薄膜电容的优点

薄膜电容的优点
薄膜电容的优点

用于风车发电的高压薄膜电容器

技术分类: 电源技术 | 2007-05-15

风力是全球范围内快速发展的一个市场。矿物燃料的高价和对环境影响的关注是其两大推动因素。此外,风车发电的效率也不断提高。原因之一在于发电系统内的高电压,其中电容器实际位于变流器的内部(见图1)。

直流电滤波功能在于修匀电压波形并限制波纹电压的量级。具备最高至48000mF 的超高电容值的薄膜电容器确实能够对风力发电站有所助益。以前的许多风力系统都使用电压在500VDC 左右的电容器,但今天电压范围却在600VDC~1800VDC。在这一范围内,非气体浸渍的薄膜电容器比之前采用的电解电容器更具技术优势。

薄膜电容器的一大优点在于克服内部缺陷的能力。用于直流电滤波电容器的最新介电薄膜覆有很薄的金属层。如果存在缺陷,金属会升华并由此将缺陷隔离,有效地自行恢复电容器。鉴于风力系统通常位于偏远区域,这一功能可以大大降低维护成本,确保在安装的系统中获得更高的使用效率。

薄膜与铝技术比较

基于现有的干膜技术,电压梯度在放电应用和直流电滤波应用中分别可达500V/mm 以上和250V/mm。这些薄膜电容器的设计符合CEI 1071标准。也就是说,它们可以应付最高相当于额定

电压两倍的多重电压浪涌而不会大幅减低产品使用寿命。与此同时,设计师在具体确定系统时只需说明标称电压要求。

通过比较,由于加工技术的原因,电解电容器中使用的铝箔厚度是达到高电压的关键因素。但是,出于平衡,电压越高,可用电容就越低。此外,相比低电压的150kΩ/cm,高电压(500V)电解质导电率可达5kΩ/cm 。同时,较之薄膜电容器的1A/mF,这也将均方电流值限制在约20mA/mF。对直流电连接电容器的一大要求是其处理波纹电流的能力。在这一方面,薄膜电容器优势明显。采用铝电解需要使用多个电容器。原因不在于电容值,而仅仅是为了处理电流。运用薄膜电容器意味着设计师只需考虑系统所需的最小电容值。由此,采用薄膜技术的设计通常更节省空间。为达到目前设计和使用的系统所需的高电压,有必要将多个电解电容器串联连接,由此还需平衡电压。这需要在每个电容器上连接一个电阻器,原因在于每个装置的绝缘电阻各不相同。

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采用电解电容器需要注意的另一个问题是,如果发生反向电压或高于额定电压1.5倍的过电压,其将导致化学反应。如果持续时间够长,电容器将完全失效。这在由于电解质蒸发而导致电容器爆炸或放压时可能发生。为避免这种情况,系统设计师需要并联连接一个二极管以消除电势问题。这就是说,虽然就技术而言,铝电解可以串联以达到现有风力应用所需的高电压,但其中还存在一些重要不足,需要启用额外组件或谨慎设计来确保成功运作。另一个问题是浪涌电压。铝电解抵御浪涌电压的能力限制在标称电压的1.2倍左右。也就是说,设计师在具体确定这些电容器的类型时必须将浪涌电压考虑在内。

高压薄膜电容器(1200V 以上),最高工作电压可达100kV。这些电容器连同之前讨论的干膜技术可以认作为是环保解决方案,因为它们不使用酸,因此对系统本身没有危害。 两种类型的薄膜电容器同时还可以任意存储,和电解电容器不同,它们并没有“干枯”/耗尽的问题。

不过,薄膜电容器的主要优点还在于预期寿命。我们的内部数据显示,AVX 的自控自复直流电滤波电容器在运行10万小时之后最高只有2%的电容降低。加上与铝电解相比,装置发生完全失效的可能微乎其微。也就是说,在安装的风力系统的整个使用寿命期间都无需更换电容器。可以为用户省下大笔的维护费用。

总结

系统电压在风力/风车应用中持续增高。随着电压要求的提高,其已越过对铝电解来说代表一大难关的600V 界限。铝电解电压有限,需要串联连接以适于这一应用。就空间而言,这将大大增加成本,在设计和安装方面也更加复杂。薄膜电容器(干膜和无毒有机油浸类型两种)具有突出的技术优势,包括更长的使用寿命、环保性能以及处理各种极易发生的“应用中”技术问题的能力(过电压和反向电压)。 考虑到这些系统通常用于偏远区域,要求尽量减少维护并降低故障时间,在这类直流电滤波应用中使用薄膜电容器的好处不容质疑。

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电容器用金属化薄膜

电容器用金属化薄膜 1范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/-2003计数检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验计划 GB/-××××电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法 3术语 3.1 3.2基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3 3.4金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7

3.8留边margin 为实际制作电容器需要,将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边,其宽度称为留边量。 3.9 3.10方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻,用Ω/□表示,通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 4分类 4.1产品类型 MPPA(MPETA)——单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图1-图3。 图1图2图3 MPPAD(MPETAD)——双面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图4和图5。 图4图5 MPPAH(MPETAH)——边缘加厚金属层的单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图6。 图6 MPPAZ(MPETAZ)——单面锌铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图7。

固态电容全面分析

四:固态电容全面分析 第一点,固态电容为高频电解电容,受此范围限制,高频电容普遍容量做的都不高,固态电容在耐压超过16V后容量显著减小,到20V 为330UF,25V,35V均为220UF。50V56UF,63V39UF。高频电容还有一点就是在低频情况下,性能不太好,阻抗很大,工作频率在100KHz 到300KHz效果最理想。第二点,固态电容受体积限制,不同于铝电解,体积可以理论上无限大,而且由于技术材料不同,最高电压仅63V。最低电压2.5V。所以限制了很多的用途,比如电源的输入端无法选用。第三点,固态电容成本高,是铝电解电容的数倍。材料工艺各不相同,而且没有全球化大规模的生产,目前全球生产厂家大约在10-15家。量没走的上去,成本高是在所难免的。第四点,关于固态电容的选型。滤高频的情况下,固态电容的容量可以选择液态铝电解容量的1/4到1/5。电压无须抛高。例如工作电压2.4V纹波电压不超过2.8V就可以选用2.5V的固态电容,如果纹波电压超过2.8V就要选用4V的了。不过选型毫无疑问也是受到实际线路板的设计限制,具体情况具体分析。第五点,固态电容的寿命问题。固态电容的标准寿命为105度2000H,95度6600小时,85度20000H,75度66000H,65度200000H。20万小时超过20年。第六点,固态电容的温度特性。固态电容耐温性能非常良好,由于内部电解质为固体,没有电解液的沸点,冰点等诸多问题,永不爆浆。而且更加耐高低温,在温度105度工作环境下,依然运行良好,-55度时依然能够工作,容量损失不大。 固态电容的PEDT专利到期,固态电容可望取代传统电容 综合媒体报道,台湾铝质电解电容器厂商近几年来都积极投入固态电容研发制造行列,不过由于桌面计算机需求减缓、日系厂商产能大增之下,固态电容器价格竞争转趋激烈,台系厂商虽仍具备价格优势,但是还是不如国内固态电容生产厂家,而各家厂家都在上游介电材料PEDT专利到期后(上游关键原料PEDT专利原掌握在德国H.C.Strack公司 ,过去为拜耳子公司,2007年售予凯雷集团),固态电容价格也更加平民化,进而取代传统铝质电容市场,台系厂商和中国大陆厂商或能抢得一席之地,占领一部分日系固态电容厂家的市场份额。固态电容主要是为解决传统铝电解电容器遇高热出现爆浆的问题,在下游应用端如高阶主板、高阶STB、通讯基地台、高阶电源供应器、LCD TV、服务器、VGA卡、游戏机等,在效能及质量提升的趋势下,固态电容有机会逐步取代传统式的液态铝质电解电容器。由于VISTA 及SANTA相继上市后,对于软、硬体的要求大幅提升,软硬件平台必须进行整合以发挥最大效能,因此对于上游被动组件质量的稳定性、耐用度、耐热度要求也相对提升,固态电容因而需求大增。目前使用台系固态电容和大陆国内固态电容厂家的产品,主要为台系2线MB 厂及大陆当地MB大厂,台湾1线MB大厂目前对台系或大陆国内厂家的固态电容产品还处于认证阶段,或者小量使用,属于试用性质。虽台系固态电容价格较日系同规格产品平均低20%,在成本考虑下,台系厂商极力争取1线大厂采用台系固态电容,取代日系固态电容。而台系固态电容厂家又面临国内生产厂家的在市场上紧跟压力,国内固态电容厂家的价格更有优势,交货期好,服务业好,不少日系固态电容使用厂家也有将部分竞争压力大得产品换成了大陆国内厂家的固态电容,也再试用阶段。H.C.Strack公司上游介电材料PEDT全球专利到期后,固态成本和售价下滑,市场普及,并有全面取代铝质电容的机会。

薄膜电容器基本构造和分类教学文案

薄膜电容器基本构造 和分类

塑料薄膜电容( Plastic Film Capacitor )往往被简称为薄膜电容( Film Capacitor )或 FK 电容。其以塑料薄膜为电介质。 在应用上薄膜电容具有的一些的主要特性:无极性,绝缘阻抗高,频率特性优异 ( 频率响应宽广 ) ,介质损失小。基於以上的优点,薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份,必须使用频率特性良好,介质损失极低的电容器,方能确保信号在传送时,不致有太大的失真情形发生。在所有的塑胶薄膜电容当中,又以聚丙烯 (PP) 电容和聚苯乙烯 (PS) 电容的特性最为显着。 1 基本构造: 薄膜电容内部构成方式主要是:以金属箔片(或者是在塑料上进行金属化处理而得的箔片)作为电极板,以塑料作为电介质。通过绕卷或层叠工艺而得。箔片和薄膜的不同排列方式又衍生出多种构造方式。图 1 是薄膜电容得典型示意图。

2 基本分类: 薄膜电容主要分类法有:按电介质分类;按薄膜(介质)和箔片(电极板)的排列方式分类;按结构分类;按线端方式分类。 从电介材质上分类: 从应用特性角度看,关键特性的表现还是缘于其电介质的不同。按电介质的不同 DIN 41379 对薄膜电容作了如下划分: T 型:即 PE T - Polyethylene terephthalate (聚乙烯对苯二酸盐( 或酯 ) ) P 型:即 P P - Polypropylene (聚丙烯)

N 型:即 PE N - Polyethylene naphthalate (聚乙烯石脑油) 以 M 作前缀表示为金属化薄膜的电容。 MFP 及 MFT 电容由金属箔片和金属化塑料薄膜构成,并不在 DIN 41379 阐述的范围内。

电容器基本知识

電容器基本知識 一、定義:由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號:“C” 三、單位:法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性:通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成,中間有絕緣物,直流電無法流過電容,但通上交流電時,由於電容能充放電所致,所以能通上交流 五、作用:濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中,總容量=1÷各電容容量倒數之和 例: 2.並聯電路中,總容量=各電容容量之和 例: 七、電容的標示: 1.直標法:直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法:用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如:“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質,一般有真合介質、漆膜介質等)

2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質,如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分:隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容: 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的,陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3),此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層,氧化膜的厚度即為箔間之距離(d),此厚度可由化成來加以控制,由於氧化膜的介電常數高且厚度薄,故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液,而陰箔只是將電流傳屋電解液而已,電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极,以陽极氧化所開氧化膜作為電介質,以液體電解液為電解質,另與陰极鋁箔所構成之電容器。

电容器用金属化薄膜

1.1.1.1.1.2 电容器用金属化薄膜 Prepared on 22 November 2020

电容器用金属化薄膜 1 范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/-2003计数检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验计划 GB/-××××电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法 3 术语 3.1 3.2 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3 3.4 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7 3.8 留边margin 为实际制作电容器需要,将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边,其宽度称为留边量。 3.9 3.10 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻,用Ω/□表示,通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12 金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 4 分类

电容器用金属化薄膜

电容器用金属化薄膜 Final revision by standardization team on December 10, 2020.

电容器用金属化薄膜 1 范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/-2003 计数检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验计划GB/-××××电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法 3 术语 3.1 3.2 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3

3.4 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7 3.8 留边margin 为实际制作电容器需要,将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边,其宽度称为留边量。 3.9 3.10 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻,用Ω/□表示,通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12 金属化安全薄膜metallized safe film

薄膜电容器选型与应用

薄膜电容器选型与行业应用 ————光伏逆变器行业 变频器行业 风电行业 交流滤波电容 其他场合 一、光伏行业DC-link电容 DC-link电容(大功率27μF-30μF/KW 薄膜电容) 二、变频器行业DC-link电容 输入电压等级 DC-Link 电容 吸收电容 LC 交流滤波电容 220V.AC-440V.AC 薄膜电容电压 Un=700V.DC 0.1-2μF/1200V.DC Un=450V.AC 660V.AC-690V.AC 薄膜电容电压 Un=1100V.DC 0.47-2.5μF/1600V.DC Un=850V.AC 1140V.AC 薄膜电容电压 Un=2000V.DC 0.47-3μF/3000V.DC Un=1140V.AC 2000μF/1200VDC SVG客户的选型 420/470 uf –1100/1200V .DC 500/1200/2000/3000 uf –1200V .DC 功率P DC-Link 电容 吸收电容 交流滤波电容 500KW 园柱SCREW 型 400μF-500μF/1100V .DC 27-30只并联 采用6只 方块铜片型 0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 250KW 园柱SCREW 型 200-420 多只并联总容量在6000uf 采用3只 方块铜片型 0.47-1.5μF/1600V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 100K 园柱SCREW 型 420uf 6只并联 方块铜片型 1μF/1200V .DC 金属盒三角接法SCREW 型 3×200μF/450V .AC 50K 方块导针型 10μF-50μF 多只并联 方块铜片型 0.47μF/1200V .DC 20μF/450V .AC (自己采用三角接法),会选园柱SCREW 型的 备注 采用容量小,多只并联,这样同等容量流过DC-LINK 电容有效电流大, I 总rms≥nI 输出电流 容量选取不是容量越大越好,主要通过IGBT 开关频率和功率选取容量 选择交流电容设计电容的有效电流多少,这主要载波频率有关系

薄膜电容和铝电解电容在直流支撑应用的换算关系-中文

替代电解电容的薄膜电容技术 DC-Link电容器应用 在过去多年的发展中,使用金属化膜以及膜上金属分割技术的DC滤波电容得到了长足的发展,现在薄膜生产商开发出更薄的膜,同时改进了金属化的分割技术极大的帮助了这种电容的发展,聚丙烯薄膜电容能够比电解电容更加经济地覆盖600VDC 到2200VDC的电压范围。薄膜电容具有的许多优势,使它替代电解电容成为工业和电力电子功率变换市场的趋势。 这些优点包括了: 承受高的有效电流的能力 能承受两倍于额定电压的过压 能承受反向电压 承受高峰值电流的能力 长寿命,可长时间存储 但是,只种替代并非“微法对微法”的替代,而是功能上的替代. 当然,尽管膜电容技术有了长足的进展,但不是所有的应用领域都能替代电解电容。 电解电容技术 典型的电解电容的最大标称电压为500 到600V。所以在要求更高电压的情况下,使用者必须将多只电容串联使用。同时,由于各电容的绝缘电阻不同,使用者必须在每个电容上连接电阻以平衡电压。 此外,如果超过额定电压1.5倍的反向电压被加在电容上时,会引起电容内部化学反应的发生。如果这种电压持续足够长的时间,电容会发生爆炸,或者随着电容内部压力的释放电解液会流出。为了避免这种危险,使用者必须给每个电容并联一个二极管。在特定应用中电容的抗浪涌能力也是考察电容的重要指标。实际上,对电解电容而言,允许承受的最大浪涌电压是VnDC的1.15或1.2倍(更好的电解电容)。这种情况迫使使用者不得不考虑浪涌电压而非标称电压。 直流支撑滤波:高电流设计和电容值设计 a) 使用电池供电的情况 应用为电车或电叉车 在这种情况下,电容被用来退耦。膜电容特别适合这种应用。因为直流支撑电容的主要标准是有效值电流的承受能力。这意味着直流支撑电容能够以有效值电流来设计 以电车为例,要求的数据 工作电压: 120VDC 允许的纹波电压: 4V RMS 有效值电流: 80 A RMS @ 20 kHz 最小容值为

电容器用金属化薄膜

范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/—2003计数检验程序第1部分:按接收质量限(AQL检索的逐批检验计划 GB/ — XXXX 电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法 术语 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 留边margin 为实际制作电容器需要,将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条称为留边,其宽度称为留边量。(带) 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻,用Q 示金属镀 层的厚度。 / □表示,通常用方块电阻来表 金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 分类 产品类型 MPPA(MPETA——单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图

薄膜电容器在新能源汽车上的运用

薄膜电容器在新能源汽车上的运用厦门法拉电子股份有限公司赖五福 薄膜电容器是一种应用于直流滤波场合的电容器。由于它跟传统电容相比有寿命长、温度稳定性好等优点,更适用于新能源汽车中的逆变器直流滤波。【摘要】本文主要介绍薄膜电容器优点、采用的先进技术、相关的选型标准及应用分析。 能源,薄膜电容器,电解电容器,逆变器,新能源汽车【关键词】 1.引言容理论上不会产生短路击穿的现象,这大 大提高了这类电容的安全性,典型的失效随着工业的迅速发展、人口的增长和人 民生活水平的提高,能源短缺已成为世界性模式是开路。在特定应用中电容的抗峰值问题,能源安全受到越来越多国家的重视。电压能力也是考察电容的重要指标。实际随着“汽车社会”的逐渐形成,汽车保有量上,对电解电容而言,允许承受的最大浪在不断地呈现上升趋势,全球汽车行业的发涌电压是1.2倍,这种情况迫使使用者不得 展面临着能源和环保的双重压力,各个国家不考虑峰值电压而非标称电压。为了将来在世界汽车业中占得一席之地,纷 b.良好的温度特性,产品温度使用范图1 电机控制器主回路示意图围广,可以从-40?-105? 纷推出了各自的的新能源汽车的规划蓝图,

直流支撑薄膜电容器采用的高温聚丙并大力发展新能源汽车。 新能源汽车是指采用非常规的车用烯薄膜,具有聚酯薄膜和电解电容没有的燃料作为动力来源,新能源汽车包括混合温度稳定性,具体如下图5,图6。动力汽车、纯电动汽车、燃料电池电动汽从图5中可以看出,随着温度的升高,车、氢发动机汽车、其他新能源(如高效聚丙烯膜电容器容量总体是下降的,但下[1]储能器、二甲醚)汽车等各类别产品。降的比例是很小的,大概是300PPM/?; 电机,电池和电机控制技术是新能源而聚酯膜不管是在高温阶段还是在低温汽车的三大核心。电机控制技术的核心就阶段,容量随温度变化则大了很 多,为是需要高效电机控制的逆变器技术,高效 +200+600PPM/?。从图6可以看出,聚~ 电机控制的逆变器技术则需要一个功能强丙烯膜介质电容图2 第一代丰田Prius电机控制器大的IGBT模块和一个与之匹配的直流支撑器的损耗随温度变化基本不变的,但聚酯 膜介质电容器在低温和高温显示变化规律电容器,如图1所示。 是不一样的。本文主要介绍薄膜电容的优点、采用的 先进技术、相关的选型标准及应用分析。由于聚丙烯膜介质电容器具有良好

几相才够 分析H61H67主板的供电需求

目前CPU已经逐渐从双核心向多核心过渡,当然其功耗和也有了稳步的提升,CPU性能的提升让主板对其供电及电压调节器更加精确和复杂。主板的供电历程也从原来的单相供电逐渐过渡到多相供电。而由于目前Intel对CPU超频的限制,H67和H61在规格上已经确定为不能对CPU超频的产品,但这类主板做成超多相供电是否有用处呢? 超多相供电主板 要了解H67/H61做成超多相供电是否合理,我们要先了解一下CPU供电的原理。CPU 的供电从以前的液态电容,线圈电感发展到今天的全固态电容,低阻抗的电感,甚至是数字供电。当然可以提供的功率支持也越来越大,兼顾稳定和超频。 很多玩家以供电的相数多少来衡量一块主板的好于坏,而所谓的相数是指什么呢?相数实际是指主板上提供CPU的供电通道数量,每一相通常由电容,电感,电源控制芯片,MOS 管组成。

低功耗平台两相供电能完全满足要求 理论上,平均每相供电可以提供25W-40W不等的功率,因此,对于APU和ATOM等低功耗的平台来说,三相甚至单相也能完全满足其供电需求。相对于普通主流平台,三相或者三相以上供电时必须的。因为三相供电能提供75W-120W的功耗。 高质量的电容电感 为使CPU工作在较高的频率,要求其电源电压具有极高精度。并且必须在静态和动态负载下都能保持高精度指标。通过采用精密的片上基准,以及最大程度地降低失调电压和偏置电流,可获得良好的静态精度。而动态电压精度则与电压调节器的控制环路带宽以及调节器输出端的大容量电容有关。由于调节器不能立刻响应CPU的电流突变,因此设计电路需要大容量的电容。 单相供电使用到的元器件有输入部分的一个电感线圈、一个电容,控制部分的一个PWM 控制芯片、两个场效应管,还有输出部分的一个线圈、一个电容。相比起多相供电来说是简

薄膜电容器的使用要求和电性能参数

薄膜电容器的使用要求和电性能参数 电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用. 一电磁灶三相全桥电路拓扑图 二 C1—C6功能说明 新晨阳 C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力 C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS 在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在 3μF-10μF之间,额定电压为275V.AC-300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3μF-10μF之间,额定电压为450V.AC- 500V.AC ,采用三角形接法.

C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响. C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。 C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该 位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。 C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5μF/KW) 全桥方案(1.2μF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/μF的设计工艺所推断。 例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30μF C3的总纹波电流是 30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24μF(实际可取25-30μF) C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。 C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800-1000V.DC即可. C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制,防止IGBT击穿

金属化薄膜电容器

?金属化薄膜电容是以有机塑料薄膜做介质,以金属化薄膜做电极,通过卷绕方式制成(叠片结构除外)制成的电容,金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙 烯、聚碳酸酯等,除了卷绕型之外,也有叠层型。其中以聚酯膜介质和聚丙烯膜介质应用最 广。 目录 ?金属化薄膜电容的作用 ?金属化薄膜电容的特点 ?金属化薄膜电容的缺点及改善 ?金属化薄膜电容的应用及相关要求 金属化薄膜电容的作用 ?金属化薄膜这种型态的电容器具有一种所谓的自我复原作用(Self Healing Action),即假设电极的微小部份因为电界质脆弱而引起短路时,引起短路部份周围的电极金属,会因当时电容器所带的静电能量或短路电流,而引发更大面积的溶融和蒸发而恢复绝缘,使电容器再度回复电容器的作用。 金属化薄膜电容的特点 ?金属化薄膜电容即是在聚酯薄膜的表面蒸镀一层金属膜代替金属箔做为电极,因为金属化膜层的厚度远小于金属箔的厚度,因此卷绕后体积也比金属箔式电容体积小很多。金属化膜电容的最大优点是“自愈”特性。所谓自愈特性就是假如薄膜介质由于在某点存在缺陷以及在过电压作用下出现击穿短路,而击穿点的金属化层可在电弧作用下瞬间熔化蒸发而形成一个很小的无金属区,使电容的两个极片重新相互绝缘而仍能继续工作,因此极大提高了电容器工作的可靠性。不同种类的金属化薄膜电容特点如下表:

金属化薄膜电容的缺点及改善 ?从原理上分析,金属化薄膜电容应不存在短路失效的模式,而金属箔式电容器会出现很多短路失效的现象(如27-PBXXXX-J0X 系列)。金属化薄膜电容器虽有上述巨大的优点,但与金属箔式电容相比,也有如下两项缺点: 一是容量稳定性不如箔式电容器,这是由于金属化电容在长期工作条件易出现容量丢失以及自愈后均可导致容量减小,因此如在对容量稳定度要求很高的振荡电路使用,应选用金属箔式电容更好。 另一主要缺点为耐受大电流能力较差,这是由于金属化膜层比金属箔要薄很多,承载大电流能力较弱。为改善金属化薄膜电容器这一缺点,目前在制造工艺上已有改进的大电流金属化薄膜电容产品,其主要改善途径有 1)用双面金属化薄膜做电极; 2)增加金属化镀层的厚度; 3)端面金属焊接工艺改良,降低接触电阻。 金属化薄膜电容的应用及相关要求 ?金属化薄膜电容具有优异的电气特性、高稳定性和长寿命,可以满足各种不同的应用。目前,电容制造商一直在不断改进这种产品,以在较小的封装尺寸内提供更大的电容量。 电容制造商能够根据具体的应用,通过选择适当的电介质来优化金属化薄膜电容的特性。例如,聚脂薄膜在普通应用中表现出良好的特性,具有高介电常数( 使其在金属化薄膜电容中获得最高的单位体积电容量) 、高绝缘强度、自我复原特点和良好的温度稳定

电容器用金属化薄膜

电容器用金属化薄膜 1 范围 本标准规定了电容器用金属化薄膜的术语、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、以及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于电容器用金属化聚丙烯薄膜和金属化聚酯薄膜。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB/-2003 计数检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验计划 GB/-××××电气绝缘用薄膜第2部分:试验方法 3 术语 3.1 3.2 基膜base film 电容器用的能在其表面蒸镀一层极薄金属层的塑料薄膜。 3.3 3.4 金属化薄膜metallized film 将高纯铝或锌在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜。 3.5 3.6 自愈作用self-healing 金属化薄膜介质局部击穿后立即本能地恢复到击穿前的电性能现象。 3.7

3.8 留边margin 为实际制作电容器需要,将金属化薄膜一侧或两侧边缘或中间遮盖而形成不蒸镀金属的空白绝缘条(带)称为留边,其宽度称为留边量。 3.9 3.10 方块电阻square resistance 金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻,用Ω/□表示,通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。 3.11 3.12 金属化安全薄膜metallized safe film 金属层图案含有保险丝安全结构的金属化薄膜。按保险丝安全结构特点可分网格安全膜、T形安全膜和串接安全膜等。 4 分类 4.1 产品类型 MPPA(MPETA)——单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图1-图3。 图1 图2 图3 MPPAD(MPETAD)——双面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图4和图5。 图4 图5 MPPAH(MPETAH)——边缘加厚金属层的单面铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图6。 图6 MPPAZ(MPETAZ)——单面锌铝金属化聚丙烯(或聚酯)薄膜,见图7。

装机指南

又到51 又到装机高峰期大街上电脑城又人声鼎沸了起来。各种商家的活动也在卖场里此起彼伏。对于DIY装机用户其实在装机的时候有些许误区也有些许注意事项。知道这些便能顺利的装出自己的爱机器。 =================================装机准备篇================================ 一、首先明白自己的用途是什么,而不是预算多少。 不要犯装个高端独显去偷菜炒股,用低端集显跑极品飞车等配置错误。明白自己的需求是游戏还是上网还是编程还是工控科研。根据用途定配置。 例: 游戏娱乐机器: 当然首当其冲考虑电脑性能。好CPU跟好显卡的组合玩起游戏来当然不卡当然,一套合适的外设也是必不可少。 上网偷菜: 可以集显AMD低端平台也可以赶时髦上i3+H55 二者都是既省电又合适。 编程绘图: 要考虑CPU运算能力问题各种VT技术以及内存大小可以考虑支持VT的E84 Q93等IU配P43 4G以上内存另外有工作站倾向的电脑一块专业制图卡也是需要考虑的。 工控科研:最重要的不是速度是机器稳定性。宁愿速度慢也不能死机关机。故目前一般要根据被研华等工控主板生产商提供的主板型号对应上CPU 如CD347, E1200等 二、根据自己的用途准备预算。写配置 其实俗话说的攒机就是这样,攒钱买电脑啊。 当然不是漫无目的的攒钱。DIY这行业,如果想烧全面一台机器=一辆车还是很容易办到

的。要根据自己用途决定攒多少。 游戏娱乐机器: 一般玩玩游戏双核2G 9600 级别显卡19寸带个音箱也就3000出头,弄个罗技套件也就再加150 。这样的配置足够装机的童鞋玩一个暑假寒假了。 上网偷菜: 一般双核2G G41 或者785G级别显卡带音箱也就2500多点。后者还能在低特效下玩玩硬件杀手游戏。这配置给父母女盆友上网看电影就是又便宜又省电了。另外说一句,给长辈女朋友攒机不推荐用开核的配置。 编程绘图: 一句话。省钱买好U好内存。多开虚拟机 工控: 单位出多少钱。买多少钱。 配置方面当然是要详细研究的。 选I?选A? 这里不好简单说清楚。各有各的好处。其实大多数人都有自己的看法,比如AU玩低端IU玩高端 选N? 选A? 这里也不引发A,N口水了。各有各的好处A卡N卡区别早已不明显基本上同价位都有好的选择。 选ST? 还是WD? 这就看个人喜好了。一个一年保一个三年保。一个速度快一个稳定点·(大多数情况) 三、根据自己的基本配置定出选择的详细型号 决定选I选A之后当然就是要选择选什么型号的处理器咯开核的开核超频的超频,常年默认的看看稳定性。这些详细选择我就不赘述了 其实旋风最想说的是选择的时候不要被厂商的各种宣传所迷惑。很多客户都容易进厂商的套子。

薄膜电容的应用

Film Application Guide 电容量是要在正負偏差内,测量频率在1 kHz ±20 Hz (如果大于1微法聚脂电容 其测试频率为120 Hz ),测量温度为25 oC ±5 °C。标准偏差为±10%。 损耗角正切或者tanσ是电容器ESR与其电抗的比值。测量频率在1 KHz ±20 Hz (如果大于1微法聚脂电容其测试频率为120 Hz),测量温度为25 oC ±5 °C时, 不可大于指定值。 绝缘电阻对于额定电容高于0.25到0.5微法,其變化是取决于电容器类型从最小电 阻电容的乘积(M??μF)到最小电阻值(M?)。在100V直流电压和25±5 °C下测 试两分钟后,绝缘电阻不可小于RC乘积或额定电阻值二者中较小的。 额定电压是实际使用中高达额定最大操作温度时的最大连续电压。 介质强度是电容器在额定室温內可承受的最大峰值电压。它可以通过施加额定电 压值指定倍数的电压流过100Ω每伏特的限流电阻一分钟来测量。例如,要测量一 个DPM类型电容器,其额定电压值为250V直流,介电强度为175%,则需通过一个 43.8 k? 或者更高的电阻,再施加438 V直流电来测試。 寿命测试:在最高额定温度±3 °C,对电容器施加额定电压指定倍数的电压持续 500或者1,000 (+72, -2) 小时。必须是没有外观没有破坏而且电容值改变不超过 ±5%。绝缘电阻不会下降到初始限的50%。损耗角正切不会超过初始限。 脉冲能力是峰值电流能力。这种电容器抵抗瞬间电流的能力大多由引线连接的完 整性来决定,它由dV/dt额定值来表示,它是最大允许电压变化额定值(单位是 V/μs)。该峰值额定电流(amps)等于额定电容值(μF)和dV/dt额定值的乘积: Ipk = C(dV/dt)

固态电容性能全方位解析

在Socket 478时代,主板采用何种品牌的电容一直就是DIY玩家讨论的比较多的话题之一。在那个年代,如果一款主板的处理器供电部分采用的是全日系电容,先不说别的方面究竟如何,至少这款主板会第一时间就能吸引到大部分DIY玩家的眼球,也会受到绝大多数DIY玩家的肯定;如果有一款主板采用的是全日系电容,那更是会被许多DIY玩家看做是主板中的极品,即使该款主板的市场零售价格再高,也不用担心销量的问题。 采用全日系电容的Abit NF7主板曾经是许多DIY玩家心中的极品主板之一

进入LGA 775平台之后,随着中央处理器(CPU)运算频率及晶体管数目不断的增加,为求系统稳定,英特尔(Intel)建议主板(MB)厂商,在新一代的主板上使用固态电容。I老大发话,份量自然是不同凡响,越来越多的主板厂商都将自家的高端主板的处理器供电部分均采用的是固态电容,那么究竟什么是固态电容呢? 固态电容的全名为固态铝质电解电容,是目前电容器产品中最高阶的产品,固态电容的介电材料则为功能性导电高分子,能大幅提升产品的稳定度与安全性,它与液态铝质电解电容最大差别,在于所使用的介电材料,过去铝质电解电容所使用的介电材料是电解液,而固态电容则是导电性高分子材料。 解析固态电容

既然固态电容如此受到Intel和主板厂商的重视,那么究竟固态电容有何种特性呢,相较之前的电解电容来说,又有何优点呢,下面就来为大家一一做出详细的解析。首先来谈谈电解电容的局限性。 由于近年来PC的频率越来越高,功耗随之增大,这对于CPU \\ Memory \\ PCI Express devices供电部分的电容的要求就越来越高。而传统水系电解电容无论阻抗再低,总依然存在,总也会产生热,当温度升高时,仍会不可避免的与作为阳极的铝制外壳发生水合作用,于是水分逐渐减少。此时滤波与稳压的电容功能也会不断降低甚至因为温度的持续攀升,进而产生鼓凸漏液的情况因而发生(就是DIY玩家通常所说的“电容爆浆”),往往因为故障的并联电容造成主板的运行不正常,甚或完全无法运行而需要送修。

拆解分析18W USB PD快充充电器

拆解分析18W USB PD快充充电器 充电头网近期对两款热销的18W USB PD快充充电器进行了拆解分析,坚果R1原装QC4+充电器和XENTRIS USB-C PD 充电器均采用了Dialog的方案,以下是报道原文分享给大家。 据充电头网爆料,下一代iPhone标配充电器外观及参数将会出现重要升级,将一改苹果在充电方面的劣势,抛弃祖传5W充电器,全系标配18W USB PD充电器。而苹果标配USB PD充电器也将引领整个PD充电器快速成长。毫无疑问,苹果为iPhone标配USB PD 充电器这一举动将为全球USB PD市场注入一剂强心针,可以预料很快市面以18W功率为首的USB PD充电器将出现井喷式爆发。 在苹果18W USB PD充电器正式面世揭晓之前,我们挑选了市面两款热销的18W USB PD 充电器代表,借此一窥目前市面这类产品用料、方案等方面的表现。 作为国内首款支持QC4+快充协议并量产上市的产品,坚果R1原装QC4+充电器从发布以来可谓是赚足了眼球。而目前也已经有多款手机支持了QC4+快充协议,坚果这款充电器的发布也将成为国产手机标配QC4+充电器的开端,有利于加速QC4+快充及USB PD快充的普及进程。 XENTRIS USB-C PD充电器黑色小巧身材拥有18W的输出能力,主要服务对象是手机平板等小型数码设备,走的是小巧够用路线。壳体表面涂以类肤材质,面板上是一个USB-C 型输出接口,镀黑镍铜质折叠脚旅行时更加便携。 1. 坚果R1原装QC4+充电器CD106拆解 锤子R1充电器使用简洁设计的包装盒,正面是品牌LOGO。 背面的图形示意这是一款充电器。

电容感应式指纹传感器工作原理和性能分析

电容感应式指纹传感器工作原理和性能分析 交通运输1101 陈强 3110405027 摘要:本文首先通过查找相关传感器历史资料,回顾了指纹传感器技术的发展历史。从发展早期,现如今和未来三个角度分别介绍了指纹传感器技术的原理,发展过程和未来前景。与此同时通过查阅相关文献资料和技术论文,详细解释了指纹传感器的工作原理,并着重介绍了目前几种现实生活中常见的传感器,如光学指纹传感器和半导体指纹传感器,在对两种传感器进行原理性剖析的基础上,通过列举现实生活中同型号不同产品的半导体指纹传感器,对传感器的主要性能参数进行对比研究,指出了它们的优缺点和应用情况。最后,通过了解苹果公司最新发布的iPhone5s产品中新加入的指纹解锁技术,在阅读其专利图和技术使用说明的基础上,研究分析了实现该项功能所使用传感器的原理和技术细节,并对这一新鲜技术的未来产品中的运用做评估和预测。 1.引言: 指纹是手指表面皮肤凸凹不平形成的纹路,由多种嵴状图形构成。指纹特征即手指表面嵴和沟组成平滑纹理模式,其随机性很强。研究表明:指纹特征具有唯一性、稳定性特点,据此可实现身份识别。 指纹表面积较小,且存在磨损,获取优质指纹图像较困难。指纹传感器是获取指纹图像的专用器件,在自动指纹识别系统中起着关键作用。 本文回顾了指纹传感器技术的发展历史,并介绍了目前几种常见的传感器,在进行原理性剖析的基础上,指出了它们的优缺点和应用情况。 1.1. 早期: 早期的指纹图像采集主要运用油墨按印等物理方式,如果油墨及纸张质量有问题,或按压压力不均,或按压位置、方向差异,或手指损伤、变形等,都会导致采集的指纹图像质量不理想,进而影响该技术应用。为克服物理方式的缺点,发展光学传感器、半导体传感器、超声波传感器等对获取高质量指纹图像提供了良好的技术保障,具有很好实用价值。同时,更先进的指纹图像传感器亦在研发,目的是获得足够的指纹细节,并使指纹图像达到较高分辨力,提高指纹识别准确性、可靠性。 指纹传感器按传感原理,即指纹成像原理和技术,分为光学指纹传感器、半导体电容传感器、半导体热敏传感器、半导体压感传感器、超声波传感器和射频RF传感器等。 1.2. 现在: 指纹识别技术虽然已日渐成熟,图像处理及模式识别技术已经得到很好的解决,但实际上,作为指纹识别的核心技术仍然存在许多尚未解决的难题,尤其是残缺、污损的指纹图像的识别的鲁棒性、适应性方面不能令人满意,指纹识别系统将随着更小更廉价的指纹输入设

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