充电芯片FP8101车充线性IC

常见芯片封装类型的汇总

常见芯片封装类型的汇总芯片封装，简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上，再把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用，相当于是芯片的外壳，不仅能固定、密封芯片，还能增强其电热性能。所以，封装对CPU和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。今天，与非网小编来介绍一下几种常见的芯片封装类型。 DIP双列直插式 DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装结构形式有多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存储器和微机电路等。 DIP封装特点：适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高六倍。现状：但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个。随着CPU内

芯片封装全套整合(图文精选对照)

芯片封装方式大全各种IC封装形式图片 BGA Ball Grid Array EBGA 680L LBGA 160L PBGA 217L Plastic Ball Grid Array SBGA 192L QFP Quad Flat Package TQFP 100L SBGA SC-70 5L SDIP SIP Single Inline Package

TSBGA 680L CLCC CNR Communicatio n and Networking Riser Specification Revision 1.2 CPGA Ceramic Pin Grid Array DIP Dual Inline Package SO Small Outline Package SOJ 32L SOJ SOP EIAJ TYPE II 14L SOT220 SSOP 16L

DIP-tab Dual Inline Package with Metal Heatsink FBGA FDIP FTO220 Flat Pack HSOP28SSOP TO18 TO220 TO247 TO264 TO3

ITO220 ITO3p JLCC LCC LDCC LGA LQFP PCDIP TO5 TO52 TO71 TO72 TO78 TO8 TO92

PGA Plastic Pin Grid Array PLCC 详细规格PQFP PSDIP LQFP 100L 详细规格METAL QUAD 100L 详细规格PQFP 100L 详细规格TO93 TO99 TSOP Thin Small Outline Package TSSOP or TSOP II Thin Shrink Outline Package uBGA Micro Ball Grid Array uBGA Micro Ball Grid

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。电阻率在108Ω?cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。

IC的常见封装形式

IC的常见封装形式常见的封装材料有：塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装。按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。封装的历程变化：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP 1、DIP(DualIn－line Package)双列直插式封装 D—dual两侧双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出 2、SIP(single in-line package)单列直插式封装引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状 3、SOP(Small Out-Line Package) 小外形封装双列表面安装式封装以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路） 4、PQFP（Plastic Quad Flat Package）塑料方型扁平式封装芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。适用于高频线路，一般采用SMT技术应用在PCB板上安装

5、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装 QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形 6、QFN(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN 7、PGA(Pin Grid Array Package)插针网格阵列封装插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈阵列状排列，一般要通过插座与PCB板连接。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 8、BGA(Ball Grid Array Package)球栅阵列封装其底面按阵列方式制作出球形凸点用以代替引脚。适应频率超过100MHz，I/O 引脚数大于208 Pin。电热性能好，信号传输延迟小，可靠性高。

电子元件分类与编码标准

电子元件分类与编码标准为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明：ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ｜｜｜｜｜空位（环保区分时备用）｜｜｜｜误差/封装信息/引脚数/修正编号/空位｜｜｜｜｜｜元件种类/电气参数/型号｜｜供应商名代码｜物品代码注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变电容CP继电器RL 线圈CL

电子元器件的命名

电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.360docs.net/doc/4415792730.html,掌柜）电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.

常见元件的封装形式

常见元件的封装形式对于集成电路芯片来说，常见的封装形式有DIP(即双列直插式)，根据封装材料的不同，DIP封装又可以分为PDIP(塑料双列直插式)和CDIP(陶瓷双列直插式)； SIP(即单列直插式)；SOP(即小尺寸封装)；PQFP(塑料四边引脚扁乎封装)；PLCC(塑料有引线芯片载体封装)和LCCC(陶瓷无引线芯片载体封装)；PGA(插针网格阵列)、BGA(球形网格阵列)等。对于具体型号的集成电路芯片来说，其封装形式是固定的，如74系列集成电路芯片，一般采用DIP 封装形式，只有个别芯片生产厂家提供两种或两种以上封装形式。对于分立元件(如电阻、电容、电感)来说，元件封装尺寸与元件大小、耗散功率、安装方式等因素有关。 1.电阻器常用的封装形式电阻器常用的封装形式是AXIALO·3～AXIALl·0，对于常用的1／81r小功率电阻来说，可采用AXlALO·3或AXIALO·4(即两引线孔间距为0·762～1·016cm)：对于1／4W电阻来说，可采用AXlALO·5(即两引线孔间距为1·27cm)，但当采用竖直安装时，可采用AXlALO·3。 2.小容量电解电容的封装形式小容量电解电容的封装形式一般采用RB·2／．4(两引线孔距离为0·-2英寸，而外径为0．4英寸)到RB．5／1·0(两引线孔距离为O·5英寸，而外径为1·0英寸)。对于大容量电容，其封装尺寸应根据实际尺寸来决定。 3.普通二极管封装形式普通二极管封装形式为DIODEO·4～DIODEO·7。 4.三极管的封装形式三极管的封装形式由三极管型号决定，常见的有T0-39、T0-42、T0-54、TO-92A、TO-92B、T0-220等。对于小尺寸设备，则多采用表面安装器件，如电阻、电容、电感等一股采用SMC线封装方式；对于三极管、集成电路来说，多采用SMD封装方式。进行电原理图编辑和印制板设计时，器件型号完全确定后，可以从器件手册查到封装形式和尺寸，或测绘后用PCBLib编辑器创建元件的封装图。当用户实在无法确定时，也可以在PCB编辑器窗口内，单击元件“放置工具"，再单击“测览”按钮，从Advpcb·ddb元件封装图形库中找出所需元件的封装形式。

(整理)元器件封装命名规则ds.

精品文档精品文档目次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计元器件封装命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、无非军用品。第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

芯片常用封装及尺寸说明

A、常用芯片封装介绍来源：互联网作者：关键字：芯片封装 1、BGA 封装(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配 LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚 LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比 QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为 1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚 QFP 为 40mm 见方。而且 BGA 不用担心 QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国 Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些 LSI 厂家正在开发500 引脚的 BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国 Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为 OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见 OMPAC 和 GPAC)。 2、BQFP 封装(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见 QFP)。

PCB元件库SCH元件库命名规则

PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插）用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片）用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管

芯片封装形式

芯片封装形式芯片封装形式主要以下几种：DIP，TSOP，PQFP，BGA，CLCC，LQFP，SMD，PGA，MCM，PLCC等。 DIP DIP封装（Dual In-line Package），也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP封装具有以下特点： ?适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 ?芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 ?最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 ?在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。 DIP还是拨码开关的简称，其电气特性为 ●电器寿命:每个开关在电压24VDC与电流25mA之下测试,可来回拨动2000次； ●开关不常切换的额定电流:100mA,耐压50VDC ； ●开关经常切换的额定电流:25mA,耐压24VDC ； ●接触阻抗:(a)初始值最大50mΩ；(b)测试后最大值100mΩ； ●绝缘阻抗:最小100mΩ,500VDC ； ●耐压强度:500VAC/1分钟； ●极际电容:最大5pF ； ●回路:单接点单选择:DS(S),DP(L) 。 TSOP 到了上个世纪80年代，内存第二代的封装技术TSOP出现，得到了业界广泛的认可，时至今日仍旧是内存封装的主流技术。TSOP是“Thin Small Outline Package”的缩写，意思是薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动)减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。 TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz 后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。 PQFP PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种芯片封装形式。 BGA BGA封装内存 BGA封装(Ball Grid Array Package)的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分第七部分第八部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或者字母表示分类用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示符号意义符号意义符号意义额定功率阻值允许误差精密等级封装 R 电阻器H 合成膜 1，2 普通 W 电位器S 有机实芯 3 超音频 N 无机实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化膜 7 精密J 金属膜（箔） 8 电阻器-高压 I 玻璃釉膜电位器-特殊 X 线绕9 特殊 G 高功率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器第一部分（材料）第二部分分类（第三部分）（用数字或者字母直接表示）第四部分（用数字或者字母直接表示）第五部分（用数字或者字母直接表示）第六部分符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容器C 高频瓷 1 圆片非密封非密封箔式T 低频瓷 2 圆形非密封非密封箔式I 玻璃釉 3 叠形密封密封烧结粉液体O 玻璃膜 4 独石密封密封烧结粉固体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母纸 6 支柱等无极性Z 纸介7 J 金属化纸 8 高压高压高压 D 铝电解 9 特殊特殊 A 钽电解 G 高功率 N 铌电解 W 微调 Q 漆膜 G 合金电解 E 其它电解材料 B 聚苯乙烯等非极性有机薄膜 L 聚酯等极性有机薄膜 H 复合介质

元器件封装命名规范

前言概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名

1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)

2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则 2，电容器

5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

芯片封装类型图解

集成电路封装形式介绍(图解） BGA BGFP132 CLCC CPGA DIP EBGA 680L FBGA FDIP FQFP 100L JLCC BGA160L LCC

LDCC LGA LQFP LQFP100L Metal Qual100L PBGA217L PCDIP PLCC PPGA PQFP QFP SBA 192L TQFP100L TSBGA217L TSOP

CSP SIP:单列直插式封装.该类型的引脚在芯片单侧排列,引脚节距等特征和DIP基本相同.ZIP:Z型引脚直插式封装.该类型的引脚也在芯片单侧排列,只是引脚比SIP粗短些,节距等特征也和DIP基本相同. S-DIP:收缩双列直插式封装.该类型的引脚在芯片两侧排列,引脚节距为1.778mm,芯片集成度高于DIP. SK-DIP:窄型双列直插式封装.除了芯片的宽度是DIP的1/2以外,其它特征和DIP相同.PGA:针栅阵列插入式封装.封装底面垂直阵列布置引脚插脚,如同针栅.插脚节距为2.54mm或1.27mm,插脚数可多达数百脚. 用于高速的且大规模和超大规模集成电路. SOP:小外型封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,字母L状.引脚节距为 1.27mm. MSP:微方型封装.表面贴装型封装的一种,又叫QFI等,引脚端子从封装的四个侧面引出,呈I字形向下方延伸,没有向外突出的部分,实装占用面积小,引脚节距为1.27mm. QFP:四方扁平封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈L字形,引脚节距为 1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引脚可达300脚以上. SVP:表面安装型垂直封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的一个侧面引出,引脚在中间部位弯成直角,弯曲引脚的端部和PCB键合,为垂直安装的封装.实装占有面积很小.引脚节距为0.65mm,0.5mm. LCCC:无引线陶瓷封装载体.在陶瓷基板的四个侧面都设有电极焊盘而无引脚的表面贴装型封装.用于高速,高频集成电路封装. PLCC:无引线塑料封装载体.一种塑料封装的LCC.也用于高速,高频集成电路封装. SOJ:小外形J引脚封装.表面贴装型封装的一种,引脚端子从封装的两个侧面引出,呈J字形,引脚节距为 1.27mm. BGA:球栅阵列封装.表面贴装型封装的一种,在PCB的背面布置二维阵列的球形端子,而不采用针脚引脚. 焊球的节距通常为1.5mm,1.0mm,0.8mm,和PGA相比,不会出现针脚变形问题. CSP:芯片级封装.一种超小型表面贴装型封装,其引脚也是球形端子,节距为0.8mm,0.65mm,0.5mm等. TCP:带载封装.在形成布线的绝缘带上搭载裸芯片,并和布线相连接的封装.和其他表面贴装型封装相比,芯片更薄,引脚节距更小,达0.25mm,而引脚数可达500针以上. 介绍：

电气元件命名规则

一、互感器命名互感器的种类: 油浸式电流互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下浇注式电流互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下发电机组用电流互感器发电机组用电流互感器发电机母线用电流互感器发电机母线用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器 GIS组合电器用电流互感器干式电流互感器干式电流互感器油浸式电压互感器 110kV及以上35-60kV27.5kV及以下浇注式电压互感器 27.5kV及以上15-20kV10kV及以下组合式互感器组合式互感器零序电流互感器零序电流互感器电容式电压互感器电容式电压互感器 SF6气体电流互感器 SF6气体电流互感器互感器型号字母含义: LCZ-35Q L 电流互感器 Current transformer C 手车式 Handcart type Z 浇注式 Casting type 35 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDZB6-10Q L 电流互感器 Current transformer D 单匝式 Z 浇注式 Casting type B 带保护级 Wity protective class 6 设计序号 Design Number 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号 Structure code LDJ2-10 L 电流互感器 Current transformer D 带触头盒 J 加强型 Reinforced type 6 设计序号 Design Number 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV) LFSQ-10Q L 电流互感器 Current transformer F 封闭式 Hermetical type S 手车式 Handcart type Q 加强型 Reinforced type 10 额定电压（kV） Highest voltage for equipment(kV)

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式

半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。电阻率在108Ω?cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：