Pspice模型参数

Pspice模型参数
Pspice模型参数

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model NPN(PNP、LPNP) [model parameters]

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附件B、PSpice Goal Function

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附件C

Modeling voltage-controlled and temperature-dependent resistors

Analog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples.

Voltage-controlled resistor

If a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values.

Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are:

Voltage Resistance

The ABM expression for this is shown in Figure 1.

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Figure 1 - Voltage controlled resistor using look-up table

Temperature-dependent resistor

A temperature-dependent resistor (or thermistor) can be modeled with a look-up table, or an expression can be used to describe how the resistance varies with temperature. The denominator in the expression in Figure 2 is used to describe common thermistors. The TEMP variable in the expression is the simulation temperature, in Celsius. This is then converted to Kelvin by adding 273.15. This step is necessary to avoid a divide by zero problem in the denominator, when T=0 C.

NOTE: TEMP can only be used in ABM expressions (E, G devices).

Figure 3 shows the results of a DC sweep of temperature from -40 to 60 C. The y-axis shows the resistance or V(I1:-)/1A.

Figure 2 - Temperature controlled resistor

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Figure 3 - PSpice plot of Resistance vs. Temperature (current=1A)

Variable Q RLC network

In most circuits the value of a resistor is fixed during a simulation. While the value can be made to change for a set of simulations by using a Parametric Sweep to move through a fixed sequence of values, a voltage-controlled resistor can be made to change dynamically during a simulation. This is illustrated by the circuit shown in Figure 5, which employs a voltage-controlled resistor.

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Figure 4 - Parameter sweep of control voltage

This circuit employs an external reference component that is sensed. The output impedance equals the value of the control voltage times the reference. Here, we will use Rref, a 50 ohm resistor as our reference. As a result, the output impedance is seen by the circuit as a floating resistor equal to the value of V(Control) times the resistance value of Rref. In our circuit, the control voltage value is stepped from 0.5 volt to 2 volts in 0.5 volt steps, therefore, the resistance between nodes 3 and 0 varies from 25 ohms to 100 ohms in 25 ohm-steps.

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Figure 5 - Variable Q RLC circuit

A transient analysis of this circuit using a 0.5 ms wide pulse will show how the ringing differs as the Q is varied.

Using Probe, we can observe how the ringing varies as the resistance changes. Figure 6 shows the input pulse and the voltage across the capacitor C1. Comparing the four output waveforms, we can see the most pronounced ringing occurs when the resistor has the lowest value and the Q is greatest. Any signal source can be used to drive the voltage-controlled resistance. If we had used a sinusoidal control source instead of a staircase, the resistance would have varied dynamically during the simulation.

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Figure 6 - Output waveforms of variable Q RLC circuit

通过几天来的补习,我认为IS只是等于Icb0;

而VAF才是VCE0就是最高管耐压;

而IKF才是ICE0最大管电流;

BF是放大倍数没错了,

不知各位师傅有没有别的看法呢?

.MODEL MOD1 NPN IS=1E-6 BF=50 RB=100 V AF=160 CJC=3P 3DG201

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OrCAD 中文入门教程——附件(三极管的Pspice模型参数和PSpice特征函数)

附件A、三极管的Pspice模型参数.Model NPN(PNP、LPNP) [model parameters] 第 1 页共9页

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附件B、PSpice Goal Function 第 3 页共9页

附件C Modeling voltage-controlled and temperature-dependent resistors Analog Behavioral Modeling (ABM) can be used to model a nonlinear resistor through use of Ohm抯 law and tables and expressions which describe resistance. Here are some examples. Voltage-controlled resistor If a Resistance vs. Voltage curve is available, a look-up table can be used in the ABM expression. This table contains (Voltage, Resistance) pairs picked from points on the curve. The voltage input is nonlinearly mapped from the voltage values in the table to the resistance values. Linear interpolation is used between table values. Let抯 say that points picked from a Resistance vs. Voltage curve are: Voltage Resistance The ABM expression for this is shown in Figure 1. 第 4 页共9页

pspice参数扫描分析与统计分析教程文件

实验四参数扫描分析和统计分析 实验目的: 1、学习一些特定参数分析的方法,使之能够在今后的场合适用; 2、学会做蒙托卡诺这种随机抽样、统计分析的分析方法; 3、学会观测输出文件中的数据以及如何用图形表示出相应数据。 实验步骤: 1、首先确定好研究对象,即下面的差分电路: 2、进行参数扫描分析: 1)首先在原图的基础上选定一个参数扫描分析的对象,如选定R1。要先加入参数符号,可从元器件图开符号库中调出名称为PAPAM的符号,如下图:

2)加入元件后,双击它则需要给它加入一个属性,点击new: 3)在上面Property中填入R1,然后,在R1中输入1K的阻值,然后,右击该值,选择Display,在出现的Display Properties中选择“Name And Value” 4)设定好之后,把图中R1的值改为{R1},则完成的图形如下:

5)现在设置仿真参数,在时域分析的同时做参数分析,参数设置如下: 一般设置: 参数设置:“Sweep variable”中选择“Global parameter”,注意parameter中的R1不用加{} 6)点击运行之后在probe中出现:

点击OK以后出现的图形如下:(图中out1、out2都加了电压针) Time 0s0.2us0.4us0.6us0.8us 1.0us V(OUT2)V(OUT1) 2.0V 4.0V 6.0V 8.0V 该波形是呈对称的波形,随着电阻从1K至10K的变化,电压变化的越来越平缓且电压平均在逐渐减小。 3、蒙托卡诺分析 1)在上图的基础上,首先把全局参数设置的删除,把R1改成Rbreak中电阻元件: 2)对刚替换的R1符号后要设置电阻的模型参数变化,则,首先选中该元件,再执行Capture中的Edit/PSpice Model子命令,则出现下图,并设置相应的DEV、LOT参数变化模式:

pspice信号源全参数大全

Pspice仿真——常用信号源及一些波形产生方法首先说说可以应用与时域扫描的信号源。在Orcad Capture的原理图中可以放下这些模型,然后双击模型,就可以打开模型进行参数设置。参数被设置了以后,不一定会在原理图上显示出来的。如果想显示出来,可以在某项参数上,点击鼠标右键,然后选择di splay,就可以选择让此项以哪种方式显示出来了。 1.Vsin 这个一个正弦波信号源。 相关参数有: VOFF:直流偏置电压。这个正弦波信号,是可以带直流分量的。 VAMPL:交流幅值。是正弦电压的峰值。 FREQ:正弦波的频率。 PHASE:正弦波的起始相位。 TD:延迟时间。从时间0开始,过了TD的时间后,才有正弦波发生。 DF:阻尼系数。数值越大,正弦波幅值随时间衰减的越厉害。 2.Vexp 指数波信号源。 相关参数有: V1:起始电压。 V2:峰值电压。 TC1:电压从V1向V2变化的时间常数。 TD1:从时间0点开始到TC1阶段的时间段。 TC2:电压从V2向V1变化的时间常数。 TD2:从时间0点开始到TC2阶段的时间段。 3.Vpwl 这是折线波信号源。 这个信号源的参数很多,T1~T8,V1~V8其实就是各个时间点的电压值。一种可以设置8个点的坐标,用直线把这些坐标连起来,就是这个波形的输出了。 4.Vpwl_enh 周期性折线波信号源。

它的参数是这样的: FIRST_NPAIRS:第一转折点坐标,格式为(时间,电压)。 SECOND_NPAIRS:第二转折点坐标。 THIRD_NPAIRS:第三转折点坐标。 REPEAT_VALUE:重复次数。 5.Vsffm 单频调频波信号源 参数如下: VOFF:直流偏置电压。 VAMPL:交流幅值。正弦电压峰值。 FC:载波信号频率 MOD:调制系数 FM:被调制信号频率。 函数关系:Vo=VOFF+VAMPL×sin×(2πFC×t+MOD×sin(2πFM×t)) 6.Vpulse 脉波信号源。 这大概是我最常用到的信号源了。用它可以实现很多种周期性的信号:方波、矩形波、三角波、锯齿波等。可以用来模拟和实现上电软启动、可以用来产生PWM驱动信号或功率信号等等。 参数如下: V1:起始电压 TD:从时间零开始到V1开始跳变到V2的延迟时间。 TR:从V1跳变到V2过程所需时间。 TF:从V2跳回到V1过程所需时间。 PW:脉冲宽度,就是电压为V2的阶段的时间长度。 PER:信号周期

PSpiceAA高级分析

PSpice A/A电路高级分析功能 孙海峰这里将以RC单管放大电路为实例,进行全面的PSpice A/A电路高级仿真分析。目的是,将五个高级分析工具的具体使用方法贯穿全过程的综合应用, 一、电路原理图设计及模拟仿真分析(PSpice A/D) 1、调用PSpice-AA元件模型库 OrCAD自带的PSpice A/用于高级电路分析的元件模型库,在安装目录的Tools/Capture/Library/pspice/advanls如下图所示。 可以将上述高级分析的模型库文件全部进行加载以便调用。 2、电路原理图绘制 电路原理图的绘制方法和Capture中类似,只是调用的模型库不同而已,在上述的模型中找到设计所需的元件,加以调用,进行连线等操作即可;此外,这里还需要多设置元件的高级仿真参数,例如容差、极限等。具体步骤如下:(1)添加电路设计元器件 (2)设置高级分析元器件参数 在特殊符号“SPECTAL”库中找到“VABIABLES”,然后将之添加到原理图中,这就是高级分析的参数变量表,其中可以设置各元件的高级分析参数,具体

设置如下图所示。

(3)电路原理图设计 原理图绘制完成后,模型标称值设置与标准PSpiceA/D模型相同,所有电路参数设置完,如下图所示。 3、电路的PSpice A/D模拟仿真 创建RC单管放大器电路的PSpice A/D仿真设置,对其进行交流分析,并检查结果,交流分析仿真参数设置如下图。

交流分析结果及电路输出波形如下图所示,从图中可以看出增益、带宽均为适宜,对标称值设计业已理想。 二、灵敏度(Sensitivity)分析 1、确定电路特性参数 为进行灵敏度分析将电路特性参数(带宽、增益)细化,在交流分析结果输出时,可在显示模拟分析结果的Probe窗口中,选择菜单Trace/Evaluate Measurement子命令,在出现的Evaluate Measurement对话框中,选择电路特性函数3DB的带宽,具体设置如下图。

PSpiceAD基本仿真讲解

PSpice A/D数模混合仿真 孙海峰Cadence的PSpice A/D可以对电路进行各种数模混合仿真,以验证电路的各个性能指标是否符合设计要求。PSpice A/D主要功能是将Capture CIS产生的电路或文本文件(*.cir)进行处理和仿真,同时附属波形观察程序Probe对仿真结果进行观察和分析。 PSpice A/D数模仿真技术主要包括以下几类仿真: 1、直流扫描分析(DC Sweep):电路的某一个参数在一定范围内变化时,电路直流输出特性的分析和计算。 2、交流扫描分析(AC Sweep):计算电路的交流小信号线性频率响应特性,包括幅频特性和相频特性,以及输入输出阻抗。 3、噪声分析(Noise):在设定频率上,计算电路指定输出端的等效输出噪声和指定输入端的等效输入噪声电平。 4、直流偏置点分析(Bias Point):当电路中电感短路,电容断路时,电路静态工作点的计算。进行交流小信号和瞬态分析之前,系统会自动计算直流偏置点,以确定瞬态分析的初始条件和交流小信号条件下的非线性器件的线性化模型参数。 5、时域/瞬态分析(Transient):在给定激励下,电路输出的瞬态时域响应的计算,其初始状态可由用户自定义,也可是直流偏置点。 6、蒙特卡洛分析(Monte-Carlo):根据实际情况确定元件参数分布规律,然后多次重复进行指定电路特性的分析,每次分析时的元件参数都采用随机抽样方式,完成多次分析后进行统计分析,就可以得到电路特性的分散变化规律。 7、最坏情况分析(Worst):电路中元件处于极限情况时,电路输入输出特性分析,是蒙特卡洛的极限情况。

8、参数扫描分析(Parametric Sweep )电路中指定元件参数暗规律变化时,电路特性的分析计算。 9、温度分析(Temperature ):在指定温度条件下,分析电路特性。 10灵敏度分析(Sensitivity ):计算电路中元件参数变化对电路性能的影响。 以上就是PSpice A/D 所能进行的电路数模混合仿真的内容,下面就介绍具体如何使用PSpice A/D 来对电路进行数模仿真。 运用PSpice 仿真的基本流程如下图: 一、绘制仿真原理图 调用软件自带的仿真模型库(Tools/Capture/Library/PSpice )中的元件,这里的元件模型都是具有电气特征的,可以直接进行PSpice A/D 仿真。原理图绘制方法和Capture 中一样,不再赘述,绘制以下RC 单通道放大器原理图如下: 绘制仿真原理图 仿真 观察分析仿真结果 调整电路 调整仿真参数 设置仿真参数

Pspice仿真类型及不同电源参数

PSpice A/D将直流工作点分析、直流扫描分析、交流扫描分析和瞬态TRAN分析作为4种基本分析类型,每一种电路的模拟分析只能包括上述4种基本分析类型中的一种,但可以同时包括参数分析、蒙特卡罗分析、及温度特性分析等其他类型的分析,现对4种基本分析类型简介如下。 1. 直流扫描分析(DC Sweep) 直流扫描分析的适用范围:当电路中某一参数(可定义为自变量)在一定范围内变化时,对应自变量的每一个取值,计算出电路中的各直流偏压值(可定义为输出变量),并可以应用Probe功能观察输出变量的特性曲线。 例对图1-1所示电路作直流扫描分析 图1-1 直流扫描分析实例 (1)绘图 应用OrCAD/Capture软件绘制好的电路图如图1-2所示。 图1-1 直流扫描分析实例 (2)确定分析类型及设置分析参数 a) Simulation Setting(分析类型及参数设置对话框)的进入 ·执行菜单命令PSpice/New Simulation Profile,或点击工具按钮,屏幕上弹出New Simulation (新的仿真项目设置对话框)。如图1-3所示。 图1-2 New Simulation对话框 ·在Name文本框中键入该仿真项目的名字,点击Create按钮,即可进入Simulation Settings (分析类型及参数设置对话框),如图1-4所示。 图1-3 Simulation Settings b)仿真分析类型分析参数的设置

图1-2所示直流分压电路的仿真类型及参数设置如下(见图1-4): ·Analysis type下拉菜单选中“DC Sweep”; ·Options下拉菜单选中“Primary Sweep”; ·Sweep variable项选中“V oltage source”,并在Name栏键入“V1”; ·Sweep type项选中“Linear”,并在Start栏键入“0”、End栏键入“10”及Increment栏键入“1”。 以上各项填完之后,按确定按钮,即可完成仿真分析类型及分析参数的设置。 另外,如果要修改电路的分析类型或分析参数,可执行菜单命令PSpice/Edit Simulation Profile,或点击工具按钮,在弹出的对话框中作相应修改。 (3)电路的模拟仿真 a)PSpice A/D视窗的启动 执行菜单命令PSpice/Run,或点击工具按钮,即可启动PSpice A/D视窗执行电路的仿真模拟,并且系统可自动调用Probe模块,对模拟结果进行后处理,屏幕显示如图1-5所示。 图1-4 Probe窗口界面 b)波形的显示 ·执行Probe窗口中的菜单命令Trace/Add Trace,或点击工具按钮,屏幕上弹出Add Trace 对话框,如图1-6所示。 图1-5 Add Trace对话框 ·在Add Trace对话框的左半部列表中移动光标,点选需要显示波形的变量名,则被选中的变量名依次出现在该对话框底部的Trace Expression栏。本例选中V(A)和V(B)两个变量(见图1-26)。选择完毕,按OK按钮,Probe窗口显示图1-22所示的直流分压电路中A、B两点的电压变化波形,如图1-7所示。 图1-6 Probe窗口的波形显示

PSpice仿真教程3--旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)

题目:旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响 电路如图所示,BJT为NPN型硅管,型号为2N3904,放大倍数为50,电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce对共射极放大电路低频特性的影响。 步骤如下: 1、绘制原理图如上图所示。 2、修改三极管放大倍数Bf=50; 双击交流源v1设置其属性为:ACMAG=15mv,ACPHASE=0。 3、修改c3的大小,双击c3的大小,设置value={cval}。如图所示: 4、Get New Part Param,从元件库中找到符号Param。双击Param并设置其属性 Name1=cval, Value1=50uf。如图所示:

5、设置分析类型(根据题意,需设置交流扫描分析和参数扫描分析): ①交流扫描分析: 选择Analysis→set up→AC Sweep,参数设置如下: ②参数扫描分析: 选择Analysis→set up→Parametric,参数设置如下:

6、Analysis Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 计算完毕后,弹出如下对话框,表明有三项模拟结果的波形资料,点击All三个波形全显示在probe下,或只点击其中一条,在probe下只显示其中一条曲线。 点击All。得到如下结果:

v(out)/v(in) 单击ok按钮,仿真结果如下:

波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系,即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce为200uf时的幅频特性曲线,中间的那条是ce为50uf时的幅频特性曲线,最右边的那条是ce为0.1uf时的幅频特性曲线。 问题:从仿真结果中可以看出,旁路电容越大,下限截止频率f L(越低还是越高)? 下面测量c3=50uf时的放大电路的低频截止频率。 步骤如下: 1、取消参数扫描分析。 2、Analysis→Simulate,调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。 3、在probe下,选择Trace→ Add(添加输出波形),,弹出Add Trace对话框,在Trace Expression 中编辑v(out)/v(in)

手把手告诉你建新的pspice模型

手把手教你创立pspice模型 有些时候我们会用到pspice里面没有的模型,我们就需要自己建立新模型。在网上也有很多建立新模型的资料,但是我照着搞,总会有或多或少的问题,后来尝试了很久,终于建立成功了,我分享一下我的经验。我是实干主义者,很多理论的东西不清楚,但还是希望我写的东西能帮到大家。 1.建立模型的.lib文件。 这个步骤我所知道的的有两种方法。 1.1第一种方法:可以直接在一些官网上下载.lib文件,这样就可以直接进行第二步。 1.2第二种方法:自己编辑。自己编辑又有两种方法。(首先具备的条件是你知道你要编辑的模型的pspice参数,一般可以从一些公司的网站上获得,比如我想获得GENESIC公司的sic BJT模型,我就进入GENESIC官网可以下载到它的模型参数。) 1.2.1 自己编辑的第一种方法,通过Model Editor编辑。 开始->所有程序->Candence ->release 16.3/16.5 ->pspice accessories ->model editor就可以打开以下窗口。

接着 File ->New就可以打开以下窗口。 接着点Model ->New就可以打开以下窗口。

接着可以选择Use Devices Characteristics Curves或者Use Templates,From model下拉条可以选择要创建什么器件,我以BJT 为例。 Use Devices Curves(我不是采用这个,所以不展示了,有兴趣 的可以自己试验)

Use Templates 直接在Simulation Parameters栏里按照自己下载的模型参数修改Values即可。 修改完之后再修改smoke参数,如下图窗口:

PSpice仿真分析类型简介

PSpice 分析类型 PSpice A/D 将直流工作点分析、直流扫描分析、交流扫描分析和瞬态TRAN 分析作为4种基本分析类型,每一种电路的模拟分析只能包括上述4种基本分析类型中的一种,但可以同时包括参数分析、蒙特卡罗分析、及温度特性分析等其他类型的分析,现对4种基本分析类型简介如下。 1. 直流扫描分析(DC Sweep ) 直流扫描分析的适用范围:当电路中某一参数(可定义为自变量)在一定范围内变化时,对应自变量的每一个取值,计算出电路中的各直流偏压值(可定义为输出变量),并可以应用Probe 功能观察输出变量的特性曲线。 例对图1-1所示电路作直流扫描分析 R 1图1-1 直流扫描分析实例 (1)绘图 应用OrCAD/Capture 软件绘制好的电路图如图1-2所示。 图1-2 直流扫描分析实例 (2)确定分析类型及设置分析参数 a) Simulation Setting (分析类型及参数设置对话框)的进入 ·执行菜单命令PSpice/New Simulation Profile ,或点击工具按钮,屏幕上弹出 New Simulation (新的仿真项目设置对话框)。如图1-3所示。

图1-3New Simulation对话框 ·在Name文本框中键入该仿真项目的名字,即可进入Simulation Settings(分析类型及参数设置对话框),如图1-4所示。 图1-4Simulation Settings b)仿真分析类型分析参数的设置 图1-2所示直流分压电路的仿真类型及参数设置如下(见图1-4): ·Analysis type下拉菜单选中“DC Sweep”; ·Options下拉菜单选中“Primary Sweep”; ·Sweep variable项选中“V oltage source”,并在Name栏键入“V1”;

pspice信号源参数大全

PSPiCe仿真-- 常用信号源及一些波形产生方法首先说说可以应用与时域扫描的信号源。在OrCad CaPtUre 的原理图中可以放下这 些模型,然后双击模型,就可以打开模型进行参数设置。参数被设置了以后,不一定会在原理图上显示出来的。如果想显示出来,可以在某项参数上,点击鼠标右键,然后选择di splay ,就可以选择让此项以哪种方式显示出来了。 1. Vsin 这个一个正弦波信号源。 相关参数有: VOFF :直流偏置电压。这个正弦波信号,是可以带直流分量的。 VAMPL :交流幅值。是正弦电压的峰值。 FREQ :正弦波的频率。 PHASE :正弦波的起始相位。 TD:延迟时间。从时间0开始,过了TD的时间后,才有正弦波发生。 DF :阻尼系数。数值越大,正弦波幅值随时间衰减的越厉害。 2. Vexp 指数波信号源。 相关参数有: V1 :起始电压。 V2 :峰值电压。 TC1 :电压从V1向V2变化的时间常数。 TD1 :从时间0点开始到TC1阶段的时间段。 TC2 :电压从V2向V1变化的时间常数。 TD2 :从时间0点开始到TC2阶段的时间段。 3. Vpwl 这是折线波信号源。 这个信号源的参数很多,T1~T8 ,V1~V8其实就是各个时间点的电压值。一种可以 设置8个点的坐标,用直线把这些坐标连起来,就是这个波形的输出了。 4.Vpwl_e nh 周期性折线波信号源。

它的参数是这样的: FIRST_NPAIRS :第一转折点坐标,格式为(时间,电压)。SECOND_NPAIRS :第二转折点坐标。 THIRD_NPAIRS :第三转折点坐标。 REPEAT_VALUE :重复次数。 5. Vsffm 单频调频波信号源 参数如下: VoFF :直流偏置电压。 VAMPL :交流幅值。正弦电压峰值。 FC:载波信号频率 MOD :调制系数 FM:被调制信号频率。 函数关系:Vo=VOFF+VAM×L Sin ×(2π FC× t+MO× Sin 6. Vpulse 脉波信号源。 这大概是我最常用到的信号源了。用它可以实现很多种周期性的信号三角波、锯齿波等。可以用来模拟和实现上电软启动、可以用来产生率信号等等。 参数如下: V1 :起始电压 V2 :脉冲电压 TD:从时间零开始到V1开始跳变到V2的延迟时间。 TR :从V1跳变到V2过程所需时间。 TF:从V2跳回到V1过程所需时间。 PW :脉冲宽度,就是电压为V2的阶段的时间长度。 PER :信号周期(2π FM×t)) 方波、矩形波、PWM驱动信号或功

PSpice_AD基本仿真

PSpice A/D数模混合仿真 孙海峰OrCAD中的PSpice A/D可以对电路进行各种数模混合仿真,以验证电路的各个性能指标是否符合设计要求。PSpice A/D主要功能是将Capture CIS产生的电路或文本文件(*.cir)进行处理和仿真,同时附属波形观察程序Probe对仿真结果进行观察和分析。 PSpice A/D数模仿真技术主要包括以下几类仿真: 1、直流扫描分析(DC Sweep):电路的某一个参数在一定范围内变化时,电路直流输出特性的分析和计算。 2、交流扫描分析(AC Sweep):计算电路的交流小信号线性频率响应特性,包括幅频特性和相频特性,以及输入输出阻抗。 3、噪声分析(Noise):在设定频率上,计算电路指定输出端的等效输出噪声和指定输入端的等效输入噪声电平。 4、直流偏置点分析(Bias Point):当电路中电感短路,电容断路时,电路静态工作点的计算。进行交流小信号和瞬态分析之前,系统会自动计算直流偏置点,以确定瞬态分析的初始条件和交流小信号条件下的非线性器件的线性化模型参数。 5、时域/瞬态分析(Transient):在给定激励下,电路输出的瞬态时域响应的计算,其初始状态可由用户自定义,也可是直流偏置点。 6、蒙特卡洛分析(Monte-Carlo):根据实际情况确定元件参数分布规律,然后多次重复进行指定电路特性的分析,每次分析时的元件参数都采用随机抽样方式,完成多次分析后进行统计分析,就可以得到电路特性的分散变化规律。 7、最坏情况分析(Worst):电路中元件处于极限情况时,电路输入输出特性分析,是蒙特卡洛的极限情况。

8、参数扫描分析(Parametric Sweep )电路中指定元件参数暗规律变化时,电路特性的分析计算。 9、温度分析(Temperature ):在指定温度条件下,分析电路特性。 10灵敏度分析(Sensitivity ):计算电路中元件参数变化对电路性能的影响。 以上就是PSpice A/D 所能进行的电路数模混合仿真的内容,下面就介绍具体如何使用PSpice A/D 来对电路进行数模仿真。 运用PSpice 仿真的基本流程如下图: 一、绘制仿真原理图 调用软件自带的仿真模型库(Tools/Capture/Library/PSpice )中的元件,这里的元件模型都是具有电气特征的,可以直接进行PSpice A/D 仿真。原理图绘制方法和Capture 中一样,不再赘述,绘制以下RC 单通道放大器原理图如下: 绘制仿真原理图 仿真 观察分析仿真结果 调整电路 调整仿真参数 设置仿真参数

【教程】PSpice的4种基本仿真分析详解

【教程】PSpice的4种基本仿真分析详解 PSpice A/D将直流工作点分析、直流扫描分析、交流扫描分析和瞬态TRAN分析作为4种基本分析类型,每一种电路的模拟分析只能包括上述4种基本分析类型中的一种,但可以同时包括参数分析、蒙特卡罗分析、及温度特性分析等其他类型的分析,现对4种基本分析类型简介如下。 1. 直流扫描分析(DC Sweep) 直流扫描分析的适用范围:当电路中某一参数(可定义为自变量)在一定范围内变化时,对应自变量的每一个取值,计算出电路中的各直流偏压值(可定义为输出变量),并可以应用Probe功能观察输出变量的特性曲线。 例对图1所示电路作直流扫描分析 图1 (1)绘图 应用OrCAD/Capture软件绘制好的电路图如图2所示。 图2 (2)确定分析类型及设置分析参数 a) Simulation Setting(分析类型及参数设置对话框)的进入 ?执行菜单命令PSpice/New Simulation Profile,或点击工具按钮,屏幕上弹出New Simulation (新的仿真项目设置对话框)。如图3所示。

图3 ?在Name文本框中键入该仿真项目的名字,点击Create按钮,即可进入Simulation Settings(分析类型及参数设置对话框),如图4所示。 图4 b)仿真分析类型分析参数的设置 图2所示直流分压电路的仿真类型及参数设置如下(见图4): ?Analysis type下拉菜单选中“DC Sweep”; ?Options下拉菜单选中“Primary Sweep”; ?Sweep variable项选中“V oltage source”,并在Name栏键入“V1”;

关于PSPICE仿真软件中如何使用PARAMETERS参数分析教程

关于PSPICE仿真软件中如何使用 PARAMETERS参数分析教程 利用PARAMETERS进行参数分析,能够很好的分析参数变化所引起的波形变化,从而迅速观察出所需参数的范围值。掌握此方法能够帮助我们高效率的完成工作。接下来让我们看一下PARAMETERS参数分析使用的具体方法。 我们以一个TL431的分路稳压器的电路我为基础了解如何运用参数分析功能。首先建立一个简单的原理图。 如上图所示,利用TL431的可编程性,调整R1,R2的比例关系,我们可以得到一个≤36V的输出电压,即Vout=Vvef(1+R2/R1)。接下来我们看下此点路的波形,在原理图上我们添加两个电压探针。

仿真波形如下图所示: 从波形中我们可以看出,Vref=2.4912V ,Vout=4.9845V。从而验证了Vout=Vref(1+R2/R1),从例子中我们看出仿真软件给我们带来的便利。 接下来我们进入主题,学习如何运用PARAMETERS进行参数分析。首先我们如下图搜索PARAM,选定PARAM/SPECIAL放在原理图上。

接下来我们就针对上图中的PARAMETERS进行相关的设置,设置之前要明确我们的目的,就是通过改变R2的值,来观察输出曲线的变化。所以我们要做的工作就是把PARAMETERS进行关联。 1、双击PARAMETERS进行Property Editor设定。 2、在新打开的窗口中点击New Column… 设置相关参数,var为任意起的一个名字,1k为R2现在的阻值。

3、双击R2的值1k进行关联设置。此处的Value要与PARAM设置 相互关联,此处我设置为{var} 4、接下来我们进行仿真的相关设置。设置参数如下图,注意全局 变量Parameter name的设置。

Pspice器件模型参数说明

Pspice 器件模型参数说明 1、 二极管模型及主要参数 二极管模型参数如表1所示 名称 符号 SPIC 名称 单位 缺省值 反向饱和电流(Saturation current) I S IS A 10-14 欧姆电阻(Ohmic resistance) R S RS Ω 0 发射系数(Emission coefficient) n N 1 渡越时间(Transit time) τT TT s 0 零偏置电容(Zero-bias junction capacitance) C j0 CJ0 F 0 结电压(Junction potential) V 0 VJ V 1 电容梯度因子(Grading coefficient) m M 0.5 反向击穿电压(Reverse breakdown voltage) V ZK BV V ∞ 反向击穿电流(Current at breakdown voltage) I ZK IBV A 10-10 仿真时采用理想二极管,参数不需要设置。 参数说明: I S :PN 结反向扩散电流,该值远小于PN 结反向(漏)电流,因为它为包括反向空间电荷区产 生的电流、表面复合电流、表面沟道电流和表面漏导电流。 n :一般n =1,测量:正向特性线性区 ) /ln(212 1D D D D I I V V kT q n ?= C j0: C D =C d +C j = m nU U V U C e I U ) 1()1(0 D 0j s T T T D ?+?τ0j T T 2)1(T D C e I U nU U s +?≈τ V 0:0.7-0.8V m : 0.3-0.5, 一般为0.33 2、 稳压管模型及主要参数 模型参数如表1所示,参数设置如下: V ZK =U Z I ZK =I Zmin 3、 晶体管模型及主要参数 模型参数如表2所示 名称 符号 SPIC 名称 单位 缺省值 传输饱和电流 I S IS A 10-16 正向电流增益 βF BF 100 反向电流增益 βR BR 1 集电极电阻 R CC’ RC Ω 0 发射极电阻 R EE’ RE Ω 0 基极电阻 R BB’ RB Ω 0 理想正向渡越时间 τF TF s 0

pspice二级管参数总结

查看文章 OrCAD PSpice DIODE model parameter 2010-07-15 22:31 1.从OrCAD PSpice help文档:

2.国外网站的相关介绍: SPICE Diode Model Parameters name parameter units default example ar 1 IS saturation current A 1.0e-14 1.0e-14 * 2 RS ohmic resistanc Ohm 0 10 * 3 N emission coefficient - 1 1.0 4 TT transit-time sec 0 0.1ns

The DC characteristics of the diode are determined by the parameters IS, N, and the ohmic resistance RS. Charge storage effects are modeled by a transit time, TT, and a nonlinear depletion layer capacitance whic determined by the parameters CJO, VJ, and M. The temperature dependence of the saturation current is defined by the parameters EG, the band gap energy and XTI, the saturation current temperature exponent. nominal temperature at which these parameters were measured is TNOM, which defaults to the circuit-wi value specified on the .OPTIONS control line. Reverse breakdown is modeled by an exponential increase the reverse diode current and is determined by the parameters BV and IBV (both of which are positive numbers). 3. 国外网站关于PSpice 其它模型的参数介绍:如(三极管,达林顿管,场效应管,二极管)Spice models ?Introduction ?The MOD model file ?The ZMODELS.LIB library file ?Model parameters and limitations o Bipolars o Darlingtons o MOSFETs o Diodes ?Further information

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