2307三极管A7SHB芯片规格书PW2307

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140 详情如下： 90系列三极管参数 90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。 9011 结构：NPN 集电极-发射极电压 30V 集电极-基电压 50V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.03A 耗散功率 0.4W 结温150℃ 特怔频率平均 370MHZ 放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9012 结构：PNP 集电极-发射极电压 -30V 集电极-基电压 -40V 射极-基极电压 -5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN 集电极-发射极电压 25V 集电极-基电压 45V 射极-基极电压 5V 集电极电流 0.5A 耗散功率 0.625W 结温150℃ 特怔频率最小 150MHZ 放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9014 结构：NPN

SS8050LT1 三极管- SOT-23

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S8550 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complimentary to S8050 z Collector current: I C =0.5A MARKING : 2TY MAXIMUM RATINGS (T A =25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage -40 V V CEO Collector-Emitter Voltage -25 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -Continuous -0.5 A P C Collector Power Dissipation 0.3 W T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C = -100μA, I E =0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B = 0 -25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E = -100μA, I C =0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB = -40V, I E = 0 -0.1 μA Collector cut-off current I CEO V CE = -20V, I B =0 -0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB = -3V, I C =0 -0.1 μA h FE(1) V CE = -1V, I C = -50mA 120 400 DC current gain h FE(2) V CE = -1V, I C = -500mA 50 Collector-emitter saturation voltage V CE (sat) I C =-500mA, I B = -50mA -0.6 V Base-emitter saturation voltage V BE (sat) I C =-500mA, I B = -50mA -1.2 V Transition frequency f T V CE = -6V, I C = -20mA f=30MHz 150 MHz CLASSIFICATION OF h FE(1) Rank L Range 200-3500

9013,9014,8050三极管引脚图与管脚功能

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚功能 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于 R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个

常见大中功率管三极管参数(精)

常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN

MEMORY存储芯片STM32F103C8T6中文规格书

Features ?ARM? 32-bit Cortex?-M3 CPU Core –72 MHz maximum frequency, 1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait state memory access –Single-cycle multiplication and hardware division ?Memories –64 or 128 Kbytes of Flash memory –20 Kbytes of SRAM ?Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6 V application supply and I/Os –POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD) –4-to-16 MHz crystal oscillator –Internal 8 MHz factory-trimmed RC –Internal 40 kHz RC –PLL for CPU clock –32 kHz oscillator for RTC with calibration ?Low-power –Sleep, Stop and Standby modes –V BAT supply for RTC and backup registers ? 2 x 12-bit, 1 μs A/D converters (up to 16 channels) –Conversion range: 0 to 3.6 V –Dual-sample and hold capability –Temperature sensor ?DMA –7-channel DMA controller –Peripherals supported: timers, ADC, SPIs, I2Cs and USARTs ?Up to 80 fast I/O ports –26/37/51/80 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5 V-tolerant ?Debug mode –Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces ?7 timers –Three 16-bit timers, each with up to 4 IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature (incremental) encoder input –16-bit, motor control PWM timer with dead-time generation and emergency stop – 2 watchdog timers (Independent and Window) –SysTick timer 24-bit downcounter ?Up to 9 communication interfaces –Up to 2 x I2C interfaces (SMBus/PMBus) –Up to 3 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control) –Up to 2 SPIs (18 Mbit/s) –CAN interface (2.0B Active) –USB 2.0 full-speed interface ?CRC calculation unit, 96-bit unique ID ?Packages are ECOPACK? Table 1. Device summary Reference Part number STM32F103x8 STM32F103C8, STM32F103R8 STM32F103V8, STM32F103T8 STM32F103xB STM32F103RB STM32F103VB, STM32F103CB, STM32F103TB 找Memory、FPGA、二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、滤波器， 上深圳市美光存储技术有限公司 August 2015

8050-8550三极管引脚图与管脚识别

9011,9012,9013,9014,9015,9016,9017,9018,8050,8550 三极管引脚图与管脚识别(含贴片) s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图 e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册https://www.360docs.net/doc/391232845.html,首页可以查询电子资料与单片机资料，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100 或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接

三极管S8050&S8550的使用

8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。在有些电路里对S8050 的放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。 8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管 S8050 S8550 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.6V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 引脚排列为EBC或ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 8050S 8550S 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压25V 集电极-发射极饱和电压 0.5V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 引脚排列为ECB 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350 关于C8050 C8550 参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档 放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 关于8050SS 8550SS 参数： 耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A

大功率三极管参数..

大功率三极管参数 MJ15024 | NPN | 250V | 16A | 250 W MJ15025 | PNP | 250V | 16A |250 W E13005-2是“高速/高压开关管” 参数：硅、NPN、700V/400V 、8A 、75W 、β≥10 三极管参数大全 BU2525AF NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NS BU2525AX NPN 30 开关功放1500V12A150W /350NS BU2527AF NPN 30 开关功放1500V15A150W BU2532AW NPN 30 开关功放1500V15A150W(大屏) BUH515 NPN BCE 行管1500V10A80W BUH515D NPN BCE 行管1500V10A80W(带阻尼) BUS13A NPN 12 开关功放1000V15A175W BUS14A NPN 12 开关功放1000V30A250W BUT11A NPN 28 开关功放1000V5A100W BUT12A NPN 28 开关功放450V10A125W BUV26 NPN 28 音频功放开关90V14A65W /250ns BUV28A NPN 28 音频功放开关225V10A65W /250ns BUV48A NPN 30 音频功放开关450V15A150W BUW13A NPN 30 功放开关1000V15A150W BUX48 NPN 12 功放开关850V15A125W BUX84 NPN 30 功放开关800V2A40W BUX98A NPN 12 功放开关400V30A210W5MHZ DTA114 PNP 10K-10K 160V0.6A0.625W(带阻) DTC143 NPN 录像机用4.7K-4.7K HPA100 NPN BCE 大屏彩显行管21# HPA150 NPN BCE 大屏彩显行管21# HSE830 PNP BCE 音频功放80V115W1MHZ HSE838 NPN BCE 音频功放80V115W1MHZ COP/MJ4502 MN650 NPN BCE 行管1500V6A80W MJ802 NPN 12 音频功放开关90V30A200W MJ2955 PNP 12 音频功放开关60V15A115W MJ3055 NPN 12 音频功放开关60V15A115W MJ4502 PNP 12 音频功放开关90V30A200W COP/MJ802 MJ10012 NPN 12 达林顿400V10A175W MJ10015 NPN 12 电源开关400V50A200W

三极管8050和8550对管的参数

三极管8050和8550对管的参数 图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列 图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列 8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。 8050S 8550S S8050 S8550 参数： 耗散功率0.625W（贴片：0.3W） 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数： 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档 放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 8050SS 8550SS 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种 SS8050 SS8550 参数： 耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小100MHZ 放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档 放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBC UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC 8050S 8550S 引脚排列有ECB 这种管子很少见 参数： 耗散功率1W 集电极电流0.7A 集电极--基极电压30V 集电极--发射极击穿电压20V 特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出 放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档 C：120-200 D：160-300 E：280-400

3904 3906三极管说明

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-563 Plastic-Encapsulate Transistors NST3946 General purpose transistors (dual transistors) DESCRIPTION It is designed for general purpose amplifier applications . By putting two mount applications where board space is at a premium. z Low V CE(sat) z Simplifies Circuit Design z Reduces Board Space z Reduces Component Count Marking: 46 Equivalent circuit 1

CBO V CEO Collector-Emitter Voltage -40 V V EBO Emitter-Base Voltage -5 V I C Collector Current -200 mA P C Collector Power Dissipation 150 mW R θJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 833 ℃/W T J Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10μA, I E = 0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1mA, I B =0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10μA, I C = 0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-30V, I E = 0 -0.05 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =-5V, I C =0 -0.05μA V CE =-1V, I C = -0.1mA 60 V CE =-1V, I C = -1mA 80 V CE =-1V, I C = -10mA 100 300 V CE =-1V, I C = -50mA 60 DC current gain h FE V CE =-1V, I C = -100mA 30 I C =-10mA, I B =-1mA -0.25V Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA -0.4 V I C =-10mA, I B =-1mA -0.65 -0.85 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA -0.95V Transition frequency f T V CE =-20V, I C =-10mA, f=100MHz 250 MHz Output capacitance C ob V CB =-5V, I E =0, f=1MHz 4.5 pF

各三极管参数大全

HIT5609 NPN 三极管 △主要用途： 主要用于开关、音频放大，适用于应急灯、电动玩具等电子产品。（与HIT5610 互补） △极限值（TA=25℃） △电参数（Ta=25℃） 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 集电极漏电流 I CBO V CB=25V,I E=0 100 nA 发射极漏电流 I EBO V BE=5V,I C=0 100 nA 基极漏电流 I CEO V CE=20V,I B=0 5 μA 集电极、发射极击穿电压 BV CEO I C=10mA,I B=0 20 V 发射极、基极击穿电压 BV EBO I E=1mA,I C=0 6 V 集电极、基极击穿电压 BV CBO I C=100μA,I E=0 25 V 集电极、发射极饱和压降 V CE(sat) I C=0.8A,I B=0.08A 0.5 V 基极、发射极饱和压降 V BE(on) V CE=2V,I C=0.5A 1.0 V 直流电流增益 H FE1 V CE=2V,I C=0.5A 120 240 H FE2 V CE=2V,I C=1mA 105 H FE3 V CE=2V,I C=10mA 110 脉冲方式测试：PW≤300μs;占空比≤2% 实际分如档： B C1 C2 120-160 160-200 200-240 脚位排列与快捷三星 相同 TO-92 1. 发射极 E 2. 集电极 C 3. 基极 B 参数符号标称值单位 集电极、基极击穿电压 V CBO 25 V 集电极、发射极击穿电压 V CEO 20 V 发射极、基极击穿电压 V EBO 5 V 集电极电流 I C 1.5 A 集电极功率 P C 2 W 结温 T J 150 ℃ 贮存温 T STG -55-150 ℃ 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550

DSK32 SOD-123FL系列规格书推荐

DSK32 THRU DSK310SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current -3.0 Ampere 1of 2

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES DSK32 THRU DSK310 FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE A V E R A G E F O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M P E R E S I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E S P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R E S INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS 100 10 1 0.1 0.010.001 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,% FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E S AMBIENT TEMPERATURE, C 2of 2

常用贴片三极管主要参数及丝印

常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G

20V转5V,20V转3.3V的LDO芯片规格书

40V高输入电压LDO线性稳压器一般说明 PW6206系列是一款高精度，高输入电压，低静态电流，高速，低压降线性稳压器具有高纹波抑制。在VOUT=5V&VIN=7V时，输入电压高达40V，负载电流高达300mA，采用BCD工艺制造。PW6206提供过电流限制、软启动和过热保护，以确保设备在良好的条件下工作 PW6206调节器有标准SOT89-3L和SOT23-3L封装。标准产品无铅无卤。 特点 ?输入电压：4.75V~40V ?输出电压：1.8V~5.7V ?输出精度：<±2% ?输出电流：150mA（典型值） ?最高300mA@VIN=7V，VOUT=5V，PW6206B50HV封装 ?电源抑制比：60dB@100Hz ?跌落电压：600mV@IOUT=100mA ?静态电流：4.2μA@VIN=12V（典型值） ?ESD HBM:8KV ?推荐电容器：10uF 应用芯片135代2845理8039 Mr。郑，技术工程FAE ?智能电表 ?车内娱乐 ?电动自行车 典型应用电路

应用信息 输入电容器 VIN 和GND 引脚之间需要10μF 的输入电容。电容器应尽可能靠近VIN 引脚，建议使用电解电容器。必须考虑公差和温度系数，以确保电容器在整个温度和工作条件范围内工作。 输出电容器

在实际应用中，选择输出电容器以保证其稳定运行是非常重要的。稳定和正确操作的最小电容为1μF。电容公差应在工作温度范围内±30%或更好。建议电容器类型为MLCC。 空载稳定性 PW6206将在无外部负载的情况下保持稳定和调节。这在CMOS RAM保持活动应用中尤其重要。 典型电路 下图显示了PW6206设备的典型应用电路。根据应用情况，应仔细选择外部组件的值。在插拔应用中，由于芯片上电源的插入和拔出引起的过冲会损坏芯片，因此建议VIN小于30V，输入电压峰值不超过45V。 在封堵应用中，建议R、Cin选用如下： 1Cin=10UF~100UF电解电容器，最大电压大于50V，R=0； 2Cin=1UF~10UF MLCC，最大电压V大于50V，R=2Ω，1206型电阻器应仔细选择，以确保有足够的裕度来承受插入期间的浪涌电流。

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法

s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图 e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。 (b) 判定三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。 如是象9013 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，用舌尖同时添（其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸，反正都不卫生）黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。（以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。） 9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据 9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80 9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-90 9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-110 9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90 8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100 8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140