ROHM旗下LAPIS(原来OKI) 超低功耗8bit Flash微控制器(MCU)

EMT6中文资料

Transistors 1/4 Power management (dual transistors) EMF20/UMF20N 2SC4617and DTC144E are housed independently in a EMT6 or UMT6 package. z Application Power management circuit z Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. z Structure Silicon epitaxial planar transistor z Equivalent circuits z External dimensions (Units : mm) z Package, marking, and packaging specifications Type EMF20EMT6F20T2R 8000Package Marking Code Basic ordering unit (pieces)UMF20N UMT6F20TR 3000

Transistors 2/4 z Absolute maximum ratings (T a=25°C) 120mW per element must not be exceeded. ?2 120mW per element must not be exceeded. Each terminal mounted on a recommended land. z Electrical characteristics (T a=25°C) Tr1 Parameter Symbol BV CBO BV CEO BV EBO I CBO I EBO h FE V CE (sat)Cob Min.60507??180?? ???????2 ???0.10.13900.43.5 V I C =50μA I C =1mA I E =50μA V CB =60V V EB =7V V CE =6V, I C =1mA I C /I B =50mA/5mA V V μA μA ?V PF Typ.Max.Unit Conditions f T ?180?V CE =12V, I E =?2mA, f =100MHz V CB =12V, I E =0A, f =1MHz MHz Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cutoff current Emitter cutoff current DC current transfer ratio Transition frequency Collector-emitter saturation voltage Output capacitance DTr2 Parameter Symbol Min.Typ.Max.Unit Conditions ? Transition frequency f T ?250?MHz V CE =10V, I E =?5mA, f =100MHz ?Characteristics of built-in transistor. V I(off)??0.5V V CC =5V, I O =100μA Input voltage V I(on) 3.0??V V O =0.3V, I O =2mA V O(on)?100300mV V O =10mA, I I =0.5mA Output voltage I I ??180μA V I =5V Input current I O(off)??500nA V CC =50V, V I =0V Output current R 132.94761.1k ??Input resistance G I 20???V O =5V, I O =5mA DC current gain ? R 2/R 1 0.8 1.0 1.2 ? Resistance ratio

常用电阻及标称值

常用电阻器 1、电位器 电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。 1.1 合成碳膜电位器 电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单，是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大，耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器 有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器 用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好，是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器 绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器 金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。 1.6 导电塑料电位器 用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP 电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器 有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器 预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器 采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器 有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器 无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。 2、实芯碳质电阻器 用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。 特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。 3、绕线电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。 绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高，稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，

光敏电阻检测光照亮度 - 副本

光敏电阻检测光照亮度 Photosensitive resistance measurement of light brightness 摘要：本文设计了一个光照强度自动检测系统，可分光照检测部分、信号处理部分、光强显示部分、报警部分。光照检测部分可利用光敏电阻传感器作为检测元件。输入信号处理后，就可以用来显示了。显示部分可利用发光二极管来显示，不同的光强对应于不同的发光二极管点亮，就能简单的显示出不同的光强了。关键词：光照强度；光敏电阻；发光二极管； Abstract:This paper describes the design of a light intensity automatic detection system,can be divided into light detecting part,signal processing part,display part,an alarm part intensity.The light detecting part can use photosensitive resistance sensor as the detecting element.After the input signal processing,can be used to display the.The display part can make use of the light-emitting diode to display,the light intensity corresponding to the light emitting diode light up different,can be simply show a different intensity. Keywords:Light intensity;Photosensitive resistance;Light emitting diode; 0前言 光照强度自动检测显示系统，该系统可以自动检测光照强度的强弱并显示让人们知道此时光照强度的强弱。人们可以设定光照强度的范围，一旦超出此范围该系统可以发出警报通知或直接采取措施使光照强度在此范围内。人们可以通过看此装置的显示了解现在的光照状态，做合理的光照调节。该设计可分为三部分：即光照检测部分、信号处理部分、光强显示部分。还可加上报警部分。对于光照检测部分可利用光敏电阻传感器作为检测元件，它可以完成从光强到电阻值的信号转换，再把电阻值转换为电信号就可以作为系统的输入信号。对输入信号处理后，就可以用来显示了。对于显示部分可利用发光二极管来显示，不同的光强对应于不同的发光二极管点亮，就能简单的显示出不同的光强了。 1设计要求 本文设计一个光照强度自动检测、显示、报警系统，实现对外界三种不同条件下光强的分档指示和报警（弱、适宜、强）。 1、根据题目选定光照强度自动检测所用的光电传感器类型 (1)自己设计至少三种以上不同光照条件，测定不同光照条件下光电传感器的输出； (2)传感器测量电路采用集成运算放大器构成的比较器完成，完成至少三种以上不同光照条件下显示报警系统方案的论证和设计；

电阻参数表

●电阻的数值 电阻的代表字母是 R﹝resistor﹞，单位是欧姆﹝ohm 或 Ω﹞，若数值较高者，常以 kΩ 或 MΩ 表示，1KΩ=1000Ω，1MΩ=1000000Ω，在电阻上的标示方法有数值标示法与色码标示法。 ●电阻标示 电阻颜色识别 颜色 黑棕 红 橙 黄绿蓝紫灰白金 银 无色第一位数 0 1 2 3 456789 第二位数 0 1 2 3 456789 指 数10x x= 0 1 2 3 4567-1 (/10) -2 (/100) 容许误差 ± 5% 10% 20% 误差1%以下电阻色码 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白金 银 第一位数 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第二位数 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第三位数 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 指 数10x x= 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9-1 (/10) -2 (/100) 容许误差± x 1% 2% x x 0.5%0.25%0.1%0.05%x5% 10% 下图是三种常见电阻，分別是碳素电阻，金属氧化膜﹝METAL OXIDE FILM﹞电阻，与误差1%精密金属膜﹝METAL FILM﹞电阻。

常用电阻颜色识別 Ω Ω Ω Ω KΩ KΩ KΩ MΩ 0.10 棕黑银 1.0 棕黑金 10 棕黑黑 100 棕黑棕1.0 棕黑红10 棕黑橙100 棕黑黄 1.0 棕黑绿 0.11 棕棕银 1.1 棕棕金 11 棕棕黑 110 棕棕棕1.1 棕棕红11 棕棕橙110 棕棕黄 1.1 棕棕绿 0.12 棕红银 1.2 棕红金 12 棕红黑 120 棕红棕1.2 棕红红12 棕红橙120 棕红黄 1.2 棕红绿 0.13 棕橙银 1.3 棕橙金 13 棕橙黑 130 棕橙棕1.3 棕橙红13 棕橙橙130 棕橙黄 1.3 棕橙绿 0.15 棕绿银 1.5 棕绿金 15 棕绿黑 150 棕绿棕1.5 棕绿红15 棕绿橙150 棕绿黄 1.5 棕绿绿 0.16 棕蓝银 1.6 棕蓝金 16 棕蓝黑 160 棕蓝棕1.6 棕蓝红16 棕蓝橙160 棕蓝黄 1.6 棕蓝绿 0.18 棕灰银 1.8 棕灰金 18 棕灰黑 180 棕灰棕1.8 棕灰红18 棕灰橙180 棕灰黄 1.8 棕灰绿 0.20 红黑银 2.0 红黑金 20 红黑黑 200 红黑棕2.0 红黑红20 红黑橙200 红黑黄 2.0 红黑绿 0.22 红红银 2.2 红红金 22 红红黑 220 红红棕2.2 红红红22 红红橙220 红红黄 2.2 红红绿 0.24 红黄银 2.4 红黄金 24 红黄黑 240 红黄棕2.4 红黄红24 红黄橙240 红黄黄 2.4 红黄绿 0.27 红紫银 2.7 红紫金 27 红紫黑 270 红紫棕2.7 红紫红27 红紫橙270 红紫黄 2.7 红紫绿 0.30 橙黑银 3.0 橙黑金 30 橙黑黑 300 橙黑棕3.0 橙黑红30 橙黑橙300 橙黑黄 3.0 橙黑绿 0.33 橙橙银 3.3 橙橙金 33 橙橙黑 330 橙橙棕3.3 橙橙红33 橙橙橙330 橙橙黄 3.3 橙橙绿 0.36 橙蓝银 3.6 橙蓝金 36 橙蓝黑 360 橙蓝棕3.6 橙蓝红36 橙蓝橙360 橙蓝黄 3.6 橙蓝绿 0.39 橙白银 3.9 橙白金 39 橙白黑 390 橙白棕3.9 橙白红39 橙白橙390 橙白黄 3.9 橙白绿 0.43 黄橙银 4.3 黄橙金 43 黄橙黑 430 黄橙棕4.3 黄橙红43 黄橙橙430 黄橙黄 4.3 黄橙绿 0.47 黄紫银 4.7 黄紫金 47 黄紫黑 470 黄紫棕4.7 黄紫红47 黄紫橙470 黄紫黄 4.7 黄紫绿 0.51 绿棕银 5.1 绿棕金 51 绿棕黑 510 绿棕棕5.1 绿棕红51 绿棕橙510 绿棕黄 5.1 绿棕绿 0.56 绿蓝银 5.6 绿蓝金 56 绿蓝黑 560 绿蓝棕5.6 绿蓝红56 绿蓝橙560 绿蓝黄 5.6 绿蓝绿 0.62 蓝红银 6.2 蓝红金 62 蓝红黑 620 蓝红棕6.2 蓝红红62 蓝红橙620 蓝红黄 6.2 蓝红绿 0.68 蓝灰银 6.8 蓝灰金 68 蓝灰黑 680 蓝灰棕6.8 蓝灰红68 蓝灰橙680 蓝灰黄 6.8 蓝灰绿 0.75 紫绿银 7.5 紫绿金 75 紫绿黑 750 紫绿棕7.5 紫绿红75 紫绿橙750 紫绿黄 7.5 紫绿绿 0.82 灰红银 8.2 灰红金 82 灰红黑 820 灰红棕8.2 灰红红82 灰红橙820 灰红黄 8.2 灰红绿 0.91 白棕银 9.1 白棕金 91 白棕黑 910 白棕棕9.1 白棕红91 白棕橙910 白棕黄 9.1 白棕绿 碳素电阻： 第一位数黄代表 4，第二位数紫代表 7，倍数色码黄色代表(4个0)，误差值色码金色代表±5%，所以这个电阻的阻值就是 47 后面加(4个0)亦即 470kΩ 误差±5% 氧化金属膜电阻： 第一位数棕色代表 1，第二位数黑色代表 0，倍数色码黑色代表(0个0)，误差色码金色也是±5%，所以代表的数值是 10 后面(不用再加 0)也就是 10Ω 误差±5% 金属膜电阻： 第一位数棕色代表 1，第二位数黑色代表 0，第三位数黑色代表0，倍数色码橙色代表(3个0)，误差色码棕色代表±1%，所以代表的数值就是 100 后面加(3个0)也就是 100kΩ，误差1%。

电阻、电容、电感的命名

一、电容的分类和作用 电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同： 按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。 按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。我们最常见到的就是电解电容。 电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐 二、电容的符号 电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“＋”符号代表正极。 三、电容的两个重要参数 容量：电容容量的基本单位是：F （法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有两个用的比较少的单位：mf(毫发)和nF（），由于电容F 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。 换算关系如下： 1F＝1000mf=1000000μF 1μF=1000nF=1000000pF 耐压：电容耐压的单位是V（伏特），每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。 四、电容的种类 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点： 无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成无感，高频特性好，体积较小不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差 CBB电容2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成有感，其他同上 瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜银而成体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）易碎！容量低 云母电容云母片上镀两层金属薄膜容易生产，技术含量低体积大，容量小，（几乎没有用了） 独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感 电解电容两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸泡在电解液（含酸性的合成溶液）中 容量大高频特性不好 钽电容用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极稳定性好，容量大，高频特性好造价高。（一般用于关键地方） 五、电容的标称及识别方法 1. 由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

电阻 电容封装命名

贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸：

Note：我们俗称的封装是指英制。 贴片元 件的封 装一、零 件规格 (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表英制表示法1206080506030402公制表示法3216212516081005含义L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm)L: 0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm)L:0.4i nch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时

应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻：最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。注：ABCD 四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为LXSXH1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同0805具体尺寸：2.0X1.25X0.5（公制表示法）1206具体尺寸：3.0X1.50X0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS–05K102JT 2、1％精度的命名：RS–05K1002FT R－表示电阻 S－表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05－表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、 1812表示1812、

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻区别

碳膜、金属膜、金属氧化膜电阻 碳膜电阻 碳膜电阻（碳薄膜电阻）为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。最后在外层涂上环氧树脂密封保护而成。其阻值误差虽然较金属皮膜电阻高，但由于价钱便宜。碳膜电阻器仍广泛应用在各类产品上，是目前电子，电器，设备，资讯产品之最基本零组件。 金属膜电阻 金属膜电阻（金属拍摄电阻）同样利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂，只是将炭膜换成金属膜（如镍铬），并在金属膜车上螺旋纹做出不同阻值，并且于瓷棒两端度上贵金属。虽然它较碳膜电阻器贵，但低杂音，稳定，受温度影响小，精确度高成了它的优势。因此被广泛应用于高级音响器材，电脑，仪表，国防及太空设备等方面。

金属氧化膜电阻 某些仪器或装置需要长期在高温的环境下操作，使用一般的电阻会未能保持其安定性。在这种情况下可使用金属氧化膜电阻（金属氧化物薄膜电阻器），它是利用高温燃烧技术于高热传导的瓷棒上面烧附一层金属氧化薄膜（如氧化锌），并在金属氧化薄膜车上螺旋纹做出不同阻值，然后于外层喷涂不燃性涂料。它能够在高温下仍保持其安定性，电阻皮膜负载之电力亦较高。它还兼备低杂音，稳定，高频特性好的优点。 方形线绕电阻 方形线绕电阻（钢丝缠绕电阻）又俗称为水泥电组，采用镍，铬，铁等电阻较大的合金电阻线绕在无碱性耐热瓷件上，外面加上耐热，耐湿，无腐蚀之材料保护而成，再把绕线电阻体放入瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。而不燃性涂装线绕电阻的差别只是外层涂装改由矽利康树脂或不燃性涂料。它们的优点是阻值精确，低杂音，有良好散热及可以承受甚大的功率消耗，大多使用于放大器功率级部份。缺点是阻值不大，成本较高，亦因存在电感不适宜在高频的电路中使用。 碳质电阻 碳质电阻（碳电阻器）是利用石墨，碳等较大电阻系数的物质加上胶合剂加压，加热成棒状，并在制造时植入导线。电阻值的大小是根据碳粉的比例及碳棒的粗细长短而定。其制造成本最为低廉，但稳定性较差及误差大。

(整理)常用元器件介绍

1.1电阻 1.1.1功能：电阻器是电路元件中应用最广泛的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还作为分流器分压器和负载使用，见图1.1 1.1.2符号： 图1.1 1.1.3分类： 1）从材料分：碳膜电阻（用RT表示），金属膜电阻（RJ表示），氧化膜电阻（用RY表示），线绕电阻（用RX表示），水泥电阻（用RS表示）等。见图1.2 图1.2 2）从功率分：1/6W,1/4W,1/2W,1W,2W等，大功率电阻一般水泥材料，用作负载。 3）从精密度分：常用的精度为±0.5%、±1%、±2%，±5%等，下面误差等级的分类：见表1.1 允许误差±0.5%±1% ±2%±5%±10%±20% 级别005 01 02 ⅠⅡⅢ 表1.1 4）从功能分：有纯电阻、压敏电阻、热敏电阻（NTC电阻，PTC电阻）、光敏电阻等 1.1.4色环阻值表示法：碳质电阻和一些1/8瓦碳膜电阻的阻值和误差用色环表示。在电阻上有三道或者四道色环。靠近电阻端的是第一道色环，其余顺次是二、三、四道色环，第一道色环表示阻值的最大一位数字，第二道色环表示第二位数字，第三道色环表示阻值未应该有几个零。第四道色环表示阻值的误差。色环颜色所代表的数字或者意义见下表1.2： 色别第一色环最大一位数字第二色环第二位数字第三色环应乘的数第四色环误差棕 1 1 10 红 2 2 100 橙 3 3 1000

黄 4 4 10000 绿 5 5 100000 蓝 6 6 1000000 紫7 7 10000000 灰8 8 100000000 白9 9 1000000000 黑0 0 1 金0.1 ±5% 银0.01 ±10% 无色±20% 表1.2 示例： 1）在电阻体的一端标以彩色环，电阻的色标是由左向右排列的，图1的电阻为27000Ω±0.5%。 2）精密度电阻器的色环标志用五个色环表示。第一至第3色环表示电阻的有效数字，第4色环表示倍乘数，第5色环表示容许偏差，图1.3的电阻为17.5Ω±1% 表示27000Ω±5% 表示17.5Ω±1% 图1.3 1.1.5应用常识： 1）在电路图中电阻器和电位器的单位标注规则 阻值在兆欧以上，标注单位M。比如1兆欧，标注1M；2.7兆欧，标注2.7M。 阻值在1千欧到1兆欧之间，标注单位k。比如5.1千欧，标注5.1k；68千欧，标注68k；比如360千欧，标注360k。 阻值在1千欧以下，可以标注单位Ω，也可以不标注。比如5.1欧，可以标注5.1Ω或者5.1；680欧，可以标注680Ω或者680。 2）电阻的额定功率要选用等于实际承受功率1.5~2倍的，才能保证电阻耐用可靠。电阻在装入电路之前，要用万用表欧姆档核实它的阻值。安装的时候，要使电阻的类别、阻值等符号容易看到，以便核实。

贴片电阻、电容的命名及尺寸

贴片电阻的命名 国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT 2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R－表示电阻 S－表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05－表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K－表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。 J－表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T－表示编带包装 贴片电容的命名， 国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。 贴片电容的命名所包含的参数： 1、贴片电容的尺寸（0201、040 2、060 3、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225） 2、贴片电容的材质（COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH） 3、要求达到的精度（±0.1PF、±0.25PF、±0.5PF、5%、10％、20％） 4、电压（4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、250V、500V、1000V、2000V、3000V） 5、容量(0PF-47UF) 6、端头的要求(N表示三层电极) 7、包装的要求(T表示编带包装，P表示散包装) 例风华系列的贴片电容的命名： 0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*24.50=1.96mm）、05表示宽度为0.05英寸(换算成mm=0.05*24.50=1.225ccm) CG：是表示生产电容要求用的材质， 102：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102＝10×102也就是＝1000PF J：是要求电容的容量值达到的误差精度为5％，介质材料和误差精度是配对的 500：是要求电容承受的耐压为50V同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。 N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡 T：是指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装

光敏电阻的检测方法

光敏电阻的检测方法 1.用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。 2.将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减些 此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。 3.将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏 就只要一台标准发光源和一个精度高一点的电阻仪,否则你就要光通计还有一大堆软硬的东东,我看你好像不会要那么专业吧? 一個照度計,一個暗箱,一個測試治具,一個光敏電阻 感光波长：350~1050nm 亮电流（100LUX）：10~80uA 暗电流(0LUX)<0．1uA 响应\结束时间<20 us 应用照度范围：0．1~6000LUX 主要技术参数： 感光峰值波长：550nm 亮电流（100LUX）：100 uA ~120uA 暗电流(0LUX)<0．1uA 响应\结束时间<8．5ms 应用照度范围：0．1~6000LUX

产品名称：光敏传感器 序号：164932-808 型(编)号： 更新时间： 2009.03.23 主要技术参数： 感光波长：350~1050nm 亮电流（100LUX）：30~90uA 暗电流(0LUX)<0．1uA 响应\结束时间<20 us 应用照度范围：0．1~6000LUX 光敏电阻规格参数

电阻电容单位换算法

电容的单位换算 1F=10^6uF=10^9nF=10^12pF? 电容的基本单位用法拉(F) 表示1F=10^3mF =10^6uF=10^12pF 1F＝1000000μ 105=?1?μF=1000nF=1000000pF? 104=?0.1?μF ?103=?0.01?μF=10000PF? 102=?0.001?μF?=1000PF ?224=0.22uF ? F 法拉mF毫法uF微法pF皮法 1F=1000mF 1F＝1000000uF 1uF＝1000nF 1uF＝1000000pF [国产电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。并联补偿所需电容的计算公式是：C＝P/2πfU2(tgφ1－tgφ) 式中：P－电源向负载供电的有功功率，单位是瓦；U－系统电压，单位是伏；F－系统频率，单位是赫；φ1－并联电容之前，负

载的阻抗角；φ－并联电容之后，系统的阻抗角；C－补偿电容，单位是法。进口电容的标识,基本单位,单位换算关系<1>单位：基本单位为P，辅助单位有G，M，N。换算关系为：<1G=1000μF><1M=1μF=1000PF> <2>标注法：通常不是小数点，而是用单位整数，将小数部分隔开。例如：6G8=6.8G=6800μF；2P2=2.2μF；M33=0.33μF；68n=0。068μF有的电容器用数码表示，数码前2位为电容两有效数字，第3位有效数字后面“零的”个数。数码后缀J（5%）、K（10%）、M（20%）代表误差等级。如222K=2200PF+10%，应特别注意不要将Ｊ、Ｋ、Ｍ与我国电阻器标志相混，更不要把电容器误为电阻器。电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=1000mH,1H=1000000uH 频率的具体换算关系1MHz=1000000Hz,1MHz就是10的6次方Hz。1KHz=0.001MHz。1KHz就是1000Hz 电容10n就是10的n次方以上关系可以表示为1uF=103nF=106pF 其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法电容识别及单位换算《电容识别》上图举出了一些例子。其中，电解电容有正负之分，其他都没有。电容的容量单位为：法（F）、微法（uf），皮法（pf)。一般我们不用法做单位，因为它太大了。各单位之间的换算关系为：1F=1000000uf 1uf=1000000pf 在使用中，还经常见到单位：nf。1uf=1000nf 1nf=1000pf 电容的容量标识的几种方法：一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。二、使用单位nf：如上图的涤纶电容，标称4n7，即4.7nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即0.01uf；33n，即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v. 三、数学计数法：如上图瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pf=0.1uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.047uf。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。又如：332=33X100pf=3300pf。电容的使用，都应该在指定的耐压下工

ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET 全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的 SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型 SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。 另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（日本京都市）。今后计划还将逐步扩充产品阵容。 ＜背景＞ 近年来，在全球范围寻求解决供电问题的大背景下，涉及到如何有效地输送并利用所发电力的"功率转换"备受关注。SiC功率器件作为可显著减少这种功率转换时的损耗的关键器件而备受瞩目。ROHM一直在进行领先行业的相关产品研发，于2010年成功实现SiC MOSFET的量产，并在持续推进可进一步降低功率损耗的元器件开发。 京都大学工学研究科电子工学专业木本恒畅教授表示 "Si（硅）材料已经接近其理论性能极限。对此，ROHM公司率先发力采用可实现高耐压、低损耗（高效率）的SiC（碳化硅：Silicon carbide）材料的SiC功率器件，一直在推进领先全球的开发与量产。 此次，采用可最大限度发挥SiC特性的沟槽结构的SiC-MOSFET在全球率先实现量产，其成功意义非常巨大，是划时代的里程碑。该SiC-MOSFET是兼备极其优异的低损耗特性与高速开关特性的最高性能的功率晶体管，功率转换时的效率更高，可"毫无浪费"地用电，其量产将为太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源等所有设备进一步实现节能化、小型化、轻量化做出贡献。" ＜特点＞ 1. 采用沟槽结构，实现低导通电阻功率器件

硫化镉光敏电阻

产品名称：CdS（硫化镉）光敏电阻； 产品型号：LXD5516; LXD5528; LXD5537; LXD5549；LXD5516D；LXD5626D；；LXD5637D；LXD5639D；LXD5649D； 产品规格(mm)： 5mm 详细参数： LXD5516 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：90 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：540 亮电阻（10LUX光源下）：5-10 KΩ 暗电阻（MIN）/ MΩ：0.2 LXD5528 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：540 亮电阻（10LUX光源下）：8-20 KΩ 暗电阻（MIN）/ MΩ：1.0 LXD5537 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：540 亮电阻（10LUX光源下）：30-90 KΩ 暗电阻（MIN）/ MΩ：2.0 LXD5549 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：540 亮电阻（10LUX光源下）：45-140 KΩ 暗电阻（MIN）/ MΩ：10.0 LXD5616D 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：560 亮电阻（10LUX光源下）：5-10 KΩ 暗电阻（MIN）/ MΩ：1.0 LXD5526D 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70

光谱峰值(nm)：540 亮电阻（10LUX光源下）：8-20 KΩ暗电阻（MIN）/ MΩ：2.0 LXD5639D 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：560 亮电阻（10LUX光源下）：30-90 KΩ暗电阻（MIN）/ MΩ：8.0 LXD5649D 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：560 亮电阻（10LUX光源下）：50-160 KΩ暗电阻（MIN）/ MΩ：20.0 LXD5637D 最大电压(VDC) ：150 最大功耗(MW)：100 环境温度：-30～+70 光谱峰值(nm)：560 亮电阻（10LUX光源下）：18-50 KΩ暗电阻（MIN）/ MΩ：5.0 应用范围： ●照相机自动测光 ●室内光线控制 ●工业控制 ●光控灯 ●光控音乐I.C ●光电控制 ●报警器 ●光控开关 ●电子玩具 ●电子验钞机

电阻电容工程编码识别

一、三星 1608 1/10W 50V 2012 1/8W 150V 3216 1/4W 150V 3225 1/4W 200V 二、华新WALSIN 1、厂商标志或名称 WALSIN 精度：D=0.5% F=1%J=5% 1、厂商标志或名称： YAGEO 1、厂商标志或名称 2、贴片电阻料盘工程编码识别 各品牌电阻电容工程编码识别对照表 （一）电阻识别 RC 3216 F 1601 CS 注：尺寸与功率的关系与耐压值 代号 额定功率（W ） 工作电压（耐压值） 2、贴片电阻料盘工程编码识别 WR 06 X 1301 F T L 5%精度的命名： R S - 05 K 102 J T ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ 1%精度的命名： R S - 05 K 1002 F T ⑥ 2、贴片电阻工程编码的识别： RC 0603 J R — 07 39K 四、风华高科： 1、厂商标志或名称： 贴片电阻的封装与功率关系如下表： 2、贴片电阻工程编码的识别：

一、三星 电容精度代码： J=5% K=10% M=20% Z=+80-20% 贴片电容的材料常规分为三种：NPO ，X7R ，Y5V 要的高频电路。容量精度在5%左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF 以下，100PF-1000PF 也能生产但价格较高。 X7R ：此种材质比NPO 稳定性差，但容量做的比NPO 的材料要高，容量精度在10％左右。 Y5V ：此类介质的电容，其稳定性较差，容量偏差在20％左右，对温度电压较敏感，但这种材质能做到很高的容量，而且价格较低，适用于温度变化不大的电路中。 1、厂商名称或标志： 1、厂商标志或名称： 0805 CG 102 J 500 N T 2、村田片电容工程编码识别 如：GRM188B11H102KA01K GR M 18 8 B1 1H 102 K A01 K ①+②型号+系列代号有：GRM 镀锡电极品、GR4信息设备专用、GR7照相机闪光电路专用、ERB 高频型、GQM 高频型波峰/回流焊接用、GMA 片状独石超小型、GMD 引线结合型、GNM 排容、LLL 低ESL 宽幅型、LLA 8终端低ESL 型，LLM IO 终端低ESL 型、GJM 高频低损耗型 镀锡型、GA2 AC250V （r.m.s ）用、GA3安全规格论证品、GCM 汽 车用锡电极品三、风华系列的贴片电容的命名：2.电容工程编码识别 如：0805CG102J500NT 二、村田贴片电容2、贴片电容料盘工程编码识别：如CL10A105KQNNNC CL 10 A 105 K Q 8 N N N C ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩ ⑾ （二）贴片电容识别 1、厂商名称或标志：

5-可靠性设计-降额设计

可靠性设计－－降额设计
张晓明
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内容提要
1。概述 2。主要电子元器件降额应力选取 3。降额设计应注意的问题 4。降额设计准则

1 概述
定义 降额(derating)：元器件使用中承受的应力低于其额定值，以达 到延缓其参数退化，提高使用可靠性的目的，通常用应力比和 环境温度来表示。 额定值(rating)：元器件规格书允许的最大使用应力值。 应力(stress)：影响元器件失效率的电、热、机械等负载。 应力比(stress ratio)：元器件工作应力与额定应力之比。应力 比又称降额因子。

1 概述
?施加在电子元器件上的电应力，热应力大小直接影响电子元 器件的失效率高低。 ?爱林（ Erying ）模型，用来描述承受两种不同应力的寿命模 型，其中一种应力为温度。其一般形式为 ?寿命
τ=A/SnB exp(Ea/kT)
?许多物理现象和化学反应过程，除了温度有关外，还与很多 非温度应力如电压、湿度、机械应力等密切相关，这时，需要 用Eyring模型。它是一种反应速度论模型，它描述了温度、电 压等多种应力和寿命之间的关系。

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1 概述
?施加在电子元器件上的电应力、热应力大小直接影响电子元 器件的失效率高低。 ?表1.1给出了某些电容器通过降低其使用电压而使其失效率有 2-3个数量级的降低。 ?表1.2给出了金属膜电阻器降低其使用功率而使其失效有2个 数量级的降低。

时钟发生器电路 ROHM

SAM3U系列时钟发生器 由以下部件组成： ?1个低功耗的频率为32768Hz的慢时钟振荡器，可以被旁路。 ?1个低功耗RC振荡器时钟。 ?1个频率为3-20MHz的晶体振荡器（使用USB时必须为12MHz），可以被旁路。 ?1个出厂已编程的快速RC振荡器，有3种输出频率可供选择：4、8或12MHz，默认情况下为 4Mhz。 ?1个480MHz UTMI PLL，为高速USB设备控制器提供时钟。 ?1个频率为96-192MHz的可编程PLL（输入频率为8-16MHz），可向处理器和外设提供MCK 时钟。 它能够提供如下时钟： ?SCLK，慢时钟，也即系统内唯一的常设时钟。 ?MAINCLK，主时钟振荡器（Main Clock Oscillator）选择单元的输出时钟：晶体振振荡器或 4/8/12MHz快速RC振荡器。 ?PLLACK，分频器和PLL（PLLA）的输出时钟，其中PLL（PLLA）的频率可编程为96- 192MHz。 ?UPLLCK，480MHz UTMIPLL（UPLL）的输出时钟。 时钟发生器用户接口内嵌在功耗管理控制器中，27.13节“功耗管理控制器（PMC）用户接口”中 描述了时钟发生器的用户接口。不过，时钟发生器寄存器命名的前缀为CKGR_。 461

26.2 2626--1.框图 Slow Clock SLCK Main Clock MAINCK PLLA Clock PLLACK UPLL Clock UPLLCK SAM3U 系列 62

SAM3U系列 由低速晶体振荡器或低速RC振荡器产生。 慢时钟源可通过设置供电控制器的控制寄存器（SUPC_CR）的XTALSEL位来选择。 默认情况下，选择RC振荡器。 26.6.33.1RC振荡器 默认情况下，慢时钟RC振荡器是被选中和允许的，用户必须考虑RC振荡器可能产生的漂移。更 多细节可以参考本数据手册“DC特性”小节中。 通过设置供电控制器的控制寄存器（SUPC_CR）中XTALSEL位可禁止慢时钟RC振荡器。 26.6.33.2晶振 时钟发生器集成了一个频率为32,768Hz的低功耗振荡器。XIN和XOUT引脚必须连接到一个频率为 32,768Hz的晶振上。如图26-2所示，此时还必须连接两个外部电容。更多细节可参考本产品数据 手册“DC特性”小节。 注意：用户不是必须得使用慢时钟晶振，可以使用RC振荡器来代替慢时钟晶振。在这种情况下，可 以不连接XIN和XOUT引脚。 26--2.典型慢时钟晶振连接 图26 慢时钟晶振，这样就不用连接晶振。在这种情况下，用户必须向XIN引脚提供外部时钟信号。在本产品手册电气特性章节中描述了XIN引脚在这些条件下的输入特性。 程序员必须确保将供电控制器模式寄存器（SUPC_MR）中的OSCBYPASS位和供电控制器控制 寄存器（SUPC_CR）中的XTALSEL位置1。 463