图5
七、(15分)逻辑电路如图5所示,图中,A、B、C、D为输入,L为输
出,U1、U2、U3均为异或门。试由逻辑电路写出真值表,并分析该电路的功能。
八、(15分)在图6(a)所示电路中,各触发器的起始状态均为0,U1为异或门,U2为或非门,U3为与非门,信号A和时钟CP的波形如图6(b)所示。试写出各个触发器的输入控制方程、输出方程、次态方程及时钟信号。
图6(a)
图6(b)
2005年研究生入学电子技术试题答案
一、选择填空题:
1.C、电压,A、电流
2.C、正向,A、反向
3.B、共集电路,C、共基电路
4.B、输入级,A、输出级
5.A、偏置,C、有源负载
6.D、可以是无源元件,也可以是有源器件
7.B、电路中存在反向传输的信号通路
8.B、电压负反馈
9.C、虚短,D、虚断
二、P N结的伏安特性方程为:I=I s(e V/V T-1)
I为流过PN结的电流,I s为PN结的反向饱和电流,V为外加电压,V T为温度的电压当量,常温下,V T=26mV。
当外加正向电压,且V比V T大几倍时,I≈I s*e V/V T正向电流随正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态。
当外加反向电压,且V比V T大几倍时,I≈-I s,PN结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而
变,PN结呈反向截止状态。
由PN结的伏安特性方程的分析及其相应的特性曲线可见:PN结具有单向导电性和非线性伏安特性。
三、(1)直流通路: 交流通路:
V CC=I B*R2+V BE+(I B+I C)*(R3+R4),解得:I B=28 A,I C=1.4mA,
V CE=6.4V
(2) r be=r bb’+(1+β)V T/ I E=1.13 KΩ, A V=V o/V i=-[β*( R5|| R6)]/[ r be+(1+β) R3] =-4.4,
R i= R2||[ r be+(1+β) R3]=11 KΩ, R o≈R5≈2 KΩ
四、(1)v id= v i1- v i2=1000μV , v ic=( v i1+ v i2)/2=700μV
(2) v od=A VD* v id=150mV
(3) v o=1210v i1-1200v i2
v o=A VD * v id + A VC * v ic = A VD (v i1-v i2)+ A VC( v i1+ v i2)/2,
A VD=1205, A VC=5, K CMR=241
五、(1)A1、A2 均为典型的反相输入比例运算电路,即有:
u01=-u i*R2/R1,u02=-u01*R5/R4,u o= u02- u01
A V=V o/V i= u o/ u i=20
(2)当u i =1V时,虽然u o=20V,但这是两运放输出端间的
电压,每个运放的输出电压(对地)为:u01=-u i*R2/R1=-10 V,
u02=-u01*R5/R4=10 V,由于运放的工作电压为±15V,故电路
能正常工作。
六、A的外部引入正反馈。u o=±9V,u b2= u o* /(R2+ R3)=±3V,故该电路的阈值电压为U TH1=3V,U TH2=-3V
七、为奇偶校验器。
八、T触发器和J-K触发器是下降沿触发,D触发器是上升沿
触发。
输入控制方程:T1=A;D2=Q Q3;J3=Q2,K3=Q2
输出方程:Z1=Q2+Q3,Z2=Q1·Q3
各触发器的次态方程为:Q1(n+1)=T1 Q1;Q2(n+1)=D2;
Q3(n+1)=J3Q3+K3Q3
各触发器的时钟信号为:CP1=CP2=CP,CP3=Q1
武汉科技大学
2006年硕士研究生入学考试试题
考试科目及代码:电子技术 418总页数:共6页
说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。
4、考试时间3小时,总分值150分。
5、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
二、填空题:(共35分,每空1分)
1、当外加PN结的反向电压超过某一特定电压时,反向电流急剧增大,这
种现象叫。刚开始击穿时,反向电流还不太大,若降低反向电压,PN结仍能正常工作,这种还未损坏PN结的击穿称为。
若继续提高反向电压,流过PN结的反向电流增大到一定数值时,会使PN结过热而损坏,这种造成PN结损坏的击穿称为。
2、半导体三极管属于控制型器件,在其工作过程中,管子内部
的载流子和载流子都起着导电作用;场效应管属于控制型器件,在工作过程中起主要导电作用的是载流子。
3、半导体三极管工作于放大状态时,发射结应偏置、集电结
应偏置;工作于饱和状态时,发射结应偏置、集电结应偏置;工作于截止状态时,发射结应偏置、集电结应偏置。
4、放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应特性简称为。由
于放大电路对含有多种频率信号的不同而产生的波形失真,称为幅值失真;由于放大电路对信号中不同频率产生的不同而发生的波形失真,称为相位失真。
5、所谓反馈,就是将放大电路量(电压或电流)的一部分或全
部,通过网络,以一定的方式回送到回路,并影响输入量和输出量。
6、一个逻辑函数全部最小项之和恒等于,一个逻辑函数全部最大
项之积恒等于 。
7、将二进制数(1100100)2转换为八进制数的结果为 。 8、函数)(E D C B A F ?+=的反函数F = 。
9、在数字电路中,晶体三极管工作在 状态,即或者在 区,或者在 区。从电路结构上看,数字电路的基本单元电路是
和 。
10、一个五位的二进制加法计数器,由00000状态开始,经过169个输入
脉冲后,此计数器的状态为 。 11、根据功放管静态工作点位置的不同,可以用 、 和
来描述功率放大电路的工作状态。为了提高效率应尽量降低功放管的 ,使静态电流很小或为零。
12、当负反馈放大电路的反馈深度01=+?
?F A 时,会产生 。 二、(10分)一硅稳压管稳压电路如图1所示,其中未经稳压的直流输入
电压U I =18V ,R=1 k Ω,R L =2k Ω,硅稳压管D Z 的稳定电压U Z =10V ,动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。
(4) 试求U O ,I O ,I 及I Z 的值;
(5) 试求R L 值降低到多大时,电路的输出电压将不再稳定。
图1
三、(25分)放大电路如图2所示。已知图中R b1=10k Ω,R b2=20k Ω,
R=2kΩ,R c=1kΩ,C1=C2=10μF,V CC=20V,三极管Q1的V BE=0.7V,β=20,r bb’=200Ω。D Z为理想的硅稳压二极管,其稳压值为U Z=5V。试求:
(1)静态工作点I B、I C及V CE;
(2)画出微变等效电路;
(3)计算放大电路的电压增益
?
?
?
=
i
o
v
V
V
A/,输入电阻R i和输出电阻
R o。
图2
四、(25分)高输入阻抗型场效应管差分放大电路如图3所示。已知
g m=2mS,R L=R d=R S=10 kΩ,V CC=15V。试求:
(4)差模电压增益A VD2,共模电压增益A VC2及共模抑制比K CMR;
(5)当v i1=10 mV时,输出电压v o=?
图3
五、(10分)电路如图4所示。设运放A 1、A 2性能理想,R 1= R 2= R 3= 1k Ω,
R 4=R 5=10k Ω,R 6=1k Ω,运放均用±15V 供电。
(3) 分析电路的反馈极性和组态; (4) 计算放大电路的电压增益i
o
V V V A ?
?
?
=。
图4
六、(15分)电路如图5所示。设运放A 1、A 2性能理想,R 2= R 3,R 4=2R 1。
试求:
(1) 写出放大电路的电压增益i
o
V V V A ?
?
?
=的表达式;
(2) 写出输入电阻i
i
i I V R ?
?
=的表达式,并讨论该电路能够稳定工
作的条件。
图5
七、(15分)电路如图6所示。该电路由四位二进制加法器T692和“异
或”门组成,试分析该电路的功能,并加以简要说明。
图6
八、(15分)单次脉冲发生电路及其输入波形如图7所示。每按动一次按
钮S ,电路能输出一个定宽的脉冲。
(1)分析并画出Q1、Q2的波形;
(2)结合时序波形图简要说明电路工作原理,并指出电路输出的单脉冲的宽度。
图7
2006年硕士研究生入学考试电子技术试题答案
一、填空题:(共35分,每空1分) 1. 击穿,电击穿,热击穿。
2. 电流,多数,少数,电压,多数。
3. 正向,反向,正向,正向,反向,反向。
4. 频率响应,放大倍数,相移。
5. 输出,反馈,输入。
6. 1,0。
7. (144)8。
8. )(E D C B A ++?+。
9. 开关,截止,饱和。逻辑门,触发器。 10. 01001。
11. 甲类,乙类,甲乙类,静态工作点 12.
自激振荡。
二、(10分)
(6) Z L L I U V R R R U >=+?=+?
122
12
18,
Z D 被反向击穿,使输出电压稳定,
故V U U Z O 10==,mA R U I L O O 52
10
===,
m A R U U I O I 811018=-=-=,mA I I I O Z 358=-=-=
(7) 当Z L L
I U R R R U <+?时,Z D 不能被击穿,电路不能稳压。即
10118<+?L L
R R ,则有Ω 三、(25分) (1) 由电路的直流通路可知,基极电位V B 取决于V Z 和V BE , V B =V Z +V BE =5+0.7=5.7V I B =I R2-I R1= mA R V R V V b B b B CC 145.010107 .510207.5203 312=?-?-=-- I C =β I B =20*0.145=2.9mA V CE =V CC -I C R C -V Z =20-2.9*1-5=12.1V r be =r bb’+(1+β) E I m V 26=200+(1+20)9.226=388.3Ω (2) 微变等效电路图略。 (3) ? ? ? =i o v V V A /==?-=-3 .38810203 be C r R β51.5 1 b i R R =2 b R be r ≈be r =388.3Ω,1==C O R R k Ω 四、(25分) (1) 该电路为单端输入、单端输出差分放大电路, A VD2 = )(21 12L d m i o R R g v v == )1010(22 1 ??=5 A VC2=SC OC V V ?? 2= S gs m gs L d gs m R V g V R R V g 2) (222?+-? ? ? = S m L d m R g R R g 21) (?+- S L d R R R 2-≈ = 20 210 10?- =0.125 K CMR =20dB A A VC VD lg =20dB dB 32125.05 lg = (2) 当v i1=10 mV 时,差模信号为v id =10 mV , 共模信号为v ic =5)(2 1 21=+i i v v mV , 则输出电压为 : 38.49)125.0(551022=-?+?=+=VC ic VD id o A v A v v mV 五、(10分) (1) 电压串联负反馈,且交直流兼有。 (2) 因电压串联负反馈,则有:f i V V ? ?≈,所以 6 6 5R R R V V V V A f o i o V += ≈ = ?? ? ? ? =11 六、(15分) (1) A 1为一反相输入的比例运算电路,虽然其输出端的电压也经 A 2反馈到输入回路,由于引入的反馈形式为并联正反馈,但信号源内阻为零,故不影响A 1组成的反相比例运算电路的电压增益,即有: 1 2 R R V V A i o V - == ? ? ? (2) A 2也组成反相输入比例运算电路,则有: i i O O V V R R R R V R R V ?? ?? =--=-=2)(1 234342 因 i i O i R R i V RR R R R V R V V I I I ?? ??? ? ? -=+-=+=1 1121 , 则 1 1 R R RR I V R i i i -= = ? ? ,由其表达式可见,当1R R <时,i R 为负电阻,电路不稳定。所以,要求1R R >,才能使该电路稳定工作。 七、(15分)电路功能为一个四位并行加、减运算电路。其中,被减数为 A 4A 3A 2A 1,减数为D 4D 3D 2D 1。当X=0时, B 4B 3B 2B 1= D 4D 3D 2D 1,电路实现加法运算;当X=1时,B 4B 3B 2B 1= 1234D D D D ,电路实现减法运算。 C 4=0表示有借位信号。 八、(15分) (1)JK 触发器的时钟信号为输入信号CP ,且为下降沿触发翻转,激励信号K 1为高电平“1”,J 1的取值由开关S 的状态决定,复位信号1 D R 由D 触发器的输出2Q 提供; D 触发器,因n n Q D Q ==+1,被接成计数型工作方式,其时钟信号由 Q 1提供,下降沿触发翻转,复位信号则由开关S 的状态提供。 平时,开关S 处于常闭状态,S ’=J 1=2D R =0,一方面使JK 触发器虽有CP 输入,但始终保持0状态不变;另一方面且使D 触发器复位为0,从而解除了对JK 触发器的复位作用。 开关S 一经按下,即刻断开,使S ’=J 1=2D R =1,随之解除了对第二个触发器的复位作用,使两个触发器都进入工作状态。 (2)开关S 一经按下,两个触发器都进入工作状态。JK 触发器在CP 信号的作用下,在Q 1端输出一个宽度T W 为CP 信号周期的单脉冲。对于D 触发器,在Q 1下降沿出现后,其状态转换为1,此时,由于2Q =0,反过来将JK 触发器状态强制为0,使得在开关S 按下的整个时期内,JK 触发器的状态不再转换。 武汉科技大学 2007年硕士研究生入学考试试题 课程名称: 电子技术 418 总页数:共4页 说明: 1) 适用专业:控制理论与控制工程、检测技术与自动化装置、系统 工程、模式识别与智能系统、导航制导与控制、电路与系统。 2) 试题满分为150分,考试时间总共为3小时。 3) 可使用的常用工具:计算器、绘图工具。 4) 所有答案一律写在答题纸上,否则无效。 5) 分析题、计算题必须有分析、计算解题过程,只给出答案的不给 分。 三、填空题:(共30分,每空1分) 9、 整流二极管的整流作用是利用PN 结的 特性,稳压二极管的稳压作用 是利用PN 结的 特性。 10、 半导体三极管属 控制器件,而场效应管属于 控制器件。 11、 按结构不同,场效应管分为 型和 型两大类。 12、 射极输出器的主要特点是:电压放大倍数 、输入电阻 、输出电 阻 。 13、 理想集成运算放大器的放大倍数u A 等于 ,输入电阻i r 等于 ,输出 电阻o r 等于 。 14、 差动放大电路,输入信号251=i v mV ,152=i v mV ,则差模信号为 , 共模信号为 。 15、 如果要提高放大电路的输入电阻并稳定输出电流,应选用 。 16、 十进制数(100)10等于十六进制数 。 17、 连续“同或”299个0的结果是 。 18、 BCD A C B A AD D B A D C B F ++++=的最简与或式为 。 19、 根据触发器的 ,触发器可分为RS 触发器、JK 触发器、D 触发器、 T 触发器等。 20、 为使触发器克服空翻与振荡,应采用CP 触发。 21、 寄存器属于 逻辑电路。 22、 同步时序电路中的触发器均用 个时钟脉冲,异步时序电路中存在 个时钟信号,分别控制不同的触发器。 23、 单稳态电路有 个稳态, 个暂态,其主要用途是 。多谐振荡 器有 个稳态, 个暂态。 24、 为将正弦信号转换成与之频率相同的脉冲信号,可采用 。 25、 八位DAC 电路可分辨的最小输出电压为10mV ,输入数字量为 (10000011)2 时,输出电压为 。 二、(10分) 二极管电路如图1所示。已知二极管的导通电压V D =0.6V ,直流电 阻R D =30Ω,且有E =9V ,R 1=0.6k Ω,R 2=0.3k Ω,R 3=0.4k Ω。试求电路中I 1、I 2和V o 的值。 图1 三、(20分) 放大电路如图2所示。已知图2中R s =0.6k Ω,R b 1=33k Ω,R b2=10k Ω, R c =3.3k Ω,R e1=200Ω,R e2=1.3k Ω,R L =5.1k Ω,C 1=C 2=10μF ,C e =50μF ,V CC =-10V ;晶体管T 的V BE =-0.2V ,β=50,r bb’ =300Ω,V T =26mV 。要求: (8) 求静态工作点I C 及V CE ; (9) 画出微变等效电路; (10) 计算放大电路的源电压增益s o vs v v A = 。 2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳第一部分模拟部分 第1章半导体二极管 1.1 考点归纳 一、半导体基础知识 1.半导体的分类 (1)本征半导体 ①概念 本征半导体是指纯净的具有晶体结构的半导体。 ②载流子:自由电子和空穴。 ③本征激发 受光照或热激发,半导体中共价键的价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚,成为自由电子,此时共价键中留下一个空位,即空穴。 (2)杂质半导体 ①N型半导体 N型半导体是通过掺杂具有5个价电子的施主杂质形成的,如锑、砷和磷。自由电子浓度远大于空穴浓度,因此电子为多数载流子,空穴为少数载流子,显电中性。 ②P型半导体 P型半导体是通过掺杂具有3个价电子的受主杂质形成的,如硼、镓和铟。空穴浓度远大于自由电子浓度,因此空穴为多数载流子,电子为少数载流子,显电中性。2.半导体特性 半导体导电性能的两个重要特性:掺杂特性与温度特性。掺杂浓度增大,温度升高,导电能力增强。 二、PN结 1.PN结的形成 (1)耗尽区 PN结是指由P型半导体和N型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区,又称耗尽区。 (2)内电场 在空间电荷区的两侧,P区带负电,N区带正电,形成内电场,方向由N区指向P 区,可以阻止载流子的运动。 2.PN结的单向导电性 (1)正向导通 PN结外加正向电压时,与内外电场方向相反,外电场的存在削弱内电场,使耗尽区变窄,促进扩散运动,从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN结表现为一个阻值很小的电阻。 (2)反向截止 PN结外加反偏电压时,内电场和外电场的方向相同,增强内电场,使耗尽区变宽,形成了较小的反向电流。反向偏置的PN结表现为一个阻值很大的电阻。 3.PN结反向击穿 PN结的反向击穿是指当PN结的反向电压逐渐增加到一定数值时,反向电流会突然快速增加的现象。 (1)电击穿 电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是() 电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门: xxx 时间: xxx 整理范文,仅供参考,可下载自行编辑 触发器,输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下, A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则的是<) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<) A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<) A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为<) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为<) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为<) A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分)<对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴< ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降< ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开<) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<) 注:将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里, 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.<10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: <1)R开路;<2)RL开路;<3)稳压二极管V接反; <4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.<16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: <1)列出状态表,状态转换图; <2)说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题,每小题2分,共30分) 二、判断题<本大题共5小题,每小题3分,共15分) 三、填空题<本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.不确定,翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题,共30分,要求写出演算过程) 26. 27.解:稳压二极管V接反,变成正向偏置,稳压二极管正向导通时,压降是0.7V 28.解:计数前,各触发器置0,使Q2Q1Q0=000 。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题 《电子技术基础》研究生入学考试大纲 课程名称:模拟电子技术、数字电子技术 一、考试的总体要求 模拟电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能分析计算基本放大电路、集成运算放大电路等模拟电子电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 数字电子技术主要考察学生对基本概念、基本理论及基本方法的掌握程度,要求学生能够运用基本理论分析、设计组合逻辑电路及时序逻辑电路并具有综合运用所学知识分析和解决实际问题的能力。 二、考试内容及比例: 模拟部分: 1、半导体器件(5~10%) (1)理解二极管单向导电特性,掌握二极管伏安特性; (2)理解三极管放大原理,掌握三极管的输入、输出特性曲线; (3)掌握MOS管的转移特性曲线、漏极特性曲线。 2、放大电路的基本原理(20~25%) (1)掌握基本放大电路的结构、工作原理及静态工作点计算; (2)掌握放大电路微变等效电路分析法,理解放大电路的图解分析法。 3、放大电路的频率响应(5~10%) 放大电路的上限频率、下限频率、通频带的概念。正确理解Bode图。 4、集成运算放大器(10~20%) (1)理解零点漂移的概念,理解差动电路克服温漂的原理; (2)掌握差动电路的分析与计算。 5、放大电路中的反馈(5~10%) (1)理解反馈的概念,掌握反馈类型的判断方法,能根据要求引入负反馈; (2)理解反馈对放大器性能的影响; (3)掌握放大电路在深度负反馈条件下的分析计算; (4)理解自激的概念,能根据波特图判断负反馈放大电路是否自激。 6、摸拟信号运算电路(20~25%) (1)理解集成运放电路中“虚短”、“虚断”概念。 (2)掌握基本运算电路的工作原理及分析计算。 7、信号处理电路(10~15%) 掌握信号处理电路原理及分析计算。 8、波形发生电路(10~20%) (1)掌握正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅措施及分析计算; (2)能用相位平衡条件判断各种振荡电路能否起振。 9、功率放大电路(15~20%) OCL、OTL电路的工作原理及分析计算。 10、直流稳压电源(0~10%) (1)整流电路的工作原理及分析计算; (2)电容滤波电路的工作原理及分析计算; (3)稳压电路的工作原理及分析计算。 数字部分: 一、逻辑代数基础(5~10%) (1)逻辑代数基本概念、公式和定理; (2)逻辑函数的化简方法。 二、门电路(15~20%) (1)掌握分立器件门电路的分析方法; (2)理解TTL集成门电路的结构特点,掌握其外特性; (3)理解COMS集成门电路的结构特点,掌握其外特性。 三、组合逻辑电路(30~40%) (1)掌握组合逻辑电路的分析方法及设计方法; (2)熟悉典型组合逻辑电路的设计及逻辑功能表示方法; (3)掌握用中规模集成芯片MSI(译码器、数据选择器等)实现组合逻辑函数。 四、触发器(15~20%) (1)熟悉触发器电路的结构特点; (2)掌握各种结构触发器的功能特点、功能表示方法及应用。 中南大学网络教育课程考试(专科)复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 电子技术基础试卷 一、填空题(20分) 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络,即________。 10、负反馈放大电路有四种类型:___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型:_______、_______、_______和_______。 二、判断题(1—5题每题2分,6—15题每题1分,共20分) 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2 3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态,T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题(1题12分,2题13分,3题15分,共40分) 1、设计一反相加法器,使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4),允许使用的最大电阻为280kΩ,求各支路电阻。 共4页 第1页 《电子技术基础》考试试题 时量:120分钟 总分:100分 (每小题1.5分,共15分)单项选择题: 1、某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V ,接入12K Q 的负载 电阻后,输出电压降为 3V ,这说明放大电路的输出电阻为 A. 10K Q B.2 K Q C.4 K Q D.3 K Q 2、 稳压二极管工作于伏安特性曲线的 ________ 区。 A.正向特性 B. 反向饱和特性 C.反向击穿特性 D. 不确定 3、 为了使高内阻信号源与低阻负载很好地配合,可以在信号源与 低阻负载间接入 ______ 。 A.共射电路 B. C.共集电路 D. 4、多级负反馈放大电路在下列 A.回路增益AF 大 B. C ?闭环放大倍数很大 D. 放大器的级数少 5、 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要 区别是,前者的运放通常工作在 ________ 。 A .开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C.放大状态 D. 线性工作状态 6、 差分放大电路由双端输入变为单端输入,差模电压增益则 A.增加一倍 B. 为双端输入时的1/2 C.不变 D. 不确定 7、对于有二个输入变量和一个输出变量的逻辑问题,由于状态赋 值的不同,列出的真值表可以有 _________ 。 A. 一种 B.二种 C.三种 D.四种 8 A ? B 函数表达式为 ________ : 共基电路 共集一共基串联电路 —情况下容易引起自激。 反馈系数小 C. A B D. AB AB 共4页 第2页 A. AB AB B. A+B 9、 与函数式 A+ABC 相等的表达式为 _________ 。 A. A+B B. A+C C. A+BC D. BC 10、 将二进制数(1110100) 2转换为十进制数应为 ________ 。 A. 15 B. 116 C. 110 D. 126 、(本题10分)用图1所示的1片双4选1的数据选择器,搭建一 位全加器电路,该电路的输入变量为 A (加数)、B (加数)、C I (低 位来的进位信号);输出变量为S (和),C O (向高位的进位信号)。 三、 (本题10分)用卡诺图化简下列逻辑函数为最简与或表达式。 1. 丫1 二' m (0,1,2,5,6,7,8,9,13,14) 2. 丫2「m (0,2,4,5,7,13) ' d (8,9,10,11,14,15) 四、 (本题10分)电路如图 2所示,试画出在所示 C 脉冲作用下 QI 和Q2端的信号波形,设两个触发器的初始状态为 0。 注意事项:1.本试卷共12道大题,满分150分; 2.本卷属试题卷,答案一律写在答题纸上,写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁,不要在试卷上涂划; 3.必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题,其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一 填空题(本题共14小题除标注外每空1分,共30分) 1、设VD 1、VD 2的正向压降为0.3V ,试分析在不同的U 1、U 2组态下,VD 1、VD 2是导通还是截止,并求U O 的值,把正确答案填入表内。(每三空1分) 2、图中 VT 为小功率锗晶体管当R b 不同时,VT 可能处于放大、饱和、截止状态。把不同状态下基射极电压U BE 、集射极电压U CE 的大致数值范围填入表内。(每三空1分) V CC 3、某放大电路在接有2Ωk 负载电阻时,测得输出电压为3V ,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V ,说明该放大电路的输出电阻为 ________________。 U 2 U VD 1 4、某放大电路当接接入一个内阻等于零的信号源电压时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1Ω k,其它条件不变时,测得输出电压为4V,说明该放大电路的输入电阻为________________。 5、下限截止频率为10Hz的两个相同的单级放大电路连接成一个两级放大电路,这个两级放大电路在信号频率为10Hz时,放大倍数的幅值下降到中频放大倍数的________________倍,或者说下降了________________dB,放大倍数的相位与中频时相比,附加相移约为________________度。(每空0.5分) 6、试在下列空格中填写合适数值。(每空0.5分) 在两边完全对称的差分放大电路中,若两输入端电压u I1=u I2,则双端输出电压u O=___V;若u I1=1mV,u I2=0mV,则差分放大电路的差模输入电压u Id=___mV,其分配在两边的一对差模输入信号为u Id1=___mV,u Id2=___mV,共模输入信号u Ic=___mV。 7、电路如图所示,A1、A2为理想运算放大器。A1组成电路,A2组成电路,VD1、VD2和R组成的电路起作用,u O与u I的关系说明整个电路构成的是电路。 u I O 8、在如图所示电路中,已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1=6.3V,VD Z2的稳定电压 U Z2=7.7V,它们的正向导通电压U D均为0.7V,U I和R的取值合理,U I的实际极性和U O1~U O4的假设极性如图中所标注。(每空0.5分) 填空: U O1=V,U O2=V,U O3=V, U O4=V。 电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间:90分钟 满分:100分 一、 选择题 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2.测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4.由NPN 管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是 ( ) (A )饱和失真 (B ) 截止失真 (C ) 频率失真 5.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量 ( ) (A )增加 (B )减少 (C )不变 6.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 7.晶体三极管工作在饱和状态时,满足( ) A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8.稳压二极管正常工作时应工作在( )区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示,则电路的增益i o F X X A 为( )。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10.图示电路中,AB 之间电压V 对应的方程式为( )。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题: 1.N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2.PN 结具有_________特性。 3.利用半导体材料的某种敏感特性,如_______ 特性和_______ 特性,可以制成热敏电阻和光敏元件。 4.画放大器直流通路时,_______视为开路,画交流通路时,藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5.理想运放的输出电阻是________,输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路,若其输入交流电压有效值为10V ,则整流后的输出电压平均值等于______。 X o 模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识,随后重点阐述了半导体二极管、晶体管(BJT)和场效应管(FET)的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件,因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习,应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数,并熟悉半导体相关基础知识,最后需要了解半导体器件的选用原则,为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件,所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料,所以在学习半导体器件之前,需要了解一些半导体的基本名词术语(见表1-1-1)。 表1-1-1 半导体基本名词术语 二、半导体二极管 1二极管的结构和分类(见表1-1-2) 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样,二极管具有单向导电性,但由于二极管结构上的不同,具体的伏安特性与PN结又有区别(见表1-1-3)。 表1-1-3 二极管的伏安特性 3二极管的主要参数 为描述二极管性能,常引用以下几个主要参数(见表1-1-4)。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性,这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析,常在一定的条件下,用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性,并取代电路中的二极管,称为二极管的等效电路,也叫等效模型(见表1-1-5)。 表1-1-5 二极管等效电路 5稳压二极管 稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定的功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管 电子技术基础试题(八)一.填空题:(每题3分,共30分) 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点,起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时,负载获得的功率最 大,这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有:______类功放, ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较,前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________,以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9.逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10.主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二.选择题(每题3分,共30分) 1.晶体管二极管的正极的电位是-10V,负极电位是-5V,则该晶体 二极管处于:( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2.若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时,使该三极管:()。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中,每级电压放大倍数为Av,则总的电压放大倍数:()。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是:()。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单,但最大的缺点是:()。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6.有两个2CW15稳压二极管,其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接 入电路,这时组合管的稳压值是:( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7.为了减小开关时间,常在晶体管的基极回路中引入加速电容,它的 一、单选题(每题2分,共20分) 1. 为提高共模抑制比应采用( ) A. 共射放大电路 B. 共基放大电路 C. 多级放大电路 D. 差动放大电路 2. 由理想二极管构成的限幅电路如图1所示, 当输入电压V V i 9=时,输出电压o V 为 ( )。 A. 3V B. 9V C. 15V D. 6V 3. 在乙类功率放大电路中,三极管在信号的( )内导通。 A. 一个周期 B. 半个周期 C. 四分之一周期 D.四分之三周期 4. 若一无零单极点系统,极点频率610H f Hz =,中频电压增益dB A I 100=,则 710f Hz = 时,增益为( )dB 。 A. 100 B. 40 C. 20 D. 80 5. 差分放大电路由双端输入改为单端输入,则差模电压放大倍数( )。 A .不变 B .提高一倍 C .提高两倍 D .减小为原来的一半 6. 在开环放大电路中引入( )负反馈,可使输入电阻增大. A. 电压 B.电流 C.串联 D.并联 7. 反相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于( ) A. 电压并联负反馈 B. 电流串联负反馈 C. 正反馈 D. 电压串联负反馈 8. 在桥式整流电路中接入电容C 滤波后,输出直流电压较未加C 时( ) A. 不变 B. 降低 C.升高 D. 不定 - V O + - 9. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为100,反馈系数为0.09,则闭环放大倍数为( ) A. 0.02 B. 100 C.25 D.10 10. 功放电路采用甲乙类工作状态的原因是为了消除( )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C.截止失真 D.频率失真 二、简答题(共16分) 1.(5分)单相直流稳压电源电路如图2所示, (1)指出它由哪几部分组成,并写出它们的名称; (2)当电路正常工作时,V O =? 2.(5分)某OCL 互补对称电路如图3所示,已知三极管T 1 、T 2的饱和压降为V V CES 1=, V V CC 18=,Ω=8L R 。 (1)计算电路的最大不失真输出功率max O P ; (2)计算电路的效率。 O v 2021年电子技术基础考研题库 2021年电子技术基础考研题库【考研真题精选+章节题库】(上册) 目录 第一部分考研真题精选 一、填空题 二、选择题 三、分析题 第二部分章节题库 第1章数字逻辑概论 第2章逻辑代数与硬件描述语言基础 第3章逻辑门电路 第4章组合逻辑电路 第5章锁存器和触发器 第6章时序逻辑电路 第7章半导体存储器 第8章CPLD和FPGA 第9章脉冲波形的变换与产生 第10章数模与模数转换器 第11章数字系统设计基础 ? 试看部分内容 考研真题精选 一、填空题 1(10100011.11)2=______10=______8421B C D。[电子科技大学2 009年研] 【答案】163.75;000101100011.01110101查看答案 【解析】二进制转换为十进制时,按公式D=∑k i×2i求和即可,再由十进制数的每位数对应写出8421BCD码。 2数(39.875)10的二进制数为______,十六进制数为______。[重庆大学2014年研] 【答案】100111.111;27.E查看答案 【解析】将十进制数转化为二进制数时,整数部分除以2取余,小数部分乘以2取整,得到(39.875)10=(100111.111)2。4位二进制数有16个状态,不够4位的,若为整数位则前补 零,若为小数位则后补零,即(100111.111)2=(0010 0111. 1110)2=(27.E)16。 3(10000111)8421B C D=______2=______8=______10=______16。[山东大学2014年研] 【答案】1010111;127;87;57查看答案 【解析】8421BC D码就是利用四个位元来储存一个十进制的数码。所以可先将8421BCD码转换成10进制再进行二进制,八进制和十六进制的转换。 (1000 0111)8421B C D=(87)10=(1010111)2 2进制转8进制,三位为一组,整数向前补0,因此(001 010 1 11)2=(127)8。 同理,2进制转16进制每4位为一组,(0101 0111)2=(57)16。 4(2B)16=______2=______8=______10=______8421B C D。[山东大学2015年研] 【答案】00101011;53;43;01000011查看答案 【解析】4位二进制数有16个状态,因此可以将一位16进制数转化为4位二进制数,得到(2B)16=(0010 1011)2;八进制由0~7八个数码表示,可以将一组二进制数从右往左,3位二进制数分成一组,得到(00 101 011)2=(53)8;将每位二 座号 XXX2012—2013学年度第二学期期末考试试卷 职高二 《电子技术基础与技能》 题 号 一 二 三 四 总 分 得 分 (本试卷满分100分,考试用时120分钟) 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的表格内错选、多选或未选均无分。 1.触发器与组合逻辑电路比较( ) A.两者都有记忆能力 B.只有组合逻辑电流有记忆能力 C.只有触发器有记忆能力 D.两者都没有记忆能力 2.与非门构成的基本RS 触发器,输入信号S =0,R =1,其输出状态是( ) A.置1 B.置0 C.不定 D.保持 3.RS 触发器不具备 功能( ) A.置 1 B.置0 C. 保 持 D.翻转 4.某计数器逻辑功能每5个时钟脉冲循环一次,且在每次循环过程中每来一个脉冲计数器新态加1,则该计数器是( ) A.二进制加法器 B.五进制加法器 C.十进制加法器 D.五进制减法器 5.8421BCD 码是常见的二—十进制码,下列 是8421BCD 码禁用码( ) A.1001 B.0111 C.1010 D.0101 6.下列说法正确的是( ) A.Q=0称触发器处于0态 B. Q=0称触发器处于1态 C.Q =0称触发器处于0态 D.Q =1称触发器处于1态 7. JK 触发器在时钟脉冲作用下,触发器置1,其输入信号为( ) A.J=1,K=1 B. J=0,K=0 C. J=1,K=0 D. J=0,K=1 8. D 触发器在CP 脉冲作用下,1 n Q =( ) A.1 B.D C.0 D.n Q 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是( ) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是( ) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是( ) A.31 B.32 C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为 的计数器( ) A.n???????? ? B.2n C.n 2??? ???? ???D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为( ) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为( ) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为( ) A.50V B.60V C.72V D.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴 ( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显着下降 ( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开 ( ) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域 ( ) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 ( ) 注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK 触发器可避免RS 触发器 状态出现。与RS 触发器比较,JK 触发器增加了 功能; 22.寄存器存放数码的方式有 和 两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线; 24.常见的滤波器有 、 和 ; 25.现有稳压值为5V 的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V 0= 。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 ----------------------------------------------密-----封-----线-----内-----不-----准-----答-----题--------------------------------------------------------------------------------- 第 1 页 共 3 页姓名 : 报 考 专 业 : 准 考证号 码: 密 封 线 内 不 要 写 题2017 年全国硕士研究生招生考试初试自命题试题科目名称:统计学基础(A 卷□B 卷)科目代码:602□√考试时间:3小时 满分 150 分可使用的常用工具:无 □计算器 □直尺 □圆规(请在使用工具前打√)□√注意:所有答题内容必须写在答题纸上,写在试题或草稿纸上的一律无效;考完后试题随答题纸交回。一、选择题(10小题,每小题5分,共50分)1、下面几种抽样方式中,哪种不是概率抽样( )A 、简单随机抽样 B 、方便抽样 C 、分层抽样 D 、系统抽样2、为了描述展示三个变量之间的关系,适合采用的图形是( )A 、散点图 B 、气泡图 C 、雷达图 D 、箱线图 3、如果峰态系数小于0,则该组数据是( )A 、左偏分布 B 、右偏分布 C 、扁平分布 D 、尖峰分布4、一组数据的离散系数为0.4,平均数为10,则标准差为( )A 、8 B 、0.02 C 、4 D 、805、对于右偏分布,平均数、中位数和众数之间的关系是( )A 、中位数>平均数>众数 B 、平均数>中位数>众数 C 、众数>中位数>平均数 D 、众数>平均数>中位数6、下列分布中可用来描述某一段时间内某一事件出现次数的是( )A 、两点分布 B 、二项分布 C 、泊松分布 D 、尖峰分布7、设总体服从正态分布,抽取容量为的简单随机样本,则样本均值的2(,)N μσn 抽样分布( )A 、服从正态分布 B 、近似服从正态分布 C 、不服从正态分布 D 、不确定8、下列不是次序统计量的是( ) A 、中位数 B 、均值 C 、四分位数 D 、极差 9、关于置信水平,下列说法正确的是( ) A 、置信水平越大,估计的可靠性越大 B 、置信水平越小,估计的可靠性越大 刘A学长1104405515,致力于考研真题、答案、笔记、考研信息咨询辅导 第一部分:模拟电路 一、填空题(共10分,每小题2分) 1、由二极管D和正偏直流电源V,交流信号源υs及负载R L构成的串连电路,当V=3V时,测得R L上的交流压降υL=100mV。若调节V=4V,其他参数不变,则υL100mV。 2、基本放大电路的静态工作电流调得太大,容易产生失真,这种失真属于失真。 3、放大器中的噪声是是放大器中所造成的。放大器的噪声系数N F的定义是:。 4、某负反馈放大电路,其开环增益Ag=100mS,反馈系数Fr=10KΩ,开环输入电阻R i=3KΩ,则其闭环输入电阻R if =。(R i 和R if 均为未考虑偏置电阻的输入电阻) 5、由集成运放构成的非正弦波信号(三角波、矩形波、锯齿波)发生电路,通常由 和电路两部分组成。 二、分析与计算题 1.(8分)对于增强型n沟MOSFET , 1)写出其在线性区的伏安特性表达式; 2)在V DS>>2(V GS-V TH)条件下,写出上述伏安特性表达式的近似表达式; 3)已知MOSFET的μn·Cox=50μA/V2,V TH=0.7V, 当V GS=2.5V ,求此时该MOSFET的等效导通电阻R ON=? 2.(10分)两相同单级放大器组成二级放大器,回答如下问题1)在其单级放大器的截止频率处,二级放大器的放大倍数比其单级中频放大倍数下降多少dB? 2)为保证二级放大器的上限频率为106Hz,下限频率为156Hz,计算每个单级放大器的上限频率和下限频率分别应为多少? 3.(6分)一理想运算放大器组成的电路如图所示,试求该电路的输入电阻R i表达式。 4. (12分)在下图所示的多级运算放大电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运放电路: 1)写出计算υO1、υO2、υO 的表达式 2)若 R 3=R 5=R f1=R f2 =200K Ω,R 1=R 2=R 4=R 7=20K Ω,C =5μF ,t =0 时,加入阶跃信号υi 1=-0.1V,υi2=0.3V, 而电容C 上的初始电压υC =0,求需经过多长时间使υO =5V ? 5.(15分)在下图(a )所示的单极放大电路中,场效应管T 的转移特性如下图(b )所示。已知+V DD =+15V ,R D =15k Ω,R S =8 k Ω,R G =100 k Ω,R L =75 k Ω;要求 (!)用近似方法计算电路的静态工作点;(提示:T 的伏安特性方程可近似为:2 P GS D 1???? ??U U I I DSS -=,U GS =-I D ×R S ,U P 为夹断电压)。 (2)计算放大器的输入电阻 R i 和输出电阻 R o ; (3)计算场效应晶体管的跨导 g m ; (4)计算放大器的电压放大倍数 A u ; 6、(14分)下图所示RC 桥式振荡电路中,设运放A 为理想组件,设R =3.9K Ω, C =0.01μF ,R T =15K Ω,+V CC =+15V ,-V CC =-15V ,试回答如下问题:2021年考研《电子技术基础》考研真题与考点归纳
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