(完整版)《电子技术基础》教学计划.doc
会东电子科技学校
2015学年秋季学期
教
学
计
划
普坤俊 2015年9月1日
《电子技术基础》教学计划
《电子技术基础与技能》是机电专业的一门主要专业课程。此教材从学生实际情况出发，突出能力培养，着重培养学生接受知识的学习能力、分析问题的思维能力、应用知识解决问题的的能力和动手操作能力，知识系统、详略得当。根据2015级机电、计算机专业学生的特点，特制定本学期教学计划如下：
一、学情分析：
在初中阶段，学生主要学习理论知识为主，而且都是文化课的理论知识，相对来说较简单一些。而来到职中，学生将接触到很多的专业课程，《电子技术基础》是一门专业性很强的课程，学生不再局限于理论知识的学习，更要注重动手能力的培养。因此，学生在学习的过程中，有一个适应过程，有一个观念的转变问题，需要引起足够的重视。
二、教材分析：
从教材看，本学期《电子技术基础》是采用中国劳动社会保障出版社出版的全国中等职业技术学校电工类专业通用教材，人力资源和社会保障部教材办公室组织编写，第五版。
本学期学习第一至第四章的内容，其中第一章为半导体二极管，第二章为半导体三极管及放大电路，第三章为集成运算放大器及其应用，第四章为直流稳压电源。
三、教学目标
1.认识实训室，实验台及使用方法、注意事项；
2.掌握安全用电相关知识技能；
3.掌握模拟电路基础知识；
4.掌握二极管、三极管基本知识；
5.掌握集成运算放大器基本知识；
6．掌握时序逻辑电路基本知识；
7.了解流稳压电源的基本知识。
四、教学措施
1.充分发挥师生在教学中主动性和趣味性。
教师在教学过程中，要与学生形成互动，尽量把知识讲活，而不是死板，这样才能调动学生的积极性。
2．在教学中努力体现实践和理论相结合。
为了加强他们的实践动手能力，教学中要通过实践、举例、讲解、练习来提高他们的
兴趣。我在给他们授课上尽量把理论与实践结合起来，实践课的增加可以把学生的感官认识加强，适时通过实践学习，在实践中遇到的问题是我们学习理论的动力，使他们认识到学习好《电子技术基础》的重要性。
3．加强与学生的情感交流
由于本学期电子基础课程在实践课上对学生要求较大，有很多的实验要求学生自己来做，老师只是起一个引导的作用。如果上课他们不能很好的听课在实践课上就做不出来。为了改善这种情况，我会在课下和学生主动交流，了解他们的对《电子技术基础》这门课学习的的想法，并尽可能的把他们的想法用到实践课上。
4．从学生自身出发，因材施教。
由于每个学生的自身学习情况不一样，在学习上就会形成参差不齐的现象，为了改善这种情况，让每一位在学习的过程中都有成就感。我在平时的教学中实行分层教学，对不同程度的学生采用不同的教授方法，对于个别认知度较好的学生，我会让他们多做一些课外的实验以不断提高他们自身的水平，并在实践课上单独留一些时间让他们做自己想做的电路，碰到问题我在给他们讲，以不断提高他们的成就感。增加兴趣，让他们喜欢上实践课。
五、教学进度表
附后
普坤俊 2015年9月1日
《电子技术基础与技能》
一．教学任务
本学期课程教学任务为1-4章，各章节具体内容如下：
1.半导体二极管
1.1半导体的基本知识 1.2半导体二极管
技能训练1 认识电子实训室
技能训练2 二极管的识别检测
2.半导体三极管及放大电路
2.1半导体三极管 2.2共射极基本放大电路 2.3分压式射极偏置电路
2.4多级放大器 2.5反馈放大电路 2.6功率放大器
技能训练1 三极管的识别与检测
3.集成运算放大器及其应用
3.1差动放大电路 3.2集成运算放大器概述 3.3集成运算放大器的基本单路 3.4集成运算放大器的应用单路 3.5集成运算放大器的使用常识
4.直流稳压电源
4.1整流电路 4.2整流器件的选用 4.3滤波单路 4.4稳压单路
4.5集成稳压器
技能实训集成直流稳压电源的安装与调试
期末复习
期末考试
二．教学计划
第一章半导体二极管（16学时）------------------------------第一至四周
第二章半导体三极管及放大电路（20学时）--------------第五至九周
第三章集成运算放大器及其应用（12学时）-------------第十至十二周第四章直流稳压电源（16学时）------------------------------第十三至十六周复习（4学时）------------------------------------------------------第十七周
考试-------------------------------------------- 第十八周
三．教学进度
第一周：半导体的基本知识
第二周：半导体二极管
第三周：二极管的识别与检测
第四周：技能训练：认识电子实训室
第五周：技能训练：数字万用表检测二极管
第六周：半导体三极管、共射极基本放大电路
第七周：多级放大器、反馈放大电路
第八周：功率放大器、三极管检测
第九周：分压式射极偏置电路安装与调试
第十周：差动放大电路、集成运算放大器概述
第十一周：集成运算放大器基本电路、集成运算放大器应用电路第十二周：集成运算放大器的使用常识
第十三周：整流电路
第十四周：整流器件的选用、滤波电路
第十五周：稳压电路、集成稳压器
第十六周：集成直流稳压电源的安装与调试
第十七周：期末复习
第十八周：期末考试
普坤俊
2015年9月1日
项目一数字电子技术基础
项目一数字电子技术基础 习题 一、选择题 1、以下代码中为无权码的为（）。 A.8421BCD码 B.5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2、以下代码中为恒权码的为（）。 A.8421BCD码 B.5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 3、一位八进制数可以用（）位二进制数来表示。 A.1 B.2 C.3 D.4 4、十进制数25用8421BCD码表示为（）。 A.10101 B.00100101 C.100101 D.10101 5、与十进制数（53.5）10等值的数或代码为（）。 A.(01010011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 6、与八进制数(47.3)8等值的数为：（）。 A.(100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 7、常用的BCD码有（）。 A.2421码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 8、以下表达式中符合逻辑运算法则的是（）。 A.C·C=C2 B.1+1=10 C.0<1 D.A+1=1 9、逻辑变量的取值1和0可以表示：（）。 A.开关的闭合、断开 B.电位的高、低 C.真与假 D.电流的有、无 10、当逻辑函数有n个变量时，共有（）个变量取值组合？ A.n B.2n C.n2 D.2n 11、逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是（）。 A.真值表 B.表达式 C.逻辑图 D.卡诺图 12、求一个逻辑函数Y的对偶式，可将Y中的（）。 A.“·”换成“+”，“+”换成“·” B.原变量换成反变量，反变量换成原变量
电子技术基础l练习习题答案(1)
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
电子技术基础
《电子技术基础》节后思考与问题解答 第1章节后思考与问题解析 1.1 思考与问题解答： 1、什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？ 答：由于温度升高、光照作用等原因，使本征半导体中的价电子挣脱共价键的束缚游离到晶体中成为自由电子的现象称为本征激发，同样原因使价电子跳进相邻空穴的填补运动称为复合。在本征半导体中掺入五价杂质元素后，自由电子数量浓度大大于空穴载流子数量而成为多了；掺入三价杂质元素后，空穴载流子浓度大大于自由电子载流子数量而成为多子。 2、半导体的导电机理和金属导体的导电机理有何区别？ 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中有自由电子和空穴两种载流子同时参与导电，这是它们导电机理上的本质区别。 3、什么是本征半导体？什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 答：经过提纯工艺后，使半导体材料成为具有共价键结构的单晶体，称为本征半导体。在本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。 4、由于Ｎ型半导体中多数载流子是电子，因此说这种半导体是带负电的。这种说法正确吗？为什么？ 答：无论多子是自由电子或是空穴，只是载流子的数量不同，对于失电子的原子来讲，成为正离子，对于得电子的原子来讲，成为负离子。但是，整块半导体晶体中的正、负电荷数并没有发生变化，所以半导体本身呈电中性。 5、试述雪崩击穿和齐纳击穿的特点。这两种击穿能否造成PN结的永久损坏？ 答：雪崩击穿是碰撞式的击穿，通常在强电场下发生；齐纳击穿是场效应式的击穿，这两种击穿都属于电击穿，电击穿可逆，通常不会造成PN结的永久损坏。 6、何谓扩散电流？何谓漂移电流？何谓PN结的正向偏置和反向偏置？PＮ结具有哪种显著特性？ 答：PN结正向偏置时通过的多子形成的电流称为扩散电流，PN结反向偏置时出现的少子形成的电流叫做漂移电流。P区加电源正极、N区接电源负极为正向偏置，反之为反向偏置。PN结的显著特性是单向导电性。 1.2 思考与问题 1、何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？
电子技术基础总结
电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写？以下是小编整理的相关范文，欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差，同时又缺乏主动学习的自觉性，如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣，致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学，重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题，就会带着问题主动学习，这样使学生变要我学习为我要学习，提高学习的主动性，这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力，同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效，机电一体化教研组组织有关教师召开专题会，就如何开展好课改工作进行讨论，认真听取这门课有经验老师的建议，制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接； 2、下企业调研岗位工作任务； 3、提取典型工作任务； 4、确定课程学习任务与技能目标； 5、注重培养学生的基本技能。
项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上，进行工作任务的分类归总，提取企业典型工作任务，确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分，任务的层次也是由易到难，十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法，就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理，项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在：目标指向的多重性；培训周期短，见效快；可控性好；注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目，共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中，学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行，其中2节为理论课时，其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够，后改为4节理论，3节实训。相比于理论课，学生还是偏向于上实训课，更喜欢做训练动
电子技术基础与技能 项目一
章节课题§1.1 概述课时2节 教学目的1. 熟练掌握直流稳压电源的构成。 2. 正确理解直流稳压电源构成的各部分电路。 3. 一般了解直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。 重 点难点重点：直流稳压电源的构成及波形图。难点：直流稳压电源的构成原理。 教学方法 首先让学生了解在实际生活中直流稳压电源的广泛应用及其重要性，从而引导学生对本项目的兴趣，并调动学生学习的积极性，结合学生实际因材施教，讲解问题时尽量深入浅出，以提高学生的理论水平。 教 具及参考书1.《电工技术基础》刘光源主编电子工业出版社 2.《电工电子使用手册》刘光源主编电子工业出版社 3.《电工技术实用教程》曹振宇主编国防工业出版社 作 业理解直流稳压电源的构成及波形图。 课后小结1. 直流稳压电源的构成及波形图。 2. 直流稳压电源构成的各部分电路模块。
图1-1 直流稳压电源的构成 教学 内容 §1-1 概述 教学目的 熟练掌握：直流稳压电源的构成及波形图。 正确理解：直流稳压电源构成的各部分电路模块。 一般了解：直流稳压电源构成各部分电路的工作原理。 技能要求 1. 正确分析直流稳压电源的波形图。 2. 举例说明实际生活中直流稳压电源的应用。 教学内容 直流稳压电源 直流稳压电源是将工频正弦交流电转换为直流电，其原理框图如图1-1所示。 各部分电路模块作用如下： 电源变压器：将交流电网电压变为符合用电设备需要的交流电压 整流电路：利用整流元件的单向导电性，将交流电压变为单方向的脉动直流电压。 滤波电路：将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。 稳压电路：清除电网波动及负载变化的影响，保持输出电压的稳定。
数字电子技术基础1答案
数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （D ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （C ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （A ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ D ） A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ C ） A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ B ） A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （B ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ A ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （A ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路
电子技术基础
电子技术基础
电子技术基础 电阻： 1:作用：用于降压限流。 2:符号: 它一般用“ R”表示。单位为欧姆（） 3:串并联. 串联：R=R1+R2+ …Rn 1=11=12= …Rn U=U1+U2+ …Un 并联：R\仁R1\1+R2\1+ … Rn\1 1=11+12+ …In U=U1=U2= ?…Un 分压公式：R2\R仁U2\U1分流公式：R2\R1=I1\I2 4:电阻的分类。 1:固定电阻（不可调的电阻） 按结构分｛2 :可变电阻（可调的电阻） 1:碳膜电阻（RT） 按材料分｛2:金属膜电阻（RJ） 3:线绕电阻（RX 5 :电阻的参数。 8\1W 色4\1W 勺标 2\1W1W 5W10W 颜色第一色第二色第三色第四色环环环环 黑10 棕 1 1 10 红 2 2 10 橙 3 3 10 黄 4 4 10 绿 5 5 10 蓝 6 6 10 紫7 7 10 灰8 8 10 白9 9 10
10 ± 5% 10 士 10% ± 20% 标停他第?位仆效Bt 字 标称（ff 第二位右毀做字 ； 标《MH 刊迪敷后o 的亍他 6:热敏电阻 —~C 符号： 热敏电阻的温度系数。 正温度系数：温度升高阻值变大，温度下降阻值变小。 负温度系数：温度升高组织变小，温度下降组织变大。 7:压敏电阻。 压敏电阻在没有超过它的额定电压时， 它的阻值很大，对电路没有影响。当外界电压超过 它 的额定电压时，压敏电阻被击穿 220V 短路造成保险丝熔断。 二.电容器 金 银 本色
1■符号: 它一般用“ C ”表示。 2■组成。 它是由两块平行的半导体中间隔着绝缘介质构成。 3.特性。 1■通交流隔直流（通高频阻低频）。2■充电放电特性。 4■什么叫电容放电？ 当电容两端电压高于外电路电压时电容器就开始放电，放电时间长短与电阻和电容的容量有关，电阻越大容量越大放电越慢，要想让电容器快速放电只需将电容两端直接短路就可以直接放电（只适用于容量小的电容）。 5■电容的基本单位： 法拉（F） 毫法拉（Mf）微法拉（uF）纳法拉（nf）皮法拉（pF） 凡是用整数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示pF （电解电容除外） 凡是用小数表示电容大小，而且没有标单位的，通常表示uF。 6■电容的容抗。 电容器虽然具有通交流，但对交流电也有阻碍作用，通常称这种阻碍作用为容抗（Xc） 公式：Xc=1/2 Fc X c—容抗（）F—频率（HZ） C —容量（F） 从式中可以看出当“C” 一定时，容抗与交流电的频率成反比频率越高容抗越小阻碍作用越小，因此电容具有通高频阻低频。当“ F” 一定时容抗与电容量的大小也成反比容量越大容抗越小，因此容量大的电容一般用于低频电路中，容量小的电容用于高频电路中。 7.电容的串并联： ①电容的串联：1/C总=1/C1+1/C2+ ?…+1/Cn U总=U1+U2十…Un 电容串联容量变小，耐压值变高。 ②电容的并联：C总=C1+C2+ ? ? +Cn U总=U仁U2= ? ? =Un 电容并联电容的容量增大，它的耐压值以最小值为算。 K —静电力恒量S—正对面积d—正对距离一介电常数—正比与9 x 109牛顿米/库伦 从公式可以看出电容器的大小和它的正对面积成正比与它的正对距离成反比，要想改变电容的大小要改变面积或距离，在实际的运用当中两个极板的距离是一定的，通过改变面积来实现电容容量的大小改变。 8.电容器的分类： 固定电容瓷片电容 按结构分可变电容按材料分｛涤棱电容 云母电容 9.电容器的参数： ①电容量②耐压值 10.电容器的好坏判别: ①C v O.OluF以下的电容。用R X 10K档测量，表针几乎不动是好的。若表针回到表盘中间某个位置，说明电容漏电，若表针回到零点说明被击穿。 ②O.OlUf 、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是: 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是: 系叫做: 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为: 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是: &下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是: A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是: A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 数字电子技术基础 模拟卷1 A 、(56) 10= ( 0011 1000 8421BCD B 、 (56) 10= ( 0011 1001) 8421BCD C 、(56) 10= ( 0101 1000) 8421BCD D 、 (56) 10= ( 0101 0110) 8421BCD A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时, 输出才为 1,否则输出为0,这种逻辑关 A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、 在功能表中刈勺含义是: A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、咼低电平都不可以 D 、咼低电平都可以 5、 下列4个电路中能实现L AB 逻辑关系的是: >1 =1 >1 =1 D- A 、0V B 、0.3V C 、1.4V D 、1.8V A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 计数器 RS 触发器 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态， 存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K X 4位，若要扩展存储容量为 需要几片2114 D 、16 片 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压 V REF =10V ，R F =R , 、多项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其 2、描述触发器逻辑功能的方法有: 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是: D 、(2A ) 16 >( 101101) 2 4、在下式中选出正确的逻辑代数公式: 4KX8 位, 11、已知逻辑函数 L A B D ，则其反函数F 为: A 、A BCD B 、A BCD C 、A BCD D 、 A BCD 当输入全 1时，输出电压的绝对值为： 10V C 10V ——255 B 、—— 1 256 1024 B 、 C 、 10V ——1023 1024 D 、 10V —— 1 256 号码分别填在题干的括号内。多选、少选、 错选均无分。) 1、逻辑函数L (AB AB)C 中，变量A 、 B 、C 取哪些值时, L 的值为1。 A 、ABC 取 011 B 、AB C 取 101 C 、ABC 取 000 ABC 取 111 A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 A 、(46) 8>( 39) 10 B 、(2A ) 16>( 39) 10 C 、(101101) 2>( 39) 10 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 《电子技术基础与技能》电子教案 项目一二极管单向导电板的制作 教案编号：01—01—01 一、教学目标 1、了解什么是半导体、P型半导体和N型半导体； 2、了解PN结的形成过程及其特性； 3、掌握二极管的符号、特性及特性曲线等； 4、会用万用表判断二极管的质量。 二、重点难点 重点：二极管的符号及单向导电特性。 难点：PN结的形成过程 三、学情分析 有关半导体、二极管等概念，学生第一次接触到，而且这些内容十分抽象难理解，所以学生学起来有一定困难。但学生在初中阶段已经接触到了电阻、导体及绝缘体等相关内容，而半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，因此，教师要如此引入过渡，学生是容易接受的。 四、教学方法 讲解法、观察法、图形演示法 五、教具准备 各种不同形状的二极管、幻灯片及幻灯机、实物投影仪等 六、课时安排：2课时 七、教学过程 1、导入新课： 大家在初中学习了电阻，电阻就是导体对电流的阻碍作用。而导体就是能够导电的物质，如铁、铝、铜等金属；不能导电的物质就是绝缘体，如干木头、黑板等。那么世界上有没有导电能力介于导体和绝缘体之间的物质呢？这就是今天我们要学习的内容——半导体 2、新授阶段 （1）出示投影（课本图1-1 二极管单向导电电路图） 让生认识电路图，了解图中的各元器件。并强调指出其中的二极管是电路中的关键元件，今天我们就来重点学习这种元件。 （2）先了解半导体、P型半导体和N型半导体以及PN结等。 1）半导体：由自然界的物质按导电性能的分类引出半导体。半导体的最外层有4个价电子。如硅和锗等。半导体有光敏性、热敏性和掺杂性三种特性，特别是其掺杂性是形成半导体元件的重要基础。 2）P型半导体和N型半导体 先介绍本征半导体，然后根据在本征半导体中掺入不同的杂质离子可形成两种半导体，即N型半导体和P型半导体。（可结合投影出示本征半导体的原子排列图以及和掺入两种不同杂质时形成两种半导体的形成过程图）。 3）PN结：出示投影（课本图1-2 PN的结构示意图），简单从电子转移的角度介绍PN结的形成过程。 给生时间理解并自己动手画图记忆 （3）二极管 1）出示投影（课本图1-3 二极管的结构示意图及其符号） 讲解二极管的定义、结构及其符号等 给生时间理解并自己动手画图记忆 2）实物投影展示各种不同形状的二极管外形，之后拿出实物让生观察，增强学生的感性意识。 3）二极管的特性曲线 出示投影（课本图1-5 二极管的伏安特性曲线） 讲解二极管特性曲线的定义、二极管的正向电压和反向电压等概念。 讲述二极管特性曲线的形成规律及其特点。要让学生记住死区电压：对于硅管是0.5V，锗管是0.2V；导通电压：对于硅管是0.7V；对于锗管是0.3V。 给生时间理解并自己动手画图记忆 4）二极管的种类及参数：师简单介绍 一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。） 1. 图示电路，在参数设计合理，电路能正常工作的条件下，输出电压u o的波形是( ) A. 正弦波 B. 方波 C. 三角波 D. 锯齿波 正确答案：B 满分：2 分 2. 逻辑函数可化简为（） A. A B. B C. C D. D 正确答案：A 满分：2 分 3. 某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模 拟电压的最小变换量为( ) A. 4.88mV B. 9.76mV C. 19.53mV D. 39.06mV 正确答案：B 满分：2 分 4. 运放组成的放大电路如图所示，R F引入的级间反馈类型为（） A. 串联电压负反馈 B. 串联电流负反馈 C. 并联电压负反馈 D. 并联电流负反馈 正确答案：D 满分：2 分 5. 直流电源电路如图所示，变压器电压为220V/18V，稳压管稳定电压为6V，三极管U BE= 0.6V，电阻R3 = R4 = 510Ω，R P = 390Ω，输出电压u O的调节范围( ) A. A B. B C. C D. D 正确答案：B 满分：2 分6. 电路如图所示，设二极管D 1、D 2 为理想元件，则输出电压U O为( ) A. 0V B. -15V C. -15V D. 25V 正确答案：A 满分：2 分 7. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( ) A. 8位 B. 9位 C. 10位 D. 11位 正确答案：C 满分：2 分 8. 图示RC正弦波振荡电路的振荡频率为( ) 《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。 一、单选题 1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处 在（）状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2.二极管的主要特性是（）。 A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 3.在N型半导体中（）。 A.只有自由电子 B.只有空穴 C.有空穴也有电子 D.没有空穴也没有自由电子 4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.倒置 5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时， I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。 A.50 B.80 C.100 D. 6.稳压管的稳压是其工作在（）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区 D.正向死区 7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为 （）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管 处于（）状态。 A.饱和 B.截止 C.放大 D.击穿 10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。 A.大于 B.小于 C.等于 D.大于或等于 11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。 A.自由电子 B.空穴 C.硼元素 D.磷元素 12.三极管工作在放大区的条件是（）。 A.发射结正偏，集电结正偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结正偏，集电结反偏 D.发射结反偏，集电结反偏 13.下列关于半导体的说确的是（）。 A.P型半导体带正电，N型半导体带负电 B.稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C.整流二极管和稳压二极管可以互换使用 D.以上说法都是错误的 14. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.不确定 15.当温度升高时，二极管反向饱和电流将( ) A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（）。 A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路17.共模抑制比K 是（）。 CMRR A. 差模输入信号与共模输入信号之比 B. 输入量中差模成份与共模成份之比 C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比 D. 交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比 18.下列哪种失真不属于非线性失真（）。 《电子技术基础》课程设计 总结报告 篮球比赛计时器 指导教师：万星 设计人员：张馨月 学号：10240305 班级：电气3班 日期：2012-6-25 目录 ⑴设计任务与基本要求 ①设计任务 篮球比赛计时器是一种体育比赛计时装置，经过改造可满足多种要求和场合。利用中小规模集成电路设计一个数字显示的简易篮球比赛计时器。 ②基本要求 ●篮球比赛上下半场四节制，每节12 min，要求能随时暂停，启动后继续计时，一节比赛结束后应可清零。 ●按篮球比赛规则，进攻方有24 s为倒计时。要求进攻方得到发球权后，必须在24 s内完成一次进攻，否则将球权判给对方，因此需要一个具有24 s的倒计时功能。 ●“分”、“秒”显示用LED数码管，应配用相应译码器。 ●用扭子开关控制计时器的启动／暂停。 ●24s计时时间到、每节结束和全场结束能自动音响提示。 （2）设计框图及整体概述 篮球比赛计时器实际上是一种多功能倒计时装置，它包括12 min、24 s倒计时，按键启停功能和自动音响提示等，其组成原理框图如上图所示。该电路主要由秒信号发生电路、启停电路、声响电路、门控电路、显示电路和计数电路等组成。一旦发球，启停电路启动，计时器开始工作，即12 min、24 s倒计时同时工作。当发球权交给对方时，24 s倒计重新开始计时，而12 min倒计时继续工作。当启停电路暂停时，12 min、24 s倒计器保持原来的数据不变，等到重新启动开始工作。 （3）设计思路 篮球比赛计时器的主要功能包括：12分钟倒计时，进攻方24秒倒计时暂停，重新开启和结束提示。该计时系统由以下四个电路模块组成： 1秒时集产生器：这部分利用32.768KHz需要通过分频器，最终产生1Hz的电信号，驱动整个电路的运作。这一模块主要是利用CD4060分频功能和74LS73D触发器来实现。 12分钟倒计时：这部分电路完成12分钟倒计时的功能，比赛准备开始时，屏幕显示12：00，然后利用74LS192的减计数的功能，从12：00变化到00:00. 攻方24秒倒计时：这部分电路与12分钟倒计时功能类似，当比赛开始时，屏幕上显示24秒字样，当比赛开始后，倒计时从24逐秒倒数到00.这一模块也是利用双向计数器74LS192来实现。 节数计次：四个LED分别表示四场节次，根据比赛场次的转变，用适当的方法使这四个LED依次自动指示四场节次。 音响控制电路：用TTL的功率门或OC门可以直接驱动小功率喇叭发声。CP是周期1S的矩形波，则会产生响一下停一下，响停共一秒的声音。 总体电路说明：倒计时功能主要是利用192计数芯片来实现，同时利用反馈和置数实现进制的转换，以适合分和秒的不同 电子技术基础习题答案文档编制序号：[KK8UY-LL9IO69-TTO6M3-MTOL89-FTT688] 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对） 《电子技术基础》项目课程教学总结 湖北信息工程学校刘伦富 针对《电子技术基础》课程“入门难，发展快，学时少，实践性强”的特点，我们积极进行该课程的教学改革，实行理论实习一体化。按照企业生产流程，以工作过程为导向，对课程结构进行项目化改造，形成相应的项目教学任务。并以真实项目任务为载体，以任务为中心，学生为主体，教师为主导，实现“学习的内容就是工作，通过工作实现学习”体现“教、学、做合一”的思想。 1．构建“一条主线、三个结合”的课程体系，对教学内容进行了优化 根据职业教育实用型人才培养计划和人才培养规格，结合课程教学改革思路，按照加强针对性、突出实用性、体现先进型的原则，系统规划课程的教学方案、教学内容。为此，我们全面科学地修订和重新制定了课程教学大纲、课程标准等教学方案的框架体系，强调了以应用能力培养为主线，将知识、能力、素质的具体要求规范化，并且落实和体现在每一个教学环节的实施中。由于优化了教学方案与教学内容，突出了重点，同进合理地采用了多媒体教学，保证学生较好地掌握电子技术必备知识及电子技术应用能力，为学生从业后的可持续发展奠定了良好的基础。 教学中，我们考虑到《电子技术基础》是电子技术应用专业的基础与核心课程，从课程设置整体优化的角度出发，在设计项目教学内容时，恰当地解决好了“基础与发展”、“基础与应用”、“理论与实践”、“重点内容与知识面”等矛盾，使项目课程内容具有系统性、科学性、先进性、启发性、实用性。同时我们加强针对性，突出适用性，教学内容遵循循序渐进，由浅入深，从理论到实践，从点到面的教学规律。 2. 加强了实践教学，注重学生的能力培养 电子技术课程的学习对学生来说，是逐步实现理论学习向实践应用方向转变的过程。因此，电子技术课程的改革应该为培养学生的综合应用能力和实践应用能力打下坚实的基础。在课程体系与教学内容的改革过程中，加大了对实践性教学环节的改革力度。我们淘汰了过去的验证性实验，增加了检测性、综合性的实验，精选了一些典型的课程实训教学项目，例如超外差收音机装配与调试项目，让学生从元器件性能的测试、电路的焊接、电路的静态调试、动态调试和统调各个环节都亲自动手，使每个学生既掌握了常用电子元器件的测试方法、电路的焊接技术，同时对电子电路的调试有了更进一步的认识和亲身的经历，也初步掌握了电子电路的调试方法。像这样的实践性环节，学生很感兴趣，激发了学生学习 数字电子技术基础 模拟卷1 一、单项选择题 1、将十进制数56转换成8421BCD 码应是： （ ） A 、（56）10= （0011 1000）8421BCD B 、（56）10= （0011 1001）8421BCD C 、（56）10= （0101 1000）8421BCD D 、（56）10= （0101 0110）8421BCD 2、使晶体三极管工作于饱和区的电压条件是： （ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结正偏 3、只有当两个输入变量的取值相同时，输出才为1，否则输出为0，这种逻辑关系叫做： （ ） A 、同或 B 、与非 C 、异或 D 、或非 4、在功能表中×的含义是： （ ） [ A 、表示高电平 B 、表示低电平 C 、高低电平都不可以 D 、高低电平都可以 5、下列4个电路中能实现AB L 逻辑关系的是： （ ） L A A ≥1 & B B B A L 1 L =1 B A =1 A B C D 6、TTL 门电路理论上的逻辑低电平为： （ ） A 、0V B 、 C 、 D 、 7、下列电路中不属于时序逻辑电路的是： （ ） A 、移位寄存器 B 、译码器 C 、随机存取存储器 D 、计数器 8、下列电路中无需外加触发信号就能自动产生方波信号的电路是： （ ） A 、多谐振荡器 B 、单稳态触发器 C 、施密特触发器 D 、RS 触发器 … 9、下面对时序逻辑电路的描述不正确的是： （ ） A 、时序电路中任一时刻的输出信号仅取决于该时刻的输入信号。 B 、时序电路包含组合电路和存储电路两部分。 C 、时序电路中的存储电路是要记忆以前的状态，存储电路可由触发器组成。 D 、时序电路一般分为两大类：同步时序电路和异步时序电路 10、已知静态RAM2114的存储容量为1K×4位，若要扩展存储容量为4K ×8位，需要几片2114 （ ） A 、4片 B 、2片 C 、8片 D 、16片 11、已知逻辑函数D C B A L ++?=，则其反函数F 为： （ ） A 、D C B A ??+ B 、D C B A ??+ C 、 D C B A ??+ D 、D C B A ??+ 12、5G7520为10位集成数模转换器，设参考电压V REF =10V ，R F =R ，当输入全1时，输出电压的绝对值为： （ ） { A 、25525610V ? B 、1102410V ? C 、1023102410V ? D 、1256 10V ? 二、多项选择题（在每小题的四个备选答案中，选出至少两个正确答案，并将其号码分别填在题干的括号内。多选、少选、错选均无分。） 1、逻辑函数C B A B A L )(+=中，变量A 、B 、C 取哪些值时，L 的值为1。 （ ） （ ） （ ） （ ） A 、ABC 取011 B 、AB C 取101 C 、ABC 取000 D 、ABC 取111 2、描述触发器逻辑功能的方法有： （ ） （ ） （ ） （ ） A 、功能表 B 、特征方程 C 、状态转换图 D 、驱动表 3、比较下列几个数的大小，正确的结果是： " 电子技术基础模拟题1 一 、填空题（每空2分，合计60分） 1． N 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 ， P 型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 答案：自由电子、空穴、空穴、自由电子 2. 二级管的伏安特性可分为 、 和 三部分来说明。 答案：正向特性、反向特性、反向击穿特性 3. 稳定静态工作点的方法有 和 。 答案：针对温度影响，采取温度补偿的方法、在电路上采取措施，自 动稳定工作点——分压式工作点稳定电路 4. 多级放大电路的常用耦合方式有 、 和 。 答案：阻容耦合、直接耦合、变压器耦合 5. 放大电路有 、 和 三种工作状态 答案：甲类工作状态、甲乙类工作状态、乙类工作状态 6. 理想运算放大器工作在线性区时满足“虚短”和“虚断”，“虚短”是 指 ，用公式表达为 ，“虚断”是指 用公式表达为 。 答案：理想运放的差模输入电压等于零、 、 理想运放的输入 电流等于零、 。 7. 按输入电压允许的极性分类，乘法运算电路可分为 、 和 。 答案：四象限乘法电路、二象限乘法电路、单象限乘法电路 8. 正弦波振荡电路是指电路本身能自动产生特定 、 和 的正弦波信号。 答案：频率、振幅、稳定度 9. n 个变量的逻辑函数最多可有 个最小项。 -+=u u 0 ==-+i i 答案： 10.与非门的电压传输特性可分为 、 、 和 四个区段。 答案：截止区、线性区、转折区、饱和区 二、简答题（每题10分 合计40分） 1. 解释何谓零点漂移现象，并简单解释基本差动放大电路为什么能够抑制 零点漂移？ 答案：把一个多级直接耦合放大电路的输入端短路，测其输出电压，就 会观察到它并不保持恒值，而在缓慢地、无规则地变化着的现象 称之为零点漂移。 抑制零点漂移的原理： 静态时，即P75页图3.2中两输入端短路，因电路的对称性，两 边的集电极电流相等，集电极电位也相等，即 故输出端电压 温度升高时，两管集电极电流都增大，集电极电位都下降，且两 边的变化量相等，即 虽然每个管都产生了零点漂移，但是由于两个集电极电位变化大 小相等，方向相反，互相抵消，故输出电压依然为零，即 2. 请分别写出JK 触发器、D 触发器、T 触发器和T’触发器的特性方程。 答案： 、 、 、 n 22 121C C C C U U I I ==0 21=-=C C o U U U 2 121C C C C U U I I ?=??=?0 21=?-?=C C o U U U 1n n n Q JQ KQ +=+1n Q D +=1n n n Q TQ TQ +=+1n n Q Q += 《电子技术基础》项目1练习 一、填空题： 1、按物质导电性能的不同，物质可分为、和三类。 2、不含杂质的纯净半导体称为半导体，主要靠电子导电的半导体称为型半导体或型半导体；主要靠空穴导电的半导体称为型半导体或 型半导体。 3、当N型半导体和P型半导体紧密结合在一起时，在其交界处形成一个特殊的带电薄层，称为。 4、在PN结两端加电压，如果使P区接电源极，N区接电源极，称为正向偏置；如果将P区接电源极，N区接电源极，称为反向偏置。 5、PN结加偏压时导通，加偏压时截止，这就是PN结的性。 6、二极管具有性，正是因为内部有一个。 7、二极管正向导通时，管的正向压降为0.2～0.3V，管的正向压降为0.6～0.8V。 8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管，若两次读数都接近于0，则此二极管，若一次读数很大，一次读数很小，则此二极管。 9、加在二极管两端电压与流过它的电流两者不成比例关系，因此具有特性，其伏安特性曲线可分为四个不同的工作区：区、区、区和区。 10、加在二极管两端的反向电压超过U R时，二极管将被，流过二极管的正向电流长时间超过I F时，二极管将被。 11、稳压二极管一般工作在状态，所以稳压二极管的工作范围一般应位于其伏安特性曲的区。 其两端的电压称为＿＿＿＿＿＿＿。 12、变容二极管工作在时结电容显著，其电容量的大小与有关。 二、选择题： 1、在N型半导体中（） A、只有自由电子 B、只有空穴 C、有空穴也有自由电子 D、以上答案都不对 2、空穴和电子数目相等且数量极少的半导体是（）。 A．纯净半导体B. 杂质半导体 C. P型半导体 D . N型半导体 3、PN结的基本特性是( )完整版数字电子技术基础1
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