薄膜电容器的使用要求和电性能参数

薄膜电容器的使用要求和电性能参数
薄膜电容器的使用要求和电性能参数

薄膜电容器的使用要求和电性能参数

电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用.

一电磁灶三相全桥电路拓扑图

二 C1—C6功能说明

新晨阳

C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力

C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS

在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在

3μF-10μF之间,额定电压为275V.AC-300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3μF-10μF之间,额定电压为450V.AC-

500V.AC ,采用三角形接法.

C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响.

C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。

C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该

位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。

C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5μF/KW) 全桥方案(1.2μF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/μF的设计工艺所推断。

例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30μF C3的总纹波电流是

30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24μF(实际可取25-30μF) C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。

C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800-1000V.DC即可.

C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制,防止IGBT击穿

C4作为IGBT的开通/关断尖峰吸收,一般用C型或者RC型接法,并接于IGBT的CE端.耐压方面一般要根据IGBT的额定电压来选择,并保留一定的电压余量.电容量方面,一般可取0.01μF-0.033μF之间,要根据电路和IGBT之间的匹配情况来选择最适合的电容量.C4位置的电容器,必须使用dv/dt值比较大的电容器型号,使用中要注意温升是否在允许范围里.如使用RC型接法,需要注意R发热量巨大,布局的时候需要R与C保留一定的空间距离,防止电容器受到过大的热辐射.

C5: 谐振电容器,配合负载(电感线圈、变压器等)形成LC谐振回路.

C5作为谐振电容器,与L形成LC谐振回路,把功率输送出去.在使用中要注意所选用的电容器额定电压是否足够(谐振电压跟设备功率,负载材质,磁载率,负载到电感的距离,电路Q值等有关).如所选择的电容器额定电压值比实际谐振电压值低,那么容易出现电容器电压击穿的情况.谐振电容器的电流选择方面,最好先通过理论值计算,然后初步选择电流值,待设备功能满足要求后,让设备在最大功率的时候通过测量LC回路的峰值电流/均方根值电流的实际值后再进行调整.如果实际通过的高频电流值比电容器的额定电流值大,那么会导致谐振电容器过热运行,长期工作容易出现鼓包或者炸毁,甚至是起火的情况发生.电路的谐振频率也要在谐振电容器允许的频率范围内.

C6: 直流母线吸收电容,就地吸收,缓冲和抑制IGBT开关时产生的尖峰电压.

C6和C3同样并接于直流母线的正负极上.但是由于结构及布线回路等因数的制约,导致后端的IGBT远离C3电容,所以需要在后端的IGBT模块的电源端直接锁上一只母线吸收电容,就地吸收IGBT产生的纹波电压和纹波电流.C6在选择的时候,耐压方面一般按照IGBT的额定电压来选择.尽量选择纹波电流大,dv/dt大,杂散电感小的母线吸收电容.例如MKPH-S 0.47μF 1μF 1.5μF 2μF等型号,额定电压1200V.DC的吸收电容器。

三薄膜电容器选型中常出现的问题

A 额定电压选择不当

额定电压选择不当,出现最多的地方是谐振电路部分(C5).研发人员应该根据设备的额定功率,输入电压,电路拓扑,逆变控制方式,负载材质,负载磁载率,电路Q值等参数作为综合考虑后作初步计算.待样机初步达到要求后,需要用示波器加高压电压探头,实际测量一下

设备在最大功率的时候,谐振电容器两端的峰峰值电压,峰值电压,均方根值电压,谐振频率等参数,用来判定所选择的谐振电容器型号及参数是否正确.

B 额定电流选择不当

额定电流选择不当,出现最多的地方是C3(直流支撑)和C5(谐振)部份.实际需要的电流值如果比电容器允许通过的电流值大,那么会造成电容器发热严重,长期高温工作,导致电容器寿命大大降低,严重的会炸毁甚至是起火燃烧.在设备研发中,可以通过专用的电流探头或其他方式,测量一下实际需要的峰值电流,均方根值电流,然后调整电容器的参数.最终可通过设备在满功率老化测试中,测量一下电容器的温升,根据电容器的温升允许参数来判定电容器的选择是否恰当.(电流测量及温升情况来综合评定)

C 接线方式不当

接线方式不当,主要出现在电容器多只并联使用中.由于接线方式,走线距离不一致等因数,导致每只并联的电容器在电路中分流不一致.最终体现在多只并联的电容器,每只的温升都不一致.个别位置的电容器温升过高,出现烧毁的情况.因此,需要对电容器的并联使用进行合理的布线及连接,尽量要做到均流,提高电容器的使用寿命.

四薄膜电容器使用中的波形参考

C3电压基波波形(505V/300HZ) C3纹波电压波形(38V/23.3KHz)

C5谐振电流波形(Ip=84A Irms=60A ) C4吸收电容波形(Vce=581V F=19.6KHz) 总结

电磁加热设备应用领域日益增大,薄膜电容器的使用要求和电性能参数也越来越高. 本文通过对三相全桥电磁炉作为案例,分析了设备内部各位置的薄膜电容器所起的作用及选型原则,注意事项等等,望能对广大研发人员带来一些方便!

薄膜电容规格书模板

美的制冷家用空调国内事业部 电子元器件规格书 供方名称:厦门法拉电子股份有限公司 器件名称:薄膜电容 型号规格:参见第六项表格 物料编码:参见第六项表格 厂家型号:MKP62-275VAC-104TSSKP15 MKP62-275VAC-274TSSMP22.5 MKP62-275VAC-105TSSMP22.5 MKP62-275VAC-224KP15 MKP62-275VAC-474MP22.5 MKP62-275VAC-105MP22.5 MKP62-275VAC-335KP27.5 MKP62-275VAC-155MP22.5 编制: 审核: 供方会签: 日期: 版本:V1.0 注意事项: 1、本规格书双方签字后正式生效,本规格书连封面合共6页; 2、本规格书一式两份,版本由使用方与供方共同维护;任何对内容的改动必须经双方同意,并以书面文件的形式发布。

规格书更新纪录: 一厂家品牌中英文:

厦门法拉电子股份有限公司(鹭岛牌) Xiamen Faratronic Co.,Ltd.,() 二产地(国内的写工厂地址): 中国厦门市金桥路101号 三厂家型号及型号含义: F15B3.7 :F15表示电容器引线成型(弯脚)15mm,B3.7表示电容器引线成型(弯脚)15mm后,剪短引线长度为3.7mm。 3. 引线形状及间距图: Note: W±0.4 H±0.4 T±0.4 五安全认证说明:

● 六 外观尺寸及关键参数对照表: P=7.5 or 10.0mm P ≥15.0mm and C R ≤1.0μF 符号说明Marking Introduction :

TDK贴片电容型号选型规格书

C1005X5R1A475KTJ00E0402 X5R 10V 4.5UF 10% C1005X5R1E224KT000E0402 X5R 25V 220NF 10% C1005X5R1E225KT000E0402 X5R 25V 2.2UF 10% C1005X7R1C104KT000F0402 X7R 16V 100NF 10% C1005X7R1C224kT000E0402 X7R 16V 220NF 10% C1005X7R1H104KT000F0402 X7R 50V 100NF 10% C1608C0G1E103JT000N0603 C0G 25V 10NF 5% C1608C0G1H101JT000N0603 C0G 50V 100PF 5% C1608C0G1H152JT000N0603 C0G 50V 1.5NF 5% C1608C0G1H221JT000N0603 C0G 50V 220PF 5% C1608C0G1H222JT000N 0603 C0G 50V 2.2NF 5% C1608C0G1H472JT000N0603 C0G 50V 4.7NF 5% C1608C0G1H562JT000N0603 C0G 50V 5.2NF 5% C1608X5R0J106MTJ00N0603 X5R 6.3V 10UF 20% C1608X5R0J225KT000N0603 X5R 6.3V 2.2UF 10% C1608X5R0J226MT000N0603 X5R 6.3V 22UF 20% C1608X5R0J335KT000N0603 X5R 6.3V 3.3UF 10% C1608X5R0J475KT000N0603 X5R 6.3V 4.7UF 10% C1608X5R1A105KTJ00N0603 X5R 10V 1UF 10% C1608X5R1A106MT000E0603 X5R 10V 10UF 20% C1608X5R1A225KT000E0603 X5R 10V 2.2UF 10% C1608X5R1A226MTE00E0603 X5R 10V 22UF 20% C1608X5R1A475KT000N0603 X5R 10V 4.7UF 10% C1608X5R1C225KT000N0603 X5R 16V 2.2UF 10%

MMKP82双面金属化聚丙烯膜电容器规格书

MMKP82 型双面金属化聚丙烯膜电容器 Type MMKP82 Polypropylene Cpacitor With Double Side Metallized Film Electrodes 路中。 example electricity lamp-house and electronic ballast etc. 、产品介绍 (Product introduction) ?产品结构: ? Structure : 采用聚丙烯薄膜做介质 ,以自愈特性优良的耐 With polypropylene fime dielectric,pole with double sided 高温双面金属化聚脂薄膜作电极 ,双端喷金形 metallized polyester fime,twain section spray-metal form 成无感结构 ,单向引出 ,阻燃环氧树脂灌封 . Non-inductive configuration,Electrode lead unilateralism fetch out and flame retardant epoxy resin dip sealed. ?产品特点: ? Feature : 双面金属化结构 ,广泛应用于高压、 高频及脉 Double sided metallized structure,widely used in high 冲电路损耗小 ,内部温升小负电容量温度系数 voltage,high frenquency and pulse circuit Low loss and smsll 优异的阻燃性能 inherent temperature rise Negative temperature coefficient of capacitance Exellent active and passive flame resistant abilities ?产品用途: ? Uses : 适用于电光源、 电子镇流器等高频大电流电 Suitable for high frequency and high current loading circuit, for

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法: 1.直标法 指在电容器的表面直接用数字和单位符号或字母标注出标称容量和耐压等。 例某电容器上标CD—1、2200μF、35V,表示这是一个铝电解电容器,标称容量为2200μF,耐压为35V。 某电容器上标CA1—1、2.2±5%、DC63V,表示这是一个钽电解电容器,标称容量为2.2μF,允许误差为±5%,直流耐压为63V。 2.数字加字母标注法 指用数字和字母有规律的组合来表示容量,字母既表示小数点,又表示后缀单位。 例 p10表示0.1pF 1p0表示1pF 6P 8表示6.8pF 2μ2表示2.2μF 7p5表示7.5 pF 2n2表示2.2nF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μ F G1表示100μF 3.数码标注法 数码标注法多用于非电解电容器的标注,它采用三位数标注和四位数标注: 1)三位数标注法采用三位数标注的电容器,前两位数字表示标称值的有效数字,第三位表示有效数字后缀零的个数,它们的单位是pF。这种标注法中有一个特殊的,就是当第三位数字是9时,它表示有效数字乘以10-1。 例102表示标称容量是1000pF,即1nF; 473表示标称容量是47000pF,即47nF。479表示标称容量是4.7pF。 2) 四位数标注法采用四位数标注的电容器不标注单位。这种标注方法是用1 ~4位数字表示电容量,其容量单位是pF;若用0.0X或0.X时,其单位为μF。

例 47表示标称容量是47 pF ;0.56表示标称容量是0.56μF 。 采用数码标注的,有些后面带的还有字母,它表示允许误差。识别方法: D——±0.5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 4.电容器容量允许误差的标注方法 电容器容量允许误差的标注方法主要有三种: 1)用字母表误差 识别方法: B——±0.1% C——±0.25% D——±0. 5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% N——±30% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 2)直接标出误差的值 例33 pF±0.2 pF则表示电容器的标称容量是33 pF,允许误差是±0.2 pF。 3)直接用数字表示百分比的误差 例 0.33/5 则表示电容器的标称容量是0.33μF,允许误差是±5%

通用型贴片电容规格书(选型手册)

【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】
https://www.360docs.net/doc/3e17441038.html,
MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR
COG/COH
COG
, ,
-55
125
,
0
30ppm/
0
60ppm/
0805
CG
101
J
500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
15

wima电容规格书

Polypropylene (PP) Film and Foil Capacitors for Pulse Applications in PCM 7.5 mm to 15 mm Pulse duty construction Very low dissipation factor Negative capacitance change versus temperature Very low dielectric absorption According to RoHS 2002/95/EC Typical Applications For high frequency applications e.g. Sample and hold Timing LC-Filtering Oscillating circuits Audio equipment Dielectric: Polypropylene (PP) film Capacitor electrodes: Metal foil Internal construction: Encapsulation: Solvent-resistant, flame-retardent plastic case with epoxy resin seal, UL 94 V-0 Terminations: Tinned wire Marking: Colour: Red. Marking: Black. Epoxy resin seal: Yellow. Capacitance range: 100 pF to 0.22 μF (E12-values on request) Rated voltages: 63VDC, 100VDC, 250VDC, 400VDC, 630VDC, 1000VDC Capacitance tolerances: ±20%, ±10%, ±5% Operating temperature range: -55°C to +100°C Test specifications: In accordance with IEC 60384-13 and EN 131800 Climatic test category: 55/100/56 in accordance with IEC Insulation resistance at +20°C: > 5 x 105 M (mean value: 1 x 106 M) Measuring voltage: Ur = 63V: Utest = 50 V/1 min. Ur > 100V: Utest = 100 V/1 min. Dissipation factors at +20°C: tan Test voltage: 2 Ur, 2 sec Maximum pulse rise time: 1000 V/μsec for pulses equal to the rated voltage Dielectric absorption: 0.05% Temperature coefficient: -200 x 10-6/°C (typical) Voltage derating: A voltage derating factor of 1.35% per K must be applied from +85°C for DC voltages and from +75°C for AC voltages. Reliability: Operational life > 300000 hours Failure rate < 5 fit (0.5 x Ur and 40°C) Graphs: Soldering: Mechanical Tests Packing Pull test on leads: 10 N in direction of leads according to IEC 60068-2-21 Vibration: 6 hours at 10...2000Hz and 0.75mm displacement amplitude or 10g in accordance with IEC 60068-2-6 Low air density: Available taped and reeled. Detailed taping information: Example for ordering / Part number:

电容器参数大全

电容器 电容器通常简称其为电容,用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I 级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。 主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压:在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系( 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上; 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上; 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上; 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上; 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上; 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上;

电容器技术要求

介休瑞东煤业35kV变电站 磁控式高压无功动态补偿装置 技术规范书 晋中电力设计院 二〇一一年二月

1 工程概况 1.1 项目名称:介休瑞东煤业35kV变电站工程 1.2 项目单位:介休义棠瑞东煤业有限公司 1.3 工程规模:变电站主变容量为2×10000kV A,2台主变互为备用。35kV部分为单母分段接线方式,二回进线,分别由介休110kV变电站和灵石110kV英武变电站引入。10kV部分亦为单母分段接线方式。出线24回,本期22回出线。 1.4 工程地址:介休瑞东煤业35kV变电站 1.5 交通、运输:汽运 1.6工程布置:电容器成套装置采用室内柜式安装,磁控电抗器室外安装,控制屏放于主控室。 2.环境条件 注:1. 环境最低气温超过-25℃, 需要进行参数修正; 2. 污秽等级为Ⅳ级,需要进行参数修正; 3. 海拔高度大于1000米,需要进行参数修正。 3.系统运行条件 3.1 系统标称电压:10kV 3.2 最高运行电压:12kV 3.3 额定频率:50Hz 3.4 中性点接地方式:非有效接地 3.5 电容器组接线方式:星形 3.6 辅助电源:DC220V 4.装置要求 设备安装于10kV侧,电容器滤波安装容量6000kvar,分5次、7次、11次兼高通三个滤波支路,(各个投标厂家需根据经验对各个滤波支路分组并提供容值、电抗值详细计算说明书),另根据煤矿负荷波动,配磁控电抗器4500kvar实现系统所需无功的动态连续

5.设备名称及数量 磁控式高压动态无功补偿装置10kV-6000kvar 2套,每套设备主要配置如下:序号名称型号及规格单位数量备注 1 滤波支路5 次 隔离开关GN19-12/630 组 1 2 避雷器HY5WR-17/45 只 3 3 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 4 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 5 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 6 滤波电抗器LKSGKL-10-84-4 台 1 7 附件足量 8 7 次隔离开关GN19-12/630 组 1 9 避雷器HY5WR-17/45 只 3 10 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 11 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 12 滤波电容器AAM-12/√3-300-1W 或AFM-12/√3-300-1W 台9 总容量1800kvar 13 滤波电抗器LKSGKL-10-36-2 台 1 14 附件足量 15 11 次 兼 高 通隔离开关GN19-12/630 组 1 16 避雷器HY5WR-17/45 只 3 17 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 18 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 19 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 20 滤波电抗器LKSGKL-10-16.8-0.8 台 1 21 高通电阻器套 1 22 附件足量 23 磁 控 支隔离开关GN19-12/1250 组 1 24 电流互感器JQJC-10 300/5A 只 3 25 磁控电抗器4500kvar 台 1

YAGEO贴片电容规格书

1. SUBJECT: This specification applies on the chip capacitor made by Yageo Corporation. 2. PART NUMBER: Part number of the chip capacitor is identified by the size, tolerance, packing, material and capacitor value. Example:

3. ELECTRICAL CHARACTERISTICS

4. DIMENSION (mm) L W T L 1;L 2 L 3 Style MIN. MAX. MIN. MAX. Min. CC0402 1.0±0.05 0.5±0.05 0.45 0.55 0.15 0.30 0.40 CC0603 1.6±0.10 0.8±0.10 0.70 0.90 0.20 0.60 0.40 CC0805 2.0±0.10 1.25±0.10 0.50 1.35 0.25 0.75 0.55 CC1206 3.2±0.15 1.6±0.15 0.50 1.35 0.25 0.75 1.40 CC1210 3.2±0.20 2.5±0.20 0.50 1.80 0.25 0.75 1.40 CC1812 4.5±0.20 3.2±0.20 0.50 1.80 0.25 0.75 2.20 CC2220 5.7±0.20 5.0±0.20 0.50 1.80 0.25 0.75 2.20 Unit: mm

电容枕技术规格书

1.总则 本技术条件规定了轨道电路专用枕的技术要求、检验法、检验规则、标志及合格证明书、存放、装卸和运输、质保期。 2.名次术语 本技术条件适用于轨道电路专用枕(以下简称专用枕)中下列型号的轨枕: 新II型电容枕(代码XIID) IIIa型电容枕(代码IIIaD) IIIb型电容枕(代码IIIbD) IIIa型电气绝缘节专用枕(代码IIIaZ) IIIb型电气绝缘节专用枕(代码IIIbZ)。 3.采用技术标准 下列文件中的条款通过本技术条件的引用而成为本技术条件的条款。凡是注明日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的容)或修订版均不适用于本技术条件,然而,鼓励根据本技术条件达成协议的各研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本适用于本技术条件。 GB175 硅酸盐水泥、普通硅酸盐水泥 GBJ119 混凝土外加剂应用技术规 GB/T5223 预应力混凝土用钢丝 GB/T701 低碳钢热轧圆盘条 GB/T343 一般用途低碳钢丝 GB/T50081普通混凝土力学性能试验法标准 TB10210 铁路混凝土与砌体工程施工及验收规

TB/T2922铁路混凝土用骨料碱活性试验法 TB/T3054铁路混凝土工程预防碱骨料反应技术条件 TB/T2181 混凝土拌合物稠度试验法跳桌增实法 TB10425 铁路混凝土强度检验评定标准 TB/T2190 预应力混凝土枕I型、II型及III型 TB/B1878 预应力混凝土枕疲劳试验法 TB/B1879 预应力混凝土枕静载抗裂试验法 生产轨道电路专用枕满足上述技术条件标准,符合“研线0308”图纸的要求 4.技术要求 4.1 材料规格和要求 4.1.1 原材料及专用枕预埋件应有合格证明书和复验报告单。 生产轨道电路专用枕原材料及专用枕预埋件进厂均有合格证明书和复验报告单。并按TB 10210对材料复检,格执行工厂的质量管理体系文件以及原材料检验制度的规定,不合格者不允发放使用。 4.1.2 水泥采用不低于42.5强度等级的硅酸盐水泥或普通硅酸盐水泥,水泥碱含量应不超过0.60%,其技术要求应符合GB175的规定。 生产轨道电路专用枕采用强度等级为42.5的普通硅酸盐水泥,其技术要求应符合GB/T 175的规定。主要技术要求如下: ⑴普通水泥中烧失量不得大于5.0%。 ⑵水泥中氧化镁含量不宜超过5.0%。如果水泥经压蒸安定性合格,则水泥中氧化镁的含量允放宽到6%。 ⑶水泥中三氧化硫含量不得超过3.5%。

薄膜电容测试方法详解

薄膜电容测试方法详解 1. 准备设备、工具: 所需工具及其规格型号如表一所示: 表一(工具规格型号) 品名规格/型号数量品名规格/型号数量调压器0V~450V/三相1台电流表UNI-T 1台万用表FLUKE-117C 1台测温仪TM-902C 1台电桥测试仪Zen tech 1台双综示波器LM620C型1台游标卡尺mm/inch 1把变压器MTT-120K 1台耐压测试仪CC2672A型1台分流器TM-902C 2把2.外观物理检测 2.1首先需检查待测电容是否有正规的《产品规格说明书》,其中需包括产品名称、规格型号、安装尺寸、工艺要求、技术参数以及供应商名称、地址及其联系方式,以确保此批次产品是由正规厂商提供。 2.2参考《产品规格说明书》的工艺参数,观察电容的外观、颜色、及其材质等参数是否与其所标注的工艺指标一致。 2.3用游标卡尺对电容的安装尺寸进行确认,确保电容的直径、高度、最大高度、以及引出端的直径与间距等参数在产品工艺的误差范围之内。 2.4 检查电容的外观,确保其外观整洁、无明显的变形、破损、裂纹、花斑、污浊、锈蚀等不良状况;且其标识清晰牢固、正确完整。 2.5检查其引出端子,保证其端子端正、无氧化、无锈蚀、无影响其导电性能等状况,且引出端子无扭曲、变形和影响插拔的机械损伤。 3.数字电桥测试 3.1用电桥测试其实际容量与标称容量是否一致(金属化薄膜电容一般会有±5%的误差范围),其损耗角正切值tanθ(即D值)大小是否符合国家标准(薄膜电容器tanθ≤0.0015,电解电容器tanθ≤0.25)。 3.2对Zen tech电桥测试仪的使用,正确连接电源以后,按“POWER”键开启测试仪的工作电压;按“LCR”键选择测试类型(L:电感,C:电容,R:电阻)。

XX公司10kV系统电容器补偿成套装置 技术规格书

技术规格书 1.总则: 1.1本技术规格书适用于XX公司炼铁工程10kV高压配电室10kV系统电容器补偿成套装臵的设备制造。它提出了对装臵所需的功能设计、结构、安装、试验及服务等方面的技术要求。 1.2 本技术规格书中提出的是最低限度的技术要求,并未对一切技术细节做出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,供方应提供符合本技术规格书内容要求的优质产品。 1.3 如果供方没有以书面形式对本技术规格书的条文提出异议,则表示供方提供的设备完全符合本技术规格书的要求。 1.4 本技术规格书所使用的标准如遇与供方所执行的标准不一致时,按较高标准执行。 1.5 供方必须有权威机构颁发的ISO-9000系列的认证证书或等同的质量保证体系认证证书。供方应设计、制造和提供过同类设备,且使用条件应与本工程相类似,或较规定的条件更严格,至少有 3 年以上的商业运行经验。 1.6本技术规格书经需方、设计方双方确认后作为设备招标的技术附件,与相关的文件具有同等的效力。 1.7 未尽事宜需各方密切配合,随时协商解决。 2.供货范围: 本技术协议所涉及的供货范围为:炼铁工程高炉主控中心高炉高压配电室、联合泵站高压配电室、上料系统高压配电室、烧结配电室、料场E1配电室、E2配电室、E3配电室、E4配电室、E5配电室、E6配电室的10kV系统电容器补偿装臵。 3.技术要求 3.1高压电容器成套装臵为户内式。具体型号及数量详见有关电气设备图纸。3.2应遵循的主要现行标准 GB50227-95 《并联电容器装臵设计规范》 GB311 《高电压试验技术》、《高压输变电设备的绝缘配合》 DL/T620-1997 《交流电气装臵的过电压保护和绝缘配合》

贴片电容的精度规格书

贴片电容的精度规格书 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。 一般分为3级:I级±5%,II级±10%,III级±20%。 在有些情况下,还有0级,误差为±20%。精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 一、电容的型号命名: 1) 各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:第一部分:用字母表示名称,电容器为C。 第二部分:用字母表示材料。 第三部分:用数字表示分类。 第四部分:用数字表示序号。 2) 电容的标志方法: (1) 直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2) 文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。

标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF。(3) 色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示: 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V (4) 进口电容器的标志方法:进口电容器一般有6项组成。 第一项:用字母表示类别: 第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示: 序号 字母 颜色 温度系 数 允许 偏差 字母 颜色 温度系数 允许 偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470

薄膜电容器的使用要求和电性能参数

薄膜电容器的使用要求和电性能参数 电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用. 一电磁灶三相全桥电路拓扑图 二 C1—C6功能说明 新晨阳 C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力 C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS 在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在 3μF-10μF之间,额定电压为275V.AC-300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3μF-10μF之间,额定电压为450V.AC- 500V.AC ,采用三角形接法.

C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响. C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。 C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该 位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。 C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5μF/KW) 全桥方案(1.2μF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/μF的设计工艺所推断。 例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30μF C3的总纹波电流是 30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24μF(实际可取25-30μF) C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。 C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800-1000V.DC即可. C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制,防止IGBT击穿

常用电容器主要参数与特点

常用电容器主要参数与特点 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值,也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交 流电压为(Voltage Root Mean Square,通常指交流电压的有效值),DC bias (直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁)电压为~的条件下进行。可以断言,铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 电容器中存储的能量 E = CV^2/2 电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 电容的总阻抗(欧姆) Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ] 容性电抗(欧姆) XC = 1/(2πfC)

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

6kV电容器规格书6.6

年产15万吨丁醇项目高压电容无功补偿装置 技术规格书 编制: 审核: 审批:

1 概述 范围: 本技术规格书包括了由中国华陆工程公司设计的用于兖矿国泰丁醇项目中的6kV并联电容器装置设计、制造及安装的基本技术要求。本规格书应与以下图纸配合使用: 变配电所平面布置图10045-302-N1-17 1.2 标准及规范: 并联电容器的设计、制造和试验应遵循: * GB 50227-95 并联电容器装置设计规范 * JB 7111-93 高电压并联电容器装置 * JB 7112-2000 集合式高压并联电容器 * JB 5346-91 串联电抗器 * DL/T653-1998 高电压并联电容器用放电线圈订货技术条件 * GB 311.2~311.6 高电压试验技术 * GB 11033.1~3 额定电压26/35kV及以下电力电缆附件基本技术要求 * GB 14808-94 交流高压接触器 * GB 3906-93 3 ~ 35 kV 交流金属封闭开关设备 若采用其它本技术要求中未列明的标准规范,则必须征得业主同意。若文件之间出现冲突,优先遵守的顺序为: ·中国国家标准 ·本技术规格书 ·工程图纸和其它文件 1.3安装地点: 户内安装 2.环境条件 2.1环境温度: 极端最高温度40.4 ?C 极端最低温度-21.8 ?C 年平均气温13.7 ?C 最热月平均气温35 ?C 最冷月平均气温-11.5 ?C 2.2 湿度: 年平均相对湿度 69 % 2.3 海拔高度:<1000 米

2.4抗震设防烈度: VI 度 2.5 空气条件:粉尘;含有一定浓度的氨气、硫化氢等腐蚀性气体。 3. 装置的基本构成 装置采用积木式结构,积木式结构使整套装置组装模块化、规范化。各柜之间可通过母排、穿墙套管任意拼接、组装,便于容量扩充,检验维护方便。 每套装置由3台柜构成。其中一台主柜,两台副柜。主柜上设有控制保护系统,控制器自动检测系统无功,利用投切开关、由控制器来控制来完成电容器组的投退功能。 每台电容柜主要由并联电容器组、串联电抗器、放电线圈、真空接触器(或永磁式电容器专用投切开关)及相关附件组成。每段母线装设一套装置,每套装置分为三个回路,由三台柜构成,并列安装。根据系统无功负荷的需要和无功补偿自动控制装置的指令,利用高压真空接触器单独或共同投切以实现多级容量的组合。 柜体框架采用敷铝锌板,门板采用优质冷轧钢板,外形美观。门轴采用高压柜专用门轴,柜体美观,牢固。柜体四周面板有通风散热的气孔。每台柜体装设吊耳。柜体的外表面,喷涂无眩目反光的覆盖层,表面无起泡、裂纹或流痕等缺陷。 3.1并联电容器组: 电容器采用原装德国进口“赛通”电容。该电容器采用采用聚丙烯薄膜介质,外壳采用冷轧钢构成,外壳色为电脑灰色。电容器绝缘浸渍剂选用电气性能优越的可生物降解碳水化合物(Faradol 810油),外壳采用表面经过处理的高品质钢板,选用的瓷瓶和接线端子同样具有精良质量和优异的可靠性能。电容器内置放电电阻,残留电压在5分钟以内50V以下,外壳防爆能量为15KJ。 电容器的裸露接线头应有防护帽。 3.2放电线圈: 由铁芯和一次绕组、二次绕组及剩余绕组组成。放电线圈的一次侧绕组与电容器的线路端子并联,当电容器脱开电源后能将电容器上的剩余电压在5s内自√2Un 降至50V以下,同时利用二次侧绕组作电容器内部故障的开口三角保护和电压测量。放电线圈的二次绕组电压为100 /3V,剩余绕组电压为100 / 3 V。 3.3串联电抗器: 由铁芯和线圈所组成,可抑制合闸涌流和五次及以上的谐波。电抗器能在工频电流为1.35倍额定电流下连续运行,并能在三次和五次谐波电流含量均不大于35 %,总电流有效值不大于 1.2倍额定电流下连续运行。 3.3.1电抗器由供方进行容量及相关参数设计,应以最大消除电网谐波(滤5、7次谐波)进

电容的识别方法详解

电容的识别方法详解 电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示, 其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。 其中:1法拉=103 毫法(mF)=10 6 微法(uF)=10 9 纳法(nF)=10 12 皮法(pF) 即:1 u F=103 nF ;1 nF=10 -3 u F ;1 u F=10 6 pF ;1 pF=10 -6 u F 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10uF/16V。 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。 ●字母表示法:1m=1000 uF;1P2=1.2PF;1n=1000PF ●数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍 率。如:102表示10×102 PF=1000PF ;224表示22×10 4 PF=0.22 u F 1. 直标法 容量单位:F(法拉)、μF(微法)、nF(纳法)、pF(皮法或微微法)。 1法拉(F)=106 微法(uF)=10 12 微微法(pF); 1微法(uF)=103 纳法(nF)=10 6 微微法(pF);1纳法(nF)=10 3 微微法(pF) 4n7 表示4.7nF或4700pF ;0.22 表示0.22μF;51 表示51pF 。 有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容,例如101表示100 pF。用小于1的数字表示单位为μF 的电容,例如0.1表示0.1μF。 2. 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小,单位为pF。前两位为有效数字,后一位表示位率。 即乘以10n ,n为第三位数字。如223J代表22×10 3 pF=22000pF=0.022μF,允许误差 为±5% ,这种表示方法最为常见。 3. 色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似,颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色,前两环为有效数字,第三环为位率,单位为pF。有时色环较宽,如红红橙,两个红色环涂成一个宽的,表示22000pF。 小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示。 色标法就是用不同颜色的色带或色点,按规定的方法在电容器表面上标志出其主要参数码相的标志方法。电容器的标称值、允许偏差及工作电压均可采颜色进行标志,其规定见下表图。 电容器主要参数的色标规定

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