(完整word版)电力电子习题及答案

(完整word版)电力电子习题及答案
(完整word版)电力电子习题及答案

电力电子技术课后题答案

第一章

1.1 电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么?三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件?

答:电力技术涉及的技术内容:发电、输电、配电及电力应用。

其研究对象是:发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备,以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理),利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。

电子技术,又称为信息电子技术或信息电子学,研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。其发展依赖于各种电子器件(二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等)。

电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。它涉及电力电子变换和控制技术技术,包括电压(电流)的大小、频率、相位和波形的变换和控制。研究对象:半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路,包括利用半导体集成

电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。电力电子技术的发展和应用主要依赖于半导体电力开关器件。

答案1.2 为什么三相交流发电机或公用电网产生的恒频、恒压交流电,经电压、频率变换后再供负载使用,有可能获得更大的技术经济效益?

答:用电设备的类型、功能千差万别,对电能的电压、频率、波形要求各不相同。为了满足一定的生产工艺和流程的要求,确保产品质量、提高劳动生产率、降低能源消耗、提高经济效益,若能将电网产生的恒频、恒压交流电变换成为用电负载的最佳工况所需要的电压、频率或波形,有可能获得更大的技术经济效益。例如:若风机、水泵全部采用变频调速技术,每年全国可以节省几千万吨以上的煤,或者可以少兴建上千万千瓦的发电站。若采用高频电力变换器对荧光灯供电,不仅电-光转换效率进一步提高、光质显著改善、灯管寿命延长3~5倍、可节电50%,而且其重量仅为工频电感式镇流器的10%。高频变压器重量、体积比工频变压器小得多,可以大大减小钢、铜的消耗量。特别在调速领域,与古老的变流机组相比,在钢铜材消耗量、重量、体积、维护、效率、噪音、控制精度和响应速度等方面优势明显。

1.3 开关型电力电子变换有哪四种基本类型?

答:有如下四种电力变换电路或电力变换器,如图所示:

交流(A.C)—直流(D.C)整流电路或整流器;

直流(D.C)—交流(A.C)逆变电路或逆变器;

直流(D.C)—直流(D.C)电压变换电路,又叫直流斩波电路、直流斩波器;

交流(A.C)—交流(A.C)电压和/或频率变换电路:仅改变电压的称为交流电压变换器或交流斩波器,频率、电压均改变的称为直接变频器。

答案1.4 图1.6(a)所示的开关电路实现DC-AC逆变变换的基本原理是什么?从开关电路的输出端CD能否直接获得理想的正弦基波电

压?直流电源输出到开关电路输入端AB的直流电流是否为无脉动连续的直流电流?

答:1 DC/AC逆变电路的可以采用三种控制方案:

A、180°方波;

B、小于180°单脉冲方波;

C、PWM控制。基本原理分别如下:

A 180°方波。当要求输出交流电的频率为时,在半周期

内使S1、S4导通,S2、S3阻断,则逆变电路输出电压;令随后的时间内S2、S3导通,S1、S4阻断,则逆变电路输出电压为负的电源电压(-)。因此是频率为、幅值为的交流方波电压,如图1.6(b)所示。对进行傅立叶分解,得到其基波电压有效值为,大小取决于直流电源的电压;基波角频率,取决于开关的工作频率。其中含有大量的高次谐波经滤去后,负载可获得正弦交流基波电压。

B 小于180°单脉冲方波。类似180°方波控制,但是仅在半周的一部分时间内让相应的开关导通,则将是导电时间小于T/2,导电宽度角小于的矩形波,如图1.6(c)所示进行傅立叶分解,得到基波电压有效值为或

。显然,控制导通时间可以控制输出电压基波大小,而输出电压的频率f仍取决于开关工作频率。

C 若采用高频开关PWM控制策略,则交流输出电压为图1.6(d)所示的脉冲宽度调制(PWM)的交流电压,输出电压波形更接近正弦波且其中谐波电压的频率较高,只需要很小的滤波就可得到正弦化的交流电压。其性能远优于单脉波的方波逆变方案。

2 不能直接获得理想的正弦基波电压。

3 是有脉动非连续的直流电流。

1.5 开关型电力电子变换器有那些基本特性?

答:(1)变换器的核心是一组开关电路,开关电路输出端电压和开关电路输入端电流都不可能是理想的直流或无畸变的正弦基波交流,含有高次谐波。

(2)要改善变换电路的输出电压和输入电流的波形,可以在其

输出、输入端附加LC滤波电路;但是最有效方法是采用高频PWM 控制技术。

(3)电力电子变换器工作时,开关器件不断进行周期性通、断状态的依序转换,为使输出电压接近理想的直流或正弦交流,一般应对称地安排一个周期中不同的开关状态及持续时间。因此对其工作特性的常用分析方法或工具是:开关周期平均值(状态空间平均法)和傅立叶级数。

1.6 开关型电力电子变换器有哪两类应用领域?

答:按功能可分为两大应用领域:

(1)开关型电力电子变换电源或简称开关电源。由半导体开关电路将输入电源变换为另一种电源给负载供电。这一类应用现在已经十分广泛。

(2)开关型电力电子补偿控制器。它又分为两种类型:电压、电流(有功功率、无功功率)补偿控制器和阻抗补偿控制器。它们或向电网输出所要求的补偿电压或电流,或改变并联接入、串联接入交流电网的等效阻抗,从而改善电力系统的运行特性和运行经济性。这类应用将导致电力系统的革命并推动电力电子技术的继续发展。

第二章

2.1 说明半导体PN结单向导电的基本原理和静态伏-安特性。

答:PN结——半导体二极管在正向电压接法下(简称正偏),外加电压所产生的外电场与内电场方向相反,因此PN结的内电场被削弱。内电场所引起的多数载流子的漂移运动被削弱,多数载流子的扩散运动的阻力减小了,扩散运动超过了反方向的漂移运动。大量的多数载流子能不断地扩散越过交界面,P区带正电的空穴向N区扩散,N区带负电的电子向P区扩散。这些载流子在正向电压作用下形成二极管正向电流。二极管导电时,其PN结等效正向电阻很小,管子两端正向电压降仅约1V左右(大电流硅半导体电力二极管超过1V,小电流硅二极管仅0.7V,锗二极管约0.3V)。这时的二极管在电路中相当于一个处于导通状态(通态)的开关。PN结——半导体二极管在反向电压接法下(简称反偏)外加电压所产生的外电场与原内电场方向相同。因此外电场使原内电场更增强。多数载流子(P区的空穴和N区的电子)的扩散运动更难于进行。这时只有受光、热激发而产生的少数载流子(P区的少数载流子电子和N区的少数载流子空穴)在电场力的作用下产生漂移运动。因此反偏时二极管电流极小。

在一定的温度下,二极管反向电流在一定的反向电压范围内不随反向电压的升高而增大,为反向饱和电流。因此半导体PN 结呈现出单向导电性。其静态伏-安特性曲线如左图曲线①所示。

但实际二极管静态伏-安特性为左图的曲线②。二极管正向导电时必须外加电压超过一定的门坎电压(又称死区电压),当外加电压小于死区电压时,外电场还不足以削弱PN结内电场,因此正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V,锗二极管约为0.2V,当外加电压大于后内电场被大大削弱,电流才会迅速上升。二极管外加反向电压时仅在当外加反向电压不超过某一临界击穿电压值时才会使反向电流保持为反向饱和电流。实际二极管的反向饱和电流是很小的。但是当外加反向电压超过后二极管被电击穿,反向电流迅速增加。

2.2 说明二极管的反向恢复特性。

答:由于PN结间存在结电容C,二极管从导通状态(C很大存储电荷多)转到截止阻断状态时,PN 结电容存储的电荷并不能立即消失,二极管电压仍为≈1~2V,二极管仍然具有导电性,在反向电压作用下,反向电流从零增加到最大值,反向电流使存储电荷逐渐消失,二极管两端电压降为零。这时二极管才恢复反向阻断电压的能力而处于截止状态,然后在反向电压作用下,仅流过很小的反向饱和电流。因此,二极管正向导电电流

为零后它并不能立即具有阻断反向电压的能力,必须再经历一段反向恢复时间后才能恢复其阻断反向电压的能力。

2.3 说明半导体电力三极管BJT处于通态、断态的条件。

答:电力三极管BJT处于通态的条件是:注入三极管基极的电流大于基极饱和电流(已知三极管的电流放大系数,有)。这时三极管、导电性很强而处于最小等效电阻、饱和导电状态,可以看作是一个闭合的开关。BJT处于断态的条件是:基极电流为零或是施加负基极电流,即。这时BJT的等效电阻近似为无限大而处于断态。

答案2.4 电力三极管BJT 的四个电压值、、和

的定义是什么?其大小关系如何?

答:、、和分别为不同基极状态下的三极管集-射极击穿电压值:定义为基极反偏时,三极管集-射极电压击穿值;

为基极短接、基极电压为0时,三极管集-射极电压击穿

值;

为基极接有电阻短路时的集-射极击穿电压值要;

为基极开路时集-射极击穿电压值。

其大小关系为:。

答案2.5 说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下,晶闸管可以从断态转变为通态?已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能关断晶闸管?

答:基本工作原理:见课本p36-37;应回答出承受正向压、门极加驱动电流时的管子内部的正反馈过程,使不断增大,最后使,很大,晶闸管变成通态;撤去门极电流后由于,仍可使很大,保持通态。

有多种办法可以使晶闸管从断态转变成通态。

常用的办法是门极触发导通和光注入导通。另外正向过电压、高温、高的都可能使晶闸管导通,但这是非正常导通情况。要使晶闸管转入断态,应设法使其阳极电流减小到小于维持电流,通常采用使其阳极A与阴极K 之间的电压为零或反向。

答案2.6 直流电源电压=220V,经晶闸管T对负载供电。负载电阻R=20Ω,电感=1H,晶闸管擎住电流=55mA,维持电流=22mA,

用一个方波脉冲电流触发晶闸管。试计算:

⑴ 如果负载电阻R=20Ω,触发脉冲的宽度为300μs,可否使晶闸管可靠地开通?

⑵ 如果晶闸管已处于通态,在电路中增加一个1KΩ的电阻能否使晶闸管从通态转入断态?

⑶ 为什么晶闸管的擎住电流比维持电流大?

(1) 设晶闸管开通:,由此可解出:当

时,,所以可以使晶闸管可靠导通。

(2) 加入1KΩ电阻后,有,不能使晶闸管由通态转入断态。

(3) 为什么晶闸管的擎住电流比维持电流大:擎住电流和维持电流都是在撤去门极驱动电流的条件下定义的,因此阳极电流

。但维持电流是在通态时考虑的,此时管子已工作在较大电流状态下,管内结温较高,此时的PN结漏电流Io随结温增大,导通能力强,因此必须要降低才能关断晶闸管;而擎住电流是在断态向通态变化时定义的,开始有驱动信号但未完全导通时,晶闸管工作时间短,结温低,PN结漏电流Io不大,导通能力弱,需要较大的阳极电流才能使管子开通。

答案2.7 额定电流为10A的晶闸管能否承受长期通过15A的直流负载电流而不过热?

答:额定电流为10A的晶闸管能够承受长期通过15A的直流负载电流而不过热。因为晶闸管的额定电流是定义的:在环境温度为40℃和规定的散热冷却条件下,晶闸管在电阻性负载的单相、工频正弦半波导电、结温稳定在额定值125℃时,所对应的通态平均电流值。这就意味着晶闸管可以通过任意波形、有效值为1.57的电流,其发热温升正好是允许值,而恒定直流电的平均值与有效值相等,故额定电流为10A的晶闸管通过15.7A的直流负载电流,其发热温升正好是允许值。

2.8 说明GTO的关断原理。

答:在GTO的设计制造时,等效晶体管T2的集电极电流分配系数a2较大。当GTO处于通态时,突加一个负触发电流-Ig,使a2减小, 1-a2变大,急剧减小,就是阳极电流急剧减小,又导致电流分配系数a2和a1减小,使急剧减小,又使、

减小。在这种循环不已的正反馈作用下,最终导致GTO阳极电流减小到维持电流以下,GTO从通态转入断态。改善电力系统的运

行特性和运行经济性。这类应用将导致电力系统的革命并推动电力电子技术的继续发展。

2.9 说明P-MOSFET 栅极电压控制漏极电流的基本原理。案

答:当右图中P-MOSFET 漏-源极间电压为零、栅-源极之间电压也为零时,N型半导体与P型半导体之间要形成PN结空间电荷区(耗尽层)阻挡层,此时G-S之间和D-S之间都是绝缘的。当漏极D与源极S 之间有外加电压时,如果栅极、源极外加电压=0,由于漏极D(N1)与源极S(N2)之间是两个背靠背的PN结(PN1、PN2),无论是正向电压还是负电压,都有一个PN 结反偏,故漏-源极之间也不可能导电。当栅、源极之间外加正向电压>0时,在G-P之间形成电场,在电场力的作用下P 区的电子移近G极,或者说栅极G的正电位吸引P区的电子至邻近栅极的一侧,当增大到超过某一值值时,N1和N2中间地区靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后,栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层,栅极下由栅极正电位所形成的这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子,形成一个电子浓度很高的沟道(称为N沟道),这个沟道将N1和N2两个N区联在一起,又使

N1P这个被反偏的PN结J1消失,成为漏极D和源极S之间的导电沟道,一旦漏-源之间也有正向电压,就会形成漏极电流。

在=0时,不能产生电流,=0,仅在增大到=以后,才使G-P之间的外电场增强,形成自由电子导电沟道,才能产生漏极电流,这种改变栅极G和源极S 之间外加电压,即可控制漏极电流的作用称为电导调制效应。

2.10 作为开关使用时P-MOSFET器件主要的优缺点是什么?

答:作为开关使用时,P-MOSFET器件的优点是:输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高;其缺点是:通态压

降大(通态损耗大),电压、电流定额低。

答案2.11 列表比较BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT以及SIT七种可控开关器件对触发(或驱动)电流(或电压)波形的要求,及主要优缺点。

答:

表 BJT SCR GTO P – MOSFET IGBT MCT SIT 的对

对触发信号波形的要

主要优点主要缺点

BJT(电流型全控器件)正持续基极电流控制

开通;基极电流为0

则关断

通态压降

小,通态损

耗小

驱动功率

大;频率

SCR(电流型半控器件)正脉冲门极电流控制

开通;触发信号不能

控制关断

通态压降

小,通态损

耗小

驱动功率

大,频率

GTO(电流型全)正脉冲门极电流控制

开通;负脉冲门极电

流(较大)控制关断

通态压降

小,通态损

耗小

驱动功率

大,频率

第三章

3.1 直流-直流电压变换中开关器件的占空比是什么?推证

图3.1(c)所示脉宽时间为、脉宽角度为、周期为、幅值为的方波脉冲电压的直流平均值及各次谐波的幅值。

答:占空比是开关管导通时间与开关周期的比值。

图 3.1(c)中方波脉冲电压可以表示为如下傅立叶表达

式:

其中常数项为直流平均值,即;

各余弦项为各次谐波,其幅值为:

图3.1 Buck变换器电路结构及降压

3.2 脉冲宽度调制PWM和脉冲频率调制PFM的优缺点是什么?案

答:脉冲宽度调制方式PWM ,保持不变(开关频率不变),改变调控输出电压。

脉冲频率调制方式PFM。保持不变,改变开关频率或周期调控输出电压。

实际应用中广泛采用PWM方式。因为采用定频PWM开关时,输出电压中谐波的频率固定,滤波器设计容易,开关过程所产生电磁干扰容易控制。此外由控制系统获得可变脉宽信号比获得可变频率信号容易实现。但是在谐振软开关变换器中为了保证谐振过程的完成,采用PFM控制较容易实现。

答案

3.3 Buck变换器中电感电流的脉动和输出电压的脉动与哪些因数有关,试从物理上给以解释。

答:电感电流的脉动量与电感量、开关频率、输入电压、输出电压有关,输出电压的脉动量与电感量、电容量、开关频率、输出电压有关。电感量、电容量越大其滤波效果越好,而开关频率越高,滤波电感的交流阻抗就很大,它对直流电压的阻抗基本为0,同时滤波电容的交流阻抗很小。

案3.4 Buck变换器断流工况下的变压比与哪些因数有关,试从物理上给以解释。

答:Buck 变换器在电流断续工况下其变压比不仅与占空比有关,还与负载电流的大小、电感、开关频率以及电压等有关。

答案3.5 图3.2(a)、3.5(a)电路稳态时在一个开关周期中,电感电流的增量,电感L 的磁通增量是否为零,为什么?电容的电流平均值为零,电容端电压的增量是否为零,为什么?

答:电路处于稳态时,在一个开关周期内电感电流的增量,同时电感的磁通增量,因为如果一个周期内电感的磁通增量,那么电感上的磁通将无法复位,也即电感上的能量不断累积,最终将达到饱和,甚至烧毁电感,所以稳态工作时应使一个开关周期内电感的磁通增量。电容的电流平均值为0,那么电容端电压的增量也为0,因为稳态时一个周期内电容上的充电电荷等于放电电荷,即电容上电荷增量,而电容端电压增量,故电容端电压的增量也为0。

答案3.6 Buck 变换器中电流临界连续是什么意思?当负载电压、电流一定时在什么条件下可以避免电感电流断流?

答:Buck变换器中电感电流临界连续是指处于电感电流连续和电感电流断流两种工况的临界点的工作状态。这时在开关管阻断

期结束时,电感电流刚好降为零。当负载电压、电流一定时增大电感量和提高开关频率都可以避免电感电流断流。

3.7 开关电路实现直流升压变换的基本原理是什么?

答:为了获得高于电源电压的直流输出电压,一个简单而有

效的办法是在变换器开关管前端插入

一个电感L,如右图所示。在开关管T

关断时,利用图中电感线圈在其电流减小时所产生的反电势(在电感电流减小时,为正值),将此电感反电势与电源电压串联相加送至负载,则负载就可获得高于电源电压的直流电压,从而实现直流升压变换。

3.8 Boost 变换器为什么不宜在占空比接近1的情况下工作?案

答:因为在Boost变换器中,开关管导通时,电源与负载脱离,其能量全部储存在电感中,当开关管关断时,能量才从电感中释放到负载。如果占空比接近于1,那么开关接近于全导通状态,几乎没有关断时间,那么电感在开关管导通期间储存的能量没有

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子考试题库(含答案)

一、填空(每空1分) 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称: 电力晶体管GTR;图形符号为; 可关断晶闸管GTO;图形符号为; 功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为; 绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分 为有源逆变器与无源逆变器两大类。 16、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的大电 流有效值为15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 5.1( ;晶闸管 )2 220 2

的额定电流可选为A 57 .115)35.1(倍 是 阳极A , 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ;关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断 。 18、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o 变化,在阻感性负载时移相范围在 φ—180o 变化。 20、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗 X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等到参数有关。 21、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用 大于60o小于120o的宽脉冲 触发;二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲 触发。 27、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 √2U2 。三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为 √6 U2 。(电源电压为U2) 28、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角,用 α 表示。 29、正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o、 度,实际移相范围只有 150o 。 30、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压,经常使用的保护方法是 阻容保护 而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和 硒堆 。

电力电子技术答案第五版(全)

电子电力课后习题答案 第一章电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正相阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。 或者U AK >0且U GK >0 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。 1.3 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为 I m ,试计算各波形的电流平均值I d1 、I d2 、I d3 与电流有效值I 1 、I 2 、I 3 。 解:a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I 1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I 2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t c) I d3= ?= 2 Im 4 1 ) ( Im 2 1π ω π t d I 3= Im 2 1 ) ( Im 2 1 2 2= ?t dω π π 1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2 、I d3 各为多 少?这时,相应的电流最大值I m1、I m2 、I m3 各为多少? 解:额定电流I T(AV) =100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1 35 . 329 4767 .0 ≈ ≈ I A, I d1 ≈0.2717I m1 ≈89.48A

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力 MOSFET)、绝缘 栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力 MOSFET,属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
;电力晶体管的图形符号是

第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ,其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __,续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _(设 U2 为相电压有效值)。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α 角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ;
带阻感负载时,α 角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电
流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _,晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_,使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时, 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压;这种电路
角的移相范围是_0-120o _,ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当
从 0°~90°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_,

从 90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 , 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 , 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ , 欲 实 现 有 源 逆 变 , 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ; 对 于 单 相 全 波 电 路 , 当 控制 角
0<
<
时,电路工作在__整流_状态;
时,电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,
其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O,使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM)_、_频率调制_和_(ton 和 T 都可调,改变占空比)混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能
编辑版 word

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分) 1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,称为:___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定,双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是:晶闸管_________________和阴极间施加正向电压,并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。 19、温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而__________,正反向漏电流随温度升高而__________,维持电流I H会____________________,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定,负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有: ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有: (1)_________________________________________,(2)______________________________________,(3)_________________________________________,(4)_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能,而将直流转换为交流电能称为__________________________,它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。

电力电子基础考试题库

作业1 一、判断题(C第1-10题每题4分) 1. 逆变器采用负载换流方式实现换流时,负载谐振回路不一定要呈电容性。 (A) A (B) B 2. 双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是?用电流有 效值来表示的。 (A) A (B) B 3. 在DC/DC变换电路中,可以采用电网换流方法。 (A) A (B) B 4. 为避免三次谐波注入电网,晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法 (A) A (B) B 5. 电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。 (A) A (B) B

6. 过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。 (A) A (B) B 7. 在变流装置系统中,增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。 (A) A (B) B 8. PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作。 (A) A (B) B 9. 对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工 作。 (A) A (B) B 10. 无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。 (A) A (B) B

[参考答案:B] 分值:4 二、单选题(第1-15题每题4分) 1. 在晶闸管触发电路中,改变()的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目 的 (A) 同步电压 (B) 控制电压 (C) 脉冲变压器变比 (D) 整流变压器变比 2. 直流斩波电路是一种______变换电路 (A) AC/AC (B) DC/AC (C) DC/DC (D) AC/DC 3. 功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定:集电极-发射极允许最高击穿电压,集电 极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和______ (A) 基极最大允许直流功率线

电力电子技术重点王兆安第五版打印版

第1章绪论 1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 (1)交流变直流AC-DC:整流 (2)直流变交流DC-AC:逆变 (3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现(4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。 第2章电力电子器件 1 电力电子器件与主电路的关系 (1)主电路:指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。 2 电力电子器件一般都工作于开关状态,以减小本身损耗。 3 电力电子系统基本组成与工作原理 (1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 (2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 (4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。 4 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 (1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。 (2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。 (3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 (1)电流型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO、GTR。(2)电压型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 (1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。 (2)双极型器件:由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。(3)复合型器件:有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。 5 半控型器件—晶闸管SCR 将器件N1、P2半导体取倾斜截面,则晶闸管变成V1-PNP 和V2-NPN两个晶体管。 晶闸管的导通工作原理 (1)当AK间加正向电压A E,晶闸管不能导通,主要是中间存在反向PN结。 (2)当GK间加正向电压G E,NPN晶体管基极存在驱动电流G I,NPN晶体管导通,产生集电极电流2c I。 (3)集电极电流2c I构成PNP的基极驱动电流,PNP导通,进一步放大产生PNP集电极电流1c I。 (4)1c I与G I构成NPN的驱动电流,继续上述过程,形成强烈的负反馈,这样NPN和PNP两个晶体管完全饱和,晶闸管导通。 2.3.1.4.3 晶闸管是半控型器件的原因 (1)晶闸管导通后撤掉外部门极电流G I,但是NPN基极仍然存在电流,由PNP集电极电流1c I供给,电流已经形成强烈正反馈,因此晶闸管继续维持导通。 (2)因此,晶闸管的门极电流只能触发控制其导通而不能控制其关断。 2.3.1.4.4 晶闸管的关断工作原理 满足下面条件,晶闸管才能关断: (1)去掉AK间正向电压; (2)AK间加反向电压; (3)设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下。 2.3.2.1.1 晶闸管正常工作时的静态特性 (1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 (2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 (3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。 (4)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 2.4.1.1 GTO的结构 (1)GTO与普通晶闸管的相同点:是PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。 (2)GTO与普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件,其内部包含数十个甚至数百个供阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起,正是这种特殊结构才能实现门极关断作用。 2.4.1.2 GTO的静态特性 (1)当GTO承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 (2)当GTO承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情

电力电子技术第五版第二章答案

电力电子技术第五版课后习题答案 第二章电力电子器件 2. 使晶闸管导通的条件是什么? 答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电 流(脉冲)。或:U AK >0且U GK >0。 3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电 流,即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管 的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶 闸管关断。 4. 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最 解:a) I di =丄 jmsin ,td(,t)=5 (2 1) 0.27仃 I m 2冗 4 2冗 2 5. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶闸管能送出的平均电流I di 、I d2、 I d3各为多少?这时,相应的电流最大值 I m1 > I m2 > I m3 解:额定电流I T (AV )=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结 果 知 a) I m1 0.4767 329.35, I d1 0.27 仃 I m1 89.48 b) c) "=J 舟 /(泾:n^t)2 d(

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ; 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ; 带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的 电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续,_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;

电力电子试题及答案A

交通大学电力电子复习 一、 选择题 1、下列电力电子器件中,存在电导调制效应的是(ABD ) A 、GOT B 、GTR C 、power MOSFET D 、IGBT 2、单相桥式全控整流电路,阻感性负载R L ?? ω 。设变压器二次侧电压为U 2,则晶体管承受的最高正、反向电压分别为(D ) A 、2222 ,22U U B 、 222,2 2U U C 、 222 2 , 2U U D 、222,2U U 3、单相半控桥式整流电路带大电感负载,为了避免出现一只晶体管一直导通,另两只整流二极管交替换相导通的失控现象发生,采取的措施是在负载两端并联一个(D ) A 、电容 B 、电感 C 、电阻 D 、二极管 4、逆变电路的功能是将直流电能转换为(B ) A 、直流电能 B 、交流电能 C 、磁场储能 D 、电场储能 5、三相桥式变流电路工作在有源逆变状态,其输出侧平均电压U d 与外接直流电动势 E 间的关系为(C ) A 、E U d = B 、E U d > C 、E U d < D 、U d =-E 6、三相桥式全控整流电路变压器二次侧电流中有(C ) A 、12±k B 、13±k C 、16±k D 、112±k (k 为整数) 7、交—直—交电流型逆变器中间直流环节的储能元件是(B )

A、大电容 B、大电感 C、蓄电池 D、电动机 8、无源逆变电路不能采用的换流方式是(A) A、电网换流 B、负载换流 C、强迫换流 D、器件换流 9、、电压型逆变电路的输出电压波形为(A) A、矩形波 B、三角波 C、正弦波 D、与负载性质有关 10、支路控制三角形连接三相交流调压电路的典型应用是(B) A、TSC B、TCR C、SVC D、SVG 二、填空题 1、晶闸管是一种由四层半导体材料构成的三端器件,它有3个PN节,阳极用字母A表示,阴极用字母K表示,门极用字母G 表示。 2、在规定条件下,晶闸管取正、反向重复峰值电压中较小的作为其额定电压。 3、晶闸管的维持电流I H是指晶闸管维持导通所需的最小电流。 4、如图:

电力电子考试题库-(含答案)

一、填空(每空1分), 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:评計亡円斤* 电力晶体管GTR ;图形符号为___________ ;' " ' 可关断晶闸管GTO ;图形符号为___________ ; 功率场效应晶体管.MOSFET;图形符号为__________ ; 绝缘栅双极型晶体管_IGBT 图形符号为__________ ;IGBT是一MOSFET 和—GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿 要陡幅值要高 _和_触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为一正弦波「输出电流波形为—方波_。 5、型号为KS100-8的元件表示—双向晶闸管—晶闸管、它的额定电压 为_800V_伏、额定有效电流为_ 100A_。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂的上、 下二个元件之间进行;而1200导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是 在一不同桥臂上的元件之间进行的。 7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会一增加_、正反向漏电流会—下降一;当温度升高时,晶闸管的触发电流会一下降「正反向漏电流会一增加?。 & 在有环流逆变系统中,环流指的是只流经_逆变电源_、_逆变桥而 不流经一负载一的电流。环流可在电路中加_电抗器_来限制。为了减小环流一般采控用控制角a _大于B的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器—、串进线电抗器、接入直流 快速开关_、控制快速移相使输出电压下降。(写出四种即可) 门极G接负—电压,T2接_正_电压。 川+触发:第一阳极T1接_负电压,第二阳极T2接正_ 电压;门极G接正电 压,T2接_负_电压。 川-触发:第一阳极T1接—负电压,第二阳极T2接—正电压;门极G接—负电压,T2接—正_电压。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有_ 负载—换流和 _______ 强迫(脉冲) 换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分 为 ___ 有源—逆变器与—无源—逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200— 9,请说明KJ快速晶闸管 _; 200表示表示 _ 200A_, 9表示_________________ 900V_。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲:主要用于驱动小功 率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为—强触发脉冲—脉冲;可 以触发—大—功率的晶闸管。 16、一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的大 电流有效值为15A ,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为(1.5-2倍)2220V :晶闸管的额定电流可选为(1.5-3倍) 1.57

电力电子技术复习试题与答案

电力电子技术复习2011 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°, B、60°, c、360°, D、120° 2、α为C度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0度, B,60度, C,30度, D,120度, 3、晶闸管触发电路中,若改变 B 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变比。 4、可实现有源逆变的电路为A。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种围合理A。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流桥电 路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角的移相围应选B为最好。 A、=90o∽180o, B、=35o∽90o, C、 =0o∽90o, 8、晶闸管整流装置在换相时刻(例如:从U相换到V相时)的输出电压等于C。

A、U相换相时刻电压u U , B、V相换相时刻电 压u V , C、等于u U +u V 的一半即: 9、三相全控整流桥电路,如采用双窄脉冲触发晶闸管时,下图中哪一种双窄脉 冲间距相隔角度符合要求。请选择B。 10、晶闸管触发电路中,若使控制电压U C =0,改变C的大小,可使 直流电动机负载电压U d =0,使触发角α=90o。达到调定移相控制围,实现整流、逆变的控制要求。 B、同步电压, B、控制电压, C、偏移 调正电压。 11、下面哪种功能不属于变流的功能(C) A、有源逆变 B、交流调压 C、变压器降压 D、直流斩波 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A、交流相电压的过零点; B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V, 则该晶闸管的额定电压应为(B) A、700V B、750V C、800V D、850V 14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相围是( D )

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ , 2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2;带 阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出 现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条 件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC ≥_1.5-2.5_T ,此 时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

相关文档
最新文档