三极管习题

三极管习题
三极管习题

A 、 放大

B 、截止

C 、饱和

D 、损坏 2、三级管工作在截止区,要求( )

A 、发射结正偏,集电结正偏

B 、发射结正偏,集电结反偏

C 、发射结反偏,集电结正偏

D 、发射结反偏,集电结反偏 3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ,V

E =3V ,V B =3.7V ,则该管工作在( )

A .饱和区

B .截止区

C .放大区

D .击穿区

4.下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是( )

A V C =0.3V ,V E =0V , V

B =0.7V B V

C =-4V , V E =-7.4V ,V B =-6.7V C V C =6V , V E =0V , V B =-3V

D V C =2V , V

E =2V , V B =2.7V 5.如果三极管工作在饱和区,两个PN 结状态( )

A .均为正偏

B .均为反偏

C .发射结正偏,集电结反偏

D .发射结反偏,集电结正偏 6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ,V B =0.7V ,V

E =1V 则晶体

管工作在( )状态。 A 、 放大 B 、截止 C 、饱和 D 、损坏

7、工作在放大区的某三极管,如果当Ib 从12μA 增大到22μA 时,Ic 从1mA 变为2mA ,

那么它的β约为( ) 。 A. 83 B. 91 C. 100 8、工作于放大状态的PNP 管,各电极必须满足( )

A .Uc > Ub > Ue

B 。Uc< Ub < Ue

C 。Ub >Uc > Ue

D 。Uc > Ue > Ub

9. 放大电路如图所示,已知硅三极管的50=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

A. 截止

B. 饱和

C. 放大

D. 无法确定

10. 放大电路如图所示,已知三极管的05=β,则该电路中三极管的工作状态为( )。

(b)V

(c)0V (d)

A. 截止

B. 饱和

C. 放大

D. 无法确定

11. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。

A. mA 10,V 3C CE ==I U

B. mA 40,V 2C CE ==I U

C. mA 20,V 6C CE ==I U

D. mA 2,V 20C CE ==I U 12. 在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )。 A.C B E I I I += B. B C I I β≈

C. CEO CBO I I 1(β+=

D. βααβ=+

13. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V ,则此时三极管工作于( ) 状态。

A. 饱和

B. 截止

C. 放大

D. 无法确定 14 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 三、判断题

判断图示三极管的工作状态。

2、如图示,试判断工作在饱和状态的管子( )。

3.工作在放大区的三极管,集电结正偏。( )

4.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。( )

5.三极管是电压放大元件。( ) 6.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成。( ) 7、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。( ) 8、如图示,试判断工作在放大状态的管子( )。

9. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同,因此,可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。( )

10. 三极管工作在放大区时,若iB 为常数,则uCE 增大时,iC 几乎不变,故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。( ) 四、识别题

1.用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. (1)判断是PNP 还是NPN 管?

(2)求另一个电极的电流大小,在图上标出实际方向 (3)图上标出管子的E.B.C.极 (4)估算管子的?值.

① ② ③

2. 某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示,测得IA=2mA ,IB=0.04m A ,IC=2.04mA ,则电极 为基极,

为集电极, 为发射极;为

型管;

=β 。

(c)

(b)

(a)

(b) (c) 0V (d)

三极管在电路中的使用(超详细 有实例)

一种三极管开关电路设计 三极管除了可以当做交流信号放大器之外,也可以做为开关之用。严格说起来,三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同,但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示,即为三极管电子开关的基本电路图。由图可知,负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间,而位居三极管主电流的回路上。 输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open)与闭合(closed)动作,当三极管呈开启状态时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状态时,电流便可以流通。详细的说,当Vin为低电压时,由于基极没有电流,因此集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的开启,此时三极管乃胜作于截止(cut off)区。 同理,当Vin为高电压时,由于有基极电流流动,因此使集电极流过更大的放大电流,因此负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此时三极管乃胜作于饱和区(saturatiON)。 1 三极管开关电路的分析设计 由于对硅三极管而言,其基射极接面之正向偏压值约为0.6伏特,因此欲使三极管截止,Vin必须低于0.6伏特,以使三极管的基极电流为零。通常在设计时,为了可以更确定三极管必处于截止状态起见,往往使Vin值低于0.3伏特。(838电子资源)当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态。欲将电流传送到负载上,则三极管的集电极与射极必须短路,就像机械开关的闭合动作一样。欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律三极管呈饱和时,其集电极电流应该为: 因此,基极电流最少应为:

模电三极管练习题

第二章三极管练习题 一、填空题: 1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。 2.三极管按结构分为_ 和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。 3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1= 6.5V,U2= 7.2V,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是__ __和______。 8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。 11.在正常工作范围内,场效应管极无电流 12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。 13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。 14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。 15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。 16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。 二、选择题: 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=0.7V,V E=1V则晶体管工作在()状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区,要求() A、发射结正偏,集电结正偏 B、发射结正偏,集电结反偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域?() A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=3.3V,V E=3V,V B=3.7V,则该管工作在() A.饱和区B.截止区 C.放大区D.击穿区 5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。 A.U CE=15V,I C=150 mA B.U CE=20V,I C=80 mA C.U CE=35V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=50mA 6.下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是()

三极管放大电路习题集

三极管放大电路 一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)可以说任何放大电路都有功率放大作用;() (2)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;() (3)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;() (4)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;() (5)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;() (6)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()解:(1)√(2)×(3)×(4)√(5)× (6)× 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2 解:(a)不能。因为输入信号被V B B短路。 (b)可能。 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。 (d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 (e)不能。因为输入信号被C2短路。 (f)不能。因为输出信号被V CC短路,恒为零。 (g)可能。 (h)不合理。因为G-S间电压将大于零。 (i)不能。因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中, 已知V CC =12V ,晶体管的β=100,' b R = 100k Ω。填空:要求先填文字表达式后填得数。 (1)当i U &=0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则' b R 和R W 之和R b = ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。 (2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值' o U =0.6V , 则电压放大倍数 u A &= ≈ 。 若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载 图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。 解:(1)3 )( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC ,;, I U V I U V β-- 。 (2)0.3 120 ' o L C L i o U R R R U U ?-+; - 。 四、已知图T2.3所示电路中V CC =12V ,R C =3k Ω,静态管压降U C E Q =6V ;并在输出端加负载电阻R L ,其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值U o m ≈ ; A.2V B.3V C.6V (2)当i U &=1mV 时,若在不失真的条件下,减小R W ,则输出电压的幅值将 ; A.减小 B.不变 C.增大 (3)在i U &=1mV 时,将R w 调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将 ; A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将 。 A.R W 减小 B.R c 减小 C.V CC 减小 解:(1)A (2)C (3)B (4)B

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二

极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

2017模电习题课复习

模电典型例题分析 第一章 题1.1 1、对某放大电路进行测试,u s=15mv,Rs=1kΩ,R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时,测得uo=1.5v, 当开关S闭合时,测得uo=1.2v,则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 2、对某放大电路进行测试,当接入一个内阻等于零的电压信号源时,测得输出电压为5V,在信号源内阻增大到1,其它条件不变时,测得输出电压为4V, 说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2负载电阻时,测得输 出电压为3V,在输入电压不变的情况下断开负载电阻,输出电压上升到7.5V,说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。 3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,U OA=U OB;都接入负载电阻R L时,测得U OA

=8.26和=2.5 第二章 题2.1 1.如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,Rw=100k 。请问:当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时,输出Uo =?V ; 解:14V ,1V ,6(7)V 2.如图所示电路,已知集成运放开环差模电压增益为∞,其电源电压±VCC=±14V ,Ui=1V ;R1=10k,R2=200k 。请问: 当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo =?V ; 最左端时Uo = -14 V ;最右端时Uo = 0 V ;中点时Uo = -10 V 。 题 2.2 在题图所示的放大电路中,已知Ω=====k R R R R R 1087521, Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式; ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u s i s i i v v R R R += L o L i O o R R R A V +=v v s v v o = VS A L o L o R R R A +=v

三极管共射放大电路实验报告

实验名称:三极管共射放大电路 一、实验目的和要求(必填)二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填)四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析(必填) 七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1、学习共射放大电路的设计方法。 2、掌握放大电路静态工作点的测量与调整方法。 3、学习放大电路性能指标的测试方法。 4、了解静态工作点与输出波形失真的关系,掌握最大不失真输出电压的测量方法。 5、进一步熟悉示波器、函数信号发生器、交流毫伏表的使用。 二、实验内容 1、静态工作点的调整和测量 2、测量电压放大倍数 3、测量最大不失真输出电压 4、测量输入电阻和输出电阻 5、测量上限频率和下限频率 6、研究静态工作点对输出波形的影响 三、主要仪器设备 1、示波器、信号发生器、晶体管毫伏表 2、共射电路实验板 四、实验原理与实验步骤 单管共射放大电路 1、放大电路静态工作点的测量和调试 准备工作: (1) 对照电路原理图,仔细检查电路的完整性和焊接质量。 (2) 开启直流稳压电源,将直流稳压电源的输出调整到12V,并用万用表检测输出电压。确认后,先关

闭直流稳压电源。 (3) 将电路板的工作电源端与12V 直流稳压电源接通。然后,开启直流稳压电源。此时,放大电路处于工作状态。 静态工作点的调整,调节电位器,使Q 点满足要求(ICQ =1.5mA)。 直接测电流不方便,一般采用电压测量法来换算电流。 测电压时,要充分考虑到万用表直流电压档内阻对被测电路的影响 。因此应通过测电阻Rc 两端的压降VRc ,然后计算出ICQ 。 (若测出VCEQ <0.5V ,则说明三极管已饱和;若VCEQ ≈+VCC ,则说明三极管已截止。若VBEQ>2V ,则说明三极管已被击穿) 2、测量电压放大倍数 (1) 必须保持放大电路的静态工作点不变! (2) 从信号发生器输出1kHz 的正弦波,作为放大电路的输入(Vi=10mV 有效值) 。 (3) 用示波器监视输出波形,波形正确后再用交流毫伏表测出有效值。 3、测量最大不失真输出电压 (1) 静态工作点不变,用示波器监视输出波形。 (2) 逐渐增大输入信号幅度,直至输出刚出现失真。 (3) 测量时通常以饱和失真为准(当Q 点位于中间时)。 (4) 交流毫伏表测出有效值。 4、测量输入电阻 实验原理: 放大电路的输入电阻可用电阻分压法来测量,图中R 为已知阻值的外接电阻,分别测出Vs 和Vi ,则 实验步骤: (1) 输入正弦波(幅度和频率?) 。 (2) 用示波器监视输出波形,要求不失真。 (3) 用交流毫伏表测出Vs 和Vi ,计算得到Ri 。 5、测量输出电阻 实验原理: 放大电路的输出电阻可用增益改变法来测量,分别测出负载开路时的输出电压Vo'和带上负载RL 后的输出电压Vo ,则 R V V V R V V V I V R i s i i s i i i i -=-== /) ('o L o L o V R R R V +=L o o o R V V R ???? ??-=1'

详解经典三极管基本放大电路

详解经典三极管基本放大电路 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 图1:三极管基本放大电路 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。 下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。 如果我们在上面这个图中,将电阻Rc换成一个灯泡,那么当基极电流为0时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β),三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

最新模电数电复习题(已整理)

第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

三极管常用应用电路

三极管常用电路 1.三极管偏置电路_固定偏置电路 如上图为三极管常用电路中的固定偏置电路:Rb的作用是用来控制晶体管的基极电路Ib,Ib称为偏流,Rb称为偏流电阻或偏置电阻.改变Rb的值,就可以改变Ib的大小.图中Rb 固定,称为固定偏置电阻. 这种电路简单,使用元件少,但是由于晶体管的热稳定性差,尽管偏置电阻Rb固定,当温度升高时,晶体管的Iceo急剧增加,使Ie也增加,导致晶体管工作点发生变化.所以只有在温度变化不大,温度稳定性不高的场合才用固定偏置电路 2.三极管偏置电路_电压负反馈偏置电路 如上图为三极管常用电路中的电压负反馈偏置电路:晶体管的基极偏置电阻接于集电极. 这个电路好象与固定偏置电路在形式上没有多大差别,然而正是这一点,恰恰起到了自动补偿工作点漂移的效果.从图中可见,当温度升高时,Ic增大,那么Ic上的压降也要增大,使得Uce下降,通过Rb,必然Ib也随之减小,Ib的减小导致Ic的减小,从而稳定了Ic,保证了

Uce基本不变. 这个过程,称为负反馈过程,这个电路就是电压负反馈偏置电路. 2.三极管偏置电路_分压式电流负反馈偏置电路 如上图为三极管常用电路中的分压式电流负反馈偏置电路:这个电路通过发射极回路串入电阻Re和基极回路由电阻R1,R2的分压关系固定基极电位以稳定工作点,称为分压式电流负反馈偏置电路.下面分析工作点稳定过程. 当温度升高,Iceo增大使Ic增加.Ie也随之增加.这时发射极电阻Re上的压降Ue=Ie*Re 也随之升高.由于基极电位Ub是固定的,晶体管发射结Ube=Ub-Ue,所以Ube必然减小,从而使Ib减小,Ic和Ie也就减小了. 这个过程与电压负反馈类似,都能起到稳定工作点的目的.但是,这个电路的反馈是Ue=Ie*Re,取决于输出电流,与输出电压无关,所以称电流负反馈. 在这个电路中,上,下基极偏置电阻R1,R2的阻值适当小些,使基极电位Ub主要由它们的分压值决定.发射极上的反馈电阻Re越大,负反馈越深,稳定性越好.不过Re太大,在电源电压不变的情况下,会使Uce下降,影响放大,所以Re要选得适当. 如果输入交流信号,也会在Re上引起压降,降低了放大器的放大倍数,为了避免这一点,Re 两端并联了一个电容Ce,起交流旁路作用. 这种电路稳定性好,所以应用很广泛. 一、采用仪表放大器还是差分放大器 尽管仪表放大器和差分放大器有很多共性,但设计过程的第一步应当是选择使用何种类型的放大器。

三极管放大电路实验报告

三极管放大电路 1、问题简述: 要求设计一放大电路,电路部分参数及要求如下: (1)信号源电压幅值:0.5V; (2)信号源内阻:50kohm; (3)电路总增益:2倍; (4)总功耗:小于30mW; (5)增益不平坦度:20 ~ 200kHz范围内小于0.1dB。 2、问题分析: 通过分析得出放大电路可以采用三极管放大电路。 2.1 对三种放大电路的分析 (1)共射级电路要求高负载,同时具有大增益特性; (2)共集电极电路具有负载能力较强的特性,但增益特性不好,小于1; (3)共基极电路增益特性比较好,但与共射级电路一样带负载能力不强。 综上所述,对于次放大电路来说单采用一个三极管是行不通的,因为它要求此放大电路具有比较好的增益特性以及有较强的带负载能力。 2.2 放大电路的设计思路 在此放大电路中采用两级放大的思路。 先采用共射级电路对信号进行放大,使之达到放大两倍的要求;再采用共集电极电路提高电路的负载能力。 3、实验目的 (1)进一步理解三极管的放大特性; (2)掌握三极管放大电路的设计; (3)掌握三种三极管放大电路的特性; (4)掌握三极管放大电路波形的调试; (5)提高遇到问题时解决问题的能力。 4、问题解决 测量调试过程中的电路: 增益调试: 首先测量各点(电源、基极、输出端)的波形:

结果如下:

绿色的线代表电压变化,红色代表电源。调节电阻R2、R3、R5使得电压的最大值大于电源电压的2/3。 V A=R2//R3//(1+β)R5 / [R2//R3//(1+β)R5+R1],其中由于R1较大因此R2、R3也相对较大。 第一级放大输出处的波形调试(采用共射级放大电路): 结果为: 红色的电压最大值与绿色电压最大值之比即为放大倍数。 则需要适当增大R2,减小R3的阻值。 总输出的调试: 如果放大倍数不合适,则调节R4与R5的阻值。即当放大倍数不足时,应增大R4,减小R5。 如果失真则需要调节R6,或者适当增大电源的电压值,必要时可以返回C极,调节C极的输出。 功率的调试: 由于大功率电路耗电现象非常严重,因此我们在设计电路时,应在满足要求的情况下尽可能的减小电路的总功耗。减小总功耗的方法有: (1)尽可能减小输入直流电压; (2)尽可能减小R2、R3的阻值; (3)尽可能增大R6的阻值。 电路输入输出增益、相位的调试: 由于在放大电路分别采用了共射极和共集电极电路,因此输出信号和输入信号相位相差180度。体现在波形上是,当输入交流信号电压达到最大值是,输出信号到达最小值。 由于工作频率为1kHz,当采用专门的增益、相位仪器测量时需要保证工作频率附近出的增益、相位特性比较平稳,尤其相位应为±180度附近。一般情况下,为了达到这一目的,通常采用的方法为适当增大C6(下图为C1)的电容。 最终调试电路:

模电 习题答案(精选.)

2.10 在图P2.9所示电路中,设静态时I C Q =2mA ,晶体管饱和管压降U C E S =0.6V 。试问:当负载电阻R L =∞和R L =3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏? 解:由于I C Q =2mA ,所以U C E Q =V C C -I C Q R c =6V 。 空载时,输入信号增大到一定幅值,电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时,当输入信号增大到一定幅值,电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示,晶体管的β=100,'bb r =100Ω。 (1)求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ; (2)若电容C e 开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变 化? 解:(1)静态分析: V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析: Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& (2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A &减小,e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示,晶体管的β=80,r b e =1k Ω。 (1)求出Q 点; (2)分别求出R L =∞和R L =3k Ω时电路的u A &和R i ;

三极管放大实验报告

(一)、实验目的 1.对晶体三极管进行实物识别,了解它们的命名方法和主要技术指标; 2.学习放大电路动态参数(电压放大倍数等)的测量方法; 3.调节电路相关参数,用示波器观测输出波形,对饱和失真失真的情况进行研究; 4.通过实验进一步熟悉三极管的使用方法及放大电路的研究方法。 (二)、实验原理 一、三极管 1. 三极管基本知识 三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管的分类方式很多,按照材料可分为硅管和锗管;按照结构可分为NPN和PNP;按照功能可分为开关管、功率管、达林顿管、光敏管等;按照功率可分为小功率管、中功率管和大功率管;按照工作频率可分为低频管、高频管和超频管;按照安装方式可分为插件三极管和贴片三极管。 三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,根据排列方式的不同可将三极管分为PNP和NPN两种。 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN 结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大。 两种不同类型三极管的表示方式如图1所示,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

图1 不同类型三极管表示方式 2.三极管放大原理 (1)发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。 (2)基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 (3)集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。 3.三极管的工作状态 截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。 饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

模电练习题

模电练习题 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

练习题一 1. 填空题 贴片电阻多用数码法标示,如512标示Ω。() 色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和误差为。(Ω±1%) 某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为Ω。() 一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为 uF、误差为±5%。() 电容具有通,阻的电气特性。(交流,直流) 电感在电路中常用“L”表示,电感的特性是通直流阻交流,频率越,线圈阻抗越大。(高) 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止电流通过。(低频交流) P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。(空穴,电子) 温度增加时,二极管的正向电阻将会变。(小) PN结最大的特点是。(单向导电性) 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为 A,最高反向工作电压为 V。(1,50) 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的极。(正) 三极管有三个引脚,基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。(B,发射) 三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分为型和型两种。(NPN,PNP) 指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是型。(NPN) 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。(源极,漏极) 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值,比标称阻抗值要,这是正常现象。(直流,小) 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。(电声) 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。(内热式,外热式) 焊接电子元件时,一般来说最恰当的时间是在 s内完成。(~4) 用数字万用表测试二极管的反向电阻,应显示为。(1) 2. 选择题 有几位同学拿来一个滑动变阻器,看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样,这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解,你认为正确的是()。(C)

三极管三种电路的特点

三极管三种电路的特点 1.共发射极电路特点 共射极电路又称反相放大电路,其特点为电压增益大,输出电压与输入电压反相,低频性能差,适用于低频、和多级放大电路的中间级 共发射极放大电路 共发射极的放大电路,如图2所示。 图2 共发射极放大电路 因具有电流与电压放大增益,所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下: 输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。 电流增益: 电压增益: 负号表示输出信号与输入信号反相(相位差180°)。 功率增益: 功率增益在三种接法中最大。 共发射极放大电路偏压

图4自给偏压方式 又称为基极偏压电路,最简单的偏压电路,稳定性差,容易受β值的变动影响,温度每升高10℃时,逆向饱和电流ICO增加一倍。温度每升高1℃时,基射电压VBE减少2.5mV ,β随温度升高而增加(影响最大) 。

图5带电流反馈的基极偏压方式 三极管发射极加上电流反馈电阻,特性有所改善,但还是不太稳定。 图6分压式偏置电路 此为标准低频信号放大原理图电路,其R1(下拉电阻)及R2为三极管偏压电阻,为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻,R4为电流反馈电阻(改善特性),C3为旁路电容,C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容(直流电受到阻碍),信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意: 三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2,放大倍数就会变大。而在交流时C2将R4短路。 为什么要接入R1及R4? 因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件,温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高,集电极电流增大;温度降低,集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动,有可能使输出信号产生失真。在实际电路中,要求流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB。这样温度变化引起的IB的变化,对基极电位就没有多大的影响了,就可以用R1和R2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后,基极电位提高,为了保证发射结压降正常,就要串入发射极电阻R4。 R4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大,则发射极对地电位升高,因基极电位基本不变,故UBE减小。从输入特性曲线可知,UBE的减小基极电流将随之下降,根据三极管的电流控制原理,集电极电流将下降,反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用,这个电路具有工作点稳定的特性。当流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB(一般大于十倍以上)时,可以用下列方法计算工作

三极管共射放大电路实验报告

实验报告 课程名称:_电路与电子实验___________指导老师:_ _________成绩:实验名称:__ 三极管共射放大电路_______实验类型:__________ ____同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填) 二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填) 四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理 六、实验结果与分析(必填) 七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1.掌握放大电路静态工作点的测量与调整方法,了解在不同偏置条件下静态工作点对放大电路性能的影响。 2.学习放大电路的电压放大倍数和最大不失真输出电压的测量方法。 3.学习放大电路输入、输出电阻的测量方法以及频率特性的测量方法。 二、实验内容和原理 仿真电路图 实验名称:_______________________________姓名:________________学号:__________________ 静态工作点变化而引起的饱和失真与截止失真 1. 静态工作点的调整和测量 : 调节R W1,使Q 点满足要求(I CQ =1.5mA)。测量个点的静态电压值 2. R L =∞及R L =2K 时,电压放大倍数的测量 : 保持静态工作点不变!输入中频段正弦波,示波器 监视输出波形,交流毫伏表测出有效值。 3. R L =∞时,最大不失真输出电压V omax (有效值)≥3V : 增大输入信号幅度与调节R W1,用示波器监视 输出波形、交流毫伏表测出最大不失真输出电压V omax 。 4. 输入电阻和输出电阻的测量 : 采用分压法或半压法测量输入、输出电阻。 5. 放大电路上限频率f H 、下限频率f L 的测量 : 改变输入信号频率,下降到中频段输出电压的0.707 倍。 6. 观察静态工作点对输出波形的影响 : 饱和失真、截止失真、同时出现。 三、主要仪器设备 示波器、函数信号发生器、12V 稳压源、万用表、实验电路板、三极管9013、电位器、各种电阻及电容器若干等 四、操作方法和实验步骤 准备工作: a) 修改实验电路 ◆ 将K 1用连接线短路(短接R 7); ◆ R W2用连接线短路; ◆ 在V 1处插入NPN 型三极管(9013); ◆ 将R L 接入到A 为R L =2k ,不接入为R L =∞(开路) 。 b) 开启直流稳压电源,将直流稳压电源的输出调整到12V ,并用万用表检测输出电压。 c) 确认输出电压为12V 后,关闭直流稳压电源。 d) 用导线将电路板的工作电源与12V 直流稳压电源连接。 e) 开启直流稳压电源。此时,放大电路已处于工作状态。 实验步骤 1.测量并调整放大电路的静态工作点 P.

(完整版)哈工大模电习题册答案

【2-1】 填空: 1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 3.漂移电流是 在 作用下形成的。 4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。 5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。 6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。 1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。 2. 杂质浓度,温度。 3. 少数载流子,(内)电场力。 4. 单向导电性,正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。 5. 反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z ),工作电流(I Emin ),最大管耗(P Zmax )和动态电阻(r Z ) 6. 增大; 【2-2】电路如图2.10.4所示,其中u i =20sinωt (mV),f =1kHz ,试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。假设电容C 容量足够大。 - +- +C R +k 5ΩV 6i u VD +- D u D i a) ( 图2.10.4 题2-5电路图 1.静态分析 静态,是指u i =0,这时u i 视作短路,C 对直流视作开路,其等效电路如图1.4.2(a)所示。不妨设U D =0.6V 则 D D 6V (60.6)V 1.08mA 5k U I R --= ==Ω 对于静态分析,也可以根据二极管的伏安特性曲线,用图解法求解。 2.动态分析 对于交流信号,直流电源和电容C 视作短路;二极管因工作在静态工作点附近很小的范 围内,故可用动态电阻r d 等效,且D d D 1i r u ?=?,由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。 二极管伏安特性方程: )1e (T D /S D -=U u I i (1.4.1) 由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ,故式1.4.1可简化为: T D /S D e U u I i ≈ T D D D d d d 1U I u i r ≈=

三极管共射极放大电路-实验报告

精品文档 实验报告 课程名称: 电路与模拟电子技术实验 指导老师: 张冶沁 成绩:__________________ 实验名称: 三极管共射极放大电路 实验类型: 电路实验 同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填) 二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填) 四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理 六、实验结果与分析(必填) 七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1.学习共射放大电路的设计方法与调试技术; 2.掌握放大器静态工作点的测量与调整方法,了解在不同偏置条件下静态工作点对放大器性能的影响; 3.学习放大电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及频率特性等性能指标的测试方法; 4.了解静态工作点与输出波形失真的关系,掌握最大不失真输出电压的测量方法; 5.进一步熟悉示波器、函数信号发生器的使用。 二、实验内容和原理 1.静态工作点的调整与测量 2.测量电压放大倍数 3.测量最大不失真输出电压 4.测量输入电阻 5.测量输出电阻 专业: 姓名: 学号: 日期: 地点: 学生序号6

6.测量上限频率和下限频率 7.研究静态工作点对输出波形的影响 三、主要仪器设备 示波器、信号发生器、万用表 共射电路实验板 四、操作方法和实验步骤 1.静态工作点的测量和调试 实验步骤: (1)按所设计的放大器的元件连接电路,根据电路原理图仔细检查电路的完整性。 (2)开启直流稳压电源,用万用表检测15V工作电压,确认后,关闭电源。 (3)将放大器电路板的工作电源端与15V直流稳压电源接通。然后,开启电源。此时,放大器处于工作状态。 (4)调节偏置电位器,使放大电路的静态工作点满足设计要求I CQ=6mA。为方便起见,测量I CQ时,一般采用测量电阻R C两端的压降V Rc,然后根据I CQ=V Rc/Rc计算出I CQ。 (5)测量晶体管共射极放大电路的静态工作点,并将测量值、仿真值、理论估算值记录在下表中进行比较。 2.测量电压放大倍数(R L=∞、R L=1kΩ) 实验步骤: (1)从函数信号发生器输出1kHz的正弦波,加到电路板上的Us端。 (2)用示波器检查放大电路输出端是否有放大的正弦波且无失真。 (3)用示波器测量输入Ui电压,调节函数信号发生器幅度,使电路输入Ui= 10mV(有效值)。

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