BAT54C 打标KL3肖特基二极管选型手册

BAT54C 打标KL3肖特基二极管选型手册
BAT54C 打标KL3肖特基二极管选型手册

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

最新同步带及带轮选型计算资料

一,竖直同步带及带轮选型计算: 竖直方向设计要求:托盘及商品自重20kg (196N ),滑块运动1250mm 所需时间6s 。 1,设计功率P K P A ?=d w w s m kg N kg kw Fv P 4.45)(9 .0625.1/8.920)(103=÷??=?=-η A K 根据工作情况查表取1.5 w w P K P A 1.684.455.1d =?=?= 2,带型选择 根据w P 1.68d =和带轮转速r/min 100=n 查询表格选择5M 圆弧带 3,带轮齿数z 及节圆直径1d 根据带速,和安装尺寸允许,z 尽可能选择较大值,通过查表选择 5M 带,齿数z=26,节圆直径m m 38.411=d ,外圆直径m m 24.400=d 4,带速v m a x 1/22.0100060v s m n d v <=?=π 5,传动比

主动从动带轮一致,传动比i=1,主动轮与从动轮同一个型号 6,初定中心距0a mm 1644a 0= 7,初定带的节线长度p 0L 及其齿数p z mm a d d d d a L p 34184)()(2202 212100=-+++≈π 8,实际中心距a mm L L op 16452a a p 0≈-+= 9,基准额定功率0P 可查表得w 50P 0= 10,带宽S b mm 06.10b 14.10 0S =≥P K K P b Z L d S (基准带宽9b S0=时) 11,挡圈的设置 5M 带轮,挡圈最小高度K=2.5~3.5 R=1.5 挡圈厚度t=1.5~2 挡圈弯曲处直径mm R d 24.432d 0w =+= 挡圈外径m m 24.482d f =+=K d w

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

同步带轮选型表-HTD3M型

更多同步带轮选型表点击百度文库文档作者 “zuolihong ”查看 HTD3M 同步带轮 HTD3M 同步带轮一般由45#钢、铝合金、铸铁、铸铝、黄铜等材料制造。内孔有圆、D 形孔、锥形孔等形式。表面处理有本色氧化,发黑,镀锌,镀彩锌,高频淬火等处理。 HTD3M 同步带轮特点 1、传动准确,工作时无滑动,具有恒定的传动比; 2、传动平稳,具有缓冲、减振能力,噪声低; 3、传动效率高,可达0.98,节能效果明显; 4、维护保养方便,不需润滑,维护费用低; 5、速比范围大,一般可达10,线速度可达50m/s ,具有较大的功率传递范围,可达几瓦到几百千瓦; 6、可用于长距离传动,中心距可达10m 以上; 7、无污染,可在不允许有污染和工作环境较为恶劣的场所下正常工作。 HTD3M 圆弧齿同步带轮标准配备同步带宽6mm 规格 齿数 形状 节径外径 W L 1K X 轮毂直径内孔透孔外径档边外径档边内径 档边型号3M 10 C/A 9.558.79 11 19 7 -- 3 - 13 6 F-1013063M 11 C/A 10.509.74 11 19 7 -- 3 - 14 7 F-1014073M 12 C/A 11.4610.70 11 19 7 -- 3 - 14 7 F-1014073M 14 C/A 13.3712.61 11 19 7 -- 4 - 13 9.5 F-1016953M 15 C/A 14.3213.56 11 19 7 -- 4 - 18 11 F-1018113M 16 C/A 15.2814.52 11 19 7 -10 4 - 18 11 F-1018113M 18 C/A 17.1916.43 11 19 7 -10 5 - 23 12 F-1023123M 19 C/A 18.1417.38 11 19 7 -10 5 - 25 13 F-1025133M 20 C/A 19.1018.34 11 19 7 -10 5 - 25 14 F-1025143M 21 A/B 20.0519.29 11 19 7 -11 5 - 25 14 F-1025143M 22 A/B 21.0120.25 11 19 7 -11 6 - 25 14 F-1025143M 24 A/B 22.9222.16 11 19 7 -14 6 - 28 18 F-1028183M 25 A/B 23.8723.11 11 19 7 -14 6 - 28 18 F-1028183M 26 A/B 24.8324.07 11 19 7 -15 6 - 28 18 F-1028183M 28 A/B 26.7425.98 11 19 7 -17 6 - 31 20 F-103120

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV,它以氧化锌为基料,加入多种添加剂,经过混料造粒, 压制成坯体,高温烧结,两面印烧银电极,焊接引出端,最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜,通流量大,响应速度快,缺点是寄生电容大,不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择:交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍,直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷,或者当承受不同电流冲击,造成管芯的压敏电阻体 分布不均,一些部位电阻会降低,导致漏电流增加,最终导致薄弱点微融化,最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器,它将过高的电压钳制至一个安全范围,藉以保护后 面的电路,有着比其它保护元件更快的反应时间,这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点:可分为单双向,响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后,性能不下降,可靠性高,体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小,且功率大的寄生电容也大,低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意,单双向,电压,功率,电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件,一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大(KA级),漏电流小,寄生电容小等优点,缺点是其响应速度慢(μs级),动作电压精度低,有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法:min(UDC)≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量,1.15是电源波动系数。 特性曲线

肖特基(Schottky)二极管

肖特基(Schottky)二极管 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用 一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极 管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、

肖特基二极管电路特性

万联芯城销售ST,ON,TI等多家国际品牌原装进口肖特基二极管。肖特基二极管价格优秀,质量有保证。万联芯城专为终端工厂企业提供一站式电子元器件报价业务,与全国近5000家企业达成战略合作伙伴关系。点击进入万联芯城 点击进入万联芯城

我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

同步带轮的选型和设计要求

查表及定制带轮须知: 1、本公司生产的带轮既为国产化设备的同步带配套,又能代替进口带轮使用。 2、用户定制同步带轮,请提供带轮图纸(图在可不必绘制带轮的齿型尺寸),本公司也可按用户提供的型号,带轮内孔,键槽宽度等尺寸为用户绘制带轮图纸;也可为用户提供测绘带轮等服务。 3、带轮的外径公差、端面跳动量、径向跳动量符合表1、表2、表3规定。 4、各种规格型号的同步带选用带轮齿面宽度须符合表4规定要求。 5、带轮外径、档边尺寸按附表规定选用。 6、附表中没有列出的带轮规格,本公司也可生产。 7、制造带轮用材质以碳素钢为主,如需要也可用铝合金、尼龙等材料加工;带轮外径大与250mm,采用铸铁。 梯形齿同步带轮表示方法圆弧齿同步带轮表示方法西德T型齿同步带轮表示方法 同步带轮的型式 AS型BS型AF型BF型W型 同步带轮节距公差 带轮节距公差(单位:MM) 外径 允许偏差 任意两相邻齿间90o弧内允差 ≤25.400.030.05 >25.40~50.800.030.08 >50.80~101.600.030.1 >101.60~177.800.030.13

>177.80~304.800.030.15 >304.80~508.000.030.18 >508.000.030.2 同步带轮外径公差(表1) 带轮外径公差(单位:MM)表1 带轮外径公差 ≤25.40+0.05/0 ≤25.40~50.80+0.08/0 ≤50.80~101.60+0.1/0 ≤101.60~177.80+0.13/0 ≤177.80~304.80+0.15/0 ≤304.80~508.00+0.2/0 >508.00+0.2/0 同步带轮端面允许跳动量公差(表2) 带轮端面允许跳动量公差(单位:MM)表2 带轮外径允许跳动量 ≤101.600.1 >101.60~254.00带轮外径x0.001 >254.000.25+[(带轮外径-254.00)x0.005] ≤203.20300.13 >1203.200.13+[(带轮外径-203.20)x0.005] 同步带轮直边齿形尺寸和公差 带轮直边齿型尺寸和公差(单位:MM) 节 线代号bw h g + 1 . 5 r b r t 2δ M XL 0.84 ±0.0 5 . 6 9 2 0. 3 5 . 1 3 0.508 XX 1.14020.00.508

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

常用肖特基二极管参数

常用肖特基二极管参数 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00

30 0.39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.5 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0. 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57

SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.75 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0.51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.35 30BQ040 IR SMC 3.00 40 0.51 30BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 4

肖特基二极管应用选择

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析,并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后,着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途,1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途,以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分: 一.肖特基二极管简介 二.我所肖特基二极管生产状况 三.我所肖特基二极管种类 四.我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五.介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六.功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一.肖特基二极管简介:

同步带选型、计算资料

同步带有梯形齿同步带和圆弧齿同步带两大类,设计也分为梯形齿同步带设计和圆弧齿同步带两种。 一、下面是圆弧齿同步带设计方法: 原始设计资料 1 原动机和工作机类型; 2 每天运转时间; 3 需传递的名义功率P; 4 小带轮转速n1; 5 大带轮转速n2; 6 初定中心距a0; 7 对传动空间的特殊要求。 设计步骤 1 确定设计功率Pd Pd = KAP kW (1) 式中:KA——工作情况系数,见表2。【表2 工作情况系数KA】

2 选择带型 按n1 和Pd,由图1 选择带型。【参考同步带选型网页】 3 计算传动比i i = n1 / n2 (2) 4 确定带轮直径 4.1 确定带轮齿数Z1、Z2 小带轮齿数按Z1≥Zmin 原则确定,Zmin见表3 【参考带轮最小齿数网页】圆弧齿同步带传动小带轮最少齿数zmin

可得。 【查看各种同步带轮参数计算公式】 5选择带的节线长度LP和确定实际中心距a。 5. 1 计算带的初定节线长度L0 L0=2a0+1.57(d2+d1)+ (d2 –d1)2 /4a0 mm (3) 式中:a0——初定中心距,mm,由设计任务给定。 5. 2 选择带的标准节线长度LP LP根据L0从同步带现有模具表中查询【3M同步带5M同步带8M同步带14M同步带】 5. 3确定实际中心距a 中心距近似计算公式为: (4) M=4LP–6.28(d2+d1)mm (5) 中心距精确计算公式见同步带节线长计算【参考同步带节线长计算网页】 6 确定中心距调整下限I和调整上限S 中心距范围为:(a—I)~(a+S)mm。I和S值见表4。 表4 中心距安装量I 和调整量S

肖特基的工作原理及特点

肖特基二极管的工作原理和特点 肖特基二极管(SBD)是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源 整流,高频电源整流中。 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极 管。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 基本原理是:在金属和N型硅片的接触面上,用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右,大多不高于60V,以致于限制了其应用范围。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(SBD)的主要特点: 1)正向压降低:由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和 正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。 2)反向恢复时间快:由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN 结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损 耗也特别小,尤其适合于高频应用。 3)工作频率高:由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。 4)反向耐压低:由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝

常用的肖特基二极管型号及参数

肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78

M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53

肖特基二极管 SK310 DO-214AB SMC系列规格书推荐

SK32 THRU SK3200SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 3.0 Amperes

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SK32 THRU SK3200 0.1 1.0 10 100 0.01 0.1 1 10 100 100 10 1 0.1 REVERSE VOLTAGE,VOLTS t,PULSE DURATION,sec. FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE A V E R A G E F O R W A R D R E C T I F I E D C U R R E N T ,A M P E R E S J U N C T I O N C A P A C I T A N C E , p F P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T ,A M P E R E S 100 10 1 0.1 0.01 0.001 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,% FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ,M I L L I A M P E R E S T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E ,C /W AMBIENT TEMPERATURE, C FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ,A M P E R E S INSTANTANEOUS FORWARD VOLEAGE, VOLTS 50 10.0 1 0.1 0.01

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

肖特基二极管原理 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,形成肖特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B 为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散

温度传感器选型手册060510

WD温度传感器 热电偶、热电阻、变送器 选型样本 温度传感器选型 WENDU CHUANGANQI XUANXING YANGBEN 欢迎拨打移动热线:1360 115 9475 或010-8170 9716垂询或索取资料!

概述: 工业用热电偶作为温度测量,通常用来和显示仪表等 配套使用,以直接测量各种生产过程中从0℃至+1800℃ 范围内的液体、蒸汽和气体介质以及固体表面的温度测量。 技术指标: ★ 测温范围、型号、分度号、精度等见附表 ★ 绝缘电阻:温度为15~35℃\相对湿度≤80% 热电偶的若电极和保护管应为应不小于5M Ω(电压100V), ★ 热电偶的最小插入深度应不小于其保护管直径的8~10倍 ★ 引线可为二线或三线 ★ 响应时间:金属保护管Φ16 t <90s Φ12 t <30s ★ 保护管材料:不锈钢1Cr18Ni9Ti 、探钢20#、高铝质 附表一: 附表二: 单位:mm K :镍铬-镍硅 E :镍铬-康铜 S :铂铑10-铂 B :铂铑30-铂铑6 1、无固定装置式 2、固定螺纹式 3、活动法兰式 4、固定法兰式 5、直角式 6、固定螺纹锥形 2、防溅式 3、防水式 4、防爆式 保护管规格 0、 Φ16mm 不锈钢管 1、 Φ12mm 不锈钢管 2、Φ20mm 不锈钢管 3、Φ16mm 高铝管 4、Φ25mm 高铝管 欢迎拨打移动热线:1360 115 9475或010-8170 9716垂询或索取资料!

概述: 工业用热电阻作为温度测量仪表,通常用来和显示仪表 等配套使用,直接测量各种生产过程中从-200℃~+500℃范 围内的液体、蒸汽和气体介质以及固体表面的温度。 技术指标: ★测温范围、型号、分度号、精度等见附表三 ★ 绝缘电阻:温度为15~35℃\相对湿度≤80% 热电偶的若电极和保护管应为应不小于5M Ω(电压100V), ★ 热电偶的最小插入深度应不小于其保护管直径的8~10倍 ★ 引线可为二线或三线 ★ 响应时间:金属保护管Φ16 t <90s Φ12 t <30s ★ 保护管材料:不锈钢1Cr18Ni9Ti 、探钢20#、高铝质 ★ 防爆标志:dIIbT4 附表三: 选型规格: 温度仪表 热电阻 热电阻材料 铂热电阻 铜热电阻 按装固定形式 无固定装置 固定螺纹 活动法兰 固定法兰 接线盒形式 2防溅式 3防水式 保护管规格 0Φ16不锈钢管 1≤Φ12不锈钢管 欢迎拨打移动热线:1360 115 9475或010-8170 9716垂询或索取资料!

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