微波半导体器件及微波集成电路
微波半导体器件及微波集成电路，从雷达，导航，电子对抗等军事应用领域。迅速扩展到微波中继通信，卫星通信，移动通信，无绳电话，卫星直播电视无线电缆电视，安全防范等众多的商用领域。这些应用领域的发展，方兴未艾，前景广阔应用的扩大，市场需求的增长，有力地促进了微渡半导体器件及微波集成电路品种的发展和性能的提高。微波半导体器件及微波集成电路的生产，也从多品种，小批量的小规模方式，迅速向集约化，大规模方式发展近年来，国外利用微波频段电磁波的特性，研制生产了大量用于非电参量的检测和无损伤探测方面的微波传感器。
微波传感器具有不接触，无损伤，连续，实时，远距离，无毒害，不污染环境，易于维护，成本较低等一系列优点，在许多场合十分有用。长期来，传感器的电检测技术基本上局限于低频和光频两个频段并从集成电路参数和电压，电流的观点来研究各种传感器的性能，很少使用它们之间的微波频段并从电磁波的角度来研究传感器。本文的目的在于引起人们对微波传感器这一新兴领域的重视我们相信。随着这一领域的开拓和发展，不仅为传感器增加了新的分支和新的品种而且也为微波半导体器件和微波集成电路开辟了新的应用前景。
微波传感器的原理电磁波包括的频谱范围极宽，它们的特性因频率不同而各异。它的低端频率为300，高端可达300。微波具有一系列特性，用来进行非电参置的无损检测是很合适的。例如，微波具有良好的定向辐射性能，在自由空间沿直线传播且速度等于光速，在反射，折射，绕射，散射，干涉时遵循与光同样的物理定律。微波能够穿透大多数非金属材料，包括许多对光波来说是不透明的材料。并且与这些材料的分子相互作用。从内部不均匀处产生反射，散射。微波遇到良导体时几乎全部反射，良导体在徽捩频率的趋肤深度仅几微米第四，介质对微波正比于介质的介电系数。水的电系数较大，对微波的吸收很强第五，当微波被运动物体所反射时，微波的频率会变化。其变化的大小与运动物体的速度有关，这就是所谓的多卜勒效应。利用微波特性可以制成众多的传感器。按其作用原理，可分为下面几大类型。利用微波在自由空间传播速度的恒定性，根据收，发信号的时间差来测定距离。或者根据入射，反射信号之间的相移距离，位移等几何量。利用微波的移特性来测量速度，加速度，流速等机械量。利用微波对许多材料的穿透特性，可探测这些材料的内部结构特性。微波容易穿透许多非金属材料，如塑料，陶瓷，复台介质材料等。因此，传输波(或反射波)的幅度，相位以及极化方向的变化，将含有关于材料的内部缺陷，化学成份，密度，均匀性，空隙率，固化率，含水率等信息。微波相位和幅度的这种变化将变换成为谐振频率和品质因数的变化。利用被测物质的热辐射，预'定物体在微波频率的热辐射能量就能确其表面温度或发射率，利用许多材料对微波的"透明或"半透明"性质，还可测量它们的次表面温度。
微波传感器实现的技术途径利用微波特性制造用于非电参量的检测和无损伤探测的微波传惑器，采用什么技术途径来实现，这要由具体情况来确定，包括对象特征的分析以及对欲达到的灵敏度，准确度和分辨率等的考虑。检测待测量信息的方法有传输法，反射法和微扰法等三种。要从反射度或传输波中检出它们所携带的信息，一般的作法是把它们与一个参考信号进行幅度或相位的比较。参考信号既可以是入射渡，也可以是从微波振荡器分出的一部份信号或另一路中的
传输波。两个信号一比较，就可知道衰减或相移的大小，从而求得待测量的值。衰减是两个波进行幅度比较的结果。相移则是两个渡进行相比较的结果一般来说，测量幅度比测量相位容易一些。如果测量幅度能达到目的，就不必去测量相位。当然，若待测量对微波相位很敏惑，则宜测量相位。必须指出，同时测量衰减和相位，可获得更多的信息。有的场合就使用这种"双参数"测量系统。至于微扰法，其获取信息的方法实质上也是进行幅度或相位的检测。这种方法只不过是把波的相移变换成了谐振频率的变化，把幅度的衰减变换成了品质因数的变化而已。
本研究咨询报告由中研普华咨询公司领衔撰写，在大量周密的市场调研基础上，主要依据了国家统计局、国家发展改革委员会、国务院发展研究中心、国家海关总署、国家商务部、中国工业联合会、中国机械工业联合会、中国工业协会、中国行业研究网以及国内外相关报刊杂志等公布和提供的大量资料，着重对我国微波传感器行业的发展态势，包括市场供给与需求情况、进出口情况、微波传感器重点子行业、市场需求特点、行业竞争态势以及世界微波传感器市场发展状况等进行了分析，对微波传感器行业的市场需求及技术发展趋势进行了研判。报告数据丰富及时、图文并茂，还对国家相关产业政策进行了介绍和趋向研判，是微波传感器生产企业、科研单位、经销企业等单位准确了解当前中国微波传感器市场发展动态，把握企业定位和发展战略方向不可多得的决策参考资料，同时对银行信贷部门也具有极大的参考价值。
报告目录REPORTS DIRECTORY
第一部分行业发展现状
第一章微波传感器行业发展概述
第一节行业界定
一、行业经济特性
二、主要细分行业
三、产业链结构分析
第二节微波传感器行业发展成熟度
一、行业发展周期分析
二、行业中外市场成熟度对比
三、行业及其主要子行业成熟度分析
第三节微波传感器市场特征分析
一、市场规模
二、产业关联度
三、影响需求的关键因素
四、国内和国际市场
五、主要竞争因素
六、生命周期
第二章全球微波传感器行业发展分析
第一节世界微波传感器行业发展分析
一、2011-2012年全球微波传感器市场供给分析
二、2011-2012年全球微波传感器市场需求分析
三、2011-2012年全球主要微波传感器企业
四、2011-2012年全球微波传感器主要品种
第二节全球主要国家微波传感器市场分析
一、2011-2012年美国微波传感器市场分析
二、2011-2012年德国微波传感器市场分析
三、2011-2012年英国微波传感器市场分析
四、2011-2012年法国微波传感器市场分析
五、2011-2012年日本微波传感器市场分析
第三章我国微波传感器行业发展分析
第一节2011年中国微波传感器行业发展状况
一、2011年微波传感器行业发展状况分析
二、2011年中国微波传感器行业发展动态
三、2011年微波传感器行业经营业绩分析
四、2011年我国微波传感器行业发展热点
第二节2012年微波传感器行业发展机遇和挑战分析
一、2012年微波传感器行业发展机遇分析
二、2012年国际经济环境对微波传感器行业影响
第三节2012年中国微波传感器市场供需状况
一、2012年中国微波传感器行业供给能力
二、2012年中国微波传感器市场供给分析
三、2012年中国微波传感器市场需求分析
四、2012中国微波传感器产品价格分析
第四章微波传感器产业经济运行分析
第一节营运能力分析
一、2011年营运能力分析
二、2012年营运能力分析
第二节偿债能力分析
一、2011年偿债能力分析
二、2012年偿债能力分析
第三节2011-2012年盈利能力分析
一、2011-2012年资产利润率
二、2011-2012年销售利润率
第四节2011-2012年发展能力分析
一、2011-2012年资产年均增长率
二、2011-2012年利润增长率
第五章我国微波传感器产业进出口分析
第一节我国微波传感器进口分析
一、2011-2012年进口总量分析
二、2011-2012年进口结构分析
三、2011-2012年进口区域分析
第二节我国微波传感器出口分析
一、2011-2012年出口总量分析
二、2011-2012年出口结构分析
三、2011-2012年出口区域分析
第三节我国微波传感器进出口预测
一、2013年进口预测
二、2013年出口预测
第六章微波传感器行业供求状况分析
第一节2011-2012年整体生产能力
第二节2011-2012年产值分布特征及变化
一、产值前10名省市及经济效益情况
二、产值前20名企业
第三节2011-2012年产品供给分析
一、2011-2012年中国机械工业总体供给
二、2011-2012年微波传感器市场供给分析
第四节2011-2012年影响微波传感器市场需求的主要因素第五节2011-2012年市场容量及增长速度
第六节2011-2012年微波传感器业整体销售能力
一、工业销售产值
二、销售收入
三、利润率
四、产销率
第七节2011-2012年产品需求分析
一、2011-2012年中国机械工业需求分析
二、2011-2012年微波传感器市场需求分析
第二部分行业竞争格局
第七章微波传感器产业发展地区比较第一节长三角地区
一、竞争优势
二、2011-2012年发展状况
三、2013-2017年发展前景
第二节珠三角地区
一、竞争优势
二、2011-2012年发展状况
三、2013-2017年发展前景
第三节环渤海地区
一、竞争优势
二、2011-2012年发展状况
三、2013-2017年发展前景
第四节东北地区
一、竞争优势
二、2011-2012年发展状况
三、2013-2017年发展前景
第五节西部地区
一、竞争优势
二、2011-2012年发展状况
三、2013-2017年发展前景
第八章微波传感器行业竞争格局分析第一节行业竞争结构分析
一、现有企业间竞争
二、潜在进入者分析
三、替代品威胁分析
四、供应商议价能力
五、客户议价能力
第二节行业集中度分析
一、市场集中度分析
二、企业集中度分析
三、区域集中度分析
第三节行业国际竞争力比较
一、生产要素
二、需求条件
三、支援与相关产业
四、企业战略、结构与竞争状态
五、政府的作用
第四节微波传感器制造业主要企业竞争力分析
一、重点企业资产总计对比分析
二、重点企业从业人员对比分析
三、重点企业全年营业收入对比分析
四、重点企业出口交货值对比分析
五、重点企业利润总额对比分析
六、重点企业综合竞争力对比分析
第五节2011-2012年微波传感器行业竞争格局分析
一、2011年微波传感器制造业竞争分析
二、2011年中外微波传感器产品竞争分析
三、2011-2012年国内外微波传感器竞争分析
四、2011-2012年我国微波传感器市场竞争分析
五、2011-2012年我国微波传感器市场集中度分析
六、2013-2017年国内主要微波传感器企业动向
第九章微波传感器企业竞争策略分析
第一节微波传感器市场竞争策略分析
一、2013年微波传感器市场增长潜力分析
二、2013年微波传感器主要潜力品种分析
三、现有微波传感器产品竞争策略分析
四、潜力微波传感器品种竞争策略选择
五、典型企业产品竞争策略分析
第二节微波传感器企业竞争策略分析
一、国际经济形势对微波传感器行业竞争格局的影响
二、全球经济下微波传感器行业竞争格局的变化
三、2013-2017年我国微波传感器市场竞争趋势
四、2013-2017年微波传感器行业竞争格局展望
五、2013-2017年微波传感器行业竞争策略分析
六、2013-2017年微波传感器企业竞争策略分析
第十章微波传感器企业竞争分析
第一节南京华东电子信息科技股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第二节浙江大立科技股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第三节河南汉威电子股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第四节华工科技产业股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第五节福建福日电子股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第六节中航电测仪器股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第七节武汉高德红外股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第八节桂林广陆数字测控股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第九节歌尔声学股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第十节上海威尔泰工业自动化股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优势分析
三、2011-2012年经营状况
四、2013-2017年发展战略
第三部分行业前景预测
第十一章中研普华对微波传感器行业发展趋势分析
第一节2013年发展环境展望
一、2013年宏观经济形势展望
二、2013年政策走势及其影响
三、2013年国际行业走势展望
第二节2013年微波传感器制造行业技术发展趋势分析
一、微波传感器制造行业技术现状
二、微波传感器企业技术改造方针
三、微波传感器技术改进途径分析
四、微波传感器技术发展趋势分析
第三节2013-2017年中国微波传感器市场趋势分析
一、2011-2012年微波传感器市场趋势总结
二、2013-2017年微波传感器发展趋势分析
三、2013-2017年微波传感器市场发展空间
四、2013-2017年微波传感器产业政策趋向
五、2013-2017年微波传感器技术革新趋势
六、2013-2017年微波传感器价格走势分析
第十二章中研普华对未来微波传感器行业发展预测
第一节2013-2017年国际微波传感器市场预测
一、2013-2017年全球微波传感器行业产值预测
二、2013-2017年全球微波传感器市场需求前景
三、2013-2017年全球微波传感器市场价格预测第二节2013-2017年国内微波传感器市场预测
一、2013-2017年国内微波传感器行业产值预测
二、2013-2017年国内微波传感器市场需求前景
三、2013-2017年国内微波传感器市场价格预测第三节2013-2017年市场消费能力预测
一、2013-2017年行业总需求规模预测
二、2013-2017年主要产品市场规模预测
第四节2013-2017年市场供应能力预测
一、2013-2017年行业产能扩张分析
二、2013-2017年主要产品产量预测
第五节2013-2017年进出口预测
一、2013-2017年主要产品进口预测
二、2013-2017年主要产品出口预测
第六节2013-2017年主要产品价格走势预测
一、2013-2017年主要产品市场价格现状
二、2013-2017年主要产品价格走势预测
第四部分投资战略研究
第十三章中研普华对微波传感器行业投资现状分析第一节2011年微波传感器行业投资情况分析
一、2011年总体投资及结构
二、2011年投资规模情况
三、2011年投资增速情况
四、2011年分行业投资分析
五、2011年分地区投资分析
六、2011年外商投资情况
第二节2012年微波传感器行业投资情况分析
一、2012年总体投资及结构
二、2012年投资规模情况
三、2012年投资增速情况
四、2012年分行业投资分析
五、2012年分地区投资分析
六、2012年外商投资情况
第十四章微波传感器行业投资环境分析
第一节经济发展环境分析
一、2011-2012年我国宏观经济运行情况
二、2013-2017年我国宏观经济形势分析
三、2013-2017年投资趋势及其影响预测
第二节政策法规环境分析
一、2012年微波传感器行业政策环境
二、2012年国内宏观政策对其影响
三、2012年行业产业政策对其影响
第三节社会发展环境分析
一、国内社会环境发展现状
二、2012年社会环境发展分析
三、2013-2017年社会环境对行业的影响分析
第四节微波传感器制造行业“十二五”规划
一、“十二五”发展目标
二、“十二五”重点发展领域
三、“十二五”发展预测
第十五章微波传感器行业投资机会与风险
第一节行业活力系数比较及分析
一、2012年相关产业活力系数比较
二、2013-2014行业活力系数分析
第二节行业投资收益率比较及分析
一、2012年相关产业投资收益率比较
二、2013-2014行业投资收益率分析
第三节微波传感器行业投资效益分析
一、2011-2012年微波传感器行业投资状况分析
二、2013-2017年微波传感器行业投资效益分析
三、2013-2017年微波传感器行业投资趋势预测
四、2013-2017年微波传感器行业的投资方向
五、2013-2017年微波传感器行业投资的建议
六、新进入者应注意的障碍因素分析
第四节影响微波传感器行业发展的主要因素
一、2013-2017年影响微波传感器行业运行的有利因素分析
二、2013-2017年影响微波传感器行业运行的稳定因素分析
三、2013-2017年影响微波传感器行业运行的不利因素分析
四、2013-2017年我国微波传感器行业发展面临的挑战分析
五、2013-2017年我国微波传感器行业发展面临的机遇分析第五节微波传感器行业投资风险及控制策略分析
一、2013-2017年微波传感器行业市场风险及控制策略
二、2013-2017年微波传感器行业政策风险及控制策略
三、2013-2017年微波传感器行业经营风险及控制策略
四、2013-2017年微波传感器行业技术风险及控制策略
五、2013-2017年微波传感器同业竞争风险及控制策略
六、2013-2017年微波传感器行业其他风险及控制策略
第十六章中研普华对微波传感器行业投资战略研究
第一节微波传感器行业发展战略研究
一、战略综合规划
二、技术开发战略
三、业务组合战略
四、区域战略规划
五、产业战略规划
六、营销品牌战略
七、竞争战略规划
第二节对我国微波传感器品牌的战略思考
一、企业品牌的重要性
二、微波传感器实施品牌战略的意义
三、微波传感器企业品牌的现状分析
四、我国微波传感器企业的品牌战略
五、微波传感器品牌战略管理的策略
第三节微波传感器行业投资战略研究
一、2012年装备制造业投资战略
二、2012年微波传感器行业投资战略
三、2013-2017年微波传感器行业投资战略
四、2013-2017年细分行业投资战略
第四节中研普华研究结论
图表目录：
图表：2011-2012年中国微波传感器市场规模
图表：2011-2012年全球微波传感器产业市场规模
图表：2011-2012年微波传感器行业重要数据指标比较分析
图表：2011-2012年中国微波传感器行业销售情况分析
图表：2011-2012年中国微波传感器行业利润情况分析
图表：2011-2012年中国微波传感器行业资产情况分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业总体状况
图表：2011-2012年国内生产总值走势
图表：2011-2012年固定资产投资走势
图表：2011-2012年微波传感器行业主要财务指标
图表：2011-2012年微波传感器行业主要产品产量
图表：2011-2012年微波传感器主要产品进出口
图表：2011-2012年国内生产总值增长趋势图
图表：2011-2012年城镇固定资产投资名义增速及实际增速
图表：2011-2012年我国出口累计同比增速对比
图表：2011-2012年社会消费品零售总额实际累计同比增速对比图表：2011-2012年1月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年2月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年3月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年4月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年5月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年6月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年7月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年8月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年9月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年10月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年11月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年12月居民消费价格分类指数分析
图表：2011-2012年1月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年2月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年3月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年1季度中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年4月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年5月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年6月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年2季度中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年7月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年8月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年9月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年3季度中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年10月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年11月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年12月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年4季度中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年1-12月中国微波传感器进口数据
图表：2011-2012年1月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年2月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年3月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年1季度中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年4月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年5月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年6月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年2季度中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年7月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年8月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年9月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年3季度中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年10月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年11月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年12月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年4季度中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年1-12月中国微波传感器出口数据
图表：2011-2012年我国GDP增长情况
图表：2011-2012年我国粮食产量情况
图表：2011-2012年我国进出口情况
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业企业数量结构分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业生产规模分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业规模分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业总资产对比分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业企业单位数对比分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业从业人员平均人数对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业经济效益分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业产值利税率对比分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业资金利润率对比分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业成本费用利润率对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业效率分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业资产负债率对比分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业流动资产周转次数对比分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业地区结构分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业所有制结构分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业结构分析
图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业人均指标分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业盈利能力分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业营运能力分析图表：2011-2012年微波传感器制造行业不同规模企业偿债能力分析图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业运行情况
图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年华东地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年华东地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年华东地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业运行情况
图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年华南地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年华南地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年华南地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业运行情况
图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年华中地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年华中地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年华中地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年华北地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年华北地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年华北地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年华北地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年华北地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年华北地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年西北地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年西北地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年西北地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年西北地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年西北地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年西北地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年西南地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年西南地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年西南地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年西南地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年西南地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年西南地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年东北地区微波传感器制造行业产销分析
图表：2011-2012年东北地区微波传感器制造行业盈利能力分析
图表：2011-2012年东北地区微波传感器制造行业偿债能力分析
图表：2011-2012年东北地区微波传感器制造行业营运能力分析
图表：2011-2012年东北地区不同规模企业对比分析
图表：2011-2012年东北地区亏损企业单位数及亏损金额分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业产成品分析
图表：2011-2012年不同规模企业产成品分析
图表：2011-2012年不同经济类型企业产成品
图表：2011-2012年不同所有制企业产成品比较
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业总销售收入分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业销售收入增长率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业销售费用分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业管理费用分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业财务费用分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业固定资产净值平均余额分析图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业总资产周转率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业资本保值增值率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业应收账款周转率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业流动资产周转率分析
图表：2011-2012年国微波传感器制造行业产成品资金占用率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业利润总额分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业销售毛利率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业销售利润率
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业成本费用利润率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业总资产利润率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业净资产利润率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业产值利税率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业人均销售率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业产成品资金占用率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业资金利税率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业成本费用利润率分析
图表：2011-2012年我国微波传感器制造行业成本费用利润率分析
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常用微波元件
常用微波元件 关键词：微波元件、隔离器、环行器 引言： 微波元件的功能在于微波信号进行各种变换，按其变换性质可将微波元件分为以下三类： 一：线性互易元件 凡是元件中没有非线性和非互易性物质都属于这一类。常用的线性互易元件包括：匹配负载、衰减器、移相器、短路活塞、功分器、微波电桥、定向耦合器、阻抗变换器和滤波器等。 衰减器作为线性互易元件，其频率范围可以从0至26.5GHz, 功率高达2000W。 被应用于民用，军事，航天，空间技术等。 高标准的达到“两高一低”，高功率，高隔离度，低插损。 其频率的范围，主要由客户的需求，从而去定制频率。 以下简单介绍50W功率的同轴衰减器，此衰减值可达到60Db, 频率可为8GHz, 12.4GHz, 18GHz，N型接头。 正面背面侧面 二：线性非易元件 这类元件中包含磁化铁氧体等各向异性媒介，具有非互易特性，其散射矩阵是不对称的。但仍工作于线性区域，属于线性元件范围。常用的线性非互易性元件有隔离度、环形器等。 三：非线性元件 这类元件中含有非线性物质，能对微波信号进行非线性变换，从而引起频率的改变，并能通过电磁控制以改变元件的特性参量。常用的非线性元件有检波器，混频器，变频器以及电磁快控元件等。 微波元件分类：
近年来，为了实现微波系统的小型化，开始采用由微带和集中参数元件组成的微波集成电路，可以在一块基片上做出大量的元件，组成复杂的微波系统，完成各种不同功能。 简要的介绍波导型，同轴型，微带型的产品。 波导隔离器频率范围主要为：2.4-110GHz （具体的频段由客户定制） 于衰减器的使用范围类同，主要使用在民用，军事，航天，空间技术等。 同样具备“低插损，高隔离度，高功率”的特性。 优译波导隔离器 同轴：A ：低频率12MHz 至 1875MHz, 含FM, VHF, UHF 等。 B ：700MHz 至26.5GHz, 含GSM, CDMA, WCDMA, LTE, L.S.C.X 波段等。 优译同轴隔离器
射频与微波技术知识点总结
射频/微波的特点: 1.频率高 2.波长短 3.大气窗口 4.分子谐振 微波频率：300MHz-3000GHz 波长：0.1mm-1m 独特的特点：RF/MW 的波长与自然界物体尺寸相比拟 在RF/MW 波段，由于导体的趋肤效应、介质损耗效应、电磁感应等影响，期间区域不再是单纯能量的集中区，而呈现分布特性。 长线概念：通常把RF/MW 导线（传输线）称为长线，传统的电路理论已不适合长线！ RF/MW 系统的组成： 传输线：传输RF/MW 信号 微波元器件：完成微波信号的产生、放大、变换等和功率的分配、控制及滤波 天线：辐射或接收电磁波 微波、天线与电波传播的关系：（简答） 微波： 对象：如何导引电磁波在微波传输系统中的有效传输 目的：希望电磁波按一定要求沿微波传输系统无辐射的传输； 天线 任务：将导行波变换为向空间定向辐射的电磁波，或将在空间传播的电磁波变为微波设备中的导行波 作用：1.有效辐射或接收电磁波；2.把无线电波能量转换为导行波能量 电波传播 分析和研究电波在空间的传播方式和特点 常用传输线机构：矩形波导 共面波导 同轴线 带状线 微带线 槽线 分析方法 称为传输线的特性阻抗 特性阻抗Z0通常是个复数, 且与工作频率有关。 它由传输线自身分布参数决定而与负载及信源无关, 故称为特性阻抗 对于均匀无耗传输线, R=G=0, 传输线的特性阻抗为 此时, 特性阻抗Z0为实数, 且与频率无关。 常用的平行双导线传输线的特性阻抗有250Ω, 400Ω和600Ω三种。 常用的同轴线的特性阻抗有50 Ω 和75Ω两种。 均匀无耗传输线上任意一点的输入阻抗与观察点的位置、传输线的特性阻抗、终端负载阻抗及工作频率有关, 且一般为复数, 故不宜直接测量。 无耗传输线上任意相距λ /2处的阻抗相同, 一般称之为λ /2重复性。 传输线上电压和电流以波的形式传播, 在任一点的电压或电流均由沿-z 方向传播的行波（称为入射波）和沿+z 方向传播的行波（称为反射波）叠加而成。 传播常数γ: α为衰减常数, 单位为dB/m β为相移常数 对于均匀无耗传输线来说, 由于β与ω成线性关系, 故导行波的相速与频率无关, 也称为无色散波。当传输线有损耗时, β不再与ω成线性关系, 使相速υp 与频率ω有关,这就称为色散特性。 定义传输线上任意一点 z 处的反射波电压（或电流）与入射波电压（或电流）之比为电压（或电流）反射系数(越小越好) 当Zl=Z0时, Γl=0, 即负载终端无反射, 此时传输线上反射系数处处为零, 一般称之为负载匹配。而当Zl ≠Z0时, 负载端就会产生一反射波, 向信源方向传播, 若信源阻抗与传输线特性阻抗不相等时, 则它将再次被反射。 定义传输线上波腹点电压振幅与波节点电压振幅之比为电压驻波比, 用ρ表示： 0L Z C =)j /()j (0C G L R Z ωω++=βωωγj )j )(j (+=++≈a C G L R min max U U =ρ
微波电路设计基础知识
微波电路及设计的基础知识
1. 微波电路的基本常识 2. 微波网络及网络参数 3. Smith 圆图 4. 简单的匹配电路设计 5. 微波电路的计算机辅助设计技术及常用的 CAD 软件 6. 常用的微波部件及其主要技术指标 7. 微波信道分系统的设计、计算和指标分配 8. 测试及测试仪器 9. 应用电路举例
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第1章
概述
所谓微波电路，通常是指工作频段的波长在 10m～1cm(即 30MHz～30GHz)之 间的电路。此外，还有毫米波（30～300GHz）及亚毫米波（150GHz～3000GHz） 等。 实际上，对于工作频率较高的电路，人们也经常称为“高频电路”或“射频 （RF）电路”等等。 由于微波电路的工作频率较高，因此在材料、结构、电路的形式、元器件以 及设计方法等方面，与一般的低频电路和数字电路相比，有很多不同之处和许多 独特的地方。 作为一个独立的专业领域，微波电路技术无论是在理论上，还是在材料、工 艺、元器件、以及设计 技术等方面，都已经发展得非常成熟，并且应用领域越来 越广泛。 另外，随着大规模集成电路技术的飞速发展，目前芯片的工作速度已经超过 了 1GHz。在这些高速电路的芯片、封装以及应用电路的设计中，一些微波电路 的设计技术也已得到了充分的应用。以往传统的低频电路和数字电路，与微波电 路之间的界限将越来越模糊，相互间的借鉴和综合的技术应用也会越来越多。
第2章
微波电路的基本常识
2.1 电路分类
2.1.1 按照传输线分类
微波电路可以按照传输线的性质分类，如：
图 1 微带线
图 2 带状线
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MSA-0486-TR1 双极微波单片集成电路分放大器
Cascadable Silicon Bipolar MMIC?Amplifier Technical Data Features ?Cascadable 50 ? Gain Block ? 3 dB Bandwidth:DC to 3.2 GHz ?8 dB Typical Gain at 1.0?GHz ?12.5 dBm Typical P 1 dB at 1.0?GHz ?Unconditionally Stable (k>1)?Surface Mount Plastic Package ?Tape-and-Reel Packaging Option Available [1] MSA-0486 86 Plastic Package Typical Biasing Configuration Note: 1.Refer to PACKAGING section “Tape-and-Reel Packaging for Surface Mount Semiconductors”. R V CC > 7 V IN OUT Description The MSA-0486 is a high perfor-mance silicon bipolar Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) housed in a low cost,surface mount plastic package.This MMIC is designed for use as a general purpose 50 ? gain block.Typical applications include narrow and broad band IF and RF amplifiers in commercial and industrial applications. The MSA-series is fabricated using HP’s 10 GHz f T , 25?GHz f MAX ,silicon bipolar MMIC process which uses nitride self-alignment,ion implantation, and gold metalli-zation to achieve excellent performance, uniformity and reliability. The use of an external bias resistor for temperature and current stability also allows bias flexibility.
微波电路及设计的基础知识
微波电路及设计的基础知识 1. 微波电路的基本常识 2. 微波网络及网络参数 3. Smith圆图 4. 简单的匹配电路设计 5. 微波电路的计算机辅助设计技术及常用的CAD软件 6. 常用的微波部件及其主要技术指标 7. 微波信道分系统的设计、计算和指标分配 8. 测试及测试仪器 9. 应用电路举例
微波电路及其设计 1.概述 所谓微波电路，通常是指工作频段的波长在10m～1cm(即30MHz～30GHz)之间的电路。此外，还有毫米波（30～300GHz）及亚毫米波（150GHz～3000GHz）等。 实际上，对于工作频率较高的电路，人们也经常称为“高频电路”或“射频（RF）电路”等等。 由于微波电路的工作频率较高，因此在材料、结构、电路的形式、元器件以及设计方法等方面，与一般的低频电路和数字电路相比，有很多不同之处和许多独特的地方。 作为一个独立的专业领域，微波电路技术无论是在理论上，还是在材料、工艺、元器件、以及设计技术等方面，都已经发展得非常成熟，并且应用领域越来越广泛。 另外，随着大规模集成电路技术的飞速发展，目前芯片的工作速度已经超过了1GHz。在这些高速电路的芯片、封装以及应用电路的设计中，一些微波电路的设计技术也已得到了充分的应用。以往传统的低频电路和数字电路，与微波电路之间的界限将越来越模糊，相互间的借鉴和综合的技术应用也会越来越多。 2.微波电路的基本常识 2.1 电路分类 2.1.1 按照传输线分类 微波电路可以按照传输线的性质分类，如：
图1 微带线 图2 带状线 图3 同轴线 图4 波导
图5 共面波导 2.1.2 按照工艺分类 微波混合集成电路：采用分离元件及分布参数电路混合集成。 微波集成电路（MIC）：采用管芯及陶瓷基片。 微波单片集成电路（MMIC）：采用半导体工艺的微波集成电路。 图6微波混合集成电路示例 图7 微波集成电路（MIC）示例
【CN209266394U】一种90度电桥微波集成电路芯片结构【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920218935.5 (22)申请日 2019.02.21 (73)专利权人 华芯智造微电子（重庆）股份有限 公司 地址 401420 重庆市綦江县古南街道金福 大道57号5幢 (72)发明人 彭朝亮 (51)Int.Cl. H01L 23/40(2006.01) H01L 23/467(2006.01) H01L 23/367(2006.01) H01L 23/00(2006.01) (54)实用新型名称 一种90度电桥微波集成电路芯片结构 (57)摘要 本实用新型公开了一种90度电桥微波集成 电路芯片结构，包括基板所述基板的顶部通过第 一减震机构连接有两个对称设置的第一微带，两 个所述第一微带顶部通过金属带连接，所述基板 的顶部通过第二减震机构连接有第二微带，所述 第一微带的底部固定连接有散热机构。本实用新 型通过固定杆和第一弹簧的弹性势能，对外部震 动进行削弱，同时利用滑块辅助固定杆的上下移 动，再利用连接杆、转轴、活动块和第二弹簧的弹 性势能对外部震动进行抵消，同时利用震动的动 能带动转轴上下移动，使扇叶带动转轴转动，从 而将微波集成电路芯片的热量通过散热口排出 基板外，同时利用防尘网进行防尘，防止灰尘干 扰本装置运行。权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209266394 U 2019.08.16 C N 209266394 U
权 利 要 求 书1/1页CN 209266394 U 1.一种90度电桥微波集成电路芯片结构，包括基板（1），其特征在于，所述基板（1）的顶部通过第一减震机构连接有两个对称设置的第一微带（2），两个所述第一微带（2）顶部通过金属带（3）连接，所述基板（1）的顶部通过第二减震机构连接有第二微带（4），所述第一微带（2）的底部固定连接有散热机构。 2.根据权利要求1所述的一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，所述第一减震机构包括固定连接在第一微带（2）的底部的固定杆（5），所述基板（1）的底部设有与固定杆（5）对应的连接槽，所述固定杆（5）的两侧均固定连接有滑块（6），所述连接槽的内侧壁设有与滑块（6）对应的滑槽，所述固定杆（5）的底部通过第一弹簧（7）与连接槽的内底部固定连接。 3.根据权利要求1所述的一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，所述散热机构包括转动连接在第一微带（2）底部的转轴（8），所述转轴（8）远离第一微带（2）底部的一端固定连接有扇叶（9），所述基板（1）的内设有与扇叶（9）对应的散热口。 4.根据权利要求3所述的一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，所述散热口的内侧壁固定连接有防尘网（10）。 5.根据权利要求1所述的一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，所述第二减震机构包括转动连接在第二微带（4）上的连接杆（11），所述连接杆（11）远离第二微带（4）的一端转动连接有活动块（12），所述基板（1）上设有与活动块（12）对应的活动槽，所述活动槽的内侧壁固定连接有活动轴（13），所述活动块（12）滑动套接在活动轴（13）上,所述活动轴（13）上套设有第二弹簧（16），所述第二弹簧（16）的两端分别与活动块（12）和活动槽的内侧壁固定连接。 6.根据权利要求5所述的一种90度电桥微波集成电路芯片结构，其特征在于，所述第二微带（4）的底部和活动块（12）的底部均固定连接有安装座（14），所述安装座（14）的内侧壁固定连接有转动轴（15），所述连接杆（11）的两端分别转动套接在两个转动轴（15）上。 2
关于射频微波去嵌入技术的调研
关于射频微波去嵌入技术的调研 在微波射频电路中，一个不可避免的问题就是测量电路或者器件的参数，由于高频电路的特殊性，对于器件参数的测量要求很苛刻，为了使测量的指标和实际的情形十分接近，我们需要考虑很多因素对测量系统的影响，其中最重要的因素之一就是夹具的去嵌入问题，下面就国内外在去嵌入技术上的重大突破做一下调研。 对于微波有源器件建模和性能特性测量,矢量网络分析仪发挥了重要作用,以矢量网络分析仪为核心的有源器件和MMIC自动测试系统得到了快速发展。矢量网络分析仪等测量仪器的测试端口或者参考面一般为标准同轴连接器或波导,如3.5mm和2.4mm 同轴连接器,有源器件如微波晶体管、场效应管和二极管等一般为未封装的管芯或梁式引线封装,在被测有源器件和测量仪器之间必须引入测量夹具予以转换。测量夹具的引入解决了有源器件的直流偏置、信号激励与检测的问题,但同时引入了测量误差,去除有源器件测量夹具引入的误差必须进行去嵌入运算。 矢量网络分析仪测量有源器件事先必须进行测量校准,一般在矢量网络分析仪的同轴测量端口或波导测量端口采用OSLT校准方法或TR L校准方法进行校准,可以去除矢量网络分析仪本身的系统误差,从而提高测量精度;另一种测量校准方法就是在测量夹具上进行测量校准, 如TRL、LRL、LRM、TOM、SOLD和OSL等校准方法，这些校准方法都有一个共同的特点就是需要一个微带或共面波导等平面传输线制成的校准件,把测量夹具引入的误差作为整个矢量网络分析仪的系统误差,通过在微带或共面波导参考面上进行测量校准和误差修正和误差修正予以剔除。 微带型或共面波导型校准件存在两个方面的问题:一是微带型或共面波导型校准件制作工艺比较复杂,性能指标难以提高;二是微带型或共面波导型校准件定标问题一般单位难以解决,现有的测量手段只能解决具有同轴或波导参考面的部件和组件测量问题,无法满足微带和共面波导等平面传输线校准件的定标要求。鉴于这些原因有源器件测量夹具的去嵌入问题,一直是有源器件建模和测量领域研究的热点问题。 在有源测量夹具完全对称的假设下,提出了一种无需在微带或共面波导等平面传输线参考面上进行校准的去嵌入方法,这种方法的优点就是不需要微带或共
是德科技 N9311X-射频和微波附件介绍
是德科技 N9311X 用于低成本手持式和 台式解决方案的射频和 微波附件套件 产品快报
N9311X 射频和微波附件套件是是德科技经济型手持式和台式解决方案的补充产品(N934xC/N9340B/N9330B/N9310A/N9320B/N9000A)。 当您使用是德科技手持式和经济型台式解决方案进行测量时，这些附件可为您提供完整的解决方案。 天线 天线频率范围天线增益重量尺寸其他信息 N9311x-50070 至1000 MHz无65 克113.5 厘米(全长), 19.5 厘米(伸缩), 10 节 180 °可调伸缩式拉杆天线, 附带N 型 (阳头) 至BNC 型(阴头) 适配器, 50 ΩN9311x-501700 至2500 MHz无70 克210x20毫米全向天线, 附带N型(阳头)至SMA型 (阴头)适配器, 50?Ω N9311x-504*700 MHz - 4 GHz 4 dBi270 克340x200x25毫米对数周期天线, 50?Ω N9311x-508*680 MHz - 8 GHz 5 dBi250 克340x200x25毫米对数周期天线, 50?Ω N9311x-518*680 MHz - 18 GHz 5 dBi250 克340x200x25毫米对数周期天线, 50?Ω * N9311x-504/508/518 运输包装包括: 天线、铝制手提箱、可分离手枪式握柄与"微型三脚架" 模式、N 型至SMA 型工具箱。 N9311X-500N9311X-501N9311X-504 带通滤波器 带通滤波器 3 dB 通带抑制插入损耗VSWR阻抗N9311X-550814 至850 MHz≥? 36 dBc, 740 MHz 时 ≥36 dBc, 915 MHz 时 ≤0.5 dB≤1.550 ΩN9311X-551880 至915 MHz≥ 35 dBc, 862 MHz 时 ≥35 dBc, 932 MHz 时 ≤1 dB≤1.550 ΩN9311X-5521707.5 至1787.5 MHz≥ 35 dBc, 1550 MHz 时 ≥35 dBc, 1925 MHz 时 ≤0.4 dB≤1.550 ΩN9311X-5531845 至1915 MHz≥ 35 dBc, 1770 MHz 时 ≥35 dBc, 1986 MHz 时 ≤0.6 dB≤1.550 ΩN9311X-5541910 至1990 MHz≥ 35 dBc, 1825 MHz 时 ≥35 dBc, 2070 MHz 时 ≤0.6 dB≤1.550 Ω N9311X-551
射频器件及应用介绍
射频器件及应用
理察森电子 2008.11.27
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射频器件及应用
内容提要
1、直放站系统组成； 2、射频器件分类及著名品牌介绍； 3、Freescale 大功率射频器件LDMOS封装、命名及特 性介绍； 4、器件规格书的阅读理解； 5、应用LDMOS管的功率放大器设计概述； 6、LDMOS功放管使用、安装及调试注意事项； 7、讨论与提问。
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一、直放站系统信号流图
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微波毫米波单片集成电路综述论文
微波毫米波单片集成电路综述论文 摘要 微波集成电路（Microwave Integrated Circuit缩写为MIC）是工作在微波波段和毫米波波段即30GHz～300GHz频率范围，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。60～70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。 微波集成电路大致可以分为两种电路：混合微波集成电路和单片微波集成电路。 混合微波集成电路是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。这种电路的特点是根据微波整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。 单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit缩写为MMIC）则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯片上的集成电路。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MMIC 放大器中。 目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用于通信和GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。 本文主要从单片微波集成电路工艺、基于Si的单片微波集成电路的电路结构的
MMIC单片微波集成电路
单片微波集成电路（MMIC），有时也称射频集成电路(RFIC)，它是随着半导体制造技术的发展，特别是离子注入控制水平的提高和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放大器件。 微波集成电路 Microwave Integrated Circuit 工作在300M赫～300G赫频率范围内的集成电路。简称MIC。分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。前者是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。这种电路的特点是根据微波整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。单片微波集成电路则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯片上的集成电路。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。 在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MMIC放大器中。 目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用于通信和GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。 根据制作材料和内部电路结构的不同，MMIC可以分成两大类：一类是基于硅Silicon晶体管的MMIC，另一类是基于砷化镓场效应管（GaAs FET）的MMIC。GaAs FET类MMIC具有工作频率高、频率范围宽、动态范围大、噪声低的特点，但价格昂贵，因此应用场合较少；而硅晶体管的MMIC性能优越、使用方便，而且价格低廉，因而应用非常广泛. 微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。 微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。60～70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。 微波集成电路的分类 混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术，将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。
射频_微波工程师经典参考书汇总
1.《射频电路设计--理论与应用》『美』Reinhold Ludwig 著电子工业出版社 个人书评：射频经典著作，建议做RF的人手一本，里面内容比较全面，这本书要反复的看，每读一次都会更深一层理解. 随便提一下，关于看射频书籍看不懂的地方怎么办？我提议先看枝干或结论有个大概印象，实在弄不明白就跳过（当然可问身边同事同学或GOOGLE一下），跳过不是不管它了，而是尽量先看完自己能看懂的，看第二遍的时候再重点抓第一次没有看懂的地方，人的思维是不断升华的，知识的也是一个系统体系，有关联的，当你把每一块砖弄明白了，就自然而然推测出金字塔塔顶是怎么架设出来的。 2. 《射频通信电路设计》『中』刘长军著科学技术出版社 个人书评：有拼凑之嫌（大量引用书1和《微波晶体管放大电路分析与设计》内容），但还是有可取之处，加上作者的理解，比看外文书（或者翻译本）看起来要通俗易懂，毕竟是中国人口韵。值得一看，书上有很多归纳性的经验. 3．《高频电路设计与制作》『日』市川欲一著科学技术出版社 个人书评：本人说实话比较喜欢日本人写书的风格和语言，及其通俗，配上图示，极其深奥的理论看起来明明朗朗，比那些从头到尾只会搬抄公式的某些教授强们多了，本书作者的实践之作，里面都是一些作者的设计作品和设计方法，推荐一看.. 5. 《振荡电路设计与应用》『日』稻叶宝著科学技术出版社 个人书评：这边书还不错，除了学到振荡电路设计，还学到了很多模拟电路的基础应用，唯一缺点书中的内容涉及频率的都不够高（k级，几M,几十，几百M的振荡器），做有源电路的可以看一下,整体感觉还行. 6. 《锁相环电路设计与应用》『日』远坂俊昭著科学技术出版社 个人书评：对PLL原理总是搞不太明白的同学可以参考此书，图形图片很多，让人很直观明白，比起其他PLL书只会千篇一律写公式强千倍。好书，值得收藏！ 7. 《信号完整性分析》『美』Eric Bogatin著电子工业出版社 个人书评：前几章用物理的方法看电子，感觉不好理解，写的感觉很拗口，翻译好像也有些不到位，但后面几章写的确实好，尤其是关于传输线的，对你理解信号的传输的实际过程，能建立一个很好的模型，推荐大家看一下，此书还是不错的.（看多了RF的，换换胃口） 8. 《高速数字设计》『美』Howard Johnson著电子工业出版社 个人书评：刚刚卓越买回来，还没有动“她”呢，随便翻了下目录，做高速电路和PCB Layout 的工程师一看要看下，这本书也是经典书喔！ 10.《EMC电磁兼容设计与测试案例分析》『中』郑军奇著电子工业出版社 个人书评：实战性和很强的一本书，本人做产品经常要送去信息产业部电子研究5所做EMC 测试，认证.产品认证是产品成功的临门一脚，把这脚球踢好，老板会很赏识你的，如果你也负责产品的EMC，这本书必读。作者写有很多实例，很有代表性，对你解决EMC问题，会有引导性（指导性）的的意义。
微波射频仿真软件介绍
微波射频仿真软件介绍 射频EDA仿真软件介绍（包括算法，原理） 一、前言 微波系统的设计越来越复杂，对电路的指标要求越来越高，电路的功能越来越多，电路的尺寸要求越做越小，而设计周期却越来越短。传统的设计方法已经不能满足系统设计的需要，使用微波EDA软件工具进行微波元器件与微波系统的设计已经成为微波电路设计的必然趋势。 EDA即Electronic Design Automation, 电子设计自动化。目前,国外各种商业化的微波EDA 软件工具不断涌现，微波射频领域主要的EDA 工具首推Agilent 公司的ADS软件和Ansoft公司的HFSS、Designer软件以及CST，其次是比较小型的有Microwave Office, Ansoft Serenade, Zeland, XFDTD, Sonnet，FEKO 等电路设计软件。下面将会将会简要地介绍一下各个微波EDA软件的功能特点和使用范围。 这些EDA仿真软件与电磁场的数值解法密切相关的，不同的仿真软件是根据不同的数值分析方法来进行仿真的, 在介绍微波EDA 软件之前先简要的介绍一下微波电磁场理论的数值算法。所有的数值算法都是建立在Maxwell方程组之上的，了解Maxwell方程是学习电磁场数值算法的基础。 电磁学问题的数值求解方法总的可分为时域和频域两大类。在频域，数值算法有：有限元法 ( FEM -- Finite Element Method）、矩量法( MoM -- Method of Moments），差分法( FDM -- Finite Difference Methods），边界元法( BEM -- Boundary Element Methed），和传输线法( TLM -- Transmission-Line-matrix Method）。频域技术发展得比较早，也比较成熟。在时域，数值算法有：时域有限差分法( FDTD –Finite Difference Time Domain ），和时域有限积分法( FITD –Finite Integration Time Domain）。时域法的引入是基于计算效率的考虑，某些问题在时域中讨论起来计算量要小。例如求解目标对冲激脉冲的早期响应时，频域法必须在很大的带宽内进行多次采样计算，然后做傅里叶反变换才能求得解答，计算精度受到采样点的影响。若有非线性部分随时间变化，采用时域法更加直接。除此之外外还有一些高频方法作为补充，如GTD，UTD和射线理论。 从求解方程的形式看，可以分为积分方程法（IE）和微分方程法（DE）。IE 和DE相比，有如下特点：IE法的求解区域维数比DE法少一维，误差限于求解区域的边界，故精度高；IE法适合求无限域问题，DE法此时会遇到网格截断问题；IE法产生的矩阵是满的，阶数小，DE法所产生的是稀疏矩阵，但阶数大；IE法难以处理非均匀、非线性和时变媒质问题，DE法可直接用于这类问题。 本文根据电磁仿真工具所采用的数值解法进行分类，对常用的微波EDA仿真软件进行论述。 二、基于矩量法MOM仿真的微波EDA仿真软件 矩量法将连续方程离散化为代数方程组，既适用于求解微分方程，又适用于求解积分方程。他的求解过程简单，求解步骤统一，应用起来比较方便。然而需要一定的数学技巧，如离散化的程度、基函数与权函数的选取，矩阵求解过程等。另外必须指出的是，矩量法可以达到所需要的精确度，解析部分简单，可计算量很大，即使用高速大容量计算机，计算任务也很繁重。矩量法在天线分析和电磁场散射问题中有比较广泛地应用，已成功用于天线和天线阵的辐射、散射问题、微
射频微波
射频微波 隔离器、环形器、同轴负载、同轴终端、同轴衰减器、放大器、 滤波器、功分器、双工器、合路器 定义： 波的波长微波是指频率为300MHz-300GHz的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称，即波长在1米（不含1米）到1 毫米之间的电磁波，是分米波，厘米波，毫米波的统称。微波频率比一般的无线电波频率高。 微波的波长微波是指频率为300MHz-300GHz的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称，即波长在1米（不含1米）到1毫米之间的电磁波，是分米波、厘米波、毫米波的统称。微波频率比一般的无线电波频率高，通常也称为“超高频电磁波”。微波作为一种电磁波也具有波粒二象性，微波量子的能量为9×l0 -25～ 1．99×10-22j． 微波的性质：微波的基本性质通常呈现为穿透，反射，吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器，微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西，则会反射微波。 一、穿透性 微波比其它用于辐射加热的电磁波，如红外线，远红外线等波长更长，因此具有更好的穿透性。微波透入介质时，由于介质损耗引起的介质温度的升高，使介质材料内部、外部几乎同时加热升温，形成体热源状态，大大缩短了常规加热中的热传导时间，且在条件为介质损耗因数与介质温度呈负相关关系时，物料内外加热均匀一致。 二、选择性加热 物质吸收微波的能力，主要由其介质损耗因数来决定。介质损耗因数大的物质对吸收能力就强，相反，介质损耗因数小的物质吸收微波的能力弱。由于各物质的损耗因数存在差异，微波加热就表现出选择性加热的特点。物质不同，产生的热效果不同，水分子属极性分子，介电常数较大，其介质损耗因素也很大，对微波具有强吸收能力。而蛋白质，碳水化合物等的介电常数相对较小，其对微波的吸收能力比水小得多。因此，对于食品来说，含水量的多少对微波加热效果影响很大。 三、热惯性小 微波对介质材料是瞬时加热升温，能耗也很低。另一方面，微波的输出功率随时可调，介质温升可无惰性的随之改变，不存在“余热”现象，极有利于自动控制和连续化生产的需要。 微波的产生微波能通常由直流电或50MHz交流电通过一特殊的器件来获得。可以产生微波的器件有许多种，但主要分为两大类：半导体器件和电真空器件。电真空器件是利用电子在真空中运动来完成能量变换的器件，或称之为电子管。在电真空器件中能产生大功率微波能量的有磁控管、多腔速战速调管、微波三、四极管、行波管等。在目前微波加热领域特别是工业应用中使用的主要是磁控管及速调管。 微波器件种类繁多，限于篇幅，仅介绍一些实验中常用到的器件。
微波集成电路及其CAD概念综述
第1章绪论 微波电路开始于40年代应用的立体微波电路[1]，它是由波导传输线、波导元件、谐振腔和微波电子管组成。随着微波固态器件的发展以及分布型传输线的出现，60年代初，出现了平面微波电路，它是由微带元件、集总元件、微波固态器件等利用扩散、外延、沉积、蚀刻等制造技术将这些无源微波器件和有源微波元件制作在一块半导体基片上的微波混合电路[2]，即HMIC。它属于第二代微波电路。与以波导和同轴线等组成的第一代微波电路相比较，它具有体积小、重量轻等优点，避免了复杂的机械加工，而且易与波导器件，铁氧体器件连接，可以适应当时迅速发展起来的小型微波固体器件。又由于其性能好、可靠性强、使用方便等优点，因此即被用于各种微波整机，并且在提高军用电子系统的性能和小型化方面起了显著的作用[3]。 70年代，GaAs材料制造工艺的成熟，对微波半导体技术的发展有着极为重要的影响。GaAs材料的电子迁移率比Si高七倍，而且漂移速度也比Si高的多，这种高频高速性能是由其材料特性决定的。又由于GaAs材料的半绝缘性(其电阻率可达105Ω/cm)可以不需要采用特殊的隔离技术而将平面传输线，所以无源元件和有源元件集可以成在同一块芯片上，更进一步地减小了微波电路的体积。 正是由于GaAs技术的问世与GaAs材料的特性而促成了由微波集成电路向单片集成电路的过渡。与第二代的微波混合电路HMIC相比较，MMIC的体积更小、寿命更长、可靠性高、噪声低、功耗小、工作的极限频率更高等优点。例如在在HMIC与MMIC就高增益放大器的比较中可以发现（见表1-1）[4]：放大器的尺寸，MMIC元件数，连线接头数均比要HMIC少，且二者的电器性能相近，MMIC的极限频率和增益要比HMIC大。因此，受到广泛的重视。尽管MMIC技术发展很快，但至今为止仍然存在这某些互联困难。某些性能指标的常规电路元件不能制造，开发费用高等问题。我国MMIC受到投资不足，技术水平低等条件的限制，发展一直比较缓慢。相对而言MHMIC技 1 — —
详解微波射频器件极限功率损耗与分散
详解微波射频器件极限功率损耗与分散 每个器件都有一个最大的功率极限，不管是有源器件（如放大器），还是无源器件（如电缆或滤波器）。理解功率在这些器件中如何流动有助于在设计电路与系统时处理更高的功率电平。 它能处理多大的功率这是对发射机中的大多数器件不可避免要问的一个问题，而且通常问的是无源器件，比如滤波器、耦合器和天线。但随着微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管和氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET））的功率电平的日益增加，当安装在精心设计的放大器电路中时，它们也将受到连接器等器件甚至印刷电路板（PCB）材料的功率处理能力的限制。了解组成大功率器件或系统的不同部件的限制有助于回答这个长久以来的问题。 发射机要求功率在限制范围内。一般来说，这些限制范围由政府机构规定，例如美国联邦通信委员会（FCC）制定的通信标准。但在“不受管制”系统中，比如雷达和电子战（EW）平台中，限制主要来自于系统中的电子器件。每个器件都有一个最大的功率极限，不管是有源器件（如放大器），还是无源器件（如电缆或滤波器）。理解功率在这些器件中如何流动有助于在设计电路与系统时处理更高的功率电平。 当电流流过电路时，部分电能将被转换成热能。处理足够大电流的电路将发热——特别是在电阻高的地方，如分立电阻。对电路或系统设定功率极限的基本思路是利用低工作温度防止任何可能损坏电路或系统中器件或材料的温升，例如印刷电路板中使用的介电材料。电流/热量流经电路时发生中断（例如松散的或虚焊连接器），也可能导致热量的不连续性或热点，进而引起损坏或可靠性问题。温度效应，包括不同材料间热膨胀系数（CTE）的不同，也可能导致高频电路和系统中发生可靠性问题。 热量总是从更高温度的区域流向较低温度的区域，这个原则可以用来将大功率电路产生的热量传离发热源，如晶体管或TWT。当然，从热源开始的散热路径应该包括由能够疏通或耗散热量的材料组成的目的地，比如金属接地层或散热器。不管怎样，任何电路或系统的热管理只有在设计周期一开始就考虑才能最佳地实现。 一般用热导率来比较用于管理射频/微波电路热量的材料性能，这个指标用每米材料每一度（以开尔文为单位）施加的功率（W/mK）来衡量。也许对任何高频电路来说这些材料最重要的一个因素是PCB叠层，这些叠层一般具有较低的热导率。比如低成本高频电路中经常使用的FR4叠层材料，它们的典型热导率只有0.25W/mK。
对射频微波电路设计的认识
射频微波电路设计论文 学院：信电学院 班级：通信0801 姓名： 学号：
对射频微波电路设计的认识 摘要：射频（RF）是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz～30GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。微波是指频率为 300MHz-300GHz的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称，即波长在1米（不含1米）到1毫米之间的电磁波，是分米波、厘米波、毫米波和亚毫米波的统称。微波频率比一般的无线电波频率高，通常也称为“超高频电磁波”。微波作为一种电磁波也具有波粒二象性。微波的基本性质通常呈现为穿透、反射、吸收三个特性。对于玻璃、塑料和瓷器，微波几乎是穿越而不被吸收。对于水和食物等就会吸收微波而使自身发热。而对金属类东西，则会反射微波。 关键字：射频微波电路设计 射频即Radio Frequency，通常缩写为RF。表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz～30GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。有线电视系统就是采用射频传输方式。在电子学理论中，电流流过导体，导体周围会形成磁场；交变电流通过导体，导体周围会形成交变的电磁场，称为电磁波。在电磁波频率低于100khz时，电磁波会被地表吸收，不能形成有效的传输，但电磁波频率高于100khz时，电磁波可以在空气中传播，并经大气层外缘的电离层反射，形成远距离传输能力，我们把具有远距离传输能力的高频电磁波称为射频，射频技术在无线通信领域中被广泛使用。射频技术的分类：自动识别技术和射频识别技术。 自动识别技术 自动设备识别技术是目前国际上发展很快的一项新技术，英文名称为AutomaticEquipmentIdentification，简称AEI。该项技术的基本思想是通过采用一些先进的技术手段，实现人们对各类物体或设备（人员、物品）