金刚石薄膜的性能研究

金刚石薄膜的性能研究
金刚石薄膜的性能研究

金刚石薄膜的性能研究

金刚石薄膜的应用

由于金刚石的优异性质,加上CVD法大大降低了金刚石的生产成本而CVD金刚石薄膜的品质逐渐赶上甚至在一些方面超过天然金刚石而使得金刚石薄膜广泛地用于工业的许多领域:

1 工具领域

随着汽车、航空和航天工业的发展以及对材质轻量化、高比强度的要求日益提高,有色金属、碳纤维增强塑料(CFRP)、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、纤维增强金属(FRM)以及石墨、陶瓷等新材料在工业中的应用日益广泛,因而对加工这些材料的刀具提出了更高的要求,金刚石的高硬度,耐磨损,高热导,低热膨胀系数,低摩擦系数,化学惰性等优点使得金刚石是加工非铁系材料的理想工具材料。HTHP金刚石在二十世纪60年代就被用于刀具领域,但由于其制备工艺复杂,价格昂贵,刀具种类受限而限制了其在工业上的广泛应用;将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面,能极大地延长刀具的使用寿命,加工质量也大为提高。

2 热沉领域

目前国内半导体功率器件采用铜作热沉,在同时要求绝缘的场合采用氧化铍陶瓷。但氧化铍在制备过程中有剧毒物质产生,在发达国家已禁止使用。金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料

采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等方面都有应用;金刚石热沉商品也已在国外市场出现。金刚石热沉的另一应用前景是用于正在发展之中的多芯片技术(MCMs,Multi Chip Modules),这一技术的目标是把许多超大规模集成电路芯片以三维的方式紧密排列结合成为超小型的超高性能器件,而这些芯片的散热则是该技术的关键,显然金刚石薄膜是解决这一技术难题最理想的材料。

3 光学应用领域

金刚石的光学吸收在0.22μm左右,相当于真空紫外光波段,从此位置直到毫米波段,除位于~5μm附近由于双声子吸收而造成的微弱吸收峰(吸收系数~12.3cm-1)外,不存在任何吸收峰。

金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好。在军事可用作红外光学窗口和透镜的涂层。在民用方面可用作在恶劣环境(如冶金,化工等)下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。CVD金刚石膜通常沉积温度在800~1000℃左右,大多数光学材料衬底都不允许在这样高的温度下沉积金刚石膜,因此在低温下沉

积金刚石膜的技术就成为金刚石膜光学涂层应用的关键.目前采用微波等离子体CVD方法已能在~140℃的低温下沉积质量可以接受的多晶金刚石膜[24].该技

术的关键是必须在沉积气氛中引入大量的氧,依靠原子氧在低温下对非金刚石碳的较强刻蚀作用保证金刚石膜的低温沉积.在280℃用微波等离子体CVD方法沉积的金刚石膜,金刚石晶粒尺寸仅0.2μm左右,因此表面非常平整,不需要抛光就可以在红外波段应用.但由于沉积温度低,膜的生长速度也相当低,这是低温沉积技术的一个不足之处.当前正在发展的用卤素化合物作为碳源的沉积技术,以及激光CVD技术很有可能成为更好的金刚石膜低温沉积技术.金刚石膜光学涂层已经开始实用化,如X-射线光刻技术的掩膜,红外光学器件涂层及X-射线窗口等等。

金刚石薄膜在电化学和生物医学中的发展

掺硼的金刚石膜(Borondopeddiamond,BDD)具有优异的电化学性质。宽电化学势窗、低背景电流、极好的电化学稳定性(常温下不和任何酸碱介质反应)以及表面不易产生吸附等。采用BDD电极能够处理工业生产中产生的各种废水,如酸性废水、碱性废水、含氰废水、含铬废水、含镉废水、含汞废水、含酚废水、含醛废水、含油废水、含硫废水、含有机磷废水和放射性废水等,可以实现其它电极材料(如石墨电极,贵金属材料电极等)无法胜任的工作,BDD是最为理想的电极材料国内目前仍处于实验室研究阶段,海外已有薄膜电极产品销售。德国Condias公司利用HFCVD法在铌﹐钽﹐钛﹐石墨﹐硅和导电陶瓷等衬底上制得面积为(100×50)cm的薄膜电极,BDD膜厚达15μm,制成平板状、网孔状等不同形状的电极产品投放市场,广泛应用于污水处理,电解产业方面。图6为该公司各类不同种类的BDD电极产品。CVD金刚石薄膜在生物医学上常应用于生物传感器和培养基。因金刚石比其它任何材料都具有良好的生物兼容性,另一特性来源于其独特的表面特征。ADT公司推出的实验室用UNCD传感器基体,人体温度下,生物分子活性在其上面可保持多达两周,存放冰箱里,可以保持半年以上的生物分子活性,足以说明该材料具有及其稳定的生物表面功能。图7为氢终结的UNCD表面能够和生物分子(如各种蛋白质)形成牢固的共价键结合,UNCD培养基上检40测大肠杆菌,还可以检测水体中的病原体、毒物、大肠杆菌、沙门氏菌等,可用来应对地质灾害、生化袭击等各种突发事件。

研究的主要性质:

金刚石的高硬度,耐磨损,高热导,低热膨胀系数,低摩擦系数,化学惰性;金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体;金刚石的光学吸收在0.22μm 左右,相当于真空紫外光波段,从此位置直到毫米波段,除位于~5μm附近由于双声子吸收而造成的微弱吸收峰(吸收系数~12.3cm-1)外,不存在任何吸收峰。

制备方法,原理,制备优势及其仪器介绍,实验条件,实验步骤:

直流等离子体喷射CVD法根据低压下生长金刚石的机理,如果氢原子、甲基原子团和其它活性原子团的密度很高,则金刚石的生长速度较高。热等离子体使气体分解,产生高密度的原子团,但是,若等离子体的温度太高(超过5000℃),就难以直接应用。Kurihara等人利用淬灭热等离子体,产生非平衡态结构的等离子体,从而能在低温下获得高密度的原子

团。喷射热等离子体能形成非平衡结构的等离子体.形成的等离子体流射向高速水冷的基片而淬灭,构成金刚石生长的环境。该法常用的装置中,等离子体管是由石墨(或钨)制成的圆柱形阳极和阴极构成,阳极喷嘴直径一般为2mm,阳极与阴极之问的距离约为1mm,甲烷和氢气的混合气体通人两极之间。通过直流放电在管的喷嘴周围产生等离子体,用铜做的基片座焊接在水冷的同轴不锈钢管上。等离子体管喷嘴和基片的距离可用不锈钢管的支架来调节。一般的合成条件是:Ar的流速为0—20L/min,H2的流速为5~20L/min,CH4的流速为10~200L/min;反应室的压力为1.3×104 -5.3×104 Pa;放电电流为1O~2OA,电压为60~90V;基片与喷嘴之间的距离为5—50mm;在基片温度为800~1500K时,在基片上可生长出结晶形态很好的金刚石多晶薄膜。该法以非常高的冷却速率(106 K/s量级)使等离子体淬灭,产生非平衡态等离子体,从而使生长速度达到930μm/h,是目前所有合成方法中生长速度最快的一种方法,为快速生长金刚石薄膜提供了一种行之有效的方祛。其缺点是沉积面积相对较小,对等离子体发生器的稳定性要求高,如果能进一步加大反应器的容积,使用大面积的基片,达到快速生长出大面积的金刚石多晶膜,将会加快金刚石薄膜的商品化进程。

具有和金刚石薄膜部分相同性质的薄膜:

1聚酰亚胺薄膜

聚酰胺酸(PAA)的制备加入01540gPPA(5mmol)到100ml三颈瓶中,加入30mlDMAC,氮气保护下磁力搅拌20min使PAA充分溶解。然后加入11090gPMDA(5mmol)到二胺溶液中,在氮气气氛下室温磁力搅拌12h。最后得到澄清的淡黄色粘稠PAA溶液,该溶液用于进一步反应制备聚酰亚胺薄膜。其它的聚酰胺酸中间体也是用同样的方法制得的。213 聚酰亚胺薄膜的制备将载玻片在PAA溶液中浸渍12h然后取出依次在DMAC和丙酮中清洗30min。浸渍成膜的载玻片以1e/min的速率升温至80e并且恒温1h,然后以同样的速率升温至300e并且恒温1h,然后自然降温至室温,得到聚酰亚胺薄膜。所得到的PMDA/OPA,PMDA/MPA和PMDAPPPA型聚酰亚胺薄膜依次简写为PI1,PI2,和PI3。通过SEM观测聚酰亚胺薄膜断面,聚酰亚胺薄膜的厚度大约为115Lm

应用:广泛应用在航空、航天、微电子、纳米、液晶、分离膜、激光等领域

2氮化硅薄膜

等离子增强型化学气相沉积法(PECVD)、低压化学气相沉积法(LPCVD)、射频等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD)、光化学气相淀积(光CVD)、射频(RF)磁控反应溅射法等。其中,PECVD法具有以下特点:(1)生长设备简单、工艺重复性好。(2)沉积温度低(﹤400℃)、台阶覆盖性能好。PECVD的等离子激活所需的温度范围低,与Al、Au等电极的金属化温度相容,这一点在工艺中很重要。比如,对铝电极而言,钝化温度不得高于400℃,以抑制铝连线和硅形成硅化物,防止衬底基片物性变化。(3)生成的氮化硅薄膜结构致密,缺陷密度低,具有良好的抗钠、抗潮湿、抗腐蚀性

应用:太阳电池

3二氧化硅薄膜

磁控溅射沉积法SiO2靶的射频溅射法是制备SiO2薄膜的主要方法之一。这种方法在低温下制备的SiO2薄膜,具有多孔结构,致密度低,因而抗侵蚀能力差;而在较高温度下制备的薄膜,具有较高的致密度和较好的性能。所以,在通常情况下,衬底温度选择为300~600℃。其缺点是导致器件易受到热伤害,使一些性能指标降低。随后发展起来的磁控射频溅射技术,能达到快速和低温的要求,不仅弥补了射频溅射的缺点,大大减小了电子对衬底表面直接轰击造成的损伤,且能在较低的功率和气压下工作。绝缘体和导体均可溅射,工艺简单,衬底温度低,薄膜厚度的可控性、重复性及均匀性与其他薄膜制备方法相比有明显的改善和提高,因而得到了广泛使用。许生等使用140mm×600mm的硅靶,频率为40kHz的中频电源,以Ar为溅射气

体,O2为反应气体,成功地制备了SiO2薄膜,并对制备的SiO2薄膜的化学配比和元素化学态进行了扫描俄歇谱(SAM)和X射线光电子能谱(XPS)分析,测试了膜层对钠离子(Na+)的阻挡性能、光学折射率和可见光透过率。

应用:微电子领域,光学领域

类金刚石薄膜的分子动力学研究

Material Sciences 材料科学, 2014, 4, 145-151 Published Online July 2014 in Hans. https://www.360docs.net/doc/4f159959.html,/journal/ms https://www.360docs.net/doc/4f159959.html,/10.12677/ms.2014.44022 The Molecular Dynamics Simulation on the Diamond-Like Carbon Films Minyong Du1, Ming Zhang1*, Jizhou Wei1, Haoliang Deng1, Shangjie Chu1, Kun Ren2 1College of Materials Science and Engineering, BeiJing University of Technology, Beijing 2College of EE and CE, Beijing University of Technology, Beijing Email: duminyong@https://www.360docs.net/doc/4f159959.html,, *mzhang@https://www.360docs.net/doc/4f159959.html, Received: May 28th, 2014; revised: Jun. 25th, 2014; accepted: Jul. 4th, 2014 Copyright ? 2014 by authors and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). https://www.360docs.net/doc/4f159959.html,/licenses/by/4.0/ Abstract The research and application of the diamond-like carbon films are very extensive since it was found due to the superior properties. Therefore, we had begun to study using molecular simula-tion methods in order to get better properties and explore better structure as early as the 1980s. In this background, the paper describes the development of the case of the diamond-like carbon films’ study, and gives a brief summary for the representative study of each period. Then, we point out some of the key issues that the diamond-like simulation faces and give the prospect for its fu-ture development at the end of this paper. Keywords Diamond-Like Carbon Films, Molecular Dynamics Simulation, Interatomic Potentials 类金刚石薄膜的分子动力学研究 杜敏永1,张铭1*,魏纪周1,邓浩亮1,楚上杰1,任坤2 1北京工业大学,材料科学与工程学院,北京 2北京工业大学,电子信息与工程学院,北京 Email: duminyong@https://www.360docs.net/doc/4f159959.html,, *mzhang@https://www.360docs.net/doc/4f159959.html, 收稿日期:2014年5月28日;修回日期:2014年6月25日;录用日期:2014年7月4日 *通讯作者。

类金刚石薄膜改性橡胶 表面摩擦学性能的研究进展

专论四综述一一一一一一一一一一一一一一一一合成橡胶工业,2018-05-15,41(3):237~242 CHINA SYNTHETIC RUBBER INDUSTRY ???????????????????????????????????????????????????????????? 类金刚石薄膜改性橡胶 表面摩擦学性能的研究进展 李路吉,文一峰? (海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228) 一一摘要:介绍了类金刚石薄膜的结构,概述了类金刚石薄膜改性橡胶的表面结构,以及膜基结合力二表 面摩擦学性能的研究现状,并提出展望三 关键词:橡胶;类金刚石薄膜;改性;摩擦学性能;综述 一一中图分类号:TQ330.7+5一一文献标志码:A一一文章编号:1000-1255(2018)03-0237-06 一一橡胶作为一种常见的密封材料,其在航空航天二交通运输和医疗器械等领域的应用十分普遍[1-3],其中比较常见的有丙烯酸酯橡胶(ACM)二氟橡胶(FKM)二丁腈橡胶(NBR)以及氢化丁腈橡胶(HNBR)等三然而,橡胶作为一种单纯的密封材料,其在动态密封环境特别是在油密封环境中长久工作后会发生自身磨损失效的现象以及润滑油泄漏污染的隐患三因此,开发一种既拥有良好的物理机械性能以适应密封环境,又无需润滑剂从而可避免污染的新型橡胶密封材料是近年来的研究方向三一① 改善橡胶表面性能尤其是摩擦学性能可以通过表面化学改性[4]二等离子体处理[5-6]二润滑[7]和表面涂覆[3,7]等方法实现三经改性或者等离子体处理后的橡胶表面摩擦系数明显减小,虽然使用前期效果比较好,但却无法适应长期高强度磨损的环境,不能满足长期磨损的硬性条件;添加润滑剂的方法简单,但是在长期使用过程中会出现润滑剂的降解和泄漏等问题,造成环境污染以及润滑效果下降;橡胶的表面涂覆是一类正在研发的新技术,经表面沉积适宜的涂层后,不仅能大幅提高橡胶表面的物理机械性能,还可以显著降低摩擦系数与摩擦损耗三此外,涂层的性能稳定,适合长期工作,并且无污染三橡胶的表面涂覆一般可以通过物理气相沉积(PVD)法和等离子体辅助化学气相沉积(CVD)法来实现[8]三 类金刚石(DLC)薄膜是一类亚稳态无定形的宽带隙半导体材料[9-10],具有化学惰性二相对硬度高二低摩擦系数以及较低的磨损率[11]等优点,其在航空航天二汽车工业二光学器件和生物医学[12-15]等领域具有广阔的发展前景三本文着重介绍了近年来利用在橡胶表面沉积DLC薄膜以提高橡胶表面性能尤其是摩擦学性能的研究进展三 1一DLC薄膜的结构 图1[16]是C原子sp3二sp2排列结构和H原子组成的DLC三元相图三从化学成分看,DLC薄膜主要由C元素或者C和H这2种元素组成,因此理论上可以与橡胶进行较好的融合三从组成结构看,DLC薄膜可以分为无氢膜与氢化膜,无氢DLC薄膜一般用PVD法制备,可以分为无定形碳膜(a-C)和四面体非晶碳膜(ta-C),前者微观表现为sp3和sp2混杂形成的三维网络,后者主要由超过80%的sp3结构组成框架,是一种超硬膜三氢化DLC薄膜可用CVD法制备,可以分为氢化非晶碳膜(a-C?H)和四面体氢化非晶碳膜(ta-C?H),相比于无氢DLC薄膜,其含氢质量分数在 一一一一 ①收稿日期:2017-06-20;修订日期:2018-02-22三 作者简介:李路吉(1995 ),男,浙江宁波人,本科三主要从 事功能薄膜技术方面的研究,已发表论文2篇三 基金项目:海南省重点研发计划(高新技术)资助项目(ZDYF 2016019)三 ?通讯联系人三 万方数据

类金刚石薄膜界面结合力的改善技术

类金刚石薄膜界面结合力的改善技术 赵洋1 (1.西南大学材料科学与工程学院,重庆400715) [摘要] 本文对当前国内外改善DLC薄膜界面结合力的技术进行了综述,包括改善沉积工艺、掺杂、过渡层设计等,为改善DLC薄膜结合力提供依据。 [关键词]类金刚石薄膜;内应力;结合力 technology of improving the interfacial adhesion of DLC films Zhao Yang1 (1.School of Materials Science and Engineering,Southwest University,Chongqing 400715,China;) [Abstract] Current domestic and international technology of improving the interfacial adhesion of DLC films are summarized in this paper in order to supply the accordance of improving the adhesion,which includes the changing of deposition parameters, doping, interlayers, and so on. [Key words] DLC films; intrinsic force;adhesion 1 引言 类金刚石薄膜(DLC),具有类似于天然金刚石的性质,是一种新型的硬质润滑功能薄膜材料[1],薄膜中的碳原子部分处于sp2杂化状态,部分处于sp3杂化状态,同时也有极少数处于sp1杂化状态[2]。由于具有优良的光、电和力学特性, 在工业上具有广泛的应用前景[3~4], 近年来DLC膜在许多方面已得到了工业化应用, 如在切削刀具, 自动化机械零部件等的表面涂层处理上。 然而,DLC膜的一个致命弱点是内部应力很高, 有些DLC膜应力高达10G Pa,使得薄膜的结合力特性较差、不易厚膜化,从而极大地限制了它的应用范围。这主要是由于DLC薄膜在沉积过程中,离子对基体表面的轰击和注入,使得膜基之间存在较大的应力,再加上本身具有的化学惰性, 难以与基体形成化学健合, 使得其与一些常用的衬底材料难于形成强固的粘合层。为改善DLC薄膜的特性,尤其是界面结合力,许多科研工作人员从多方面进行了探索和研究。目前,国内外改善DLC薄膜界面结合强度主要是从本征应力和界面应力的控制两方面来着手。其中,通过改变工艺参数、掺杂第三元素[5]、引入中间过渡层或进行退火后处理[6]等方式来改善DLC膜结合力是目前技术研究的热点。 2 DLC结合力改善技术

金刚石材料的功能特性研究与应用

陶瓷专题 金刚石材料的功能特性研究与应用 高 凯,李志宏 (天津大学材料科学与工程学院,天津 300072) Study and Application on Functional Properties of Diamond Materials GAO Kai,LI Zhi hong (S chool of M ater ial S cience and Engineer ing,T ianj in Univer sity,T ianj in300072,China) Abstract:Functional properties of diamo nd mater ials and its study and application recent years on w ide bandg ap semiconducto rs,ultraviolet detectors,sing le pho to n source for quantum computer,so nic surface diffusion and electronic encapsulatio n w ere reviewed in this paper,and other po tential application on func tional proper ties of the diamond materials w ere expected. Key words:Diamo nd,Functional proper ty,Study,Application 摘要:本文综述了金刚石的功能特性及其近年来在宽禁带半导体、紫外探测器、量子计算机用单光子源、声波材料和电子封装等方面的研究与应用进展,并对金刚石材料在其它功能特性方面的开发与应用前景提出了展望。 关键词:金刚石;功能特性;研究;应用 中图分类号:TB33 文献标识码:A 文章编号:1002-8935(2010)04-0009-05 金刚石是目前工业化生产的最硬材料,其前通常利用其硬度特性广泛地作为加工、研磨材料。但它除了具有高硬度之外,其许多优异特性被逐渐发现和挖掘,如室温下高热导率、极低的热膨胀系数、低的摩擦系数、良好的化学稳定性、大的禁带宽度(5 5eV)、高的声传播速度、掺杂诱导的半导体特性以及高的光学透过率,使其在机械加工、微电子器件、光学窗口及表面涂层等许多领域有着广阔的应用前景。因此,金刚石材料的功能特性研究与应用引起了人们极大的兴趣,并在很多领域取得了突破和进展。 1 在宽禁带半导体方面的研究与应用 金刚石作为一种宽禁带半导体,在光电子学中的应用前景无疑是最引人注目的。但是由于n型金刚石半导体掺杂存在着一定的困难,使制备同质结的困难加大,目前领先的依然是麻省理工学院有关于金刚石薄膜p n结的研究[1],2001年麻省理工学院的Koizumi等第一次制备了金刚石薄膜p n结,在金刚石单晶的(111)面上以同质外延生长的方法制备了两层金刚石薄膜,p型半导体使用B元素掺杂金刚石薄膜而成,n型半导体则以P元素掺杂制备,然后他们对这个装置进行了改进,在施加20V 偏压电路的情况下,装置被激发出了紫外光,并且指出,该装置可以在高温下运作。Alexo v A等[2]则在掺杂B元素后的金刚石薄膜上用同质外延法制备了一层掺杂N元素的金刚石薄膜,但是并没有详细报道此p n结的电致发光等特性。之后有关同质结的报道很不常见,估计主要是还是因为金刚石n型半导体掺杂的可重复性存在着一定的困难所致,目前报道都集中于金刚石半导体异质结上,比如,已在Si晶片上生长含B金刚石薄膜[3],或者是制备肖特基二极管(Schottky diodes)和场效应晶体管(Field effect transisto rs,FET)。 1987年化学气相沉积(CVD)法制备含B金刚石薄膜的方法并不完善,所以Geis等[4]用合成含B 金刚石单晶的方法制备了由W元素接触的首个金刚石肖特基二极管,并在700下考察了样品的性能,确定了样品具有很高的击穿场强。同一课题组的相关人员进一步考察了不同金属元素接触对金刚石肖特基二极管性能的影响[5],大量的工作表明,使用Al,Au,H g元素作为含B金刚石的表面接触元

类金刚石薄膜制备和应用

类金刚石膜调研 类金刚石薄膜发展史: 金刚石、类金刚石薄膜技术,是指利用各种光学薄膜制作技术制作接近天然金刚石和人造单晶金刚石特性(如在较宽光谱内均具有很高的光透过率--在2~15μm(微米)范围光的吸收率低到1%;具有很高的硬度、良好的导热性、耐腐蚀性以及化学稳定性高--1000℃(摄氏度)以上仍保持其化学稳定性等)的人造多晶金刚石薄膜、类金刚石薄膜(又称为硬碳膜、离子碳膜、或透明碳膜)的一种技术。 光学应用金刚石、类金刚石薄膜主要采用低压化学汽相沉积(CVD)技术制备。低压CVD 技术包括热丝CVD法、等离子体CVD法、离子束蒸镀法、光/激光CVD法附加活性氢激光CVD 法等。 目前,CVD法制作金刚石薄膜已取得丰硕成果,但作为红外光学薄膜应用还需进一步解决金刚石薄膜对红外光学材料的粘着性和光散射的问题。CVD法制作的金刚石薄膜与硅基片的粘着性是不错的,但是与其他材料(如锗、硫化锌等)基片的粘着性就甚差,或是根本就粘着不到一起去。对于光散射的问题,则是要求如何更好地控制金刚石薄膜表面形态和晶粒结构。理想的CVD法制造的红外光学应用的金刚石薄膜或许是一种单晶结构的膜,但是,目前使用CVD法还不能制造单晶结构的金刚石薄膜。此外,大面积薄膜的制作、膜的光洁度等技术课题以及金刚石薄膜的制作成本问题,都有待于继续研究解决。 1.1金刚石、类金刚石薄膜研究进展 自1963年在一次偶然的机会出现了不寻常的硬度和化学性能好的化学汽相沉积(CVD)碳形式的薄膜后,国外有不少研究单位开始研究金刚石薄膜的沉积工艺.1971年,艾森伯格(Aisenberg)和沙博(Chabot)等人,利用离子束蒸镀法,以石墨作薄膜材料,通过氩气弧光放电使石墨分解电离产生碳离子。碳离子经磁场聚焦成束,在比较高的真空条件下,在低压沉积室内的室温下的基片上沉积出了硬碳膜。这种硬碳膜具有近似于金刚石的一些特性-如透明度高、电阻抗大、硬度高等。当时,这种膜被人们称作i形碳。直到1976年,斯潘塞(Spencer)等人对这种应碳膜的结构进行了探讨,结果确认膜中有金刚石等数种碳系结晶,后才被人们称之为类金刚石膜。就在这一年,德贾吉恩(Derjaguin)等人利用化学转变法合成出了金刚石薄膜。从此之后,低压CVD金刚石薄膜工艺引起了人们的注意。70年代中期,前苏联

金刚石薄膜的性能研究

金刚石薄膜的性能研究 金刚石薄膜的应用 由于金刚石的优异性质,加上CVD法大大降低了金刚石的生产成本而CVD金刚石薄膜的品质逐渐赶上甚至在一些方面超过天然金刚石而使得金刚石薄膜广泛地用于工业的许多领域: 1 工具领域 随着汽车、航空和航天工业的发展以及对材质轻量化、高比强度的要求日益提高,有色金属、碳纤维增强塑料(CFRP)、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、纤维增强金属(FRM)以及石墨、陶瓷等新材料在工业中的应用日益广泛,因而对加工这些材料的刀具提出了更高的要求,金刚石的高硬度,耐磨损,高热导,低热膨胀系数,低摩擦系数,化学惰性等优点使得金刚石是加工非铁系材料的理想工具材料。HTHP金刚石在二十世纪60年代就被用于刀具领域,但由于其制备工艺复杂,价格昂贵,刀具种类受限而限制了其在工业上的广泛应用;将金刚石薄膜直接沉积在刀具表面,能极大地延长刀具的使用寿命,加工质量也大为提高。 2 热沉领域 目前国内半导体功率器件采用铜作热沉,在同时要求绝缘的场合采用氧化铍陶瓷。但氧化铍在制备过程中有剧毒物质产生,在发达国家已禁止使用。金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料 采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等方面都有应用;金刚石热沉商品也已在国外市场出现。金刚石热沉的另一应用前景是用于正在发展之中的多芯片技术(MCMs,Multi Chip Modules),这一技术的目标是把许多超大规模集成电路芯片以三维的方式紧密排列结合成为超小型的超高性能器件,而这些芯片的散热则是该技术的关键,显然金刚石薄膜是解决这一技术难题最理想的材料。 3 光学应用领域 金刚石的光学吸收在0.22μm左右,相当于真空紫外光波段,从此位置直到毫米波段,除位于~5μm附近由于双声子吸收而造成的微弱吸收峰(吸收系数~12.3cm-1)外,不存在任何吸收峰。 金刚石膜作为光学涂层的应用前景非常好。在军事可用作红外光学窗口和透镜的涂层。在民用方面可用作在恶劣环境(如冶金,化工等)下工作的红外在线监测和控制仪器的光学元件涂层。CVD金刚石膜通常沉积温度在800~1000℃左右,大多数光学材料衬底都不允许在这样高的温度下沉积金刚石膜,因此在低温下沉

类金刚石薄膜的性能与应用

学科前沿知识讲座论文

类金刚石薄膜的性能与应用 摘要: 类金刚石膜(Diamond-like Carbon)简称DLC,是一类性质类似于金刚石如具有高硬度、高电阻率、耐腐蚀、良好的光学性能等,同时其又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳膜。作为功能薄膜和保护薄膜,其广泛应用于机械、电子、光学、医学、航天等领域中。类金刚石膜制备方法比较简单,易实现工业化,具有广泛的应用前景。 关键词:超硬材料类金刚石薄膜制备气象沉积表面工程技术引言 磨损是工程界材料功能失效的主要形式之一,由此造成的资源、能源的浪费和经济损失可用“巨大”来表示。然而,磨损是发生于机械设备零部件表面的材料流失过程,虽然不可避免,但若采取得力措施,可以提高机件的耐磨性。材料表面工程主要是利用各种表面改性技术,赋予基体材料本身所不具备的特殊的力学、物理或化学性能,如高硬度、低摩擦系数、良好的化学及高温稳定性、理想的综合机械性能及优异的摩擦学性能,从而使零部件表面体系在技术指标、可靠性、寿命和经济性等方面获得最佳效果。硬质薄膜涂层因能减少工件的摩擦和磨损,有效提高表面硬度、韧性、耐磨性和高温稳定性,大幅度提高涂层产品的使用寿命,而广泛应用于机械制造、汽车工业、纺织工业、地质钻探、模具工业、航空航天等领域。

一、超硬薄膜材料 随着材料科学和现代涂层技术的发展,应用超硬材料涂层技术改善零部件表面的机械性能和摩擦学性能是21世纪表面工程领域重要的研究方向之一。超硬薄膜是指维氏硬度在40GPa以上的硬质薄膜。到目前为止,主要有以下几种超硬薄膜: 1 金刚石薄膜 金刚石薄膜的硬度为50~100GPa(与晶体取向有关),从20世纪80年代初开始,一直受到世界各国的广泛重视,并曾于20世纪80年代中叶至90年代末形成了一个全球范围的研究热潮。金刚石膜所具有的最高硬度、最高热导率、极低摩擦系数、很高的机械强度和良好化学稳定性的优异性能组合使其成为最理想的工具和工具涂层材料。金刚石薄膜在摩擦学领域应用的突出问题,就是在载荷条件下薄膜与基体之间的粘附强度以及薄膜本身的粗糙度问题,目前,己经有针对性地开展了大量的研究工作。随着研究工作的不断深入,金刚石薄膜将会为整个人类社会带来巨大的经济效益。 2 立方氮化硼(c-BN)薄膜 立方氮化硼(c-BN)薄膜的硬度为50~80GPa,它具有与金刚石相类似的晶体结构,其物理性能也与金刚石十分相似。与金刚石相比,c-BN的显著优点是具有良好的热稳定性和化学稳定性,适用于作为超硬刀具涂层,特别是用于加工铁基合金的刀具涂层。 3 碳氮膜 碳氮膜是新近开发的超硬薄膜材料,理论预测它具有达到和

化学气相沉积金刚石薄膜及其应用进展

化学气相沉积金刚石薄膜及其应用进展 摘要:化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。本文简单综述了化学气相淀积金刚石薄膜,又简单介绍了金刚石薄膜在各工业领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。 关键词:金刚石薄膜热灯丝CVD法微波等离子体CVD法 前言金刚石在所有已知物质中具有最高的硬度,室温下有最高的热导率,对光线而言从远红外区到深紫外区完全透明,有最低的可压缩性,极佳的化学惰性,其生物兼容性超过了钛合金等等。然而由于天然金刚石数量稀少,价格昂贵,尺寸有限等因素,人们很难利用金刚石的上述优异的性能。根据天然金刚石存在的事实以及热力学数据,人们一直想通过碳的另一同素异形体——石墨来合成金刚石。但由于金刚石与石墨之间存在着巨大的能量势垒,要将石墨转化为金刚石,必须使用高温高压技术来人工合成,使得人工高温高压合成的金刚石价格昂贵。 20世纪80年代初开发的化学气相沉积(CVD)制备的金刚石薄膜,不仅成本低,质量高,而又可大面积制备,使人们大规模应用金刚石优异性质的愿望,通过CVD法合成金刚石薄膜得以实现。金刚石膜具有极其优异的物理和化学性质,如高硬度、低磨擦系数、高弹性模量、高热导、高绝缘、宽能隙和载流子的高迁移率以及这些优异性质的组合和良好的化学稳定性等,因此金刚石薄膜在各个工业领域有极其广泛的应用前景。 1金刚石薄膜制备 在低温低压下利用化学气相沉积CVD技术生长金刚石膜;含碳化合物和氢气是最主要的原料,前者提供碳源,后者提供原子态的氢,促使更多的碳转变为sp3的金刚石结构,除去未转变为金刚石的其它形态碳(sp2石墨碳或非晶碳、sp1碳)。 金刚石薄膜制备的主要CVD方法:(1)热灯丝CVD(HFCVD);(2)微波等离子体CVD(MWPCVD);(3)直流等离子体CVD(DC-CVD);(4)直流电弧等离子体射流CVD(DC-JET);(5)电子增强CVD(EACVD);(6)磁微波等离子体

oDLC类金刚石镀膜技术知识介绍

oDLC类金刚石镀膜技术知识介绍 DLC(类金刚石薄膜)定义: 类金刚石薄膜是近年兴起的一种以sp3和 sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度.高电阻率.良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇Diamond Like Carbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。 DLC薄膜性能 机械性能:高硬度和高弹性模量、优异的耐磨性、低摩擦系数 电学性能:表面电阻高化学惰性大 光学性能:DLC膜在可见光区通常是吸收的,在红外去具有很高的透过率稳定性:亚稳态的材料、热稳定性很差,400摄氏度 oDLC镀膜技术解析: oDLC镀膜技术,是指通过纳米镀膜技术将DLC(类金刚石薄膜)均匀地沉积于钢化玻璃或者物质表面,形成一层独特的保护膜。借助类金刚石薄膜自身的高硬度优势提高钢化玻璃的表面硬度,改善其防刮抗压性能。、 oDLC镀膜技术的应用 由于DLC类金刚石有着和金刚石几乎一样的性质,因此,它的产品被广泛应用到机械、电子、光学和医学等各个领域。同时类金刚石膜有着比金刚石膜更高的新能价格比,所以相当广泛的领域内可以代替金刚石膜。 1、机械领域的应用 ①用于防止金属化学腐蚀和划伤方面 ②磁介质保护膜 2、电子领域的应用 ①UISI芯片的BEOL互联结构的低K值的材料 ②碳膜和DLC薄膜交替出现的多层结构构造共振隧道效应的多量子阱结构 3、光学领域的应用 ①塑料和聚碳酸酯等低熔点材料组成的光学透镜表面抗磨损保护层 ②DLC膜为性能极佳的发光材料之一:光学隙带范围宽,室温下光致发光和

几种CVD制备金刚石薄膜的方法

几种CVD制备金刚石薄膜的方法 1.热丝CVD法 此法又称为热解CVD法,Matsumoto等人采用热丝CVD法成功地生长出了金刚石薄膜。该法是把基片(Si、Mo、石英玻璃片等)放在石英玻璃管做成的反应室内,把石英管内抽成真空后,把CH4和H2的混合气体输人到装在管中的钨丝附近(两种气体的流量比为0.5%-5%)。用直流稳压电源加热钨丝到约2000℃,反应室内温度为700~900℃,基片温度为900℃左右,室内气体压力为1×103-1×105Pa。在这样的反应条件下,CH4和H2混合气中的H2被热解,产生原子态氢,原子态氢与CH4反应生成激发态的甲基,促进了碳化氢的热分解,促使金刚石SP3杂化C-C键的形成,使金刚石在基片上沉积,获得立方金刚石多晶薄膜。沉积速率为8-10μm/h 我国的金曾孙等人也用热丝CVD法生长出质量很好的金刚石薄膜。实验表明,基片温度和甲烷的浓度是薄膜生长最为重要的参数,它们对金刚石薄膜的结构、晶形、膜的质量和生长速率影响甚大。该法的特点是装置结构简单、操作方便、容易沉积出质量较好的金刚石膜。 2.电子加速CVD法 此法是在用热丝CVD法沉积金刚石薄膜过程中,用热电子轰击基片表面,加速金刚石在基片上沉积。与热丝CVD法不同的是,该法把电压正极接在用铝制成的基片架上,经加热的钨丝发射电子,电子在电场作用下轰击阳极的基片。CH4和H2的混合气体被输送到基片表面,由于热反应和热电子轰击的双重作用,使气体发生分解,形成各种具有活性的碳氢基团,促使具有双键和三键的碳离解,加速金刚石的成核和生长。基片可选用Si、SiC、Mo、WC、A12O3等材料。一般的工艺参数是:甲烷为ψ(CH4)=0.5%~2.0%;气体流速为5-50cm3/min;基片温度在500~750℃之间;钨丝温度为2000℃;基片支架的电流密度为10mA/cm2,电压150V。用此法沉积出的金刚石薄膜的性质与天然金刚石基本相同,晶形完整,生长速率一般为3~5μm/h。此法的特点是通过电子轰击基片,从而加速了CH4和H2的分解,增加了基片表面上金刚石的成核。不足之处是金刚石薄膜中夹杂有少量的无定形碳、石墨和氢。这可通过调节工艺参数加以解决。 3.直流放电等离子体CVD法 等离子体CVD包括直流等离子体、高频等离子体和微波等离子体等3种。其原理是把CH4和H2混合气体等离子化,分解成C、H2、H、C x H y基团,形成等离子体。等离子体中依靠电子的适当浓度保持电中性。因此,电子的能量高于离子或中性粒子,有各种状态的游离基发生,促使碳与基片接触,从而沉积出金刚石薄膜。由于等离子体化学反应过程很复杂,反应的机理目前还不十分清楚。 Suzuki等人用直流等离子体装置,进行了沉积实验,取得了较好的结果。他们以CH4和 H2为气源,CH4浓度为ψ(CH4)=0.3%一4.0%(体积分数),混合气体以20mL/min通人反应室,反应室的压力保持在2.67×104Pa,安装基片的阳极位于阴极上方20mm处,在1kV的电压和4 A/cm2电流密度下进行直流放电。由于电子轰击,基片温度可达800℃,此时基片上便有金刚石析出。其中基片温度可通过冷却水的流速来调节,用该法生长出的金刚石结晶形态好,薄膜的生长速率高达2Oμm/h。该方法的特点是设备相对简单,放电区域大,可做出较大面积且均匀的金刚石薄膜。

纳米金刚石薄膜的性能研究

纳米金刚石薄膜的性能研究 摘要:纳米金刚石薄膜的优异性能吸引了众多学者的关注,同时也成为CVD金刚石薄膜研究领域的新热点。它在很多领域都具有极好的应用前景,是我们将来生活中不可或缺的一种薄膜材料。本文简单介绍了纳米金刚石薄膜的一些应用,并主要从光学、力学和电学的角度对其性能做了详细阐述。 关键词:纳米金刚石薄膜性能 Properties of Nanocrystalline Diamond Films Abstract:The excellent properties of nanocrystalline diamond films are of interest for many researchers and have become a new hot point in the development of diamond films prepared by chemical vapor deposition. It has good prospects in many fields, and became an indispensable film material of our lives. The paper introduced briefly the applications of nanocrystalline diamond films, while its properties were described in detail mainly from the optical, mechanical and electrical points. Keywords:nanocrystalline diamond films properties

200915010121化学气相沉积(CVD ) 金刚石薄膜

化学气相(CVD ) 金刚石薄 膜的 主要制备方法及应用

?金刚石又名钻石, 是碳的同素异构体, 属于立方晶系, 具有面心立方结构, 典型的原子晶体。金 刚石具有很多无与伦比的优异性能, 机械特性、 热学特性、透光性、纵波声速、半导体特性及化 学惰性等, 在自然界所有的材料中均是首屈一指的。例如: 金刚石硬度是自然界中硬度最高的, 热导率是已知材料中最高的(是铜的热导率5 倍) , 高绝缘性和从红外到紫外极宽的透光性??。由于 自然界中金刚石储量极少,

, 因此价格昂贵, 而且无论天然金刚石还是高温高压下合成的人造金刚石都是离散的颗粒状, 应用范围受到了很大限制。近几年, 发达国家对化学气相沉积(简称CVD) 金刚石膜制备及应用开发研究进行了大量投资。由于CVD 金刚石制造成本低, 可以大面积化、曲面化, 而且其厚度可按需要从不足1Lm 直至数毫米, 而且制备出的CVD 金刚石薄膜物理性和天然金刚石基本相同或接近, 化学性质完全相同, 使金刚石的应用领域大大扩大。

制备方法1. 1热灯丝CVD 法 (HFCVD) (如图1)

热灯丝CVD 法是在基片表面的附近用5 0. 15mm 左右螺旋钨丝通电加热、钨丝温度控制2000~2200℃。真空室压力控制40 乇左右, 基片温度控制在700~1000℃左右, 基片与钨丝距离l<10mm , 然后通入CH4 和H2 混合气体,使它们激发离解, 从而在基片表面生成金刚石。此法的改良形式是EACVD 法,实际上就是在热丝CVD 基础上给基片加一个150V 左右偏压, 使薄膜在沉积过程中同时受到电子的轰击, 可使薄膜中沉积速率得到提高。 此方法简单易行,缺点是沉积速度较慢v <10Lm?h , 不均匀, 工艺稳定性差, 易污染。

金刚石薄膜

金刚石薄膜 类金刚石薄膜是近来兴起的一种以sp3和sp2键的形式结合生成的亚稳态材料,兼具了金刚石和石墨的优良特性,而具有高硬度。高电阻率。良好光学性能以及优秀的摩擦学特性。 结构 类金刚石薄膜通常又被人们称为DLC薄膜,是英文词汇DiamondLikeCarbon的简称,它是一类性质近似于金刚石,具有高硬度.高电阻率.良好光学性能等,同时又具有自身独特摩擦学特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之间的不同结合方式,从而使其最终产生不同的物质:金刚石(diamond)-碳碳以sp3键的形式结合;石墨(graphite)-碳碳以sp2键的形式结合;而如同绪论里所述类金刚石(DLC)-碳碳则是以sp3和sp2键的形式结合,生成的无定形碳的一种亚稳定形态,它没有严格的定义,可以包括很宽性质范围的非晶碳,因此兼具了金刚石和石墨的优良特性;所以由类金刚石而来的DLC膜同样是一种亚稳态长程无序的非晶材料,碳原子间的键合方式是共价键,主要包含sp2和sp3两种杂化键,而在含氢的DLC膜中还存在一定数量的C-H键。 由两个相同或不相同的原子轨道沿轨道对称轴方向相互

重叠而形成的共价键,叫做σ键。σ键是原子轨道沿轴方向重叠而形成的,具有较大的重叠程度,因此σ键比较稳定。σ键是能围绕对称轴旋转,而不影响键的强度以及键跟键之间的角度(键角)。根据分子轨道理论,两个原子轨道充分接近后,能通过原子轨道的线性组合,形成两个分子轨道。其中,能量低于原来原子轨道的分子轨道叫成键轨道,能量高于原来原子轨道的分子轨道叫反键轨道。以核间轴为对称轴的成键轨道叫σ轨道,相应的键叫σ键。以核间轴为对称轴的反键轨道叫σ*轨道,相应的键叫σ*键。分子在基态时,构成化学键的电子通常处在成键轨道中,而让反键轨道空着。 σ键是共价键的一种。它具有如下特点: 第一点,σ键有方向性,两个成键原子必须沿着对称轴方向接近,才能达到最大重叠;第二点,成键电子云沿键轴对称分布,两端的原子可以沿轴自由旋转而不改变电子云密度的分布;第三点,σ键是头碰头的重叠,与其它键相比,重叠程度大,键能大,因此,化学性质稳定。共价单键是σ键,共价双键有一个σ键,π键,共价三键由一个σ键,两个π键组成。 分类 类金刚石薄膜(DLC)是1种非晶薄膜,可分为无氢类金刚石碳膜(a-C)和氢化类金刚石碳膜(a-C:H)(图2)两类。无氢类金刚石碳膜有a-C膜(主要由sp3和sp2键碳原子相互混杂

金刚石膜的应用以及制备方法

金刚石膜的应用以及制备方法 ——————微波等离子体CVD制备金刚石膜 前言: 随着对金刚石的深入研究以及广泛应用,对硬质碳素材料有了进一步探索和需求,因此渴望找到一种可以代替金刚石的的材料。自从1971年Aisenberg和Chabot第一次利用碳的离子束沉积技术制备出具有金刚石特征的非晶碳膜以后,全球范围内掀起了制备类金刚石薄膜的浪潮。金刚石膜具有高硬度、低摩擦系数、高弹性模量、高热导、高绝缘、高稳定性、宽能隙和载流子高迁移率等优异性质和这些优异特性的组合,是一种在传统工业、军事、航天航空和高科技领域具有广泛应用前景的新材料,被称为是继石器时代、青铜器时代、钢铁时代、硅时代以来的第五代新材料,亦被称为是继塑料发明以来在材料科学领域的最伟大的发明。 微波等离子体化学气相沉积金刚石膜(简称:CVD金刚石膜),具有沉积速度快、纯度高、成膜均匀、面积大、结晶好、成本低等优点,是当今国际上制备金刚石膜的最先进方法,亦是金刚石膜制备技术的发展方向。世界上各大金刚石膜制品公司皆主要采用微波等离子体化学气相法制备金刚石膜。 一、金刚石膜在当代社会中的重要作用。 (1)金刚石膜刀具应用 金刚石膜硬度高、热导率高、摩擦系数低、生物相容性好以及这些优异性能的组合,可制成金刚石膜的切削刀具、机芯、密封件、人工关节等。使用金刚石膜工具不仅可以极大提高工具的使用寿命与工效,还可以极大提高加工精度。更重要的是解决了超硬合金、陶瓷材料、碳纤维、玻璃纤维等超难加工材料的切削加工难题,为高、新、精、尖技术和工艺的发展奠定了基础。 (2)金刚石膜光学应用

使用微波等离子体化学气相法沉积金刚石膜于镜头、钟表、仪表等表面,可制造真正的永不磨损镜头和钟表等,并极大提高光学镜头的适用范围和成像质量,适应各种恶劣的环境。美国哈勃望远镜的镜头使用了表面沉积金刚石薄膜技术,以适应外太空的恶劣环境和提高成像质量。 (3)金刚石膜航天应用 金刚石膜具有良好的抗辐照性能,以金刚石膜为基底的电子器件在高空电离辐射、热辐射和宇宙射线的作用下仍能保持良好的工作性能,在航天器中具有重要的应用。使用微波等离子体化学气相法沉积金刚石膜于窗口表面,可以充分利用其高硬度、高热导等特性,制造各种航天器和深海设备的观察窗口。美国发射的金星探测器的观察窗口就使用了金刚石膜技术。 (4)金刚石膜军事应用 用金刚石膜窗口制作各种激光制导、红外制导导弹的头罩,可以极大地提高导弹的飞行速度和命中率。当导弹以10马赫飞行时,温度升到5000℃,此时制导窗口不仅要经受高温的考验,还要经受空气中微尘、水分子和空气分子的高速撞击,使用传统的ZnS、ZnSe 、Ge等材料制成的窗口即已受热变软、变形、打毛甚至变盲,而金刚石膜窗口却能安然无恙。 美国洛克希德导弹和空间公司(Lockheed Missiles and Space Company)采用CVD金刚石膜制造导弹拦截窗口,起到了很好的保护效果,并在单面镀金刚石膜后可增加透过率13%,双面镀膜后增加透过率26%。“AIM-9L Sidewinder”空对空热寻导弹,因为使用了金刚石膜窗口,大大提高了热寻的灵敏度。 (5)金刚石膜热沉应用 金刚石膜系高热导的绝缘体,用作大功率电器件的散热衬底而无需专门的冷却系统,在提高电子设备紧凑度的同时,减轻了重量,提高了电子器件的可靠性,这对于航空航天等高技术领域具有重要意义。美国F16战机的分频电路就使用了CVD金刚石膜衬底。如果卫星上全部使用金刚石膜作为电路的衬底,冷却系统将减少90%的重量,不仅尺寸大大减小,结构紧凑,而且改善了工作环境,增强了电子系统的功能和可靠性,使卫星总重量降低50%以上,发射效率成倍提高。 (6)金刚石膜电子学应用 《美国国家关键技术报告》认为:“电子和光学器件领域将是金刚石膜最终

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