中科院半导体器件物理 第六章

半导体器件物理(第二版)第二章答案

2-1．P N + 结空间电荷区边界分别为p x -和n x ，利用2T V V i np n e =导出)(n n x p 表达式。给 出N 区空穴为小注入和大注入两种情况下的)(n n x p 表达式。 解：在n x x =处 ()()??? ??????? ??-=?? ? ??-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn i n n FP i i n n exp exp ()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =??? ? ??-= 而 ()()() 000n n n n n n n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+?≈?=+?=+ （n n n p ?=?） ()()T T V V i n n n V V i n n n e n p n p e n n n p 2020=?+?=?+ 2001T V V n i n n n p n p e n n ???+= ?? ? T V V 2 2n n0n i p +n p -n e =0 n p = (此为一般结果) 小注入：（0n n n p <>? 且 n n p p ?= 所以 T V V i n e n p 22=或 T V V i n e n p 2= 2-2．热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，用此方法推导方程 2 0ln i a d T p n n N N V =-=ψψψ。 解：净电子电流为 ()n n n n I qA D n x με?=+? 处于热平衡时，I n ＝0 ，又因为 d dx ψ ε=-

半导体器件物理_复习重点

第一章 PN结 1.1 PN结是怎么形成的？ 耗尽区：正因为空间电荷区内不存在任何可动的电荷，所以该区也称为耗尽区。 空间电荷边缘存在多子浓度梯度，多数载流子便受到了一个扩散力。在热平衡状态下，电场力与扩散力相互平衡。 p型半导体和n型半导体接触面形成pn结，p区中有大量空穴流向n区并留下负离子，n区中有大量电子流向p区并留下正离子（这部分叫做载流子的扩散），正负离子形成的电场叫做空间电荷区，正离子阻碍电子流走，负离子阻碍空穴流走（这部分叫做载流子的漂移），载流子的扩散与漂移达到动态平衡，所以pn 结不加电压下呈电中性。 1.2 PN结的能带图（平衡和偏压） 无外加偏压，处于热平衡状态下，费米能级处处相等且恒定不变。 1.3 内建电势差计算 N区导带电子试图进入p区导带时遇到了一个势垒，这个势垒称为内建电势差。

1.4 空间电荷区的宽度计算 n d p a x N x N = 1.5 PN 结电容的计算 第二章 PN 结二极管 2.1理想PN 结电流模型是什么？ 势垒维持了热平衡。 反偏：n 区相对于p 区电势为正，所以n 区内的费米能级低于p 区内的费米能级，势垒变得更高，阻止了电子与空穴的流动，因此pn 结上基本没有电流流动。 正偏：p 区相对于n 区电势为正，所以p 区内的费米能级低于n 区内的费米能级，势垒变得更低，电场变低了，所以电子与空穴不能分别滞留在n 区与p 区，所以pn 结内就形成了一股由n 区到p 区的电子和p

区到n 区的空穴。电荷的流动在pn 结内形成了一股电流。 过剩少子电子：正偏电压降低了势垒，这样就使得n 区内的多子可以穿过耗尽区而注入到p 区内，注入的电子增加了p 区少子电子的浓度。 2.2 少数载流子分布（边界条件和近似分布） 2.3 理想PN 结电流 ?? ????-??? ??=1exp kT eV J J a s ?? ? ? ? ?+=+= 0020 11p p d n n a i n p n p n p s D N D N en L n eD L p eD J ττ 2.4 PN 结二极管的等效电路（扩散电阻和扩散电容的概念）？ 扩散电阻：在二极管外加直流正偏电压，再在直流上加一个小的低频正弦电压，则直流之上就产生了个叠加小信号正弦电流，正弦电压与正弦电流就产生了个增量电阻，即扩散电阻。 扩散电容：在直流电压上加一个很小的交流电压，随着外加正偏电压的改变，穿过空间电荷区注入到n 区内的空穴数量也发生了变化。P 区内的少子电子浓度也经历了同样的过程，n 区内的空穴与p 区内的电子充放电过程产生了电容，即扩散电容。

中国科学院计算技术研究所学位论文答辩资格规定

自然辩证法与科技革命 速成指导 序：本文紧扣复习提纲，并进行了适当补充，是短时间内进行突击的理想材料。后附2003 欢迎大家批评指正，Email：kinguang@https://www.360docs.net/doc/3a18895574.html, 一、导言 1.辩证法（亚里士多德、黑格尔、恩格斯） ?亚里士多德的“辩证法”：论辩的方法； ?黑格尔的“辩证法”：绝对精神的规律，也是宇宙的终极规律 ?自然辩证法（恩格斯）：自然辩证法作为马克思主义关于人类认识和改造自然的已有成果的概括和总结，是关于自然界和科学技术发展的一般规律以及人类认识和改造自然的一般方法的科学，将随着科学技术的发展演化而不断丰富和发展。 二、自然观 1.中国古代自然观 ?阴阳五行学说：阴阳二气、木金水火土五行相生相胜。（揭示了普遍联系的观点） ?元气论：“万物皆生于气”，元气是天地万物的本原。（强调了物质性） ?古希腊自然观 ?客观存在的物质世界 ?自然界统一于若干种具体的物质形态 ?自然界是一个永恒的变化过程 ?对立面的冲突和统一推动事物发展演化 ?万事万物的运动变化遵循逻各斯,服从数的规律 ?古代自然观的特点 ?整体上对自然界本质和规律的直观考察，勾勒了自然界发展变化的总体画面，肯定了自然界的物质性和统一性，初步论述了自然界事物相互联系、相互作用的辩证法，提出了矛盾运动是世界万物发展变化的内在原因。 ?局限： －质朴性：把自然界统一为具体事物；

－思辨性：圆圈式的简单循环； －猜测性：有启发性，但幼稚、神秘色彩。 所以，称为“朴素的辩证自然观”（与当时的科学水平相适应） ?中世纪神学自然观 2.近代形而上学自然观 特征： －以力学观点解释世界； －注重归纳、分析方法，孤立、静止地看待事物； －以物质原因解释自然现象，促进了自然科学从神学中解放出来；但难以解释物质形态的转化； －难以解释社会现象，一定程度上又求助于神学。 －绝对化，最终会严重束缚科学家的思想，阻碍科学的发展。 3.辩证唯物主义自然观 －哲学来源：黑格尔辩证法、费尔巴哈唯物主义 －科学背景：太阳系的起源与演化、地质渐变论、能量守恒与转化定律、细胞学说、进化论——揭示自然事物的相互联系与转化。 －观点的提出：《自然辩证法》 －特征：唯物、辩证 4.可持续发展 －提出的背景：生态环境危机 －概念内涵：环境与经济社会协调发展 －措施：《环境与发展宣言》、《中国21世纪议程》等 －我国必须走可持续发展的道路：经济与社会、环境协调发展；一系列的战略决策 三、科学技术方法论 ?科学技术认识方法论：是关于科学技术研究中常用的一般认识方法的理论,是关于科学研究和工程技术研究一般方法的性质、特点、内在联系和变化发展的理论体系。 1.科学认识系统：主体——中介——客体 ?主体：具有知识、经验、方法、技能、价值标准和科学实践的特殊性的人。认识中处于主动地位,具有能动性。

中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案

中国科学院计算技术研究所攻读博士学位研究生培养方案 （2010年10月） 一、培养目标 1、拥护党的基本路线和方针政策，热爱祖国，遵纪守法，具有良好的职业道德和敬业精神，具有科学严谨和求真务实的学习态度和工作作风，弘扬“科研为国分忧，创新与民造福”的价值理念。 2、掌握本学科坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识；具有严谨的治学态度、理论与实践相结合的科学方法和作风；熟练掌握一～两门外国语。 3、具有独立从事科学研究或独立担负专门技术研发工作的能力；了解本专业领域学科发展前沿和动向；具有团结协作精神，能在工程技术或科学理论方面做出创新性成果。 4、具有良好的身体和心理素质。 二、研究方向 本方案适用于本所“计算机科学与技术”一级学科所有专业的博士研究生培养。三、学习年限 博士生的学习年限为3～6年。硕博连读研究生在转博后学习年限同博士生。 四、培养方式 1、博士生的培养方式以科学研究工作为主，重点培养博士生独立从事学术研究工作的能力，并使博士生通过完成一定学分的课程学习，包括跨学科课程的学习，系统掌握所在学科领域的理论和方法，拓宽知识面，提高分析问题和解决问题的能力。使博士生在掌握坚实宽广的基础理论和系统深入的专门知识的基础上，学会进行创造性的研究工作所必须的科学工作方法，培养严谨的科学作风。 2、博士生的培养工作由导师负责,并实行导师个别指导或导师负责与指导小组集体培养相结合的指导方式。鼓励跨学科、跨专业聘请有关专家参加指导小组，以利于拓宽知识领域，开阔研究思路，发展交叉边缘学科。 3、导师应与博士生定期交流，关心博士生的思想品德、业务能力和综合素质。促进博士生德、智、体全面发展。研究生所在的党支部、辅导员和导师要积极帮助和关心学生的思想进步和政治成长，有针对性地开展集体主义、爱国主义教育。 五、培养环节 博士生的培养主要包括以下环节：制定个人培养计划、课程学习、必修环节及论文

我的中科院理化所考研经历

我的中科院理化所考研经历 回想起考研那段经历，感受最深的就是考研是一场生命的历练，是一次重要的洗礼，是人生中的一次蜕变。只有真正体验过，才能真正感悟其中的奥妙，才能获得身心的提升，才能变得更加成熟！ 国学大师王国维在他的《人间词话》中这样描述了人生的三种境界：第一种是"昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路"；第二种是"衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴"；第三种是"众里寻他千百度，蓦然回首，那人却在灯火阑珊处"。这里姑且借用它来描述我的考研历程。 昨夜西风凋碧树，独上高楼，望断天涯路 我考研的想法在大二时就已萌发，但当时并没有去准备，对于包括要考哪里、考什么方向等在内的问题都没有认真地去考虑，只是感觉自己对研究一直抱有很高的热情，比较适合从事研究工作。真正开始认真地考虑这个问题是在大三下学期。那时，2004级的师兄师姐刚面试完，所以很多同学到他们那里取经、搜集资料，学院里也组织了几次考研经验交流会。经过多方面的比较之后，我决定报考中国科学院有机化学方向的研究生。刚开始选定的是上海有机所，但后来却历经波折，直到网上确认完才算真正定下来。9月下旬我们学校通知保研名额，但是学院里说不能外保，这样前十个中九个放弃保研，其中有四个选择报考上海有机所，而且他们的实力都非常强。选择保研还是继续考试？当时家人、同学都劝我慎重考虑，理由是竞争压力太大，我们学校不是非常好的名校，所以即使过线也不可能全要，相对而言，选择保送就稳妥得多；还有女生从事有机化学研究危害性太大但是我们学院没有外保，如果想保研只能留在本校。难道就要这样放弃自己曾经的梦想，从此与中国科学院无缘？不，这不是我想要的！经过慎重考虑，我决定和命运赌一次，就算结果不如想象得理想，但至少自己已尽力了，不会留下太多的遗憾 衣带渐宽终不悔，为伊消得人憔悴 大三下学期我们的课程还是比较多，看了一段时间的有机化学之后，我感觉这东西太繁杂，没有比较完整的时间对知识进行梳理是很难系统掌握的。当时我们的专业课正在学习结构化学和物理化学（下册），所以我就决定先把开设的课程学好，暑假再开始有机化学的复习。可那年暑假因为奥运会，学校限电，教室晚上也不开，整个暑假也就没有认真地复习。不过，每天晚上和同学一块儿听奥运广播成了那个暑假最深刻而美好的记忆。9月开学后算是真正进入备考阶段：先是系统地复习专业课的主要内容和基本知识点，然后就是做习题、做真题、研究真题。这期间我对重要知识点、易错知识点和难点作了比较详细的整理。最后冲刺阶段我基本上是按照考试安排在作适应性训练：上午、下午分别做相应科目的试题，晚上就开始分析、总结，不断地查漏补缺。 对于英语，我一向不大喜欢单纯地记单词，而且也记不住，而是比较喜欢阅读。所以，在其他同学拿着词汇书记单词时，我选择了多看多读，以此来扩充词汇量。就这样我每周坚持一定的阅读量，如《英语文摘》、《英语沙龙》、《21世纪报》等，有时间我就会去读。

中国科学院沈阳计算技术研究所

中国科学院沈阳计算技术研究所 研究生国家奖学金评选实施细则 为推进研究生培养机制改革，提高研究生培养质量，激励广大研究生积极进取、勇于创新，培养德才兼备的高素质创新创业人才，秉承“科教融合、育人为本、协同创新、服务国家”办学理念，践行“博学笃志、格物明德”校训，根据《中国科学院大学研究生国家奖学金评选办法》，制定本实施细则。 第一条本实施细则适用于在中国科学院沈阳计算技术研究所(以下简称“沈阳计算所”)按照国家招生计划录取的、接受研究生学历教育的全日制学生（以下简称“学生”，包含非在职少数民族骨干计划学生）的研究生国家奖学金（以下简称“国家奖学金”）评选工作。 第二条本所国家奖学金名额由国科大根据当年财政部、教育部下达计划按比例分配。博士生国家奖学金奖励标准为每生每年3万元；硕士生国家奖学金奖励标准为每生每年2万元。 国家奖学金必须足额发至获奖者本人。不得替代、拆解国家奖学金，不得以获得国家奖学金为理由停发或扣发其它已获得或应获得的各类奖助学金。 第三条评选条件： 一、热爱社会主义祖国，拥护中国共产党的领导； 二、遵守宪法和法律，遵守国科大及所在研究所各项规章制度； 三、诚实守信，道德品质优良； 四、在学期间获得过国科大优秀学生荣誉称号,学习成绩优异，科研能力显著，发展潜力突出。

五、在学期间同时获得过所优秀学生或所优秀奖学金等荣誉称号者优先。 第四条有以下情况之一者，不得获得国家奖学金： 一、在学期间受到过国科大或本所纪律处分者； 二、学位课考试或必修环节考核有一门及以上不及格或不通过者； 三、由于个人原因，在各种实验、实践环节中严重损坏仪器设备或出现安全责任事故者。 第五条直博生根据当年所修课程的层次阶段确定身份参与国家奖学金的评选，在选修硕士课程阶段按照硕士研究生身份参与评定；进入选修博士研究生课程阶段按照博士研究生身份参与评选。硕博连读生按申请时的学籍注册培养层次参与评选。 第六条评选工作开始时已毕业离校的学生、在职生、港澳台学生和留学生不在国家奖学金评选之列。 第七条评审组织： 一、本所依据《中国科学院大学研究生国家奖学金评选办法》，结合本单位实际情况，确定国家奖学金评审委员会组成人员。 二、本所国家奖学金评审委员会，负责本所国家奖学金的初步评审等工作。评审委员会由所领导、学位评定委员会主任、学位评定委员会代表、研究生部主任、导师代表和学生代表担任委员。评审委员应出席评审委员会会议和参加投票表决。未出席会议的委员不得委托他人或以通讯方式投票。评审委员会办公室设在研究生部。 第八条评审程序： 一、本人申请。参评国家奖学金的学生，应在规定时限内如实填写并向奖学金评审委员会办公室提交《研究生国家

全国研究所代码 (标准)

研究所代码 代码研究所 80005 中国科学院武汉岩土力学研究所 80007 中国科学院力学研究所 80008 中国科学院物理研究所 80009 中国科学院高能物理研究所 80010 中国科学院声学研究所 80012 中国科学院理论物理研究所 80014 中国科学院上海原子核研究所 80017 中国科学院近代物理研究所 80018 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所80019 中国科学院国家天文台长春人造卫星观测站80020 中国科学院武汉物理与数学研究所 80021 中国科学院紫金山天文台 80022 中国科学院上海天文台 80023 中国科学院云南天文台 80024 中国科学院国家授时中心 80025 中国科学院国家天文台 80026 中国科学院声学研究所东海研究站 80027 中国科学院渗流流体力学研究所 80028 中国科学院新疆理化技术研究所 80029 中国科学院自然科学史研究所 80030 中国科学院理化技术研究所 80032 中国科学院化学研究所 80033 中国科学院广州化学研究所 80035 中国科学院上海有机化学研究所 80036 中国科学院成都有机化学研究所 80037 中国科学院长春应用化学研究所 80038 中国科学院大连化学物理研究所 80039 中国科学院兰州化学物理研究所 80040 中国科学院上海硅酸盐研究所 80041 中国科学院过程工程研究所 80042 中国科学院生态环境研究中心 80043 中国科学院山西煤炭化学研究所 80045 中国科学院福建物质结构研究所 80046 中国科学院青海盐湖研究所 80053 中国科学院兰州地质研究所 80054 中国科学院古脊椎动物与古人类研究所 80055 中国科学院南京地质古生物研究所 80057 中国科学院测量与地球物理研究所 80058 中国科学院大气物理研究所 80060 中国科学院地理科学与资源研究所 80061 中国科学院南京地理与湖泊研究所

中国科学院理化技术研究所科研物资采购管理暂行办法

中国科学院理化技术研究所 科研物资采购管理暂行办法 为规范理化所科研物资采购管理，严格执行国家相关法规和管理制度，根据财政部和中国科学院有关事业单位国有资产管理实施办法以及政府采购的相关规定，结合我所实际情况特制订《理化所科研物资采购管理暂行办法》。 一、科研物资采购范围 科研物资采购范围包括科研材料与科研设备等。 科研材料主要指用于科研活动直接需要和间接需要的不纳入固定资产管理的各类物资； 科研设备包括整机设备、自行研制设备、委托加工设备等。 二、科研物资采购经费 科研物资采购经费包括课题项目经费、所公用经费以及研究所其它经费等。 三、科研物资采购流程 科研物资采购流程包括采购计划报批、确定采购方案、实施采购、验收入库等环节。 1．采购计划报批：

凡属政府采购范围内的科研物资，采购部门须在采购计划报批之前，根据上级部门的统一要求提前跨年度申报预算（具体申报时间以所资产办下发通知为准）。 采购3万元（含）以上科研物资，采购部门须填报《理化所科研物资采购审批表》（附件1）。其中主管业务部门须依据项目任务书或科研活动的需要对物资采购申请进行严格把关。 其中对于采购金额在50万元（含）以上的进口设备，采购部门实施采购前，还需通过资产办组织所外专家进行评审，并上报财政部审批。 2．确定采购方案： 采购部门在完成《理化所科研物资采购审批表》逐级审批后，即可进入采购方案的论证阶段。须组建采购小组，由采购小组组织并通过调研和论证等方式确定采购方案，填报《理化所科研物资采购方案论证报告》（附件2）。 对于单项或批量采购金额一次性在50万元（含）以上的科研物资，须执行政府采购相关规定。 对于单项或批量采购金额一次性在120万元（含）以上的科研物资，须采用公开招标方式（由资产办组织实施），附招投标过程相关文件与材料。 对于委托加工与研制的科研物资，附选定供货商的资质证明等（有效期限内的营业执照、生产许可证复印件）。

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半导体器件物理第二章答案

2-1.P N + 结空间电荷区边界分别为p x -与n x ,利用2T V V i np n e =导出)(n n x p 表达式。给出N 区空穴为小注入与大注入两种情况下的)(n n x p 表达式。 解:在n x x =处 ()()??? ??????? ??-=?? ? ??-=KT E E n x n KT E E n x p i Fn i n n FP i i n n exp exp ()()VT V i Fp Fn i n n n n e n KT E E n x n x p 22exp =? ?? ? ??-= 而 ()()() 000n n n n n n n n n n n n p x p p p n x n n n p x =+?≈?=+?=+ (n n n p ?=?) ()()T T V V i n n n V V i n n n e n p n p e n n n p 2020=?+?=?+ 2001T V V n i n n n p n p e n n ???+= ?? ? T V V 2 2n n0n i p +n p -n e =0 n p = (此为一般结果) 小注入:(0n n n p <>? 且 n n p p ?= 所以 T V V i n e n p 22=或 T V V i n e n p 2= 2-2.热平衡时净电子电流或净空穴电流为零,用此方法推导方程 2 0ln i a d T p n n N N V =-=ψψψ。 解:净电子电流为 ()n n n n I qA D n x με?=+? 处于热平衡时,I n ＝0 ,又因为 d dx ψ ε=- 所以n n d n n D dx x ψμ?=?,又因为n T n D V μ=(爱因斯坦关系)

69第6章3_半导体器件物理EM3模型

半导体器件物理(1)

半导体器件物理(I ) 在E-M2模型基础上进一步考虑晶体管的二阶效应，包括基区宽度调制、小电流下复合电流的影响、大注入效应等，就成为E-M3模型. 第6章BJT模型和BJT版图6-1 E-M 模型 四、E-M3模型

半导体器件物理(I ) 1.基区宽度调制效应(Early 效应) 按照器件物理描述的方法，正向放大应用情况下，采用正向Early 电压V A （记为VA ）描述c’-b’势垒区两端电压Vc’b’对有效基区宽度X b 的影响，进而导致I S 、βF 等器件特性参数的变化。 同样引入反向Early 电压（记为VB ）描述反向放大状态下Ve’b’的作用。 第6章BJT模型和BJT版图6-1 E-M 模型 四、E-M3模型

半导体器件物理(I ) 考虑基区宽变效应引入两个模型参数： 正向Early 电压VA 反向Early 电压VB 这两个模型参数的默认值均为无穷大。 若采用其内定值，实际上就是不考虑基区宽度调制效应。 考虑基区宽变效应等效电路并不发生变化。 第6章BJT模型和BJT版图1.基区宽度调制效应(Early 效应) 6-1 E-M 模型 四、E-M3模型

半导体器件物理(I ) 小电流下正偏势垒区存在的复合和基区表面复合效应使基极电流增大。引入下述基区复合电流项描述正向放大情况下be 结势垒区的影响： I 2＝I SE [exp(qV b’e’/Ne kT)-1] 反向放大情况下引入下述基区复合电流描述bc 结势垒区的影响： I 4＝I SC [exp(qV b’c’/Nc kT)-1] 相当于等效电路中I B 增加两个电流分量。 2.小电流下势垒复合效应的表征 第6章BJT模型和BJT版图6-1 E-M 模型 四、E-M3模型

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半导体器件物理(第六章)_93140777

半导体器件 物理进展 第六章其它特殊半导体器件简介Introduction to other Special Semiconductor Devices

本章内容提要： LDMOS、VDMOS等高压功率器件 IGBT功率器件简介 SOI器件与集成电路 电荷耦合器件的原理与应用

1. LDMOS、VDMOS功率器件 （1）MOSFET作为功率器件的优势： MOSFET为多子（多数载流子）器件，电流温度系数为负值（由迁移率随温度的变化引起），不会发生双极型功率器件的二次击穿现象（由Iceo，β随温度的升高而引起）； 没有少子（少数载流子）的存贮效应，开关响应速度较快； 栅极输入阻抗较高，所需的控制功率较小； 具有一定的功率输出能力，可与控制电路集成在一起，形成Smart Power IC，例如LCD显示器的高压驱动电路（Driver）。

（2）MOSFET的击穿特性： （A）导通前的击穿： 源漏穿通： 早期的解释：随着源漏电压增大，→源漏耗尽区不断展宽，直至相碰到一起，→导致发生源漏穿通效应（这里仍然采用的是平面PN结耗尽区的概念，尽管可能不是十分准确）； 目前的理解：由于DIBL效应引起的源漏穿通，与器件的沟道长度及沟道掺杂分布有关，其特点是（与PN结的击穿特性相比）击穿特性的发生不是非常急剧，换句话说，器件的击穿特性不是十分陡直的硬击穿，而是比较平缓的软击穿特性。

漏端PN结击穿： 比单纯的非MOSFET漏区的PN结击穿电压要低（原因：受场区离子注入、沟道区调开启离子注入等因素的影响），由于侧向双极型晶体管的放大作用，使得BV PN 有所下降（类似BV CEO 小于BV CBO ），不同点在于MOS器件的衬底（相当于BJT器件的基区）不是悬空的，而是接地（只是接地电阻可能偏大），这种击穿特性的特点是雪崩电流的发生比较急剧，发生雪崩效应之前的反向电流也很小。 （B ）导通后的击穿：主要是由于侧向双极型晶体管效应所导致，特别是由于器件衬底电流的影响，将使源衬PN 结出现正偏现象，致使侧向双极型晶体管效应更为严重。

中科院计算机技术研究所1999年硕士生入学考试试题

中科院计算机技术研究所1999年硕士生入学试题 数据结构和程序设计 一、选择题(20 分每空2分) 1.___ 的遍历仍需要栈的支持。 1.前序线索树 2.中序线索树 3.后序线索树 2.若度为m的哈夫曼树中,其叶结点个数为n,则非叶结点的个数为___。 1.n-1 2.[n/m]-1 3.[(n-1)/(m-1)] 4.[n/(m-1)]-1 5.[(n+1)/(m+1)]-1 3.最优二*树(哈夫曼树)、最优查找树均为平均查找路径长度∑wh最小的树,其中对最优二*树,n表示___,对最优查找树,n表示___; 构造这两种树均___。 1.结点数 2.叶结点数 3.非叶结点数 4.度为二的结点数 5.需要一张n各关键字的有序表 6.需要对n个关键字进行动态插入 7.需要n个关键字的查找概率表 8.不许要任何前提 4.对于前序遍历与中序遍历结果相同的二*树为___; 对于前序遍历与后序遍历结果相同的二*树为___。 1.一般二*树 2.只有根结点的二*树 3.根结点无左孩子的二*树 4.根接点无右孩子的二*树 5.所有结点只有左子树的二*树6所有结点只有右子树的二*树 5.m路B+树是一棵___, 其结点中关键字最多为___个, 最少为___个。 1.m路平衡查找树 2.m路平衡索引树 3.m路trie树 4.m路键树 5.m-1 6.m 7.m+1 8.[m/2]-1 9.[m/2] 10.[m/2]+1 二、填空题(10 分,每空一分) 1.对于给定的n个元素,可以构造出的逻辑结构有___,___,___,___四种。 2.具有n个关键字的B-树的查找路径长度不会大于___。 3.克鲁斯卡尔算法的时间复杂度为___, 他对___图较为适合。 4.深度为k(设根的层数为1)的完全二*树至少有___个结点, 至多有___个结点, k 和结点数n之间的关系是___。 三、问答题(10 分,每题5分) 1.一棵非空的有向树中恰有一个顶点入度为0，其他顶点入度为1.但一个恰有一个顶点的入度为0，其他顶点入度为一的有向图却不一定是一棵有向树。请举例说明之。 2.若有n个元素以构成一个小根堆，那么如果增加一个元素为K(n+1)，请用文字简要说明你如何在log2(n) 的时间内将其重新调整为一个堆？ 四、阅读下述程序,指出程序的输出。(10 分) void g(int**); main(){ int line[100],i; int *p=line;

半导体器件物理施敏课后答案

半导体器件物理施敏课后答案 【篇一：半导体物理物理教案(03级)】 >学院、部：材料和能源学院 系、所；微电子工程系 授课教师：魏爱香，张海燕 课程名称；半导体物理 课程学时：64 实验学时：8 教材名称：半导体物理学 2005年9-12 月 授课类型：理论课授课时间：2节 授课题目（教学章节或主题）： 第一章半导体的电子状态 1.1半导体中的晶格结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带 本授课单元教学目标或要求： 了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质；理解半导体中的电子态, 定性分析说明能带形成的物理原因，掌握导体、半导体、绝缘体的能带结构的特点 本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生解决重点难点的方法、例题等）：

1．半导体的晶格结构：金刚石型结构；闪锌矿型结构；纤锌矿型 结构 2．原子的能级和晶体的能带 3．半导体中电子的状态和能带（重点，难点） 4．导体、半导体和绝缘体的能带（重点） 研究晶体中电子状态的理论称为能带论，在前一学期的《固体物理》课程中已经比较完整地介绍了，本节把重要的内容和思想做简要的 回顾。 本授课单元教学手段和方法： 采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授 本授课单元思考题、讨论题、作业： 作业题：44页1题 本授课单元参考资料（含参考书、文献等，必要时可列出） 1.刘恩科，朱秉升等《半导体物理学》，电子工业出版社2005? 2.田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导和典型题解》?电子工 业 出版社2005 3. 施敏著，赵鹤鸣等译，《半导体器件物理和工艺》，苏州大学出 版社，2002 4. 方俊鑫，陆栋，《固体物理学》上海科学技术出版社 5．曾谨言，《量子力学》科学出版社 注：1.每单元页面大小可自行添减；2.一个授课单元为一个教案；3. “重点”、“难点”、“教学手段和方法”部分要尽量具体；4.授课类型指：理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。

中科院计算机技术研究所1998年硕士生入学考试试题

中科院计算机技术研究所1998年硕士生入学试题 数据结构和程序设计 (要求：算法题目写注解) 一.填空(15分,每空一分) 1.用循环链表表示的队列长度为n,若只设头指针,则出队和入队的时间复杂度分别是__和__; 若只设尾指针,则出队和入队的时间复杂度分别是__和__. 2.设广义表L=( (),() ) ,则head(L)是___;tail(L)是___;L的长度是___;深度是___. 3.深度为h的完全二*树至少有__个结点;至多有__个结点;h和结点总数n之间的关系是__. 4.在n个记录的有序顺序表中进行折半查找,最大的比较次数是___. 5.在一棵m阶B+树中,若在某结点中插入一个新关键字而引起该结点分裂,则此结点中原有的关键字的个数是___. 6.n个顶点的连通图用邻接矩阵表示时,该矩阵至少有__个非零元素. 二.请在下列各题中选择一个正确的答案(20分,每题2分) 1.算法的时间复杂度取决于 a.问题的规模 b.待处理数据的初态 c.both a and b 2.消除递归不一定需要使用栈,此说法 a.true b.false 3.假定有k个关键字互为同义词,若用线性探测法把这k个关键字存入散列表中,至少要进行多少次探测? a.k-1 b.k c.k=1 d.k(k+1)/2 4.若需要在O(nlog2(n))的时间内完成对数组的排序,且要求排序是稳定的,则可选择的排序方法是: a.快速排序 b.堆排序 c.归并排序 d.直接插入排序 5.用ISAM和VSAM组织文件属于: a.顺序文件 b.索引文件 c.散列文件 6.若一个有向图的邻接矩阵中,主对角线以下的元素均为零,则该图的拓扑有序序列 a.存在 b.不存在 7.将两个各有n个元素的有序表归并成一个有序表,其最少的比较次数是 a.n b.2n-1 c.2n d.n-1 8下述二*树中,那一种满足性质:从任意结点出发到根的路径上所经过的结点序列按其关键字有序: a.二*排序树 b.哈夫曼树 c.AVL树 d.堆 9.以知待排序的n个元素可分为n/k个组,每个组包含k个元素,且任一组内的个元素均分别大于前一组内的所有元素和小于后一组内的所有元素,若采用基于比较的排序,其时间下限应为: a.O(klog2(k)) b.O(klog2(n)) c.O(nlog2(k)) d.O(nlog2(n)) 10.在叶子数目和权值相同的所有二*树中,最优二*树定是完全二*树,该说法: a.正确 b.错误

中国科学院理化技术研究所科技成果转移转化奖励办法

中国科学院理化技术研究所 科技成果转移转化奖励办法 第一章总则 第一条为激励技术创新并促进科技成果转化，建立适应科技创新规律的体制和机制，保护国家、集体、个人等相关各方的权益和利益，促进中国科学院理化技术研究所(以下简称理化所)从重视科技创新向同时重视转移转化转变，根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促进科技成果转化若干规定的通知》（国办发［1999］29号）、《中央级事业单位国有资产管理暂行办法》（财教［2008］13号）、《中国科学院院属事业单位对外投资管理暂行办法》（科发计字〔2010〕42号）、《中关村国家自主创新示范区企业股权和分红激励实施办法》（财企〔2010〕8号）等制定本条例。 第二条中国科学院理化技术研究所代表国家和中国科学院行使理化所科技成果及相关的知识产权的权利，对创新成果的知识产权享有使用权、处置权和收益权；科技成果和成果价值贡献者依法享有相应的权利。 第三条科学合理的安排短、中、长期收益，鼓励重大项目或有重要商业价值的成果入股企业。

第四条本办法所称科技成果转移转化包含成果的转移、转化、成果对外投资、所企联合实验室或共建研发中心及创新创业等一切关于技术成果和知识产权的创造、增值、交易等经济行为。 第五条本条例坚持公开、公平、公正原则。 第二章奖励、激励 第六条根据《国务院办公厅转发科技部等部门关于促 进科技成果转化若干规定的通知》（国办发[1999]29号）等有关规定，对成果的完成人和为成果转化做出重要贡献的其他人员依法给予奖励。 奖励依照成果转化方式，采用现金、股权、期股期权或与其它方式的组合等。 第七条科技成果作价入股企业的，成果入股金额的一 定比例（≤30%）奖励给成果完成人和为成果转化做出重要 贡献的其他人员；由研究所持有的其余股权，按研究所50%、研究单元50%的比例进行收益分配； 对成果完成人的奖励，经职代会讨论通过可超过30%， 其余的股权收益分配比例由成果完成人和策划部共同提出 建议案报所务会确定。 对外投资时未实行股权奖励的，其投资收益或股权出售收入参照本条款执行。

半导体器件物理复习纲要6页word

第一章 半导体物理基础 能带： 1-1什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？ 1-2试定性说明Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。 1-4、设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E v (k)分别为： 22 22100()()3C k k k E k m m -=h h ＋和2222100 3()6v k k E k m m =h h － ；m 0为电子惯性质量，1k a π=；a ＝0.314nm ，341.05410J s -=??h ，3109.110m Kg -=?，191.610q C -=?。 试求： ①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E g ）被激发到导带成为导电 电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子-空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升 高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge 、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 1-3、准粒子、荷正电：+q ； 、空穴浓度表示为p （电子浓度表示为n ）； 、E P =-E n （能量方向相反）、m P *=-m n *。 空穴的意义： 引入空穴后，可以把价带中大量电子对电流 的贡献用少量空穴来描述，使问题简化。 1-4、①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝2023k m h ＋210 2()k k m -h ＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝14 3k ，

高金明教授简介 - 中国科学院理化技术研究所网

高金明教授简介 高金明 (Jinming Gao) 工作单位：Simmons Comprehensive Cancer Center, University of Texas Southwestern Medical Center 职称：Associate Professor 副教授 教育背景： 1987- 1991：北京大学化学系获学士学位 1991-1996：哈佛大学药物化学专业获博士学位，导师: George M. Whitesides 1996-1998：麻省理工学院生物医学工程专业博士后，导师: Robert S. Langer 工作经历： 2005年7月起：达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤中心肿瘤学科副教授（tenure），细胞应力及肿瘤纳米医学计划负责人。同时兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授。 2004-2005：克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系副教授（tenure）。2000-2005: 克里夫兰凯斯西储大学医学院放射医学系助理教授。校医院Ireland肿瘤中心成员。 1998-2004：克里夫兰凯斯西储大学生物医学工程系助教授。 主要学术成果： 高金明曾先后师从哈佛大学G. M. Whitesides及麻省理工学院R. S. Langer教授等世界级学术大师。目前为世界著名的生物医学研究机构达拉斯德克萨斯大学西南医学中心Simmons综合肿瘤研究中心终生职位副教授，兼任达拉斯德克萨斯大学西南医学中心药理学系副教授、达拉斯德克萨斯大学化学系副教授以及凯斯西储大学生物医学工程系副教授，并兼任国内中山大学客座教授。多年来主要从事针对肿瘤探测及治疗的聚合物纳米医学技术研究，在药物传输高效、靶向、智能释放以及肿瘤早期诊断用显像纳米探针等多个重要领域做出了开创性的研究工作并取得非常突出的成就，例如：以抗肿瘤血管生成为目的，通过配体靶向技术，实现了药物负载纳米载体对肿瘤血管的高效靶向传输。迄今为止，高金明课题