半导体简介

1-1 原子結構

一型態的原子 (d)幾種不同型態的原子。

(d) 2. 原子是由哪些組成 (a)一個原子核和唯一的電子 (b)一個原子核和一個

以上的電子 (c)質子、中子和電子 (d)答案(b)和(c)均是。

(a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成 (a)質子和中子 (b)電子 (c)電子

和質子 (d)電子和中子。

(b) 4. 價電子是位於 (a)最接近原子核的軌道 (b)距離原子核最遠的軌道 (c)

繞著原子核的不同軌道 (d)與任何原子無關。

(a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子 (a)價電子脫離原子 (b)在原子的外層軌

道中，電洞的數目比電子多 (c)兩個原子鍵結在一起 (d)原子獲得一個額外的價電子。

1-2 絕緣體、導體和半導體

(d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是 (a)鍺 (b)碳 (c)銅 (d)

矽。

(d) 7. 絕緣體和半導體的差別在 (a)價電帶和導電帶之間的能隙較寬 (b)自由

電子的數目 (c)原子的結構 (d)以上皆對。

2▍電子學(上冊) —教師手冊▍

導電帶(d)價電帶。

(d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起(a)價電子之間

的作用力(b)原子間的吸引力(c)共價鍵(d)答案(a)、(b)和(c)均是。

(d) 10. 矽的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)14。

(d) 11. 鍺的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)32。

(d) 12. 矽原子的價能階層的編號是(a)0(b)1(c)2(d)3。

價電子，其中四個自有，另外四個與其他原子共有(d)沒有價電子，因為

所有的電子都已被共用。

1-3半導體的電流

(b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生(a)重新結合(b)熱擾動(c)離子化

(d)摻雜。

(a) 15. 重新結合是發生於(a)電子落回電洞中(b)正離子和負離子鍵結在一起

時(c)價電子成為傳導電子時(d)晶體形成時。

(d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？(a)只由電子形成(b)只由電洞形成

(c)負離子(d)電子和電洞。

1-4N型與P型半導體

(e) 17. 在純質半導體中(a)沒有自由電子(b)自由電子是由熱擾動產生(c)只

有電洞存在(d)電子的數目和電洞一樣(e)答案(b)和(d)均是。

(a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為(a)摻雜(b)重新結合

(c)原子變異(d)離子化。

(b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成(a)鍺(b)p型半導體(c)n型半

導體(d)空乏區。

▍第1章半導體簡介▍3

加電洞的數目(c)增加自由電子的數目(d)產生少數載子。

質子。

(a) 22. n型半導體材料中的電洞屬於(a)熱擾動所產生的少數載子(b)摻雜過

程中產生的少數載子(c)熱擾動所產生的多數載子(d)摻雜過程中產生

的多數載子。

1-5二極體

(d) 24. 空乏區是由下列何種原因造成(a)離子化(b)擴散作用(c)重新結合

(d)以上皆對。

(d) 25. 空乏區包含有(a)除了少數載子外，不含其他粒子(b)正離子和負離子

(c)沒有多數載子存在(d)答案(b)和(c)均是。

1-6二極體的偏壓

小(c)控制元件操作所需施加的直流電壓(d)以上皆非。

(d) 27. 要對二極體施加順向偏壓，必須(a)外加電壓的正極接到二極體的陽極，

負極接到二極體的陰極(b)外加電壓的負極接到二極體的陽極，正極接到

二極體的陰極(c)外加電壓的正極接到二極體的p型區，負極接到二極體

的n型區(d)答案(a)和(c)均是。

(d) 28. 當二極體施加順向偏壓時，(a)唯一產生的電流是電洞流(b)唯一產生的

電流是電子流(c)唯一產生的電流是由多數載子所產生(d)電流是由電

洞和電子共同產生。

(b) 29. 雖然逆向偏壓截斷了電流(a)仍有多數載子所產生的一些電流(b)仍有

4▍電子學(上冊) —教師手冊▍

少數載子所產生的很小電流(c)產生了累增崩潰電流。

(b) 30. 對於矽二極體，一般標準順向偏壓的電壓值為(a)必須大於0.3V(b)必

須大於0.7V(c)依照空乏區的寬度而定(d)依照多數載子的濃度而定。

(b) 31. 在順向偏壓下，二極體會(a)截斷電流(b)傳導電流(c)存在高的阻抗

(d)產生很大的電壓降。

1-7二極體的電壓-電流特性

(d) 32. 二極體在何種情況下可正常運作(a)逆向崩潰電壓(b)順向偏壓區(c)

逆向偏壓區(d)答案(b)或(c)皆可。

(b) 33. 二極體處於下列何種狀態時，必須將動態阻抗列入考慮(a)逆向偏壓(b)

順向偏壓(c)逆向崩潰電壓(d)未偏壓。

(a) 34. 由二極體的電壓-電流曲線可得知(a)任一電流所對應的二極體兩端電壓

(b)任一偏壓對應之電流大小(c)消耗功率(d)以上皆非。

1-8二極體的各種模型

列入考慮(c)以上皆非(d)(a)和(b)均是。

(d) 37. 在完整二極體模型中(a)須將障壁電壓列入考慮(b)須將動態順向阻抗

列入考慮(c)須將逆向阻抗列入考慮(d)以上皆是。

1-9二極體的測試

(b)OL(c)約0.7V(d)約0.3V。

(b) 39. 當矽二極體斷路時，數位三用電表中的讀數為(a)0V(b)OL(c)約0.7V

▍第1章半導體簡介▍5

(d)約0.3V。

1-1原子結構

1. 如果某個不帶電的原子，其原子序為6，則該原子有多少個電子？多少個質子？答：An atom with an atomic number of 6 has 6 electrons and 6 protons.

2. 在第3層的能階層中最多可以容納多少個電子？

答：The third shell of an atom can have 2n2 = 2(3)2 = 18 electrons.

1-2絕緣體、導體和半導體

3. 對於圖1-39中的每一個能階圖，請按照能階相對的高低，判斷出各是何種材料？

(半導體、導體和絕緣體)

圖1-39

6▍電子學(上冊) —教師手冊▍

答：The materials represented in Figure 1-39 in the textbook are

(a)insulator(b)semiconductor(c)conductor

4. 某一個原子有四個價電子。請問該原子屬於何種材料？

答：An atom with four valene electrons is semiconductor.

5. 在矽(Si)晶體中，一個原子會形成多少個共價鍵？

答：In a silicon crystal, each atom forms four covalent bonds.

1-3半導體的電流

6. 將矽晶體加熱後，會產生何種現象？

答：When heat is added to silicon, more free electrons and holes are produced.

7. 請舉出矽晶體中會產生電流的兩個能階帶。

答：Current is produced in silicon at the conduction band and the valence band.

1-4N型與P型半導體

8. 說明摻雜的製造過程並且解釋它是如何改變矽晶體的原子結構。

答：Doping is the carefully controlled addition of trivalent or pentavalent atoms to pure (intrinsic) semiconductor material for the purpose of increasing the number of majority carriers (free electrons or holes).

9. 說明銻(antimony) 在半導體製程中的作用?也請說明硼(boron) 的作用?

答：Antimony is a pentavalent (donor) material used for doping to increase free electrons.

Boron is a trivalent (acceptor) material used for doping to increase the holes.

▍第1章半導體簡介▍7

3-4光學二極體

發光(d)當成可變電阻。

(d) 8. 和可見紅光LED比較，紅外線LED可以(a)產生波長較短的光(b)產生

所有波長的光(c)只產生一種顏色的光(d)產生波長較長的光。

(d) 9. 與白熾燈比較，高亮度LED(a)較亮的(b)有較長的使用壽命(c)使用

功率較小(d)以上皆是。

(d) 10. OLED不同於傳統LED的是(a)不需在偏壓下操作(b)在pn接面上為有

機材料層(c)可用噴墨印刷技術來製造(d)(b)和(c)都是。

(b) 11. 紅外線LED是藉著光耦合至光二極體。當LED關閉，和逆向偏壓光二極

體串接的安培計讀數會(a)不會改變(b)減少(c)增加(d)呈現波動。

(b) 12. 光二極體的內部阻抗(a)在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而增加(b)

在逆向偏壓時，隨著光的強度增強而減少(c)在順向偏壓時，隨著光的強

度增強而增加(d)在順向偏壓時，隨著光的強度增強而減少。

(d) 13. 雷射二極體產生(a)非同調光(b)同調光(c)單色光(d)(b)和(c)都是。

(b) 14. 具有負阻抗特性的二極體是(a)肖特基二極體(b)透納二極體(c)雷射

二極體(d)熱載子二極體。

(d) 15. 為了讓系統可以正確地動作，組成系統的各種不同電路必須要(a)正確地

偏壓(b)正確地連接(c)正確地介面溝通(d)以上皆是(e)答案(a)和(b)

均正確。

中科大半导体器件原理考试重点

《半导体器件原理》课程复习提纲 2017.12 基础：半导体物理、半导体器件的基本概念、物理效应。重点：PN结、金半结、双极型晶体管、JFET、MESFET、MOSFET。根据物理效应、物理方程、实验修正等，理解半导体器件的工作原理和特性曲线，掌握器件的工作方程和各种修正效应，了解器件的参数意义，能够进行器件设计、优化、应用、仿真与建模等。第一章：半导体物理基础主要内容包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、非本征载流子、本征与掺杂半导体、施主与受主、漂移扩散模型、载流子输运现象、平衡与非平衡载流子。半导体物理有关的基本概念，质量作用定律，热平衡与非平衡、漂移、扩散，载流子的注入、产生和复合过程，描述载流子输运现象的连续性方程和泊松方程。（不作考试要求）第二章：p－n结主要内容包括热平衡下的p－n结，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电场等概念，p－n结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。耗尽近似条件，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电势等概念，讨论pn结主要以突变结（包括单边突变结）和线性缓变结为例，电荷分布和电场分布，耗尽区宽度，势垒电容和扩散电容的概念、定义，直流特性：理想二极管IV方程的推导；

对于考虑产生复合效应、大注入效应、温度效应对直流伏安特性的简单修正。PN的瞬态特性，利用电荷控制模型近似计算瞬变时间。结击穿机制主要包括热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。要求掌握隧道效应和碰撞电离雪崩倍增的概念，雪崩击穿条件，雪崩击穿电压、临界击穿电场及穿通电压的概念，异质结的结构及概念，异质结的输运电流模型。高低结的特性。第三章：双极型晶体管主要内容包括基本原理，直流特性，频率响应，开关特性，异质结晶体管。晶体管放大原理，端电流的组成，电流增益的概念以及提高电流增益的原则和方法。理性晶体管的伏安特性，工作状态的判定，输入输出特性曲线分析，对理想特性的简单修正，缓变基区的少子分布计算，基区扩展电阻和发射极电流集边效应，基区宽度调制，基区展宽效应，雪崩倍增效应，基区穿通效应，产生复合电流和大注入效应，晶体管的物理模型E－M模型和电路模型G－P 模型。跨导和输入电导参数，低频小信号等效电路和高频等效电路，频率参数，包括共基极截止频率fα和共射极截止频率fβ的定义，特征频率f T的定义，频率功率的限制，其中少子渡越基区时间，提高频率特性的主要措施。开关特性的参数定义，开关时间的定义和开关过程的描述，利用电荷控制方程简单计算开关时间。开关晶体管中最重要的参数是少子寿命。异质结双极型晶体管的结构及优点。

半导体产业介绍

半导体整个生态链主要分为：前端设计（design）,后端制造（mfg)、封装测试(package)，最后投向消费市场。不同的厂商负责不同的阶段，环环相扣，最终将芯片集成到产品里，销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类，一类是IDM (Integrated Design and Manufacture)，包含设计、制造、封测全流程，如Intel、TI、Samsung这类公司；另外一类是Fabless，只负责设计，芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry，如华为海思、展讯、高通、MTK（台湾联发科）等。前端设计是整个芯片流程的“魂”，从承接客户需求开始，到规格、系统架构设计、方案设计，再到Coding、UT/IT/ST（软件测试UT：unit testing 单元测试IT： integration testing 集成测试ST：system testing 系统测试），提交网表（netlist或称连线表，是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式）做Floorplan，最终输出GDS（Graphics Dispaly System）交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同，负责前端设计的工程师要提前差不多半年，开始熟悉工艺库，尝试不同的Floorplan设计，才能输出Foundry想要的GDS。后端制造是整个芯片流程的“本”，拿到GDS以后，像台积电，就是Foundry 厂商，开始光刻流程，一层层mask光刻，最终加工厂芯片裸Die。封装测试是整个芯片流程的“尾”，台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die，外面没有任何包装。从晶圆图片，就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西，上面横七竖八的划了很多线，切出了很多小方块，那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的，需要外面加封装，用金线把芯片和PCB板连接起来，这样芯片才能真正的工作。台积电是目前Foundry中的老大，华为麒麟系列芯片一直与台积电合作，如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。半导体行业的公司具主要分为四类：集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture)：指不仅设计和销售微芯片，也运营自己的晶圆生产线。Intel，SAMSUNG(三星)，东芝，ST(意法半导体)，Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。无晶圆厂供应商Fabless：公司自己开发和销售半导体器件，但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如：Altera(FPL)，爱特(FPL)，博通(网路器件)，CirrusLogicCrystal(音频，视频芯片)，莱迪思(FPL)，英伟达(FPL)，

半导体材料课程教学大纲

半导体材料课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称：半导体材料所属专业：微电子科学与工程课程性质：专业限选学分： 3 （二）课程简介：本课程重点介绍第一代和第二代半导体材料硅、锗、砷化镓等的制备基本原理、制备工艺和材料特性，介绍第三代半导体材料氮化镓、碳化硅及其他半导体材料的性质及制备方法。目标与任务：使学生掌握主要半导体材料的性质以及制备方法，了解半导体材料最新发展情况、为将来从事半导体材料科学、半导体器件制备等打下基础。（三）先修课程要求：《固体物理学》、《半导体物理学》、《热力学统计物理》；本课程中介绍半导体材料性质方面需要《固体物理学》、《半导体物理学》中晶体结构、能带理论等章节作为基础。同时介绍材料生长方面知识时需要《热力学统计物理》中关于自由能等方面的知识。（四）教材：杨树人《半导体材料》主要参考书：褚君浩、张玉龙《半导体材料技术》陆大成《金属有机化合物气相外延基础及应用》二、课程内容与安排第一章半导体材料概述第一节半导体材料发展历程第二节半导体材料分类第三节半导体材料制备方法综述第二章硅和锗的制备第一节硅和锗的物理化学性质第二节高纯硅的制备第三节锗的富集与提纯

第三章区熔提纯第一节分凝现象与分凝系数第二节区熔原理第三节锗的区熔提纯第四章晶体生长第一节晶体生长理论基础第二节熔体的晶体生长第三节硅、锗单晶生长第五章硅、锗晶体中的杂质和缺陷第一节硅、锗晶体中杂质的性质第二节硅、锗晶体的掺杂第三节硅、锗单晶的位错第四节硅单晶中的微缺陷第六章硅外延生长第一节硅的气相外延生长第二节硅外延生长的缺陷及电阻率控制第三节硅的异质外延第七章化合物半导体的外延生长第一节气相外延生长（VPE）第二节金属有机物化学气相外延生长（MOCVD）第三节分子束外延生长（MBE）第四节其他外延生长技术第八章化合物半导体材料（一）：第二代半导体材料第一节 GaAs、InP等III-V族化合物半导体材料的特性第二节 GaAs单晶的制备及应用第三节 GaAs单晶中杂质控制及掺杂第四节 InP、GaP等的制备及应用第九章化合物半导体材料（二）：第三代半导体材料第一节氮化物半导体材料特性及应用第二节氮化物半导体材料的外延生长第三节碳化硅材料的特性及应用第十章其他半导体材料

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲

《半导体制造工艺及设备》课程教学大纲课程类别：技术基础必修课课程代码：BT1410_2 总学时：总学时48 （双语讲授48）适用专业：微电子制造工程先修课程：大学物理、半导体物理、微电子制造基础一、课程的地位、性质和任务本课程是微电子制造工程专业的一门必修的专业技术基础课。其作用与任务是：使学生对集成电路制造工艺及其设备有一个比较系统、全面的了解和认识，初步掌握硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化等工艺及其设备，工艺集成以及CMOS工艺的基础理论。二、课程教学的基本要求 1.初步掌握半导体工艺流程的基本理论与方法； 2.掌握半导体制造技术的基本工艺（硅材料制备、氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入、金属化、化学机械平坦化）及其设备； 3.初步掌握工艺集成与当前最新的CMOS工艺流程。三、课程主要内容与学时分配 1、半导体制造概述3学时半导体制造在电子制造工程中的地位与概述、基本概念、基本内容 2、硅材料制备3学时直拉法、区熔法 3、氧化4学时氧化物作用、氧化原理、氧化方法、氧化工艺、氧化炉 4、淀积5学时物理淀积与化学气相淀积（CVD）、淀积工艺、CVD淀积系统 5、光刻8学时光刻胶、光刻原理、光刻工艺、光刻设备、先进光刻技术、光学光刻与软光刻。 6、刻蚀4学时刻蚀方法、干法刻蚀、湿法刻蚀、等离子刻蚀、刻蚀反应器 7、离子注入3学时扩散、离子注入原理、离子注入工艺、离子注入机 8、金属化4学时金属类型、金属化方案、金属淀积系统、铜的双大马士革金属化工艺 9、化学机械平坦化（CMP）2学时传统平坦化技术、化学机械平坦化CMP工艺、CMP应用

半导体技术应聘个人简历模板

半导体技术应聘个人简历姓名：郭先生现所在地：广东东莞身51112119*********59 高：170CM 证件：体12月06重：日58Kg 出生年月：1982年民族：汉族性别：男工作经验：3 婚姻状况：未婚年眉山户籍：四川求职意向意向岗位：半导体技术要求地区：市中心区，东莞，惠州月薪要求：4500-5999 工作性质：全职食宿要求：包食宿发展方向：技术加管理教育经历 2004年09月～2007年07月江西蓝天学院机电一体化大专 2001年09月～2004年07月富加高中校理科高中语言能力英语(良好) 技能专长计算机级别：高校非计算机专业二级计算机能力：熟练掌握计算机基础知识，具有一定计算机编程和绘图能力，掌握各种计算机绘图软件AUTOCAD、PHOTOSHOP等。兴趣/爱好：团体运动(如：篮球，足球等) 工作经历【NX*********公司】职位名称：设备工程师助理公司行业：电子·微电子公司性质：外资企业公司规模：1000人以上

公司描述： NXP 是一家新近独立的半导体公司，由飞利浦公司创立，已拥有五十年的悠久历消费类电子、安为移动通信、史，主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件，全应用、非接触式付费与连线，以及车内娱乐与网络等产品带来更优质的感知体验。 NXP半导体广东有限公司成立于2006年10月,简称APG. 前身为飞利浦半导体(广东)有限公司,是由飞利浦电子集团公司创办的中国第一家全独资半导体项目工作描述： 1.协助设备工程师改进设备并处理解决设备在生产过程中出现的问题,提高设备利用率。 2.设备在大修过程中，对设备进行跟进及实施处理办法。 3.对新进技术员进行设备的维护维修培训. 4.指导技术员对设备正确的规范的对设备进行定期的维护. 5.带领团队完成公司规定的各行指标(如:PPM Downtime等) 6.保持团队的凝集力，达到经验与技术共享，共同进步。 7.及时与生产部沟通，了解生产进度，配合生产部保质，保量，保时的完成生产任务。【俊伟*********公司】职位名称：PMC/SMT技术员公司行业：五金·金属制品公司性质：港资企业公司规模：1000人以上公司描述：该公司主要是生产与加工汽车的各种零件,公司员工有1500人左右,产品主要销往欧美,是及产品开发生产与销售一体. 工作描述：该公司主要是生产加工汽车零件,我在该厂做工程部技术员,主要为工程师做样板,以及解决样板中出现的一些小问题,如:水口过大,披风过长等. 自我评价为人刻苦努力勤奋，有自己独特的思维能力和广泛的交际能力。在过去的工作中，凭自己扎实的理论基础和熟练的动手能力，在工作中得到上司和同事的好评，使自己对半导体生产设备有了系统的认识，目前，对半导体行业各种设备可以作系统的安装，调试及在线维护。工作上，积极认真，责任心强，适应能力快且愿意接受任何工作的挑战，更希望在各种工作中提高自己。．

常用半导体器件

第4章常用半导体器件本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管本节学时2学时本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。

半导体FAB里基本的常识简介

CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \ t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I 答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w 薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b 答：金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r" X$ l. l 何谓USG? 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG? 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U 答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答：液体" q) ]0 H- @9 p7 C8 P; D8 Y. P) X 二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g 答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U" R9 w! o$ ` 氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j" l7 p4 V. f 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测

全球10大半导体厂商排名及简介

[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm） 1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！ 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆，全年营收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

常用半导体器件

《模拟电子技术基础》（教案与讲稿）任课教师：谭华院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系授课班级：2008电子信息专业本科1、2班授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版）清华大学电子学教研组童诗白华成英主编高教出版社 2009

第一章常用半导体器件本章内容简介半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。（一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路（二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标（三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

大功率半导体器件综述及介绍

自从50年代，硅晶闸管问世以后，50多年来，功率半导体器件的研究工作者为达到理想化的目标做出了不懈的努力，并以取得了使世人瞩目的成就。60年代后期，可关断晶闸管GTO实现了门极可关断功能，并使斩波工作频率扩展到1KHZ以上。70年代中期，大功率晶体管和功率MOSFET 问世，功率器件实现了场控功能，打开了高频应用的大门。80年代，绝缘栅双极晶体管（IGBT）问世，它综合了功率MOSFET和双极型功率晶体管两者的功能。因此，当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有功率器件的集成性能，MOS门控晶体管的改进，以及采用新型半导体材料制造新型的功率器件等。瑞士ABB半导体公司是ABB集团的全资子公司，是世界上最著名的大功率半导体生产商之一。西安赛晶电子科技责任有限公司是瑞士ABB 半导体公司在中国的首家代理，本公司在为客户提供先进的大功率半导体器件的同时，以西安电力电子技术研究所为其坚强的技术后盾，为客户提供较强的技术支持和服务。一大功率半导体器件的最新发展 1．普通晶闸管(PCT) PCT自问世以来，其功率容量已提高了近3000倍。现在许多国家已能稳定生产Φ100mm，8000V/4000A的晶闸管。日本现在已能稳定生产8000V/4000A和6000V/6000A的光触发晶闸管。近十几年来，由于自关断器件的飞速发展，晶闸管的应用领域有所缩小，但是，由于它的高电压、大电流特性，它在HVDC，静止无功补偿（SVC），大功率直流电源及超大功率和高压变频调速等方面仍然占有十分重要的地位。预计在今后若干年内，晶闸管仍将在高电压、大电流应用场合得到继续发展。 2、门极可关断晶闸管(GTO) 1982年日本日立公司首先研制成功2500V,1000A的GTO。许多的生产商可提供额定开关功率36MVA(6000V,6000A)用的高压大电流GTO。为了折衷它的导通、开通和关断特性，传统GTO的典型的关断增量仅为3-5。GTO关断期间的不均匀性使GTO关断期间dv/dt必须限制在 500-1000v/μs。为此,人们不得不使用体积大、笨重、昂贵的吸收电路。它的其他缺点是门极驱动电路较复杂和要求较大的驱动功率。但是，高的导通电流密度、高的阻断电压、阻断状态下高的dv/dt耐量和有可能在内部集成一个反并二极管，这些突出的优点仍使人们对GTO感兴趣。到目前为止，传统的GTO在高压（VBR>3300V）/大功率（0.5-20MVA）牵引、工业和电力逆变器中是应用得最为普遍得门控功率半导体器件。目前，GTO的最高研究水平为6英寸、6000V/6000A以及9000V/10000A。这种GTO采用了大直径均匀结技术和全压接式结构，通过少子寿命控制技术折衷了GTO导通电压与关断损耗两者之间的矛盾。由于GTO具有门极全控功能，它正在许多应用领域逐步代替PCT。为了满足电力系统对1兆VA以上的三相逆变功率电压源的需要，近期很可能开发10，000A,12,000V的GTO,并可能解决30多个高压GTO串联的技术，可望使电力电子技术在电力系统应用方面再上一个台阶。 3、绝缘栅双极晶体管（IGBT）

13种常用的功率半导体器件介绍

13种常用的功率半导体器件介绍电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件，其中晶闸管为半控型器件，承受电压和电流容量在所有器件中最高；电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。 1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶闸管 MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将MOSFET 的高阻抗、低驱动图MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO 等器件相比，有如下优点：（1）电压高、电流容量大，阻断电压已达3 000V，峰值电流达1 000 A，最大可关断电流密度为6000kA/m2；（2）通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；（3）极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达20 kV/s ，di/dt为2 kA/s；（4）开关速度快，开关损耗小，开通时间约200ns，1 000 V 器件可在2 s 内关断； 2. IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors） IGCT 是在晶闸管技术的基础上结合IGBT 和GTO 等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。 IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~ 3 MW，三电平逆变器1~ 6 MW；若反向二极管分离，不与IGCT

半导体器件物理施敏课后答案

半导体器件物理施敏课后答案【篇一：半导体物理物理教案(03级)】 >学院、部：材料和能源学院系、所；微电子工程系授课教师：魏爱香，张海燕课程名称；半导体物理课程学时：64 实验学时：8 教材名称：半导体物理学 2005年9-12 月授课类型：理论课授课时间：2节授课题目（教学章节或主题）：第一章半导体的电子状态 1.1半导体中的晶格结构和结合性质 1.2半导体中的电子状态和能带本授课单元教学目标或要求：了解半导体材料的三种典型的晶格结构和结合性质；理解半导体中的电子态, 定性分析说明能带形成的物理原因，掌握导体、半导体、绝缘体的能带结构的特点本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生解决重点难点的方法、例题等）：

1．半导体的晶格结构：金刚石型结构；闪锌矿型结构；纤锌矿型结构 2．原子的能级和晶体的能带 3．半导体中电子的状态和能带（重点，难点） 4．导体、半导体和绝缘体的能带（重点）研究晶体中电子状态的理论称为能带论，在前一学期的《固体物理》课程中已经比较完整地介绍了，本节把重要的内容和思想做简要的回顾。本授课单元教学手段和方法：采用ppt课件和黑板板书相结合的方法讲授本授课单元思考题、讨论题、作业：作业题：44页1题本授课单元参考资料（含参考书、文献等，必要时可列出） 1.刘恩科，朱秉升等《半导体物理学》，电子工业出版社2005? 2.田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导和典型题解》?电子工业出版社2005 3. 施敏著，赵鹤鸣等译，《半导体器件物理和工艺》，苏州大学出版社，2002 4. 方俊鑫，陆栋，《固体物理学》上海科学技术出版社 5．曾谨言，《量子力学》科学出版社注：1.每单元页面大小可自行添减；2.一个授课单元为一个教案；3. “重点”、“难点”、“教学手段和方法”部分要尽量具体；4.授课类型指：理论课、讨论课、实验或实习课、练习或习题课。

全球著名半导体厂家简介

德州仪器(TI) LOGO：德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。德州仪器 (TI) 是全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商，亦是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。 ----作为实时技术的领导者，TI正在快速发展，在无线与宽带接入等大型市场及数码相机和数字音频等新兴市场方面，TI凭借性能卓越的半导体解决方案不断推动着因特网时代前进的步伐！ ----TI预想未来世界的方方面面都渗透着 TI 产品的点点滴滴，您的每个电话、每次上网、拍的每张照片、听的每首歌都来自 TI 数字信号处理器 (DSP) 及模拟技术的神奇力量。网址：https://www.360docs.net/doc/4e18544766.html, 意法半导体（ST） LOGO：意法半导体（ST）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectroni cs将公司名称改为意法半导体有限公司意法半导体是世界最大的半导体公司之一，2006年全年收入98.5亿美元，2007年前半年公司收入46.9亿美元。公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡（五大市场占2007年销售收入的百分比）：通信（35%），消费（17%），计算机（16%），汽车（16%），工业（16%）。据最新的工业统计数据，意法半导体是全球第五大半导体厂商，在很多市场居世界领先水平。例如，意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。网址：https://www.360docs.net/doc/4e18544766.html,

半导体各工艺简介5

Bubbler Wet Thermal Oxidation Techniques

Film Deposition Deposition is the process of depositing films onto a substrate. There are three categories of these films: * POLY * CONDUCTORS * INSULATORS (DIELECTRICS) Poly refers to polycrystalline silicon which is used as a gate material, resistor material, and for capacitor plates. Conductors are usually made of Aluminum although sometimes other metals such as gold are used. Silicides also fall under this category. Insulators refers to materials such as silicon dioxide, silicon nitride, and P-glass (Phosphorous-doped silicon dioxide) which serve as insulation between conducting layers, for diffusion and implantation masks,and for passivation to protect devices from the environment.

半导体简介

1-1 原子結構 (c) 1. 每一個已知的元素都有 (a)相同型態的原子 (b)相同數目的原子 (c)唯一型態的原子 (d)幾種不同型態的原子。 (d) 2. 原子是由哪些組成 (a)一個原子核和唯一的電子 (b)一個原子核和一個以上的電子 (c)質子、中子和電子 (d)答案(b)和(c)均是。 (a) 3. 原子的原子核是由哪些基本粒子組成 (a)質子和中子 (b)電子 (c)電子和質子 (d)電子和中子。 (b) 4. 價電子是位於 (a)最接近原子核的軌道 (b)距離原子核最遠的軌道 (c) 繞著原子核的不同軌道 (d)與任何原子無關。 (a) 5. 下面哪一種狀況會產生正離子 (a)價電子脫離原子 (b)在原子的外層軌道中，電洞的數目比電子多 (c)兩個原子鍵結在一起 (d)原子獲得一個額外的價電子。 1-2 絕緣體、導體和半導體 (d) 6. 目前在電子元件中最常使用的半導體材料是 (a)鍺 (b)碳 (c)銅 (d) 矽。 (d) 7. 絕緣體和半導體的差別在 (a)價電帶和導電帶之間的能隙較寬 (b)自由電子的數目 (c)原子的結構 (d)以上皆對。 (c) 8. 自由電子位於哪一個能量帶？ (a)第一層能量帶 (b)第二層能量帶 (c)

2▍電子學(上冊) —教師手冊▍ 導電帶(d)價電帶。 (d) 9. 在半導體晶體中，原子是由於下列何種原因而結合在一起(a)價電子之間的作用力(b)原子間的吸引力(c)共價鍵(d)答案(a)、(b)和(c)均是。 (d) 10. 矽的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)14。 (d) 11. 鍺的原子序是(a)8(b)2(c)4(d)32。 (d) 12. 矽原子的價能階層的編號是(a)0(b)1(c)2(d)3。 (c) 13. 矽晶體中的每一個原子都有(a)四個價電子(b)四個傳導電子(c)八個價電子，其中四個自有，另外四個與其他原子共有(d)沒有價電子，因為所有的電子都已被共用。 1-3半導體的電流 (b) 14. 電子-電洞對是在下述哪種狀況產生(a)重新結合(b)熱擾動(c)離子化 (d)摻雜。 (a) 15. 重新結合是發生於(a)電子落回電洞中(b)正離子和負離子鍵結在一起時(c)價電子成為傳導電子時(d)晶體形成時。 (d) 16. 半導體中的電流是由什麼形成的？(a)只由電子形成(b)只由電洞形成 (c)負離子(d)電子和電洞。 1-4N型與P型半導體 (e) 17. 在純質半導體中(a)沒有自由電子(b)自由電子是由熱擾動產生(c)只有電洞存在(d)電子的數目和電洞一樣(e)答案(b)和(d)均是。 (a) 18. 在純質半導體材料中加入雜質的過程，我們稱為(a)摻雜(b)重新結合 (c)原子變異(d)離子化。 (b) 19. 將三價的雜質加入矽材料中，就會形成(a)鍺(b)p型半導體(c)n型半導體(d)空乏區。 (c) 20. 在半導體材料中加入五價雜質的目的是(a)降低矽晶體的導電性(b)增

《半导体器件》课程复习提纲

《半导体器件》课程复习提纲 2016.11 基础：半导体物理基本概念、物理效应。重点：PN结、金半结、双极型晶体管、 JFET、MESFET、MOSFET。根据物理效应、重要方程、实验修正，理解半导体器件工作原理和特性，了解器件的参数特性，进行器件设计、优化、仿真与建模。第一章：半导体物理基础主要内容包括半导体材料、半导体能带、本征载流子浓度、非本征载流子、本征与掺杂半导体、施主与受主、漂移扩散模型、载流子输运现象、平衡与非平衡载流子。半导体物理有关的基本概念，质量作用定律，热平衡与非平衡、漂移、扩散，载流子的注入、产生和复合过程，描述载流子输运现象的连续性方程和泊松方程。（不作考试要求）第二章：p－n结主要内容包括热平衡下的p－n结，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电场等概念，p－n结的瞬态特性，结击穿，异质结与高低结。耗尽近似条件，空间电荷区、耗尽区（耗尽层）、内建电势等概念，讨论pn结主要以突变结（包括单边突变结）和线性缓变结为例，电荷分布和电场分布，耗尽区宽度，势垒电容和扩散电容的概念、定义，直流特性：理想二极管IV方程的推导

对于考虑产生复合效应、大注入效应、温度效应对直流伏安特性的简单修正。PN的瞬态特性，利用电荷控制模型近似计算瞬变时间。结击穿机制主要包括热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。要求掌握隧道效应和碰撞电离雪崩倍增的概念，雪崩击穿条件，雪崩击穿电压、临界击穿电场及穿通电压的概念，异质结的结构及概念，异质结的输运电流模型。高低结的特性。第三章：双极型晶体管主要内容包括基本原理，直流特性，频率响应，开关特性，异质结晶体管。晶体管放大原理，端电流的组成，电流增益的概念以及提高电流增益的原则和方法。理性晶体管的伏安特性，工作状态的判定，输入输出特性曲线分析，对理想特性的简单修正，缓变基区的少子分布计算，基区扩展电阻和发射极电流集边效应，基区宽度调制，基区展宽效应，雪崩倍增效应，基区穿通效应，产生复合电流和大注入效应，晶体管的物理模型E－M模型和电路模型 G－P模型。跨导和输入电导参数，低频小信号等效电路和高频等效电路，频率参数，包括共基极截止频率fα和共射极截止频率fβ的定义，特征频率f T的定义，频率功率的限制，其中少子渡越基区时间，提高频率特性的主要措施。开关特性的参数定义，开关时间的定义和开关过程的描述，利用电荷控制方程简单计算开关时间。开关晶体管中最重要的参数是少子寿命。异质结双极型晶体管的结构及优点。

全球著名半导体厂家简介(精)

德州仪器 (TI LOGO ：德州仪器（Texas Instruments），简称TI ，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI 总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。德州仪器 (TI 是全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商，亦是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。 ----作为实时技术的领导者，TI 正在快速发展，在无线与宽带接入等大型市场及数码相机和数字音频等新兴市场方面，TI 凭借性能卓越的半导体解决方案不断推动着因特网时代前进的步伐！ ----TI 预想未来世界的方方面面都渗透着 TI 产品的点点滴滴，您的每个电话、每次上网、拍的每张照片、听的每首歌都来自 TI 数字信号处理器 (DSP 及模拟技术的神奇力量。网址：https://www.360docs.net/doc/4e18544766.html, 意法半导体（ST ）

LOGO ：意法半导体（ST ）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS 微电子公司和法国Thomson 半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics 将公司名称改为意法半导体有限公司意法半导体是世界最大的半导体公司之一，2006年全年收入98.5亿美元，2007年前半年公司收入46.9亿美元。公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡（五大市场占2007年销售收入的百分比）：通信（35%），消费（17%），计算机（16%），汽车（16%），工业（16%）。据最新的工业统计数据，意法半导体是全球第五大半导体厂商，在很多市场居世界领先水平。例如，意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。网址：https://www.360docs.net/doc/4e18544766.html, 飞利浦半导体（PHILIPS ）

半导体全制程介绍

《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2000的氮化硅层将以化学气相沈积Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈积（Deposition）在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography）的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist），再将光罩上的图案移转到光阻上面。接着利用蚀刻（Etching）技术，将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。接着以磷为离子源（Ion Source），对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip）。制程进行至此，我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines），依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization），制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measurement）；如此重复步骤制作第一层、第二层．．．的电路部份，以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区： 1）黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。 2）蚀刻经过黄光定义出我们所需要的电路图，把不要的部份去除掉，此去除的步骤就> 称之为蚀刻，因为它好像雕刻，一刀一刀的削去不必要不必要的木屑，完成作品，期间又利用酸液来腐蚀的，所以叫做「蚀刻区」。 3）扩散本区的制造过程都在高温中进行，又称为「高温区」，利用高温给予物质能量而产生运动，因为本区的机台大都为一根根的炉管，所以也有人称为「炉管区」，每一根炉管都有不同的作用。 4）真空本区机器操作时，机器中都需要抽成真空，所以称之为真空区，真空区的机器多用来作沈积暨离子植入，也就是在Wafer上覆盖一层薄薄的薄膜，所以又称之为「薄膜区」。在真空区中有一站称为晶圆允收区，可接受芯片的测试，针对我们所制造的芯片，其过程是否有缺陷，电性的流通上是否有问题，由工程师根据其经验与电子学上知识做一全程的检测，由某一电性量测值的变异判断某一道相关制程是否发生任何异常。此检测不同于测试区（Wafer Probe）的检测，前者是细部的电子特性测试与物理特性测试，后者所做的测试是针对产品的电性功能作检测。