半导体技术参数-符号含义(精)

半导体技术参数 -符号含义

来源:生利达成时间:2008-10-30

一、半导体二极管参数符号及其意义

CT---势垒电容

Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流 (正向测试电流。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF (AV ---正向平均电流

IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR (AV ---反向平均电流

IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流(反向测试电流。测试反向电参数时, 给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数;电容比

Q---优值(品质因素

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT (AV ---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于 150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

RF (r ---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加, 呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△ V ,正向电流相应增加△ I , 则△ V/△ I 称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs----串联电阻

Rth----热阻

R(thja----结到环境的热阻

Rz(ru---动态电阻

R(thjc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△ λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降 (正向峰值电压VF---正向压降 (正向直流电压

△ VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF (AV ---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压(反向直流电压

VRM---反向峰值电压(最高测试电压

V (BR ---击穿电压

Vth---阀电压(门限电压

VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压 VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压

Vz---稳定电压

△ Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压(信号电压或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数

Vk---膝点电压(稳流二极管

VL ---极限电压

二、双极型晶体管参数符号及其意义

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容(外电路参数

Co---输出电容

Cob---共基极输出电容。在基极电路中, 集电极与基极间输出电容Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容(外电路参数

Cp---并联电容(外电路参数

BVcbo---发射极开路 , 集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路 , CE 结击穿电压

BVebo--- 集电极开路 EB 结击穿电压

BVces---基极与发射极短路 CE 结击穿电压

BV cer---基极与发射极串接一电阻 , CE 结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于 1时的工作频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地 , 发射极对地开路 ,在规定的 VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地 , 基极对地开路 ,在规定的反向电压 VCE 条件下, 集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo---基极接地 , 集电极对地开路 ,在规定的反向电压 VEB 条件下, 发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻 R , 集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时, 集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地 , 基极对地短路 ,在规定的反向电压 VCE 条件下, 集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地 , 基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压 VCE 下, 集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内 , 能连续地通过基极的直流电流的最大值, 或交流电流的最大平均值

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ISB---二次击穿电流

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---总耗散功率

ESB---二次击穿能量

rbb'---基区扩展电阻 (基区本征电阻

rbb'Cc---基极 -集电极时间常数, 即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地 , 交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地 ,在规定 VCE 、 Ic 或 IE 、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻 (外电路参数

RB---外接基极电阻 (外电路参数

Rc ---外接集电极电阻 (外电路参数

RBE---外接基极 -发射极间电阻 (外电路参数

RL---负载电阻 (外电路参数

RG---信号源内阻

Rth---热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---贮存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---下降时间

ton---开通时间

toff---关断时间

VCB---集电极 -基极(直流电压

VCE---集电极 -发射极(直流电压

VBE---基极发射极(直流电压

VCBO---基极接地 , 发射极对地开路 , 集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地 , 集电极对地开路 , 发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCEO---发射极接地 , 基极对地开路 , 集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地 , 基极与发射极间串接电阻 R , 集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地 , 基极对地短路 , 集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地 , 基极与发射极之间加规定的偏压, 集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp---穿通电压。

VSB---二次击穿电压

VBB---基极(直流电源电压(外电路参数

Vcc---集电极(直流电源电压(外电路参数

VEE---发射极(直流电源电压(外电路参数

VCE(sat---发射极接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下的集电极 -发射极间饱和压降

VBE(sat---发射极接地 ,规定 Ic 、 IB 条件下, 基极 -发射极饱和压降 (前向压降 VAGC---正向自动增益控制电压

Vn(p-p---输入端等效噪声电压峰值

V n---噪声电压

Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF (AV ---正向平均电流

IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR (AV ---反向平均电流

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流(反向测试电流。测试反向电参数时, 给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向(整流电流。在规定条件下, 能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数;电容比

Q---优值(品质因素

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT (AV ---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于 150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs----串联电阻

Rth----热阻

R(thja----结到环境的热阻Rz(ru---动态电阻

R(thjc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△ λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降 (正向峰值电压VF---正向压降 (正向直流电压

△ VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

机械制图中常见的符及意义

机械制图中常见的符号及意义：直度平整度圆度面相交的任何飞机。圆柱度个共同的旋转轴。线轮廓度一条线元素的特征。面轮廓度面。周围标志倾斜度轴。垂直度轴平行度或轴。位置公差不同的真正的（理论上精确）位置。同心度有一个共同的旋转轴。对称度中心平面基准特征。跳动度）的一部分，在基准轴全跳动的部分是通过旋转最大材料状态（三菱）

最小材料状态（落马洲）中也包含了最小（最低）的材料，例子，最大孔尺寸和最小轴径。它的对面是最大材料状态。投影公差区控制孔的垂直度的程度的预测从洞，因为它涉及到交配的一部分清除。投影公差区延伸高于地面的部分功能的针的长度，螺栓，螺钉相对于其组装与交配的一部分。切平面自由状态的变化工过程中的应用直径对的当用在特征控制框架基本尺寸一个基本的层面总是与特征控制框架或基准目标。（理论上精确尺寸标准）参考尺寸检验业务。（辅助尺寸标准）基准特征尺寸源面特征控制框和形式，或位置公差。如果需要，参照基准和改性剂适用于功能或数据也包含在箱。圆锥锥度左。斜坡度左。沉孔或锪平

埋头孔深度深度值之间没有空间。正方形尺寸之间没有空间。相同的地方绘制。电弧长度半径须躺在这个区域。球面半径球形直径公差值置公差可能被用来控制的位置，一个球形特征相对于其他特征的一部分。符号为球形直径之前的尺寸大小的特征和位置公差值，表明一个球形公差带控制半径切向相邻表面。其中一个控制半径是指定的，部分轮廓公差带内的月牙形必定是一个公平的曲线没有单位或逆转。此外，半径在所有点上的部分轮廓不应小于规定的最低限额也不大于最大限度。之间形公差的开始和结束。这些信件是参考使用符号（之间的图纸发到早期版本的标准。统计公差差等于平方根的平方和个别公差）。应用统计公差，公差个别组件可以增加或间隙配合的零件可减少。增加容忍或改进适合可能降低制造成本和提高产品的性能，但只应在适当的统计过程控制将被使用。因此，应考虑到指定所需的处长和其他过程性能指数。

常用数学符号大全

数学符号及读法大全常用数学输入符号：≈≡≠＝≤≥＜＞???±＋－× ÷／∫?ⅴ∞ⅸⅹ∑∏?∩ⅰ??//?‖ⅶ???√（）【】｛｝ⅠⅡ??ⅷαβγδεδεζΓ

符号含义 i -1的平方根 f(x) 函数f在自变量x处的值 sin(x) 在自变量x处的正弦函数值 exp(x) 在自变量x处的指数函数值，常被写作e x a^x a的x次方；有理数x由反函数定义 ln x exp x 的反函数 a x同 a^x log b a 以b为底a的对数； b log b a = a cos x 在自变量x处余弦函数的值 tan x 其值等于 sin x/cos x cot x 余切函数的值或 cos x/sin x sec x 正割含数的值，其值等于 1/cos x csc x 余割函数的值，其值等于 1/sin x asin x y，正弦函数反函数在x处的值，即 x = sin y acos x y，余弦函数反函数在x处的值，即 x = cos y atan x y，正切函数反函数在x处的值，即 x = tan y acot x y，余切函数反函数在x处的值，即 x = cot y asec x y，正割函数反函数在x处的值，即 x = sec y acsc x y，余割函数反函数在x处的值，即 x = csc y ζ角度的一个标准符号，不注明均指弧度，尤其用于表示atan x/y，当x、y、z用于表示空间中的点时 i, j, k 分别表示x、y、z方向上的单位向量(a, b, c) 以a、b、c为元素的向量 (a, b) 以a、b为元素的向量 (a, b) a、b向量的点积 a?b a、b向量的点积 (a?b)a、b向量的点积

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二

极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

机械图纸中常见的符号及意义

机械图纸中常见的符号及意义《机械识图》根据最新的中等职业学校机械制图教学大纲，针对中等职业学校学生在识图知识与技能方面的就业需求编写而成，注重对中等职业学校学生的识图能力培养。《图文对半，直观形象，方便教学。全书共分9个项目：抄画平面图形，三视图的形成与投影作图，基本几何体的视图，绘制与识读组合体视图，识读视图、剖视图和断面图，识读轴套类零件图，识读盘盖轮类零件图，识读叉架类和箱壳类零件图，识读装配图。通过这9个项目将知识点与任务有机地结合，由浅入深，循序渐进，使学生完成技能的训练，达到学以致用的目的。自劳动开创人类文明史以来,图形与语言、文字一样,是人们认识自然、表达和交流思想的基本工具,在图学发展的历史长河中,经过不断地完善和发展得到了广泛的应用。在现代工业生产中,机械、化工或建筑都是根据图样进行制造和施工的。设计者通过图样表达设计意图;制造者通过图样了解设计要求、组织制造和指导生产;使用者通过图样了解机器设备的结构和性能,进行操作、维修和保养。因此机械图样是交流传递技术信息、思想的媒介和工具,是工程界通用的技术语言。作为职业技术教育培养目标的生产第一线的现代新型技能型人才,必须学会并掌握这种语言,具备识读和绘制机械图样的基本能力。从以下几方面可以体现其重要性: 从事机械制造行业就须掌握机械制图 ,学习机械制图感到抽象、困难,其原因之一是习惯于在平面上思考问题,缺乏空间思维能力。在学习过程中教师要有针对性地借助各种媒体,直观、形象地引导学生建立起空间概念,由平面思维转换到空间思维。把物体的投影与实际零件结构紧密联系,不断地“由物画图”和“由图画物”,既要想象物体的形状,又要思考图形间的投影规律,步提高空间想象和思维能力。有了这种能力,在实际工作时,才会通过二维的平面图——零件图(或装配图)想象出来三维的空间物体——实际零件(装配体),只有掌握这种技能,才能顺利完成零件加工或机器装配的工作。所以,空间想象能力是学习机械制图的核心内容。《机械制图》的基本原理,制图标准、及相关规则,严肃体现出国家标准的统一性,无论谁都必须严格遵照执行。随着我国各个领域与国际接轨的今天,在机械制造行业,国家标准与国际标准也会逐步一致,使我国机械制造行业技术人才能更好的与之交流,那么就必须熟练地掌握这门技术语言,更便于同行业间进行技术探讨和技术革新,但是前提条件是必须精通机械制图这门课程以及相关的国家标准,并且反复强调标准规定的严谨性、权威性和法制性,使技术人员较好地确立标准化意识。机械制图对解决实际问题和创新能力的影响《机械制图》课除了如何使他们很好地建立空间想象能力、掌握投影规律及国家标准,还必须具有机械专业的相关知识,如金属工艺学、机械制造工艺学、机械零件与机械原理、公差配合与技术测量等,这些知识在机械制图中的零件结构、表面质量、加工方法、材料选择、技术要求、连接装配关系等方面都要用到。也不是只局限于了解制图上的一些概念、定义和规则,还会学习和掌握到其它相关领域的各种知识,并且会正确、合理、全面地应用好机械制图这门工具,是现代化生产中技术人才最基本的要求,通过机械制图的学习,就要求具备这种让机械制图与实际结合起来,解决实际工作中存在的各方面的问题的能力。《机械制图》是人们进行技术革新、技术改造的工具,是对新设计、新构思、新工艺研究探索,反映和表达高新技术、发明创造新生事物的载体。大胆地在该课程教学中融进新思想、新设计、探索和创新,是知识经济时代向我们提出的新课题、

各种常用电子元件符号及其名称【全】

各种常用电子元件符号二极管变容二极管表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管双色发光二极管表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

复合三极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT

光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号：电容（有极性电容）可调电容表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器表示符号：IC，N 电子元器件符号图形

形位公差的全部符号和机械制图的常用符号

求形位公差的全部符号和机械制图的常用符号一直线度—无二平行度‖ 有三垂直度⊥ 有四圆度○ 无倾斜度∠ 有五线轮廓度⌒ 有或无同轴度◎ 有六圆跳动↗ 有一，1) 直线度表2-2为几种直线度公差在图样上标注的方式.形位公差在图样上用框格注出,并用带箭头的指引线将框格与被测要素相连,箭头指在有公差要求的被测要素上.一般来说,箭头所指的方向就是被测要素对理想要素允许变动的方向.通常形状公差的框格有两格,第一格中注上某项形状公差要求的符号,第二格注明形状公差的数值. 2) 平面度表2-3为平面度公差要求的标注方式.平面度公差带只有一种,即由两个平行平面组成的区域,该区域的宽度即为要求的公差值. 3) 圆度表2-4表示圆度公差在图样上的标注方式. 在圆度公差的标注中,箭头方向应垂直于轴线或指向圆心. 4) 圆柱度如表2-5所示,由于圆柱度误差包含了轴剖面和横剖面两个方面的误差,所以它在数值上要比圆度公差为大.圆柱度的公差带是两同轴圆柱面间的区域,该两同轴圆柱面间的径向距离即为公差值. 3,定向公差有哪些,各自的含义是什么,如何标注答:定向公差有平行度,垂直度和倾斜度.其含义和标注如下: 二，1) 平行度对平行度误差而言,被测要素可以是直线或平面,基准要素也可以是直线或平面,所以实际组成平行度的类型较多.表2-7中表示出一些标注平行度公差要求的示例.其中,基准符号是用一粗短划线和带圆圈的字母标注,字母方向始终是正位,基准是中心要素时,粗短划线的引出线必须和有关尺寸线对齐. 三，2) 垂直度垂直度和平行度一样,也属定向公差,所以在分析上这两种情况十分相似.垂直度的被测和基准要素也有直线和平面两种.表2-8是几种垂直度标注的示例. 3) 倾斜度倾斜度也是定向公差.由于倾斜的角度是随具体零件而定的,所以在倾斜度的标注中,总需用将要求倾斜的角度作为理论正确角度标注出,这是它的特点.表2-9举出了一些零件标注倾斜度公差的示例. 4,定位公差有哪些,各自的含义是什么,如何标注答:定位公差有同轴度,对称度,位置度,圆跳动和全跳动.其含义和标注如下: 四，1) 同轴度同轴度是定位公差,理论正确位置即为基准轴线.由于被测轴线对基准轴线的不

常用数学符号读法大全以及主要数学符号含义

常用数学符号读法大全以及主要数学符号含义大写小写英文注音国际音标注音中文注音 Ααalpha alfa 阿耳法 Ββbeta beta 贝塔 Γγgamma gamma 伽马 Δδdeta delta 德耳塔 Εεepsilon epsilon 艾普西隆 Ζζzeta zeta 截塔 Ηηeta eta 艾塔 Θθtheta θita 西塔 Ιιiota iota 约塔 Κκkappa kappa 卡帕 ∧λlambda lambda 兰姆达 Μμmu miu 缪 Ννnu niu 纽 Ξξxi ksi 可塞 Οοomicron omi kron 奥密可戎 ∏πpi pai 派 Ρρrho rou 柔 ∑σsigma sigma 西格马 Ττtau tau 套 Υυupsilon jupsilon 衣普西隆

Φφphi fai 斐 Χχchi khai 喜 Ψψpsi psai 普西 Ωωomega omiga 欧米伽数学符号：（1）数量符号：如：i,2+i,a,x,自然对数底e,圆周率π. （2）运算符号：如加号（＋）,减号（－）,乘号（×或·）,除号（÷或／）,两个集合的并集（∪）,交集（∩）,根号（√）,对数（log,lg,ln）,比（：）,微分（dx）,积分（∫）等. （3）关系符号：如“＝”是等号,“≈”是近似符号,“≠”是不等号,“＞”是大于符号,“＜”是小于符号,“→”表示变量变化的趋势,“∽”是相似符号,“≌”是全等号,“∥”是平行符号,“⊥”是垂直符号,“∝”是反比例符号,“∈”是属于符号,“C”或“C下面加一横”是“包含”符号等. （4）结合符号：如圆括号“（）”方括号“［］”,花括号“｛｝”括线“—”（5）性质符号：如正号“＋”,负号“－”,绝对值符号“‖”（6）省略符号：如三角形（△）,正弦（sin）,余弦（cos）,x的函数（f(x)）,极限（lim）,因为（∵）,所以（∴）,总和（∑）,连乘（∏）,从n个元素中每次取出r个元素所有不同的组合数（C(r)(n) ）,幂（A,Ac,Aq,x^n）,阶乘（!）等. 数学符号的意义符号意义

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号二极管（国标） 2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500?，硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。

机械制图全部符号及表示含义

2D Solid 二维实体 2D 实面 2D Wireframe 二维线框 3D Array 三维阵列 3D 阵列 3D Dynamic View 三维动态观察 3D 动态检视 3d objects 三维物体 3D 物件 3D Orbit 三维轨道 3D 动态 3D Orbit 三维动态观察 3D 动态 3D Studio 3D Studio 3D Studio 3D Viewpoint 三维视点 3D 检视点 3dpoly 三维多段线 3D 聚合线 3dsin 3DS 输入 3D 实体汇入 3DSolid 三维实体 3D 实体 3dsout 3DS 输出 3D 实体汇出 abort 放弃中断 abort 中断中断 absolute coordinates 绝对坐标绝对座标 abut 邻接相邻 accelerator key 加速键快速键 access 获取存取 acisin ACIS 输入 ACIS 汇入 acisout ACIS 输出 ACIS 汇出 action 操作动作 active 活动（的）作用中 adaptive sampling 自适应采样最适取样 add 添加加入 Add a Printer 添加打印机新增印表机 Add mode 添加模式 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plotter 添加打印机 Add Plotter 添加打印机 Add to Favorites 添加到收藏夹加入我的最爱 ADI ADI(Autodesk 设备接口) ADI (Autodesk 设备介面) adjacent 相邻相邻 Adjust 调整调整 Adjust Area fill 调整区域填充调整区域填满 AdLM (Autodesk License Manager) AdLM（Autodesk 许可管理器）Administration dialog box 管理对话框管理对话方块Advanced Setup Wizard 高级设置向导进阶安装精灵 Aerial View 鸟瞰视图鸟瞰视景 affine calibration 仿射校准关系校正 alert 警告警示 alias 别名别名 aliasing 走样锯齿化 align 对齐对齐 aligned dimension 对齐标注对齐式标注 alignment 对齐(方式) 对齐 allocate 分配配置 Altitude 标高高度

高一数学常用数学符号

高一数学常用数学符号 1、几何符号 ⊥∥∠⌒⊙≡≌△ 2、代数符号 ∝∧∨～∫≠≤≥≈∞∶ 3、运算符号 ×÷√± 4、集合符号 ∪∩∈ 5、特殊符号 ∑π（圆周率） 6、推理符号 |a| ⊥∽△∠∩∪≠≡±≥≤∈ ← ↑→↓↖↗↘↙∥∧∨ & § ①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩ ΓΔ Θ Λ Ξ Ο Π Σ Φ Χ Ψ Ω αβ γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫ ⅰⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹ ∈∏∑∕√∝∞∟∠∣∥∧∨∩∪∫ ∮ ∴∵∶∷∽≈≌≒≠≡≤≥≦≧≮ ≯⊕⊙⊥ ⊿⌒℃ 指数0123：o123

符号意义 ∞无穷大 PI 圆周率 |x| 函数的绝对值 ∪集合并 ∩集合交 ≥大于等于 ≤小于等于 ≡恒等于或同余 ln（x）以e为底的对数 lg（x）以10为底的对数 floor（x）上取整函数 ceil（x）下取整函数 x mod y 求余数 {x} 小数部分 x - floor（x） ∫f（x）δx 不定积分 ∫[a:b]f（x）δx a到b的定积分 P为真等于1否则等于0 ∑[1≤k≤n]f（k）对n进行求和,可以拓广至很多情况如：∑[n is prime][n < 10]f（n） ∑∑[1≤i≤j≤n]n^2 lim f（x）（x->?）求极限 f（z） f关于z的m阶导函数 C（n:m）组合数,n中取m P（n:m）排列数 m|n m整除n m⊥n m与n互质 a ∈ A a属于集合A #A 集合A中的元素个数

∈∏∑√∞∠∣∥∧∨∩∪∫∮∴∵ ∽ ≈≌≠≡≤≥≦≧⊕⊙⊥? x^n 表示 x 的 n 次方，如果 n 是有结构式，n 应外引括号；（有结构式是指多项式、多因式等表达式） x^（n/m）表示 x 的 n/m 次方； SQR（x）表示 x 的开方； sqrt（x）表示 x 的开方； √（x）表示 x 的开方, 如果 x 为单个字母表达式， x 的开方可简表为√x ； x^（-n）表示 x 的 n 次方的倒数； x^（1/n）表示 x 开 n 次方； log_a,b 表示以 a 为底 b 的对数； x_n 表示 x 带足标 n ； ∑（n=p,q）f（n）表示f（n）的n从p到q逐步变化对f（n）的连加和，如果f（n）是有结构式，f（n）应外引括号； ∑（n=p,q ； r=s,t）f（n,r）表示∑（r=s,t）[∑（n=p,q）f（n,r）], 如果f（n，r）是有结构式，f（n，r）应外引括号； ∏（n=p,q）f（n）表示f（n）的n从p到q逐步变化对f（n）的连乘积, 如果f（n）是有结构式，f（n）应外引括号； ∏（n=p,q ； r=s,t）f（n,r）表示∏（r=s,t）[∏（n=p,q）f（n,r）], 如果f（n，r）是有结构式，f（n，r）应外引括号； lim（x→u）f（x）表示 f（x）的 x 趋向 u 时的极限, 如果f（x）是有结构式，f（x）应外引括号； lim（y→v ； x→u）f（x,y）表示 lim（y→v）[lim（x→u）f（x,y）], 如果f（x，y）是有结构式，f（x，y）应外引括号； ∫（a,b）f（x）dx 表示对 f（x）从 x=a 至 x=b 的积分, 如果f（x）是有结构式，f（x）应外引括号； ∫（c,d ； a,b）f（x,y）dxdy 表示∫（c,d）[∫（a,b）f（x,y）dx]dy,

机械制图符号及表示含义

机械制图符号及表示含义 Solid 二维实体2D 实面 2D Wireframe 二维线框 3D Array 三维阵列3D 阵列 3D Dynamic View 三维动态观察3D 动态检视3d objects 三维物体3D 物件 3D Orbit 三维轨道3D 动态 3D Orbit 三维动态观察3D 动态 3D Studio 3D Studio 3D Studio 3D Viewpoint 三维视点3D 检视点 3dpoly 三维多段线3D 聚合线 3dsin 3DS 输入3D 实体汇入 3DSolid 三维实体3D 实体 3dsout 3DS 输出3D 实体汇出 abort 放弃中断 abort 中断中断 absolute coordinates 绝对坐标绝对座标 abut 邻接相邻 accelerator key 加速键快速键 access 获取存取 acisin ACIS 输入ACIS 汇入

acisout ACIS 输出ACIS 汇出 action 操作动作 active 活动（的）作用中 adaptive sampling 自适应采样最适取样 add 添加加入 Add a Printer 添加打印机新增印表机 Add mode 添加模式 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plotter 添加打印机 Add Plotter 添加打印机 Add to Favorites 添加到收藏夹加入我的最爱ADI ADI(Autodesk 设备接口) ADI (Autodesk 设备介面) adjacent 相邻相邻 Adjust 调整调整 Adjust Area fill 调整区域填充调整区域填满AdLM (Autodesk License Manager) AdLM （Autodesk 许可管理器） Administration dialog box 管理对话框管理对话方块 Advanced Setup Wizard 高级设置向导进阶安

常用数学符号及其意义

常用数学符号及其意义 1 几何符号 ?∥∠??≡ ≌△ 2 代数符号 ∝∧∨～∫ ≠ ≤ ≥ ≈ ∞ ∶ 3运算符号 × ÷ √ ± 4集合符号 ∪∩ ∈ 5特殊符号 ∑ π（圆周率） 6推理符号 |a| ??△∠∩ ∪≠ ≡ ± ≥ ≤ ∈← ↑ → ↓ ↖↗↘↙∥∧∨ &; § ?????????? Γ Δ Θ Λ Ξ Ο Π Σ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε δ ε ζ η θ ι κ λ

μ ν π ξ ζ ηυ θ χ ψ ω ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫ ⅰⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹ ∈∏ ∑ ∕ √ ∝∞ ∟ ∠∣∥∧∨∩ ∪∫ ∮ ∴∵∶∷?≈ ≌≒≠ ≡ ≤ ≥ ≦≧≮≯⊕?? ??℃ 指数0123：o123 上述符号所表示的意义和读法（中英文参照）＋plus 加号；正号－minus 减号；负号 ±plus or minus 正负号 ×is multiplied by 乘号 ÷is divided by 除号＝is equal to 等于号 ≠ is not equal to 不等于号 ≡ is equivalent to 全等于号 ≌ is approximately equal to 约等于 ≈ is approximately equal to 约等于号＜is less than 小于号＞is more than 大于号

≤ is less than or equal to 小于或等于≥ is more than or equal to 大于或等于％per cent 百分之… ∞ infinity 无限大号 √ (square) root 平方根 X squared X的平方 X cubed X的立方 ∵ since; because 因为 ∴ hence 所以 ∠ angle 角 ? semicircle 半圆 ? circle 圆 ○ circumference 圆周 △ triangle 三角形 ? perpendicular to 垂直于 ∪ intersection of 并，合集 ∩ union of 交，通集 ∫ the integral of …的积分 ∑ (sigma) summation of 总和 °degree 度 ′ minute 分〃second 秒

二极管符号大全

二极管符号大全 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流

数学常见符号读音

数学符号读法与含义大全

sec x 正割含数的值，其值等于1/cos x csc x 余割函数的值，其值等于1/sin x asin x y，正弦函数反函数在x处的值，即x = sin y acos x y，余弦函数反函数在x处的值，即x = cos y atan x y，正切函数反函数在x处的值，即x = tan y acot x y，余切函数反函数在x处的值，即x = cot y asec x y，正割函数反函数在x处的值，即x = sec y acsc x y，余割函数反函数在x处的值，即x = csc y 角度的一个标准符号，不注明均指弧度，尤其用于表示atan x/y，当x、y、ζ z用于表示空间中的点时 i, j, k 分别表示x、y、z方向上的单位向量 (a, b, c) 以a、b、c为元素的向量 (a, b) 以a、b为元素的向量 (a, b) a、b向量的点积 a?b a、b向量的点积 (a?b)a、b向量的点积 |v| 向量v的模 |x| 数x的绝对值 Σ表示求和，通常是某项指数。下边界值写在其下部，上边界值写在其上部。

二极管符号大全

二极管符号大全标准化工作室编码[XX968T-XX89628-XJ668-XT689N]

常用数学符号大全

常用数学符号大全 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

常用数学输入符号：～～≈ ≡ ≠ ＝≤≥ ＜＞≮≯∷ ±＋－ × ÷／∫ ∮∝∞ ∧∨∑ ∏ ∪∩ ∈∵∴//⊥‖ ∠⌒≌∽√（）【】｛｝ⅠⅡ⊕⊙∥αβγδεζηθΔαβγδεζηθικλμνξοπρστυφχψω ΑΒΓΔΕΖΗΘΙΚ∧ΜΝΞΟ∏Ρ∑ΤΥΦΧΨΩ абвгдеёжзийклмнопрстуфхцчшщъыьэюя АБВГДЕЁЖЗИЙКЛМНОПРСТУФХЦЧШЩЪЫЬЭЮЯ

sin(x) 在自变量x处的正弦函数值 exp(x) 在自变量x处的指数函数值，常被写作e x a^x a的x次方；有理数x由反函数定义 ln x exp x 的反函数 a x同 a^x log b a 以b为底a的对数； b log b a = a cos x 在自变量x处余弦函数的值 tan x 其值等于 sin x/cos x cot x 余切函数的值或 cos x/sin x sec x 正割含数的值，其值等于 1/cos x csc x 余割函数的值，其值等于 1/sin x asin x y，正弦函数反函数在x处的值，即 x = sin y acos x y，余弦函数反函数在x处的值，即 x = cos y atan x y，正切函数反函数在x处的值，即 x = tan y acot x y，余切函数反函数在x处的值，即 x = cot y asec x y，正割函数反函数在x处的值，即 x = sec y acsc x y，余割函数反函数在x处的值，即 x = csc y θ角度的一个标准符号，不注明均指弧度，尤其用于表示atan x/y，当x、y、z用于表示空间中的点时 i, j, k 分别表示x、y、z方向上的单位向量 (a, b, c) 以a、b、c为元素的向量 (a, b) 以a、b为元素的向量 (a, b) a、b向量的点积 ab a、b向量的点积 (ab) a、b向量的点积 |v| 向量v的模 |x| 数x的绝对值 Σ表示求和，通常是某项指数。下边界值写在其下部，上边界值写在其上部。如j从1到100 的和可以表示成：。这表示1 + 2 + … + n M 表示一个矩阵或数列或其它 |v> 列向量，即元素被写成列或可被看成k×1阶矩阵的向量

电子元件符号大全

二极管表示符号:D 变容二极管表示符号:D 双向触发二极管表示符号:D 稳压二极管表示符号:ZD,D 稳压二极管表示符号:ZD,D 隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管发光二极管表示符号：LED 双色发光二极管表示符号：LED

光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 复合三极管表示符号：Q,VT NPN型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT NPN型三极管表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管表示符号：Q,VT IGBT 场效应管表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应管表示符号：Q,VT

接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器表示符号:VR，RP,W 可调电阻表示符号:VR，RP,W 电位器表示符号:VR，RP,W 可调电阻表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT

光敏电阻CDS 电容（有极性电容）表示符号：电容（有极性电容）表示符号：C 可调电容表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器表示符号：X

常用数学符号及读法大全

常用数学符号及读法大全常用数学输入符号：≈ ≡ ≠ ＝≤≥ ＜＞≮ ≯ ∷ ± ＋－× ÷ ／∫ ∮ ∝ ∞ ∧ ∨ ∑ ∏ ∪ ∩ ∈ ∵ ∴ ⊥ ‖ ∠ ⌒ ≌ ∽ √ （）【】｛｝Ⅰ Ⅱ ⊕ ⊙∥αβγδεζηθΔ 大写小写英文注音国际音标注音中文注音Ααalpha alfa 阿耳法Ββbeta beta 贝塔 Γγgamma gamma 伽马 Δδdeta delta 德耳塔Εεepsilon epsilon 艾普西隆Ζζzeta zeta 截塔 Ηηeta eta 艾塔 Θθtheta θita 西塔 Ιιiota iota 约塔 Κκkappa kappa 卡帕 ∧λlambda lambda 兰姆达Μμmu miu 缪 Ννnu niu 纽 Ξξxi ksi 可塞 Οοomicron omikron 奥密可戎∏πpi pai 派 Ρρrho rou 柔 ∑σsigma sigma 西格马Ττtau tau 套 Υυupsilon jupsilon 衣普西隆Φφphi fai 斐 Χχchi khai 喜 Ψψpsi psai 普西 Ωωomega omiga 欧米符号含义 i -1的平方根 f(x) 函数f在自变量x处的值 sin(x) 在自变量x处的正弦函数值 exp(x) 在自变量x处的指数函数值，常被写作e x a^x a的x次方；有理数x由反函数定义 ln x exp x 的反函数 a x同 a^x log b a 以b为底a的对数； b log b a = a cos x 在自变量x处余弦函数的值tan x 其值等于 sin x/cos x

机械制图全部符号及表示含义

机械制图全部符号及表示含义：你可以安装一个中文版的AUTO CAD不就好了吗？不过你需要我还是把英文的给你好了，当作翻译自己看吧。这个软件还是很好用的。 2D Solid 二维实体 2D 实面 2D Wireframe 二维线框 3D Array 三维阵列 3D 阵列 3D Dynamic View 三维动态观察 3D 动态检视 3d objects 三维物体 3D 物件 3D Orbit 三维轨道 3D 动态 3D Orbit 三维动态观察 3D 动态 3D Studio 3D Studio 3D Studio 3D Viewpoint 三维视点 3D 检视点 3dpoly 三维多段线 3D 聚合线 3dsin 3DS 输入 3D 实体汇入 3DSolid 三维实体 3D 实体 3dsout 3DS 输出 3D 实体汇出 abort 放弃中断 abort 中断中断 absolute coordinates 绝对坐标绝对座标 abut 邻接相邻 accelerator key 加速键快速键 access 获取存取 acisin ACIS 输入 ACIS 汇入 acisout ACIS 输出 ACIS 汇出 action 操作动作 active 活动（的）作用中

adaptive sampling 自适应采样最适取样 add 添加加入 Add a Printer 添加打印机新增印表机 Add mode 添加模式 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plot Style Table 添加打印样式表 Add Plotter 添加打印机 Add Plotter 添加打印机 Add to Favorites 添加到收藏夹加入我的最爱 ADI ADI(Autodesk 设备接口 ADI (Autodesk 设备介面 adjacent 相邻相邻 Adjust 调整调整 Adjust Area fill 调整区域填充调整区域填满 AdLM (Autodesk License Manager AdLM（Autodesk 许可管理器）Administration dialog box 管理对话框管理对话方块 Advanced Setup Wizard 高级设置向导进阶安装精灵 Aerial View 鸟瞰视图鸟瞰视景 affine calibration 仿射校准关系校正 alert 警告警示 alias 别名别名 aliasing 走样锯齿化 align 对齐对齐 aligned dimension 对齐标注对齐式标注 alignment 对齐(方式对齐 allocate 分配配置 Altitude 标高高度 ambient color 环境色环境颜色

二极管的电路符号及图片识别

一：二极管的分类令狐采学 1、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。 2、根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 3、按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。 2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。 4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）。 5）变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。 6））瞬态电压抑制器TVS 一种固态二极管，专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。

7）发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 8）肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。二：二极管的特性通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能