现代分析测试技术_03透射电子显微分析综合练习
第三章透射电子显微分析
（红色的为选做，有下划线的为重点名词或术语或概念）
1．名词、术语、概念：电子的散射角（2θ），电子的弹性散射与非弹性散射，电子的相干散射与非相干散射，电子吸收，吸收电子，二次电子，背散射电子，透射电子，电子透镜，电磁透镜，像差，球差，像散，色差，景深，焦深（或焦长），成像操作，衍射操作，明场像，暗场像，中心暗场像，质量厚度衬度（简称“质厚衬度”），衍射衬度（简称“衍衬”），复型，一级复型，二级复型，萃取复型等。
2．入射电子照射固体时，与固体中粒子的相互作用包括三个过程，即( )、( )、( )。3．对于电子的粒子性而言，固体物质对电子的散射有( )散射和( )散射两种。只改变方向而能量不变的散射叫（），在改变方向的同时能量也发生变化的散射叫（）散射。
4．对于电子的波动性而言，固体物质对电子的散射有( )散射和( )散射两种。
5．入射电子轰击固体时，电子激发诱导的X射线辐射主要包括( )、( )和( )。6．电子与固体物质相互作用，产生的信息主要有（）、（）、（）、（）等，据此建立的分析方法（或仪器）主要有（）、（）、（）、（）等。
7．透射电子显微镜（简称“透射电镜”，英文缩写“TEM”）主要由（）系统、（）系统、（）系统、（）系统和（）系统组成。
8．TEM的成像系统是由（）镜、（）镜和（）镜组成。
9．TEM成像系统的两个基本操作是（）操作和（）操作。
10．TEM的成像操作方式主要有四种，即（）操作、（）操作、（）操作和（）操作。
11．按复型的制备方法，复型主要分为（）复型、（）复型和（）复型。12．物质的原子序数越高，对电子产生弹性散射的比例就越大。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
13．电子束照射到固体上时，电子束的入射角越大，二次电子的产额越小。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
14．入射电子能量增加，二次电子的产额开始增加，达极大值后反而减少。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
15．电子吸收与光子吸收一样，被样品吸收后消失，转变成其它能量。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
16．电子与固体作用产生的信息深度次序是：俄歇电子≤二次电子< 背散射电子< 吸收电子< 特征X射线。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
17．透射电镜分辨率的高低主要取决于物镜。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
18．通过调整中间镜的透镜电流，使中间镜的物平面与物镜的背焦面重合，可在荧光屏上得到衍射花样；若使中间镜的物平面与物镜的像平面重合则得到显微像。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
19．电子衍射和X射线衍射一样必须严格符合布拉格方程。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
20．电子衍射与X射线衍射相比，其精度和准确度更高。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
21．原子中的原子核和核外电子对入射电子均有很强的散射作用，而原子对入射X射线的散射，散射基元是核外电子，原子核的散射可忽略不计。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
22．单晶电子衍射花样是同心圆，而多晶电子衍射花样是有规律的斑点。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
23．单晶电子衍射斑点具有周期性。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
24．单晶电子衍射花样的标定具“180?不唯一性”或“偶合不唯一性”现象。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
25．晶体中只要有缺陷，用透射电镜就可以观察到这个缺陷。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
26．复型样品或非晶样品的衬度来源于质厚衬度。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
27．晶体薄膜样品的衬度主要来源于衍射衬度。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
28．透射电镜图像的衬度与样品成分无关。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
29．薄膜晶体的电子衍射强度主要与晶粒的位向和结构因子有关。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
30．TEM最基本的功能之一就是观察形貌，形貌的主要成像机制是质厚衬度。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
31．利用衍射衬度显微像，可以观察和分析晶体的位错、层错、相界、晶界、粒界、包裹体等缺陷结构。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
32．高分辨电子显微像是利用的相位衬度，即利用电子束相位的变化，由两束及以上电子束相干成像。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
33．高分辨电子显微像的分辨率很高，接近或达到原子级分辨率。这种说法（）。
A．正确；B．不正确
34．电子与固体作用产生多种粒子信号，下列信号对应入射电子的是（）。
A．透射电子；B．二次电子；C．俄歇电子；D．特征X射线
35．电子与固体作用产生多种粒子信号，下列信号对应入射电子的是（）。
A．背散射电子；B．二次电子；C．表面发射元素；D．特征X射线
36．电子与固体作用产生多种粒子信号，下列信号对应入射电子的是（）。
A．吸收电子；B．二次电子；C．俄歇电子；D、阴极荧光
37．电子与固体作用产生多种粒子信号，下列信号中（）是由电子激发产生的。
A．透射电子；B．背散射电子；C．吸收电子；D．特征X射线
38．电子与固体物质相互作用，当电子把所有动能都转换为X射线时，该X射线的波长称为（）。
A．短波限λ0；B．激发限λK；C．吸收限；D．特征X射线
39．透射电镜分辨率的高低主要取决于（）。
A．物镜；B．中间镜；C．投影镜
40．透射电镜分析中，非晶样品的衬度主要来源于（）。
A．质厚衍度；B．衍射衬度；C．相位衬度；D．形貌衬度
41．透射电镜分析中，晶体样品的衬度主要来源于（）。
A．质厚衍度；B．衍射衬度；C．相位衬度；D．形貌衬度
42．透射电镜中不可以消除的像差是（）。
A．球差；B．像散；C．色差；D．球差和像散
43．选区光栏在TEM镜筒中的位置是（）。
A．物镜的物平面；B．物镜的像平面；C．物镜的背焦面；D．物镜的前焦面
44．单晶体电子衍射花样是（）。
A．规则的平行四边形斑点；B．同心圆环；C．晕环；D．不规则斑点
45．在电镜中，电子束的波长主要取决于什么？
46．什么是电子的弹性散射和非弹性散射？其散射角取决于什么？它们对电子显微镜的成像有何作用？
47．电子“吸收”与光子吸收有何不同？
48．电子与固体物质作用产生的物理信号有哪些？各自的用途是什么？
49．简述电子与固体作用产生的信号及据此建立的主要分析方法。
50．透射电镜与光学显微镜的区别与联系。
51．在透射电镜的成像系统中，采用电磁透镜而不采用静电透镜，为什么?
52．什么是电磁透镜？电子在电磁透镜中如何运动？与光在光学系统中的运动有何不同？53．什么是电磁透镜的像差？有几种？各自产生的原因是什么？是否可以消除？
54．什么是最佳孔径半角?
55．什么是景深与焦长？各有何作用？
56．什么是电磁透镜的分辨本领？其影响因素有哪些？为什么电磁透镜要采用小孔径角成像？
57．简述点分辨率与晶格分辨率的区别与联系。
58．点分辨率和晶格分辨率有何不同？同一电镜的这两种分辨率哪个高？为什么？
59．如何测定透射电镜的分辨率与放大倍数？电镜的哪些主要参数控制着分辨率与放大倍数？
60．物镜和中间镜的作用各是什么？
61．如何通过调整中间镜的励磁电流的大小，分别实现电镜的成像操作和衍射操作？62．透射电镜中的光阑有几种？各自的用途是什么？
63．简述选区衍射的原理和实现步骤。
64．电子衍射与X射线衍射的异同点？
65．为什么电子衍射的试样一般为薄膜试样？
66．原子对电子的散射与原子对X射线的散射有何差异？
67．电子衍射花样的本质是什么?
68．电子衍射中的厄瓦尔德球与X射线衍射中的厄瓦尔德球有何不同，对电子衍射产生怎样的影响？
69．推导电子衍射的基本公式，简述其作用。
70．电子衍射分析的基本公式是在什么条件下导出的？公式中各项的含义是什么？
71．结合厄瓦尔德球及布拉格方程简述倒易点阵建立的意义。
72．证明倒易矢量与对应的（hkl）晶面指数的关系为g = h a* + k b* + l c*。
73．分别绘出面心立方点阵和体心立方点阵的倒易点阵，设晶带轴指数为[100]，标出其N=1，0，-1时的倒易阵面，绘出零层衍射斑点花样。当晶带轴指数为[111]时，其零层倒易阵面上的斑点花样又如何？
74．请示意画出面心立方晶体的正空间晶胞和倒空间的晶胞，标明基矢。并画出晶带轴为r = [100]的零层倒易面(100)0*，标出各阵点的指数。
75．衍射斑点的形状取决于哪些因素？为何中心斑点一般呈圆点且最亮？
76．电子束对称入射时，理论上仅有倒易点阵的原点在反射球上，除了中心斑点外，为何还可得到其他一系列斑点?
77．请用Ewald球表明在满足布拉格条件下，入射电子束和倒易矢量g之间关系。
78．是否所有满足布拉格条件的晶面都产生衍射束？为什么？
79．为什么薄晶体的衍射机会大于大块晶体？
80．什么是透射电镜的有效相机常数？它与什么有关？有什么用途？
81．多晶电子衍射花样与单晶电子衍射花样有何不同？为什么？
82．图题6-1为18Cr2N4WA经900℃油淬400℃回火后在透射电镜下摄得的渗碳体选区电子衍射花样示意图，请进行花样指数标定。R l = 9.8mm，R2 = 10.1mm，Lλ = 2.05 mm?nm，φ = 95?。
题图6-1 渗碳体的电子衍射花样
83．已知某晶体相为四方结构，a = 0.362 4 nm，c = 0.740 6 nm，求其（111）晶面的法线[uvw]。84．多晶体的薄膜衍射衬度像（衍射花样）为系列同心圆环，设现有4个同心圆环像，当晶体的结构分别为简单、体心、面心和金刚石结构时，请标定4个圆环的衍射晶面族指数。85．高阶劳埃斑有几种？各自产生的机理是什么？
86．什么是衬度？衬度的种类？各自的应用范围是什么？
87．简述非晶样品的质厚成像原理。
88．什么是衍射衬度？它与质厚衬度有什么区别？
89．说明衍射成像的原理。什么是明场像、暗场像和中心暗场像？三者之间的衬度关系如何？90．分别画出明场像和暗场像的物镜光路图，说明衍射衬度成像原理。
91．衍射衬度运动学的基本假设是什么？两假设的基本前提又是什么？如何来满足这两个基本假设？
92．运用理想晶体衍射运动学的基本方程
()
()2
2
2
2sin
s
st
I
g
gπ
π
ξ
π
?
=，来解释等厚条纹和等倾条纹
像。
93．画出衍射强度随样品厚度和晶体位向的变化曲线。并解释什么是等厚消光条纹和等倾消光条纹。
94．当层错滑移面不平行于薄膜表面时，出现了亮暗相间的条纹，试运用衍射运动学理论解释该条纹像与理想晶体中的等厚条纹像有何区别？为什么？
95．当层错滑移面平行于薄膜表面时，出现亮带或暗带，试运用衍射运动学理论解释该亮带或暗带与孪晶像的区别？
96．什么是螺旋位错缺陷的不可见判据？如何运用不可见判据来确定螺旋位错的柏氏矢量？97．要观察试样中基体相与析出像的组织形貌，同时又要分析其晶体结构和共格界面的位向关系，简述合适的电镜操作方式和具体的分析步骤。
98．简述透射电镜对分析样品的要求。
99．简述用于透射电镜分析的晶体薄膜样品的制备步骤。
100．说明如何用透射电镜观察超细粉末的尺寸和形态？如何制备样品？
101．复型图像的衬度主要取决于什么？通过什么方法可以提高复型图像的衬度？
102．复型技术的主要用途和局限性是什么？
103．萃取复型可用来分析哪些组织结构？得到什么信息？
104．由选区衍射获得低碳钢α、γ相的衍射花样，如题图6-2所示，已知相机常数K= 3.36 mm?nm。两套衍射斑点的R值，α和γ相的晶面间距如下表所示。（1）试确定它们的物
相；（2）并由此验证它们符合α- γ相N - W取向关系：(001)α∥(011)γ；[110]α∥[111]γ；
(001)α∥(201)γ。
题图6-2 α和γ相的电子衍射花样
序号 1 2 3 4 5 1'2'3'
R（nm）16.5 23.2 28.7 33.2 40.5 26.5 26.5 46.0
HKL（α）110 200 211 220 310 222 321
d（nm）0.2027 0.1433 0.1170 1.1013 1.0906 0.0823 0.0766
HKL（γ）111 200 220 311 220 400 331 420 422 d（nm）0.2070 0.1793 0.1268 0.1081 0.1035 0.0896 0.0823 0.0802 0.0732
105．根据下面的透射电子显微照片和电子衍射谱，回答下列问题：
（1）简述透射电镜分析中晶体薄膜样品的制备方法；
（2）根据透射电镜明场像（图a），你能得到什么信息？
（3）根据图b、c和d的选区电子衍射花样，判断所对应的分析区是单晶、多晶或是非晶？为什么？
（4）一幅单晶电子衍射花样是否是一个晶带中的所有晶面的倒易点的放大像？为什
么？
（5）单晶电子衍射花样的标定有哪几种方法？标定的结果是否唯一？
（6）图d的衍射环，为什么是断断续续的？
图a是一个简单的明场像，图b、c和d是对图a中的不同区域
进行选区电子衍射操作以后得到的结果。
106．根据下面的复型的电子显微照片，回答下列问题：
（1）复型的制样方法有哪几种？对制备复型的材料有何要求？
（2）复型的像衬度原理是什么？如何提高复型的像衬度？
（3）判断图像是明场像或是暗场像？什么是明场像？什么是暗场像？
（4）根据复型的透射电子显微照片，你能得到什么信息？
30CrMnSi钢回火组织（a）与低碳钢冷脆断口（b）的复型图像
107．根据下面的粉末样品的电子显微照片，回答下列问题：
（1）简述透射电镜分析中超细粉末（含纳米粉体）的制样方法，粉末样品制备的关键
是什么？
（2）对于不导电样品（绝缘体），为什么要镀导电薄？最常使用的导电薄是哪二种？
（3）判断图像是明场像或是暗场像？什么是明场像？什么是暗场像？
（4）简述颗粒像的衬度来源；
（5）根据粉末的透射电子显微照片，你能得到什么信息？
高岭土的透射电镜照片纤维水镁石的透射电镜照片
108．查阅透射电子显微镜（TEM）的应用文献，要求（1）近5年中外文论文各一篇；（2）了解论文中TEM分析使用的仪器设备、实验条件和研究（或解决）的问题；（3）了解论文中实验仪器、实验条件、样品制备、测试与分析等方面的表述方法。
（说明：文献命名方式：学号姓名-论文名称，每个班的学习委员汇总后发我的QQ邮箱）
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题 第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。 3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。 6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。 7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。 11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。 14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。 15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。 17.IGBT的通态压降在 1/2 或1/3 额定电流以下区段具有 __负___温度系数，在1/2 或 1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。
现代分析测试技术论文
西安科技大学研究生考试试卷 学号______ ________ 研究生姓名______ ________ 班级______ ________ 考试科目______ ________ 考试日期________ ______ 课程学时_______ _______ 开（闭）卷________ ______
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透射电子显微镜的原理与应用
透射电子显微镜的原理及应用 一．前言 人的眼睛只能分辨1/60度视角的物体，相当于在明视距离下能分辨0.1mm 的目标。光学显微镜通过透镜将视角扩大，提高了分辨极限，可达到2000A 。。光学显微镜做为材料研究和检验的常用工具，发挥了重大作用。但是随着材料科学的发展，人们对于显微镜分析技术的要求不断提高，观察的对象也越来越细。如要求分表几十埃或更小尺寸的分子或原子。一般光学显微镜，通过扩大视角可提高的放大倍数不是无止境的。阿贝（Abbe ）证明了显微镜的分辨极限取决于光源波长的大小。在一定波长条件下，超越了这个极限度，在继续放大将是徒劳的，得到的像是模糊不清的。 图1-1（a ）表示了两个点光源O 、P 经过会聚透镜L ，在平面上形成像O ，、P ，的光路。实际上当点光源透射会聚成像时，由于衍射效应的作用在像平面并不能得到像点。图1-1（b ）所示，在像面上形成了一个中央亮斑及周围明暗相间圆环所组成的埃利斑（Airy ）。图中表示了像平面上光强度的分布。约84%的强度集中在中央亮斑上。其余则由内向外顺次递减，分散在第一、第二……亮环上。一般将第一暗环半径定义为埃利斑的半径。如果将两个光源O 、P 靠拢，相应的两个埃利斑也逐渐重叠。当斑中心O ，、P ，间距等于案例版半径时，刚好能分辨出是两个斑，此时的光点距离d 称为分辨本领，可表示如下： α λs in 61.0d n = （1-1） 式中，λ为光的波长，n 为折射系数，α孔径半角。上式表明分辨的最小距离与波长成正比。在光学显微镜的可见光的波长条件下，最大限度只能分辨2000A 。。于是，人们用很长时间寻找波长短，又能聚焦成像的光波。后来的X
数字电子技术试题及答案(题库)
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
电工电子技术期末考试试题及答案汇总
成绩统计表 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学号_______ 请将选择题答案填入下表： 一．选择（20分、2分/题） 1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率 B、电流 C、电能 D、电功 2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序 C、频率 D、相位角3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。A、未通电状态B、通电状态C、根据情况确定状态4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下5．关于提高功率因数的说法，正确的是（ c ） A.在感性负载上并联电感可以提高功率因数 B.在感性负载上并联电容可以降低功率因数
C.在感性负载上并联电容可以提高功率因数 6．乙类互补对称式功放电路，其输出波形的交越失真是指（ c ）。A．频率失真B、相位失真C、波形过零时出现的失真D、幅度失真 7．稳压管的动态电阻（b ）稳压性能越好。 A、越大 B、越小 C、较合适 D、不一定 8．运算放大器电路如图所示，该电路中反馈类型为( )。a (A) 串联电压负反馈(B) 串联电流负反馈 (C) 并联电压负反馈(D) 并联电流负反馈 ∞ 9．单稳态触发器的输出状态有（a） A、一个稳态、一个暂态 B、两个稳态 C、只有一个稳态 D、没有稳态 10．一个8选1多路选择器，输入地址有 c 。
A、2位 B、3位 C、4位 D、8位 二、计算题（70分） 1．已知图5所示电路中U S1=24V，U S2＝6V，R1=12Ω，R2＝6Ω,R3=2Ω，试用戴维宁定理求流过电阻R3中的电流I3。(10分) a I3 b 2．如图所示R－L串联电路，R=280Ω，R L=20Ω,L=1.65H，电源电压U=220V，电源频率为50H Z。(10分)
电工电子技术试题及答案..
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属
现代分析测试技术
X射线荧光分析 X-Ray Fluorescence X射线的产生和特点 特征X射线 L壳层由L1、L2、L3三个子能级构成；M壳层由五个子能级构成；电子跃迁必须服从选择定则N壳层由七个子能级构成； X射线的特点: ?波粒二象性 ?直线传播，折射率约为1 ?具有杀伤力 ?具有光电效应 ?散射现象
–相干散射：散射线能量不变，与入射线相互干涉。 –不相干散射：入射线部分能量传递给原子，散射线波长变长，与入射线不相互干涉。 ?吸收现象 X射线的吸收现象 ?X射线在穿过被照射物体时，因散射、光电效应、热损耗的影响，出现强度衰减的现象，称为X射线的吸收。与物质的厚度、密度、入射线强度有关。 突变点λ（波长）称为吸收 限 原因：X射线将对应能级的 电子轰出，使光子大量吸收。?X射线吸收现象的应用 ?阳极靶镀层，获得单色X射线 ?X荧光的特点 荧光X射线的最大特点是只发射特征X射线而不产生连续X射线。试样激发态释放能量时还可以被原子内部吸收继而逐出较外层的另一个次级光电子，此种现象称为俄歇效应。被逐出的电子称为俄歇电子。俄歇电子的能量也是特征的，但不同于次级X射线。 ?波长色散型X荧光光谱仪 ?分析原理 当荧光X射线以入射角θ射到已知晶面间距离d的晶体（如LiF）的晶面上时，发生衍射现象。根据晶体衍射的布拉格公式λ∝dsinθ可知，产生衍射的入射光的波长λ与入射角θ有特定的对应关系。逐渐旋转晶面用以调整荧光X射线的入射角从0°至90°，在2 θ角度的方向上，可依次检测到不同λ的荧光X射线相应的强度，即得到试样中的系列荧光X射线强度与2 θ关系的X射线荧光光谱图 X射线衍射分析 X Ray Diffraction X射线衍射的理论基础
电子技术考题大全及答案(完整版)
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
电子技术期末考试试卷及答案
2、射极输出器电路中，输出电压U o 与输入电压u i 之间的关系是（ ）。 （a ） 两者反相，输出电压大于输出电压 （b ） 两者同相，输出电压近似等于输入电压 （c ） 两者相位差90 ，且大小相等 3、为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多级放大器级与级之间必须采 用（ ）。 （a ） 阻容耦合 （b ） 变压器耦合 （c ） 直接耦合 汁侶吗llTFF （咏宀、 方 亠z-r /咏宀\ 命题教帅（签字） 试做教师（签字） 系、室土任（签字） ）匚记标修重 ................ 名姓 题号 -一- _ 二 _ 三 四 五 七 八 合计 满分 32 10 8 10 6 7六 10 12 丿八 12 100 实得分 评阅人 得分 、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填 入括号内（本大题共16小题，总32分） 1、 电 路如图 所 示， 所有二极管 状 态为 ( )。 ⑻ D 1导 通，D 2、 D 3 截 止 (b) D 1、 D 2截止 D 3导通 (c) D 1、 D 3截止， D 2导 通 (d) D 1、 D 2、D 3均 截 止 均为理想元件，则D ,、D 2、D 3的工作 12V +6V J 1 ----------------- W D2 Ld D3 白R 0V D i
⑻L i、C i组成的电路 （b）L、C组成的电路 （c）L2、&组成的电路 +U cc 5、正弦波振荡器如图所示，为了获得频率可调的输出电压，则应该调节的电阻是（）。 ⑻R i （b）R F（c）R U o 6、模拟电路中晶体管大多工作于（）。 ⑻放大状态（b）开关状态（c）击穿状态 7、数字电路中的工作信号为（）。 ⑻随时间连续变化的电信号（b）脉冲信号（c）直流信号 8、逻辑电路如图所示，分析图中C, J, K的波形。当初始状态为“ 0” 时，输出Q是“1”的瞬间为（）。 ⑻t i (b) t2 (c) t3
电子技术试题及答案(
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
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电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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《现代分析测试技术》复习知识点答案
一、名词解释 1. 原子吸收灵敏度：也称特征浓度，在原子吸收法中，将能产生1％吸收率即得到0.0044 的吸光 度的某元素的浓度称为特征浓度。计算公式：S=0.0044 x C/A （ug/mL/1%） S——1％吸收灵敏度C ——标准溶液浓度0.0044 ——为1％吸收的吸光度 A——3 次测得的吸光度读数均值 2. 原子吸收检出限：是指能产生一个确证在试样中存在被测定组分的分析信号所需要的该组分的最 小浓度或最小含量。通常以产生空白溶液信号的标准偏差2?3倍时的测量讯号的浓度表示。 只有待测元素的存在量达到这一最低浓度或更高时，才有可能将有效分析信号和噪声信号可靠地区分开。 计算公式： D = c K S /A m D一一元素的检出限ug/mL c ――试液的浓度 S ――空白溶液吸光度的标准偏差 A m――试液的平均吸光度K――置信度常数，通常取2~3 3．荧光激发光谱：将激发光的光源分光，测定不同波长的激发光照射下所发射的荧光强度的变化， 以I F—入激发作图，便可得到荧光物质的激发光谱 4 ?紫外可见分光光度法：紫外一可见分光光度法是利用某些物质分子能够吸收200 ~ 800 nm光谱 区的辐射来进行分析测定的方法。这种分子吸收光谱源于价电子或分子轨道上电子的电子能级间跃迁，广泛用于无机和有机物质的定量测定，辅助定性分析（如配合IR）。 5 ?热重法：热重法（TG是在程序控制温度下，测量物质质量与温度关系的一种技术。TG基本原 理：许多物质在加热过程中常伴随质量的变化，这种变化过程有助于研究晶体性质的变化，如熔化、蒸发、升华和吸附等物质的物理现象；也有助于研究物质的脱水、解离、氧化、还原等物质的化学现象。热重分析通常可分为两类：动态（升温）和静态（恒温）。检测质量的变化最常用的办法就是用热天平（图1），测量的原理有两种：变位法和零位法。 6?差热分析；差热分析是在程序控制温度下，测量物质与参比物之间的温度差与温度关系的一种技 术。差热分析曲线是描述样品与参比物之间的温差（△ T）随温度或时间的变化关系。在DAT试验中， 样品温度的变化是由于相转变或反应的吸热或放热效应引起的。如: 相转变，熔化，结晶结构的转变， 沸腾，升华，蒸发，脱氢反应，断裂或分解反应，氧化或还原反应，晶格结构的破坏和其它化学反应。一般说来，相转变、脱氢还原和一些分解反应产生吸热效应；而结晶、氧化和一些分解反应产生放热效应。 7. 红外光谱：红外光谱又称分子振动转动光谱，属分子吸收光谱。样品受到频率连续变化的红外光 照射时，分子吸收其中一些频率的辐射，导致分子振动或转动引起偶极矩的净变化,使振-转能级从基态跃迁到激发态，相应于这些区域的透射光强度减弱，记录经过样品的光透过率T%寸波数或波长
电子技术试题及答案-(
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。
电工电子技术期末考试试卷及答案
《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭卷) 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的瞬时值，分别用小写字母 i 、 u 表示。 2、数字电路中只有 0 和 1 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__地___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___相__线。 4、(1011)2 = ( 11 )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_储能____元件，电阻是__耗能____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫功率因数。 7、正弦交流电的三要素是振幅、频率和初相。 8、实际电压源总有内阻，因此实际电压源可以用电动势与电阻串联的组合模型来等效。 9、基本门电路有与门、或门和非门。 10、能够实现“有0出1，全1出0”逻辑关系的门电路是与非门。 11、能够实现“有1出0，全0出1”逻辑关系的门电路是或非门。 12、能够实现“相异出1，相同出0”逻辑关系的门电路是异或门。 13、在交流电中，电流、电压随时间按正弦规律变化的，称为正弦交流电。正弦交流电的三要素是指最大值、角频率、初相位。 14、工频电流的频率f= 50 Hz。 15、设u=311sin314t V，则此电压的最大值为 311V ，频率为 50HZ ，初相位为 0 。 16、在如图所示的电路，已知I1 = 1A，I2 = 3A ，I5 =4.5A，则I3 = 4 A，I4 = 0.5 A，则I6 = 3.5 A。
17、半导体三极管是由发射极、基极、集电极三个电 极，发射结、集电结两个PN结构成。 18、三极管按其内部结构分为 NPN 和 PNP 两种类型。 19、晶体三极管作共射组态时，其输入特性与二极管类似，但其输出特性 较为复杂，可分为放大区外，还有截止区和饱和区。 20、二极管具有单相导电性特性。 二、单项选择题（每小题2分，共10分） 1、如图所示电路中，电压表的内阻Rv为20KΩ，则电压表的指示为（ B ）。 20KΩ 20KΩ A．5V B.10V C.15V D.30V 2、在三相交流电路中，当负载为对称且三角型连接时，线电流与相电流的 相位关系是（ D ）。 A. 线电压超前相电压300 B. 线电压滞后相电压300 C. 线电流超前相电流300 D. 线电流滞后相电流300 3、叠加定理可以用在线性电路中不能叠加的是（ C ）。 A、电压 B、电流 C、功率 D、电动势 4、如图所示电路中，若电阻从2Ω变到10Ω，则电流i（ C ）。 R i s A.变大 B. 变小 C.不变 D.不确定 5、如图所示电路，电路的电流I=（ A ）。
现代分析检测技术
现代分析检测技术课程 论文（报告、案例分析） 液态奶黑白膜包装重点卫生性能检测 商品学专业学生王伊萌学号1221251011 一、导语 液态奶黑白膜主要是以PE类树脂、黑白色母料为主要原料，并根据需要加入阻隔性树脂共挤而成的复合膜，其在使用过程中采用油墨表印工艺，因此由制膜过程及印刷过程引入的不溶物等有害成分在酸性、油脂性环境中极易迁移至液态奶中，进而危害消费者健康。所以，需及时采用蒸发残渣等测试设备监测包装接触材料的重点卫生性能。本文介绍了鲜牛奶黑白膜中高锰酸钾消耗量、蒸发残渣、重金属、脱色试验这四项重点卫生性能，并详细介绍了蒸发残渣仪的检测原理、试验步骤及应用，可为行业内包装材料蒸发残渣的测试提供参考。 二、检测标准 ·BB/T 0052-2009 《液态奶共挤包装膜、袋》 ·GB 9687-1988《食品包装用聚乙烯成型品卫生标准》 ·GB/T 5009.60-2003《食品包装用聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯成型品卫生
标准的分析方法》 三、测试意义 液态奶黑白膜是采用LDPE、LLDPE为主要树脂原料，再加入黑、白色母料，采用共挤工艺吹制而成的复合膜，一般为三层或三层以上结构。液态奶黑白膜又分为阻隔类与非阻隔类，非阻隔类即不再添加任何具有较高阻隔性的树脂原料，而阻隔类的黑白膜会另外加入EVOH、PA等阻隔性树脂共挤成膜，高阻隔类的液态奶黑白膜在低温环境下的氧气透过率可达到2.0 cm3/(m2?24h?0.1MPa)。另外，为了获得良好柔韧性及热封口效果，有些种类的液态奶黑白膜会加入mLLDPE树脂。因此，鉴于PE类液态奶黑白膜可具有优异的阻隔性、热封性、 避光性以及柔韧性，是目前液态奶生产行业广为采用的一种包装材料。 液态奶黑白膜多采用表面印刷工艺，即利用专用耐水耐高温的表印油墨印刷在黑白膜包装外表面，因此油墨层是直接暴露在外部。鉴于液态奶黑白膜的制造工艺及印刷工艺，树脂原料及油墨极易出现有害的小分子物质或有机溶剂残留，而这些残留物质采用何种手段进行严格监控，则需要进行相关卫生化学性能指标的检测。BB/T 0052-2009 《液态奶共挤包装膜、袋》产品标准中规定了PE类液态奶黑白膜中相关卫生性能参考GB 9687-1988《食品包装用聚乙烯 成型品卫生标准》，即严格检测“蒸发残渣”、“高锰酸钾消耗量”、“重金属”、“脱色试验”这四项重点卫生性能指标。这些指标可准确反映包装材料中有机小分子成分或重金属等有害物质的含量，有效降低在制膜或印刷过程中因工艺参数控制不当或油墨成分使用不当而产生的有害物质，最大程度的减轻因包装材料引起的液态奶污染。 四、检测指标 液态奶黑白膜重点卫生性能指标均按照GB/T 5009.60-2003《食品包装用聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯成型品卫生标准的分析方法》中规定的相应检测方法，这四项指标在试验前需在特定的温度下在特殊的溶液中浸泡2 h，再按照不同的测试方法进行各指标的检测。 蒸发残渣：将试样分别经由不同溶液浸泡后，将浸泡液分别放置在水浴上蒸干，于100℃左右的环境下干燥2 h后，冷却称重。该指标即表示在不同浸泡液中的溶出量。不同浸泡液可分别模拟接触水、酸、酒、油不同性质食品的情况。 高锰酸钾消耗量：将浸泡后的试样，用高锰酸钾标准滴定溶液进行滴定，通过测定其高锰酸钾消耗量，再计算出可溶出有机物质的含量。该指标是表征包装材料中小分子有机物及制膜过程中高温分解的小分子有机物质的总含量。