电气智能助理工程师考试题库-电子技术试题库
一、单选题
1．在环形振荡器中，为了降低振荡频率，通常在环形通道中串入。
A:更多非门
B:电感L
C:RC环节
D:大容量电容
2、在函数F=AB+CD的真值表中，F=1的状态共有个。
A:2
B:4
C:7
D:16
3、门电路与RC元件构成的多谐振踌器电路中，随着电容C充电，放电，受控门的输入电压Ui随之上升、下降，当Ui达到（）时，电路状态迅速跃变。
A:Uoff
B:UT
C:UON
D:UOH
4、时序逻辑电路设计成败的关键在于（）。
A:状态的编码
B:状态转换表的建立
C:未用状态检验
D:是否具有自启动功能
5、为避免由于干扰引起的误触发，应选用（）触发器
A:同步
B:异步
C:电平
D:边沿
6、使用＋9V的电源电压为LA4100集成电路供电，在静态时，LA4100的输出端（1脚）的电位应为（）。
A:＋4.5V
B:＋9V
C:＋18
D:0V
7、欲把不规则的输入波形变换为幅度与宽度都相同的矩形脉冲，应选择( )电路。
A:多谐振荡器
B:基本RS触发器
C:单稳态触发器
D:施密特触发器
8、下列触发器具有防空翻功能的是（）
A:同步RS触发器
B:边沿触发器
C:基本RS触发器
D:同步D触发器
9、采用三态门主要解决了（）
A:多路数据在总线上的分时传送
B:TTL与非门不能线与的问题
C:TTL与非门不能相或的问题
10、为把正弦波变成期性矩形波，应当选用（）
A:单稳态触发器
B:施密特触发器
C:D触发器
D:多谐振荡器
11、已知逻辑函数Y=ABC+CD Y=1的是（）
A:A=0、BC=1
B:BC=1、D=1
C:AB=1、CD=0
D:C=1、D=O
12、多谐振荡器能产生（）
A:尖脉冲
B:正弦波
C:三角波
D:矩形脉冲
13、仅具有翻转和保持功能的触发器叫（）触发器
A:JK触发器
B:RS触发器
C:D触发器
D:T触发器
14、在已学的三种A/D转换器（双积分，并联比较，逐次渐进）中转换速度最低的是（）。A:双积分A/D
B:并联比较
C:逐次渐进
D:三者差不多
16、构成9进制计数器至少需要（）个触发器
A:2
B:3
C:4
D:5
17、一片容量为1024×4的存储器，表示该存储器的存储单元为（）
A:1024
B:4
C:4096
D:8
18、555定时器的输出状态有（）
A:高阻态
B:0和1状态
C:二者皆有
19、回差是( )电路的主要特性参数。
A:时序逻辑
B:施密特触发器
C:单稳态触发器
D:多谐振荡器
20、逻辑式为F＝
+AB是（）逻辑关系。
A:异或逻辑
B:同或逻辑
C:或非逻辑
D:与或非逻辑
21、电感滤波器是在负载回路（）而构成的。
A:串联电感
B:并联电感
C:串联电阻
D:并联电容
22、正弦波振荡器引入正反馈的作用是（）
A:提高放大器的放大倍数
B:产生单一频率的正弦信号
C:使电路满足振幅平衡条件
D:使电路满足相位平衡条件
23图示电路忽略二极管的管压降，则Y点的电位是（）
A:－3V
B:0V
C:＋5V
D:1V
24、直流稳压电源中滤波器的作用是（）
A:减少整流电压的脉动
B:将交流电压变为单向脉动电压
C:使直流输出电压稳定
D:将电源电压变为符合负载需要的电压
25、说明下图的反馈类型（）
A:电压并联负反馈
B:电流并联负反馈
C:电压串连负反馈
D:电流串连负反馈
26、三极管工作在放大区时（）
A:U BE>0，U CB>0
B:U BE>0，U CB<0
C:U BE<0，U CB>0
D:U BE<0，U CB<0
27、耗尽型MOS场效应管，在u GS=0时（）
A、没有导电沟道
B、有导电沟道
C、根据负载大小判定
D、以上都不正确
28、差分放大电路中的射极电阻R E对于差模信号来说（）
A:相当于短路
B:相当于开路
C:相当于负载
D:以上都不正确
29、双端输入双端输出的差分放大电路的放大倍数（）
A:同单端输入双端输出
B:同单端输入单端输出
C:同双端输入单端输出
D:以上都不正确
30、互补对称功率放大电路的最大输出功率为10W，则最大管耗为（）A:5W
B:2W
C:4W
D:1W
31、对于甲乙类互补对称功率放大电路，下列说确的是（）
A:存在交越失真
B:不存在交越失真
C:每个管子的导通时间为半个期
D:每个管子导通时间为一个期
32、甲乙类互补对称功率放大电路中的发射极E点静态对地电压为（）
A:电源电压
B:电源电压的一半
C:0
D:根据负载确定
33、多级放大电路的输出级通常采用（）
A:共基极放大电路
B:共射极放大电路
C:共集电极放大电路
D:功率放大电路
34、多级放大电路的频带比其中任一级（）
A:大
B:小
C:没有可比性
D:由具体电路决定
35、多级放大电路的电压放大倍数若用分贝表示，则电压总增益为（）A:各级电压增益之和
B:各级电压增益之积
C:各级电压增益之差
D:以上都不正确
36、多级放大电路采用电容耦合时，各级静态工作点之间（）
A:相互影响
B:相互独立
C:由电源决定
D:由负载决定
37、负反馈放大电路的闭环增益相比于开环增益（）
A:增加
B:减小
C:不变
D:不确定
38、电压负载可以（）放大电路的输出电阻。
A:增加
B:减小
C:不变
D:由负载决定
39、串联负反馈可以（）放大电路的输入电阻
A:增加
B:减小
C:不变
D:由电源决定
40、为了提高放大电路的带负载的能力，常采用（）
A:电流反馈
B:电压反馈
C:串联反馈
D:并联反馈
41、关于深度负反馈，下列说确的是（）
A：( 1＋AF) >>1
B：（1＋AF）<<1
C：（1＋AF）=1
D：以上都不正确
42、自激振荡电路中的反馈属于（）
A：正反馈
B：负反馈
C：不属于反馈
D：以上都不正确
43、同相比例运算电路的输入电阻（）
A：很大
B：很小
C：由负载决定
D：由电源决定
44、差分放大电路的作用是（）
A：放大差模信号，抑制共模信号
B：放大共模信号，抑制差模信号
C：放大差模信号和共模信号
D：差模和共模信号都不放大
45、在电感三点式振荡电路中，电抗性质相同的元件接在（）
A：集电极
B：发射极
C：基极
D：栅极
46、为了减少非线性失真，应引入（）
A：正反馈
B：直流负反馈
C：交流负反馈
D：直流正反馈
47、在分压式偏置放大电路中，当三极管的β增大时，电路中的静态工作点（）
A：I BQ增大
B：I BQ减小
C：U BEQ增大
D：I EQ减小
48、三相输入施密特触发器的输出电压通过反馈网络加到了（）
A：同相输入端
B：反相输入端
C：输出端
D：以上都不正确
49、带有电容滤波的桥式整流电路中如果输出电压的平均值为12V，则变压器二次电压有效值为（）
A：10V
B：12V
C：40/3
D：以上都不正确
50、电感滤波电路只用于（）
A：低电压、大电流场合
B：低电压、小电流场合
C：高电压、大电流场合
D：高电压、小电流场合
51、PN结的扩散电流是由（）作用下形成的
A：外电场力
B：浓度差
C：电场力
D：以上都不正确
52、本征半导体中的载流子浓度（）
A：很高
B：很低
C：同N型半导体
D：同P型半导体
53、在桥式整流电路中，如果U2＝10V，R L=10Ω，C＝1000μF，则电容的耐压为（）A：14.14V
B：28.14V
C：10V
D：100V
54、对于理想运放可以认为（）
A：输入电阻很小
B：输出电流为0
C：开环增益很大
D：输入电流很大
55、关于发光二极管下列正确的是（）
A：正向导通压降小于1V
B：通以反向电流导通
C：通以正向电流导通
D：反向击穿电压很大
56、点接触型二极管适用于（）
A：高频电路
B：低频电路
C：大电流
D：高电压
57、半波整流电路的负载上直流电压为45V，则二极管所承受的最高反向电压的实际值为（）
A：141.4V
B：282.4V
C：100V
D：45V
58、下列滤波电路中，滤波效果最好的是（）
A：电容滤波器
B：电感滤波器
C：RC－π型滤波器
D：LC－π型滤波器
59、根据英晶体的电抗特性，当（）时，英晶体呈电阻性
A：F=f S
B：F C：F< f S或f>f P D：不能确定 60、结型场效应管部具有（） A：两种载流子 B：一种载流子 C：没有载流子 D：以上都不正确 61、构成7进制计数器至少需要（）个触发器。 A：2 B：3 C：4 D：5 62、为把正弦波变成期性矩形波，应当选用（） A：施密特触发器 B：单稳态触发器 C：多谐振荡器 D：编码器 63、下列为组合电路的是（） A：数字比较器 B、寄存器 C：计数器 D：触发器 64、若要将10KHz的矩形波信号变换成1KHz的矩形波信号，应采用（）A：十进制计数器 B：、二进制计数器 C：单稳态触发器 D ：施密特触发器 65、可用于总线结构，分时传输的门电路是（） A：异或门 B：同或门 C：OC门 D：三态门 66、一片容量为1024×4的存储器，表示该存储器的存储单元为（）A：1024 B：4 C：4096 D：8 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。 三、简答题（30题） 1、基础按构建形式不同分为哪几种？ 答：1、按使用的材料分为：灰土基础、砖基础、毛石基础、混凝土基础、钢筋混凝土基础。 2、按埋置深度可分为：浅基础、深基础。埋置深度不超过5M者称为浅基础，大于5M者称为深基础。 3、按受力性能可分为：刚性基础和柔性基础。 4、按构造形式可分为条形基础、独立基础、满堂基础和桩基础。满堂基础又分为筏形基础和箱形基础。 2、什么事有组织排水？简述其优缺点及适用范围。 答：（1）、有组织排水：将屋面划分成若干排水区，按一定的排水坡度把屋面雨水有组织地排到檐沟或雨水口，通过雨水管排泄到散水或明沟中。 （2）、优缺点：优点是可以防止雨水自由溅落打湿强身，影响建筑美观。它的应用十分广泛，尤其是可以用于寒冷地区的屋面排水以及又腐蚀性的工业建筑中。采用这种系统时，街道下只有一条排水管道，因而管网建设比较经济。 缺点是它增加了建筑成本，构造复杂，不易渗漏，不易检修。几种污水汇集后都流人污水处理厂，使处理厂的规模过大，投资过多，建设困难；不降雨时，排水管内水量较小，管中水力条件较差；如果直接排入水体又极不卫生。因此实际采用合流制排水系统的很少。 （3）、适用范围：】是当建筑物较高、年降水量较大或较为重要的建筑，应采用有组织排水方式。 3、抗震设计中为什么要限制各类结构体系的最大高度和高宽比？ 答：房屋的高宽比是对结构刚度、整体稳定、承载能力和经济合理性的宏观控制。 随着多层和高层房屋高度的增加，结构在地震作用以及其他荷载作用下产生的水平位移迅速增大，要求结构的抗侧移刚度必须随之增大。不同类型的结构体系具有不同的抗侧移刚度，因此具有各自不同的合理使用高度。 房屋的高宽比是对结构刚度、整体稳定、承载能力和经济合理性的宏观控制。 震害表明，房屋高宽比大，地震作用产生的倾覆力矩会造成基础转动，引起上部结构产生较大侧移，影响结构整体稳定。同时倾覆力矩会在混凝土框架结构两侧柱中引起较大轴力，使构件产生压曲破坏；会在多层砌体房屋墙体的水平截面产生较大的弯曲应力，使其易出现水平裂缝，发生明显的整体弯曲破坏。 4、什么事鞭端效应，设计时如何考虑这种效应？ 答：地震作用下突出屋面的附属小建筑物，由于质量和刚度的突然变小，受高振型影响较大，将遭到严重破坏，称为鞭端效应。 设计时对突出屋面的小建筑物的地震作用效应乘以放大系数3，但此放大系数不往下传。 5、简述提高框架梁延性的主要措施？ 答：（1）“强剪弱弯”，使构件的受剪承载力大于构件弯曲屈服时实际达到的剪力值，以保证框架梁先发生延性的弯曲破坏，避免发生脆性的剪切破坏； （2）梁端塑性铰的形成及其转动能力是保证结构延性的重要因素：一方面应限制梁端截面的纵向受拉钢筋的最大配筋率或相对受压区高度，另一方面应配置适当的受压钢筋（3）为增加对混凝土的约束，提高梁端塑性铰的变形能力，必须在梁端塑性铰区范围内设置加密封闭式箍筋，同时为防止纵筋过早压屈，对箍筋间距也应加以限制。 （4）对梁的截面尺寸加以限制，避免脆性破坏。 6、砌体结构中设置钢筋混凝土构造柱和圈梁的作用? 答：设置钢筋混凝土构造柱的作用：加强房屋的整体性，提高砌体的受剪承载力(10%-30%)， 南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库 第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。 机械助理工程师专业测试题 一、选择填空（共计30分，每小题1.5分） 1、采用润滑脂润滑的滚动轴承，一般应根据轴承转速的由高到低，在装配后轴承空腔内注入相当空腔容积约( A )的符合规定的清洁润滑脂，低速可以适当取上限，高速取下限。 A、2/3～1/3 B、100%～80%； C、20%～10% 2、轴两端采用了径向间隙不可调的向心轴承，且轴向位移是以两端端盖限位时，其一端必须留出间隙值C，对于钢，一般情况取（ B ）℃时计算，则C=0.0005L+0.15，L 为两轴承中心距。 A、20 B、40； C、80 3、在链传动装置中，主动链轮与从动链轮的轮齿几何中心线应重合，链条非工作边的初垂度按两链轮中心距的（ C ）调整。 A、0.5%～1% B、5%～10%； C、1%～5% 4、下面几种钢材其可焊性逐渐变差的排列顺序是（ A ）： A、Q235、30Mn、45 B；30Mn、Q235、45 C、45、Q235、30Mn 5、温度是选择润滑油或润滑脂的重要原则。对润滑脂来讲，当温度超过120℃时，要用特殊润滑脂，当温度升高到200℃～220℃时，再润滑的时间间隔要缩短。对于润滑油来讲，油池温度超过（ C ）℃或轴承温度超过200℃时，可采用特殊的润滑油。 A、20 B；40 C、90 6、轴承的游隙是指在无载荷的情况下，轴承内外环间所能（ A ）的最大距离，做径向移动的为径向游隙，做轴向移动的为轴向游隙。 A、移动 B、旋转 C、偏心 7、螺纹的导程（L）、线数（n）、螺距（p）的关系为：（ B ）。 A、p=nL； B、L=np； C、L=n+p 8、螺纹防松的基本原理是防止螺纹副的相对转动，常用的防松方法大致可分为：增大摩擦力防松、用机械固定件防松和破会螺纹副运动关系防松三种。下面三种防松方式属于增大摩擦力防松的是（ C ）。 A、螺杆带孔和开口销； B、螺纹间涂粘接剂； C、弹簧垫圈 9、性能等级4.8级的螺栓，其含义是：螺栓材质公称抗拉强度达400MPa级；螺栓材质的屈强比值为0.8；螺栓材质的公称屈服强度达（ B ）MPa级。 A、240； B、320； C、400 10、键连接是通过键来实现轴和轴上零件间的周向固定以传递运动和转矩；平键是使用最广泛的一种，它主要包括普通平键、导向平键、（ B ）。 A、特殊平键； B、滑键； C、C型平键 11、SWC型整体叉头十字轴式万向联轴器广泛适用于我公司的各种轧机主传动上，其许用轴线折角（ A ） A、≤15°～25°； B、≥15°～25°； C、＜10° 12、调心滚子轴承23208的内径尺寸为（ A ）mm。 A、40； B、80； C、8 13、实践证明润滑油的粘度越高，其抗点蚀和胶合的能力就越强。同时，随着粘度增高，其流动性和散热性（ B ）。 A、越好； B、越差； C、不变 14、润滑油的一般代用原则：同类或性能相近，添加剂相近似油品；粘度相差不超过±25%；质量以（ C ）；考虑温度因素。 建筑工程类初定专业技术人员任职资格复习题（工民建） 一、选择题（120题） 1、建筑是建筑物和构筑物的统称，（）属于建筑物。 A、住宅、堤坝等 B、学校、电塔等 C、工厂、水塔 D、工厂、展览馆等 2、一般民用建筑的屋顶防水层使用年限为（）。 A、5年 B、10年 C、15年 D、25年 3、下列哪项属于下沉式天窗的一种（）。 A、井式天窗 B、矩形天窗 C、矩形避风天差窗 D、井式避风天窗 4、为保证楼梯的正常通行需要，楼梯平台宽度不应小于梯段宽度，并且不能小于( ）。 A、1.2m B、1.3m C、1.4m D、1.5m 5、基础是建筑物的重要组成部分，考虑基础的稳定性，基础埋深不能少于( )。 A、200mm B、300mm C、400mm D、500mm 6、基本模数的数值为( ）。 A 、600mm B 、300mm C 、100mm D、50mm 7、当门窗洞口上部有集中荷载作用时，其过梁可选用（）。 A、平拱砖过梁 B、弧拱砖过梁 C、钢筋砖过梁 D、钢筋混凝土过梁 8、钢筋混凝土构造柱的作用是( )。 A、使墙角挺直 B、加快施工速度 C、增强建筑物的刚度 D、可按框架结构考虑 9、屋顶的坡度形成中材料找坡是指( )。 A、利用预制板的搁置 B、选用轻质材料找坡 C、利用油毡的厚度 D、利用结构层 10、有关楼梯设计的表述，哪一条不恰当？（）。 A、楼梯段改变方向时，休息平台处的宽度不应小于楼梯段宽度。 B、每个梯段的踏步不应超过20级，亦不应小于3级。 C、楼梯平台上部及下部过道处的净高不应小于2m，梯段净高不应小于2.2m。 D、儿童经常使用的楼梯，梯井净宽不应大于200mm，栏杆垂直净距不应大于110mm。 11、民用建筑的主要楼梯一般布置在( )。 A、建筑物次要入口附近 B、门厅中位置明显的部位 C、一定要在房屋的中间部位 D、一定要在房屋的端部 12、钢结构的特点在于( )。 A、防火性能好 B、较经济 C、强度高、施工快 D、构造简单 13、管线穿越楼板时,何种管线需加套管( )。 A、下水管 B、自来水管 C、电讯管 D、暖气管 14、建筑的构成三要素中（）是建筑的目的，起着主导作用。 电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力 、判断题 1、在同一张地形图上，等高线间距是相同的。(X ) 2、大中型商场建筑的选址应有不小于1/6 的周边总长度和建筑物不少于两个出入口与一边城市道路相邻接。 ( X ) 4、人口毛密度是每公顷居住区用地上容纳的规划人口数量(人/ha )0 ( V ) 5、城市煤气管网布置中，不允许将煤气管和其他管线布置在同一地沟内。 (V) 6、控制性详细规划文本的内容有总则、城市性质、城市规模0 ( X ) 7、我国总人口增长与城镇人口占总人口比重之间的关系是自然增长率低，城镇人口占总人口比重提高相对较慢0 ( X ) 8、唐长安城采用的是中轴线对称布置的格局0 ( V ) 9、一个国家的城市规划体系包括规划法规、规划行政和规划运作0 ( V ) 10、市级、区级和居住区的道路、广场和停车等用地属于对外交通用地0 ( X ) 12、超过3000座的体育馆，超过2000座的会堂，占地面积超过3000川的展览馆、博物馆、商场，宜设环形消防车道0 ( V ) 13、客运交通枢纽与城市客运交通干道无密切的联系，但不能冲击和影响客运交通干道的畅通0( X ) 14、在建筑初步设计阶段开始之前最先应取得施工许可证0 ( X ) 15、在总体规划中，应确定各级道路红线位置、断面、控制点坐标及标高。 (X ) 16、小区内的老人、青少年活动用地应该参与居住区用地平衡。 ( V ) 18、土地使用权的出让，可以采取拍卖、招标或者双方协商的方式。( V ) 19、编制保护规划应当突出保护重点，对已经不存在的历史文化古迹不提倡重新建造。( V ) 20、城市规划的实施关系到城市的长远发展和整体利益，也关系到公民和法人和社会团体方方面面的根本利益。 ( V ) 19、根据《中华人民共和国城乡规划法》规定，城市控制性详细规划应由城市人民政府城乡规划主管部门组织编制。 (V) 20、现代城市规划较为完整理论体系的出现是以“田园城市”理论的提出为标志。(V) 30、城市设计手法通常只在编制城市详细规划时加以应用。(X ) 31、设计等高线法是竖向规划设计中常用的方法之一。 (V) 2、县人民政府组织编制县人民政府所在地镇的总体规划，报上一级人民政府审批。(V ) 3、城乡规划报送审批前，组织编制机关应当依法将城乡规划草案予以公告，并采取论证会、听证会或者其他方式征求专家和公众的意见。公告的时间不得少于三十日。(V) 一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。 一、单选题 1．在环形振荡器中，为了减少振荡频率，普通在环形通道中串入。 A:更多非门 B:电感L C:RC环节 D:大容量电容 2、在函数F=AB+CD真值表中，F=1状态共有个。 A:2 B:4 C:7 D:16 3、门电路与RC元件构成多谐振踌器电路中，随着电容C充电，放电，受控门输入电压Ui 随之上升、下降，当Ui达到（）时，电路状态迅速跃变。 A:Uoff B:UT C:UON D:UOH 4、时序逻辑电路设计成败核心在于（）。 A:状态编码 B:状态转换表建立 C:未用状态检查 D:与否具备自启动功能 5、为避免由于干扰引起误触发，应选用（）触发器 A:同步 B:异步 C:电平 D:边沿 6、使用＋9V电源电压为LA4100集成电路供电，在静态时，LA4100输出端（1脚）电位应为（）。 A:＋4.5V B:＋9V C:＋18 D:0V 7、欲把不规则输入波形变换为幅度与宽度都相似矩形脉冲，应选取( )电路。 A:多谐振荡器 B:基本RS触发器 C:单稳态触发器 D:施密特触发器 8、下列触发器具备防空翻功能是（） A:同步RS触发器 B:边沿触发器 C:基本RS触发器 D:同步D触发器 9、采用三态门重要解决了（） A:多路数据在总线上分时传送 B:TTL与非门不能线与问题 C:TTL与非门不能相或问题 10、为把正弦波变成周期性矩形波，应当选用（） A:单稳态触发器 B:施密特触发器 C:D触发器 D:多谐振荡器 11、已知逻辑函数Y=ABC+CD Y=1是（） A:A=0、BC=1 B:BC=1、D=1 C:AB=1、CD=0 D:C=1、D=O 12、多谐振荡器能产生（） A:尖脉冲 B:正弦波 C:三角波 D:矩形脉冲 13、仅具备翻转和保持功能触发器叫（）触发器 A:JK触发器 B:RS触发器 C:D触发器 D:T触发器 14、在已学三种A/D转换器（双积分，并联比较，逐次渐进）中转换速度最低是（）。A:双积分A/D B:并联比较 C:逐次渐进 D:三者差不多 16、构成9进制计数器至少需要（）个触发器 A:2 B:3 电力电子技术试题 嵌入式硬件助理工程师认证考试试题题库 一、选择题 1、以下说法不正确的是（B ）。 A、任务可以有类型说明 B、任务可以返回一个数值 C、任务可以有形参变量 D、任务是一个无限循环 2、用图形点阵的方式显示一个16*16点阵汉字需要（B ）字节。 A、8 B、32 C、16 D、64 3、下列描述不属于RISC计算机的特点的是（C）。 A．流水线每周期前进一步。 B．更多通用寄存器。 C．指令长度不固定，执行需要多个周期。 D．独立的Load和Store指令完成数据在寄存器和外部存储器之间的传输。 4、存储一个32位数0x2168465到2000H～2003H四个字节单元中，若以大端 模式存储，则2000H存储单元的内容为（ D）。 A、0x21 B、0x68 C、0x65 D、0x02 5、μCOS-II中对关键代码段由于希望在执行的过程中不被中断干扰，通常采用关中断的方式，以下X86汇编代码正确而且不会改变关中断之前的中断开关状态的是（D） A. 先CLI、执行关键代码、再STI B. 先STI、执行关键代码、再CLI C. 先POPF、CLI、执行关键代码、再PUSHF D. 先PUSHF、CLI、执行关键代码、再POPF。 6、RS232-C串口通信中，表示逻辑1的电平是（D ）。 A、0v B、3.3v C、＋5v～＋15v D、－5v～－15v 7、ARM汇编语句“ADD R0, R2, R3, LSL#1”的作用是（A）。 A. R0 = R2 + (R3 << 1) B. R0 =( R2<< 1) + R3 C. R3= R0+ (R2 << 1) D. (R3 << 1)= R0+ R2 8、IRQ中断的入口地址是（ C）。 A、0x00000000 B、0x00000008 C、0x00000018 D、0x00000014 9、S3C2420X I/O口常用的控制器是（D）。 （1）端口控制寄存器（GPACON-GPHCON）。 （2）端口数据寄存器（GPADAT-GPHDAT）。 （3）外部中断控制寄存器（EXTINTN）。 （4）以上都是。 10、实时操作系统中，两个任务并发执行，一个任务要等待其合作伙伴发来信息，或建立某个条件后再向前执行，这种制约性合作关系被成为（A）。 A. 同步 B. 互斥 C. 调度 D. 执行 11、和PC系统机相比嵌入式系统不具备以下哪个特点（ C）。 A、系统内核小 B、专用性强 C、可执行多任务 D、系统精简 12、ADD R0，R1，#3属于（A）寻址方式。 A. 立即寻址 B. 多寄存器寻址 C. 寄存器直接寻址 D. 相对寻址 13、GET伪指令的含义是（ A） A. 包含一个外部文件 B. 定义程序的入口 C. 定义一个宏 D. 声明一个变量 14、存储一个32位数0x876165到2000H～2003H四个字节单元中，若以小端模式存 储，则2000H存储单元的内容为（ C）。 电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通； 先装中相再接 9装设接地线的顺序是（）先装接地线先装导体端随意装 两边相 变压器绕组的感应电动 势E,频率f,绕组匝数N, 10… ,知加古, 砧乎E=4.44fN? m E=2.22fN 0 mE=4.44fN 0 mE=fN 磁通0和幅值0 m的关屮屮屮 系式是（） （）kV 及以上的 电气设备，在没有相应电 11压等级的专用验电器的情35 况下，可使用绝缘棒代替验电器。 （）及以上容量的发 12电机变压器组应配置专用135MW 故障录波器。 （）用断、接空载线13路的方法使两电源解列或允许 110 220 330 200MW 300MW 400MW 可以严禁必需 题型 单选 单选 单选 单选 单选 单选单选SF6气体灭弧能力比空 气大（ D ）倍。避雷 器的作用在于它能防止 （）对设备的侵害 磁场力的大小与（）有关 电流互感器铁芯内的交变主 磁通是由（）产生的。 发电机匝间短路，其短路线 匝的电流（）机端三相短路 电流 继电保护对发生在本线路故 障的反应能力叫（）。 蓄电池除浮充电方式外， 还有（）运行方式有一互感 器，一次额定电压为50000V, 二次额定电压为200V 用它测 量电压，其二次电压表读数为 75V，所测电压为（）V 选项 A 30 选项 B 50 选项 C 80 选项 D 100 直击雷进行波感应雷三次谐波 通过导体的 磁感应强度磁力线方向 电流 外加电压 一次绕组两端二次绕组内一次绕组内二次绕组的 的电压通过的电流通过的电流端电压 大于小于近似于等于 快速性选择性灵敏性可靠性 充电放电充电，放电随意 15000 25000 18750 20000 单选 单选 嵌入式软件助理工程师认证考试试题题库(一) 题库, 试题, 嵌入式, 工程师, 软件 https://www.360docs.net/doc/4116100876.html,/bbs/ 一、单项选择题 1、如下哪一个命令可以帮助你知道shell命令的用法（ A ） A. man B. pwd C. help D. more 2、Linux分区类型默认的是：（ B ） A. vfat B. ext2/ext3 C. swap D. dos 3、在大多数Linux发行版本中，以下哪个属于块设备（ B ） A. 串行口 B. 硬盘 C. 虚拟终端 D. 打印机 4、下面哪个命令行可用来马上重新启动正在运行的Linux系统？（ D ） A. restart --delay=0 B. reboot -w C. halt -p D. shutdown -r now 5、在Linux系统，默认的shell是什么（ A ） A.bash B.ash C.csh D.gnush 6、下面哪条命令可用来确保文件“myfile”存在（ B ） A. cp myfile /dev/null B. touch myfile C. create myfile D. mkfile myfile 7、 LILO的配置文件是：（ B ） A. /etc/conf B. /etc/lilo.conf C. /proc/kcore D. /usr/local/ 8、用“useradd jerry”命令添加一个用户，这个用户的主目录是什么（ A ） A./home/jerry B./bin/jerry C./var/jerry D./etc/jerry 9、Linux文件权限一共10位长度，分成四段，第三段表示的容是（ D ） A.文件类型 B.文件所有者的权限 C.文件所有者所在组的权限 D.其他用户的权限 10、某文件的组外成员的权限为只读；所有者有全部权限；组的权限为读与写，则该文件的权限为（ D ） A.467 B.674 C.476 D.764 11、不是shell具有的功能和特点的是（ A ） A.管道 B.输入输出重定向 C.执行后台进程 D.处理程序命令 电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带 阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出 现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
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第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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