薄膜晶体管-调研报告
“薄膜晶体管的制备及电学参数”调研报告
（青岛大学物理科学学院，应用物理系）
摘要：20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管TFT(nlin Film Transistor)，一种在掺杂硅片或玻璃基底上通过薄膜工艺制作的场效应晶体管器件。将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，器件性能优越，而且制造工艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。本文综述了薄膜材料的制备方法，薄膜晶体管的发展历程与应用以及其结构、工作原理和测试表征方法。
关键词：薄膜材料，薄膜晶体管，制备，表征方法
Abstract:In the 20th century,the emergence of the flat panel display technology has brought human beings into the information society．Since then the human society happened a qualitative leap．The core component of flat panel display is the thin film transistor(TFT)，it is a field effect transistor device produced by thin film technology on the doped-silicon or glass．If we use the semiconductor oxide as the active layer，not only we can get a higher mobility，bu also the device performance call be enhanced．And the manufacturing process is simple，low temperatures also can be obtained,which shows a great prospect．The preparation method of thin film materials is reviewed in this paper, the development and application of thin film transistor and its structure, working principle and test method are characterized,
Keywords: Thin film materials, thin film transistor, manufacture, characterization methods
前言
薄膜材料是指厚度介于单原子分子到几毫米间的薄金属或有机物层。当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们称这样的固体或液体为膜。薄膜材料具有良好的韧性、防潮性和热封性能，应用非常广泛。例如：双向拉伸聚丙烯薄膜（BOPP）、低密度聚乙烯薄膜（LDPE）、聚酯薄膜（PET）、镀铝薄膜、半导体氧化物薄膜等等。近几年来，以氧化锌、氧化铟、氧化锡等半导体氧化物及其合金为有源层的透明薄膜晶体管备受关注，并已取得了突破性进展。这些氧化物是优异的光电材料，具有高光学透过率、生长温度低、击穿电压高、电子迁移率高等优点，从而可以获得更好、成本更低的薄膜晶体管，并且也为新型薄膜晶体管的发展带来了契机。氧化物薄膜晶体管作为极具发展潜力的新型薄膜晶体管，具备了许多传统TFT无法比拟的优点，但是也存在诸多问题有待进一步解决。例如，如何解决外界环境对器件性能的影响，优化工艺从而降低成本，如何制作出性能优越、具有实用价值的器件等，这些都是现在研究面临的问题。本文的主要调研对象，包括氧化锌以及有机薄膜作为有源层的薄膜晶体管。
薄膜晶体管的发展历程
1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提出结型场效应晶体管(Field
Effect Transistor，简称FET）的基本定律并于1930年获得专利，开辟了对固态放大器研究的先河。1933年，Lilienfed又将绝缘栅结构引进场效应晶体管。1962年RCA实验室的P.K.Weimer应用多晶态的硫化镉薄膜做有源层，用SiO2薄膜做有源层，成功制作出了“交叠型”结构器件。1979年，Spear和Ghaith 用非晶硅(a-Si)做TFT有源层，氮化硅作为绝缘层成功制作出性能较好的器件。1986年Tsttmura等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT)，OTFT技术从此开始得到发展。
薄膜晶体管应用前景
TFT制造技术是高亮度、高集成度平板显示器件的核心，许多新技术。新
产品、新应用都将以TFT为核心技术，对人们的生活产生深刻的影响。显示器产业发展到今天，平板显示器件正在逐渐代替传统的阴极射线管显示器(CRT)，成为市场的主流。而平板显示器件中有源驱动TFT-LCD又成为主流。此外，在未来的新型显示技术中，除了TFT-OLED外，还有场发射显示器件(SED)，以
及柔性电子技术等等，这些都会广泛的应用到TFT核心技术。
薄膜的制备方法
1、真空蒸镀
真空蒸镀即真空蒸发镀膜，这是制作薄膜最一般的方法。这种方法是吧装有基
片的真空室抽成真空，使气体压强达到102 Pa以下，然后加热镀料，使其原子
或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。其原理图1如下，
2、离子镀和离子束沉积
离子镀技术的原理是，在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时，把蒸发物质活其反应物蒸镀在基片上。其原理图如下
离子束沉积法是利用离化的粒子作为蒸镀物质，在比较低的基片温度下能形成具有优良特性的薄膜。其原理图如下
3、溅射镀膜
溅射镀膜指的是，在真空室中，利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术，实际上式利用溅射现象达到制取各种薄膜的目的。溅射镀膜有很多方式，磁控溅射，直流溅射，射频溅射，离子束溅射等等。其原理图如下
4、化学气相沉积
化学气相沉积主要利用的是在高温空间（也包括在基板上）以及活性化空间中发生的化学反应，故称其为化学气相沉积（chemical vapor deposition,CVD）。CVD是指反应原料为气态，生成物种至少有一种为固态，利用基体膜表面的化学触媒反应而沉积薄膜的方法。其原理图如下，
薄膜晶体管的结构
TFT的结构有很多种分类形式，例如可以分为共面型、反共面型和错列型和反错列型等。但总的来说目前被广泛研究的TFT结构一般可以分为两类：底栅(bottom—gated)型结构和顶栅型(top—gated)结构。底栅型结构顾名思义就是
栅极在最底层，紧贴着衬底，往上依次是绝缘层、有源层和源漏电极(如图2．1 所示)。顶栅型结构就是栅极在最上面，紧贴着衬底的是源漏电极，往上然后依次是有源层、绝缘层和栅极。如图给出了底栅型结构和顶栅型结构的剖面图比较。
TFT的两种基本结构示意图
目前大部分实用的TFT器件都采用的是底栅型结构。因为底栅型结构的TFT 金属栅极和绝缘层薄膜可以用来作为半导体层薄膜的光学保护层，以防止背光源发出的光照射到半导体层所产生的光生载流子而破坏半导体层的电学特性ll】。因此，底栅型结构一般要比顶栅型结构的TFT性能稳定，目前被广泛应用。但项栅型的TFT制造工艺简单，所需光刻版数量少，成本低，在某些场合也被用到。
TFT的工作原理
薄膜晶体管TFT的结构和工作原理与金属．氧化物．半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)非常相似，所以我们可以通过对MOSFET工作原理的理解来了解TFT的工作原理。MOSFET由金属栅极(gate，G)，绝缘层，半导体层、沟道，重掺杂欧姆接触的源极(source，S)和漏极(drain,D)共同组成。其特点主要是在金属栅极与沟道之间有一层绝缘层(例如二氧化硅)，沟道电流是由半导体层和氧化物界面电荷反转引起的，这个电荷是由栅极电压控制的。导电沟道是一个可变电阻，外加电压改变导电沟道的几何尺寸，可以改变导电沟道电阻的大小，从而达到控制源漏电流的目的【21。当源漏电压等于零时，栅极电压变化，导电沟道处处宽度相等；当源漏电压不等于零时，导电沟道呈楔形，靠近漏极处沟道较宽，从而引起源漏电流的变化。在导电沟道类型上，TFT可以分为n型和P型。11型TFT是通过自由电子导电，而P型TFT是通过空穴进行导电。根据导电方式的不同，MOSFET又分为增强型和耗尽型。增强型是指：当栅极与源极之间电压VGs=0时，晶体管呈截止状态，当栅极与源极之间加上适当电压VGs后，多数载流子被吸引到栅极，从而增强了该区域的载流子，形成了导电沟道。对于增强型晶体管，当栅极与源极之间电压增大到某一数值时，导电沟道就建立了，成为开启，这时栅极与源极之间电压为阈值电压VTH。由于11型晶体管是通过自由电子导电，而P型是通过空穴导电，所以n型晶体管VTH>0；P型晶体管VTH 晶体管在正常工作时，各个电极之间必须加上合适的工作电压才能发挥其控制作用。其输出特性大致可以分为四个区域： （1）夹断区：当VGS （2）可变电阻区：场效应晶体管工作在源漏电压VDs很小的区域，需满足VGs>VTH 且V DS GS -V TH ，此时导电沟道畅通，源漏之间相当于一个电阻。在Vos一定 时，沟道电阻也一定，I D 随着VGs 增大而线性增大。 （3）恒流区：输出特性曲线趋于水平的部分。VDs 增大到一定程度后，ID 基本恒定，而与VDs 无关，此时源漏电流ID 主要由VGs 决定。 （4）击穿区：如果继续增大VDs 到一定值后，源漏电极之间会发生击穿，源漏电流ID 急剧上升，晶体管可能被损坏。 TFT 主要性能参数 （1）场效应迁移率 场效应迁移率是TFT 器件的重要参数。迁移率是指载流子电子与空穴在 单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场用处下运动速度快慢的量度。 迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。 （2）开关比I ON /I OFF 开关比是TFT 又一重要参数，在数值上等于器件的开态电流(Ion)与关态电流(Ioff)之比。用于显示器件时，要求开关器件处于开态时对液晶象素有较快的写入速度，从而保证对图像信号的正确显示。这就要求作为开关元件的TFT 具有较高的开态电流。关态电流与充电速率和象素电荷的保持率有关，关态电阻越大，即关态电流越小，其象素电荷的维持时间越长。 (3)阈值摆幅S TFT 的亚阈值摆幅定义为漏电流增加一个数量级所对应的栅压，可以表示 S=) log(D GS I d dV 亚阈值摆幅S 可以很直观的看出器件的栅极电压调控能力，S 越大，说明调控能 力越弱，即每增加一个数量级的漏电流所需要的栅压就越大。S 越小，晶体管的 栅压调控能力就越强。 (4) 阈值电压V TH 当栅极上施加的电压不够高，低于某电压时，薄膜晶体管处于截止状态，源 漏电流很小，也就是从源极到漏极是阻断的，几乎没有工作电流。只有当栅极电 压高于某一电压值后管子才会开启，形成工作电流，这个电压称为阈值电压，或 开启电压，同V TH 表示。n 型增强型晶体管V TH >O ；P 型增强型晶体管V TH (5) 栅极击穿电压 在TFT 晶体管中，栅极与沟道之间隔着一层绝缘层，这种结构和电容结构 一样，当栅极电压或栅漏电压值超过一定限度时，就会引起绝缘层的击穿，使栅极和沟道发生短路现象。很显然，绝缘层的击穿电压与该层物质的性质和厚度有关。 下面以ZnO TFT 的制备为例来简述薄膜晶体管的制作过程。 衬底处理： 玻璃衬底用洗洁净进行预清洗，然后依次在酒精，丙酮溶液以及去离子水中 超声清洗10分钟。其中用酒精，丙酮去除玻璃衬底的有机物，去离子水清洗完毕后，用氩气吹干或卤素灯烘干。 步骤一：源漏电极的制作 源漏电极的材料选用为A1电极，主要因为在实际实验中用的次数较多，工艺条件比较成熟。选用射频溅射在玻璃衬底上先溅射一层200nm的触膜，再使用旋涂设备在Al膜上方旋涂一层lOOnm厚的SU一8光刻胶，分两次旋涂，转速为3000 r／min，完毕100。C烘烤100S．紫外线曝光，完成之后进行腐蚀，腐蚀所使用的腐蚀液为稀释的热磷酸溶液，浸泡15分钟。用去离子清洗，烘干。 步骤二：氧化锌薄膜的沉积 用射频溅射(I强sputtering)$IJ备ZnO籽晶层，采用的是中科院微电子中心生产的SG—III型13．6MHZ。3kw的射频溅射仪，衬底的溅射温度为室温，溅射的靶材是上海光机所晶体材料中心生产的，直径为90ram，厚度为6mm，纯度为99．99％的ZnO靶。溅射过程中通99．99％的Ar／02混合气体作为反应气体， 本底真空为3xlO5-Pa，工作压强为2．4x102-Pa,溅射功率为200W。在ZnO溅射 沉积过程开始的阶段，通常会形成大约5nm厚的非晶态膜层，为了提高ZnO半导体沟道中的电子迁移率，需要沟道中的ZnO有较好的结晶态，适当提高衬底温度和选择合适的绝缘层能将非晶层的厚度减小，在实验中我们采用了衬底加热的方法。ZnO薄膜沉积过程如下：在预抽真空的过程中，将基片加热到100℃，然后进行靶面预溅清洗。在此过程中样品架置于挡板后面(图中未画出)，开始正式溅射时样品转到靶的正上方。膜厚由溅射时间控制，溅射完毕后等衬底冷却至室温。步骤三：绝缘层薄膜的沉积 氧化锌半导体薄膜层制作完毕之后制备200nm的绝缘介质层，在这里我们采用了A1203材料。因为氧化铝材料比较常见，并且制备工艺在实验室现有条件下较为成熟，并且相对介电常数介于8到10之间可以有效的降低gate电极的漏电流。实验所使用的是A1203靶材从上海光机所购得。直径为6 mm，为99．999％．电子束蒸发设备型号为上海微电子中心生产的电子束蒸发仪，本底真空为2× 105-Pa，线圈电流为4A，高压加到5KV，先进行5分钟的蒸发清洁靶材表面，5 分钟后，打开挡板，开始蒸发30分钟。 步骤四：顶电极的制作 在上述工序的基础上，制备最后的栅电极。主要流程为用射频溅射，溅射一层厚度为200nm的Al膜，并旋涂光刻胶，紫外线光刻固化，在经过腐蚀和去胶这样的过程即可得到栅电极。 制作完毕。 晶体管性能表征 为了获得氧化锌薄膜晶体管的精确的特性，设计测试电路如下图所示： 下图为实际测得的典型氧化锌薄膜晶体管的输出特性曲线和转移特性曲线，其溅 射氧气氩气浓度比R=4：6，绝缘层为400nm A1 20 3 ，电极材料为铝电极，W／ L=1000um／50um，通过计算可得迁移率 为8 cm2／VS，电流开关比I(on)／ I(off)=105，阂值电压V TH 为3．6V． TFT输出特性曲线 TFT转移特性曲线 TFT对数转移特性曲线 总结与展望 本调研针对薄膜晶体管的发展历程，结构，工作原理及制备方法就行了叙述，对目前TFT领域的发展与进一步工作有了了解，随着信息化的不断发展以及人们对器件性能要求越来越高，新材料制备的TFT将会成为该领域的又一热潮。 参考文献 （1） Cai Xikun ，Wu Huizhen .Lectrical Properties of metal oxide thin films and application in TFTs（浙江大学硕士论文） （2）陈海明,靳宝善。有机半导体器件的现状及发展趋势（中国电子科技集团公司第十三研究所） （3） Wang Xiong ，Qiu Dongiang，Wu Huizhen。 Fabrication and Electrical Properties of Oxide Thin Film Transistors（浙江大学硕士论文）（4） Zhang Jin， Investigation of Zinc Oxide Thin Film Transistor（东南大学硕士论文） （5）陆爱霞，低压双电层氧化物薄膜晶体管的研究（湖南大学硕士伦文）（6） Tze-Ching Fung ，Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor for Future Optoelectronics（doctoral dissertation of Michigan university） 陶瓷项目 可行性研究报告 泓域咨询 规划设计/投资分析/产业运营 摘要 从二十世纪八十年代开始，以高效发动机和燃汽轮机中高温陶瓷关键零部件开发为导向的陶瓷材料的组成设计、晶界工程、净尺寸成型、烧结技术研发，为先进结构陶瓷的研究与发展培育了人才队伍、奠定了基础。 高温结构陶瓷是一种具有高熔点等特点的结构陶瓷。高温结构陶瓷分为氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷和碳化硼陶瓷。 该陶瓷项目计划总投资12662.47万元，其中：固定资产投资8960.47万元，占项目总投资的70.76%；流动资金3702.00万元，占项目总投资的29.24%。 本期项目达产年营业收入27401.00万元，总成本费用20561.10 万元，税金及附加245.36万元，利润总额6839.90万元，利税总额8028.69万元，税后净利润5129.92万元，达产年纳税总额2898.76万元；达产年投资利润率54.02%，投资利税率63.41%，投资回报率40.51%，全部投资回收期3.97年，提供就业职位452个。 陶瓷项目可行性研究报告目录 第一章项目概论 一、项目名称及建设性质 二、项目承办单位 三、战略合作单位 四、项目提出的理由 五、项目选址及用地综述 六、土建工程建设指标 七、设备购置 八、产品规划方案 九、原材料供应 十、项目能耗分析 十一、环境保护 十二、项目建设符合性 十三、项目进度规划 十四、投资估算及经济效益分析 十五、报告说明 十六、项目评价 十七、主要经济指标 第二章背景和必要性研究 一、项目承办单位背景分析 二、产业政策及发展规划 三、鼓励中小企业发展 四、宏观经济形势分析 五、区域经济发展概况 六、项目必要性分析 第三章项目市场空间分析 第四章产品规划分析 一、产品规划 二、建设规模 第五章项目选址方案 一、项目选址原则 二、项目选址 三、建设条件分析 四、用地控制指标 五、用地总体要求 六、节约用地措施 七、总图布置方案 八、运输组成 国内硅基薄膜电池产业供应链一览.txt小时候觉得父亲不简单，后来觉得自己不简单，再后来觉得自己孩子不简单。越是想知道自己是不是忘记的时候，反而记得越清楚。本文由lureman贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 国内硅基薄膜电池産业供应链一览 &extra=page%3D1 壹丶前言光伏能源要能与常规能源竞争，关键在於发电成本的降低，而发电成本的降低，一是光伏系统本身的发电效率要高，二是光伏系统的造价成本要低。光伏系统的发电效率，一者取决组件的光转效率，二是组件可发电时间的长短，三爲组件在各种光照环境下的吸光特性。简言之，电池组件的光转效率高丶发电时间长丶吸光特性好，则愈能産生更多的电量，从而降低发电的成本。光伏系统的造价成本多寡，一者取决组件的价格，二是（Battery 丶 Charger 丶 Inverter 丶 Combiner Box 等）的支出，三爲人工的费用（含利润）。简言之，组件价格低丶支出小丶人工费用便宜，光伏系统造价成本则低。以现时光伏産业而言，硅基薄膜电池虽然在光转效率不如晶硅电池，然在吸光特性丶发电时间上远胜於晶硅电池，故同样发电功率的光伏系统，硅基薄膜电池已被证明具有较高的发电量。唯一的缺点，是所需的安装面积远大（目前约２倍）。不过，随着各家薄膜厂更高效电池的大量生産之下，相信此面积的劣势会日渐缩小。至於光伏系统造价成本，硅基薄膜电池组件成本虽低，但在支出则高於晶硅系统（薄膜：晶硅＝： USD/W）组件，从而抵消了价格优势。再加上因系统面积大，以致安装所需的时间丶人工费用，也相对较高。因此，硅基薄膜电池要拉开与晶硅电池的差距，朝向与常规能源竞争的目标前进，光转效率的提高丶组件价格的降低丶支出的减少，是当前努力的三大重点。至於安装人工费用的下降，因牵涉到産业的成熟度丶企业投入的多寡以及组件效率的高低等问题，所以其下降的速度丶幅度，相对於其它部份是比较缓慢的。总之，未来在愈来愈多企业投入硅基薄膜电池産业之下，薄膜电池光伏系统的发电效率及造价成本，在可见的二丶三年内，相信会有很大的改善及下降空间。以此对比於晶硅电池産业，未来的竞争优势当日益突显，高度成长的时期来临，应是指日可待。唯一值得忧虑的是，目前国内硅基薄膜産业链尚不够完整与成熟，但所面临的竞争的压力却是与日俱增，而国内晶硅産业原料丶技术（含设备）丶市场三头在外的情况，似乎也已在国内硅基薄膜産 杭州光学膜项目可行性研究报告 xxx科技公司 摘要说明— 光学薄膜大致可以分为两组：偏光片和背光模组光学薄膜，主要应用 领域是TFT-LCD。LCD主要由液晶、背光模组、玻璃基板、偏光片及TFT电 极等几大部件组成。 该光学膜项目计划总投资11360.35万元，其中：固定资产投资 7693.98万元，占项目总投资的67.73%；流动资金3666.37万元，占项目 总投资的32.27%。 达产年营业收入24992.00万元，总成本费用19382.23万元，税金及 附加217.31万元，利润总额5609.77万元，利税总额6600.84万元，税后 净利润4207.33万元，达产年纳税总额2393.51万元；达产年投资利润率49.38%，投资利税率58.10%，投资回报率37.04%，全部投资回收期4.20年，提供就业职位357个。 光学薄膜的应用始于20世纪30年代，至今已形成一门独立的技术， 广泛应用在天文、军事、医学、科学检测、光显示和光通讯等行业中。光 学薄膜能改善系统性能，对光学仪器的质量起着重要或决定性的作用。 报告内容：项目基本情况、项目背景、必要性、项目市场分析、投资 方案、项目选址科学性分析、土建工程分析、工艺先进性、环境保护概述、企业卫生、项目风险说明、项目节能可行性分析、项目计划安排、投资方 案说明、经济收益分析、项目总结、建议等。 规划设计/投资分析/产业运营 杭州光学膜项目可行性研究报告目录 第一章项目基本情况 第二章项目背景、必要性 第三章项目市场分析 第四章投资方案 第五章项目选址科学性分析 第六章土建工程分析 第七章工艺先进性 第八章环境保护概述 第九章企业卫生 第十章项目风险说明 第十一章项目节能可行性分析 第十二章项目计划安排 第十三章投资方案说明 第十四章经济收益分析 第十五章招标方案 第十六章项目总结、建议 薄膜晶体管的定义： Thin Film Transistor (薄膜场效应晶体管)，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器。 补充：TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩色显示设备之一，其效果接近CRT显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。 TFT ( Thin film Transistor，薄膜晶体管）屏幕，它也是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 色及26 万色，1600万色三种，其显示效果非常出色。 平板显示器种类： 经过二十多年的研究、竞争、发展，平板显示器已进入角色，成为新世纪显示器的主流产品，目前竞争最激烈的平板显示器有四个品种： 1、场致发射平板显示器（FED）； 2、等离子体平板显示器（PDP）； 3、有机薄膜电致发光器（OEL）； 4、薄膜晶体管液晶平板显示器（TFT-LCD）。 场发射平板显示器原理类似于CRT，CRT只有一支到三支电子枪，最多六支，而场发射显示器是采用电子枪阵列（电子发射微尖阵列，如金刚石膜尖锥），分辨率为VGA（640×480×3）的显示器需要92.16万个性能均匀一致的电子发射微尖，材料工艺都需要突破。目前美国和法国有小批量的小尺寸的显示屏生产，用于国防军工，离工业化、商业化还很远。 等离子体发光显示是通过微小的真空放电腔内的等离子放电激发腔内的发光材 料形成的，发光效应低和功耗大是它的缺点（仅1.2lm/W，而灯用发光效率达80lm/ W以上，6瓦/每平方英寸显示面积），但在102～152cm对角线的大屏幕显示领域有很强的竞争优势。业内专家分析认为，CRT、LCD和数字微镜(DMD)3种投影显示器可以与PDP竞争，从目前大屏幕电视机市场来看，CRT投影电视价格比PDP便宜，是PDP最有力的竞争对手，但亮度和清晰度不如PDP，LCD和DMD投影的象素和价格目前还缺乏竞争优势。尽管彩色PDP在像质、显示面积和容量等方面有了明显提高，但其发光效率、发光亮度、对比度还达不到直观式彩色电视机的要求，最重要的是其价格还不能被广大家用消费者所接受，这在一定程度上制约了彩色PDP 市场拓展。目前主要在公众媒体展示场合应用开始普遍起来。 半导体发光二极管（LED）的显示方案由于GaN蓝色发光二极管的研制成功，从而一举获得了超大屏幕视频显示器市场的绝对控制权，但是这种显示器只适合做户外大型显示，在中小屏幕的视频显示器也没有它的市场。 显示器产业的专家一直期望有机薄膜电致发光材料能提供真正的象纸一样薄的 显示器。有机薄膜电致发光真正的又轻又薄，低功耗广视角，高响应速度（亚微妙） 氮化硅陶瓷增韧调研报告 1、前言 氮化硅陶瓷是典型的高温高强结构陶瓷，具有良好的室温及高温机械性能，强度高，耐磨蚀，抗热震能力强，抗化学腐蚀，低导热系数，密度相对较小，是结构陶瓷中研究最为广泛深入的材料，亦是陶瓷发动机及其它高温结构件、切削工具、耐磨件等的主要候选材料，近几年来仍是人们争相研究的热点材料之一。 但是，已有的研究对氮化硅陶瓷的脆性缺陷仍未获得彻底改善，从而大大限制了它的实际应用。如何提高氮化硅韧性仍是人们研究的焦点。目前从事氮化硅陶瓷研究的学者为了提高其韧性，主要从两大方面着手进行韧性改善。一是通过进行“显微结构设计”来提高氮化硅陶瓷的韧性。即降低气孔的含量，控制杂质的含量，提高氮化硅陶瓷的密度、纯度；对氮硅陶瓷的晶型、晶粒尺寸、发育完整程度进行控制；对晶界的大小、材质进行调控；对玻璃相的数量、性质、分布状态等进行控制，以求在烧结后获得最佳韧性的显微组织，从而提高氮化硅陶瓷的韧性【1】。二是在上述基础上开展的“晶界工程”研究。氮化硅陶瓷常以多晶陶瓷的形式出现，而对多晶材料而言，当晶体较小为微米或纳米级时，晶界状态是决定其电性能、热性能和力学性能等的一个极其重要的因素。对于氮化硅陶瓷来说，晶界强度，尤其是晶界高温强度是决定其能否作为高温工程材料运用的关键。氮化硅是强共价键化合物，其自扩散系数很小，致密化所必须的体积扩散及晶界扩散速度很小，同时它的晶界能V gb与粉末表面能V sv的比值(V gb/ V sv) 比离子化合物和金属要大得多，使得烧结驱动力Δv 较小，决定了纯氮化硅无法靠常规的固相烧结达到致密化，必须加入少量氧化物烧结助剂，在高温烧结过程中它们与氮化硅表面SiO2反应形成液相，通过液相烧结成致密体，冷却后该液相呈玻璃态存在于晶界。而此玻璃相的性能在很大程度上决定了氮化硅陶瓷材料的性能。为了提高氮化硅陶瓷的高温性能，人们对玻璃晶界结晶化进行了大量的研究工作，称之为“晶界工程”【2】。 2、氮化硅陶瓷增韧研究现状 PET膜项目分析 传统UV项目利润趋势越发薄弱，新兴市场趋势为膜类应用，伴随产业转移我门可以通过下图获得更为直观的认知。 由上述数据可以得出光学膜出现了产业转移，为什么选取中国而非其他东南亚国家？因为中国占据世界一半PET合成工厂，拥有极为完善关联产业，例如：PX(对二甲苯)厂商、PTA（对苯二甲酸）、EG（乙二醇）的原料生产企业聚集在辽宁及江浙，同时江浙地区也是该类原材料主要消费区域。 PET膜为光学膜及保护膜的主要载体，那么项目分为： 光学膜及背光模组 项目可以拆分为：增亮膜、扩散膜、QQ胶、表面硬化膜等子项目；现举例增亮膜。如下： 举例说明 主题：LED增光膜涂层 主要内容：LED增光膜涂层涂料国产化。 项目成立背景：LED增光膜的涂料来源于日本，想国产化，来配合其扩张的产能。客户需求及检测标准： 1、基材：电晕处理过的PET膜，膜厚25~15μ、要求：高折射率（1.58~1.60）， 附着好，抗划伤、耐黄变、指甲划后要求回弹、振研（2张经过UV涂层处理后PET膜，面对面放置测试仪器上负重振研，要求不要有明显痕迹）1小时、高温高湿90℃/60°一周。 2、现有的日本涂料为无溶剂，价格不详，涂覆工艺，滚涂，滚轴宽幅1.2~1.5 米。项目刚开始，以前没做过类似应用，引发剂用的汽巴的184、TPO； 项目有时效性10月底要见到初步结果。 3、一旦项目进展顺利将拓展到另外3个应用方向，PET硬化处理，保护涂层 等。 项目前景：该项目为高成长性项目，未来增量的空间巨大. 项目说明：由于此类项目受限诸多环节，例如：高折射材料，折射率要求在1.6~1.62（此类材料均为进口）、涂覆设备为精密涂布头等。所以光学膜及背光模组项目建议暂时搁置！ 薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点，其应用领域正在逐步扩大，已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站（EWS）用监视器。对液晶显示器要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。 由于CRT显示器和液晶屏具有不同显示特性，两者显示信号参数也不同，因此在计算机（或MCU）和液晶屏之间设计液晶显示器驱动电路是必需，其主要功能是通过调制输出到LCD电极上电位信号、峰值、频率等参数来建立交流驱动电场。 本文实现了将VGA接口信号转换到模拟液晶屏上显示驱动电路，采用ADI 公司高性能DSP芯片ADSP-21160来实现驱动电路主要功能。 硬件电路设计 AD9883A是高性能三通道视频ADC可以同时实现对RGB三色信号实时采样。系统采用32位浮点芯片ADSP-21160来处理数据，能实时完成伽玛校正、时基校正、图像优化等处理，且满足了系统各项性能需求。ADSP-21160有6个独立高速8位并行链路口，分别连接ADSP-21160前端模数转换芯片AD9883A和后端数模转换芯片ADV7125。ADSP-21160具有超级哈佛结构，支持单指令多操作数（SIMD）模式，采用高效汇编语言编程能实现对视频信号实时处理，不会因为处理数据时间长而出现延迟。 系统硬件原理框图如图1所示。系统采用不同链路口完成输入和输出，可以避免采用总线可能产生通道冲突。模拟视频信号由AD9883A完成模数转换。AD9883A是个三通道ADC，因此系统可以完成单色视频信号处理，也可以完成彩色视频信号处理。采样所得视频数字信号经链路口输入到ADSP-21160，完成处理后由不同链路口输出到ADV7125，完成数模转换。ADV7125是三通道DAC，同样也可以用于处理彩色信号。输出视频信号到灰度电压产生电路，得到驱动液晶屏所需要驱动电压。ADSP-21160还有通用可编程I/O标志脚，可用于接受外部控制信号，给系统及其模块发送控制信息，以使整个系统稳定有序地工作。例如，ADSP-21160为灰度电压产生电路和液晶屏提供必要控制信号。另外，系统还设置了一些LED灯，用于直观指示系统硬件及DSP内部程序各模块工作状态。 图1 系统硬件原理框图 本设计采用从闪存引导方式加载DSP程序文件，闪存具有很高性价比，体积小，功耗低。由于本系统中闪存既要存储DSP程序，又要保存对应于不同伽玛值查找表数据以及部分预设显示数据，故选择ST公司容量较大M29W641DL，既能保存程序代码，又能保存必要数据信息。 图2为DSP与闪存接口电路。因为采用8位闪存引导方式，所以ADSP-21160地址线应使用A20～A0，数据线为D39～32，读、写和片选信号分别接到闪存相应引脚上。 氮化硅陶瓷轴承项目 可行性研究报告 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间：https://www.360docs.net/doc/416106347.html, 高级工程师：高建 关于编制氮化硅陶瓷轴承项目可行性研究 报告编制说明 （模版型） 【立项 批地 融资 招商】 核心提示： 1、本报告为模板形式，客户下载后，可根据报告内容说明，自行修改，补充上自己项目的数据内容，即可完成属于自己，高水准的一份可研报告，从此写报告不在求人。 2、客户可联系我公司，协助编写完成可研报告，可行性研究报告大纲（具体可跟据客户要求进行调整） 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司 专 业 撰写节能评估报告资金申请报告项目建议书 商业计划书可行性研究报告 目录 第一章总论 (1) 1.1项目概要 (1) 1.1.1项目名称 (1) 1.1.2项目建设单位 (1) 1.1.3项目建设性质 (1) 1.1.4项目建设地点 (1) 1.1.5项目主管部门 (1) 1.1.6项目投资规模 (2) 1.1.7项目建设规模 (2) 1.1.8项目资金来源 (3) 1.1.9项目建设期限 (3) 1.2项目建设单位介绍 (3) 1.3编制依据 (3) 1.4编制原则 (4) 1.5研究范围 (5) 1.6主要经济技术指标 (5) 1.7综合评价 (6) 第二章项目背景及必要性可行性分析 (7) 2.1项目提出背景 (7) 2.2本次建设项目发起缘由 (7) 2.3项目建设必要性分析 (7) 2.3.1促进我国氮化硅陶瓷轴承产业快速发展的需要 (8) 2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (8) 2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (8) 2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (8) 2.3.5提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要 (9) 2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (9) 2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (10) 2.4项目可行性分析 (10) 2.4.1政策可行性 (10) 2.4.2市场可行性 (10) 2.4.3技术可行性 (11) 2.4.4管理可行性 (11) 2.4.5财务可行性 (11) 2.5氮化硅陶瓷轴承项目发展概况 (12) 非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺 内容提纲 一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介 二、非晶硅太阳能电池制造工艺 三、非晶硅电池封装工艺 一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介 1、电池结构 分为：单结、双结、三结 2、制造技术 三种类型： ①单室，多片玻璃衬底制造技术 该技术主要以美国Chronar、APS、EPV公司为代表 ②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技 该技术主要以日本KANEKA公司为代表 ③卷绕柔性衬底制造技术（衬底：不锈钢、聚酰亚胺) 该技术主要以美国Uni-Solar公司为代表 所谓“单室，多片玻璃衬底制造技术”就是指在一个真空室内，完成P、I、N三层非晶硅的沉积方法。作为工业生产的设备，重点考虑生产效率问题，因此，工业生产用的“单室，多片玻 璃衬底制造技术”的非晶硅沉积，其配置可以由X个真空室组成（X为≥1的正整数），每个真空室可以放Y个沉积夹具（Y为≥1的正整数），例如： ?1986年哈尔滨哈克公司、1988年深圳宇康公司从美国Chronar公司引进的内联式非晶硅太阳能电池生产线中非晶硅沉积用6个真空室，每个真空室装1个分立夹具，每1个分立夹具装4片基片，即生产线一批次沉积6×1×4＝24片基片，每片基片面积305mm×915mm。 ?1990年美国APS公司生产线非晶硅沉积用1个真空室，该沉积室可装1个集成夹具，该集成夹具可装48片基片，即生产线一批次沉积1×48＝48片基片，每片基片面积 760mm×1520mm。 ?本世纪初我国天津津能公司、泰国曼谷太阳公司（BangKok Solar Corp）、泰国光伏公司（Thai Photovoltaic Ltd）、分别引进美国EPV技术生产线，非晶硅沉积也是1个真空室，真空室可装1个集成夹具，集成夹具可装48片基片，即生产线一批次沉积1×48＝48片基片，每片基片面积635mm×1250mm。 ?国内有许多国产化设备的生产厂家，每条生产线非晶硅沉积有只用1个真空室，真空室可装2个沉积夹具，或3个沉积夹具，或4个沉积夹具；也有每条生产线非晶硅沉积有2个真空室或3个真空室，而每个真空室可装2个沉积夹具，或3个沉积夹具。总之目前国内主要非晶硅电池生产线不管是进口还是国产均主要是用单室，多片玻璃衬底制造技术，下面就该技术的生产制造工艺作简单介绍。 二、非晶硅太阳能电池制造工艺 1、内部结构及生产制造工艺流程 下图是以美国Chronar公司技术为代表的内联式单结非晶硅电池内部结构示意图： 图1、内联式单结非晶硅电池内部结构示意图 1光学薄膜的制备技术 1.1物理气相学沉积（ D） 1）热蒸发 光学薄膜器件主要采用真空环境下的热蒸发方法制造，此方法简单、经济、操作方便。尽管光学薄膜制备技术得到长足发展，但是真空热蒸发依然是最主要的沉积手段，当然热蒸发技术本身也随着科学技术的发展与时俱进。 2）溅射 溅射指用高速正离子轰击膜料（靶）表面，通过动量传递，使其分子或原子获得足够的动能面从靶表而逸出（溅射），在被镀件表面凝聚成膜。其膜层附着力强，纯度高，可同时溅射多种不同成分的合金膜或化合物。 3）离子镀 离子镀兼有热蒸发的高成膜速率和溅射高能离子轰击获得致密膜层的双优效果，离子镀膜层附着力强、致密，离子镀常见类型：蒸发源和离化方式。 4）离子辅助镀 在热蒸发镀膜技术中增设离子发生器――离子源，产生离子束，在热蒸发进行的同时，用离子束轰击正在生长的膜层，形成致密均匀结构（聚集密度接近于1），使膜层的稳定性提光学薄膜制备技术高，达到改善膜层光学和机械性能。 离子辅助镀技术与离子镀技术相比，薄膜的光学性能更佳，膜层的吸收减少，波长漂移极小，牢固度好，该技术适合室温基底和二氧化钛等高熔点氧化物薄膜的镀制，也适合变密度薄膜、优质分光镜和高性能滤光片的镀制四。 1.2化学气相沉积（C D） 化学气相沉积（C D）一般需要较高的沉积温度，而且在薄膜制备前需要特定的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应的途径来生成固态薄膜的技术，C D技术制备薄膜的沉积速率一般较高。但在薄膜制备过程中也会产生可燃、有毒等一些副产物。 1.3化学液相沉积（C D） 化学液相沉积（C D）工艺简单，制造成本低，但膜层厚度不能精确控制，膜层强度差，较难获得多层膜，还造成废水、废气污染的问题。 2光学薄膜的应用 硅基薄膜太阳电池的研究现状及前景 摘要：本文着重介绍了非晶硅薄膜电池、多晶硅薄膜电池原理、制备方法，从材料、工艺与转换效率等方面讨论了它们的优势和不足之处，并提出改进方法。同时介绍了国内外硅基薄膜太阳电池研究的进展，最后展望了薄膜太阳能电池的发展前景。 关键词：太阳能电池；薄膜电池；非晶硅；多晶硅；微晶硅；光伏建筑；最新进展 1、研究现状 太阳电池是目前主要的新能源技术之一，它利用半导体的光电效应将光能直接装换为电能。目前太阳电池主要有传统的（第一代）单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅电池、碲化镉电池、铜铟硒电池以及新型的（第二代）薄膜电池。薄膜太阳电池可以使用其他材料当基板来制造，薄膜厚度仅需数μm，较传统太阳能电池大幅减少原料的用量。目前光伏发电的成本与煤电的差距还是比较大，其中主要的一项就是原材料即的价格。薄膜太阳电池消耗材料少，降低成本方面的巨大潜力。薄膜太阳能电池的种类包括：非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、化合物半导体II-IV 族[CdS、CdTe(碲化镉)、CuInSe2]、色素敏化染料(Dye-Sensitized Solar Cell)、有机导电高分子(Organic/polymer solar cells) 、CIGS (铜铟硒化物)等。如果要将太阳电池大规模应用为生活生产提供能源，那么必须选择地球上含量丰富，能大规模生产并且性能稳定的半导体材料，硅基薄膜电池的优越性由此凸显。 太阳能电池是利用太阳光和材料相互作用直接产生电能，不需要消耗燃料和水等物质，释放包括二氧化碳在内的任何气体，是对环境无污染的可再生能源。这对改善生态环境、缓解温室气体的有害作用具有重大意义。因此太阳能电池有望成为2l世纪的重要新能源。本文主要综述硅基薄膜太阳电池（包括多晶硅薄膜电池、非晶硅薄膜电池）的发展现状及并简要分析其发展前景。 2、非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池 非晶硅太阳电池是上世纪70年代中期发展起来的一种薄膜太阳电池，它制备温度低，用材少，便于工业化生产，价格低廉，因而受到高度重视。现阶段非晶硅太阳电池的转换效率已从1976年的1%~2%提高到稳定的12~14%，其中10cmХ10cm电池的转换效率为10.6%.小面积的单结的电池转换效率已超过13%。 2.1原理及结构 图1 非晶硅太阳电池结构图2 非晶硅太阳电池组件 光学膜项目 可行性研究报告xxx实业发展公司 摘要 光学级聚酯基膜为光电产业链前端最为重要的战略材料之一，主 要以聚酯切片为主要材料。因需满足高透光率、低雾度、高亮度等性 能要求，所以光学基膜为BOPET行业技术壁垒最高的领域。光学膜是 指在光学元件或独立基板上，制镀或涂布一层或多层介电质膜或金属 膜或这两类膜的组合，以改变光波的传递特性，包括光的投射、反射、吸收、散射、偏振及相位改变等。 光学膜根据其应用可以分为显示膜、保护膜、装饰膜、隔热膜， 广泛应用于液晶显示器、消费电子面板、家电、建筑、汽车等行业。 其中应用最广的是液晶面板行业，背光模组用光学膜是液晶显示器面 板的关键设备之一。 全球光学基膜基本由国外大公司生产，高档光学基膜产品市场被 日本的东丽、美国3M、三菱和韩国的SKC等公司的产品垄断，上述企 业占据国内背光模组约70%市场份额。随着国内平板显示产业的迅猛发展，光学膜在市场中需求量巨大，但目前国内的光学膜产能极小，导 致我国BOPET行业长期处于普通膜饱和、高端膜不足的结构矛盾。我 国BOPET产能高居世界首位，已成为全球BOPET产品重要生产基地， 上市公司中康得新、双星新材、长阳科技、南洋科技、激智科技、大 东南、华塑实业等相继公告生产光学膜，光学膜成为我国加快培育和 重点发展战略新兴材料之一。 韩国LG将于2020年年底停止韩国国内LCD电视面板的生产，在 陆资和韩系面板厂的寡头竞争中，韩国最优的博弈策略便是在陆资厂 商扩产节奏相对较慢的时间点大规模关闭产线以调节行业供需、改善 存量产线的盈利空间，因此LED产能及产业链正逐步向国内转移。而 国内京东方在LCD面板市占率为15%，此次LG拟退出的产能主要为 IPS基数，与京东方同属硬屏技术分支，因此京东方有望快速承接LG 退出所带来的转单，为国内的上游光学膜企业的发展提供了有利条件。 目前LCD的大尺寸应用主要集中在液晶电视、液晶显示器、移动 电脑上，小尺寸应用主要集中在手机、平板方面，其中液晶电视是LCD 应用的第一大领域。2015年、2016年和2017年，LCD电视的平均尺寸分别为39.2英寸、41.4英寸和42.9英寸，每年均有一定的上升幅度。LCD电视的大尺寸化将有效带动上游光学膜市场需求的持续增加。2018年LCD面板的出货面积约为1.979亿平方米，较2017年同期增长 10.6%，预计2020年LCD面板的出货面积将提升至2.10亿平方米。 “薄膜晶体管的制备及电学参数”调研报告 （青岛大学物理科学学院，应用物理系） 摘要：20世纪平板显示技术的出现，把人类带入了信息社会，人类社会从此发生了质的飞跃。而平板显示的核心元件就是薄膜晶体管TFT(nlin Film Transistor)，一种在掺杂硅片或玻璃基底上通过薄膜工艺制作的场效应晶体管器件。将半导体氧化物作为有源层来制作TFT用于平板显示中，不仅能获得较高迁移率，器件性能优越，而且制造工艺简单、低温下可以获得，显示出了巨大的应用前景。本文综述了薄膜材料的制备方法，薄膜晶体管的发展历程与应用以及其结构、工作原理和测试表征方法。 关键词：薄膜材料，薄膜晶体管，制备，表征方法 Abstract:In the 20th century,the emergence of the flat panel display technology has brought human beings into the information society．Since then the human society happened a qualitative leap．The core component of flat panel display is the thin film transistor(TFT)，it is a field effect transistor device produced by thin film technology on the doped-silicon or glass．If we use the semiconductor oxide as the active layer，not only we can get a higher mobility，bu also the device performance call be enhanced．And the manufacturing process is simple，low temperatures also can be obtained,which shows a great prospect．The preparation method of thin film materials is reviewed in this paper, the development and application of thin film transistor and its structure, working principle and test method are characterized, Keywords: Thin film materials, thin film transistor, manufacture, characterization methods 前言 薄膜材料是指厚度介于单原子分子到几毫米间的薄金属或有机物层。当固体或液体的一维线性尺度远远小于它的其他二维尺度时，我们称这样的固体或液体为膜。薄膜材料具有良好的韧性、防潮性和热封性能，应用非常广泛。例如：双向拉伸聚丙烯薄膜（BOPP）、低密度聚乙烯薄膜（LDPE）、聚酯薄膜（PET）、镀铝薄膜、半导体氧化物薄膜等等。近几年来，以氧化锌、氧化铟、氧化锡等半导体氧化物及其合金为有源层的透明薄膜晶体管备受关注，并已取得了突破性进展。这些氧化物是优异的光电材料，具有高光学透过率、生长温度低、击穿电压高、电子迁移率高等优点，从而可以获得更好、成本更低的薄膜晶体管，并且也为新型薄膜晶体管的发展带来了契机。氧化物薄膜晶体管作为极具发展潜力的新型薄膜晶体管，具备了许多传统TFT无法比拟的优点，但是也存在诸多问题有待进一步解决。例如，如何解决外界环境对器件性能的影响，优化工艺从而降低成本，如何制作出性能优越、具有实用价值的器件等，这些都是现在研究面临的问题。本文的主要调研对象，包括氧化锌以及有机薄膜作为有源层的薄膜晶体管。 薄膜晶体管的发展历程 1925年，Julius Edger Lilienfeld首次提出结型场效应晶体管(Field 西部特色经济发展状况的调研报告 西部如何贯彻西部大开发战略，紧紧抓住历史机遇，加快发展，用我们勤劳的双手去描绘西部最美的图画，这是当前摆在我们面前亟待需要认真研究的课题。 一、西部经济发展中存在的问题 1、东西部差距继续扩大。从新中国成立至1978年的30年，以现价计算，国民生产总值增长速度，东西部之比为7。08∶7.52。在近几年的国内生产总值比率中，占国土面积13.5%的东部地区占65%以上，而国土面积占全国56%的西部仅占13%左右。 2、经济的二元化特征明显，结构性矛盾突出。西部地区，以能源、原材料、机械、电子、航天技术为代表的现代产业部门有了一定的发展，农村却以手工劳动、半手工劳动为主，农业的现代化和机械化水平远低于东部，经济的二元化特征十分明显。从产业结构看，西部地区第一产业所占比重偏大，第三产业发展不足。从所有制结构看，西部地区非国有经济尚未很好地发挥经济增长点的作用。 3、文化教育科技事业落后，人口整体文化素质偏低。据第三次人口普查资料，每千人中青壮年中文盲、半文盲数，东部北京为125人，江苏273人，广东168人，西部四川为237人，贵州为323人，云南为339人，宁夏西海固地区高达435人。正由于此，西部地区长期陷于一种相对封闭状态，难以集聚科技人才，难以改变传统生产方式，进而形成一种贫困的恶性循环。 4、生态环境恶劣、水资源缺乏、基础设施落后、社会服务体系不完善。由于大面积毁林（草）和滥砍滥伐，破坏了森林植被，导致土地沙化、草原退化和自然灾害频繁。黄土高原的水土流失，宁夏、内蒙古的荒漠化、沙尘暴，西南山区的泥石流与山体坍塌便是生态环境恶化的具体表现。同时西部地区绝大部分地区公路、铁路干线不成体系，通车里程十分有限，通讯、邮政设施缺乏，供水供电设施不足，给人民生活和社会生产带来不便，也不利于外向型经济的发展。 二、发展特色经济，是西部经济实现超常规、跳跃式发展的必由之路 特色经济是指一个国家或地区在发展市场经济中，利用比较优势和市场原则，通过竞争而形成的具有鲜明产业特色及企业产品特色的经济结构。发展特色经济，是改变过去西部地区粗放、低效发展传统模式、经济振兴崛起的有力支撑。因为西部地区，无论是整体推进，还是结构调整、基础设施建设、生态环境建设以及发展教育科技，对外开放，最终着眼点和落脚点在发展特色经济。 西部省区虽然资源优势有所发挥，并开始形成了某些支柱产业，但远未发展为较强竞争力、占有较大市场份额的区域特色经济，完全可以说，西部地区发展缓慢，很大程度上在于未能实现较快发展市场经济与较好地发挥资源优势的有机结合，把资源优势尽快转换为经济优势。 发展特色经济，有利于向资源的广度和深度进军，有利于防止和解决重复建设，实现产业结构战略性调整，有利于形成商品优势， 薄膜晶体管液晶显示器技术简介 15英吋的TFT-LCD 薄膜晶体管液晶显示器英文名是Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD 是英文字头的缩写。薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。把单晶上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行薄膜晶体管（TFT）阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用与业已成熟的液晶显示器（LCD）技术，形成一个液晶盒，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器件。 TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器, Thin film transistor liquid crystal display）是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。 简单说，TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Color Filter）、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素（Pixel）的明暗状态。此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个像素（Pi xel）各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了皮肤上的图像画面。 TFT-LCD结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。TFT-LCD显示屏，包括阵列玻璃基板、彩色滤光膜以及液晶材料。 阵列玻璃基板制备工艺是：用三个光刻掩膜板，首先在玻璃基板上连续淀积ITO膜（厚20～50n m）和Cr膜（厚50～100nm），并光刻图形，然后连续淀积绝缘栅膜SiN：（厚约400n m），再本征a-Si（厚50～100n m）和n＋a-Si层，并光刻图形（干法）淀积Al 膜，光刻漏源电极，最后以漏源电极作掩膜，自对准刻蚀象素电极上的Cr膜和TFT源漏之 辽宁陶瓷新材料项目可行性研究报告 规划设计/投资方案/产业运营 报告摘要说明 从二十世纪八十年代开始，以高效发动机和燃汽轮机中高温陶瓷关键 零部件开发为导向的陶瓷材料的组成设计、晶界工程、净尺寸成型、烧结 技术研发，为先进结构陶瓷的研究与发展培育了人才队伍、奠定了基础。 结构陶瓷具有优越的强度、硬度、绝缘性、热传导、耐高温、耐氧化、耐腐蚀、耐磨耗、高温强度等特色，因此，在非常严苛的环境或工程应用 条件下，所展现的高稳定性与优异的机械性能，在材料工业上已倍受瞩目，其使用范围亦日渐扩大。而全球及国内业界对于高精密度、高耐磨耗、高 可靠度机械零组件或电子元件的要求日趋严格，因而陶瓷产品的需求相当 受重视，其市场成长率也颇可观。 该超高温结构陶瓷项目计划总投资6405.57万元，其中：固定资 产投资5060.91万元，占项目总投资的79.01%；流动资金1344.66万元，占项目总投资的20.99%。 本期项目达产年营业收入9563.00万元，总成本费用7258.19万元，税金及附加107.12万元，利润总额2304.81万元，利税总额2729.83万元，税后净利润1728.61万元，达产年纳税总额1001.22万元；达产年投资利润率35.98%，投资利税率42.62%，投资回报率 26.99%，全部投资回收期5.21年，提供就业职位208个。 高温结构陶瓷是一种具有高熔点等特点的结构陶瓷。高温结构陶瓷分为氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷和碳化硼陶瓷。 超高温陶瓷是指能在1800℃以上应用，具有相当优良的高温抗氧化性和抗热震性的陶瓷基复合材料。超高温陶瓷能够适应超高音速长时飞行、大气层再入、跨大气层飞行和火箭推进系统等极端环境，可用于飞行器鼻锥、机翼前缘、发动机热端等各种关键部位或部件。 硅基薄膜太阳电池新进展 Solar168 07-06-21 出处:南开大学作者:耿新华张建军编辑:solar168 一.引言 能源危机和环境污染的日趋严重极大地促进了光伏产业的迅速发展。过去的5年，在全球硅材料紧缺、价格飙升的情况下，世界光伏市场继续以平均每年40％的幅度增加。2006年实际产量达到2．6GW，产能超过3GW，人大超过对2006年预测的20~25％的增幅。中国2006年光伏电池地产量达到460MW，比2005年(140MW)增加280％，电池产能达到1200MW。光伏产业成为迄今为止最快增长的工业之一，商业预测到2010年全球市场容量将增加到400亿欧元。 图1、2006年太阳能电池TOP10厂家 2006年全球晶体硅电池的市场份额仍然占据90%以上。然而，晶体硅原材料继续保持较高的价格，这为薄膜太阳电池的发展提供了机会，使薄膜电池迎来了有史以来空前未有的大发展时期。不仅许多新进入光伏领域的投资者选择薄膜光伏作为其发展方向，就连产量居世界前十位的晶体硅电池生产公司中也有几家把自己的产品范围扩充到了薄膜技术领域(见图1)。2004年到2005年，全球薄膜太阳电池出货量增加了50％以上，从60MW增加到94MW。目前正在兴建的薄膜电池厂家会使薄膜电池的产能在2008年前增加5倍之多。预计到2010 年薄膜电池的产量将会扩展到1-2GW，这表明薄膜光伏的市场份额将上升到20％(见图2)，而到2020年这一份额更会增加到25％，达到25GW。 图2、晶硅和薄膜电池的未来发展趋势 和晶体硅电池相比，薄膜电池的不足之处是产品效率较低，生产技术不够成熟，特别是制造设备没有标准化。但是，薄膜太阳电池具有很大的降低成本的潜力，其共有的低成本优势省材、低功耗、便于大面积连续化生产。在薄膜太阳电池中，硅基薄膜具有更独特的优势：①原材料丰富，且无毒无污染；⑦能耗最低，制造温度约200摄氏度，可以使用大面积廉价的玻璃作为衬底；①原材料消耗少，每瓦电池只消耗0.2克硅烷，相当于0.02欧元／Wp，而每瓦晶硅电池要消耗8-12g晶体硅，相当于0.3欧元／Wp：④工艺简单，加工技术相对成熟。因此硅薄膜电池成为研究最多，发展最快，占有市场份额最大的薄膜电池。图3所示为到2010年a-Si、CIGS和CdTe三种薄膜电池市场发展预测。预计到2010年，a-Si、CIGS、CdTe三种电池将分别占有薄膜光伏市场的60％、20％和20％。可见，硅基薄膜电池在中长期发展阶段仍将占据薄膜光伏市场的主导地位。本文将重点介绍硅基薄膜太阳电池的发展现状及其未来发展趋势。 氮化硅项目可行性研究报告 报告辑要 可行性研究报告，简称可研，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。 氮化硅：氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。 为了积极响应国家《中国制造2025》和《工业绿色发展规划（2016-2020年）》以及滨州、滨州关于促进氮化硅产业发展的政策要求，某某有限公司通过科学调研、合理布局，计划在滨州新建“氮化硅生产建设项目”；预计总用地面积26619.97平方米（折合约39.91亩），其中：净用地面积26619.97平方米；项目规划总建筑面积30080.57平方米，计容建筑面积30080.57平方米；根据总体规划设计测算，项目建筑系数53.88%，建筑容积率1.13，建设区域绿化覆盖率5.21%，固定资产投资强度154.53万元/亩。 根据谨慎财务测算，项目总投资8937.66万元，其中：固定资产投资 6167.29万元，占项目总投资的69.00%；流动资金2770.37万元，占项目总投资的31.00%。在固定资产投资中建筑工程投资2498.58万元，占项目总投资的27.96%；设备购置费2560.54万元，占项目总投资的28.65%；其它投资费用1108.17万元，占项目总投资的12.40%。 项目建成投入正常运营后主要生产氮化硅产品，根据谨慎财务测算，预期达纲年营业收入20410.00万元，总成本费用15741.85万元，税金及附加81.39万元，利润总额4668.15万元，利税总额5427.82万元，税后净利润3501.11万元，达纲年纳税总额1926.71万元；达纲年投资利润率52.23%，投资利税率60.73%，投资回报率39.17%，全部投资回收期4.05年，提供就业职位443个，达纲年综合节能量46.87吨标准煤/年，项目总节能率29.16%，具有显著的经济效益、社会效益和节能效益。陶瓷项目可行性研究报告
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