试谈半导体铜线工艺流程图

试谈半导体铜线工艺流程图
试谈半导体铜线工艺流程图

?

?

半导体铜线工艺流程

时间:2010-09-03 剩余:0天浏览: 37 次收藏该信息

一、铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点:

1、框架表面光滑,镀层良好;

2、管脚共面性良好,不允许有扭曲、翘曲等不良现象

管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良,压焊过程中容易断丝及出现tail too

short ;

B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle

的下表面在同一个平面上.才能保证烧球的时候,氧化保护良好.同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀,以

保证气体最大围的保护

C、劈刀的选用——同金线相比较,铜线选用劈刀差别不是很大,但还是有一定的差异:

1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断,造成拉力不够或不均匀

2、铜线劈刀CD不能太大,也不能太小,不然容易出现不粘等现象

3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别(H比铜丝直径大8µm即可,太小容易从颈部拉断)

4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断,太大易造成线弧不均匀;

5、铜线劈刀FA选用一般要求8度以下(4-8度)

6、铜线劈刀OR选用小异

D压焊夹具的选用

铜线产品对压焊夹具的选用要求非常严格,首先夹具制作材料要选用得当,同时夹具表面要光滑,要保证载体和管脚无松动要,否则将直接影响产品键合过程中烧球不良、断线、翘丝等一系列焊线问题。

二、铜线的特性及要求

切实可行的金焊线替代产品。

细铜焊线(<1.3mil)

铜焊线,机械、电气性质优异,适用于多种高端、微间距器件,引线数量更高、焊垫尺寸更小。

铜焊线(1.3-4mil)

铜焊线,不仅具有铜焊线显著的成本优势,而且降低了铜焊点中的金属间生长速度,这样就为大功率分立封装带来了超一流的可靠性。

铜焊线的成本优势

由于铜的成本相对较低,因此人们更愿意以铜作为替代连接材料。对于1mil焊线,成本最高可降低75%*,2mil可达90%*,具体则取决于市场状况。

铜焊线的优异性能

铜线的导热导电性能显著优于金线和铝线,因此能够以更细的焊线直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。与金相比,铜的机械性质更强,这样在模压和封闭过程中可以得到优异的球颈强度和较高的弧线稳

铜焊线的优点(与金焊线相比)

材料成本低 • 降低单位封装成本,提高

竞争优势

导电性好

金焊线4.55 10 E7/ Ohm m

铜焊线5.88 10 E7 / Ohm m • 在微间距

封装中可以采用更细的焊线

• 微间距应用性能优异(焊垫尺寸较小)

• 提高功率调节器件(TO220、TO92、DPAK等等)

的电流容量和性能

导热性好

金31.1 kW/m2 K

铜39.5kW/m2 K • 传热效率更高

机械性质高 • 抗拉强度更大、延伸特性

更好

• 模压中具有优异的球颈强度和较高的弧线稳定

金属间(IMC)生长速度慢 • 提高机械稳

定性、降低电阻增加量

• IMC生长较为温和,从而提高了键合强度

降低金属间生长速度,提高可靠性

与金线焊点相比,铜线焊点中的金属间生长速度显著减小。这就

降低了电阻、减小了产热,并最终提高了焊接可靠性和器件性能。由于铜线中的金属间生长

速度、电阻和产热均低于金线,故而电阻随时间的增加量和老化速度同时得到减小。

铜线在焊接后能够形成比金线更稳定、刚性更好的弧形

能够适应更长的弧度(最长弧度7mm)

铜焊线典型尺寸及标准机械规格

直径 um 20 25 28

30 38 50 65 75

密耳 0.8 1.0 1.1

1.2 1.5

2.0 2.5

3.0

延伸率(%) 8-16 8-16 10-20 10-20 10-20 15-25 15-25

15-30

断裂荷载(g) 5-10 8-15 10-20 12-22 20-30 40-55 60-80

80-120

铜焊线的包装与存放

铜具有较强的亲氧性,因此必须对铜焊线进行保护以延长其保存

期。为此各卷铜焊线均采用吸塑包装,并在塑料袋单独密封

除了以上优点为,铜线还有以下特性:

1.铜线易氧化,原则上拆封的铜线48小时用完。

2.铜线硬度高,容易产生弹坑、不粘、断丝、、烧球不良

三、铜线和金线在键合工艺参数的区别

1.EG-60 铜线压焊工艺参数与金线相比较最大的变化是加大了

contact

force,以增加产品的可焊性,为了减小弹坑风险,一般情况下

1mil以下铜线采用LOW-Power模式,而1.2mil以上一般采用High-power模式

Set up machine

 Set up machine(改为铜线方式)

 F16(2009) 1090ABBB bond sequence

[normal

(gold wire)->copper

 F16 Tail control (减少tail too short 报

警)

 F16 1090ABB40

 Menu 1 12-16

 Menu 9 20

 Menu A 8

 F15 bond process control(减少 NSOP NSOL)

 F15 (2002)10803

 Menu 0 比gold wire 要大一些

 Menu 3 0

 Menu 4 比bond force 稍小

Set up machine

 Search high ( 减少 NSOP & tail too short)

 Gold wire : 8-12

 copper wire : 10-15

 EFO parameter

 Wire size (mil) 0.8 1.0

1.5

2.0

 Current (mA) 5000-7000

12000-15000

 time (us) 500-800

1200-1800

Set up machine

 BQM set up

 Wire size (mil) 0.8-1.2

1.5-

2.0

 Rise time 1-2

2-3

 Power level low

high

 Power control const-p

const- p

 Speed set

 F15 比gold wire 稍低. 512-640 384-512

Set up machine

 Set up machine

 To Copper Wire

 1 Higher EFO current for Cu

 2 Shorter EFO time for Cu

 3 In general, higher force & power

 4 Longer Time factor

 5 Higher WC force due to Cu hardness

 6 Less Contact Power, use force to deform the

ball during the contact stage then apply more base power Production issue

 Ball

 球不良原因:

 吹气保护不好

 铜线后防止时间太长.线有氧化(72小时)  Tail length 不稳定导致烧球不好

 Capillary 选择型号不对

 Action:

 调整吹气装置和E-TORCE位置,保证保护良好  更换铜线

 调整2nd 焊接参数(base power and base force)保证tail

length 稳定.

 选用合适的capillary

Production issue

 1st

 NSOP 原因:

 Bond power 太小

 Bond force 太大

 Action:

 在保证无crater 的前提下.调整power and force

Production issue

 2nd

 NSOL 原因:

 Bond power 太小或者太大

 Bond force 太大或者太小

 Action:

 如果焊接后无留金痕迹应该调大 base power  如果焊接后有明显压断痕迹,应该调小 base power and force

Production issue

 2nd 后

 tail too short 原因:

 管脚位置浮动.

 Bond power 太小或者太大

 Bond force 太大或者太小

 Action:

 调整该焊点位置

 如果报警后可以直接从capillary 穿下线,应该是base power

较小,应该调大base power 或者减小base force

 如果报警后线不能直接穿下capillary,必须把线拔除再穿的话,应该减小base power

或者增大base force.

四、铜线对生产效率和产品质量的影响

1、产能相对较低---铜线硬度要强于金线,压焊过程中断丝几率和不粘相对增大,考虑到可焊性等因素,压焊速度相对较慢,正常情况下设备利用率是金线设备的2/3左右。

2、偏心球、烧球不良(高尔夫球)产生较多----铜线2nd焊点切线稍有异常,将直接影响1st焊点烧球,气体保护围太小或框架、夹具异常均会影响1st焊点烧球,所以在出现以上现象是,首先应排除硬件原因,然后再从参数方面解决。

3、不粘产生频繁----由于铜线的特殊性,键合过程中不粘现象较为严重,在铜线键合过程中出现不粘,应从以下方面解决:

A、要保证拆封的铜线无氧化,沾污,拆封的铜线要在48小时用完。

B、夹具表面平整光滑,载体无松动

C、保证烧球的时候,氧化保护良好

D、切线正常,无偏心球

E、装片平整度,胶量充足(胶量不足缺胶直接影响不粘,1.2mil 以上铜线最为明显),固化温度均匀;

F、劈刀选用合理

G、参数调整

4、弹坑风险增加---由于铜线硬度要强于金线,且容易产生氧化,弹坑几率风险大大增

加。为了减小铜线弹坑风险,需从以下方面解决:

A、配备专人每班做例行弹坑验证,包括更换品种,夹具及设备维修后。

B、加强过程监控---更换劈刀、修改1st、EFO参数后必须作弹坑试验;

C、对一些硬件如气嘴、流量(保护气体),夹具,压缩空气等每班最少做一次检查,同时提醒作业员随时检查。

D、及时和客户沟通,铜线产品Pad测试点(探针印)小于20%,同时要保证一定的铝层厚度,铝层厚度对照表如下图所示:

Wire Thickness Bond pad thickness

Metallization Composition

0.8mil 1.0µm Al, Si, Cu

1.0mil 1.5µm Al, Si, Cu

1.2mil

2.0µm Al, Si, Cu

1.5mil 3.0µm Al, Si, Cu

2.0mil

3.0µm Al, Si, Cu

3.0mil

4.0µm Al, Si, Cu

4.0mil 4.0-6.0µm Al, Si, Cu

5.0mil

6.0-8.0µm Al, Si, Cu

6.0mil 6.0-8.0µm Cu/NiP/Pd/Au

bravoroy at 2008-12-10 00:09:38

thanks..good...up

zjw_828 at 2009-3-04 11 :49:38

Eagle60做TO220没问题,线径2。5MIL就可以,再大的话可能有点困难!

如果成功请大家拿出来晒下,分享下!

我司改做220,到现在为至还是可以的,合格率都是可以,一台机器可以顶几个半自动机器的,可以少不少人呢

dasiy at 2009-4-05 18 :03:10

看了大家的,我们公司也做。

公司当时准备的时候,升级版本,更改EFO BOX ,加N2H2保护气,优化参数。

但是

也做一些简单的产品(SOT23,SOD123/323,SOT323/363,TO220/252/263,SLP系列)!

wgfzhong1985 at 2009-7-27 22 :23:50

220/263/dip8,top5/6

li7626505 at 2010-1-07 20 :20:23

sop14/8/16 dip8 TO-220

highywei at 2010-1-12 20 :37:44

EAGLE60 做的TO220 用 Kaijo FB880 做的SOP SC SOT DPAK

等等。还可以,比金线差

发布人: 曾斌 :

级别: VIP(个人) 查看店铺传真:

价格: 面议发布者IP:

网址: QQ: 1074886752

:zdf. 地区: 市昆山

地址: 兴国 (PC: 342400 )

提醒您:

所有信息的真实性与合法性由信息提供者负责,请您在进行交易时注意辨别真伪。

对于您所进行的任何交易我们不作担保,并且不承担任何法律责任。

建议选择同城当面交易、二手商家的信息,提高警惕。信息,提高警惕。手机所在地查询:

IP地址所在地查询:

本文共有留言 3 篇︱阅读 37 次查看全部留言直接发信给:曾斌

:正宗阳澄湖大闸蟹留言容:阳澄湖大闸蟹专卖店2010-10-17 12:21:04

:阳澄湖大闸蟹专卖店留言容:阳澄湖大闸蟹专卖店2010-10-16 20:20:22

:阳澄湖大闸蟹专卖店留言容:阳澄湖大闸蟹专卖店2010-10-16 18:34:34

姓名:姓别:男女

联系:电子信箱:

留言主题:

您的留言:

服装生产工艺流程图汇总

服装生产工艺流程图 ┌——┐┌——┐┌———┐┌——┐┌——┐┌——┐┌——┐ │验布│→│裁剪│→│印绣花│→│缝制│→│整烫│→│检验│→│包装│ └——┘└——┘└———┘└——┘└——┘└——┘└——┘ 服装生产的工艺流程大全 (一)面辅料进厂检验 面料进厂后要进行数量清点以及外观和内在质量的检验,符合生产要求的才能投产使用。在批量生产前首先要进行技术准备,包括工艺单、样板的制定和样衣制作,样衣经客户确认后方能进入下一道生产流程。面料经过裁剪、缝制制成半成品,有些梭织物制成半成品后,根据特殊工艺要求,须进行后整理加工,例如成衣水洗、成衣砂洗、扭皱效果加工等等,最后通过锁眼钉扣辅助工序以及整烫工序,再经检验合格后包装入库。 (二)面料检验的目的和要求 把好面料质量关是控制成品质量重要的一环。通过对进厂面料的检验和测定可有效地提高服装的正品率。 面料检验包括外观质量和内在质量两大方面。外观上主要检验面料是否存在破损、污迹、织造疵点、色差等等问题。经砂洗的面料还应注意是否存在砂道、死褶印、披裂等砂洗疵点。影响外观的疵点在检验中均需用标记注出,在剪裁时避开使用。 面料的内在质量主要包括缩水率、色牢度和克重(姆米、盎司)三项内容。在进行检验取样时,应剪取不同生产厂家生产的、不同品种、不同颜色具有代表性的样品进行测试,以确保数据的准确度。 同时对进厂的辅料也要进行检验,例如松紧带缩水率,粘合衬粘合牢度,拉链顺滑程度等等,对不能符合要求的辅料不予投产使用。 (三)技术准备的主要内容 在批量生产前,首先要由技术人员做好大生产前的技术准备工作。技术准备包括工艺单、样板的制定和样衣的制作三个内容。技术准备是确保批量生产顺利进行以及最终成品符合客户要求的重要手段。 工艺单是服装加工中的指导性文件,它对服装的规格、缝制、整烫、包装等都提出了详细的要求,对服装辅料搭配、缝迹密度等细节问题也加以明确。服装加工中的各道工序都应严格参照工艺单的要求进行。 样板制作要求尺寸准确,规格齐全。相关部位轮廓线准确吻合。样板上应标明服装款号、部位、规格、丝绺方向及质量要求,并在有关拼接处加盖样板复合章。 在完成工艺单和样板制定工作后,可进行小批量样衣的生产,针对客户和工艺的要求及时修正不符点,并对工艺难点进行攻关,以便大批量流水作业顺利进行。样衣经过客户确认签字后成为重要的检验依据之一。 (四)裁剪工艺要求 裁剪前要先根据样板绘制出排料图,“完整、合理、节约”是排料的基本原则。在裁剪工序中主要工艺要求如下:(1)拖料时点清数量,注意避开疵点。(2)对于不同批染色或砂洗的面料要分批裁剪,防止同件服装上出现色差现象。对于一匹面料中存在色差现象的要进行色差排料。(3)排料时注意面料的丝绺顺直以及衣片的丝缕方向是否符合工艺要求,对于起绒面料(例如丝绒、天鹅绒、灯芯绒等)不可倒顺排料,否则会影响服装颜色的深浅。(4)对于条格纹的面料,拖料时要注意各层中条格对准并定位,以保证服装上条格的连贯和对称。(5)裁剪要求下刀准确,线条顺直流畅。铺型不得过厚,面料上下层不偏刀。(6)根据样板对位记号剪切刀口。(7)采用锥孔标记时应注意不要影响成衣的外观。裁剪后要进行清点

半导体工艺流程

1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格,清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中,硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理,再送入清洗槽,将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗,同时为有更好的清洗效果,通常使用超声波激励和擦片措施,一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除,最后用超纯水进行清洗,如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体(N2)下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程,产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层,或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为: Si + O2 T SiO2

3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷(B2H6)作为N —源和磷烷(PH3)作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步,典型的化学反应为: 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质(原子)离子化后,在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速,以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后,注入离子活化,起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程;曝光是使用光刻机,并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照,使部分光刻胶得到光照,另外,部分光刻胶得不到光照,从而改变光刻胶性质;显影是对曝光后的光刻胶进行去除,由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液,这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后,光刻胶下面的材料要被选择性地去除,使用的方法就

【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部属晶片制造,所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序): 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序:它又可细分为: 1)融化(Melt Down) 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到其熔点1420°C以上,使其完全融化。 2)颈部成长(Neck Growth) 待硅融浆的温度稳定之后,将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中,接着将晶种慢慢往上提升,使其直径缩小到一定尺寸(一般约6mm左右),维持此直径并拉长 100-200mm,以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3)晶冠成长(Crown Growth) 颈部成长完成后,慢慢降低提升速度和温度,使颈部直径逐渐加大到所需尺寸(如 5、6、8、12吋等)。 4)晶体成长(Body Growth) 不断调整提升速度和融炼温度,维持固定的晶棒直径,只到晶棒长度达到预定值。 5)尾部成长(Tail Growth) 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度,使晶棒直径逐渐变小,以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生,最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测(Cutting & Inspection) 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分,并对尺寸进行检测,以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨(Su rf ace Grinding & Shaping) 由于在晶棒成长过程中,其外径尺寸和圆度均有一定偏差,其外园柱面也凹凸不平,所以必须对外径进行修整、研磨,使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片(Wire Saw Sl ic ing) 由于硅的硬度非常大,所以在本工序里,采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边(Edge Profiling) 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利,硅单晶又是脆性材料,为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒,必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨(Lapping) 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损,使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻(Etching) 1

产品生产工艺流程(doc 46页)

产品生产工艺流程(doc 46页)

产品生产工艺规程--藿香正气片生产工艺规程 说明 由于企业扩大了生产范围,按甘肃佛仁制药科技有限公司《文件起草、修订、审查、批准、撤消、印制及保管管理程序》及《企业内控质量标准管理程序》的规定,本技术文件于2011年01月年经过制定人、审核人、批准人签字确认后,由质量部门发布,并对相关人员进行培训,于执行日期起执行。 产品工艺规程具有法定意义,代表了产品生产和质量控制方面有关法律、法规的符合性和质量安全保证性的内容。任何部门及个人无权更改,如有变更,请按规定的程序进行。申请修订(修改)时,其修改内容及记录作为历史沿革文件,以本规程附件的形式一并存档。 目录 一、产品概述 (3)

二、处方及处方依据 (3) 三、生产工艺流程 (3) 四、制剂处方中中药材前处理和炮制 (5) 五、提取生产操作过程及工艺条件 (7) 六、制剂生产操作过程及工艺条件 (9) 七、原辅料的质量标准和检测方法 (13) 八、中间产品质量标准和检测方法 (14) 九、成品质量标准和检测方法 (19) 十、物料平衡计算方法 (21) 十一、成品容器包装材料的要求 (22) 十二、包装标签内容、说明书式稿 (23) 十三、工艺卫生要求及生产区环境监测方法与标准 (25) 十四、设备一览表及主要设备生产能力 (26) 十五、技术安全及劳动保护 (26) 十六、综合利用与环境保护 (28) 十七、原辅料消耗定额 (29) 十八、包装材料消耗定额 (29) 十九、岗位定员及定额、生产周期 (30) 附录:有关规定、理化常数及换算 (31) 附页:文件修订记录 藿香正气水生产工艺规程 一、产品概述

产品工艺制作流程

一. 目的: 规范产品作业流程,确保产品在制作过程中出现的品质异常控制,做好前期防范工作,确保产品品质及工艺的完整性,降低生产成本。 二·范围: 适用于公司所有产品订单 三·权责: 3.1 业务:接受客户信息资料,提供完整资料与信息。 3.2 工艺工程师:对业务提供的客户资料评估、规划、组织评审。 3.3 印前制作:对客户文档及信息要求核对及修改。 3.4 采购:按产品工艺要求采购备料。 3.5 生产计划:计划达成产品客户交期 3.6 印刷及印后:按工艺要求制作生产、首件确认 3.7 品质:监督执行生产通知单及样品的工艺要求。 四·定义: 完善客户订单产品制作工艺,对产品印前印后工艺的前期规划,规范新旧产品的制作工艺流程,有效控制生产品质异常,节约生产成本,提高生产效率。 五·作业规范: 5.1作业流程图: 5.2业务负责客户产品的导入、信息资料的接受及信息沟通,确保资料的完整与准确性, 接到客户资料后业务或跟单员首先初步确认信息资料是否完整。 5.2.1 确认客户信息资料后按客户的工艺要求规划报价,简单产品由报价员按公司流程报

价,工艺复杂或需求评审的产品,由工艺工程师规划或按工艺评审报告规划报价,确认报价工艺与实际生产工艺相结合。 5.2.2工艺复杂的新产品首先与工艺工程师商议组织相关部门评审,确认工艺路线及质量标 准,录入《工艺评审报告》,按评审工艺规划及标准下《业务指示单》并附《工艺评审报告》。 5.2.3重复生产产品或简单的新款说明书确认信息完整后直接下《业务指示单》。 5.2.4业务或跟单员《业务指示单》下发或信息资料交接只对应一个窗口工艺主管,确保信 息资料的规范统一与完整。 5.2.5任何订单在下达《业务指示单》时必须确保满足以下要求:有效的样稿、具体的工艺 要求与质量要求。 5.2.6样稿类:所有订单必须有有效样稿,且清楚的注明样稿的类型与用途,并盖章签名: A、色样:印刷时作颜色参考色样 B、内容样:生产及品控作核对文字、图案、位置内容样 C、规格样:生产及品控作模切规格、啤位、结构样 D、所有的打纸稿的书必须简单装订(以不散乱为标准)对于没有页码或者暗码的书 则必须用笔进行编码;(我公司设计制作的则由制作员装订) E、对于需要烫金、UV或者凹凸等必须在样稿上清楚明确位置及加工要求; F、所有更改内容的必须有业务员的亲笔签名及更改位置或文字 5.2.7工艺与质量要求: A、《业务指示单》的填写必须工整,字体清楚,工艺要求明确,在下单前要检查样稿 的各个项目(尺寸、颜色数量、P数等),务必做到样稿与《业务指示单》要求一 致; B、客户的质量要求要明确,超出我们质量要求或者客户有特别要求的则必须在《业 务指示单》上详细注明; C、对于工艺、质量要求特殊或者复杂的则在下单前先与工艺工程师组织工艺评审。 5.2.8客户自来文档的订单管理: A、客户自来文档,不管客户是否提供具体的样稿,业务跟单员要自己先检查一下颜色、 尺寸、P数等直观的参数,确保与客户订单一致,初步合格后方能下单; B、对于客户自来文档,没有提供任何资料的,则业务员或跟单员需提供印前打印的纸 稿(喷墨稿、数码稿、蓝纸稿等)进行签名确认,明确注明样稿的类型; C、对于客户自来文档,客户有提供样稿的,则业务在接单时跟客户沟通,明确样稿的

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅:掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结: 半导体元件制造过程可分为 前段(FrontEnd)制程 晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)、 晶圆针测制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 构装(Packaging)、 测试制程(InitialTestandFinalTest) 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接著进行氧化(Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程(Packaging):利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的:是為了製造出所生產的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺: A在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)ECL(不掺金)(非饱和型)、TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型)B在元器件间自然隔离 I2L(饱和型) 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺: 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

半导体工艺流程

1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格,清洗工艺需要消耗大量的高纯水;且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中,硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理,再送入清洗槽,将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗,同时为有更好的清洗效果,通常使用超声波激励和擦片措施,一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除,最后用超纯水进行清洗,如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体(N2)下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程,产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层,或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为:

Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷(B2H6)作为N —源和磷烷(PH3)作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步,典型的化学反应为: 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质(原子)离子化后,在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速,以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后,注入离子活化,起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程;曝光是使用光刻机,并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照,使部分光刻胶得到光照,另外,部分光刻胶得不到光照,从而改变光刻胶性质;显影是对曝光后的光刻胶进行去除,由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液,这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀

新生产工艺管理流程图与文字说明

生产工艺管理流程 生产技术部接到产品开发需求后,进行产品开发策划并起草设计开发任务书,经公司领导审批后,业务部门根据产品设计开发任务书准备纸、油墨、印版、烫金等生产材料及生产工艺设备的准备工作,材料、设备准备完成后,安排在印刷车间进行上机打样;打样过程中,由生产技术部组织业务、品质、车间等部门对打样结果进行评审,打样评审通过后,由生产技术部进行送样、签样工作(送中烟技术中心材料部),若签样不合格,需重新进行打样准备;签样完成后,生产技术部根据打样情况形成临时技术标准,品质部形成检验标准,印刷车间根据临时技术标准进生试机生产,生产产品由生产技术部送烟厂进行上机包装测试(若包装测试不通过,生产技术部需重新调整临时技术标准重新试机生产),包装测试通过后,生产技术部根据试机生产时情况形成技术标准。当月生产需求时,生产技术部按生产组织程序进行组织生产,并同时下达技术标准,印刷车间根据生产技术标准,进行工艺首检,确认各项工艺指标正确无误,进行材料及设备的准备工作,各项工作准备完成后按技术标准要求进行工艺控制,生产技术部对整个生产运行过程进行监督,当工艺运行不符合要求时,通知生产技术部进行工艺调整。生产结束后,进入剥盒、选盒工序,经过挑选的烟标合格的按成品入库程序进行入库,不合格的产品按不合格程序进行处理。

产品工艺管理流程图 业务部生产技术部印刷车间品质部输出记录 接到设计 更改需求 段 阶 } 改 更 计 设 { 发 开 吕 产 不通过 不通过 通过 接到设计 开发需求 产品开发策划 打样准备 送样、签样 通过 不通过 形成技术标 准(临时) 审批不通过 上机打样 形成检验标准 设计开发项目组成立 通知 产品开发任务书 段 阶 制 控 艺 工 产 生 送客户包装测试■试生产 ■ 形成技术标准 <接到生 产需求 组织生产 下达工艺标准工艺首检 材料准备设备准备 工艺监督过程质量监督 工艺改进不通过运行判定 成品质量监督 是合格 成品入库 结束 不合格 控制程序 过程检验记录 工艺检查记录表, 匚工艺记录表 工艺运行控制 剥盒、选盒 烟用材料试验评价 报告 印刷作业指导书 生产工作单 换版通知单 生产操作记录表 工艺更改通知单 成品检验记录

试谈半导体铜线工艺流程图

? ? 半导体铜线工艺流程 时间:2010-09-03 剩余:0天浏览: 37 次收藏该信息 一、铜线键合工艺

A、铜线工艺对框架的特殊要求-------铜线对框架的的要求主要有以下几点: 1、框架表面光滑,镀层良好; 2、管脚共面性良好,不允许有扭曲、翘曲等不良现象 管脚粗糙和共面性差的框架拉力无法保证且容易出现翘丝和切线造成的烧球不良,压焊过程中容易断丝及出现tail too short ; B、保护气体----安装的时候保证E-torch上表面和right nozzle 的下表面在同一个平面上.才能保证烧球的时候,氧化保护良好.同时气嘴在可能的情况下尽量靠近劈刀,以 保证气体最大围的保护 C、劈刀的选用——同金线相比较,铜线选用劈刀差别不是很大,但还是有一定的差异: 1、铜线劈刀T 太小2nd容易切断,造成拉力不够或不均匀 2、铜线劈刀CD不能太大,也不能太小,不然容易出现不粘等现象 3、铜线劈刀H与金线劈刀无太大区别(H比铜丝直径大8µm即可,太小容易从颈部拉断) 4、铜线劈刀CA太小线弧颈部容易拉断,太大易造成线弧不均匀; 5、铜线劈刀FA选用一般要求8度以下(4-8度) 6、铜线劈刀OR选用小异 D压焊夹具的选用 铜线产品对压焊夹具的选用要求非常严格,首先夹具制作材料要选用得当,同时夹具表面要光滑,要保证载体和管脚无松动要,否则将直接影响产品键合过程中烧球不良、断线、翘丝等一系列焊线问题。 二、铜线的特性及要求 切实可行的金焊线替代产品。 细铜焊线(<1.3mil) 铜焊线,机械、电气性质优异,适用于多种高端、微间距器件,引线数量更高、焊垫尺寸更小。 铜焊线(1.3-4mil) 铜焊线,不仅具有铜焊线显著的成本优势,而且降低了铜焊点中的金属间生长速度,这样就为大功率分立封装带来了超一流的可靠性。 铜焊线的成本优势 由于铜的成本相对较低,因此人们更愿意以铜作为替代连接材料。对于1mil焊线,成本最高可降低75%*,2mil可达90%*,具体则取决于市场状况。 铜焊线的优异性能 铜线的导热导电性能显著优于金线和铝线,因此能够以更细的焊线直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。与金相比,铜的机械性质更强,这样在模压和封闭过程中可以得到优异的球颈强度和较高的弧线稳 铜焊线的优点(与金焊线相比) 材料成本低 • 降低单位封装成本,提高

半导体的生产工艺流程(精)

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon- based micromachining,原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。 为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class 10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵(参见图2-1。 为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴 (air shower 的程序,将表面粉尘先行去除。

6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water。一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS 晶体管结构之带电载子信道 (carrier channel,影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻 率 (resistivity 来定义好坏,一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气(98%,吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky 拉晶法 (CZ法。拉晶时,将特定晶向 (orientation 的晶种 (seed,浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt 中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒 (ingot。晶棒的阻值如果太低,代表其中导电杂质 (impurity dopant 太多,还需经过FZ 法 (floating-zone 的再结晶 (re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻值。 辅拉出的晶棒,外缘像椰子树干般,外径不甚一致,需予以机械加工修边,然后以X 光绕射法,定出主切面 (primary flat 的所在,磨出该平面;再以内刃环锯,削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping、化学蚀平 (chemical etching 与拋光 (polishing 等程序,得出具表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度,与其外径有

(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片(class 500k) 硅片加工的介绍中,从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗,也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片,硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小,对硅片的损伤也最小,并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程,可以描述为一个研磨的过程,这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后,所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中,很重要的一点就是保持硅片的顺序,因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后,硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码,因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的,用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的,因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深,从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后,即使硅片有遗漏,也能追溯到原来位置,而且如果趋向明了,那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面,尽管正面通常会被用到。

设备生产制造工艺流程图

设备生产制造工艺流程图 主要部件制造要求和生产工艺见生产流程图: 1)箱形主梁工艺流程图 原材料预处理划线下料清理 材质单与喷涂划划数半剪清割坡 钢材上炉丸富出出控自除渣口 号批号一除锌拱外自动焊等打 一对应油底度形动气切区打磨 锈线线气割 割 校正对接拼焊无损探伤装配焊接清理 达度埋超X 确垂内工清焊到要弧声光保直部电除渣平求自波拍隔度先焊内杂直动片板用接腔物 焊手 检验装配点焊四条主缝焊接清理校正 内焊装成用Φ清磨修修振腔缝配箱埋HJ431 除光正正动检质下形弧直焊焊拱旁消验量盖主自流渣疤度弯除板梁动反应 焊接力自检打钢印专检待装配 操专质 作检量 者,控 代填制 号写表

2)小车架工艺流和 原材料预处理划线下料清理 材质单与喷涂划划数半剪清割坡 钢材上炉丸富出出控自除渣口 号批号一除锌拱外自动焊等打 一对应油底度形动气切区磨 锈线线气割 校正对接拼焊无损探伤装配焊接清理 达度埋超X 确垂内工清焊 到要弧声光保直部电除渣 平求自波拍隔度先焊内杂 直动片板用接腔物 焊手 检验装配点焊主缝焊接清理校正 内焊清磨修修振应腔缝除光正正动力检质焊焊拱旁消验量渣疤度弯除 自检划线整体加工清理 A表A表 行车行车 适用适用 自检打钢印专检待装配 操专质

作检量 者,控 代填制 号写表 3)车轮组装配工艺流程图 清洗检测润滑装配 煤清轮确尺轴部 油洗孔认寸承位 或轴等各及等加 洗承部种公工润 涤,位规差作滑 剂轴格剂 自检打钢印专检待装配 操 作 者 代 号 4)小车装配工艺流程图 准备清洗检测润滑 场按领煤清轴确尺轴加最注 地技取于油洗及认寸承油后油 清术各或轴孔各及内减 理文件洗承等件公、速件涤齿部规差齿箱 剂轮位格面内 装配自检空载运行检测标识入库 螺手起行噪 钉工升走音 松盘机机震 紧动构构动

半导体生产工艺流程

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining),原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。 为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵。 为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴(airshower)的程序,将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel),影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏,一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气(98%),吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆(siliconwafer)是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体,显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程,大多是采「柴可拉斯基」(Czycrasky)拉晶法(CZ法)。拉晶时,将特定晶向(orientation)的晶种(seed),浸入过饱和的纯硅熔汤(Melt)中,并同时旋转拉出,硅原子便依照晶种晶向,乖乖地一层层成长上去,而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低,代表其中导电杂质(impuritydopant)太多,还需经过FZ法(floating-zone)的再结晶(re-crystallization),将杂质逐出,提高纯度与阻值。 三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类:(1)薄膜成长,(2)微影罩幕,(3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类:(a)高温炉管,(b)微影机台,(c)化学清洗蚀刻台,(d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应

半导体制造工艺流程简介

半导体制造工艺流程简介 半导体制造工艺 1 NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC 检查(R?)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R?)——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R?)——前处理——铝下CVD——QC检查(tox、R?)——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处 理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查(tAl)——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查(ts)——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查(——

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程集团文件发布号:(9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

半导体制造工艺流程 N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅:掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结: 半导体元件制造过程可分为 前段(FrontEnd)制程 晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)、 晶圆针测制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 构装(Packaging)、 测试制程(InitialTestandFinalTest) 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接着进行氧化(Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程

经过WaferFab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC构装制程(Packaging):利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成积体电路 目的:是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺: A在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离) ECL(不掺金)(非饱和型)、TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型)B在元器件间自然隔离 I2L(饱和型) 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺:

主要钛产品生产工艺流程

主要钛产品生产工艺流程 成都工业学院材料工程学院邹建新 攀枝花学院材料工程学院彭富昌 1 钛产品生产原则流程 所有钛产品的最初原料都是含钛矿物,通常为钛铁矿。最终钛产品有两种,一是单质的金属钛,二是氧化物TiO2,前者作为结构性钛(合金)材料,广泛用于航空航天、海洋、化工及高档民用等领域,后者作为功能性钛白粉颜料,广泛用于涂料、造纸、塑料及电子等领域。钛铁矿经选矿工艺后成为钛精矿,钛精矿经熔炼为钛渣或经湿法冶金处理为人造金红石或富钛料,钛精矿或酸溶性钛渣作为硫酸法钛白的原料,与浓硫酸酸解后生产钛白粉,氯化钛渣或人造金红石经氯化后生成四氯化钛,再用镁高温还原生产海绵钛,海绵钛经高温熔融为钛锭,即可进一步加工成钛材。工艺流程如图1所示。 图 1 钛产品生产原则工艺流程 2 钛渣生产工艺 电炉熔炼钛渣的工艺流程包括:配料,制团(可选),电炉熔炼,渣铁分离,冷却炉前钛渣,破碎,磁选,获得成品高钛渣等步骤。钛精矿与碳还原剂一起置于高温电弧炉中熔炼,铁氧化物被还原为金属铁,余下部分为二氧化钛、氧化钙、氧化镁、二氧化硅的熔融混合物,冷却后即为钛渣。如图 2所示。其中的半钢是指电炉熔炼后获得的含碳较高的铁水。

图 2 电炉熔炼钛渣的原则工艺流程 3 硫酸法钛白粉的生产工艺 钛白生产方法包括如下三种:①硫酸法,可生产金红石型和锐钛型钛白;②氯化法,国内仅中信锦州钛业、云南新立、洛阳万基、漯河兴茂、攀钢在生产或在建,国外55%企业采用,只能生产金红石型钛白;③盐酸法,尚未产业化,新西兰曾进行试生产,国内不少学者也开展过实验研究。 生产钛白的硫酸法与氯化法各有优缺点,业界评价褒贬不一。硫酸法会产生绿矾和废酸,但可综合利用,氯化法产生的氯化废渣处理难度较大,一般只能深埋,国内攀钢集团已开发了一种可以有效回收利用氯化废渣的专有技术。硫酸法可生产锐钛型钛白,但氯化法不行。随着环保成本的增加,硫酸法钛白粉厂只要愿意增大资金投入,其“三废”污染问题是可以得到较好解决的。 硫酸法生产钛白是成熟的生产方法,使用的原料为钛精矿或钛渣,以及矿渣混合物。硫酸法钛白生产,实际上是一个通过分离、提纯等化学和物理方法,去除钛精矿(钛渣)中的杂质,只保留90%以上TiO2的一个化工过程。 硫酸法钛白生产的主要环节包括: ①酸解;②钛液水解;③偏钛酸盐处理;④偏钛酸煅烧;⑤钛白后处理。 生产钛白的原料:钛精矿或钛渣、硫酸(本节以钛精矿为例)。生产钛白的产品:金红石型钛白或锐钛型钛白,另外副产硫酸亚铁。硫酸法生产钛白主要由下列几个工序组成:原矿准备,用硫酸分解精矿制取硫酸钛溶液,溶液净化除铁,由硫酸钛溶液水解析出偏钛酸,偏钛酸煅烧制得二氧化钛以及后处理工序等。原则工艺流程如图 3所示。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程

半导体元件制造过程可分为 ?前段(Front End)制程 晶圆处理制程(Wafer Fabrication;简称Wafer Fab)、 晶圆针测制程(Wafer Probe); ?後段(Back End) 构装(Packaging)、 测试制程(Initial Test and Final Test)

一、晶圆处理制程 ?晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接著进行氧化(Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。

二、晶圆针测制程 ?经过Wafer Fab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(Ink Dot),此程序即称之为晶圆针测制程(Wafer Probe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程_百度文库(精)

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错,站出来承担的那一方叫宽容,另一方欠下的债,早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。 (4 封胶(mold)

相关文档
最新文档