MOCVD的外延片技术研究报告和工艺流程!
MOCVD市场研究报告
刘根
第一章引言 (2)
第二章LED概述 (2)
第一节LED简介 (2)
第二节LED发光原理 (3)
一、P-N结 (3)
二、LED发光原理 (3)
第三章LED产业链 (4)
第一节LED产业链概述 (4)
第二节LED上游 (4)
一、LED外延片生长 (5)
二、MOCVD机台制造LED之介绍 (6)
三、MOCVD工艺流程图 (11)
第三节LED下游 (11)
一、LED芯片封装形式 (11)
第四章LED的应用12 第五章市场分析 (13)
第一节客户概况..................................................................... .13 第二节原材料厂商. (15)
2010年9月4日
第一章引言
半导体技术已经改变了世界，半导体照明技术将再一次改变我们的世界。作为一种全新的照明技术，LED是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件。自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED照明由于具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保的特性，被誉为人类照明的第三次革命。
我国是世界照明电器第一大生产国、第二大出口国，半导体照明产业有很强的产业基础，而且政策明确表示对行业的支持，因此未来我国LED将面临巨大的发展机遇。中国的LED产业2003年以来快速发展，已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态正在发生改变，中国LED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最为引人注目。从产业规模看，2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节。其中，封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节，但产值所占比例相对以前有了很大的改善，并在将来的发展中，芯片（MOCVD）占的比重将持续得到提升，封装环节占的比重将逐年下降。中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片（MOCVD）环节。
第二章LED概述
第一节LED简介
LED（Light Emitting Diode），中文名：发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。当初多用作为指示灯、显示板等；随着白光LED的出现，也被用作照明。它被誉为21世纪的新型光源，具有效率高，寿命长，不易破损等传统光源无法与之比较的优点。加正向电压时，发光二极管能发出单色、不连续的光，这是电致发光效应的一种。改变所采用的半导体材料的化学组成成分，可使发光二极管发出在近紫外线、可见光或红外线的光。
LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
第二节LED发光原理
一、P-N结
半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称P-N结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative 的缩写，表明正荷子与负荷子起作用的特点。
P-N结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 P-N 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的P-N结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。
根据P-N结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。使半导体的光电效应与P-N结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合就可以制造半导体发光二极管（LED）。
二、LED发光原理
当电流通过导线作用于这个P-N结的时候，电子就会被推向P区，在P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。
第三章LED产业链
第一节LED产业链概述
LED产业一般按照材料制备、芯片制备和器件封装与应用分为上、中、下游。虽然产业环节不多，但其涉及的技术领域广泛，技术工艺多样化，上下游之间的差异巨大，上游环节进入壁垒大大高于下游环节(上游外延片制备的投资规模比一些下游应用环节高出上千倍)，呈现金字塔形的产业结构。
其中，上游和中游技术含量较高，资本投入密度大。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。LED发光顏色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%左右，对LED产业极为重要。
第二节LED上游
LED上游产品分为单晶片和磊晶片，其中单晶片是作为材料的基板（衬底），磊晶片（外延片）长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，就像是一个平面金属一样。上游磊晶制程顺序为：单芯片(III-V 族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。
一、LED 外延片生长
LED 外延片生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC 、Si)上，气态物质InGaAlP 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。LED 主要的外延生长技术包括LPE 液相外延、VPE 气相外延和MOCVD 金属气相外延三种。前两者主要用来生产传统LED ，后者用于生产高亮度LED 。目前LED 外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法（MOCVD ）。
金属有机物化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ，简称 MOCVD ），
如:
MOCVD 外延图示
1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN （氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
二．MOCVD机台之介绍
目前国际上MOCVD设备厂商为德国,美国,英国,日本等少数国家中数量非常有限的企业可以生产,一台24片机器的价格高达数千万元(当前价格约300万美圆)
以往欧美厂商主要包括德国Aixtron,美国Emcore和英国ThomasSwan.1992年德国Aixtron根据Philips授权专利生产出第一台多片式行星式反应室的MOCVD机.此后, Emcore被美国Veeco收购, ThomasSwan被德国Aixtron收购.
而行业内最领先的日本企业对技术严格封锁,其中GaN材料研究最成功的日本日亚化学和丰田合成(ToyodaGosei)的MOCVD设备则根本不对外销售,另一家技术比较成熟的日本酸素(Sanso)公司的设备只限于日本境内出售.
1.美国维易科（Veeco）精密仪器公司(Veeco Instruments):
上海办事处：新金桥路1888号7号楼505室
电话: (86) 21-5531-8005 传真: (86) 21-3872-0056
新型设备TurboDisc K465 GaN （量产型）金属有机化学汽相沉积系统:
TurboDisc K465 GaN MOCVD 外延生长系统与K300 外延生长系统共享同一系统平台，拥有目前业界批量生产GaN-基蓝、绿光LEDs 和蓝光激光器的最大产能。K465采用了Veeco 最先进的TurboDisc反应室技术，其产能优于其他同类系统约 50%.
技术指标：高真空反应沉积室，极限真空度优于：6.7×10-5Pa（经烘烤除气）
反应沉积室：尺寸：φ200×240mm
样品加热器：样品尺寸为：φ50mm
沉积温度：800~1200℃
温度精度：±1℃
真空室漏率：小于5×10-8Pa.l/s
工作气体为五路，其中3路为有机源，气态源为2路，由进口质量流量控制器控制
工艺压强范围：13.3~266Pa
2.德国AIXTRON ，MOCVD作为AIXTRON最主要的设备，其全球市场占有率达到了63%。
2010年为配合LED一般照明市场需求， Aixtron将斥资4,000万欧元在德国Herzogenrath-Kohlscheid兴建LED研发中心，预计在未来2~3年内完工。
AIXTRON与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%（相较于传统42x2-inch 的架构），不但均匀性较好，也减少了边缘效应(edge effect)。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。
3. MOCVD机台产品利用率比对情况：
6 x 6”
上表为：全球LED 厂家安装MOCVD 的增长情况（单位： 千/反应器）
最好的情况 最差的情况
MOCVD 反应器使用率（％）
‘08 ‘09 2010 ‘11 ‘12 ‘13 ‘14 2015 ‘16 ‘17 ‘18 ‘19 2020年
50
60
70
80
90
100
‘08 ‘09 2010 ‘1‘12 ‘13 ‘14 201‘1‘17 ‘18 ‘19 2020年
4.按目前MOCVD外延生长的技术，2英寸外延片的成本在2000元人民币左右，国际市场价格在3000元人民币左右。
5．而LED或是LD亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材料的好坏,发光层主要的组成不外乎是单层的In GaN/ GaN量子井（Single Quantum Well）或是多层的量子井（Multiple Quantum Well）,而尽管制造LED的技术一直在进步但其发光层MQW的品质并没有成正比成长,其原因是发光层中铟（Indium）的高挥发性和氨NH3的热裂解效率低是MOCVD机台所难于克服的难题,氨气NH3与铟的裂解须要很高的裂解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在In GaN的表面。
但要如何来设计适当的MOCVD机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素：
1.要能克服GaN 成长所须的高温
2.要能避免MO Gas金属有机蒸发源与NH3在预热区就先进行反应
3.进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说GaN的成长须要很高的温度来打断
NH3之N-H的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。了解这些问题之后要设计适当的MOCVD外延机台的最主要前题是要先了解GaN的成长机构,且又能降低生产成本为一重要发展趋势。
MOCVD反应为一非平衡状态下成长机制,其原理为利用有机金属化学气相沉
积法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)MOCVD是一种利用气相反应物,或是前驱物（precursor）和Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3,在基材）（substrate）表面进行反应,传到基材衬底表面固态沉积物的制程。MOCVD 利用气相反应物间之化学反应将所需产物沉积在基材衬底表面的过程,蒸镀层的成长速率和性质成分、晶相会受到温度、压力、反应物种类、反应物浓度、反应时间、基材衬底种类、基材衬底表面性质等主观因素影响。
反应物扩散至基材衬底表面、表面化学反应、固态生成物沉积与气态产物的扩散脱离等微观的动力学过程对制程亦有不可忽视的影响。
6.MOCVD化学反应机构有：
反应气体在基材衬底表面膜的扩散传输、反应气体与基材衬底的吸附、表面扩散、化学反应、固态生成物之成核与成长、气态生成物的脱附过程等,其中速率最慢者即为反应速率控制步骤,亦是决定沉积膜组织型态与各种性质的关键所在。
MOCVD对镀膜成分、晶相等品质容易控制:
可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜,结构密致,附着力良好之优点,因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术。MOCVD制程依用途不同,制程设备也有相异的构造和型态。整套系统可分为：
a.进料区
进料区可控制反应物浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶经MFC精密控制流量,而固态或液态原料则需使用蒸发器使进料蒸发或升华,再以H2、Ar等惰性气体作为carrier而将原反应物带入反应室中。
b.反应室
反应室控制化学反应的温度与压力。在此反应物吸收系统供给的能量,突破反应活化能的障碍开始进行反应。
7.依照操作压力不同,MOCVD制程可分为:
I 常压MOCVD APCVD
II低压MOCVD LPCWD
III超低压MOCVD SLCVD。
依能量来源区分为热墙式和冷墙式,如分如下:
(I)热墙式由反应室外围直接加热,以高温为能量来源
(II)等离子辅助MOCVD
(III)电子回旋共振是电浆辅助
(IV)高周波MOCVD
(V) Photo－MOCVD
(VI)others
其中(II)至(VI)皆为冷墙式
8.废气处理系统
通常以淋洗塔、酸性、碱性、毒性气体收集装置、集尘装置和排气淡化装置组合成为废气处理系统,以吸收制程废气,排放工安要求,对人体无害的气体。
一般来说,一组理想的MOCVD 反应系统必需符合下列条件
ａ．提供洁净环境。
ｂ. 反应物于抵达基板衬底之前以充分混合,确保膜成分均匀。
ｃ．反应物气流需在基板衬底上方保持稳定流动,以确保膜厚均匀。ｄ．反应物提供系统切换迅速能长出上下层接口分明之多层结构。
MOCVD近来也有触媒制备及改质和其它方面的应用,如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。在可预见的未来里, MOCVD制程的应用与前景是十分光明的。
三. MOCVD System Epitaxy Process （外延片工艺流程）
第三节 LED 下游
下游包括LED 芯片的封装测试和应用。LED 封装是指将外引线连接到LED 芯片的电极上，形成LED 器件，封装起着保护LED 芯片和提高光取出效率的作用。下游厂商封装处理顺序为：芯片、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。
一、LED 芯片封装形式
LED 芯片的封装形式很多，针对不同使用要求和不同的光电特性要求，有各种不同的封装形式，归纳起来有如下几种常见的形式：
1、软封装——芯片直接粘结在特定的PCB
印制板上，通过焊接线连接成特
2.Loading
3.Epitaxy
4.Unloading 卸载
5 PL 测量 6.X-ray 射线测7.Quick Test 测试 EMCORE AIXTRON n-Ga N P-GaN
(EMCOR
E)
(EMCORE
) (AIXTRON) 1.Load substrate
基板
定的字符或陈列形式，并将LED芯片和焊线用透明树脂保护，组装在特定的外壳中。这种钦封装常用于数码显示、字符显示或点陈显示的产品中。
2、引脚式封装——常见的有将LED芯片固定在2000系列引线框架上，焊好电极引线后，用环氧树脂包封成一定的透明形状，成为单个LED器件。这种引脚或封装按外型尺寸的不同可以分成φ
3、φ5直径的封装。这类封装的特点是控制芯片到出光面的距离，可获得各种不同的出光角度：15°、30°、45°、60°、90°、120°等，也可以获得侧发光的要求，比较易于自动化生产。
3、微型封装即贴片封装——将LED芯片粘结在微小型的引线框架上，焊好电极引线后，经注塑成型，出光面一般用环氧树脂包封。
4、双列直插式封装——用类似IC封装的铜质引线框架固定芯片，并焊接电极引线后用透明环氧包封，常见的有各种不同底腔的“食人鱼”式封装和超级食人鱼式封装，这种封装芯片热散失较好，热阻低，LED的输入功率可达0.1W~0.5W大于引脚式器件，但成本较高。
5、功率型封装——功率LED的封装形式也很多，它的特点是粘结芯片的底腔较大，且具有镜面反射能力，导热系数要高，并且有足够低的热阻，以使芯片中的热量被快速地引到器件外，使芯片与环境温度保持较低的温差。
第四章LED的应用
LED 最初用于仪表仪器的指示性照明，随后扩展到交通信号灯，再到景观照明、车用照明和手机键盘及背光源。由于LED 芯片的细微可控性，LED 在小尺寸照明上和CCFL 有明显的成本和技术优势，但在大尺寸上成本仍然较高。随着LED 技术的不断进步，发光效率不断提高，大尺寸LED价格逐步下降，未来发展空间非常广阔。目前笔记本液晶面板背光已经开始启动，渗透率有望在近几年内获得极大提高。之后是更大尺寸的液晶显示器和液晶电视，最后是普通照明。
不同的LED 技术应用于不同的产品。从大类上来看，按照发光波长可以分为不可见光（850～1550mm）和可见光（450～780mm）两类，可见光中又分为一般亮度LED 和高亮度LED，目前发展的重点是高亮度LED。其中红橙黄光芯片使用四元的AlGaInP 做为材料，蓝绿光芯片则用三元的InGaN。在蓝光技术成熟后，更具通用性的白光LED 也可以通过不同技术生成，为LED进入各类照明领域铺平了道路。
第五章. 市场分析
第一节客户概况
一．台湾封装厂商:（1）亿光电子 1983年创立于台北县土城市。主要生产 LED 光电半导体产品，亿光电子工业股份有限公司是台湾第一家取得专利授权合法生产和封装LED产品龙头厂商在产品布局和生产规模上，仍处于领先的地位.
二．国内的主要封装厂商分析:
佛山市国星光电科技有限公司
是专业生产半导体光电器件及其应用系统产品的高新技术企业，是全国最大的光电器件生产和出口基地。公司下设器件一厂、器件二厂、器件三厂、电子制造厂、调谐器厂、电源管理器厂、陶瓷线路板厂、照明事业部以及15个职能部门。公司产品主要包括各类发光二极管（Lamp LED、Chip LED、TOP LED、Power LED等）、LED交通灯、LED路灯、LED灯管、LED灯泡、LED台灯、LED光源模块、LED显示模块、LED背光源、LED用陶瓷线路板、锂电管理器、电子调谐器等。
（2）江苏稳润光电有限公司
LED 芯片封装和销售能力已经达到2.00亿只/月, 国内LED封装产业第一。
是国内规模最大、设备最先进、工艺技术能力最强的LED器件封装和半导体照明产品专业制造商之一。稳润光电在LED封装领域已积累了18年的专业制造经验，在LED器件生产工艺和规模化生产能力方面代表着国内最高水平，近年来大力研发、生产大功率LED、白光LED、全彩TOP LED及LED照明产品，产品销往美国、德国、法国、日本、韩国、巴西、南非、伊朗等世界各地，是施耐德、三星、西门子、欧司朗等世界500强企业的全球优秀合作伙伴。
（3）珠海力丰光电实业有限公司
公司成立于1994年11月中国大陆地区大功率LED照明光源技术企业。经过十多年的发展，公司的年生产LED能力已超过2亿颗。目前，公司拥有250多名员工包括25名专业技术人员，自主拥有生产厂房5000m2。
2010年—2015年超亮度LED核心器件MOCVD需求量预测图（单位：亿只）
第二节原材料厂商
全球蓝宝石晶棒市场现由美商Rubicon、俄罗斯厂Monocrystal等业者所主导
（1）．云南玉溪蓝晶科有限公司：主要经营晶体生长设备、蓝宝石晶
体、多种单晶材料、蓝宝石窗口片、LED用蓝宝石片。该公司主要是生产生长合成晶体的单晶生长炉，并应用该炉生长直径为2～4英寸（以2英寸为主，哈工大晶体尺寸己超过Φ200mm）蓝宝石晶体。切割蓝宝石片的多线切割机为日本安永公司生产的F—600S（Y-60）型，切割工艺技术不成熟，所用材料是自身生长的晶体质量较次，所以产量和质量都不尽人意。该厂正准备重新进口专用多线切割机。（2）哈尔滨工大奥瑞德光电技术有限公司
主营产品：蓝宝石晶体材料及加工、半导体衬底晶圆(晶棒),蓝宝石生产技术开发、晶体生长设备、加工设备、专用刀具研制
技术路线写法
科研项目技术路线 一、"技术路线"的解释 1、技术路线是指申请者对要达到研究目标准备采取的技术手段、具体步骤及解决关键性问题的方法等在内的研究途径。技术路线在叙述研究过程的基础上，采用流程图的方法来说明，具有一目了然的效果。技术路线强调以研发项目为主线，完成项目研究内容的流程、顺序、各项研究内容间的内在联系和步骤。合理的技术路线可保证顺利的实现既定目标，技术路线的合理性并不是技术路线的复杂性。 2、技术路线是指进行研究的具体操作步骤,应尽可能详尽.每一步骤的关键点要阐述清楚并具有可操作性.如有可能,可以使用流程图或示意图加以说明,以达到一目了然的效果 二、技术路线编写格式(包括研究路线流程图和生产工艺流程图) (一)、研究路线流程图即产品开发流程图 1、做成树形图，按照研究内容流程来写，一般包括研究对象、方法、拟解决的问题，相互之间关系。 2、做成结构示意图：根据研究项目的子内容、研究顺序、相互关系，方法、解决问题做成结构示意图。 (二)、产品生产工艺流程图 三、示例 1、某产品开发流程图
2、研制途径流程示意图
3、工艺流程 本项目的工艺流程简单，生产成本低廉，概要如下：工艺流程图： 成立研发机构，协调统一行动 深化项目调研，确定研制目的 国内外同类产品及技术对比确定产品目标、技术水平、研制方向设计优化设计，选择最终方案 设备控制方案液压系统设计要求设备液力端结构整机企业标准的制定实行重点突破，解决研发难题 液压系统设计液压端结构设计液压泵体改造 制定工艺规程，投入生产试制
4、关键技术 ①经过抗菌肽氨基酸残基的突变体改造，获得了一个由原来抗革兰氏阳性菌又抗革兰氏阴性菌的抗菌肽改造成了只抗革兰氏阴性菌而对革兰氏阳性菌没有抑制作用的新型抗菌肽，在国际上首次研制成功了用动物肠道益生菌的嗜醋乳酸菌携带抗革兰氏阴性菌的抗菌肽基因工程菌，此基因工程菌能在动物胃肠道中分泌表达抗革兰氏阴性菌的抗菌肽，对其它革兰氏阳性菌无效，只要在动物饲料中添加这种活菌制剂，便可防治病原性革兰氏阴性菌的感染。 ②为了产品质量稳定性，我们需要确定一吨以上发酵罐的工艺条件，包括最佳发酵液配方、发酵过程中pH调节方法、温度控制、最适宜的发酵时间和搅拌形式等。 其它解释 1、什么是技术特征？技术方案一般由若干技术特征组成。技术特征可以大概分为三类：1、例如产品技术方案的技术特征可以是零件、部件、材料、器具、设备、装置的形状、结构、成分、尺寸等等； 2、方法技术方案的技术特征可以是工艺、步骤、过程，所涉及的时间、温度、压力以及所采用的设备和工具等等。 2、技术路线：是指对要达到研究目标准备采取的技术手段、具体步骤及解决关键性问题的方法等在内的研究途径。技术路线在叙述研究过程的基础上，可采用流程图的方法来说明，具有一目了然的效果。技术路线强调以科学问题为主线，完成项目研究内容的流程、顺序、各项研究内容间的内在联系和步骤。 3、研究方案包括有关方法、技术路线、实验手段、关键技术等。实验手段、关键技术采用何种具体的实验方法、手段，在阐明实验基本
技术路线的写法及示例
技术路线的写法及示例 技术路线一般是指研究的准备，启动，进行，再重复，取得成果的过程。 多见于理工科和软科学。 技术路线是指申请者对要达到研究目标准备采取的技术手段、具体步骤及解决关键性问题的方法等在内的研究途径。合理的技术路线可保证顺利的实现既定目标。技术路线的合理性并不是技术路线的复杂性。 技术路线是指进行研究的具体程序的操作步骤，应尽可能详尽.每一步骤的关键点要阐述清楚并具有可操作性。如有可能，可以使用流程图或示意图加以说明，以达到一目了然的效果。 1、研究背景 研究背景即提出问题，阐述研究该课题的原因。研究背景包括理论背景和现实需要。还要综述国内外关于同类课题研究的现状：①人家在研究什么、研究到什么程度？②找出你想研究而别人还没有做的问题。③他人已做过，你认为做得不够（或有缺陷），提出完善的想法或措施。④别人已做过，你重做实验来验证。 2、目的意义 目的意义是指通过该课题研究将解决什么问题（或得到什么结论），而这一问题的解决（或结论的得出）有什么意义。有时将研究背景和目的意义合二为一。 3、成员分工 成员分工应是指课题组成员在研究过程中所担负的具体职责，要人人有事干、个个担责任。组长负责协调、组织。 4、实施计划 实施计划是课题方案的核心部分，它主要包括研究内容、研究方法和时间安排等。研究内容是指可操作的东西，一般包括几个层次：⑴研究方向。⑵子课题（数目和标题）。⑶与研究方案有关的内容，即要通过什么、达到什么等等。研究方法要写明是文献研究还是实验、调查研究？若是调查研究是普调还是抽查？如果是实验研究，要注明有无对照实验和重复实
验。实施计划要详细写出每个阶段的时间安排、地点、任务和目标、由谁负责。若外出调查，要列出调查者、调查对象、调查内容、交通工具、调查工具等。如果是实验研究，要写出实验内容、实验地点、器材。实施计划越具体，则越容易操作。 5、可行性论证 可行性论证是指课题研究所需的条件，即研究所需的信息资料、实验器材、研究经费、学生的知识水平和技能及教师的指导能力。另外，还应提出该课题目前已做了哪些工作，还存在哪些困难和问题，在哪些方面需要得到学校和老师帮助等等。 6、预期成果及其表现形式 预期成果一般是论文或调查（实验）报告等形式。成果表达方式是通过文字、图片、实物和多媒体等形式来表现。 这部分要写课题的实施方案，也就是你计划通过什么样的方法来实现你的课题的研究任务，换而言之，需要您给出一个比较可行的（理论上即可）设计方案来。 研究思路、研究方法、技术路线和实施步骤 1、研究什么？——怎样确定研究课题 一切科学研究始于问题——问题即课题；教学即研究（掌握方法很重要，否则就不是研究）；进步与成果即成长。 教育科研课题主要来源于两大方面： A．实践来源——客观存在的或潜在的教育实际问题，教育教学实践本身存在的问题。 教育教学与其外部的矛盾（教师与家长、教师与学校、学校与社会、教育与社会发展）。 B．理论来源——现有教育理论所揭示的问题以及理论体系中的空白和矛盾点（例如《关于“信息技术与课程整合”的冷思考》一文产生的过程） 2、怎样进行研究课题的论证？
丁苯橡胶的生产工艺与技术路线的选择
丁苯橡胶的生产工艺与技术路线的选择 丁苯橡胶是丁二烯和苯乙烯两种单体经共聚合反应而生成的弹性体共聚物。按聚合工艺方法可分为乳聚丁苯橡胶(ESＢR）和溶聚丁苯橡胶(SSBＲ)两大类。从聚合机理来看,ESBＲ是自由基聚合，而SSBR是采用阴离子活性聚合。ＥＳBＲ的发展已过鼎盛时期，而SSBR的发展目前正处于稳步上升阶段。 2.1 丁苯橡胶的分类及品种 2.1.1 乳聚丁苯橡胶的生产工艺 乳聚丁苯橡胶（ＥSBR)的生产历史悠久,乳聚丁苯橡胶是通过自由基聚合得到的，在2０世纪5０年代以前，均是高温丁苯橡胶，１９37年由德国Fａrben公司首先实现工业化,它是当前合成橡胶中生产能力最大的品种。50年代初才出现了性能优异的低温丁苯橡胶。目前所使用的乳聚丁苯橡胶基本上为低温乳聚丁苯橡胶。羧基丁苯橡胶是在丁苯橡胶聚合过程中加入少量(１～３％)的丙烯酸类单体共聚而制成。其力学性能和耐老化性能等较丁苯橡胶好。但这种橡胶吸水后容易早期硫化,工艺上不易掌握。高苯乙烯丁苯橡胶是将苯乙烯含量为85～8７％的高苯乙烯树脂胶乳与丁苯橡胶（常用SBR15０0)胶乳以一定比例混合后经共凝得到的产品。…… １、工艺流程简述 原料丁二烯和苯乙烯按一定比例用量配成碳氢相液,在多台串联聚合釜中于５~８℃，在有氧化还原催化体系的水乳液介质存在下，进行自由基共聚合反应。介质中除水、乳化剂外，有引发剂、活化剂、分子量调节、电解质等助剂。当聚合反应6~10小时，聚合转化率达6０~6２%时,可加入终止剂使聚合反应终止。所得胶乳经闪蒸脱气工序回收未反应的丁二烯和苯乙烯单体后，再加入防老剂和高分子凝聚剂,……
低温乳液聚合生产丁苯橡胶工艺流程如图2.1所示。 图２.１乳液聚合生产丁苯橡胶工艺流程图 …… 如生产充油胶，则需在胶乳中加入定量的高芳烃油或环烷烃油，充分混合后,送去凝聚,后续工序同上。 表２.1 典型低温乳液聚合生产丁苯橡胶配方表 ２、聚合配方及聚合工艺条件 …… 3、主要生产设备 乳聚丁苯橡胶生产过程中主要设备是聚合釜闪蒸槽、脱气塔和后处理工序通用的“两机”(挤压脱水机和膨胀干燥机组）。 目前国内采用的聚合釜体积有1２、20、3０、４５m３等多种,每条聚合生产线在4.０～4.５万吨/年,需配备聚合釜1６～２0台。釜径为２500~3１０0mm、径/高为1/1.０～1.8、换热总面积为１13～160 m3（单位体积换热为3.56~3．７8ｍ2／ｍ３），搅拌浆型为框式或布鲁马金式，釜电机功率为30～４5千瓦,搅拌转数为7３～100转／分。闪蒸槽为卧式，材质碳钢,最好用玻璃衬里。脱气塔为筛
喷漆工艺流程及技术要求
喷漆工艺流程及技术要求 一、工艺流程 1.每批订单生产之前先喷色板，经技术确认合格后，方可批量生产。 2.修边打磨：(把原件有毛边的用刀片修平，再用砂纸打磨平滑）。 3.除油除尘：（把修好的件用除油剂擦拭一遍，注意：必须擦到位）。 4.上挂架：保证镜座和盖板一体喷漆，而且要和镜体同一车架对应上架，能保证同一批油漆喷漆，同一车架烘烤，避免造成三个件有色差，镜座要增加膜厚8-10μm。 5.喷漆底漆：（涂装底漆要在25μm±1，要均匀，不能少漆或多漆，底漆60℃烘干20分钟（常温在30℃ ±3的情况下烘干10分钟）。（调配漆比例要严格按厂家给的比例）。 6.底漆层打磨：（把烘干的底漆件查看一遍有颗粒的用2000#的砂纸打磨平，把需要返工的挑选出来进行返修）。 7.喷漆色漆：（色漆厚应在30μm±2，特别要注意均匀的喷漆色漆60℃烘干20分钟（常温在30℃±3的情况下烘干10分钟），以免产生不同部位有色差）。 8.喷漆清漆：清漆的厚度应在35-40μm，不能少喷或多喷，少喷会产生局部的厚度不够而导致光泽度 不够，多喷会出现挂流现象。 9.烘烤：把喷好漆的产品用60℃烘烤120分钟。 10.包装：把烘烤好的产品晾置20分钟后即可开始检查。注意，目视对比色板是否有明显色差，不良品进行隔离，表面不能有颗粒、少漆、挂流等现象。有颗粒的需要打磨抛光，少漆和挂流的需返工、返修，杜绝不良品入半成品库。 11.入半成品库：把包装好的，贴有标签的入库，保证镜座盖板一体配送。 二、涂装产品标准 1.涂装好的产品要和标准色板的颜色保持一致。 2.产品表面不能有明显的颗粒。 3.表面不能少漆。 4.表面不能有橘皮现象。 5.不能有挂流现象。 6.车厂有特殊要求的：用2B或HB的铅笔呈45°角用大于1.5N力划过不能有明显的划伤。 7.附着力：百格测试不掉漆。 三、批次首检：每个批次生产前必需进行首检检测。 1.依据色板或确认样件，检测是否与标准颜色一致。 2.有无少漆挂流现象。 3.清漆和色漆是否有化学反应现象。 4.要有检查记录：每批次生产记录、色差、数据。 四、设备开机前点检：每天早上开机前需检查所有设备是否正常。 1.空气压缩机是否正常运转、是否缺机油。 2.送风系统是否正常，是否达到正常压力。 3.排风系统是否正常。 4.烘烤箱是否加温正常。 编制：审批：
研究方法和技术路线
研究方法和技术路线 调查法 调查法是科学研究中最常用的方法之一。它是有目的、有计划、有系统地搜集有关研究对象现实状况或历史状况的材料的方法。调查方法是科学研究中常用的基本研究方法，它综合运用历史法、观察法等方法以及谈话、问卷、个案研究、测验等科学方式，对教育现象进行有计划的、周密的和系统的了解，并对调查搜集到的大量资料进行分析、综合、比较、归纳，从而为人们提供规律性的知识。 调查法中最常用的是问卷调查法，它是以书面提出问题的方式搜集资料的一种研究方法，即调查者就调查项目编制成表式，分发或邮寄给有关人员，请示填写答案，然后回收整理、统计和研究。 观察法 观察法是指研究者根据一定的研究目的、研究提纲或观察表，用自己的感官和辅助工具去直接观察被研究对象，从而获得资料的一种方法。科学的观察具有目的性和计划性、系统性和可重复性。在科学实验和调查研究中，观察法具有如下几个方面的作用：①扩大人们的感性认识。②启发人们的思维。③导致新的发现。 实验法 实验法是通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果联系的一种科研方法。其主要特点是：第一、主动变革性。观察与调查都是在不干预研究对象的前提下去认识研究对象，发现其中的问题。而实验却要求主动操纵实验条件，人为地改变对象的存在方式、变化过程，使它服从于科学认识的需要。第二、控制性。科学实验要求根据研究的需要，借助各种方法技术，减少或消除各种可能影响科学的无关因素的干扰，在简化、纯化的状态下认识研究对象。第三，因果性。实验以发现、确认事物之间的因果联系的有效工具和必要途径。 文献研究法 文献研究法是根据一定的研究目的或课题，通过调查文献来获得资料，从而全面地、正确地了解掌握所要研究问题的一种方法。文献研究法被子广泛用于各种学科研究中。其作用有：①能了解有关问题的历史和现状，帮助确定研究课题。②能形成关于研究对象的一般印象，有助于观察和访问。③能得到现实资料的比较资料。④有助于了解事物的全貌。 实证研究法 实证研究法是科学实践研究的一种特殊形式。其依据现有的科学理论和实践的需要，提出设计，利用科学仪器和设备，在自然条件下，通过有目的有步骤地操纵，根据观察、记录、测定与此相伴随的现象的变化来确定条件与现象之间的因果关系的活动。主要目的在于说明各种自变量与某一个因变量的关系。 定量分析法 在科学研究中，通过定量分析法可以使人们对研究对象的认识进一步精确化，以便更加科学地揭示规律，把握本质，理清关系，预测事物的发展趋势。
工艺技术标准
工艺技术标准 工艺技术标准系指产品实现过程中，对原材料、半成品进行加工、装配和设备运行、维修的技术要求以及服务提供而制定的标准。 工艺技术标准是工艺技术的结晶，它是企业实行产品设计、保证产品质量、降低物质消耗的重要手段。因此，国内外企业都十分重视工艺技术标准的制定工作。 工艺技术标准主要有以下几种： (一)工艺通用标准 工艺通用标准系指一些使用面广、通用性强的工艺标准。其种类有以下几种： 1、工艺术语标准，有关行业特别是机械行业有一系列工艺术语标准，如GB 4863《机械制造工艺基本术语》等。 2、工艺符号、代号标准，如GB 324《焊缝符号表示方法》等。 3、工艺分类代码标准，如JB/T 9166《工艺文件的编号方法》等。 4、工艺文件格式标准，如JB/T 9165.2《工艺规程格式》等。 5、工艺余量标准，包括毛坯余量和工序余量，如GB/T 11350《铸铁件机械加工余量》等。 (二)工艺规程(作业指导书) 工艺规程系指产品或零件加工和工人操作的工艺文件。它可以是标准、标准的一部分或规范性技术文件，也可称作业指导书。工艺规程中的典型工艺规程、工艺守则、标准工艺规程是工艺标准。 1、机电行业企业的工艺规程包括专用工艺规程、通用工艺规程和标准工艺规程。 (1)专用工艺规程，针对某一种产品或零件所设计的工艺规程，主要包括有以下几种： a.工艺过程卡片，它是规定产品或零件在制造过程中的加工工序和工艺路线的文件。工艺过程卡一般注明工序名称、工序内容、设备、工装、加工车间、工段等，不需绘制工艺简图。小批量生产、工艺过程简单时，可以与产品图样配合直接指导工人操作。大批量生产、工艺过程复杂时，可作工序卡的汇总文件。 b.工艺卡片，按产品或零部件某一工艺阶段编制的一种工艺文件。以工序为单元，注明工序号、工序名称、工序内容、工艺参数、设备、工装等，有的工序需注明操作要求，大多数工序需绘制加工件简图。主要用于各种批量生产的产品。 c.工序卡片，是规定某一工序内容具体要求的工艺文件。除工艺导则已作出规定的内容外，一切与工序有关的工艺内容都集中在工序卡片上。工序卡片应绘制工序加工简图，规定安装、定位、夹紧、工步、工位、动作、工时及材料消耗定额、冷却润滑、切削参数、设备、工装、质量要求、检验方法等。 d.检验卡片，根据产品标准、产品图样、技术要求和工艺规程，对产品及其零部件的质量特性、检验内容、检验要求及手段作出规定的工艺文件。主要用于关键工序的检查。 e.工艺守则，某一专业工种所通用的一种基本操作规程。 工艺过程卡片、工艺卡片、工序卡片、检验卡片或工艺守则，可按JB/T 9165．2《工艺规程格式》和JB/T 9166《工艺文件编号方法》进行编制。 (2)通用工艺规程 针对工序或成组系列零件所设计的工艺规程，主要包括典型工艺规程和成组工艺规程。
高二通用技术《流程与设计》知识点归纳
高二通用技术《流程与设计》知识点归纳 一、流程的含义 1、环节（B级理解 P40） 活动或事件在其发展的过程中，依据某种特征或方式，可将该过程分解为若干个小过程，称这些小过程为环节。 2、时序（B级理解 P39） 过程的经历中，各环节按照一定的时间顺序先后出现、完成。这种时间顺序关系，称为时序。 3、流程（A级了解 P41） 一项活动或一系列连续有规律的事项或行为进行的程序，即若干环节随着时间的变化，依序完成的顺序，称为流程。 二、流程设计 1、流程设计的基本要求（A级了解 P45）
设计一个技术活动的流程，最主要的要求是要根据该项活动的内部工作原理及变化规律，科学的安排活动的环节及时序，以达到预期目的其具体要求： （1）提高效率。（2）提高质量。（3）保证安全。（4）节省资源。（5）提高管理水平（6）提高经济效益。（7）其他，如注意环保等 2、流程设计应该考虑的基本因素（B级理解 P50） 基本因素有：材料、工艺、设备、人员、资金和环境等。研究内在属性与规律，就是流程设计应该考虑的基本因素。 3、流程设计的步骤（B级理解 P51） 第一步：首先要明确设计的目的和任务，明确流程所应遵循的内在变化规律。 第二步：要分析现有材料、设备、资金、人员、工艺和环境等因素。 第三步：列出流程涉及的主要事项，并进行初步排列。
第四步：分析各事项（步骤）之间的先后顺序，合理地安排流程的时序和环节。 第五步：选择一个合适的表达方式画出流程图，对于有严格时间的时序，要标注时间。 注意：流程设计的基本要素是环节和时序2015地质版高二通用技术会考知识点总结二学习总结。 4、流程的表达（B级理解 P42） 文字表达、表格表达、图示表达 流程图中最常用的形式是框图，因为这种形式既简单又明确 WiseMedia 5、学画流程设计的框图（B级理解 P42） 画流程设计框图的一般方法： （1）根据对事物的内在属性和规律的分析，以及有关的考虑，将流
CFG桩施工工艺流程和技术要求
CFG桩施工工艺流程和技术要求CFG桩施工采用长螺旋钻孔、管内泵压混合料的施工工艺 施工顺序为： 测放桩位→钻机就位→桩位和垂直度检查→钻机成孔→泵送混合料→成桩→桩间土开挖→截桩→余土外运→铺褥垫层。 CFG桩施工完成后采用人工结合小型机械清除桩间土。人工凿除保护桩头。 复合地基检测完成后施工褥垫层。 采用CFG桩的有5#楼和7#楼，其中5#楼采用柱锤冲扩碎石水泥土桩+CFG桩的综合处理方案，先行施工碎石桩，待碎石桩施工完毕后再行施工CFG桩。 1工前准备 a.、人员机械进场，按甲方的施工现场总体平面布置要求，接入水、电源点，同时选择桩机和高压输送砼泵的摆放位置，进行设备的安装、调试工作。 b、派出施工人员根据图纸要求进行轴线及桩位的测放工作。 c、施工设备安装调试完毕后，对技术工人进行技术交底，按设计要求及施工工艺参数进行打桩工作。 3 CFG桩剖面示意图
2 施工工艺 CFG桩施工工艺流程图 4 CFG桩技术要求 1.施工准备 ①正式进场前应对整套施工设备进行检查，保证设备状态良好，禁止带故障设备进场，进场前作好与CFG桩施工相关的水、电管线布置工作,保证进场后可立即投入施工。施工现场内道路应符合设备运输车辆的行驶要求，保证运输安全。 ②设备组装时应设立隔离区，专人指挥，严格按程序组装，非安装人员不得在组装区域内，以杜绝安全事故。 ③安排材料进场，按要求进行材料复检。
④开工前进行质量、安全技术交底，并填写《技术交底记录》表C2-1。 2.定位放线 总包提供建筑物定位轴线后，双方应共同进行核查，双方在《交接检查记录》表C5－4上签字确认。根据总包或业主单位提供的建筑物定位轴线，由专职测量人员按CFG桩平面图准确无误地将CFG桩桩位放样到现场。现场桩位放样采用插木制短棍加白灰点作为CFG桩桩位标识。 桩位放样允许误差：20mm。 桩位放样后经自检无误，填写《楼层平面放线记录》表C3－3和《施工测量放线报验表》表B2－2。 经总包单位、监理单位及设计人员共同检验桩位合格并签字，可进行下道工序。 （3）钻孔 桩位验收后,钻机就位并调整机身，应用钻机塔身的前后垂直标杆检查导杆，校正位置，使钻杆垂直对准桩位中心,以保证桩身垂直度偏差不得大于允许偏差。 开钻前，先将混凝土泵的料斗及管线用清水湿润（润滑管线，防止堵管），然后搅拌2m3水泥砂浆进行泵送，并将所有砂浆泵出管外。 封住钻头阀门，使钻杆向下移动至钻头触及地面时，开动钻机旋动钻头。一般应先慢后快，在成孔过程中如发现钻杆摇晃或难钻时，应停机或放慢进尺，遇到障碍物应停止钻进，分析原因，禁止强行钻进。 根据设计桩长，确定钻孔深度并在钻机塔身相应位置作醒目标注，作为施工时控制桩长的依据，当动力头底面到达标志时，桩长即满足设计要求。 钻杆下钻到预定深度,现场施工技术人员根据地质勘察报告以及实际钻孔出土观察分析,是否达到设计要求的土层。如遇特殊地质情况,应由CFG桩复合地基设计人员根据图纸与现场地质实际情况综合确定，并及时通知监理。在施工过程中，应及时、准确地填写《CFG桩施工记录》。 （4）泵送混合料 钻头到达设计标高后，钻杆停止钻动，开始泵送混合料，泵送量达到钻杆芯管一定高度后，方可提钻（禁止先提钻再泵料）。一边泵送混合料一边提钻,提钻速率控制必须与泵送量相匹配，保证钻头始终埋在CFG桩混合料液面以下，以
第五章 硅的外延薄膜的生长
第五章 硅的外延薄膜的生长 外延生长工艺是一种在单晶衬底的表面上淀积一个单晶薄层(0.5～20微米)的方法。如果薄膜与衬底是同一种材料该工艺被称为同质外延，但常常就被简单地称为外延。在硅衬底上淀积硅是同质外延最重要的在技术上的应用，并且是本章的基本主题。在另一方面，如果在化学成分不同的衬底上进行淀积，则称为异质外延。这种工艺已在被称为SOS的在蓝宝石(Al2O3)上淀积硅的工艺中得到应用。外延起源于两个希腊字，意思是整理安排。 外延生长可以从气相(VPE)、液相(LPE)或固相(SPE)中获得。在硅工艺中，气相外延得到了最广泛的接受，因为它对杂质浓度有良好的控制以及能获得晶体的完整性。液相淀积在制造Ⅲ?Ⅴ族化合物外延层时得到广泛使用。正如在第九章“非晶层损伤的退火”中讲到的，固相外延可用于离子注入的非晶层的再结晶。 发展硅外延的主要动机是为了改善双极型晶体管及后来的双极型集成电路的性能。通过在重掺杂的硅衬底上生长一层轻掺杂的外延层，双极型器件得到优化：在维持低集电区电阻的同时，获得高的集电极－衬底击穿电压。低的集电区电阻提供了在中等电流时的高的器件工作速度。最近外延工艺已被用于制造先进的CMOS大规模集成电路。这些电路中，器件被做在重掺杂的衬底上的一层很薄的(3～7微米)轻掺杂的外延层中。这种结构减少了在功率增加或在遭到辐射脉冲时CMOS电路可能经受的闩锁效应。在外延层中制造器件(双极型和MOS)的其他优点还有：器件掺杂浓度的精确控制，并且这层中可以不含氧和碳。但外延工艺并不是没有缺点，包括：a)增加了工艺复杂性和硅片成本；b)在外延层中产生缺陷；c)自掺杂以及d)图形改变和冲坏。 在这一章中，我们介绍了：a)外延淀积基础；b)外延层的掺杂；c)外延膜中的缺陷；d)对大规模集成电路的外延淀积的工艺考虑；e)外延淀积设备；f)外延膜的表征；g)硅外延的选择性淀积；和h)硅的分子束外延。 外延淀积基础 这部分讨论了用于硅的气相外延的化学气相淀积(CVD)工艺的基础理论。包括了反应物和产物的通过边界层的传输以及它们在衬底上的化学反应。 Grove外延膜生长模型 外延淀积是一个化学气相淀积的过程。以下五个步骤对于所有的化学气相淀积是基本的：1)反应物被运输到衬底上；2)反应物被吸附在衬底表面上；3)在表面发生化学反应以生成薄膜和反应产物；4)反应产物从表面被放出；和5)反应产物从表面被运走。在某些情况下，在步骤1之前先进行一个气相反应以形成薄膜的前身(反应物)。 甚至直到现在，针对全部五个步骤 而发展出一个数学关系式仍是困难的。 Grove1基于一个只适用于步骤1和3(反 应物的运输和化学反应)的假设而研发 出一个模型。尽管这些假设具有局限性， 该模型还是解释了许多在外延淀积工艺 中观察到的现象。 图1是关于这个模型的本质的图解。它显示了反应气体的浓度分布和从气体的主体到正在生长的薄膜表面的流量F1(单位时间内通过单位面积的原子或分子的数量，原子/厘米2秒)。它还显示了另一个代表反应气体消耗的流量F2。用于硅外延的反应气体可以是下列气体中的任何一种：SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、
保健食品生产工艺研究报告及其技术要求
保健食品生产工艺研究及其技术要求 生产工艺是保健食品产品研制的一个重要环节，保健食品工艺研究应以国家保健食品注册管理办法为指导，对产品配方的配伍关系、保健功能、功效成分等进行分析，并应用现代科学技术及生产方法进行剂型选择、工艺路线设计、工艺技术条件筛选与中试生产等系列研究，使生产工艺做到科学、合理、先进、可行，同时还需按保健食品注册申报资料的规定与要求进行研究资料的整理与总结，使申报资料做到规范和完整，使产品达到安全、有效、可控和稳定。 关于生产工艺研究资料和技术要求，归纳起来，分两部分进行论述。 第一部分研发报告中有关生产工艺的技术要求在研发报告中涉及生产工艺的有以下三项内容： 一、剂型选择 剂型是将原辅料加工制成适于食用的形式。保健食品剂型的选择应根据配方 原料化学成分的性质，保健功能与适用人群的需要以及生产的实际条件综合考虑。由于保健食品具有食品的属性，故原则上应选择通过胃肠道吸收的口服剂型，非口服剂型不宜做为保健食品剂型。有些原料为难溶性或者某些成分的溶液状态不稳定，则应选择固体剂型；若水溶性好的原料或成分，可选择液体剂型，如口服液、饮料、糖浆剂型等；但是在水中不稳定，如含有易水解、易聚合、易氧化等成分的保健食品，不宜选择口服液等液体剂型。儿童应用的保健食品应注意选择色香味俱佳的剂型。 此外，还应根据生产厂家的技术水平和生产条件选择剂型。剂型不同，采用的工艺路线、生产技术、生产环境、设备及工人素质等都有不同的要求，应尽量选用既能充分发挥保健功能，又能充分利用原有设备，适于工业化生产、工艺简便、成本较低、方便食用、便于携带、运输、储存的剂型。目前保健食品常用剂型有茶剂、颗粒剂、粉<散）剂、胶囊<硬）、软胶囊剂、片剂、糖粒、口服液剂、保健饮料和酒剂等。
技术路线描述.
三、项目技术路线描述 工艺流程图； 产品结构图，框架图； 项目工艺路线的可行性，合理性分析； 一、项目主要研究内容: （描述申报项目研究开发的内容），通过阐述项目技术原理、作用，解决的问题，达到的目的。 加入项目系统架构图 根据项目系统结构，对各个部分子系统分别进行阐述。 1、xxx子系统：（可以用文字和图相结合的方式，进行阐述。） 2、xxx子系统： 二、涉及的关键技术 三、主要解决的关键问题 四、项目技术路线描述 （2）项目创新点：描述项目在理论创新、应用创新、技术创新、工艺创新、结构创新等方面的创新点。要用技术语言，尽可能多的用实验数据对技术创新性进行描述，要有数据分析、对比，要有新旧技术、结构或工艺对比。 (1) 理论创新（企业补充） (2) 应用创新：[请认真审核编辑，把创新说清楚。该部分非常重要] 创新点1、XXXXX的应用技术 ①创新程度：本项目在应用性方面有较大的创新。包括：（企业补充）。 ②创新难度和需要重点解决的问题：（企业补充） 采用先进的XXX技术，解决了*****问题， (3) 技术创新：[请认真审核编辑，把创新技术说清楚。该部分非常重要] 创新点2：自主创新XXXX技术。 [请认真审核编辑，把创新技术说清楚。该部分非常重要] 技术内容：必要时要画出技术逻辑图 ①创新程度：新颖性和独创性分析（主要指创新技术的突破强度、先进程度、创新技术占项目总体技术的比重等，主要论述技术的新颖性和独创性，是原创性的、是综合技术的集成、是技术延展还是应用领域的开拓）***。项目技术达到国内领先水平。) 该技术介绍，阐述独特的一面。与传统的某某产品的区别和优势在于
高二通用技术《流程与设计》教案(表格式)
高二通用技术《流程与设计》教案（表格式）教学内容 第二单元流程与设计第三节流程的优化 教学目标 1.知识与技能 (1)流程改进的内容与目的 (2)流程优化的步骤。 2.过程与方法 (1)学会分析流程的不足，并提出优化方案 3.情感态度和价值观 ⑴培养分析问题的能力。 教学重点 流程优化的内容及目的。 教学难点 流程改进的目的。 教学方法 讲授、任务驱动、讨论。 教材分析
本节内容是《技术与设计2》第二单元“流程与设计”的内容，是在学生初步认识了流程，并对流程设计和优化的方法和步骤有了一定的了解的基本上，让学生进行综合实践的部分，是学生把理论应用于实践的部分。 学情分析 学生对工农生产及企管理中的流程不是很熟悉，要他们对这些流程进行设计和优化是非常困难，但学生对与他们学习和生活有关一些事项却比较了解，并感兴趣，所以这节课让学生进行设计和优化的选题都是与学生生活和学习密切相关的由学生自己在上一课时提出的一些问题。 教学准备 课件、教具等 教学过程 教学内容 教师活动 学生活动 设计意图 一．导入： 复习
提问： 1.什么是流程？ 2.流程设计应考虑的基本因素有哪些？ 思考并回答 为本节教学作好铺垫 二．新 课 教学： （一）流程改进的内容与目的 1.工期优化 目的：缩短加工时间。 1.案例设计：周末做家务：用电饭锅做饭1小时，炒菜15分钟，用洗衣机洗衣45分钟，拖地15分钟，浇花5分钟。 2.讲解①串行工序 ②并行工序 3.马上行动：制作一只台灯的工期如何优化，改进之后可能带来什么问题？ 思考并设计流程，在草稿纸上画流程图，然后回答 优化条件：流程机理进一步研究
硅外延中的化学原理
硅外延中的化学原理 一氢气的纯化原理 1 分子筛:他是一种人工合成的高效硅铝酸盐,具有微孔结构的晶体,脱水后的分子筛产 生许多肉眼看不见的大小相同的孔洞,具有很强的吸附力,能把小于孔洞的分子吸进孔洞而被吸附,大于孔洞的分子挡在孔外,从分子筛小晶粒间通过.此外,是否被吸附还与物质分子的极性有关,一般来说对极性强的,不饱和性大的分子有优先被吸附的能力.如优先吸附水,氨,硫化氢等极性分子,而对氢,甲烷等非极性分子不吸附. 分子筛分A,X,Y型,具有以下特性: ①分子筛可以用来选择性吸附水分. ②气体相对湿度低时具有良好的吸附容量,而且不会被液态水损坏. ③具有热稳定性,低高温都可使用. ④再生可连续使用,吸收的水分可在350—500℃下加热除去. 2 脱氧剂 又称C-05催化剂,是含0.03﹪钯的分子筛.工作原理:在常温下氢气通过其表面时,氢气中的氧和氢化合生成水,反应如下: 2H 2+O 2 →2H 2 O+Q 催化反应在催化剂的表面进行,如果原料氢中的含氧量过高,放热反应使催化剂表面的温度很高,如含氧量大于5﹪则催化剂的表面温度可达800-1000℃,高的温度将使通过的氢被加热,使吸附效率下降,并会使催化剂的稳定性变坏而失去催化作用(在550℃以下较为稳定),所以允许通过的氢含氧量为2.5﹪. 3 钯管的纯化原理 其他的方法只能除水和氧气,但氢气中的氮,碳氢化合物,二氧化碳等就难以除去,而采用钯管纯化氢气则可同时除去上述有害气体.钯管又称钯合金膜管,是一个通过气体扩散的方法来制取高纯氢的装置,氢气的纯度可达8个9,是最好的一种方法.其原理如下:金属钯在一定催化条件下有选择的吸附,溶进和渗透氢气的性质.加热到450℃左右时,由于钯的催化作用,氢分子在合金膜表面离解为氢原子,并进一步离解为氢离子和电子,由于钯的晶格常数为3.88埃,而氢离子的半径仅1.5×10-5埃,所以在催化状态下可以通过,然后又合成氢原子,氢原子再合成氢分子.从而达到氢气有高浓度向低浓度的方向扩散. 4 二氧化硅的结构 二氧化硅晶体:每个硅原子和周围的四个氧原子构成共价键,叫硅氧桥结构. 无定形硅:除存在硅桥结构外,也存在由SIO 4 组成的四面体,氧化工艺中得到的是无定形二氧化硅.湿氧氧化时,还会有非桥键的基(-OH),即硅醇存在.硅桥结构越少,氧化层越疏松.由于硅醇中基的亲水性,易于吸附水,所以湿氧氧化后表面总存留一些水分子不易除尽,这就是疏水的由来. 二氧化硅极易被钠离子污染,使器件漏电增大. 5 硅P-N结显示的化学原理: 3-7﹪的硫酸铜溶液,加几滴氢氟酸,硅可从硫酸铜溶液中置换出铜来, SI+2CUSO 4+HF→2CU↓+H 2 【SIF 6 】+2H 2 SO 4 由于N型硅较P型硅易失去电子,容易发生置换反应,所以在N型硅上有铜析出,从而出现一条明显的分界线.
磷酸铁锂的生产工艺与技术路线选择
磷酸铁锂的生产工艺与技术路线选择锂离子电池作为一种高性能的二次绿色电池，具有高电压、高能量密度(包括体积能量、质量比能量)、低的自放电率、宽的使用温度范围、长的循环寿命、环保、无记忆效应以及可以大电流充放电等优点。锂离子电池性能的改善，很大程度上决定于电极材料性能的改善，尤其是正极材料。目前研究最广泛的正极材料有LiCoO2、LiNiO2以及LiMn2O4等，但由于钴有毒且资源有限，镍酸锂制备困难，锰酸锂的循环性能和高温性能差等因素，制约了它们的应用和发展。因此，开发新型高能廉价的正极材料对锂离子电池的发展至关重要。 1997年，Padhi等报道了具有橄榄石结构的磷酸铁锂(LiFePO4)能够可逆地嵌脱锂，且具有比容量高、循环性能好、电化学性能稳定、价格低廉等特点，是首选的新一代绿色正极材料，特别是作为动力锂离子电池材料。磷酸铁锂的发现引起了国内外电化学界不少研究人员的关注，近几年，随着锂电池的越来越广的应用，对LiFePO4的研究越来越多。 2.1 磷酸铁锂的结构和性能 磷酸铁锂(LiFePO4)具有橄榄石结构，为稍微扭曲的六方密堆积，其空间群是P mnb型，晶型结构如图2.1所示。 图2.1 磷酸铁锂的空间结构图 LiFePO4由FeO6八面体和PO4四面体构成空间骨架，P占据四面体位置，而Fe和Li则填充在八面体空隙中，其中Fe占据共角的八面体位置，Li则占据共边的八面体位置。晶格一个FeO6八面体与两个FeO6八面体和一个PO4四面
体共边，而PO4四面体则与一个FeO6八面体和两个LiO6八面体共边。由于近乎六方堆积的氧原子的紧密排列，使得锂离子只能在二维平面上进行脱嵌，也因此具有了相对较高的理论密度(3.6g/cm3)。在此结构中，Fe2+/Fe3+相对金属锂的电压为3.4V，材料的理论比容量为170mA·h/g。在材料中形成较强的P-O-M 共价键，极大地稳定了材料的晶体结构，从而导致材料具有很高的热稳定性。 Wang等对LiFePO4的电化学性能做了详细的分析，图2.2是LiFePO4的循环载荷伏安图，在C-V图中形成两个峰，在阳极扫描时Li+从Li x FePO4结构中脱出，在3.52V形成氧化峰；当在4.0～3.0扫描时Li+嵌入到Li x FePO4结构中，相应的在3.32V形成还原峰；C-V曲线中的氧化还原峰表明在L iFePO4电极上发生着可逆的锂离子嵌脱反应。 图2.2 磷酸铁锂的循环载荷伏安图 2.2 磷酸铁锂的制备方法及研究 LiFePO4正极材料的性能在一定程度上取决于材料的形态、颗粒的尺寸以及原子排列，因此制备方法尤为重要。目前主要有固相法和液相法，其中固相法包括高温固相反应法、碳热还原法、微波合成法和脉冲激光沉积法；液相法包括溶胶·凝胶法、水热合成法、沉淀法以及溶剂热合成法等。 2.2.1 固相法 2.2.1.1 高温固相反应法… 2.2.1.2 碳热还原法 碳热还原法也是固相法中的一种，是比较容易工业化的合成方法，以廉价的
高中通用技术课《了解流程》优质课教学设计、教案
创设情境 1 以多媒体图片 悉及常见的“大班级图书名单学生哪些是流教学设计： 教学目标： （1） 了解流程的含义。 （2） 理解流程中环节和时序的意义。 （3） 通过对流程初步的分析和体验，养成依据科学的流程合理处理问题的意识。 （4） 能感受到流程在学习和生产生活中的重要意义。 教学重点：掌握流程的科学概念。 教学难点：结合实例理解流程的科学含义。 教学方法： 探究法、讲授法、小组合作法。 教学过程： 教学环节 具体操作 预计用时 部分图片 的形态向学生们展示他们熟 象装冰箱分三步”、课程表、 和日历，并且教师直接告知 程的例子，哪些不是。提出 流程？ 2min
设情境 2 播放视频 在看视频步骤。 引入新课—— 借助思维导图流程的含义 并参照教材对 梳理。环节、时 解。 实践活动 通过一个小制 体验流程的技用的过程。 创 ：“巧拌西葫芦”。要求：同学们的同时，思考、总结做这道菜的 7min 将上述事例及视频做出总结， 环节、时序和流程做出相应 序和流程三个概念并不难理 10min 举流程的事例 举例。通过列举大量流程的例子，感受流 程广泛存在于我们身边，为学生在将来的 解决实际问题中运用流程的技术思想和方 法打下思想的烙印。从而也培养了学生的 技术意识素养和工程思维素养。 4min 探讨研究流程的意义 1、在“注射青霉素”这个流程中，让学生们意识到科学合理的流程能保障人们的安全 等。 2min 2、完成一系列生活事件的流程，由学生 扮演其中的环节。这样做既增加了学生对 内容学习的兴趣，又在其互动中提高了合 作与沟通的能力。在这个流程中，让学生 们感受到流程的多种组合以及科学合理的 流程能提高效率等。 5min 作：衍纸小脚丫，让学生们术思想、方法，以及实际运 10min
PVC胶地板施工工艺流程和技术要求
P V C胶地板施工工艺流 程和技术要求 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】
1、地坪检测 1）、使用温度湿度计检测温度湿度，室内温度以及地表温度以15℃为宜，不应在5℃以下及30℃以上施工。宜于施工相对湿度应界于20%-75%之间。 2）、使用含水率测试仪检测基层的含水率，基层的含水率应小于3%。 3）、基层的强度不应低于混凝土强度C-20的要求，否则应采用适合的自流平来加强强度。 4）、用硬度测试仪检测结果应是基层的表面硬度不低于兆帕。 5）、对于PVC地板材料的施工，基层的不平整应在2米直尺范围内高低落差小于2mm,否则应采用适合的自流平进行找平。 2、地坪预处理 1）、采用1000瓦以上的地坪打磨机配适当的磨片对地坪进行整体打磨，除去油漆、胶水等残留物凸起和疏松的地块，有空鼓的地块也必须去除。 2）、用小于2000瓦的工业吸尘器对地坪进行吸尘清洁。 3）、对于地坪上的裂缝，可采用不锈钢加强筋以及聚氨脂防水型粘合表面铺石英砂进行修补。 3、自流平施工-打底 1）、吸收性的基层如混凝土、水泥砂浆找平层应先使用多用途界面处理剂按1：1比例兑水稀释后进行封闭打底。 2）、非吸收性的基层如瓷砖、水磨石、大理石等，建议使用密实型界面处理剂进行打底。
3）、如基层含水率过高（＞3%）又需马上施工，可以使用环氧界面处理，但前提是基层含水率不应大于8%。 4）、界面处理剂施工应均匀，无明显积液。待界面处理剂表面风干后，可进行下一步自流平施工。 4、自流平施工-搅拌 1）、将一包自流平按照规定的水灰比例入盛有清水的搅拌桶中，边倾倒边搅拌。 2）、为确保自流平搅拌均匀，须使用大功率、低转速的电钻配专用搅拌器进行搅拌。 3）、搅拌至无结块的均匀浆液，将其静置熟化约3分钟，再短暂搅拌一次。 4）、加水量应严格按照水灰比（请参照相应自流平说明书）。水量过少会影响流动性，过多则会降低固化后的强度。 5、自流平施工-铺设 1）、将搅拌好的自流平浆倾倒在施工的地坪上，它将自行流动并找平地面，如果厚度≤毫米，则需借助专用的齿刮板加批刮。 2）、随后应让施工人员穿上专用的钉鞋，进入施工地面，用专用的自流平平放气流筒在自流平表面轻轻滚动，将搅拌中混入的空气放出，避免气泡麻面及接口高差。 3）、施工完毕后请立即封闭现场，5小时内禁止行走，10小时内避免重物撞击。24小时后可进行PVC地板的铺设。 4）、冬季施工，地板的铺设应在自流平施工48小时后进行。
PVC胶地板施工工艺流程和技术要求
1、地坪检测 1）、使用温度湿度计检测温度湿度，室内温度以及地表温度以15℃为宜，不应在5℃以下及30℃以上施工。宜于施工相对湿度应界于20%-75%之间。 2）、使用含水率测试仪检测基层的含水率，基层的含水率应小于3%。 3）、基层的强度不应低于混凝土强度C-20的要求，否则应采用适合的自流平来加强强度。 4）、用硬度测试仪检测结果应是基层的表面硬度不低于1.2兆帕。 5）、对于PVC地板材料的施工，基层的不平整应在2米直尺范围内高低落差小于2mm,否则应采用适合的自流平进行找平。 2、地坪预处理 1）、采用1000瓦以上的地坪打磨机配适当的磨片对地坪进行整体打磨，除去油漆、胶水等残留物凸起和疏松的地块，有空鼓的地块也必须去除。 2）、用小于2000瓦的工业吸尘器对地坪进行吸尘清洁。 3）、对于地坪上的裂缝，可采用不锈钢加强筋以及聚氨脂防水型粘合表面铺石英砂进行修补。 3、自流平施工-打底 1）、吸收性的基层如混凝土、水泥砂浆找平层应先使用多用途界面处理剂按1：1比例兑水稀释后进行封闭打底。 2）、非吸收性的基层如瓷砖、水磨石、大理石等，建议使用密实型界面处理剂进行打底。 3）、如基层含水率过高（＞3%）又需马上施工，可以使用环氧界面处理，
但前提是基层含水率不应大于8%。 4）、界面处理剂施工应均匀，无明显积液。待界面处理剂表面风干后，可进行下一步自流平施工。 4、自流平施工-搅拌 1）、将一包自流平按照规定的水灰比例入盛有清水的搅拌桶中，边倾倒边搅拌。 2）、为确保自流平搅拌均匀，须使用大功率、低转速的电钻配专用搅拌器进行搅拌。 3）、搅拌至无结块的均匀浆液，将其静置熟化约3分钟，再短暂搅拌一次。 4）、加水量应严格按照水灰比（请参照相应自流平说明书）。水量过少会影响流动性，过多则会降低固化后的强度。 5、自流平施工-铺设 1）、将搅拌好的自流平浆倾倒在施工的地坪上，它将自行流动并找平地面，如果厚度≤毫米，则需借助专用的齿刮板加批刮。 2）、随后应让施工人员穿上专用的钉鞋，进入施工地面，用专用的自流平平放气流筒在自流平表面轻轻滚动，将搅拌中混入的空气放出，避免气泡麻面及接口高差。 3）、施工完毕后请立即封闭现场，5小时内禁止行走，10小时内避免重物撞击。24小时后可进行PVC地板的铺设。 4）、冬季施工，地板的铺设应在自流平施工48小时后进行。 5）、如需对自流平进行精磨抛光，宜在自流平施工12小时后进行。