01253759.4半导体放电管半导体芯片

SMA半导体放电管规格书

PXXXXAA SERIES Over-voltage Protection Thyristor HIGHFAR PxxxxAA Series Do-214AC are designed to protect baseband equipment such as modems,line cards,CPE and DSL from damaging overvoltage transients. The series provides a surface mount solution that enables equipment to comply with global regulatory standards.Features * Low voltage overshoot * Low on-state voltage * Does net degrade with use * Fails short citcuit when surged in excess of ratings * Low Capacitance Pinout Designation Schematic Symbol Dot Applicable Electrical Parameters Peak Off-state Voltage - maximum voltage that can be applied while Revosion:17-Oct-11 1/4 C O V PP I PP Parameter I DRM I S I T I H V S V T Definition Switching Voltage - maximum voltage prior to switching to on state On-state Voltage - maximum voltage measured at rated on-state current Leakage Current - maximum peak off-state current measured at V DRM V DRM maintaining off state Switching Current - maximum current required to switch to on state On-state Current - maximun rated continuous on-state current Holding Current - minimum current required to maintain on state Off-state Capacitance - typical capactiance measured in off state Peak Pulse Voltage - maximum rated peak impulse voltage Peak Pulse Current - maximum rated peak impulse current

放电管介绍及选型(详解)

放电管特性及选用吴清海放电管的分类放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。气体放电管气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu 焊片和惰性气体组成。在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生电子雪崩现象，另外，电离出来的阳离子也在电场作用下向阴极运动，与阴极表面发生碰撞，产生二次电子，二次电子也参加电离作用，一旦满足： r(ead-1)=1 时放电管由非自持放电过渡到自持放电，管内气体被击

半导体放电管检测及测试方法

半导体放电管检测要求及测试方法 1 本要求遵循的依据 1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》 1.2YD/T694—1999《总配线架》 1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件 2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。 2.2在标准大气条件下进行试验 2.2.1温度：15～35℃ 2.2.2相对湿度：45％～75％ 2.2.3大气压力：86～106Ｋpa 所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃ 相对湿度：45％～75％大气压力：86～106Ｋpa 在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。 2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。 3 检测要求和测试方法 3.1外形检查 3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。 3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。 3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。 3.1.4产品标志应清晰耐久 3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用 3.2直流击穿电压测试 3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。 3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。 3.2.3试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。试验电路如图1、图2所示。图 1 电压上升速率的范围 a) 电压上升速率为100KV/S 注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。

放电管介绍及选型(详解)

放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。气体放电管气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu焊片和惰性气体组成。在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生

P0080SB系列半导体放电管固体放电管

THYRISTOR SURGE SUPPRESSER DESCRIPTION DO 214AA SMB Thyristor solid state protection thyristor protect telecommunications equipment such as modems -/,line cards fax machines and other CPE ,,. This Series devices are used to enable equipment to meet various regulato-ry requirements including GR1089ITU-,K 20K 21and K 45IEC 60950and TIA 968formerly known as FCC Part 68.,..,,-(). FEATURES >Excellent capability of absorbing transient surge >Quick response to surge voltage >Eliminates overvoltage caused by fast rising transients >Non degenerative DO-214AA PACKAGE PART NUMBER AND ELECTRICAL PARAMETER @ T=25RH = 45%-75% ℃

PART NUMBERING AND MARKING SYSTEM P 3100 SB (1) Thyristor Surge Suppresser (2) Series: 0080, 0300, 0800, 1800, 2300, 2600, 3100, 3500,4200 etc.(3) Package : SMB 10/700uS:4KV (1) (2) (3) SEMIWILL LOGO Part Number DIMENSIONS SOLDERING PARAMETERS SMB/DO-214AA

半导体放电管和气体放电管的基础知识

半导体放电管和气体放电管的基础知识气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，目前的气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为优化选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，能根据使用系统的要求进行调整优化。这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的。气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。从结构上讲，可将气体放电管看成一个具有很小电容的对称开关，在正常工作条件下它是关断的，其极间电阻达兆欧级以上。当浪涌电压超过电路系统的耐压强度时，气体放电管被击穿而发生弧光放电现象，由于弧光电压低，仅为几十伏，从而可在短时间内限制了浪涌电压的进一步上升。气体放电管就是利用上述原理来限制浪涌电压，对电路起过压保护作用的。随着过电压的降低，通过气体放电管的电流也相应减少。当电流降到维持弧光状态所需的最小电流值以下时，弧光放电

停止，放电管的辉光熄灭。气体放电管主要用来保护通信系统、交通信号系统、计算机数据系统以及各种电子设备的外部电缆、电子仪器的安全运行。气体放电管也是电路防雷击及瞬时过压的保护元件。气体放电管具有载流能力大、响应时间快、电容小、体积小、成本低、性能稳定及寿命长等特点;缺点是点燃电压高，在直流电压下不能恢复截止状态，不能用于保护低压电路，每次经瞬变电压作用后，性能还会下降。半导体放电管也称固体放电管是一种PNPN元件，它可以被看作一个无门电极的自由电压控制的可控硅，当电压超过它的断态峰值电压或称作雪崩电压时，半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的开关电压或称转折电压值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态。只有在当电流小于维持电流时，元件才会复位并恢复到它的高阻抗状态。半导体放电管的优点包括它的快速响应时间，稳定的电气性能参数以及长期使用的可靠性。其响应速度是气体放电管的千分之一，而寿命是气体放电管的10倍以上。半导体放电管是负阻元件，其能量转移特性使之不会被高电压是你坏。这一点是远胜于TVS二极管的。另一方面，半导体放电管也能做到较高的浪涌电流和很低的电容值。半导体放电管主要用作电子通讯和数据通讯电路的首级和二级过电压保护器。一、半导体放电管的结构和工作原理

半导体放电管2SA的培训内容

2SA器件相关知识培训内容一、2SA器件相关术语及基本特性；二、器件制造工艺介绍；三、产品品质控制方法；四、器件常规检测方法及参考标准；五、使用的标准与国际标准符合性介绍；六、器件寿命分析；七、器件保存和使用的注意事项。

一、2SA器件相关术语及基本特性 1、产品名称：过电压保护用半导体管。简称：半导体放电管，也有称固体放电管。 2、2SA110-J型号说明： “2”——器件的电极数目 “SA”——过电压保护用半导体管（Semiconductor arrester for the over-voltage protection of telecommunications installations） “110”——产品系列号 “J”——表示夹持安装 3、过电压保护用半导体管的定义：当在两个电极上施加的电压超过额定值时迅速变成低阻（导通）状态，电压撤消后又恢复成高阻状态且正反特性一致的器件。相关语术：最高限制电压——在规定上升速率的电压冲击下半导体管上允许出现的最高电压。不动作电压——半导体放电管保持高阻状态时所能承受的最高电压。标称冲击电流——半导体放电管正常工作所允许通过的额定脉冲电流（峰值）。标称工频电流——半导体放电管正常工作时所允许通过的频率为50HZ的额定交流电流（有效值） 4、SA110-J型放电管的结构如图1所示：图1 1——上、下两个电极；2——封装材料（环氧树脂）；3——半导体芯片放电管的电性能是由半导体芯片生成的。半导体放电管芯片的结构如图2所示：

图2 图3 根据芯片结构图可以画出等效电路图3 图2中P1和P11、P2和P22实际上是同一工艺步骤形成的相同区域，为了清楚分析而特定划分开的。当外加电压施于A1、A2两电极之间，设若A1为正电压，A2为负电压时，PN结J1为正向偏置，呈低阻抗，而PN结J2为反向偏置，呈高阻抗。此时所有的晶体管Q1~Q4皆被截止。放电管呈开路状态。但是当外加电压不断增高，达到和超过PN结J2的击穿电压V BR时，J2立即发生雪崩击穿，有电流通过P2和P22区域并在其上产生电压降。当P22与N2间结上的电压差接近0.6V时，Q2晶体管的发射极N2有电子注入基区P22，晶体管Q2开始动作并有放大作用。电流经过反复放大，于是Q1、Q2迅速进入深饱和区，使A1与A2之间导通，其间的残压可达到3.5V以下，外加的高电压迅即释放。从而起到过电压保护作用，随着外加高电压泄放完毕，晶体管重又自动恢复到截止状态。由于放电管芯片结构上上下完全对称，因此，反过来A1端为负、A2端为正，动作过程与上述完全类似。半导体放电管伏安特性曲线如图4所示：

放电管原理及选型使

放电管的原理及选型使 1、产品简述陶瓷气体放电管（Gas Tube)是防雷保护设备中应用最广泛的一种开关器件，无论是交直流电源的防雷还是各种信号电路的防雷，都可以用它来将雷电流泄放入大地.其主要特点是：放电电流大,极间电容小（≤3pF），绝缘电阻高(≥109Ω），击穿电压分散性较大（±20％），反应速度较慢（最快为0.1～0.2μs）。按电极数分，有二极放电管和三极放电管（相当于两个二极放电管串联）两种。其外形为圆柱形,有带引线和不带引线两种结构形式（有的还带有过热时短路的保护卡）。 2、工作原理气体放电管由封装在充满惰性气体的陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成。其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是氖或氩, 并保持一定压力,电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。这些措施使得动作电压可以调整(一般是70伏到几千伏)，而且可以保持在一个确定的误差范围内。当其两端电压低于放电电压时，气体放电管是一个绝缘体（电阻Rohm〉100MΩ).当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电,气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗, 使其两端电压迅速降低,大约降几十伏。气体放电管受到瞬态高能量冲击时，它能以10—6秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达数十千安的浪涌电流. 3、特性曲线

Vs导通电压, Vg辉光电压，Vf弧光电压，Va熄弧电压 4、主要特性参数 ①直流击穿电压Vsdc：在放电管上施加100V/s的直流电压时的击穿电压值.这是放电管的标称电压，常用的有90V、150V、230V、350V、470V、600V、800V等几种，我们有最高3000V、最低70V的。其误差范围：一般为±20％，也有的为±15％。 ②脉冲（冲击）击穿电压Vsi：在放电管上施加1kV/μs的脉冲电压时的击穿电压值。因反应速度较慢，脉冲击穿电压要比直流击穿电压高得多。陶瓷气体放电管对低上升速率和高上升速率电压的响应如下图所示。 ③冲击放电电流Idi：分为8/20μs波(短波）和10/1000μs波（长波）冲击放电电流两种。常用的是8/20μs波.冲击放电电流又分为单次冲击放电电流（8/20μs波冲击1次)和标称冲击放电电流（8/20μs波冲击10次），一般后者约为前者的一半左右,有2.5 kA、5 kA、10 kA、20 kA……等规格。

半导体放电管工作原理及选型应用

半导体放电管工作原理及选型应用 Socay（Sylvia） 1、产品简述半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。 2、工作原理 ?反向工作状态（K端接正、A端接负） ?正向工作状态（A端接正、K端接负） ①阻断区：此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。 ②雪崩区：当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。 ③负阻区：当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。另一

方面，J1、J3结的正向电压却有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。 ④低阻通态区：如上所述，雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小；同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压全部被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。 3、特性曲线 4、主要特性参数 ①断态电压VRM与漏电流IRM：断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。

半导体放电管T0-92直插

A.General Description 简要概述半导体放电管器件专门用来防止敏感的电信设备、POS 终端、基站设备、网络视频等设备出现由闪电、电源接触和电源感应引起的过压故障危险。它们具有高电气浪涌抑制能力，有助于防止瞬间故障和断开状态的高阻抗，使系统的正常运行过程变得实际上更加透明。广泛应用在：网络通迅及消费类电子产品、高速数据传输设备（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC 等）。经典应用：电话信号接口防护、RS485、RS232、RS422 等数据接口。产品特点产品特点:: 精确导通电压、快速响应超强的浪涌处理能力双向对称,可靠性高安装简便，器件体积小分SMA、SMB 贴片型/DO-15、TO-92直插型符合ROHS 要求满足通信产品标准要求 T0-92 B.Dimension 产品尺寸

C.Specification电气特性 D.Surge Ratings浪涌额定值 B级2502502501008030500 C级50040040015010050500 E.Product Terminology产品术语 Electrical Parameters电气参数 V DM:Repetitive peak Off-state Voltage最高峰值电压，器件可保持关断状态，也即：不正作峰值电压 VBo:Switching Voltage半导体雪崩或开关切换动作电压 Ipp：Surge Ratings最大额定峰值脉冲电流 I DM：Off-state current在V DM下最大泄漏电流值

I H Min ：Minimum Holding current 导通状态最小电流C ：O ff-state Capacitance 不工作状态下器件电容值di/dt ：Rate of Rise of Current 电流上升率dv/dt ：Rate of Rise of Voltage 电压上升率 F.Thermal Considerations 温度特性考虑封装形式 Symbol 符号 Parameter 参数 Value 值TO-92 T J Operating Junction Temperature Range 工作温度范围-40~+150℃T S Storage Temperature Range 贮存温度范围-55~+150℃R ?JA Thermal Resistance:Junction to Ambient 90℃/W

半导体放电管

JKS’S TSS -1-

CONTENTS Contents (2) High Reliability Experiment Lis t…………………………………………3-4 SMA(DO-214AC)Series…………………………………………………5-9 SMB(DO-214AA)Series…………………………………………………10-14 TO-92Series…………………………………………………15-19 DO-41/15/27Series…………………………………………………20-25 -2-

High reliability Experiment List可靠性试验项目 NO. Experiment Item Time or Cycle Experiment Conditions Reference 1High Temperature Reverse Bias 96-180H ①T A=125±5℃forO/J ②T A=150±5℃for GPP Bias=80%VR for all MIL-STD-750D METHOD-1038 2Steady-state Operation Life 168-1000H Rated average rectifier current IO=IF(AV)@TA=25℃ MIL-STD-750D METHOD-1027 3HT Storage168-1000H TA=150±5℃MIL-STD-750D METHOD-1031 4Intermittent Operation Life 1000CYCLE ON=5Min with rated IO MIL-STD-750D METHOD-1036 5Temperature Cycling(air to air) 10CYCLE TH=150+3/-0℃10Min TL=-55+0/-3℃10Min Transfer time=5min MIL-STD-750D METHOD-1051 6Thermal Shock10CYCLE 0℃/5MIN 100℃/5MIN MIL-STD-750D METHOD-1056 7Soldering Heat10SEC260±5℃MIL-STD-750D METHOD-1031 High reliability Experiment List可靠性试验项目 -3-

半导体过压保护器件和它的应用

半导体过压保护器件和它的应用它造成的后果有以下几个方面。一个是造成部分或整体的损坏，第二种是干扰正常的功能，无法完成正常使用效果，最严重的可能会加速设备老化，缩短寿命。雷击有三个渠道，通过这三个渠道可以对我们的设备造成损害，一种是雷击在我们室外传输线附近感受雷击的话，会通过传输线进到我们的设备，如果雷击到我们设备地线的时候，导致我们地电位的上升，导致设备的损坏，第三种还有雷在附近爆炸，通过电子脉冲的方式辐射到设备中，也会造成损坏。雷击的浪涌电压有两个特点，一个电压会很高，电流也很大，但是它的作用时间会非常的短，这是雷电流的一种，一种是直击雷，一种耦合雷，对应雷的电流是不一样。工业过电压就不说了，大概是这么几种情况。静电也是我们需要防护的一个很重要的方面，尤其是半导体用来做防静电效果非常好，这是核磁脉冲。哦对了，先自我介绍一下，大家好刘建朝，今天我是简单跟大家介绍一下半导体的保护器件，大概分这么几个方面，首先介绍一下浪涌的来源，大概分四种，作为保护来说，研究比较多的一个是雷击，一个是静电，这个主要是军用的，遇到的情况比较少，大部分是大电流的，保护不是半导体考虑的，我们更考虑雷击和静电。谢谢！同时感谢本次电路保护与电磁兼容研讨会的主办方中国电子展(https://www.360docs.net/doc/4415862933.html,)、电子元件技术网(https://www.360docs.net/doc/4415862933.html,) 和我爱方案网(https://www.360docs.net/doc/4415862933.html,)！ ESD的产生根据这几种模型大概分成以下几种。最常用的就是人体放电的模型，机器放电的模型，主电充电的模型，还有电场感应的模型。它的危害也很大，会造成设备损坏，影响可靠性，每年造成的损失是相当可观的，机理大概分这么几部分，失效机理会造成这儿几个，第一个是二次击穿，一个是金属层的熔化，介质击穿，气弧的放电，还有其它的击穿方式。一些静电保护投入会有很高的回报。下面一个是它的标准，我们谈保护，大家用的最高的标准就是电工协会的标准，我们的国标跟这个基本上差不多，这是我们已经有的ESD保护的器件，我们分成两大类，一个纯ESD保护，有一种是ESD、EMI的滤波器在一起的保护，这个纯ESD保护又分几种，一种单路，一种阵列的，一种低电容的，种类很多，最小的大概一个毫米都不到，还有多路的，然后低电容的，低电容最新已经做到0.5个PF，半导体的ESD保护器件，有ESD 的保护，还有滤波器，都是半导体的保护。讲一下它的选型，TVS的选型可能要考虑几个方面，一个是击穿电压的选择，我们大概有这么一个准则，有单向的，有双向的。第二个是钳位电压的选择，第三个是浪涌功率的选择，第四个是极间电容的选择，因为现在通讯越来越快，电容大家选TVS电容要注意的地方，选择不好会有很多不良的影响。这是我们给出来的一个极间电容与工作频率的关系，你的工作频率是多少？你要选它的电容，要小到什么程度？这样让保护器件不至于对你电路造成不良的影响。

(完整版)三种类型的放电管性能比较

左右，在它未导通前，会有一个幅度较大的尖脉冲漏过去。若要抑制这个尖脉冲，有以下几种方法：a、在放电管上并联电容器或压敏电阻；b、在放电管后串联电感或留一段长度适当的传输线，使尖脉冲衰减到较低的电平；c、采用两级保护电路，以放电管作为第一级，以TVS管或半导体过压保护器作为第二级，两级之间用电阻、电感或自恢复保险丝隔离。 2、陶瓷气体放电管击穿电压一致性较差，离散性较大，误差为±20%。一般不作并联使用。 3、直流击穿电压（DC-Spark-over Voltage）的选择：直流击穿电压的最小值应大于被保护线路的最大工作电压的1.2倍以上。 4、脉冲击穿电压（Impulse Spark-over Voltage）的选择：脉冲击穿电压要考虑浪涌防护等级，例如采用10/700μs的波形试验电压4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通，起到保护作用。单纯从线路保护来讲，脉冲击穿电压越低，线路保护效果越好。实际上，选定了GDT的直流击穿电压，它的脉冲击穿电压也随之确定了。

5、冲击放电电流（通流量）的选择：要根据线路上可能出现的最大浪涌电流或需要防护的最大浪涌电流来选择。 6、续流问题：为了使放电管在冲击击穿后能正常熄弧，在有可能出现续流的地方（如有源电路中），可以在放电管上串联压敏电阻或自恢复保险丝等限制续流，使它小于放电管的维持电流。二、玻璃气体放电管： SPG（Spark Gap Protectors），玻璃气体放电管，也称强效气体放电管。 1、反应速度快（与陶瓷气体放电管不同，不存在冲击击穿的滞后现象）。SPG 内部由半导体硅集成，在动作时，当外加电压增大至超过惰性气体的绝缘强度后，由于半导体硅的不稳定性作用，会使两极间的放电发展更为迅速。因此：玻璃气体放电管的反应速度比陶瓷气体放电管要快。 2、通流容量较陶瓷气体放电管小得多。 3、击穿电压尚未形成系列值。 4、击穿电压分散性较大，为±20%。三、半导体放电管： TSS（Thyristor Surge Suppressors），浪涌抑制晶闸管，也称半导体放电管。 1、半导体放电管电容较大，有几十至几百pF。 2、击穿电压精度高。 AC220V电源防护方案 1、陶瓷气体放电管： GDT1/GDT2：型号：UN2E5-600LL；直流标称电压（V）：600±20%；冲击电流（8/20μs）：5KA；Cp：＜1pF；电阻：＞1GΩ；备注：中防护级别。 GDT1/GDT2：型号：UN2E8-600ML；直流标称电压（V）：600±20%；冲击电流（8/20μs）：10KA；Cp：＜1pF；电阻：＞1GΩ；备注：高防护级别。 2、压敏电阻：MOV1/MOV2/MOV3：型号：14D561K；压敏电压（@1mA）：504V-616V；突破电流耐量（8/20μs）：4500A；最大抑制电压（@5A）：925V；备注：中防护级别。型号：20D561K；压敏电压（@1mA）：504V-616V；突破电流耐量（8/20μs）：6500A；最大抑制电压（@5A）：925V；备注：高防护级别。

Thyristor半导体放电管DO-15封装系列

Description of Part Number P thyristor for circuit protection Part Number P 310 0 L B Code ① ② ③ ④ ⑤ Main Suffix ① PRODUCT TYPE Product type P TYPE ② MEDIAN VOLTAGE RATING Code Median voltage rating 310 310 V ③ CONSTRUCTION VARIABLE Code Product shape 0 One chip 1 Unidirectional part 2 Two chips 3 Three chips ④ PACKAGE TYPE Code PACKAGE TYPE E TO–92 M D O -27 S S M B/DO–214AA R S M A/DO-214AC L DO-15 ⑤ IPP RATING Code IPP RATING B 250 A (8x 20 μs) C 400 A (8x 20 μs) D 1000 A (8x20 μs) A 150 A (8x20 μs) Applications When protecting telecommunication circuits, P devices are connected across Tip and Ring for metallic protection and across Tip and Ground and Ring and Ground for longitudinal protection. They typically are placed behind some type of current-limiting device. Common applications include: ? Central office line cards (SLICs) ? T-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment ? Customer Premises Equipment (CPE) such as phones, modems, and caller ID adjunct boxes ? PBXs, KSUs, and other switches ? Primary protection including main distribution frames, five-pin modules, building entrance equipment, and station protection modules ? Data lines and security systems ? CATV line amplifiers and power inserters ? Sprinkler systems Thyristor/DO-15 Ser ies REV.2014.05.01 01 | spsemi

气体放电管的工作原理

气体放电管的工作原理一般我们常说的放电管有半导体放电管、气体放电管，放电管常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。放电管的优点：绝缘电阻很大，寄生电容很小，放电管的缺点：在于放电时延(即响应时间)较大，动作灵敏度不够理想，对于波头上升陡度较大的雷电波难以有效地抑制气体放电的放电管的工作原理：当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平。五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同，有较好的放电对称性，可适用于多线路的保护。（常用于通信线路的保护）两极放电管的放电分散性比较大，在使用两极放电管时，可能将共模过电压转变为差模过电压。系统中加在放电管两端的系统正常运行电压应低于维持放电的电压，否则会产生续流问题。维持辉光放电的电压值比维持弧光放电的电压值要大。

维持管子放电的电压值的测量方法。不同品种的放电管，其维持放电电压值的差异是比较大的。一般在实际应用中，在辉光放电区不容易产生续流，在电弧区可能产生续流（因为要维持电弧区的续流所需要的电压值比维持辉光放电的电压值要小），这时候就要采取限流措施（如可以使用正温度系数的电阻，熔断器，与压敏电阻串联使用）。响应时间从暂态过电压开始作用于放电管两端的时刻到管子实际放电时刻之间有一个延迟时间，该时间就称为响应时间。响应时间的组成：一是管子中随机产生初始电子-离子对带电粒子所需要的时间，即统计时延；二是初始带电粒子形成电子崩所需要的时间，即形成时延。为了测得放电管的响应时间，需要用固定波头上升陡度du/dt的电压源加到放电管两端测取响应时间，取多次测量的平均值作为该管子的响应时间。限压电路二极和三极放电管保护性能的比较如果A-G极间先放电，在管子内部由气体游离所产生的自由电子会迅速在B-G极间引起碰撞游离，使B-G很快放电,当B-G间截止放电后，由于大量带电粒子（电子和离子）的复合作用，使管内的电子数量大为减小，

防雷电路中的元器件气体放电管

防雷电路中的元器件气体放电管气体放电管是一种开关型保护器件，工作原理是气体放电。当两极间电压足够大时，极间间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，类似短路。导电状态下两极间维持的电压很低，一般在20～50V，因此可以起到保护后级电路的效果。气体放电管的主要指标有：响应时间、直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量、绝缘电阻、极间电容、续流遮断时间。气体放电管的响应时间可以达到数百ns以至数 s，在保护器件中是最慢的。当线缆上的雷击过电压使防雷器中的气体放电管击穿短路时，初始的击穿电压基本为气体放电管的冲击击穿电压，放电管击穿导通后两极间维持电压下降到20～50V；另一方面，气体放电管的通流量比压敏电阻和TVS管要大，气体放电管与TVS等保护器件合用时应使大部分的过电流通过气体放电管泄放，因此气体放电管一般用于防护电路的最前级，其后级的防护电路由压敏电阻或TVS管组成，这两种器件的响应时间很快，对后级电路的保护效果更好。气体放电管的绝缘电阻非常高，可以达到千兆欧姆的量级。极间电容的值非常小，一般在5pF以下，极间漏电流非常小，为nA级。因此气体放电管并接在线路上对线路基本不会构成什么影响。气体放电管的续流遮断是设计电路需要重点考虑的一个问题。如前所述，气体放电管在导电状态下续流维持电压一般在20～50V，在直流电源电路中应用时，如果两线间电压超过15V，不可以在两线间直接应用放电管。在50Hz交流电源电路中使用时，虽然交流电压有过零点，可以实现气体放电管的续流遮断，但气体放电管类的器件在经过多次导电击穿后，其续流遮断能力将大大降低，长期使用后在交流电路的过零点也不能实现续流的遮断；还存在一种情况就是如果电流和电压相位不一致，也可能导致续流不能遮断。因此在交流电源电路的相线对保护地线、相线对零线以及相线之间单独使用气体放电管都不合适，当用电设备采用单相供电且无法保证实际应用中相线和中线不存在接反的可能性时，中线对保护地线单独使用气体放电管也是不合适的，此时使用气体放电管需要和压敏电阻串联。在交流电源电路的相线对中线的保护中基本不使用气体放电管。

半导体放电管TSS的概述以及选用方法

半导体放电管TSS的介绍以及应用领域概述：半导体放电管TSS是基于开关型晶闸管原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免受瞬间雷电和过电压的冲击而造成的损坏。高端的固体放电管产品采用了先进的离子注入技术和玻璃钝化工艺，产品具有准确导通、响应速度快、浪涌吸收能力强、可靠性高、稳定性强等特点。应用领域：由于半导体放电管的开关特性和稳定性等产品优势，因此被广泛应用于交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、ADSL、G-PON、通讯接口、通讯发射设备等一切需要过电压保护的领域，以保护其后端的芯片免受瞬态过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，半导体放电管已经成为通讯和消费类电子行业过压保护的首选分立器件。半导体放电管的正确选用方法： 1、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压 (150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择

VBR大于153V的器件。 2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。 3、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。 4、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。 5、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。本文由深圳市瑞隆源电子有限公司提供，专业制造各种防雷器，避雷器，放电管，陶瓷气体放电管等。

优恩半导体陶瓷气体放电管型号汇总

优恩半导体陶瓷气体放电管型号汇总优恩半导体（UN） UN1206-150ASMD、UN1206-200ASMD、UN1206-230ASMD、UN1 206-300ASMD、UN1206-350ASMD、UN1206-400ASMD、UN1206-420 ASMD、UN1206-470ASMD、UN1210-150BSMD、UN1210-200BSMD、U N1210-230BSMD、UN1210-300BSMD、UN1210-350BSMD、UN1210-4 00BSMD、UN1210-420BSMD、UN1210-470BSMD、UN1812-90CSMD、U N1812-150CSMD、UN1812-200CSMD、UN1812-230CSMD、UN1812-3 00CSMD、UN1812-350CSMD、UN1812-400CSMD、UN1812-470CSMD、UN1812-600CSMD、UN2E5-90LSMD、UN2E5-150LSMD、UN2E5-230L SMD、UN2E5-300LSMD、UN2E5-350LSMD、UN2E5-400LSMD、UN2E5 -470LSMD、UN2E5-600LSMD、UN2E5-1000DL、UN2E5-1000D、UN2 E5-1600DL、UN2E5-1600D、UN2E5-2000DL、UN2E5-2000D、UN2E 5-2500DL、UN2E5-2500D、UN2E5-2700DL、UN2E5-2700D、UN2E5 -3000DL、UN2E5-3000D、UN2E5-3500DL、UN2E5-3500D、UN2E6-75LSMD、UN2E6-90LSMD、UN2E6-150LSMD、UN2E6-230LSMD、UN2 E6-300LSMD、UN2E6-350LSMD、UN2E6-400LSMD、UN2E6-470LSMD、UN2E6-600LSMD、UN2E8-75M、UN2E8-75ML、UN2E8-75MSMD、UN2 E8-90M、UN2E8-90ML、UN2E8-90MSMD、UN2E8-150M、UN2E8-15 0ML、UN2E8-150MSMD、UN2E8-230M、UN2E8-230ML、UN2E8-230 MSMD、UN2E8-250M、UN2E8-250ML、UN2E8-250MSMD、UN2E8-30 0M、UN2E8-300ML、UN2E8-300MSMD、UN2E8-350M、UN2E8-350M