Ⅲ族氮化物半导体材料

Zhe Chuan Feng Taiwan University ，ChinaⅢ-Nitride SemiconductorMaterials2006 ，428pp．Hardcover

USDl20.00ISBN 1-86094-636-4Imperial College Press

Ⅲ族氮化物半导体材料(Al ，In，Ga)N，(包括GaN、InN 、AlN 、InGaN 、AlGaN 和AIlnGaN 等)是性能优良、适宜制作

半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高

功率、高亮度的蓝-绿-白发光管和蓝光激光器以及其他电子

器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的已形成了产

业。预期在本世纪内氮化物基的发光管有可能置换传统的钨

丝灯，这在照明领域是一次革命，将会极大地影响人们的生

活。

此书共有12 章，每章作者均是该领域的专家。全书内

容包括了Ⅲ-N 科学和技术的基础和各个重要的方面，主要内容有：1 Ⅲ族氮化物材料的氢化物汽相外延； 2 Ⅲ族氮化物材料外延的平面MOVPE 技术；3 GaN 和相关材料外延

的紧耦合喷头MOCVD 技术；4 Ⅲ-N 材料的分子束外延；

5 非极性GaN 薄膜和异质结的生长和特性；

6 InN 的高压CVD 生长、适时和非原位持性；

7 对InN 新的认识；8

AlxGal-xN 合金(x=O-1) 的生长和光/电特性；9 MOCVD lnGaN/GaN 量子阱结构的光学研究；1O 掺SiInGaN/GaN 量子阱结构的簇状纳米结构和光学特性；11 Ⅲ族氮化物的微结构和纳米结构；12 稀释氮化物半导体研究的新进展。

此书介绍了Ⅲ族氮化物材料的一些重要性能和关键生

长技术，指出了21 世纪以来Ⅲ族氮化物半导体的最新进展

和还有待研究解决的问题。适合从事Ⅲ族氮化物领域的研

究、教学、工程技术人员以及研究生、大学生阅读和参考。

孔梅影，研究员

(中国科学院半导体研究所)

Kong Meiying ，Professor

(Institute of Semiconductors ，

the Chinese Academy of Sciences)